Министерство образования

и науки Российской Федерации

Л.А. Брусницына

АКТИВИРОВАНИЕ
ПОВЕРХНОСТИ
ДИЭЛЕКТРИКА
Учебное электронное текстовое издание

Учебное пособие для студентов, обучающихся по программе бакалавриата

направлений 18.03.01 «Химическая технология», 18.03.02 «Энерго-и
ресурсосберегающие процессы в химической технологии, нефтехимии и
биотехнологии».

Содержит учебный материал и рекомендации для самостоятельной работы.

Научный редактор: проф., д-р хим. наук В.Ф. Марков

Подготовлено кафедрой физической и коллоидной химии

Екатеринбург
2017
 ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .................................................................................................................. 3
1. СПОСОБЫ АКТИВАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКОВ .................................................... 5
2. БЕСПАЛЛАДИЕВАЯ АКТИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА
СОЛЯМИ МЕДИ (I) .................................................................................................... 8
3. ФОТОХИМИЧЕСКАЯ АКТИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА .. 14
3.1. Технологические режимы процесса фотокомпозиции диэлектриков ....... 18
3.2. Механизм процесса фотовосстановления меди (II) в твердой фазе на
поверхности диэлектрика ...................................................................................... 19
3.3. Влияние поверхностно-активных веществ на процесс фотоактивации
диэлектрических материалов ................................................................................ 23
3.4. Влияние времени нанесения и состава фотоактиватора на содержание
меди (II) в адгезивном слое органических стеклопластиков ............................. 26
4. АКТИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА РАСТВОРАМИ НА
ОСНОВЕ ПАЛЛАДИЯ И ОЛОВА .......................................................................... 30
4.1. Классическая активация ................................................................................. 30
4.2. Совмещенная активация ................................................................................. 31
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ...................................................................... 35

2
 ВВЕДЕНИЕ
Учебное пособие подготовлено для обучения бакалавров очной формы
обучения направления «Химическая технология» и профилю «Физико-
химические технологии материалов электронной техники и энергетики». Оно
будет особенно полезно студентам, которые планируют заниматься научно-
исследовательской работой.
В учебном процессе важное место занимает дисциплина «Технология
изготовления печатных плат», которая относится к профессиональному циклу
ОПП. Знание физико-химических законов и закономерностей позволяет описать
и раскрыть процессы, лежащие в основе технологических приемов и операций
получения материалов электронной техники и энергетики.
Ограничение во времени лекционного курса по дисциплине требует более
детального изучения основных стадий технологического процесса изготовления
печатных плат.
Цели учебного пособия:
 формирование знаний современных технологических процессов
изготовления печатных плат;
 формирование системного подхода при решении задач, связанных с
технологией производства радиоэлектронных средств и систем;
 формирование знаний по активации диэлектрических материалов с
целью решения технологических задач.
Результаты обучения:
 умение выбирать рациональную схему производства материалов и
изделий электронной техники;
 умение подготавливать и проводить активацию диэлектрических
материалов;
 владение современными технологиями активации диэлектриков перед
металлизацией, обеспечивающих высокий уровень технических и
эксплуатационных характеристик и технологичности электронных систем.

3
 При изготовлении печатных плат в зависимости от конструктивных
особенностей и масштабов производства применяются различные варианты
технологических процессов, в которых используются многочисленные химико-
технологические операции и операции механической обработки [1‒3].
Печатная плата является одним из основных элементов электронной
аппаратуры. Она выполняет функции несущей конструкции, на которой
размещаются различные электронные и коммутационные устройства.
В технологии производства печатных плат одной из основных стадий
является операция создания проводящего рисунка на поверхности и в
отверстиях печатной платы. Нанесение металлических покрытий
осуществляется химическим и электрохимическим способами.
В качестве материала для изготовления печатных плат используются
диэлектрики с эпоксикаучуковым адгезивным слоем, гетинакс и полиимид. При
использовании фольгированных диэлектриков при изготовлении двусторонних
и многослойных печатных плат проводится активация стенок отверстий.
Пособие посвящено углубленному изучению физико-химических
закономерностей процесса активации диэлектрических материалов.
При подготовке учебного пособия использовалась учебная и научная
литература, а также результаты исследований, проводимых на кафедре
физической и коллоидной химии Уральского федерального университета имени
Б.Н. Ельцина.

