Вы находитесь на странице: 1из 46

Этот файл загружен с сайта кафедры ФОЭТ http://foet.miem.edu.

ru
Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на e-mail serj@foet.miem.edu.ru
PDF-версия от 8 апреля 2008 г.

Министерство образования Российской Федерации

Российская академия наук

Центр «Интеграция»

Научно-образовательный центр Московского региона


в области фундаментальных проблем радиационной
физики твердого тела и радиационного материаловедения

Московский государственный институт


электроники и математики
(технический университет)

Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко

Радиационные эффекты в интегральных микросхемах


и методы испытаний изделий полупроводниковой
электроники на радиационную стойкость

Учебное пособие

Москва 2002 г
2

Составители: доцент Э.Н. Вологдин


д.т.н., профессор А.П. Лысенко

УДК 621.3.049.77: 539.16.04

Радиационные эффекты в интегральных микросхемах и методы


испытаний изделий полупроводниковой электроники на радиационную
стойкость. Учебное пособие по дисциплине «Радиационная стойкость
изделий электронной техники».

Научно-образовательный центр Московского региона в области


фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и
радиационного материаловедения. НОЦ - Московский государственный
институт электроники и математики.
Составители: Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко, М., 2002, 46 стр.

Основным содержанием учебного пособия является:


- рассмотрение вопросов влияния радиации на интегральные микросхемы;
- рассмотрение вопросов воздействия импульсного рентгеновского
излучения;
- рассмотрение методов испытаний изделий электронной техники на
радиационную стойкость.

Учебное пособие выполнено по координационному плану НОЦ на 2001 г.

Для студентов специальности 200100


Табл. 4, Ил. 9.

Рецензенты: к.т.н., с.н.с. НПО Пульсар Аврасин Э.Т.


к.т.н., доцент МЭИ Чарыков Н.А.
3

Содержание
Введение.................................................…....................... 4
1. Остаточные радиационные эффекты в интегральных
микросхем……………………………………………..... 6
2. Радиационные переходные процессы в ИМС ………. 18
3. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах,
связанные с воздействием тяжелых заряженных
частиц космического излучения ...............……............ 22
4. Радиационные эффекты в изделиях
полупроводниковой электроники при воздействии
импульсного рентгеновского излучения ……................ 30
5. Испытания изделий полупроводниковой электроники
на радиационную стойкость ………………….............. 37
Литература....................................................................... 46
4

Введение
Подробное описание радиационных эффектов в интегральных
микросхемах (ИМС) представляет сложную и многогранную проблему в
виду очень большого разнообразия применяемых интегральных схем как
по функциональному назначению, так и по схемотехнической
организации, структурному построению и технологическим приемам
реализации топологии схемы. Поэтому среди этого разнообразия
необходимо провести классификацию, которая бы объединяла схемы по
общности их реакции на воздействие радиационных факторов.
Прежде всего, следует все ИМС разделить по функциональному
назначению, как это принято, на цифровые и аналоговые схемы.
Первые предназначены для преобразования и обработки сигналов,
изменяющихся по закону дискретной функции, вторые – по закону
непрерывной функции. Затем следует выделить полупроводниковый
материал и тип структуры основного активного элемента ИМС, в
соответствии с чем все ИМС делятся на кремниевые на биполярных
транзисторах, кремниевые на МДП-транзисторах и арсенидгаллиевые на
полевых транзисторах с барьером Шоттки.
В цифровых биполярных ИМС целесообразно отметить структуру
и схемотехническое построение базовой логической ячейки, в
соответствии с чем следует выделить схемы ТТЛ (транзисторно-
транзисторная логика) или ТТЛШ (транзисторно-транзисторная логика с
диодами Шоттки), И2Л (интегральная инжекционная логика), ЭСЛ
(эмиттерно-связанная логика).
В МДП-схемах обычно различают схемы на n-канальных МОП-
транзисторах (n-МОПИС) и на комплиментарных МОП-транзисторах
(КМОПИС).
Существенным фактором, определяющим реакцию ИМС на
некоторые виды радиационных воздействий, является также тип изоляции
5

элементов в интегральных схемах и вид подложки, на которой


формируется структура интегральной схемы, а также степень интеграции,
т.е. количество элементов в структуре ИС.
Соотношение между степенью интеграции и количеством
элементов и компонентов на кристалле для различных схем приведены в
таблице 1.
Таблица 1.
Технология
Функциональное Число элементов
Степень изготовления
назначение и компонентов
интеграции (тип активных
схемы на кристалле
элементов)
Биполярная,
Цифровая 1 ... 100
Малая униполярная
Аналоговая Биполярная 1 ... 30
Цифровая Униполярная 101 ... 1000
Цифровая Биполярная 101 ... 500
Средняя Биполярная,
Аналоговая 31 ... 100
униполярная
Цифровая Униполярная 1001 ... 10000
Цифровая Биполярная 501 ... 2000
Большая Биполярная,
Аналоговая 101 ... 300
униполярная
Цифровая Униполярная Более 10000
Цифровая Биполярная Более 2000
Сверхбольшая Биполярная,
Аналоговая Более 300
униполярная
6

В условиях воздействия отдельных радиационных факторов может


оказывать влияние конструктивное исполнение интегральной схемы (тип
корпуса, бескорпусная модификация).
Радиационные эффекты в ИМС естественно связаны с
радиационными эффектами в активных элементах, входящих в состав
ИМС. Следовательно, как и в полупроводниковых приборах, в
интегральных схемах должны наблюдаться остаточные изменения их
параметров, радиационные переходные процессы и катастрофические
отказы, связанные с разрушением конструкции ИМС. Кроме этого, в
отличие от дискретных полупроводниковых приборов, в интегральных
схемах с большой степенью интеграции могут происходить специфические
процессы, связанные с локальным неравновесным энерговыделением за
счет прохождения через элементы схемы высокоэнергетичных тяжелых
заряженных частиц.
Изложенный в пособии материал содержит краткое описание
основных радиационных эффектов в интегральных микросхемах, а также
методов испытания изделий полупроводниковой электроники на
радиационную стойкость.

1. Остаточные радиационные эффекты в интегральных


микросхемах
Остаточные радиационные эффекты в ИМС проявляются в
деградации основных электрических параметров схем после воздействия
радиации, а для больших и сверхбольших ИС также и в потере их
функционирования, которое не восстанавливается после окончания
воздействия радиационных факторов. Эти эффекты напрямую связаны с
остаточными радиационными изменениями параметров тех активных
структур, на основе которых эти схемы созданы, т.е. кремниевых
7

биполярных транзисторов и МОП-транзисторов и арсенидгаллиевых


полевых транзисторов с барьером Шоттки.
Таким образом, остаточные радиационные эффекты в ИМС следует
ожидать прежде всего при воздействии гамма-нейтронного излучения
ядерных взрывов и ядерных установок, а также электронов и протонов
космического пространства.
Каждый вид интегральных схем имеет свою систему параметров и
среди этих параметров можно выделить один или несколько, изменения
которых и будут определять стойкость ИМС к различным видам радиации
по остаточным радиационным эффектам. Однако для некоторых классов
ИМС можно найти общие параметры-критерии радиационной стойкости и
выявить их количественную или, по крайней мере, качественную связь с
параметрами-критериями радиационной стойкости активных элементов
ИМС.
Так, для биполярных логических схем ТТЛ-типа с положительной
логикой при воздействии нейтронного излучения основным параметром-
критерием стойкости является выходное напряжение низкого уровня
(Uовых), которое определяется напряжением насыщения между
коллектором и эмиттером выходного биполярного транзистора (Uкэ нас), что
видно из анализа принципиальной схемы базовой ТТЛ-ячейки,
приведенной на рис. 1.
Когда на всех входах элемента ТТЛ устанавливается высокий
потенциал, запирающий эмиттерные переходы входного
многоэмиттерного транзистора Т1, то этот транзистор работает в режиме
инверсного включения. При этом ток, отбираемый от источника Е1 через
коллекторный переход транзистора Т1 поступает в базу транзистора Т2,
выполняющего функции инвертирующего усилителя. Инвертор
насыщается и на выходе ТТЛ-элемента устанавливается низкий потенциал
Uовых, равный Uкэ нас транзистора Т2.
8

E1 Ek

R1 Rk
Вых
T1

Вх 1 T2
Вх 2
Вх 3
Рис. 1. Базовая ТТЛ-ячейка

При нейтронном облучении величина Uкэ нас возрастает в основном


из-за уменьшения статического коэффициента передачи тока h21Е
транзистора Т2 и времени жизни носителей заряда в его коллекторной
области. Резкое увеличение Uовых происходит, когда выходной транзистор
из-за падения h21Е уже не может войти в режим насыщения, т.е. h21Е Ф2 <
JВЫХ /JБ2, где JВЫХ и JБ2 – выходной и входной токи инвертора. Это
приводит к невозможности выполнять основные логические функции, т.е.
к потере функционирования схемы. В качестве критерия радиационной
стойкости логических элементов ТТЛ-типа к воздействию излучений,
приводящих к дефектообразованию в объеме полупроводникового
материала, следует использовать условие, исключающее выход
транзистора Т2 из насыщения, при этом с некоторым запасом,
определяемым помехоустойчивостью элемента для низкого уровня Uоn.
Аналогичный подход может быть использован и для логических
схем ТТЛШ. Однако следует отметить, что использование диодов Шоттки,
шунтирующих переход коллектор-база насыщенного транзистора,
9

