Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
ru
Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на e-mail serj@foet.miem.edu.ru
PDF-версия от 8 апреля 2008 г.
Центр «Интеграция»
Учебное пособие
Москва 2002 г
2
Содержание
Введение.................................................…....................... 4
1. Остаточные радиационные эффекты в интегральных
микросхем……………………………………………..... 6
2. Радиационные переходные процессы в ИМС ………. 18
3. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах,
связанные с воздействием тяжелых заряженных
частиц космического излучения ...............……............ 22
4. Радиационные эффекты в изделиях
полупроводниковой электроники при воздействии
импульсного рентгеновского излучения ……................ 30
5. Испытания изделий полупроводниковой электроники
на радиационную стойкость ………………….............. 37
Литература....................................................................... 46
4
Введение
Подробное описание радиационных эффектов в интегральных
микросхемах (ИМС) представляет сложную и многогранную проблему в
виду очень большого разнообразия применяемых интегральных схем как
по функциональному назначению, так и по схемотехнической
организации, структурному построению и технологическим приемам
реализации топологии схемы. Поэтому среди этого разнообразия
необходимо провести классификацию, которая бы объединяла схемы по
общности их реакции на воздействие радиационных факторов.
Прежде всего, следует все ИМС разделить по функциональному
назначению, как это принято, на цифровые и аналоговые схемы.
Первые предназначены для преобразования и обработки сигналов,
изменяющихся по закону дискретной функции, вторые – по закону
непрерывной функции. Затем следует выделить полупроводниковый
материал и тип структуры основного активного элемента ИМС, в
соответствии с чем все ИМС делятся на кремниевые на биполярных
транзисторах, кремниевые на МДП-транзисторах и арсенидгаллиевые на
полевых транзисторах с барьером Шоттки.
В цифровых биполярных ИМС целесообразно отметить структуру
и схемотехническое построение базовой логической ячейки, в
соответствии с чем следует выделить схемы ТТЛ (транзисторно-
транзисторная логика) или ТТЛШ (транзисторно-транзисторная логика с
диодами Шоттки), И2Л (интегральная инжекционная логика), ЭСЛ
(эмиттерно-связанная логика).
В МДП-схемах обычно различают схемы на n-канальных МОП-
транзисторах (n-МОПИС) и на комплиментарных МОП-транзисторах
(КМОПИС).
Существенным фактором, определяющим реакцию ИМС на
некоторые виды радиационных воздействий, является также тип изоляции
5
E1 Ek
R1 Rk
Вых
T1
Вх 1 T2
Вх 2
Вх 3
Рис. 1. Базовая ТТЛ-ячейка
o
цилиндрической формы с радиусом около 1000 A . Концентрация
24
18 19
электронно-дырочных пар в плазме составляет величины 10 ÷10 см-3 и
даже выше, что существенно превосходит значения концентрации
основных носителей в подложках и эпитаксиальных пленках, которые
используются при создании ИМС. Если частица проходит через р-п-
переход, который является одним из основных элементов структуры ИМС,
и этот переход находится при обратном смещении, то через него протекает
импульсный ток, обусловленный сбором генерированных носителей в
области пространственного заряда перехода (мгновенная составляющая,
определяемая временем прохождения носителей через ОПЗ) и с расстояния
диффузионной длины (запаздывающая составляющая), если
протяженность хотя бы одной области, примыкающей к р-п-переходу
(например, подложки) превышает диффузионную длину носителей заряда
в ней. Этот процесс аналогичен возникновению избыточных
радиационных токов при импульсном воздействии ионизирующих
излучений, только в отличие от случая равномерной генерации пар по
всему объему интегральной схемы при гамма излучении ядерного взрыва,
когда вклад в радиационный ток дает вся площадь р-п-перехода, при
воздействии одиночной заряженной частицы сбор носителей заряда идет
не со всей площади р-п-перехода, а только с той ее части, которая
пересекается треком заряженной частицы. Однако на практике величины
токов оказываются существенно выше тех, которые должны были бы
наблюдаться, исходя из такой модели. Причиной такого расхождения
расчетных и экспериментальных данных является высокая концентрация
электронно-дырочных пар на треке заряженной частицы, что приводит к
«провисанию» эквипотенциальных поверхностей в подложку в области
трека, что схематически показано на рис.8 для обратно смещенного п+-р-
перехода. Этот эффект обычно называют эффектом образования зарядовой
воронки. Электрическое поле, первоначально локализованное в переходе,
при прохождении заряженной частицы перераспределяется в подложку из-
25
1 dE
N0(z) = (z ) , (2)
E П dx
где ЕП – энергия образования электронно-дырочной пары. Как правило, с
увеличением z, т.е. с проникновением заряженной частицы вглубь образца,
⎛ dE ⎞
величина ЛПЭ ⎜ ⎟ растет, т.к. энергия частицы постепенно уменьшается.