4
 1. СПОСОБЫ АКТИВАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Различные методы производства печатных плат применяются с целью

получения сплошного слоя химической и электрохимической меди на
поверхности и в отверстиях с высокой адгезией к диэлектрику.
Для выполнения этой задачи необходимо решить две основные задачи:
1) обеспечить качественную подготовку поверхности диэлектрика;
2) для инициирования процесса металлизации (в том числе химического
меднения) покрываемая поверхность диэлектрика или металла должна быть
каталитически активной.
Активацией называется операция, в результате которой на
обрабатываемой поверхности создаются каталитически активные центры в виде
металлических частиц.
Высокая каталитическая активность металлизируемой поверхности
обеспечивает осаждение компактных, прочных и равномерных пленок металла.
Сущность химических методов активирования заключается в том, что на
активируемую поверхность наносят малые количества металлов-катализаторов
или насыщают поверхностные слои сильными восстановителями, способными
в растворе химической металлизации легко восстановить ионы осаждаемого
металла. Металлы-активаторы, кроме каталитических свойств, должны
обладать достаточной химической устойчивостью, чтобы сохранить эти
свойства до металлизации [4].
Согласно [5], важнейшими требованиями, предъявляемыми к процессам
активации, являются:
 высокая каталитическая активность металлизируемой подложки;
 возможность получения гомогенного активирующего раствора;
 устойчивость по отношению к растворению или окислению.
При разработке состава активирующих растворов в качестве критерия
эффективности работы обычно рассматриваются три показателя:

5
 1) сплошность полученного металлопокрытия;
2) адгезия металлопокрытия к диэлектрику;
3) однородность и мелкодисперсность металлопокрытия.
Существует несколько способов активации поверхности диэлектрика.
Методы активации можно разделить на две основные группы:
1) физические методы;
2) химические методы.
Из физических методов можно отметить изготовление специальных
видов пластмасс, содержащих в себе активатор, например палладий, или такие
вещества, которые способны превращаться в катализаторы при дополнительной
обработке (акселерации), например СuО → Сu. Слой активатора на
поверхность диэлектрика можно наносить напылением или испарением, а
акселерацию ‒ превращение активатора в катализатор ‒ в этих случаях обычно
проводят путем облучения ультрафиолетом или нагревания.
Более универсальны химические методы активации, которые
применяются для любых поверхностей. Ранее широко использовался
классический способ активации: поверхность сначала сенсибилизируют
раствором солей олова (II), затем активируют раствором соли каталитически
активного металла.
Условно активирующие растворы можно разделить на два вида: [6]
1) растворы на основе благородных металлов (палладий, серебро, платина);
2) растворы на основе неблагородных металлов (медь, железо, титан).
Количественной мерой активности поверхности может служить
эффективность активации, выражаемая обратной величиной периода индукции
реакции химической металлизации.
Период индукции оценивается визуально по образованию заметного слоя
металла и выделению пузырьков водорода. Иногда для оценки качества
активации поверхности пользуются значением доли поверхности, которая
покрывается металлом. Такая оценка характеризует равномерность
активации [6].

6
 Установлено, что металлические пленки хорошего качества получаются
при равномерном распределении каталитически активных частиц на
однородной поверхности подложки. Частицы катализатора размером 3‒20 нм
должны распределяться в один слой, создавая концентрацию 400 мкм‒2 [4].
Выполнение всех требований достигается именно при палладиевой активации,
что объясняется легкостью восстановления ионов палладия, способностью его
соединений сорбироваться на подложках и склонностью к формированию
мелких, устойчивых и каталитически активных частиц.
Классификация процессов химической активации [4]
 формирование частиц металла-катализатора на поверхности
диэлектрика в результате реакции между восстановителем и соединением
металла-катализатора, растворы которых последовательно наносят на
подложку;
 образование каталитически активных центров при использовании
коллоидных активирующих растворов, содержащих одновременно соль
металла и восстановитель;
 формирование металлических каталитически активных центров в
результате протекания в твердой фазе (активатор на поверхности диэлектрика)
окислительно-восстановительных реакций, инициируемых излучением или
термическим путем;
 образование частиц металла-катализатора при восстановлении ионов
металла, входящих в состав раствора химического осаждения меди (ХОМ), во
время индукционного периода реакции ХОМ на поверхности диэлектрика.

