UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS

ARMADAS ESPE INGENIERIA

ELECTRONICA
AUTOMATIZACION Y CONTROL

Nombre: Dioselina Paola Calapaqui Portilla NRC: 9428

Asignatura: Electrónica Fundamental
Fecha: 13/08/2020

Generalidades de un transistor JFET

Para el FET las cargas presentes establecen un campo eléctrico, el cual controla la ruta de
conducción del circuito de salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades de control
y las controladas. Cuando se introduce un dispositivo con muchas aplicaciones semejantes al que se
introdujo, hay una tendencia natural a comparar algunas de las características generales de uno con
las del otro: Uno de las características más importantes del FET es su alta impedancia de entrada.
Las ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores que para los
FET. En general: Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más
pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos integrados (CI).
Las características de construcción de algunos FET,sin embargo, pueden hacerlos más sensibles al
manipuleo que los BJT.
Características y estructura interna

el JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre
las otras dos. En nuestro análisis del transistor BJT se empleó el transistor npn en la mayor parte de
las secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a cómo utilizar un transistor pnp. Para
el transistor JFET el dispositivo de canal n será el dispositivo importante, con párrafos y secciones
dedicados a cómo utilizar un JFET de canal p.
Es importante observar que la región de empobrecimiento es más ancha cerca de la parte superior de
ambos materiales tipo p. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal n, podemos descomponer
la resistencia del canal en las divisiones. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través
del canal como se indica en la misma figura. El resultado es que la región superior del material tipo
p se polarizará en inversa alrededor de 1.5 V,con la región inferior polarizada en inversa con sólo
0.5 V.
Conforme el voltaje VDS aumente de 0 V a algunos volts, la corriente también lo hará de acuerdo
con la ley de Ohm.
Características de curva de transferencia

Observe que a niveles altos de VDS la curva se eleva de repente a niveles que parecen ilimitados. La
elevación vertical indica que ocurrió una ruptura y que la corriente a través del canal (en la misma
dirección en que por lo común se encuentra) ahora está limitada únicamente por el circuito externo.
Para el dispositivo de canal n, sí lo hacen para el dispositivo de canal p si se aplica suficiente
voltaje. Esta región se puede evitar si el nivel de VDSmáx se toma de la hoja de especificaciones y
el diseño es tal que el nivel real de VDS es menor que este valor para todos los valores de VGS.
Símbolos

Verificación de hojas de especificación

Aun cuando el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar desde del mínimo
absoluto hasta una extensa exhibición de gráficas y tablas, existen algunos parámetros
fundamentales que proporcionarán los fabricantes. Algunos de los más importantes se describen en
los párrafos siguientes.
VDG no deben ser excedidos en cualquier punto de la operación de diseño del dispositivo. La fuente
aplicada VDD puede exceder estos niveles, pero el nivel real de voltaje entre las terminales nunca
debe exceder el nivel especificado. Cualquier buen diseño tratará de evitar estos niveles con un buen
margen de seguridad. El término inverso en VGSR define el voltaje máximo con la fuente positiva
con respecto a la compuerta (como normalmente se polariza un dispositivo de canal n) antes de que
ocurra la ruptura. En algunas hojas de especificaciones se conoce como BVDSS:el voltaje de
ruptura con un cortocircuito entre el drenaje y la fuente (VDS 0V). Aunque normalmente se diseña
para que opere con IG 0 mA, se le obliga para que acepte una corriente de compuerta; podría
soportar 10 mA antes de dañarse. La disipación total del dispositivo a 25°C (temperatura ambiente)
es la potencia máxima que el dispositivo puede disipar en condiciones normales de operación y se
define como Pd=VdsId
principales datos Curvas de transductancia

No hay instrumentos semejantes para medir los niveles de IDSS y Vp. Sin embargo,el trazador de
curvas presentado para el transistor BJT también puede mostrar en pantalla las características de
drenaje del transistor JFET mediante el ajuste apropiado de los diversos controles. La escala vertical
(en miliamperes) y la escala horizontal (en volts) se ajustaron para que aparezcan en pantalla todas
las características, como se muestra en la figura 6.25. Para el JFET de la figura cada división
vertical (en centímetros) refleja un cambio de 1 mA en ID,en tanto que cada división horizontal
tiene un valor de 1 V. La división del voltaje es de 500 mV/división (0.5 V/división), lo que revela
que la curva superior está definida por VGS = 0 V y que la siguiente curva hacia abajo está a 0.5 V
para el dispositivo de canal n. El nivel de Vp se calcula observando el valor de VGS en la curva
inferior y teniendo en cuenta la distancia de acercamiento entre las curvas a medida que VGS se
vuelve más y más negativo. En este caso, Vp es ciertamente más negativo que -2 V y quizá Vp se
aproxime a -2.5 V. Sin embargo, tenga en cuenta que las curvas VGS se contraen con más rapidez a
medida que se aproximan a la condición de corte, y posiblemente Vp -3 V sea una mejor opción.
También se deberá tener en cuenta que el control de etapa se ajusta para que aparezcan cinco etapas
en pantalla, lo que limita las curvas mostradas en pantalla a VGS =0. Si el control de etapas se
hubiera incrementado a 10, el voltaje por etapa podría reducirse a 250 mV 0.25 V y se habría
incluido también la curva de VGS =-2.25 V como una curva adicional entre cada etapa de la figura.
La curva VGS revelaría la rapidez con que las curvas se acercan entre sí con el mismo voltaje por
etapa.
Tipos de polarización en DC

Bibliografía

[1] R. BOYLESTAD y L. NASHELSKY, Teoria de circuitos y dispositivos electrónicos, Mexico:

Pearson, 2009.