исключает накопление неравновесных носителей в коллекторной области


выходного транзистора, т.е. деградация времени жизни носителей заряда в
коллекторе при облучении не сказывается на увеличении Uовых и все
изменения Uовых определяются спадом h21Е.
Воздействие излучений, приводящих в основном к поверхностным
изменениям в биполярных структурах современных ТТЛ-схем с
достаточно тонкой базой (гамма-излучение, электроны и протоны
космического пространства), также сказывается на деградации
статического коэффициента передачи тока h21Е, однако, пока не возникает
инверсионных слоев на поверхности базы p-типа вблизи эмиттера, спад
h21Е, как правило, не приводит к выходу транзисторов из насыщения в
схемах ТТЛ и ТТЛШ. Поэтому возрастание Uовых при облучении будет
незначительным. Тогда в качестве параметра-критерия радиационной
стойкости может выступить выходное напряжение высокого уровня U ′вых,
которое уменьшается из-за увеличения падения напряжения на
сопротивлении нагрузки Rк закрытого выходного транзистора за счет
увеличения его токов утечки (Jкэо). Этот эффект особенно явно может
проявиться в интегральных схемах с диэлектрической изоляцией
элементов, которая применяется в изопланарной технологии, т.к. в
протяженных и глубоких областях SiO2, используемых для такой изоляции
и ограничивающих базовую область транзистора с боковых сторон, очень
велика вероятность образования инверсионного слоя на поверхности базы
p-типа за счет встраивания положительного заряда в SiO2 при облучении.
Схемы интегральной инжекционной логики (И2Л) по сравнению с
ТТЛ или ТТЛШ схемами имеют большую плотность элементов на
кристалле и меньшую рассеиваемую мощность, т.к. в них отсутствуют
резисторы и они могут эффективно работать при достаточно малых токах.
Принципиальная схема И2Л-ячейки и её структура показана на рис. 2.
10

Рис. 2. а) принципиальная схема И2Л-ячейки;


б) структура И2Л-ячейки.

В структуре создаются два транзистора: горизонтальный p-n-p типа


(Т1) и вертикальный n-p-n типа (Т2), у которого несколько коллекторов.
Принцип действия элемента И2Л состоит в следующем. Эмиттер
транзистора Т1 инжектирует дырки в эмиттерную область транзистора Т2,
которые затем попадают в коллектор транзистора Т1, являющийся
одновременно базой транзистора Т2. Если на входе схемы имеется высокий
потенциал, то транзистор Т2 входит в режим глубокого насыщения, т.е. на
его выходе (в коллекторе) создается низкий потенциал, соответствующий
выходному напряжению низкого уровня (Uовых), которое равно
напряжению насыщения Uкэ нас транзистора Т2. При снижении Uвх до
напряжения отпирания ток транзистора Т1 (ток инжектора) идет в
коллекторную цепь предыдущей ячейки и транзистор Т2 (инвертор)
выходит из насыщения. Напряжение на его выходе повышается, становясь

равным выходному напряжению высокого уровня (U вых), которое в
основном определяется падением напряжения на эмиттерном переходе и

на сопротивлении базы насыщенного транзистора Т2, т.к. U вых является
11

входным напряжением следующей ячейки, в которой Т2 находится в


насыщении.
При облучении из-за падения коэффициента передачи тока
эмиттера горизонтального транзистора (h21Е1) и коэффициента передачи
тока базы вертикального транзистора (h21Е2) растет Uовых, т.к. уменьшается
степень насыщения транзистора Т2. Более того, при определенном
значении h21Е2, этот транзистор более не может войти в насыщение, т.е.
нарушается функционирование схемы.
Следует отметить, что в отличие от выходных транзисторов в схеме
ТТЛ, в этой схеме из-за сильнолегированных коллекторных областей
транзистора Т2 в величине Uкэ нас отсутствует составляющая падения
напряжения на теле коллектора, что в общем приводит к меньшим
значениям Uкэ нас транзистора.

Величина U вых при облучении снижается в основном из-за
уменьшения с облучением падения напряжения на прямосмещенном
эмиттерном переходе транзистора Т2, связанного со снижением времени
жизни носителей заряда в базовых областях транзисторов Т1 и Т2. Следует
также подчеркнуть, что схемы И2Л значительно более чувствительны к
дозовым эффектам ионизирующих излучений, чем схемы ТТЛ. Это
связано с тем, что радиационные поверхностные изменения
коэффициентов передачи токи транзисторов в схемах И2Л более
значительны, чем в схемах ТТЛ, ибо для горизонтального транзистора p-n-
p типа вклад поверхностной рекомбинации весьма существенен, т.к.
инжекция носителей из эмиттера идет через боковую поверхность вблизи
поверхности кристалла, а для вертикального транзистора n-p-n типа
инжекция идет с большой площади эмиттера, а сбор носителей
осуществляется участками коллектора значительно меньшей площади.
Таким образом, существенная доля инжектированных носителей имеет
возможность рекомбинировать на поверхности кристалла. Кроме того,
12

общие радиационные изменения коэффициента передачи тока


вертикального транзистора, которые ответственны за потерю
функционирования И2Л схемы, значительно выше, чем у выходного
транзистора ТТЛ-схемы, т.к. в базе первого для инжектированных
носителей поле тормозящее, а в базе второго – ускоряющее, и доля
носителей, достигающих коллектора, у первого меньше, чем у второго из-
за большого вклада рекомбинации в пассивной базе.
Следовательно, в целом, радиационная стойкость по остаточным
эффектам И2Л-схем должна быть ниже, чем ТТЛ-схем.
Цифровые схемы эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ-типа)
являются наиболее быстродействующими логическими схемами, что
достигается прежде всего за счет предотвращения насыщения в этих
схемах с помощью введения глубокой обратной связи по току,
обеспечиваемой резистором, в цепи эмиттера. Принципиальная схема
ячейки ЭСЛ-типа представлена на рис. 3.

Рис. 3. Принципиальная схема ячейки ЭСЛ-типа.

В эмиттерную цепь транзисторов Т1 ÷ Т4 задается ток Jо


постоянного значения, что достигается включением достаточно
13

высокоомного резистора R или использованием транзисторного источника


тока. Значение тока Jо выбирают исходя из того, чтобы в нормальном
режиме элемента исключалось насыщение указанных транзисторов. На
базу транзистора Т4 подается фиксированный опорный потенциал Uоп,
который выбирают из условия, чтобы транзистор смог пропускать ток Jо
при установлении на всех входах, т.е. на базах транзисторов Т1, Т2, Т3,
низкого потенциала, соответствующего логическому 0. Если на какой-
нибудь из входов, т.е. на базу определенного транзистора, подается
высокий потенциал, соответствующий логической 1, то этот транзистор
открывается, и ток Jо потечет в его эмиттерную цепь. При этом транзистор
Т4 запирается. Напряжение на его коллекторе возрастает до величины,
близкой к Ек, и наоборот, на объеденных коллекторах транзисторов Т1, Т2,
Т3 напряжение падает за счет протекания тока на сопротивлении Rк1.
Указанные потенциалы невозможно использовать непосредственно
в качестве входных напряжений для управления последующими
элементами ИМС. Для нормальной работы ИМС необходимо произвести
сдвиг уровней коллекторных потенциалов, что осуществляется с помощью
эмиттерных повторителей на транзисторах Т5, Т6. При этом сдвиг
происходит на величину перепада напряжения между базой и эмиттером
транзисторов (UБЭ сд). При облучении из-за изменения коэффициентов
передачи тока транзисторов Т1 ÷ Т4 и токов утечки закрытого транзистора,
а также напряжения эмиттер-база прямосмещенных переходов

транзисторов Т5, Т6 U вых несколько уменьшается, а Uовых – возрастает.
Однако эти изменения невелики по сравнению с аналогичными
изменениями параметров И2Л и ТТЛ, что объясняется использованием в
ЭСЛ-схемах тонкобазовых вертикальных транзисторов, работающих при
достаточно больших уровнях токов.
Из статических параметров наибольшие изменения претерпевают