7
 2. БЕСПАЛЛАДИЕВАЯ АКТИВАЦИЯ
ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА СОЛЯМИ МЕДИ (I)
Одним из перспективных направлений разработки новых технологий
производства печатных плат является создание более экономичных
технологических процессов с использованием беспалладиевой активации
диэлектрических материалов перед химической металлизацией.
Процесс металлизации диэлектрических материалов с использованием
беспалладиевой активации является сложным многостадийным процессом,
состоящим из нескольких последовательных стадий:
1) подготовка поверхности диэлектрического материала;
2) нанесение активатора на подготовленную поверхность диэлектрика;
3) акселерация активирующего раствора;
4) химическая металлизация;
5) электрохимическое доращивание медного покрытия.
Беспалладиевая активация применяется для металлизации поверхности
нефольгированных диэлектриков и металлизации сквозных отверстий печатных
плат. В качестве диэлектрических материалов используются неорганические
материалы (ситаллы, поликоры, различные виды керамики) и органические
стеклопластики с эпоксикаучуковым адгезивным слоем.
С целью упрощения процесса и снижения себестоимости химической
металлизации можно исключить из процессов активирования поверхности дорогие
и дефицитные благородные металлы. В качестве активирующих растворов
используются растворы на основе солей меди (II), титана (IV), железа (III).
Предварительные исследования показали, что активирующие растворы на
основе Fe(III) – Sn(II), Ti(IV) – Sn(II), Cu(II) – Sn(II) не позволяют получить на
диэлектрической подложке качественное металлопокрытие.
Активирующие растворы, действие которых основано на реакции
термического разложения гипофосфита меди, применяемые для металлизации
отверстий печатных плат, для проведения процесса активации требуют
дополнительного аппаратурного оформления.

8
 Более стабильными активирующими растворами являются растворы на
основе Cu(I). Для того чтобы провести сплошную металлизацию диэлектрика,
на его поверхности необходимо получить достаточно большое количество
каталитически активных центров. Этого можно добиться путем создания
высокой концентрации меди (I) в растворе или увеличением толщины
активирующего слоя.
Увеличение толщины слоя приводит к дальнейшему отслоению
металлопокрытия. При нанесении тонкого слоя активатора концентрация меди
на поверхности должна составлять 1 мг/дм2. Для выполнения этого условия
концентрация монохлорида меди в активирующем растворе должна составлять
0,3‒0,5 моль/л. Снижение концентрации хлорида меди (I) приводит к
ухудшению качества металлопокрытия и уменьшению адгезии [7‒10].
Медь (I) в активирующем растворе неустойчива, она легко окисляется в
медь (II). Приостановить процесс окисления меди (I) можно путем введения в
раствор различных восстановителей, таких как гипофосфит натрия NaH2PO2,
хлорид гидроксиламмония NH2OH·HCI и металлическая медь. В присутствии
металлической меди происходит восстановление меди (II) до меди (I) за счет
реакции диспропорционирования
Cu2++Cu0 = 2Cu1+.
Помимо основных компонентов, в активирующий раствор вводится
поверхностно-активное вещество марки ОП-10 с целью лучшего распределения
по поверхности диэлектрика. Процесс активации поверхности диэлектрических
материалов растворами на основе хлорида меди (I) представляет собой
последовательность 4 основных стадий [11]:
1) нанесение активирующего раствора;
2) сушка;
3) акселерация;
4) осаждение меди в растворах химического меднения.
Активирующий раствор на основе монохлорида меди имеет следующий
оптимальный состав, моль/л:

9
 CuCI – 0,5;
HCI – 3,25;
ПАВ ОП‒10 – 0,01;
металлическая медь – 0,47.
Введение в состав активатора органического растворителя
диметилсульфоксида (ДМСО) приводит к лучшему закреплению меди (I) на
поверхности не только за счет микрошероховатости, создаваемой в процессе
травления, но и за счет проникновения меди вглубь адгезивного
эпоксикаучукового слоя.
Введение в состав активирующего раствора поверхностно-активных
веществ и органических растворителей приводит к увеличению адгезии
металлопокрытия к поверхности диэлектрика с эпоксикаучуковым адгезивным
слоем. В табл. 1 приведены данные по адгезии металлопокрытий, полученных
на органическом стеклопластике марки СТЭК‒1,5 при использовании
активирующих растворов различного состава.
Все активирующие растворы, приведенные в табл. 1, позволяют получить
сплошное медное покрытие на поверхности диэлектрика. Определение адгезии
проводили при толщине металлопокрытия 30 мкм.
При анализе табл. 1 видно, что введение в состав активатора ПАВ,
металлической меди и диметилсульфоксида приводит к увеличению адгезии
металлопокрытия с диэлектрической основой.

