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1.1. Introduction
Le soleil décharge continuellement une énorme quantité d'énergie radiante dans le système
solaire, la terre intercepte une toute petite partie de l’énergie solaire rayonnée dans l’espace. Une
moyenne de 1367 watts atteint chaque mètre carré du bord externe de l'atmosphère terrestre (pour une
distance moyenne Terre-soleil de 150 Millions de km), c’est ce que l’on appelle la constante solaire
égale à 1367W/m².
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Chapitre I Généralités sur le Système du Pompage Photovoltaïque
Le rayonnement qui atteint le niveau de la mer à midi dans un ciel clair est de 1000 W/m2 et
est décrit en tant que rayonnement de la masse d'air "1" (ou AM1). Lorsque le soleil se déplace plus
bas dans le ciel, la lumière traverse une plus grande épaisseur d'air, perdant plus d'énergie. Puisque le
soleil n'est au zénith que durant peu de temps, la masse d'air est donc plus grande en permanence et
l'énergie disponible est donc inférieure à 1000 W/m2.
Les scientifiques ont donné un nom au spectre standard de la lumière du soleil sur la surface de
la terre : AM1.5G ou AM1.5D [4].
Le nombre "1.5" indique que le parcours de la lumière dans l'atmosphère est 1.5 fois supérieur
au parcours le plus court du soleil, c'est-à-dire lorsqu’il est au zénith (correspondant à une inclinaison
du soleil de 45° par rapport au zénith).
1875 : Werner Von Siemens expose devant l’Académie des Sciences de Berlin un
article sur l’effet photovoltaïque dans les semi-conducteurs. Mais jusqu’à la Seconde
Guerre Mondiale, le phénomène reste encore une curiosité de laboratoire.
1954 : Trois chercheurs américains, Chapin, Pearson et Prince, mettent au point une
cellule photovoltaïque à haut rendement au moment où l’industrie spatial naissante
cherche des solutions nouvelles pour alimenter ses satellites.
1958 : Une cellule avec un rendement de 9 % est mise au point. Les premiers
satellites alimentés par des cellules solaires sont envoyés dans l’espace.
1973 : La première maison alimentée par des cellules photovoltaïques est construite à
l’Université de Delaware.
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Chapitre I Généralités sur le Système du Pompage Photovoltaïque
1954 par les chercheurs des laboratoires Bell, qui ont découvert que la photo-sensibilisée du
silicium pouvait être augmentée en ajoutant des "impuretés".
C'est une technique appelée le "dopage" qui est utilisée pour tous les semi-conducteurs.
Mais en dépit de l'intérêt des scientifiques au cours des années, ce n'est que lors de la course
vers l'espace que les cellules ont quitté les laboratoires. En effet, les photopiles représentent
la solution idéale pour satisfaire les besoins en électricité à bord des satellites, ainsi que dans
tout site [6].
1.2.2 L'effet photovoltaïque :
L’effet photovoltaïque ne peut se produire que s’il existe une barrière de potentiel dans
le semi-conducteur avant qu’il ne soit éclairé .Une telle barrière existe, par exemple, à
l’interface entre deux volumes dopés différemment c’est à dire où l’on a introduit deux types
différents d’impuretés à concentration différente, par exemple de type P-N. Si ce matériau
est éclairé, les charges électriques, rendus mobiles par la lumière (l’effet photoélectrique),
seront séparées par la barrière avec d’un côté les charges positives et de l’autre côté les
charges négatives [8].
C’est l’angle formé par la direction du soleil et le plan équatorial terrestre, sa valeur en
degré est donnée par la relation de Cooper suivante :
284+ j
[ (
= j=23.45∗sin 2 π∗
365 )] (1.1)
Où j : est le numéro d’ordre du jour de l’année (n=1 pour le 1er Janvier, n=32 pour le 1er
Février,...etc.) La déclinaison varie entre -23,45° le 21 décembre et +23,45° le 21 juin [9].
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le germanium (Ge)
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Silicium monocristallin
Le silicium cristallin est actuellement l’option la plus populaire pour les cellules
commerciales, bien que beaucoup d’autres matériaux soient disponibles. Le terme « cristallin
» implique que tous les atomes dans le matériau PV actif font partie d’une structure
cristalline simple où il n’y a aucune perturbation dans les arrangements ordonnés des atomes.
