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(ML-839)
LABORATORIO N° 2:
DISPARO DE UN TIRISTOR CON CIRCUITOS
INTEGRADOS UJT Y PUT
Alumnos:
ARELLANO CAMAYO JOSÉ DEL MAR 20152090G
CORTEZ SARMIENTO MARTIN JUNIOR 20121182G
GONZALES PINTO ALEXIS RICARDO 20144540G
SUSANIBAR LIZONDO CESAR JEANCARLO 20150475I
Profesor:
Ing. HUAMANÍ HUAMANÍ EDILBERTO
2018-II
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
Facultad de Ingeniería Mecánica – FIM
CONTENIDO
I. OBJETIVOS..........................................................................................................2
IV. PROCEDIMIENTO.............................................................................................11
V. RESULTADOS...................................................................................................13
VI. CUESTIONARIO................................................................................................15
VII. OBSERVACIONES……………………….…………………………………….……19
VIII. CONCLUSIONES……………………………………………………………………20
IX. BIBLIOGRAFÍA………………………………………………………………………..21
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I. Objetivos.
1 osciloscopio digital
1 multímetro digital
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1 Protoboard
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1 potenciómetro de 100K y 2W
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Si los terminales B1 y B2 están polarizados en directo con una tensión V BB, se crea
un divisor de tensión entre el contacto de la región P y los terminales B 1 y B2, tal
que el voltaje entre la región P y el terminal B 1 será:
RB1
V RB 1= × V BB =μ × V BB
R B 1 + RB 2
Donde:
RB 1
=μ
RB1+ RB2
Si con esta configuración se aplica una tensión V E < VC, el diodo se polariza en
inverso y no conducirá. Pero si por el contrario, se aplica una tensión VE tal que se
verifica que VE ≥ VP, (siendo VP = VC + VD y VD la tensión directa de saturación del
diodo), el diodo quedará polarizado en sentido directo, circulando una corriente
entre el emisor E y la base B1. Esta corriente inyecta en la zona de resistencia R1
una corriente de portadores (huecos). La nueva concentración de portadores en
esa zona hace que la resistencia R 1 disminuya haciendo a su vez que baje el
voltaje VC, con lo que aumentará la intensidad I E. De esta manera, se creará una
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T ≈ RT × CT
V BB
I BB=
R B 1+ R B 2 +R21+ R 2
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R2=0.15× r BB
IEO: Corriente inversa de emisor. Medida entre el emisor y la base 2 para una
tensión dada y la base 1 en circuito abierto.
IP: Intensidad de pico de emisor. Máxima corriente de emisor que puede circular sin
que el UJT alcance la zona de resistencia negativa.
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IV: Intensidad de valle de emisor. Corriente que circula por el emisor cuando el
dispositivo está polarizado en el punto de la tensión de valle.
rBB: Resistencia interbase. Resistencia entre la base 1 y la base 2 medida para una
tensión interbase dada.
VP: Tensión de pico de emisor. Máxima tensión vista desde el emisor antes de que
el UJT alcance la zona de resistencia negativa.
VD: Caída de tensión directa de la unión de emisor. También llamada V F (EB1) o VF.
VEB1 (sat.): Tensión de saturación de emisor. Caída de tensión directa entre el emisor
y la base B1 con una corriente mayor que I V y una tensión interbase dada.
VV: Tensión de valle de emisor. Tensión que aparece en el punto de valle con una
VB2B1 dada.
VDB1: Tensión de pico en la base B 1. Tensión de pico medida entre una resistencia
en serie y la base B1 cuando el UJT trabaja como un oscilador de relajación.
μ: Relación intrínseca.
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La operación del PUT, depende de la tensión que se tenga aplicada entre el ánodo
y la puerta del Dispositivo. El voltaje de puerta es fijado por un divisor de tensión
que es utilizado para programar el disparo del dispositivo. Si el voltaje de puerta es
mayor que el voltaje de ánodo, el PUT queda en estado de corte. Si se incrementa
el voltaje de ánodo hasta un punto alrededor de 0.7V (Voltaje de barrera de la
unión P-N), el voltaje de puerta hace que el PUT pase a conducir en un periodo de
tiempo muy corto (menos de 1μs). La tensión de ánodo (V P) que hace que el
dispositivo se dispare, es ajustada cambiando el voltaje de puerta, es decir,
alterando la relación:
RB
R A+ RB
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R A × RB
RG =
RA+ RB
IV. Procedimiento
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V. Resultados
1. Circuito Integrado UJT
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C(µF) Página 12
44.4 0.22
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Rp(KΩ) C(µF)
8.39 1
FORMA DE ONDA EN EL CAPACITOR
Rp(KΩ) C(µF)
6.4 10
LABORATORIO
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C(µF) Página 13
18.07 1
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Rp(KΩ) C(µF)
17 33
FORMA DE ONDA EN EL CAPACITOR
Rp(KΩ) C(µF)
19.58 0.47
VI. Cuestionario
1. El informe debe contener todos los datos técnicos del UJT, PUT,
valores de los componentes utilizados, así como los gráficos
obtenidos en la experiencia.
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a) Gráficos de la experiencia:
Voltaje en el capacitor
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En un principio los circuitos no nos funcionaron, esto debido a que uno de los
cables ’cocodrilo’ proporcionados por el laboratorio no tenía continuidad. Se
recomienda verificar que todos los cables de conexión posean continuidad antes de
armar el circuito.
VII. Observaciones
Un efecto interesante fue el siguiente:
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Ahora si tiene sentido de hablar de ángulo de disparo ya que los pulsos se dan
dentro de los 16.6ms de periodo de alimentación, pudiendo hacer que sea, por
ejemplo, de 8.3ms, valor que representa un ángulo de disparo de 90º.
VIII. Conclusiones
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IX. Bibliografía
Guía de laboratorio de Electrónica de Potencia UNI – FIM
MALONEY, Timothy J. “Electrónica industrial moderna”. Quinta edición. Editorial
Pearson. Capítulo 5: UJT. Páginas 186-206.
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