10
 Таблица 1
Зависимость адгезии металлопокрытия от состава активирующего
раствора на основе хлорида меди (I) (0,5 моль/л) и хлороводородной
кислоты (3,25 моль/л). Добавка ПАВ ОП‒10 (0,01 моль/л)
№ раствора Добавка* Адгезия, Г/см
1 ‒ 500‒600
2 ОП‒10 600‒800
3 ОП‒10+ГФН 500‒600
4 ОП‒10+медь 800
5 ОП‒10+ДМСО 800‒900
*ГФН ‒ гипофосфит натрия, 0,3 моль/л; медь металлическая, 30 г/л;
ДМСО ‒ диметилсульфоксид, 5 %.
Сушку активирующего слоя следует проводить при температуре
323–373 К. В процессе сушки на поверхности диэлектрика формируется
равномерный кристаллический слой активатора. Изменение цвета сухого слоя
активатора при сушке свидетельствует о протекании окислительно-
восстановительного процесса.
Данные рентгенофазового анализа подтверждают, что при температуре
293 К в результате сушки на поверхности формируется слой, состоящий
главным образом из CuCl2∙2H2O. Активирующий слой, полученный в
результате сушки при температуре 323‒373 К, состоит из CuCl2∙2H2O и оксида
меди (I) Cu2O. Установлено, что при температуре сушки 323‒373 К
образующийся кристаллический слой становится более сплошным и
упорядоченным.
Образование в процессе сушки хлорида меди (I) требует проведения
дополнительной стадии ‒ акселерации в растворах восстановителей. В качестве
последних обычно используются 1‒5-процентные растворы хлорида
гидразиния, гипофосфита натрия, хлорида гидроксиламмония и щелочного
раствора формальдегида.

11
 Восстановление ионов меди (II) до металлической меди более
эффективно осуществляется в 1-процентном растворе гидразина при рН 8‒10 и
температуре 298 К [7]:
4Cu2++N2H4+4OH‒ = 4Cu0+N2+4H2O.
При использовании гипофосфита натрия восстановление активирующего
слоя на поверхности диэлектрика достаточно активно происходит при
температуре 323‒338 К и рН 8‒10:
Cu2++2H2PO2‒+4OH‒ = Cu0+H3PO3‒+H2++H2O.
В растворах, содержащих гидроксиламин, при значениях рН 8‒10
процесс акселерации происходит недостаточно эффективно, так как в
результате дальнейшей металлизации не удается получить металлопокрытие на
поверхности диэлектрика.
При использовании раствора, в котором совмещаются эффекты
диспропорционирования соединений меди (I) и восстановление меди (II)
формальдегидом, активно протекают реакции:
2Cu+ = 2Cu0+Cu2+,
4OH‒+2CH2O+Cu2+ = Cu0+2HCOO‒+H2+2H2O.
Этот раствор имеет следующий состав (моль/л): [8]
едкий натр ‒ 0,7‒1,0;
формальдегид ‒ 0,4‒1,2;
лиганд ‒ 0,15‒1,0.
В качестве лиганда может быть использован трилон Б или тартрат калия-
натрия. При температуре 293‒298 К надежное восстановление меди достигается
за время обработки 3‒5 минут. На поверхности образуются частицы
металлической меди, которые являются каталитически активными центрами в
процессе химической металлизации. Два других компонента активатора ‒
хлороводородная кислота и поверхностно-активное вещество – переходят в
раствор акселерации. Таким образом, активированный диэлектрик, попадая в
раствор химической металлизации, не оказывает влияния на стабильность
растворов металлизации.

12
 Адгезия металлопокрытия к диэлектрической основе составляет 800–
1 000 г/см. При использовании активирующего раствора металлизируются
стенки отверстий печатных плат диаметром 0,6‒0,8 мм при соотношении
диаметра отверстии и толщины печатной платы 1:5. Активирующие растворы
на основе монохлорида меди сохраняют свою стабильность без корректировки
в течение длительного времени (более 30 суток).