⎝ dx ⎠
Величина Qс определяется следующим образом:
Lc
Qс = q ∫ N 0 ( z ) ⋅ dz = q ⋅ N 0 ⋅ Lc , (3)
0
где N 0 - среднее значение линейной плотности пар на интервале Lc, равное
____
1 ⎛ dE ⎞
⎜ ⎟ . Величина Lc состоит из двух частей: ОПЗ и воронки, т.е.
E П ⎝ dx ⎠
Lc = vнн ⋅ τ с + WОПЗ (4)
где vнн - средняя дрейфовая скорость неосновных носителей заряда в
В свою очередь:
V + ϕ к V0
vнн = μ нн ⋅ Е = μ нн ⋅ = μ нн , (5)
Lc Lc
где μ нн -средняя величина подвижности неосновных носителей; Е -
средняя величина напряженности поля в воронке; V - величина обратного
напряжения, приложенного к р-п-переходу; ϕк - контактная разность
потенциалов в р-п-переходе.
Подставляя (5) в (4) и решая квадратное уравнение относительно Lc,
получаем:
⎡ 1
⎤
(
Lc = 0,5 ⋅ ⎢⎢WОПЗ + WОПЗ
2
+ 4 ⋅ μ нн ⋅ V0τ c ) 2
⎥.
⎥ (6)
⎢⎣ ⎥⎦
28
Lc = (μ нн ⋅ V0τ c ) .
2
(7)
Величину τс определим из анализа процесса движения основных носителей
из воронки за счет амбиполярной диффузии в направлении,
перпендикулярном оси трека, т.е. по радиусу цилиндра, т.к. уход из
воронки неосновных и основных носителей заряда определяется одним и
тем же временем. Изменение линейной плотности носителей в воронке N,
за счет их диффузии вдоль радиуса, связано с плотностью потока
основных носителей Iон, т.к. из уравнения непрерывности следует, что
растекание основных носителей от оси трека по радиусу (r) приводит к
соответствующему их потоку, в том числе на внешней границе
цилиндрической части воронки, где концентрация основных носителей
становится равной концентрации легирующей примеси в подложке Nп.
Тогда
dN
= −2πr (t ) I он . (8)
dt
В свою очередь, величина r (t ) определяется расстоянием от оси цилиндра,
на которое продвинутся основные носители за счет амбиполярной
диффузии за время t, т.е.
1
r (t ) = 2(Da t ) ,
2
(9)
где Da - коэффициент амбиполярной диффузии, а величина плотности
потока основных носителей заряда определяется равновесной
концентрацией основных носителей и скоростью их движения за счет
амбиполярной диффузии vон
I он = N п vон . (10)
Подставляя (9)и (10) в (8), получаем дифференциальное уравнение с
разделяющимися переменными:
29
1
dN
= −4πN п vон (Da t ) .
2
(11)
dt
После его решения с начальным условием N=N0 при t =0 получаем:
1 3
8
N (t ) = N 0 − πN n vон (Da ) t .
2 2
(12)
3
При t=τc N(t)=0. Отсюда находим τc
2
⎛ ⎞3
⎜ 3N 0 ⎟
τc= ⎜ 1
⎟ . (13)
⎜ ⎟
⎜ 8πN V D 2 ⎟
⎝ П ОН ⎠
В качестве величины Vон можно взять среднюю скорость
перемещения основных носителей за счет амбиполярной диффузии,
которая равна:
r (τ c ) Da
V= =2 . (14)
τc τc
Подставляя (14) в (13), находим уточненную величину τc:
⎛ 3N 0 ⎞
τc= ⎜⎜ ⎟⎟ . (15)
⎝ 16πN П Da ⎠
Теперь можно получить окончательные выражения для Lс,
подставляя величину τc (15) в соотношения (6) и (7). В частности, после
подстановки (15) в (7) получаем:
1
⎛ 3 N 0 μ HH V0 ⎞ 2
Lc = ⎜⎜ ⎟ . ⎟ (16)
⎝ 16πN П Da ⎠
В общем случае, как было указано ранее, величина No изменяется
вдоль оси трека. Поэтому в формуле(16) следует использовать среднее
значение N 0 .
В этом случае величина Qс равна:
1
⎛ 3μ HH V0 ⎞ 2 3
Qc = q⎜⎜ ⎟⎟ ⋅ (N 0 )2 . (17)
⎝ 16πN П Da ⎠
Таким образом, величина Qс растет с увеличением приложенного к
p-n-переходу обратного смещения и с уменьшением концентрации
30
W X пл =
(
CV ⋅ Tпл − Tокр + λ ) ⋅ρ, (20)
μe
34
Si
Al