входные токи высокого уровня (J вх), что связано с падением h21Е
14

транзисторов Т1 ÷ Т3. Поэтому для ЭСЛ-схемы основными параметрами-


критериями радиационной стойкости становятся не статические, а
динамические параметры схем. Это обусловлено тем, что сами ЭСЛ-схемы
являются весьма быстродействующими, а при облучении быстродействие
ухудшается из-за увеличения времени перезарядки паразитных емкостей,
связанного с уменьшением амплитуды токов, что объясняется спадом
коэффициентов передачи тока базы при облучении. Из-за этого возрастают
времена включения и выключения и, следовательно, общее время
задержки сигнала в цепи последовательно включенных элементов.
Логические схемы на n-канальных МОП транзисторах обладают
очень высокой стойкостью к воздействию нейтронного излучения, однако
весьма чуствительны ко всем видам непосредственно ионизирующих
излучений (электроны, протоны, гамма-кванты), в первую очередь, из-за
образования в окисле при облучении встроенного положительного заряда,
который приводит к возникновению индуцированного канала в приборе,
который перестает управляться напряжением, приложенным к затвору.
Несколько более высокой стойкостью характеризуются цифровые
ИС схемы на КМОП-транзисторах.
Одним из основных элементов большинства цифровых КМОП ИС
является КМОП-инвертор, принципиальная схема которого изображена на
рис. 4. При подаче на вход положительного потенциала верхний
транзистор Т1 с p-каналом запирается, а нижний Т2 открывается, т.к. в нем
возникает индуцированный канал n-типа. Потенциал на выходе низкий и
соответствует выходному напряжению низкого уровня U0вых (он
отличается от нуля на величину падения напряжения на открытом
транзисторе с n-каналом Т2 за счет протекания тока утечки закрытого

транзистора Т1). Другой логический уровень (U вых) соответствует
величине, близкой к Еп, который возникает при подаче на вход напряжения
15

низкого уровня с предыдущего каскада, когда запирается транзистор Т2 и


отпирается транзистор Т1.

Рис. 4. Принципиальная схема КМОП-инвертора.

Видно, что в статическом режиме КМОП ИС характеризуются


очень малым потреблением мощности, т.к. в любом логическом состоянии
через них протекают лишь токи утечки закрытых транзисторов, что
соответствует малой величине тока потребления. Как и для n-канальных
МОП-транзисторов, основные радиационные изменения в КМОП ИС
характеризуются существенной зависимостью радиационной стойкости от
мощности поглощенной дозы излучения, что показано на рис. 5.
Объяснение такой зависимости связано с тем, что в современных КМОП-
схемах с достаточно тонким подзатворным диэлектриком, кроме
встраивания положительного заряда в SiO2, следует учитывать изменение
при облучении заряда в поверхностных состояниях, который соответствует
типу проводимости канала.
16

Рис. 5. Зависимость уровня отказа КМОП ИС от мощности поглощенной


дозы.

Таким образом, в n-канальном приборе наряду с положительным зарядом в


SiO2 возникает компенсирующий его отрицательный заряд поверхностных
состояний, тогда как в p-канальном приборе оба возникающих заряда
положительны, т.е. складываются. Также следует учитывать, что
положительный заряд в SiO2 может отжигаться со временем.
Следовательно, чем медленнее происходит набор дозы, тем больше шансов
положительному заряду отжечься, хотя бы частично. Таким образом, при
очень малых мощностях дозы, т.е. при длительных временах набора одной
и той же дозы положительный заряд отжигается и основную роль в
деградации начинает играть отрицательный заряд поверхностных
состояний, который увеличивает пороговое напряжение n-канальных
транзисторов. Это означает, что при управляющих сигналах на входе уже
не удается создать индуцированный канал n-типа и происходит
функциональный отказ схемы. С увеличением мощности дозы все меньше
17

доля положительного заряда успевает отжигаться за время облучения и


результирующий заряд в окисле и поверхностных состояниях для n-
канального транзистора уменьшается, что приводит к увеличению
радиационной стойкости КМОП ИС. Наконец, при очень больших
мощностях дозы положительный заряд в окисле во время облучения
вообще не отжигается, что приводит к невозможности создания
индуцированного канала p-типа, т.е. радиационная стойкость схемы снова
падает. Кроме функциональных отказов, связанных с невозможностью
индуцировать входным сигналом канал того или иного типа проводимости,
в КМОП ИС при облучении может происходить уменьшение
быстродействия из-за увеличения сопротивления канала за счет сдвига
порогового напряжения, т.к. при этом возрастает время перезарядки
емкостей, что приводит к увеличению времени распространения сигнала.
До функционального отказа в КМОП ИС могут также наблюдаться
изменения статических параметров, таких, как ток потребления (из-за
увеличения токов утечки в структуре), а также уменьшение
помехоустойчивости. Схемы КМОП на сапфировой подложке
(КМОП/КНС) по стойкости к дозовым эффектам несколько уступают
схемам КМОП на кремнии, т.к. в КМОП/КНС ИС имеется еще одна
граница с диэлектриком – граница кремний - сапфир, на которой также
может возникать встроенный заряд, влияющий на прохождение тока по
каналу между истоком и стоком. Кроме того, у этих схем большие токи
потребления из-за влияния этой дополнительной границы раздела.
Цифровые ИС на полевых арсенидгаллиевых транзисторах с
барьером Шоттки используют как нормально открытые структуры с
встроенным каналом, так и нормально закрытые структуры, у которых при
нулевом напряжении на затворе канал n-типа перекрыт. Он возникает при
подаче на затвор положительного смещения. Схемы с нормально
закрытыми структурами отличаются малой потребляемой мощностью,
18

хотя и уступают по быстродействию схемам с нормально открытыми


структурами. По остаточным радиационным эффектам цифровые схемы на
арсениде галлия являются наиболее радиационно стойкими, т.к. изменение
их параметров определяются изменениями параметров активных структур
и прежде всего напряжения отсечки (Uотс), которое связано с изменением
концентрации основных носителей при облучении и сопротивления канала
(Rкан), которое зависит не только от изменения концентрации, но и от
изменения подвижности носителей в канале.
Для относительно сильнолегированных областей канала изменение
концентрации и подвижности основных носителей заряда при облучении
становится заметным только при достаточно больших интегральных
потоках нейтронного излучения, существенно превышающих уровень 1014
н/см2. Изменение же в активных структурах схем за счет дозовых эффектов
практически не наблюдается при любых поглощенных дозах,
соответствующих реальной радиационной обстановке, т.к. поверхностные
радиационные эффекты в арсенидгаллиевых приборах отсутствуют.

2. Радиационные переходные процессы в ИМС


В группе радиационных переходных ионизационных эффектов в
ИМС можно условно выделить первичные эффекты, приводящие в общем
случае, к временной потере работоспособности ИМС, и вторичные
эффекты, обусловленные специфической реакцией ИМС на протекание
больших ионизационных токов и проявляющиеся в таких явлениях, как
радиационно-индуцированный пробой, перегорание металлизации
токоведущих дорожек, радиационное защелкивание паразитных
четырехслойных структур и т.д., т.е. способные вызвать катострофический
отказ ИМС.
Первичные эффекты в схемах ТТЛ-типа проявляются в смене
логического состояния ячейки во время действия импульса
19

ионизирующего излучения. Так, например, если ТТЛ-ячейка (рис.1)


находилась в состоянии логической единицы, то за счет протекания
ионизационного тока через сопротивление Rк, она может придти в
состояние логического нуля, а если первоначально ее состояние
соответствовало логическому нулю, то в момент воздействия импульса
излучения транзистор Т2 перейдет в закрытое состояние из-за протекания
тока через изолирующий переход транзистра Т1, т.е. на выходе ТТЛ-ячейки
будет высокий потенциал.
Возможно в такой структуре и радиационное защелкивание, т.к. п-р-
п-транзисторы ячейки формируются в подложке р-типа, т.е. образуется так
называемая паразитная тиристорная структура.
Уровень бессбойной работы ТТЛ-схем можно повысить, заменив
межэлементную изоляцию р-п-переходами на окисную изоляцию. При
этом исключается также и радиационное защелкивание.
Аналогичные эффекты при импульсном ионизирующем излучении
наблюдаются в схемах ТТЛШ-типа. Однако ионизационные токи в этих
схемах могут быть больше, т.к. в них, в отличие от схем ТТЛ-типа, не
применяется легирование золотом для увеличения быстродействия схем
(эту функцию выполняют диоды Шоттки).
В И2Л-схемах (рис.2) также при воздействии импульса излучения
может происходить изменение логического состояния ячейки за счет
следующих процессов:
- отпирание первоначально закрытого логического элемента из-за
падения напряжения на распределенном сопротивлении базы
транзистора Т2;
- запирание первоначально насыщенного транзистора Т2 из-за увеличения
тока в цепях нагрузки и уменьшения коэффициента передачи тока
транзистора Т2 при больших токах.
20

Однако малые напряжения питания И2Л-схем не позволяют развиваться


процессу радиационного защелкивания.
КМОП ИС имеют более высокую стойкость по радиационным
переходным эффектам по сравнению со схемами на биполярных
транзисторах. Однако КМОП ИС подвержены радиационному
защелкиванию, т.к. их структура содержит чередующиеся слои р- и п-типа
проводимости (рис.6).