13
 3. ФОТОХИМИЧЕСКАЯ АКТИВАЦИЯ
ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА
Одним из методов беспалладиевой активации диэлектрических
материалов является фотохимическая активация поверхности с целью придания
ей каталитической активности. Среди фоточувствительных композиций,
применяемых для активации поверхности диэлектриков, наибольший интерес
представляют светочувствительные системы на основе соединений меди (II),
железа (III), титана (IV). Это объясняется их доступностью и достаточно
высокой фоточувствительностью в ультрафиолетовой области спектра.
При активации диэлектрической поверхности фоточувствительные
композиции наносят на подготовленную поверхность диэлектрика,
высушивают и экспонируют через фотошаблон, после чего проводят
химическую металлизацию поверхности. Под действием УФ-облучения
происходит восстановление соответствующего металла по схеме
Cu2+ → Cu1+ → Cu0,
Fe3+ → Fe2+,
Ti4+ → Ti3+.
Процессы фотоселективной активации диэлектрических материалов
находят широкое применение в технологии производства печатных плат
аддитивным методом, исключающим применение фольгированных
диэлектриков и фоторезисторов. Фотоаддитивная технология изготовления
печатных плат – это сложный многостадийный процесс. Согласно этой
технологии, можно выделить следующие основные стадии [12]:
 подготовка поверхности диэлектрического материала;
 нанесение фоточувствительного слоя на поверхность диэлектрика;
 сушка фоточувствительного слоя;
 экспонирование;
 усиление полученного изображения в растворах химического
меднения;

14
  наращивание металлического покрытия в растворах химического
меднения до толщины покрытия 25–30 мкм.
В качестве диэлектрического материала в процессах фотоселективной
металлизации применяются неорганические диэлектрики, гетинакс, полиимид и
различные материалы с эпоксикаучуковым адгезивным слоем, нанесенным на
поверхность стеклопластика.
Микропористая поверхность получается в результате процесса травления.
Для органических стеклопластиков с эпоксикаучуковым адгезивным слоем
процесс подготовки включает в себя набухание слоя в органическом
растворителе и последующее травление в хромовокислых растворах. Подготовка
поверхности стеклопластиков включает в себя три основных операции:
1) набухание адгезивного слоя в диметилформамиде при температуре
293–298 К;
2) травление в хромовокислом растворе, содержащем 350 г/л CrO3 и
125 г/л H2SO4 в течение 5 минут при температуре 325 К;
3) нейтрализация в 5-процентном растворе аммиака при температуре
293–298 К в течение 15 минут.
После каждой операции проводится тщательная промывка проточной, а
затем дистиллированной водой. Сушка фотокомпозиции проводится при
температуре 293–298 К до полного высыхания.
Экспонирование нанесенного и высушенного слоя проводится ртутно-
кварцевыми лампами низкого, среднего и высокого давления, лазерами или
фотовспышкой от источника мощностью 10 Вт/с. Чаще всего применяется
ультрафиолетовое облучение [12].
В качестве источника излучения используется ртутно-кварцевая лампа
ДРГТ-1000. Облучение заготовок проводится полным спектром лампы через
полиэтилентерефталатную пленку на расстоянии 40 см от источника излучения.
Граница пропускания полиэтилентерефталатной пленки ≥ 320 нм. Время
экспонирования составляет 3–5 минут.

15
 Нанесение фоточувствительного слоя в зависимости от вязкости
светочувствительного раствора осуществляется центрифугированием,
разбрызгиванием, поливом или с помощью специального валкового устройства.
Сушка фоточувствительного слоя в зависимости от его состава проводится на
воздухе в вакуумном или сушильном шкафу при различной температуре и
влажности окружающей среды [13].
После экспонирования на поверхности диэлектрического материала
образуются каталитически активные центры, которые инициируют
восстановление металла в растворах физического проявления, в качестве которых
обычно используются растворы химического меднения и никелирования.
Фоточувствительные соединения, применяемые для активации
диэлектрических материалов и отличающиеся способностью под действием
лучистой энергии изменять свое первоначальное состояние, что связано с
изменением валентности или образованием активных радикалов, называют
фотопромоторами.
Кроме фотопромоторов, в состав фоточувствительных композиций
обычно входит сенсибилизатор, обладающий повышенной чувствительностью
к ультрафиолетовому облучению. К таким соединениям относятся соли железа,
бихроматы калия и аммония, различные красители, бензофенон, производные
антрахинона. Фотохимические реакции с участием этих соединений
отличаются высоким квантовым выходом [14].
Очень часто в состав фоточувствительных композиций входит вторичный
восстановитель, роль которого выполняют кислород- и азотсодержащие
органические соединения. В качестве таких соединений применяются спирты,
амины, полиэфиры.
Далее в состав фоточувствительных композиций входят различные
добавки, обеспечивающие контрастность изображения и фиксирующие
восстановленную форму металла за счет поглощения кислорода воздуха. Для
этой цели использовались различные восстановители: гидразин, гидроксиламин,

