Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Зарубежные прототипы
• аАО.336.122 ТУ / 03
Корпусное исполнение
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
* Справочные параметры
Iкбо, Кш,
Uкб max, В Uкэr max, В h21e
нА Uкб, В дБ
КТ3102АМ 50 50 100-250 50 50 10
КТ3102БМ 50 50 200-500 50 50 10
КТ3102ВМ 30 30 200-500 15 30 10
КТ3102ГМ 20 20 400-1000 15 20 10
КТ3102ДМ 30 30 200-500 15 30 4
КТ3102ЕМ 20 20 400-1000 15 20 4
КТ3102ЖМ 50 50 100-250 50 50 -
КТ3102ИМ 50 50 200-500 50 50 -
КТ3102КМ 20 30 200-500 15 30 -
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
http://www.integral.by