Рис.6. Структура КМОП-ячейки

Четырехслойная структура образована: р+–стоком р-канального


транзистора, п-подложкой, р-карманом, п+-стоком п-канального
транзистора. Необходимыми и достаточными условиями защелкивания,
т.е. перевода четырехслойной структуры в низко импедансное состояние,
являются следующие:
- оба биполярных транзистра (рпр и прп), составляющие структуру,
должны работать в активном режиме;
- сумма коэффициентов передачи тока эмиттера этих транзисторов
превышает единицу;
21

- источник питания схемы может поддерживать необходимое


напряжение (напряжение удержания) и обеспечивать ток структуры в
низко импедансном состоянии.
Переход транзисторов в активную область происходит за счет отпирания
их эмиттерных переходов при протекании ионизационного тока,
обусловленного импульсом ионизирующего излучения. Схема находится в
низко импедансном состоянии до тех пор, пока напряжение питания не
снизится до уровня, меньшего напряжение удержания. Кроме того,
нахождение схемы в таком состоянии без ограничения тока может
привести к катастрофическому отказу за счет перегорания элементов ее
конструкции. Прежде всего происходит перегорание токоведущих
дорожек, не рассчитанных на протекание таких больших токов.
Кардинальным методом избавления от радиационного защелкивания
является использование структур кремний на изоляторе (КНИ), в
частности структур кремний на сапфире (КНС) (рис.7).

Рис.7. Структура ячейки КМОП КНС

В структурах КМОП КНИ (КНС) радиационное защелкивание


отсутствует. Кроме этого, уровень бессбойной работы также повышается
22

из-за малого объема, откуда может собираться ионизационный ток при


облучении, и достаточно малого времени жизни в эпитаксиальной пленке
кремния, выращенной на сапфировой подложке.
Весьма высокая стойкость по переходным ионизационным эффектам
и у схем с полевыми транзисторами с барьером Шоттки (ПТШ). Это также
объясняется малыми размерами активных структур ПТШ и малым
исходным временем жизни в арсениде галлия.
Аналоговые схемы на кремниевых транзисторах, особенно
биполярных, как правило, уступают по стойкости цифровым ИС.

3. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах, связанные с


воздействием тяжелых заряженных частиц космического излучения
Так как плотности потоков частиц в галактических космических
протонов
излучениях относительно небольшие (до 5 , на порядок меньше
см 2 ⋅ с
для а-частиц и на несколько порядков меньше для тяжелых заряженных
частиц), то суммарная поглощенная доза в элементах интегральных схем
за счет такого воздействия значительно меньше, чем за счет остальных
источников космической радиации (протонов и электронов радиационных
поясов Земли и солнечного космического излучения). Однако воздействие
тяжелых заряженных частиц приводит к специфическим эффектам,
связанным с появлением в отдельных элементах схемы локальных
областей с исключительно высокой плотностью электронно-дырочных пар,
обусловленных ионизационными потерями энергии отдельной заряженной
частицы на пути ее прохождения через интегральную схему. Учитывая
малые размеры элементов современных ИМС, особенно в схемах с
большой степенью интеграции, появление в отдельном элементе схемы
неравновесных носителей с концентрациями, существенно
превышающими уровни концентраций носителей заряда, связанных с
функционированием ИМС, может привести к нарушению
23

работоспособности схемы. Чаще всего это проявляется в виде изменения


логического состояния отдельной ячейки цифровых ИМС, что, как
правило, приводит к кратковременному сбою в функционировании схемы.
Такие явления называются одиночными сбоями (ОС). Однако в ряде
случаев воздействие одиночных заряженных частиц высоких энергий
может вызывать и необратимые отказы в ряде ИМС. Рассмотрим
процессы, происходящие в элементах ИМС при воздействии одиночных
заряженных частиц высокой энергии.
Заряженная частица, проходя через структуру ИМС, теряет свою
энергию в соответствии с тормозной способностью материала, в который
⎛ dE ⎞
частица попадает ⎜ ⎟ . Величину тормозной способности называют также
⎝ dx ⎠
линейной передачей энергии (ЛПЭ), т.к. она определяет потери энергии
частицы на единице длины ее пробега в соответствующем материале. При
этом ЛПЭ растет с увеличением массы частицы и уменьшением ее
энергии. Однако, зависимость ЛПЭ от энергии немонотонна и имеет
максимум, правда, при достаточно низких энергиях. Так для а-частиц
максимальная величина ЛПЭ приходится на энергию ∼ 1 МэВ и составляет
КэВ
∼355 . Проходя через полупроводниковый материал, заряженная
мкм
частица на пути своего движения (трека), который является
прямолинейным, создает неравновесные электронно-дырочные пары в
концентрациях, соответствующих энерговыделению. При этом
поглощенная доза в кремнии на оси трека от одной частицы может
6
достигать для протонов 10 рад, а для тяжелых заряженных частиц,
56 8 9
например Fe , 10 ÷10 рад. После прохождения частицы электронно-
дырочная плазма термализуется в течение пикосекунд внутри области

o
цилиндрической формы с радиусом около 1000 A . Концентрация
24

18 19
электронно-дырочных пар в плазме составляет величины 10 ÷10 см-3 и
даже выше, что существенно превосходит значения концентрации
основных носителей в подложках и эпитаксиальных пленках, которые
используются при создании ИМС. Если частица проходит через р-п-
переход, который является одним из основных элементов структуры ИМС,
и этот переход находится при обратном смещении, то через него протекает
импульсный ток, обусловленный сбором генерированных носителей в
области пространственного заряда перехода (мгновенная составляющая,
определяемая временем прохождения носителей через ОПЗ) и с расстояния
диффузионной длины (запаздывающая составляющая), если
протяженность хотя бы одной области, примыкающей к р-п-переходу
(например, подложки) превышает диффузионную длину носителей заряда
в ней. Этот процесс аналогичен возникновению избыточных
радиационных токов при импульсном воздействии ионизирующих
излучений, только в отличие от случая равномерной генерации пар по
всему объему интегральной схемы при гамма излучении ядерного взрыва,
когда вклад в радиационный ток дает вся площадь р-п-перехода, при
воздействии одиночной заряженной частицы сбор носителей заряда идет
не со всей площади р-п-перехода, а только с той ее части, которая
пересекается треком заряженной частицы. Однако на практике величины
токов оказываются существенно выше тех, которые должны были бы
наблюдаться, исходя из такой модели. Причиной такого расхождения
расчетных и экспериментальных данных является высокая концентрация
электронно-дырочных пар на треке заряженной частицы, что приводит к
«провисанию» эквипотенциальных поверхностей в подложку в области
трека, что схематически показано на рис.8 для обратно смещенного п+-р-
перехода. Этот эффект обычно называют эффектом образования зарядовой
воронки. Электрическое поле, первоначально локализованное в переходе,
при прохождении заряженной частицы перераспределяется в подложку из-
25

за высокой концентрации носителей заряда в треке. После термализации


неравновесные носители заряда начинают растекаться радиально от оси
трека в основном из-за амбиполярной диффузии и в осевом направлении в
результате дрейфа в электрическом поле. Таким образом, неосновные
носители (в данном случае электроны) дрейфуют по треку в сторону п+-
области, а основные носители (дырки) перемещаются перпендикулярно
оси трека за счет диффузии.

Рис.8. Эффект «провисания» объемного заряда п+- р-перехода при


пролете тяжелой заряженной частицы.

При этом, чтобы сохранялась электронейтральность в треке, электроны


тоже должны перемещаться к внешней боковой поверхности цилиндра, как
бы сопровождая дырки, ибо пространственное разделение электронов и
дырок приведет к возникновению полей, препятствующих такому
разделению. Уход электронов из какой-либо части цилиндра должен
сопровождаться соответствующим уходом из этой области дырок. Сначала
это происходит в нижней части воронки, затем этот процесс перемещается
26

в верхнюю часть и, наконец, воронка исчезает, т.е. происходит


восстановление области пространственного заряда (ОПЗ) перехода. Так
как время существования воронки определяется временем дрейфа
неосновных носителей заряда, то сбор носителей из нее приводит к
-8 -10
достаточно короткому (10 ÷10 с) импульсу тока, существенно
превышающему по величине ток, обусловленный сбором носителей заряда
только из ОПЗ перехода.
Сбои цифровых ИМС под действием одиночных заряженных частиц
удобнее оценивать с помощью величин собираемых зарядов, т.к. процесс
ложного срабатывания схемы при времени выделения энергии,
значительно меньшем времени жизни носителей заряда, характеризуется
величиной критического заряда Qкр, выделенного в чувствительном
элементе ИМС. При этом,
Qкр = ΔVпом⋅Сэфф (1)
где ΔVпом - помехоустойчивость ячейки, т.е. минимальная величина
напряжения помехи, способная перевести схему в другое логическое
состояние; Сэфф - эффективная величина емкости элемента ИМС.
Таким образом, сравнивая Qкр с величиной собираемого элементом
схемы заряда Qс, можно делать выводы о возможности ложного
срабатывания схемы. При Qс ≥ Qкр происходит одиночный сбой.
Следовательно, необходимо уметь определять величину собираемого
заряда, обусловленного прохождением заряженной частицы через ИМС.
Рассмотрим следующую модель собирания заряда. Общая длина
участка трека заряженной частицы, из которого собирается заряд, и
направленного перпендикулярно поверхности р-п-перехода, равна Lc.
Вдоль трека заряженной частицы существует линейная плотность
электронно-дырочных пар N0(z). Координата z совпадает с осью трека.
N0(z) связана с ЛПЭ в треке:
27