16
аскорбиновая кислота. Наиболее эффективным восстановителем является
двухлористое олово.
В качестве растворителей в фотокомпозициях используются вода,
различные спирты, водно-спиртовые смеси, диметилформамид,
диметилсульфоксид и др.
Как видно из вышеизложенного, число компонентов фотокомпозиции
достаточно велико, и успешное проведение фотохимического процесса на
поверхности диэлектрического материала зависит от многих факторов:
 от выбора фотопромотора и сенсибилизатора;
 совместимости компонентов в одной композиции и их взаимной
растворимости;
 способа нанесения светочувствительного раствора на поверхность
диэлектрика;
 условий сушки и экспонирования.
К фоточувствительным композициям, используемым для
фотоселективной активации диэлектрических материалов, предъявляются
требования, включающие в себя следующие положения:
 высокая спектральная чувствительность фотопромотора и
сенсибилизатора к ультрафиолетовому излучению;
 возможность получения гомогенного раствора фотокомпозиции;
 возможность закрепления светочувствительного раствора на
поверхности диэлектрического материала;
 легкость удаления непрореагировавшей части фотокомпозиции с
неэкспонированных участков.
Более подробно рассмотрим процесс фотоселективной активации с
использованием светочувствительной композиции на основе соединений
меди (II). В качестве фотопромотора используется ацетат меди Cu(Ас)2,
обладающий достаточно высокой спектральной чувствительностью и хорошей
растворимостью в воде.

17
 Роль оптического сенсибилизатора в процессе фотохимического
восстановления меди (II) выполняет динатриевая соль антрахинон-2,6-
дисульфокислоты Na2AS.
Процесс фотохимического восстановления меди (II) в присутствии
химических сенсибилизаторов возможен при наличии вторичных
восстановителей – спиртов. В качестве таких соединений в рассматриваемых
системах используются сорбит, пентаэритрит и этанол в различных сочетаниях.
Фоточувствительные композиции достаточно чувствительны к
ультрафиолетовому свету. Пороговая чувствительность композиций при про-
явлении изображения в серебряном проявителе составляет 2∙10–4 Дж/см2, в
медьформальдегидном – 5∙10–3 Дж/см2. Пороговая чувствительность к
видимому свету составляет 1,5∙10–5 Лк–1с–1. Разрешающая способность
фотокомпозиций составляет80–100 мкм.

3.1. Технологические режимы процесса фотокомпозиции

диэлектриков
Перед нанесением фоточувствительной композиции проводится
тщательная подготовка поверхности диэлектриков, включающая в себя три
основных операции:
1) набухание адгезивного слоя в диметилформамиде при температуре
293–298 К в течение 1‒2 минут;
2) травление в хромовокислом растворе, содержащем 350 г/л CrO3 и
125 г/л H2SO4 в течение 5 минут при температуре 325 К;
3) нейтрализация в 5-процентном растворе аммиака при температуре
293–298 К в течение 15 минут.
После каждой операции проводится тщательная промывка проточной, а
затем дистиллированной водой. Сушка фотокомпозиции проводится при
температуре 293–298 К до полного высыхания.
В качестве источника излучения используются ртутно-кварцевые лампы
(например, ДРГТ-1000). Облучение заготовок проводится полным спектром
лампы через полиэтилентерефталатную пленку на расстоянии 40 см от
18
источника излучения. Граница пропускания полиэтилентерефталатной
пленки ≥ 320 нм. Время экспонирования составляет 3–5 минут.
С целью получения воспроизводимых результатов при составлении
светочувствительных растворов необходимо придерживаться строгой
последовательности растворения компонентов. Вначале растворяют динатриевую
соль антрахинон-2,6-дисульфокислоты Na2AS, затем последовательно вносят
ацетат меди Cu(Ас)2, пентаэритрит и рассчитанный объем этилового спирта.
После этого объем доводят до заданного. Растворение компонентов композиции
проводится при температуре 293–298 К. В качестве диэлектрического материала
могут быть использованы диэлектрики с эпоксикаучуковым адгезивным слоем.
Проявление и фиксирование рисунка схемы проводится в растворе
щелочного формалина при температуре 313 К в течение 5 минут [12].
Нанесение медного покрытия толщиной 20 мкм осуществляли в трилонатных и
тартратных растворах химического меднения.

