Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Ejercicios 5º II
1
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
2
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
3
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
4
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
5
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
6
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
7
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
6.- Una unión se construye con Na>> Nd así que la corriente del diodo es
esencialmente una corriente de huecos. La Ecuación (3.36) describe cómo la
corriente de huecos en el material n decrece con x a medida que los huecos se
recombinan. Una corriente de electrones proporcionados por la fuente externa fluye
hacia adentro desde la derecha en la Figura 3.18b para hacer posible esta
recombinación. Esta corriente de electrones es tal que en cualquier punto x, las
componentes de las corrientes de huecos y electrones suman el mismo valor. En x =
0, la corriente de electrones es cero. Escriba una expresión para la corriente de
electrones ID,n(x).
7.- Considerando una unión pn abrupta con 1014 cm-3 donadores en el lado n y
15 -3
10 cm aceptadores en el lado p.
a) Encontrar el ancho de cada región de carga espacial en los dos lados de la unión.
b) Dibujar el campo eléctrico en la región de carga espacial.
c) Estimar el potencial de contacto de equilibrio térmico.
8
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
9
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
8.- Un diodo de potencia tiene sus regiones dopadas del siguiente modo:
Zona p de ánodo: 1019 cm-3 , zona intrínseca n-: 1014 cm-3, substrato n+:1019 cm-3
10
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
Este diodo se diseña para que la tensión de ruptura sea de 2.500 V. Estimar cuál
tendría que ser la longitud de la región de arrastre “drift”, si se trata de un diodo
“nonpunch-through “(NPT).
9.- Un diodo de potencia p-i-n tiene una estructura tipo Punch-Through con
las siguientes características:
ND = 2 1014 cm-3
NA = 8 1019 cm-3
d 2V eN
Nota: la expresión de partida es la ecuación de Poisson =− D .
dx 2
ε si
11
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
10.- En un diodo con dopados: zona p de ánodo: 1019 cm-3 ; zona intrínseca n-:
1013 cm-3; substrato n+:1019 cm-3 la longitud de la región intrínseca es de 50 µm.
Suponiendo un campo máximo de avalancha E= 2x105 V/cm. Sabiendo que se
tratará de un diodo tipo “punch-through”, ¿cuál es la tensión de ruptura?
12
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
11.- Los valores de los parámetros de un diodo p-i-n son los siguientes:
Dopados: zona p de ánodo: 1019 cm-3; zona intrínseca n-: 1013 cm-3; substrato
n+:1019 cm-3.
Longitud de la región intrínseca: 50 µm.
Sección: 2 cm2.
Tiempo de vida medio de huecos y electrones en las condiciones de conducción del
problema en la zona n-: 2 µs.
Concentración frontera para el decrecimiento de la movilidad y tiempo de vida
media como función de la concentración de portadores de carga: nb=1017 cm-3
13
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
Dopados: zona p de ánodo: 1019 cm-3; zona intrínseca n-: 1013 cm-3; substrato n+:1019
cm-3.
14
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
15
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
16
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
17
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
σ = e ( µn + µ p ) δ p
vd 1 d
IF = RON = vd = E d
RON σ A
e ( µ n + µ p ) δ pAvd Qp δ p [ Ad ] e
IF = IF ≈ I p ≈ ≈ I p (0) =
d τp τ
d2 µo τo
vd = µa = µn + µ p = τ=
( µn + µ p ) τ 1+
δn δn
1+
2
nb
nb
14.- Un diodo p-i-n con los dopados de la pregunta anterior tiene una sección
2
de 2 cm y una longitud de la región intrínseca de 1 mm. La vida media de los
portadores de carga es de 2 µs. Usando las ecuaciones que se proporcionan, deducir
la RON equivalente y estimar las pérdidas en esta región suponiendo que conduce
una corriente con una forma de onda cuadrada de 2.500 amperios con un ciclo de
trabajo de D=0,6.
1 d
Ω σ = 900 e δ p σ [ Ωcm ] δ p cm -3
−1
RON =
σ A
Qp
IF ≈ I p ≈
τp
Todas las dimensiones de longitud en cm.
18
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
19
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
• Con qué etapa de conmutación está relacionada cada una de estas dos ecuaciones
y por qué.
• Qué modelos o modelo de circuito pueden usarse para representar el
comportamiento del diodo en la conmutación.
• En su opinión, ¿en qué cambian los mecanismos de la conmutación de apagado
en función de si ésta es inductiva o resistiva?
20
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
18.- Justificar las razones del bajo valor de la β de los transistores bipolares de
potencia comparados con los de pequeña señal, basándose principalmente en los
siguientes aspectos que deben aparecer en la exposición: longitud de la base, tiempo de
vida media y eficiencia de la inyección de portadores de carga.
21
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
19.- Las curvas de las figuras b y c describen el transistor bipolar del circuito
de este problema. Obtenga los valores numéricos de iB, iC y vCB.
22
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
23
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
24
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
25
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
26
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
Se pide representar la trayectoria de apagado del transistor sobre la gráfica del SOA y
también razonar si de acuerdo con los datos puede llegar a destruirse el transistor
durante la conmutación de apagado.
Figura 1
Figura 2
27
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
Figura 3
28
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
29
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
30
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
31
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
− Características que deben cumplir los circuitos de gobierno de uno y otro tipo de
transistor.
32
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
27.- El MOSFET de la Figura P5.2 viene descrito por las curvas características
de la Figura P5.1. Utilice una línea de carga para hallar (VDS, ID) cuando RD =
a) 5 kΩ.
b) 2 kΩ.
c) 1 kΩ.
33
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
34
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
35
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
36
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
37
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
38
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
39
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
40
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
41
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
42
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
43
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
44
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
45
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
46
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
Para los cálculos se usará un valor de la tensión umbral del IGBT Vth=5,8 V y el valor
del parámetro de ganancia de corriente k (A/V2) de este IGBT se hallará usando los
datos de la gráfica 6 de las hojas de características;
47
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
48
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
49
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
50
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
51
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
52
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
53
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
54
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
55
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
56
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
57
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
58
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
59
Tema 2. Dispositivos de Potencia. Ejercicios 5º II
60