1 dE
N0(z) = (z ) , (2)
E П dx
где ЕП – энергия образования электронно-дырочной пары. Как правило, с
увеличением z, т.е. с проникновением заряженной частицы вглубь образца,
⎛ dE ⎞
величина ЛПЭ ⎜ ⎟ растет, т.к. энергия частицы постепенно уменьшается.
⎝ dx ⎠
Величина Qс определяется следующим образом:
Lc

Qс = q ∫ N 0 ( z ) ⋅ dz = q ⋅ N 0 ⋅ Lc , (3)
0
где N 0 - среднее значение линейной плотности пар на интервале Lc, равное
____
1 ⎛ dE ⎞
⎜ ⎟ . Величина Lc состоит из двух частей: ОПЗ и воронки, т.е.
E П ⎝ dx ⎠
Lc = vнн ⋅ τ с + WОПЗ (4)
где vнн - средняя дрейфовая скорость неосновных носителей заряда в

воронке; τ с - время дрейфа неосновных носителей вдоль оси воронки;


WОПЗ - ширина области пространственного заряда р-п-перехода.

В свою очередь:
V + ϕ к V0
vнн = μ нн ⋅ Е = μ нн ⋅ = μ нн , (5)
Lc Lc
где μ нн -средняя величина подвижности неосновных носителей; Е -
средняя величина напряженности поля в воронке; V - величина обратного
напряжения, приложенного к р-п-переходу; ϕк - контактная разность
потенциалов в р-п-переходе.
Подставляя (5) в (4) и решая квадратное уравнение относительно Lc,
получаем:
⎡ 1

(
Lc = 0,5 ⋅ ⎢⎢WОПЗ + WОПЗ
2
+ 4 ⋅ μ нн ⋅ V0τ c ) 2
⎥.
⎥ (6)
⎢⎣ ⎥⎦
28

В случае Lc >> WОПЗ соотношение (6) упрощается:


1

Lc = (μ нн ⋅ V0τ c ) .
2
(7)
Величину τс определим из анализа процесса движения основных носителей
из воронки за счет амбиполярной диффузии в направлении,
перпендикулярном оси трека, т.е. по радиусу цилиндра, т.к. уход из
воронки неосновных и основных носителей заряда определяется одним и
тем же временем. Изменение линейной плотности носителей в воронке N,
за счет их диффузии вдоль радиуса, связано с плотностью потока
основных носителей Iон, т.к. из уравнения непрерывности следует, что
растекание основных носителей от оси трека по радиусу (r) приводит к
соответствующему их потоку, в том числе на внешней границе
цилиндрической части воронки, где концентрация основных носителей
становится равной концентрации легирующей примеси в подложке Nп.
Тогда
dN
= −2πr (t ) I он . (8)
dt
В свою очередь, величина r (t ) определяется расстоянием от оси цилиндра,
на которое продвинутся основные носители за счет амбиполярной
диффузии за время t, т.е.
1

r (t ) = 2(Da t ) ,
2
(9)
где Da - коэффициент амбиполярной диффузии, а величина плотности
потока основных носителей заряда определяется равновесной
концентрацией основных носителей и скоростью их движения за счет
амбиполярной диффузии vон
I он = N п vон . (10)
Подставляя (9)и (10) в (8), получаем дифференциальное уравнение с
разделяющимися переменными:
29

1
dN
= −4πN п vон (Da t ) .
2
(11)
dt
После его решения с начальным условием N=N0 при t =0 получаем:
1 3
8
N (t ) = N 0 − πN n vон (Da ) t .
2 2
(12)
3
При t=τc N(t)=0. Отсюда находим τc
2
⎛ ⎞3
⎜ 3N 0 ⎟
τc= ⎜ 1
⎟ . (13)
⎜ ⎟
⎜ 8πN V D 2 ⎟
⎝ П ОН ⎠
В качестве величины Vон можно взять среднюю скорость
перемещения основных носителей за счет амбиполярной диффузии,
которая равна:
r (τ c ) Da
V= =2 . (14)
τc τc
Подставляя (14) в (13), находим уточненную величину τc:
⎛ 3N 0 ⎞
τc= ⎜⎜ ⎟⎟ . (15)
⎝ 16πN П Da ⎠
Теперь можно получить окончательные выражения для Lс,
подставляя величину τc (15) в соотношения (6) и (7). В частности, после
подстановки (15) в (7) получаем:
1
⎛ 3 N 0 μ HH V0 ⎞ 2
Lc = ⎜⎜ ⎟ . ⎟ (16)
⎝ 16πN П Da ⎠
В общем случае, как было указано ранее, величина No изменяется
вдоль оси трека. Поэтому в формуле(16) следует использовать среднее
значение N 0 .
В этом случае величина Qс равна:
1
⎛ 3μ HH V0 ⎞ 2 3
Qc = q⎜⎜ ⎟⎟ ⋅ (N 0 )2 . (17)
⎝ 16πN П Da ⎠
Таким образом, величина Qс растет с увеличением приложенного к
p-n-переходу обратного смещения и с уменьшением концентрации
30

легирующей примеси в подложке или эпитаксиальной пленке, в которой


сформированы элементы ИМС.

4. Радиационные эффекты в изделиях полупроводниковой


электроники при воздействии импульсного рентгеновского излучения
При ядерном взрыве кроме нейтронного и γ-излучения существует
рентгеновское излучение, которое может действовать на изделия
электронной техники при высотных ядерных взрывах. Обычные ядерные

устройства в момент взрыва разогреваются до температур ~10 6 оС. Любое


нагретое тело является источником электромагнитного излучения, причем,
чем выше температура, тем излучение становится более коротковолновым.
Излучение нагретых тел подчиняется закону Вина, связывающего длину
волны, соответствующую максимальному выходу излучения λmax с
абсолютной температурой тела Т:
b
λmax = , (18)
T
где константа b = 2,9 ⋅ 10 − 3 м⋅град.
o
Если Т = 10 6 К, то λm = 2,9 ⋅ 10 − 9 м = 29 Α . Это граница
рентгеновского спектра и ультрафиолета, т.е. при таком взрыве имеются
рентгеновские и световые кванты. При этом максимальному выходу
hc
излучения соответствуют кванты с энергией Eγ = hν max = ≈ 430 эВ.
λmax
Особой опасности для изделий электронной техники такое излучение не
представляет, т.к. корпус устройства является достаточно эффективным
экраном от такого излучения..
Однако есть устройства, при взрыве которых температура оболочки

достигает 108 К, тогда энергия квантов, соответствующая максимуму


выхода излучения, составляет Еγ ~ 50 кэВ. Это хорошо проникающие
31

кванты, они и вызывают специфические радиационные эффекты в


изделиях электронной техник (ИЭТ).
Учитывая, что поток энергии измеряется, как правило, в кал/см2 (в
системе СИ в Дж/см2), оценим уровень воздействующего излучения при
взрыве устройства, эквивалентного 1 Мт тротила. При взрыве одного
грамма тротила выделяется ~103 кал. Тогда при взрыве 1 Мт выделится
1015 кал. в виде общей энергии излучения. Основная энергия взрыва
переходит в кинетическую энергию осколков деления ядер, которые, в
свою очередь, взаимодействуют с оболочкой ядерного устройства и
нагревают её. Если взрыв высотный, то почти половина энергии взрыва
идет на нагрев оболочки взрывного устройства.
Определим поток энергии рентгеновского излучения WX падающий
на объект, расположенный на расстоянии R = 1 км от эпицентра.