3.2. Механизм процесса фотовосстановления меди (II) в твердой фазе

на поверхности диэлектрика
Изучение механизма процесса фотовосстановления меди (II) в твердой
матрице на поверхности диэлектрического материала в многокомпонентной
системе является сложной задачей. Первым шагом в решении этой задачи
является изучение кинетических закономерностей фотоактивации
диэлектриков, которое позволяет дать феноменологическое описание процесса
фотовосстановления меди в форме кинетических уравнений.
За ходом фотохимического процесса можно следить по изменению
максимума пропускания фотокомпозиции на длине волны 520 нм. Съемку
спектров пропускания проводили на спектрофотометре СФ-18 относительно
чистого диэлектрика.
Изучены кинетические закономерности фотовосстановления меди (II) в
сухом слое фотоактиватора на поверхности диэлектрического материала.
Концентрации компонентов раствора варьировали в следующих пределах

19
(моль/л): Си(ОАс)2 – 0,050–0,100; сорбит – 0,330, Nа2АS – 0,023–0,046;
С2Н5ОН – 1,000.
Типичные кинетические кривые фотовосстановления меди (II) при
изменении концентрации ацетата меди и динатриевой соли антрахинон-2,6-
сульфокислоты представлены на рис. 1.

Рис.1. Кинетические кривые фотовосстановления меди(II) в различных фотокомпозициях

(A – пропускание, %; τ эксп – время экспонирования, мин.).

Состав композиции (моль/л): а, б) сорбит – 0,030; С2H5OH – 1,00;
а) Na2AS – 0,035; Cu(OAc)2 –0,075(1); 0,05 (2); 0,10 (3);
б) Cu(OAc)2 – 0,75; Na2AS – 0,046(1); 0,035 (2); 0,023 (3);

Наибольшая степень фотопревращения меди (II) ко времени 2 мин.

наблюдается при концентрациях ацетата меди 0,075 моль/л и динатриевой соли
антрахинон-2,6-сульфокислоты 0,046 моль/л. В ходе фотопроцесса происходит
восстановление меди (II) до меди (I) и металлической меди. В сухом слое
фотокомпозиции наблюдается образование большого числа разобщенных
восстановленных центров.

20
 Процесс фотовосстановления меди (II) в сухом слое фотоактиватора
описывается кинетическим уравнением реакции первого порядка
dT
 ko I o (T  T ) , (1)
d
где k0 – константа скорости фотохимического процесса;
I0 – интенсивность падающего света;
T∞ – максимальное поглощение фоточувствительного слоя;
T – поглощение слоя ко времени τ .
После интегрирования и введения степени превращения вещества
α = T/T∞ кинетическое уравнение (1) примет вид, удобный для обработки
экспериментальных кинетических кривых, для расчета константы скорости
фотохимического процесса k0 при условии постоянства I0.
1
ln  ko . (2)
1 

Рис. 2. Анаморфозы кинетических кривых фотовосстановления меди (II),

τэксп – время экспонирования, мин.
Состав композиции (моль/л): Cu(OAc)2 – 1,00; сорбит – 0,330; С2H5OH – 1,00;
Na2AS – 0,023(1); 0,035 (2); 0,046 (3)
Анаморфозы кинетических кривых (рис. 2), свидетельствующие о том,
что экспериментальные кинетические кривые достаточно хорошо
обрабатываются по уравнению (1), представлены на рис. 2.

21
 Графическим решением уравнения (2) определены константы
фотохимического процесса для композиций, отличающихся концентрацией
динатриевой соли антрахинон-2,6-сульфокислоты:
c Na 2 AS , моль/л 0,023 0,035 0,046

ko , мин.–1 0,250 0,375 0,471

Механизм процесса фотовосстановления меди (II) определяется

структурой сухого светочувствительного слоя. Исходя из этого
рассматриваются две модели протекания фотохимического процесса в сухом
слое фотоактиватора или в твердой фазе.
Модель 1
В случае формирования на поверхности диэлектрика
мелкокристаллического слоя реакция восстановления меди (II) в сухом слое
фотокомпозиции может быть отнесена к гомогенной, т. е. элементарный акт
реакции локализован в любой точке объема фоточувствительной композиции.
Процесс фотовосстановления меди (II) описывается кинетическим
уравнением
1
ln  ko .
1 
Модель 2
Реакция фотовосстановления меди (II) рассматривается как типичная
топохимическая реакция. Процесс восстановления меди (II) локализован вблизи
фронта реакции, который двигается вглубь исследуемой композиции с
определенной скоростью.
Процесс фотовосстановления меди (II) описывается кинетическим
уравнением
1
   ko .
ln
1 
Усредненное значение константы скорости фотохимической реакции для
композиций на основе ацетата меди составляет k  0,20 мин.–1.
Найденные значения константы скорости реакции позволяют
организовать процесс фотовосстановления меди (II) в оптимальном режиме.