Silicium poly cristallin
Il est composé de petits grains de silicium cristallin. Les cellules à base de silicium
poly cristallin sont moins efficaces que les cellules à base de silicium monocristallin. Les
joints de grains dans le silicium poly cristallin gênent l’écoulement des électrons et réduisent
le rendement de puissance de la cellule. L’efficacité de conversion PV pour une cellule à
base de silicium poly cristallin modèle commercial s’étend entre 10 et 14%.
Silicium amorphe (a-si)
Le silicium est déposé en couche mince sur une plaque de verre ou un autre support
souple. L'organisation irrégulière de ses atomes lui confère en partie une mauvaise semi-
conduction. Les cellules amorphes sont utilisées partout où une solution économique est
recherchée ou lorsque très peu d'électricité est nécessaire, par exemple pour l'alimentation
des montres, des calculatrices, ou des luminaires de secours. Elles se caractérisent par un fort
coefficient d'absorption, ce qui autorise de très faibles épaisseurs, de l'ordre du micron. Par
contre son rendement de conversion est faible (de 7 à 10 %) et les cellules ont tendance à se
dégrader plus rapidement sous la lumière.
Nouvelle technologie
Le tableau (1.1) présente les avantages et les inconvénients pour les technologies les
plus d'une cellule photovoltaïque [12].
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Chapitre I Généralités sur le Système du Pompage Photovoltaïque
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L'équation courant tension (I-V) du circuit équivalent est donné comme suit:
Avec :
II =Icc−ID (1.2)
kT
II =Icc−ID=Icc−I 0 ¿ avec Vt =
q
b. cas réelle :
Rs : Résistance série, due essentiellement aux pertes par effets Joule à travers les grilles
de collectes et la résistance propre des semi-conducteurs, ainsi qu’aux mauvais contactes
(Semi-conducteur, électrodes).
Avec
ρ : La résistivité de la grille.
L : La longueur de la grille.
Rm : Résistance propre du matériau, sa valeur est faible (< 2Ω pour les cellules au silicium).
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Rp: Résistance parallèle, dite « Shunt », provient des pertes par recombinaisons dues
essentiellement à l’épaisseur, aux effets de surface, ainsi qu’à la non idéalité de la
jonction.
(I.6)
: Courant traversant RP, si RP est très grande, il devient très faible est
indépendant du tension [20].
(I.7)
Car :
(I.8)
: Courant diode, il est de même ordre de grandeur que I Rp pour les faibles tensions et il
devient très grand au voisinage de VCO, il s’écrit sous la forme:
(I.9)
Remplaçons dans (II.4) les équations (I5), (I.6) et (I.8), l’équation caractéristique
deviendra (à vérifier) :
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(I.10)
A : est le facteur d’idéalité de la cellule qui dépend des mécanismes de recombinaison dans
la zone de charge d’espace.
La représentation graphique I = f (V) de l’équation (II.10) est illustrée dans la Figure 1.7 :
La température est un paramètre très important dans le comportement des cellules PV.
La figure(I.8) décrit le comportement du module sous un éclairement fixe de 100W/m2, et à
des températures comprises entre 0°C et 75°C. Nous remarquons que le courant augmente
avec la température; par contre la tension de circuit ouvert diminue. Ceci entraîne une
diminution delà puissance maximale disponible [20].
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(a)
(b)
Figure I.8: (a) Caractéristique I (V) d'un module pour différentes valeurs de
température. (b) Caractéristique P(V) d'un module pour différentes valeurs de
température (à refaire avec matlab).
1.10. Influence de l’éclairement
L’énergie électrique produite par une cellule dépend de l’éclairement qu’elle reçoit sur
sa surface. La figure.I.9 représente la caractéristique courant-tension d’une cellule en
fonction de l’éclairement, à une température et une vitesse de circulation de l’air ambiant
constantes.
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1.11. Conclusion :
Nous avons présenté dans ce chapitre des généralités sur l’énergie solaire photovoltaïque
(ensoleillement, effet photovoltaïque, …etc), ainsi que les différentes technologies d’une
cellule PV, et à travers une étude sur les types de regroupement des cellules nous avons
montré comment augmenter le courant ou la tension et nous avons terminé ce chapitre par
une modélisation de la cellule PV en montrant l’influence de la température et de
l’éclairement sur le rendement du générateur.
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