0,5 ⋅ 1015 кал кал


WX ≅ ≈ 4 ⋅ 103
4π ⋅ 1010 см 2 см 2
С точки зрения вызываемых эффектов в ИЭТ это очень большие потоки
энергии, в чем мы убедимся ниже.
При поглощении энергии рентгеновского излучения в изделиях
полупроводниковой электроники будут происходить следующие процессы.
Сначала возникнет большое количество неравновесных электронно-
дырочных пар в полупроводниковом материале и диэлектрических
покрытиях, т.е. будут происходить эффекты, связанные с ионизацией
материала: во-первых, будет меняться встраиваемый положительный заряд
в SiO2 и концентрация центров поверхностной рекомбинации, во-вторых,
будут иметь место радиационные переходные процессы в виду
импульсного характера воздействия рентгеновского излучения.
Оценим количество поглощенной энергии при падающем потоке
кал
единичной плотности, например для Wпад=1 . Линейный коэффициент
см 2
32

поглощения энергии μе для квантов с энергией Еγ ~ 50 кэВ в кремнии μе =


0,53 см-1. Тогда количество энергии, поглощенной в одном грамме кремния
(поглощенная доза), составит:
кал
1 ⋅ 0,53см −1
WX ⋅ μe 2 эрг
D X погл = = см ≈ 9,4 ⋅106 = 9,4 ⋅104 рад ,
ρ Si г
2,35 3 г
см
где ρ Si - плотность кремния.

Соответственно мощность поглощенной дозы можно оценить,


разделив DХ погл на длительность импульса рентгеновского излучения,
равную ~ 10-8 с:
105 рад рад
Рх ≈ = 1013 .
10 −8 с с
Полученная величина Рх превышает максимальное значение Рγ при
ядерных взрывах.
Таким образом, ионизационные эффекты при воздействии
импульсного рентгеновского излучения приводят к радиационным
переходным процессам в ИМС и полупроводниковых приборах,
описанным ранее, а также влияют на параметры изделий
полупроводниковой электроники, зависящие от процессов, происходящих
при облучении в SiO2 и на границе раздела Si- SiO2.
Вторую группу эффектов можно условно назвать тепловыми
эффектами, т.к. в результате электрон-фононного взаимодействия будет
происходить разогрев материала. Оценим этот разогрев:
Dпогл
ΔT =
, (19)
CV
где СV – удельная теплоемкость при постоянном объеме. Соответственно
можно оценить, на сколько градусов нагреется поверхность различных
конструкционных материалов при попадании на нее потока
рентгеновского излучения в 1кал/см2 с ЕХ = 50 кэВ:
33

для кремния ΔТ ≅ 1,33 градуса


для меди ΔТ ≅ 24,9 градуса
для золота ΔТ ≅ 210,9 градуса
Эти цифры соответствуют максимальному перегреву, который спадает со
временем из-за перераспределения тепловой энергии в конструкции. Если
облучается массивный кусок золота, то энергия поглотится в тонком слое и
весь материал сильно не нагревается. Но золото в конструкциях ИЭТ
обычно используется в виде тонких объектов: это выводы, контактные
площадки, металлические прокладки и т.п., в том числе тонкие слои золота
могут располагаться на диэлектрике. В этом случае процессы теплоотвода
затруднены. Но даже при достаточно хорошем теплоотводе (например,
через кремний или теплопроводящий корпус) отвод тепловой энергии
достаточно инерционен, в то время как выделение энергии из-за
поглощения рентгеновского излучения происходит практически
мгновенно. Поэтому тонкие слои материала с большими коэффициентами
поглощения могут расплавиться или даже испариться. Правда на
плавление и испарение еще требуется дополнительные затраты энергии,
определяемые удельной теплотой плавления и испарения. В таблице 2
приведены значения плотностей потоков рентгеновского
Таблица 2
материал Si Al Cu Ge Sn Au Pb GaAs
Wпл
(кал/см2) 2549 1490 61,5 60 2,6 7,45 2,24 65,1

излучения, при которых происходит расплавление материалов,


используемых в технологии изготовления изделий электронной техники.
Расчет проводится по формуле

W X пл =
(
CV ⋅ Tпл − Tокр + λ ) ⋅ρ, (20)
μe
34

где λ - удельная теплота плавления материала, Тпл – температура плавления


материала, Токр – температура окружающей среды.
Очевидно, что при взрыве ядерного устройства мощностью 1 Мт на
расстоянии 1 км все указанные в таблице конструкционные материалы
расплавятся, а некоторые даже испарятся. Таким образом, основной
тепловой эффект, который необходимо учитывать – расплавление
материала конструкции ИЭТ. Кроме тепловых эффектов при воздействии
импульсного рентгеновского излучения имеют место термомеханические
эффекты, обусловленные очень малым временем выделения тепловой
энергии в элементах конструкции ИЭТ. Это означает, что в зоне
поглощения энергии материал мгновенно нагрелся до температур,
рассчитанных по формуле (19), т.е. мгновенно возросло тепловое давление,
которое раньше уравновешивалось упругим давлением. Нагретая решетка
стремится расшириться, а упругие силы не дают этого сделать, т.е. в
материале возникает упругая волна напряжения – волна сжатия, которая
распространяется от места поглощения энергии по всей конструкции
изделия. Если волна деформации проходит через несколько сред, то может
возникнуть отражение от границ раздела сред.
Для свободного (без отражения) прохождения акустической волны
через границы раздела двух материалов необходимо выполнить условие
акустического согласования:
ρ 1 ⋅ Cl1 = ρ 2 ⋅ Cl 2 , (21)
где Сl1,2 - скорости распространения упругой волны в соответствующих
средах, равные продольной скорости звука в материалах, ρ1,2- плотности
этих сред.
Если амплитуда волны велика настолько, что механические
напряжения превышают предел прочности, то материал будет
разрушаться. В первую очередь это касается хрупких материалов,
например кремния, арсенида галлия.
35

Если полупроводниковый кристалл крепится на медный фланец, в


котором поглощается большая доля Х-квантов, то возникшая там волна
напряжения, доходя до кристалла, разрушает его или разрушает
контактные соединения, например места термокомпрессионной сварки.
Как правило, разрушение конструкции происходит за счет
возникновения отраженной волны упругой деформации, т.к. предел
прочности на растяжение существенно меньше предела прочности на
сжатие, а первично возникшая волна сжатия может отразиться от
поверхности и перейти в волну растяжения. Именно этот механизм чаще
всего приводит к катастрофическим отказам изделий полупроводниковой
электроники при воздействии импульсного рентгеновского излучения.
Изложенный материал позволяет определить пути создания изделий
электронной техники, устойчивых к воздействию импульсного
рентгеновского излучения. Чтобы не возникало большого перегрева в
отдельных элементах конструкции ИЭТ, ее надо создавать из материалов с
малым коэффициентом поглощения рентгеновского излучения, т.е.
реализовывать так называемые «прозрачные» конструкции. Для этого надо
использовать конструкционные материалы с малой плотностью. В
качестве материала активных структур лучше всего использовать кремний,
как самый легкий из полупроводниковых материалов. В качестве
металлизации наиболее подходящим материалом является алюминий. Его
основной недостаток: он покрыт окисной пленкой Al2O3. Поэтому
подсоединять к нему вывода можно только с помощью ультразвука или
термокомпрессии. В конструкциях приборов и ИМС бывает много
диэлектрических элементов. Лучше всего использовать легкую керамику
без тяжелых наполнителей, например, бериллиевую керамику (BeO),
алюмооксидную керамику (Al2O3).
Конструкция полупроводникового прибора, стойкая к
рентгеновскому излучению, схематически отражена на рис.9. Лучше всего
36

Si

Al

Рис.9. Примерный вариант конструкции радиационно стойкого к


импульсному рентгеновскому воздействию прибора

использовать бескорпусные модификации. В качестве герметизирующего


покрытия надо подбирать полимер по плотности, не сильно отличающейся
от кремния, и чтобы скорость звука в нем была примерно одинакова с
кремнием. Это необходимо для подавления отраженной волны от границы
раздела кремний - полимер.
Если нельзя обойтись одними легкими материалами, то можно
использовать тонкие слои тяжелых материалов. Толщина их должна быть
меньше расстояния, которое проходит ультразвуковая волна за время
импульса (доли микрона).
Второй вариант радиационно стойкого прибора – создание
защитной конструкции. Если принципиально есть массивный
металлический теплоотвод, в котором происходит основное поглощение Х-
квантов, то он не расплавится, но будет источником волны деформации. В
этом случае надо предусмотреть акустическую развязку, т.е. создать слои,
отражающие волну, чтобы она не дошла до активного кристалла. Для этого
создают прослойки с существенно отличающейся плотностью. Легкие
промежуточные слои могут состоять, например, из легкой
теплопроводящей керамики или алюминия.
37

Если все-таки волна попадет в кристалл, то надо делать легкое


внешнее покрытие с большим коэффициентом поглощения ультразвука,
чтобы волна не отразилась от поверхности кремния, а прошла в покрытие
и там поглотилась.

