Вы находитесь на странице: 1из 4

310 Вт

AB-60MHC 315 Вт
320 Вт
120 (6×20) 156.75×78.375мм 5BB

Підкладка
Подкладка EVA

Ячейки
Комірки
EVA

Стекло
Скло

Mono PERC
Half-Cell Высокая мощность, КПД & ROI вследствии меньших
потерь при снятии энергии с поверхности ячеек

На 6% меньше потерь через короткие токосъемные


шины

На 50% большая выработка электроэнергии


вследствии лучшего поведения во время частичного
затенения

Вдвое меньше потерь мощности вследствии


неодинаковой мощности ячеек

10
ПОЧЕМУ ABI-SOLAR?
ЛЕТНЯЯ ГАРАНТИЯ
€€ Изготовление и сборка фотомодулей происходит только на
На дефекты производства предприятиях Восточной Азии из списка Bloomberg Tier 1.
€€ Фотомодули проверены на работу в широком диапазоне

12
климатических условий и широком спектре радиации,
показали высокую надежность.
ЛЕТНЯЯ ГАРАНТИЯ
€€ Высокая эффективность и возвращение инвестиций
90% выходной мощности гарантировано по всему миру.
€€ Модули сертифицированы по международным стандартам:

25
IEC61215, IEC61730, CE, ROHS, TÜV.
ЛЕТНЯЯ ГАРАНТИЯ €€ Изготовлено согласно международным стандартам качества:
ISO9001 та ISO14001.
80% выходной мощности
€€ Максимальная мощность и эффективность из-за низких цен
гарантирует быстрое возвращение инвестиций.
€€ Совместимость работы с сетевыми и автономными
станциями

www.abi-solar.com
Half Cell модуль. Что это значит?
Half Cell модуль состоит из классических кремниевых ячеек разрезанных пополам.
Итак, 60-ячеечный стандартный модуль становится 120-ячеечным half-cell модулем

Зачем мы разрезаем модуль?


Короче Bus Bars
Чем меньше проводник, тем меньше потери энергии
на нем. Меньшее сопротивление уменьшает потери
мощности на 6% увеличивает выходную мощность от
5 Вт до 8Вт.
9.5A 4.75A 4.75A

Больше стрингов
Вместо обычных 6 стрингов ячеек в традиционном 60-аячеечном модуле, half-cell
модуль состоит из 12 стрингов. Это помогает уменьшить потери мощности модуля
через разную мощность ячеек, а также их неодинаковую деградацию.
Стандартный модуль с 6 стрингами ячеек Half-cell модуль с 2 x 6 стрингами ячеек

Ток модуля 8.7A, потеря мощности из-за разного тока ячеек 0.3A (9,7W)​ Ток модуля 4.5+4.35=8.75A, потеря мощности из-за разного тока
. ячеек 0.15A (4,85W)​.

Меньше ячейки
Вдвое меньше ячейки позволяют генерировать вдвое меньше ток, уменьшают
потери при передаче энергии от кристалла. Меньшие ячейки также означают
вдвое меньшие потери через микротрещины и загрязнения.

Half-Cell PERC модуль стандарт модуль


Эффективность

КПД до 19.25% КПД 16.5%


Перегрев
Ток ячейки 4.92A Ток ячейки 9.5A
В результате риск возникновения hot-spot’у, в Риск hot-spot’у выше
условиях частичного затенения на 16.5% ниже
Как это совершенствует наши модули?
По сравнениюУкраїна
со стандартным модулем, наш half-cell модуль более эффективен, имеетУкраїна
большую выработку и меньше перегревается в условиях частичного затенения. Также Адреса:
Адреса: 02091, Україна, м. Київ, вул. Ревуцького, 13-Б
(район ст. м. Харьківська)
02091, Україна, м. Київ, вул. Ревуць
(район ст. м. Харьківська)
эти модули лучше справляются с повреждением чем классические модули.
Телефон/факс: +38(044) 545-71-04
Мобільні телефони:
Телефон/факс: +38(044) 545-71-04
Мобільні телефони:
+380 93 426-37-10, +380 67 445-45-98, +380 50 +380 93 426-37-10, +380 67 445-45-98, +380

Half-Cell PERC модуль стандарт модуль


440-01-74 Web: atmosfera.ua 440-01-74 Web: atmosfera.ua
E-mail: info@atmosfera. ua E-mail: info@atmosfera. ua

Частичное затенение

Україна
Адреса: 02091, Україна, м. Київ, вул. Ревуцького, 13-Б
Фотомодулі PERC Україна
Адреса: 02091, Україна, м. Київ, вул. Ревуцько
(район ст. м. Харьківська) (район ст. м. Харьківська)
Телефон/факс: +38(044) 545-71-04 Телефон/факс: +38(044) 545-71-04
Мобільні телефони: Мобільні телефони:
+380 93 426-37-10, +380 67 445-45-98, +380 50 +380 93 426-37-10, +380 67 445-45-98, +380 5
440-01-74 Web: atmosfera.ua 440-01-74 Web: atmosfera.ua
E-mail: info@atmosfera. ua E-mail: info@atmosfera. ua