5. Испытания изделий полупроводниковой электроники на


радиационную стойкость
По своим целям радиационные испытания изделий
полупроводниковой электроники (ИПЭ) делятся на аттестационные,
предназначенные для установления или подтверждения требований по
радиационной стойкости на вновь разрабатываемые или серийно
выпускаемые изделия, и определительные, связанные с получением
справочных данных по радиационной стойкости изделий, т.е. зависимости
основных радиационно чувствительных параметров изделий от
характеристик воздействующих радиационных факторов, прежде всего
флюенсов, доз и мощностей доз излучений.
Как правило, указанные испытания проводятся на моделирующих
установках (МУ), представляющих источники радиационных воздействий,
имеющих единую или близкую физическую природу и характеристики с
радиационными факторами, воздействующими в реальных условиях
эксплуатации изделий.
В отдельных случаях при испытаниях используются имитирующие
установки (ИУ) или имитаторы, т.е. источники воздействий различной
физической природы, обеспечивающие адекватное проявление и
моделирование в изделиях доминирующих эффектов, вызываемых
воздействием радиационных факторов в реальных условиях эксплуатации
изделий.
Имитационные испытания следует проводить, когда отсутствуют
соответствующие моделирующие установки, а также при отработке
методик аттестационных испытаний в части выбора параметров-критериев
38

стойкости, режимов и условий испытаний, при проверке применяемых


технологических, конструктивно-топологических, схемотехнических и
функциональных решений, направленных на снижение радиационной
чувствительности изделий в процессе их разработки, при проведении
периодических испытаний в условиях неритмичного производства и
изготовления изделий малыми партиями.
При испытаниях, моделирующих воздействие излучений ядерного
взрыва (ЯВ), необходимо учитывать действие, по крайней мере, трех
факторов: короткого импульса гамма-излучения, характеризующегося
мощностью экспозиционной дозы, более длительного воздействия гамма-
излучения, состоящего из вторичной и осколочной составляющих,
характеризующегося экспозиционной дозой, и импульса нейтронов,
основной характеристикой которого является флюенс. Кроме этого, в
случае наличия в технической документации на изделие требований по
воздействию импульса жесткого рентгеновского излучения, следует также
оценивать эффекты и такого воздействия.
Моделирование воздействия короткого гамма-импульса ядерного
взрыва осуществляется с помощью импульсных рентгеновских установок
и линейных сильноточных ускорителей электронов, работающих в режиме
генерации одиночных импульсов с торможением электронов на мишени
для создания тормозного рентгеновского излучения. Указанные
моделирующие установки обеспечивают длительности импульсов
рентгеновского излучения, соответствующие мгновенной гамма-
составляющей ядерного взрыва (10÷40 нс по полувысоте) и максимальные
мощности дозы излучения до 1012 Р/с вблизи мишени, что также
соответствует реальным условиям, в которых может функционировать
радиоэлектронная аппаратура, содержащая ИПЭ. Полное соответствие
спектрально-энергетических характеристик излучений МУ и ЯВ в этом
случае не требуется, т.к. реакция ИПЭ на воздействие указанного фактора
39

определяется только длительностью импульса и мощностью


экспозиционной дозы при условии достаточной проникающей способности
излучения МУ, что обеспечивается величиной ускоряющего напряжения в
рентгеновских установках и полной энергии ускоренных электронов в
линейных ускорителях.
Моделирование воздействия вторичного и осколочного гамма-
излучения ЯВ проводится, как правило, на гамма-установках с закрытыми
радионуклидными источниками, в качестве которых обычно используются
изотопы кобальт-60 или цезий-137. Энергия гамма-квантов изотопа
кобальт-60 (1.17 МэВ и 1.33 МэВ) в большей степени соответствует
энергетическому составу гамма-излучения ЯВ, чем у цезия-137 (0.661
МэВ). Однако, если на МУ обеспечивается та же самая экспозиционная
доза, что и при ядерном взрыве, то различие в энергии не сказывается на
результатах испытаний. Некоторое различие в результатах можно ожидать
из-за того, что при ядерном взрыве эта доза набирается за существенно
более короткое время, чем на МУ. Для отдельных классов изделий, в
частности, основанных на использовании МДП-структур, эта разница
весьма заметна, что должно учитываться в методиках испытаний
соответствующих ИПЭ. Моделирование воздействия импульса нейтронов
ЯВ осуществляется на импульсных ядерных реакторах на быстрых
нейтронах, которые обеспечивают длительности импульсов нейтронного
излучения от 50 мкс до 3 мс с максимальной величиной флюенса за один
импульс, приближающейся к 1015 н/см2 в центральном канале такого
реактора. Средние энергии нейтронов реактора могут достигать значений
1.4÷1.5 МэВ. Таким образом, амплитудно-временные характеристики МУ
близки соответствующим характеристикам импульса нейтронов ЯВ, а
некоторое различие в спектрально-энергетических характеристиках
должно учитываться при разработке методов испытаний.
40

Моделирование воздействия на ИПЭ жесткого рентгеновского


излучения ЯВ проводится на импульсных рентгеновских установках,
которые могут обеспечить соответствующие длительности и энергию
излучения, но не в состоянии создать максимально возможные в реальных
условиях ЯВ потоки энергии рентгеновского излучения, т.к. доля
рентгеновского излучения в общей выделенной энергии при ядерном
взрыве может достигать 50%. В этом случае можно использовать
имитационные испытания, т.е. с помощью других воздействий пытаться
реализовать в ограниченных объемах ИПЭ выделение весьма большой
удельной энергии, что приведет к эффектам, близким по своему
проявлению к эффектам за счет импульса жесткого рентгеновского
излучения. Большое удельное энерговыделение в локальных областях ИПЭ
можно обеспечить за счет сфокусированных импульсных пучков
электронов сильноточных ускорителей или за счет импульсных лазеров.
При этом профили энерговыделения в ИПЭ на МУ и в реальной
радиационной обстановке должны быть близкими, что не всегда
достигается из-за различных коэффициентов поглощения рентгеновского
излучения и излучения ИУ в элементах конструкции ИПЭ. При
использовании в качестве имитатора лазера, скорее всего, необходимо
работать с изделиями без корпуса из-за большого поглощения излучения
лазера в металлах.
Моделирование воздействия излучений ядерных установок легко
осуществить на обычных реакторах, работающих в стационарных
режимах. Однако большинство таких реакторов являются реакторами на
тепловых нейтронах, что приводит к большой наведенной
радиоактивности на ИПЭ, что затрудняет работу с ними после испытаний.
Поэтому обычно для испытаний используют те же реакторы, что и при
моделировании излучений ЯВ, и гамма-установки с радионуклидными
закрытыми источниками излучения, а разницу в спектрально-
41

энергетических характеристиках реакторов учитывают в методиках


испытаний.
Воздействие электронной составляющей излучения космического
пространства на ИПЭ моделируют с помощью ускорителей электронов или
бета-установок с закрытыми радионуклидными источниками, среди
которых наиболее подходящими для моделирования являются источники
на основе изотопа стронций-90 -иттрий-90 со средней энергией в
диапазоне 0.7÷1.1 МэВ в зависимости от конструкции источника и
максимальной энергией до 2 МэВ. Конечно, энергетический спектр
электронного излучения космического пространства отличается от спектра
радионуклидного источника и не имеет ничего общего с моноэнергией
электронного ускорителя. Однако эти различия могут быть учтены в
методиках испытаний с помощью соответствующих коэффициентов
эквивалентности воздействия указанных излучений. Кроме того,
большинство ускорителей электронов работают в импульсном режиме с
определенной частотой повторения импульсов, т.е. при плотностях
потоков электронов в импульсе, на несколько порядков превышающих
плотности потоков электронов в космическом пространстве, что может
сказаться на результатах испытаний для некоторых классов изделий.
Воздействие протонной составляющей излучения космического
пространства на ИПЭ моделируют с помощью ускорителей протонов. При
этом следует учитывать отличие энергетических спектров протонов
космического пространства от моноэнергии ускорителей протонов и
большую разницу в плотностях потоков излучения, т.к. ускорители
протонов, как и электронов, работают в импульсном режиме.
Воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
на ИПЭ моделируют с помощью ускорителей тяжелых ионов или
облучением осколками деления калифорния-252, которые имеют средние
массы в 106 и 142 атомных единиц массы и, соответственно, средние
42

энергии 103 МэВ и 79 МэВ. Величины линейной передачи энергии (ЛПЭ)


МэВ
для них лежат в пределах от 40 до 45 , а пробеги в кремнии
⎛ мг ⎞
⎜ 2⎟
⎝ см ⎠
составляют ∼ 15 мкм.
В таблице 3 приведены данные для тяжелых ионов, используемых при
испытаниях ИПЭ на ускорителях заряженных частиц.
Таблица 3
Начальная ЛПЭ,
Пробег в кремнии,
Ион Энергия, МэВ МэВ
мкм ⎛ мг ⎞
⎜ 2⎟
⎝ см ⎠
Fe 260 52 48
Kr 150 22 40
Ar 160 41 15
O 150 179 2.3
Au 180 20 68
Ni 255 41 26.8
I 300 29 61

Испытания на моделирующих установках, как правило, являются


дорогостоящими ввиду сложности и большой стоимости МУ, а также
необходимости привлечения для их обслуживания большого количества
квалифицированного персонала. Поэтому в ряде случаев, о которых
упоминалось ранее, целесообразно использовать имитационные испытания
ИПЭ, которые проводятся на более простом в обслуживании
оборудовании.
Так, с помощью импульсного лазерного облучения можно добиться в
ИПЭ эффектов, аналогичных по своим проявлениям и последствиям для
изделия эффектам при воздействии короткого импульса гамма-излучения.
Для этой цели при испытаниях кремниевых ИПЭ используются лазеры с
длиной волны от 1.06 до 1.08 мкм, чтобы создавать заметную ионизацию в
43

кремнии и в то же время давать возможность излучению проникать в


объем ИПЭ. При этом следует обращать внимание на то, чтобы
поверхность кристалла не затенялась элементами конструкции изделия,
т.е. верхнюю металлическую крышку корпуса необходимо предварительно
удалить. Для имитации радиационных поверхностных эффектов в ИПЭ,
зависящих от общей дозы гамма-излучения (или любого другого
непосредственно ионизирующего излучения) можно использовать
рентгеновские установки с ускоряющим напряжением на трубке в
диапазоне 10 ÷ 50 кВ, который выбирается из соображений достаточной
проникающей способности квантов излучения (нижний предел) и
относительно простой защиты от рентгеновского излучения (верхний
предел). Для корпусных ИПЭ целесообразно удалять верхнюю крышку
корпуса, чтобы уменьшить поглощение рентгеновского излучения в
элементах конструкции корпуса.
Возникновение структурных нарушений в ИПЭ при воздействии
нейтронов ЯВ и ЯУ, электронов и протонов космического пространства
можно имитировать с помощью α-излучения закрытых радионуклидных
источников. Для этих целей наиболее подходящим является источник на
основе плутония-238, в котором за счет α-распада возникают частицы с
энергией около 5 МэВ, имеющие пробег в кремнии 20 ÷ 25 мкм, т.е.
способные проникать в активные области структур большинства ИПЭ. Как
и в предыдущих случаях, испытания следует проводить на изделиях с
удаленной верхней крышкой корпуса или непосредственно на пластинах
со структурами ИПЭ с измерением параметров с помощью зондов.
При аттестационных испытаниях изделие считается выдержавшим
испытание, если параметры-критерии стойкости, уменьшающиеся при
воздействии радиационных факторов, удовлетворяют соотношению:
П (Rни ) − k (n, P, γ )σ П ≥ П гр , (22)
44

а параметры-критерии стойкости, увеличивающиеся при воздействии


радиационных факторов, удовлетворяют соотношению:
П (Rни ) + k (n, P, γ )σ П ≤ П гр , (23)

где П (Rни ) - среднее значение параметра при воздействии радиационного


фактора с уровнем Rни, соответствующим норме испытаний;
σП – среднее квадратичное отклонение этого параметра;
k – толерантный коэффициент, который определяется в зависимости
от числа испытуемых образцов n, вероятности Р сохранения параметров в
пределах установленных в технической документации на изделие норм Пгр
и степени доверия γ. Величины k в зависимости от n, P, γ приведены в
таблице 4.
Таблица 4.
Толерантный коэффициент k
γ = 0,75 при Р равном γ = 0,9 при Р равном γ = 0,95 при Р равном
n 0.75 0.9 0.95 0.99 0.75 0.9 0.95 0.99 0.75 0.9 0.95 0.99
3 1.464 2.501 3.152 4.396 2.602 4.258 5.31 7.34 3.804 6.158 7.655 10.552
4 1.256 2.134 2.68 3.726 1.972 3.187 3.957 5.437 2.619 4.163 5.145 7.042
5 1.152 1.961 2.463 3.421 1.698 2.742 3.4 4.666 2.149 3.407 4.202 5.741
6 1.087 1.86 2.336 3.243 1.54 2.494 3.091 4.242 1.895 3.006 3.707 5.062
7 1.043 1.791 2.25 3.126 1.435 2.333 2.894 3.972 1.732 2.755 3.399 4.641
8 1.01 1.74 2.19 3.042 1.36 2.219 2.755 3.783 1.617 2.582 3.188 4.353
9 0.884 1.702 2.141 2.177 1.302 2.133 2.649 3.641 1.532 2.454 3.031 4.143
10 0.964 1.671 2.103 2.927 1.257 2.065 2.568 3.532 1.465 2.355 2.911 3.981
11 0.947 1.646 2.073 2.885 1.219 2.012 2.503 3.444 1.411 2.275 2.815 3.852
12 0.933 1.624 2.048 2.851 1.188 1.966 2.448 3.371 1.366 2.21 2.736 3.747
13 0.919 1.606 2.026 2.822 1.162 1.928 2.403 3.31 1.329 2.155 2.67 3.659
14 0.909 1.591 2.007 2.796 1.139 1.895 2.363 3.257 1.296 2.108 2.614 3.585
15 0.899 1.577 1.991 2.776 1.119 1.866 2.329 3.212 1.268 2.068 2.566 3.52
16 0.891 1.566 1.977 2.756 1.101 1.842 2.299 3.172 1.242 2.032 2.523 3.463
17 0.883 1.554 1.964 2.739 1.085 1.82 2.272 3.136 1.22 2.001 2.486 3.415
18 0.876 1.344 1.951 2.723 1.071 1.8 2.249 3.106 1.2 1.974 2.453 3.37
19 0.87 1.536 1.942 2.71 1.058 1.781 2.228 3.078 1.183 1.949 2.423 3.331
20 0.865 1.528 1.923 2.686 1.046 1.765 2.208 3.052 1.167 1.926 2.396 3.29
Норма испытаний Rни представляет собой уровень воздействия
радиационного фактора моделирующей установки, обеспечивающий
аналогичные реальным условиям изменения параметров изделий и
45

определенный с учетом различий амплитудно-временных и спектрально-


энергетических характеристик моделирующей установки и реальных
условий, а также погрешности дозиметрии на МУ. Так, например, норма
испытаний при проведении испытаний на воздействие импульса нейтронов
ЯВ Фп ни устанавливается следующим образом:
Фп тр
Фп ни = , (24)
k эф п (1 − δ доз )
где Фп тр - уровень требований (флюенс нейтронов) по воздействию

нейтронов ЯВ, указанный в технической документации на изделие;


kэф п – коэффициент относительной эффективности воздействия
нейтронов моделирующей установки по сравнению с воздействием
нейтронов ЯВ по необратимым структурным повреждениям;
δдоз – относительная погрешность дозиметрии МУ.
Аналогичным образом устанавливается норма испытаний на
воздействие гамма-излучения ЯВ, но коэффициент kэф γ должен учитывать
относительную эффективность воздействия гамма-излучения МУ по
сравнению с воздействием гамма-квантов ЯВ по ионизационным эффектам
с учетом импульсного характера излучения ЯВ и стационарного действия
излучения МУ.
Нормы испытаний на воздействие электронного и протонного
излучений космического пространства кроме учета относительной
эффективности, связанной с различной энергией излучений МУ и
реального спектра излучений в космическом пространстве, должны
учитывать ослабление потоков электронов и протонов элементами
конструкции корпуса изделия.
При проведении указанных испытаний на каждый вид испытаний
выделяется отдельная партия изделий. Так, одна партия проходит
испытания на всех воздействующих факторах ЯВ – сначала на МУ с
коротким импульсом ионизирующего излучения, где определяется уровень
46

бессбойной работы (УБР) и время потери работоспособности (ВПР) при


максимаольном значении фактора, затем на стационарной гамма установке
и в сасмом конце на импульсном реакторе, после чего изделия еще
подвергают испытаниям на одиночный удар и смену температур среды
(термоциклы). Испытания на отдельной партии на воздействие излучений
ядерных установок проводят лишь в том случае, если требования по
экспозиционной дозе на ЯУ превосходят аналогичные требования при ЯВ.
В ряде случаев можно отказаться и от проведения испытаний на
воздействие электронного и протонного излучений, а подтвердить
заданные требования по этим факторам на основании результатов
испытаний на воздействие факторов ЯВ, если заданные требования по
необратимым структурным повреждениям при действии излучений
космического пространства существенно ниже, чем при воздействии
нейтронного излучения ЯВ, а требования по ионизационным
поверхностным эффектам, определяемым полной дозой излучения, также
подтверждены испытаниями на стационарной гамма-установке.
Таким образом, состав радиационных испытаний для некоторых
классов ИПЭ может быть сокращен. Также при наличии существенных
запасов у изделий по радиационной стойкости возможно уменьшение
испытуемой выборки в соответствии с выражениями (22), (23) и данными
таблицы 4.
Литература
1. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П., Интегральные радиационные изменения
параметров полупроводниковых материалов, МГИЭМ, М., 1999.
2. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П., Радиационная стойкость биполярных
транзисторов, МГИЭМ, М., 2000.
3. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П., Радиационные эффекты в некоторых
классах полупроводниковых приборах, МИЭМ, М., 2001.

Оценить