Технологнологія PERC Т

Фотомодулі PERC
Сонячні елементи виконані за технологією PERC
(Passivated Emitter Rear Cell) мають пасивовану задню
поверхню кремнієвої пластини. У звичайному
фотоелементі на тильній стороні є прошарок алюмінію,
що виконує функцію контактора для знімання струму.
Точечное загрязнение и повреждение
(алюміній наносять на тильну поверхню кремнію,
Технологнологія
що забезпечує суцільний контакт з коміркою). При виготовленні PERC
PERC що елемента
забезпечує міжсуцільний
кремніємконтакт
і з
Т
алюмінієм наноситься діелектричний шар з мікроотворами зробленими
Сонячні елементи лазером.
алюмінієм
виконані за Втехнологією
наноситься
результаті контакт
діелектричний
PERC ш
відбувається саме через ці мікроскопічні отвори. А шар діелектрика відбувається
забезпечує функцію
(Passivated Emitter Rear Cell) мають пасивовану заднюсаме через
екрану
ці мікроско
відбивача. поверхню кремнієвої пластини.відбивача. У звичайному
фотоелементі на тильній стороні є прошарок алюмінію,
що виконує функцію контактора для знімання струму.
Як PERC технологія збільшує (алюмінійККД сонячного
наносять на тильнумодуля?
поверхню кремнію, Як PERC техноло
що забезпечує суцільний контакт зТокосъемная коміркою).
Технология
шина
PERC
При виготовленні PERC що елемента
забезпечує міжсуцільний
кремніємконтакт
і з к
алюмінієм наноситься діелектричнийАнтибликовое 1.шарЗбільшення
зпокрытие поглинальної
мікроотворами здатності
зробленими фотоелемента:
лазером.
алюмінієм В наноситься діелектричний 1ш
результаті контакт
відбувається саме через ці мікроскопічні Діелектричний
Проводник
отвори. А
N-типа шар на діелектрика
шар тильній стороні комірки функцію
відбувається
забезпечує відбиває
саме світло,
через
екрану
ці мікроскоп Д
відбивача. яке проходить
Проводник P-типа
через сонячний елемент,
відбивача. назад всередину як
Локальные места контакта на
тыльной стороне кремнію.
Диэлектрический слой Це дозволяє збільшити тыльной кількість
Сплошной контакт на
стороне згенерованих кр
(пассивация)
електронів.
Kонтакт на тыльной стороне
ел
Як PERC технологія збільшує ККД сонячного модуля? Як PERC техноло
Увеличение поглощающей способности
2. Зниження небажаного перегріву в сонячному елементі: фотоэлемента
2. Зниження небажаного перегріву в сон
Кремнієві сонячні елементи не поглинають світло
1. Збільшення з довжиною
поглинальної хвилі Кремнієві
здатності більше 1180
сонячні
фотоелемента:нанометрів.
елементи У не погл
1.
стандартних сонячних елементах це Діелектричний
світло поглинається заднім
шар на алюмінієвим
тильній стандартних
стороні шаром і перетворюється
комірки сонячнихсвітло,
відбиває елементах цеДі
св
в тепло. Як відомо, нагрів знижує яке
ефективність сонячних елементів. Діелектричний
в тепло. Як відомо,
шар
проходить через сонячний елемент, назад всередину відбиває
нагрів знижує еф
як
більшу кількість світла з довжиною хвилі більше 1180 нм і допомагає сонячному
більшу кількість
елементу
кремнію. Це дозволяє збільшити кількість згенерованих світла
працювати
з довжиною хв
кр
більш ефективно за рахунок меншого перегріву.
електронів. більш ефективно за рахунок меншого ел
Отражение электронов в p-n переходной зоне
2. Зниження небажаного перегріву в сонячному елементі:
3. Відбиття 2. Зниження небажаного перегріву в сон
електронів в зону p-n переходу 3
Кремнієві сонячні елементи не поглинають світло з довжиною хвиліКремнієві
більше 1180
сонячні
нанометрів.
елементи
Крім додаткової генерації електронів і зменшення перегріву У не погли
К
стандартних сонячних елементах це світло поглинається
фотоелемента заднім
PERC алюмінієвим
технологія стандартних
шаром і перетворюється
сприяє сонячних
відбиттю елементах
вже це св
ф
в тепло. Як відомо, нагрів знижує ефективність сонячних елементів. Діелектричний
в тепло.
згенерованих електронів в зону p-n переходу. Як відомо,
шар відбиває
нагрів знижує ефзг
більшу кількість світла з довжиною хвилі більше 1180 нм і допомагає сонячному
більшу кількість
елементусвітла
працювати
з довжиною хви
більш ефективно за рахунок меншого перегріву. більш ефективно за рахунок меншого п

Последнее, но не менее важное – лучший ROI!


3. Відбиття електронів в зону p-n переходу 3.
Крім додаткової генерації електронів і зменшення перегріву
www.abi-solar.com Кр
фотоелемента PERC технологія сприяє відбиттю вже фо
згенерованих електронів в зону p-n переходу. зг
AB-60MHC
РАЗМЕРЫ ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
35±1 9

.5
R4
200±5
SERIAL NUMBER

Тип ячейки Монокристалическая

14
SERIAL NUMBER

200±5
Mounting holes I
Label
I
Размеры (A×B×C) 1674×992×35 мм
5:1

Grounding holes
70 70 Вес 18.6 кг
2×Ø

70
Рамка Анодированный аллюминий
10±1
1674±1

1370±1
1674±1

870±1
SERIAL NUMBER

SERIAL NUMBER

70
BOX BOX BOX

- +

negative ( - ) positive ( + )

Распределительная
Junction Box II
IP67
A A 2:1
35 коробка
Ⅱ Соединение MC4 совместимый

35
Кабель 4.0 мм², длина кабеля: 900 мм
942±1
992±1 992±1 Section A-A
10:1

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ (STC)


I-V Curve (SRP-300-BMB) Voltage [V] AB310-60MHC AB315-60MHC AB320-60MHC
12 10
Cells temp. = 25 °C

10
Номинальная мощность (Pmax) Incident Irrad. = 1000 W/m²
310 315 320
8

8 Ток короткого замыкания (Isc) Incident Irrad. = 800 W/m² 9,77 9,85 9,93
6

6 Напряжение холостого хода (Voc)


Incident Irrad. = 600 W/m² 39,8 40,1 40,4
Current [A]

Current [A]

4 Incident Irrad. = 1000 W/m²


4
Ток в точке максимальной мощности (Impp)
Incident Irrad. = 400 W/m² Cells temp. = 10 °C
Cells temp. = 25 °C
Cells temp. = 40 °C
9,26 9,35 9,42
Incident Irrad. = 200 W/m² 2 Cells temp. = 55 °C

Напряжение в точке максимальной мощности


2
Cells temp. = 70 °C

33,5 33,7 34,0


0
0 (Vmpp) 5 10 15 20 25 30 35 40
0
0 10 20 30 40 50

Voltage [V]

ККД фотомодуля 18,67 18,97 19,27


Допуск увеличения
35±1
мощности 9
(0, +4.99)
.5
R4
200±5

SERIAL NUMBER

NOCT
14

SERIAL NUMBER

200±5
Mounting holes I
Label
I
5:1

Grounding holes
70 70 AB310-60MHC AB315-60MHC AB320-60MHC
2×Ø
70

Номинальная мощность (Pmax) 227,71 231,38 235,2


10±1
1674±1

1370±1
1674±1

870±1
SERIAL NUMBER

SERIAL NUMBER
70

BOX BOX BOX

- +

negative ( - ) positive ( + )

Ток короткого замыкания (Isc) Junction Box II


7,90 7,96 7,99
A A 2:1
Напряжение холостого хода (Voc) 35
36,66 36,93 37,48
Ток в точке максимальной мощности (Impp) Ⅱ
7,44 7,51 7,52
35

Напряжение в точке максимальной


942±1 мощности
992±1 30,66 30,84 31,32
(Vmpp) 992±1 Section A-A
10:1

STC солн. радиация: 1000 W/m2 температура модуля: +25 oC AM=1.5 NOCT солн. радиация: 800 W/m2 температура модуля: +20 oC AM=1.5

Вольт-амперная характеристика модуля


I-V Curve (SRP-300-BMB) Voltage [V]
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ КОЭФФИЦИЕНТЫ
12 10
Cells temp. = 25 °C

Нормальная рабочая температура модуля


10 Incident Irrad. = 1000 W/m²
8 45±2 °C
8 Incident Irrad. = 800 W/m²
(NOCT)
6

6 Incident Irrad. = 600 W/m²


Температурный коэффициент для Pmax -0,38 %/°C
Current [A]

Current [A]

Температурный коэффициент для Voc -0,28 %/°C


4 Incident Irrad. = 1000 W/m²
4 Incident Irrad. = 400 W/m² Cells temp. = 10 °C
Cells temp. = 25 °C
Cells temp. = 40 °C

Температурный коэффициент для Isc 0.05 % /°C


Incident Irrad. = 200 W/m² 2 Cells temp. = 55 °C
2
Cells temp. = 70 °C

0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 10 20 30 40 50

Voltage [V]
ПАРАМЕТРЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ СИСТЕМЫ
ГАРАНТИЯ КАЧЕСТВА И ВЫРАБОТКИ Максимальное напряжение в системе 1000/1500 (TÜV)

100%
Максимальный номинал предохранителя 20A
97% 97%
94.28%
Робочая температура -40~+85 °C
Guaranteed Power

90.88% Максимальная снежная нагрузка


90% 5400Pa
87.48%
(IEC 61215)
84.08%

80%
80.68%
СЕРТИФИКАТЫ КАЧЕСТВА
0 5 10 15 20 25
Years

Технические параметры могут меняться без предварительных уведомлений


PL02 www.abi-solar.com