22
 3.3. Влияние поверхностно-активных веществ на процесс
фотоактивации диэлектрических материалов
Успешное проведение процесса фотоактивации диэлектрических
материалов зависит от закрепления фоточувствительной композиции на
поверхности. Известно, что введение в раствор поверхностно-активных
веществ снижает поверхностное натяжение на границе раздела фаз и
способствует увеличению адсорбции.
С целью лучшего закрепления фотокомпозиции на поверхности
диэлектрического материала в состав фотоактиватора вводятся поверхностно-
активные вещества нескольких типов:
− анионоактивный ПАВ марки ПАВ-2К, эмпирическая формула
РО2К[ОСН2(СF2)2Н];
− неионогенный ПАВ марки ОП-10, эмпирическая формула
Alk–(СН2–О–СН2)n–Alk, n = 10;
− высокомолекулярный ПАВ ‒ поливиниловый спирт (ПВС),
эмпирическая формула [–СН2СНОН–]n.
Концентрация поверхностно-активных веществ (ПАВ) в
фоточувствительной композиции составляет 0,10–15 г/л. Для
фоточувствительных растворов, содержащих различные ПАВ,
экспериментально определена величина поверхностного натяжения ( σ ).
Результаты определении поверхностного натяжения представлены и табл. 2.
Добавление в фотокомпозицию ПВС и ПАВ-2К не оказывает
значительного влияния на поверхностное натяжение растворов. Присутствие же
в растворе неионогенного ПАВ марки ОП-10 приводит к уменьшению
поверхностного натяжения раствора практически в 2 раза.

23
 Таблица 2
Зависимость поверхностного натяжения раствора фотокомпозиции
от вида и концентрации поверхностно-активных веществ
Марка ПАВ Концентрация, г/л σ ∙10–3, Н/м
Композиция без ПАВ ‒ 60,8
ПВС 15 52,4
ПАВ‒2К 0,1 47,9
ОП‒10 0,5 37,8
Кинетические кривые фотовосстановления меди (II) представлены на
рис. 3.

Рис. 3. Кинетические кривые фотовосстановления меди (II) в композиции (моль/л):

A – пропускание, %; τэксп – время экспонирования, мин.,
Cu(OAc)2 – 0,075; сорбит – 0,330; С2H5OH – 1,00; Na2AS – 0,035.
Добавка ПАВ: 1– ОП‒10 0,5 г/л; 2 – ПВС 15 г/л; 3 – без ПАВ
Введенные в состав фотоактиватора поверхностно-активные вещества
влияют на степень фотопревращения меди (II) в твердой фазе на поверхности
диэлектрика. Экспериментально установлено, что наибольшее увеличение
скорости фотопроцесса наблюдается при введении в состав фотоактиватора
ПАВ марки ОП-10. Несколько меньшее влияние на скорость фотопроцесса
оказывает ПВС.
Практически никакого влияния на скорость фотохимического процесса не
оказывает ПАВ марки ПАВ-2К. Зависимость концентрации и вида ПАВ на
24
степень превращения фотокомпозиции при времени экспонирования 2 мин.
приведена в табл. 3.
Таблица 3
Влияние концентрации и вида ПАВ на степень превращения
фотокомпозиции
Марка ПАВ Без ПАВ ПВС ПАВ‒2К ОП‒10
Концентрация ПАВ, г/л ‒ 15 0,1 0,5
Степень 0,40 0,52 0,40 0,60
фотопревращения
активатора (α)
Степень фотопревращения α фиксировали через 2 мин. после начала
процесса, что было обусловлено технологическими требованиями.
Снижая величину поверхностного натяжения растворов, ПАВ
способствуют увеличению количества фотоактиватора, закрепленного на
поверхности диэлектрического материала. В табл. 4 приведены данные о
количестве меди (П) на поверхности диэлектрика марки СТЭК-1.5 при
использовании различных ПАВ.
Таблица 4
Влияние концентрации и вида ПАВ на концентрацию меди (II)
на поверхности диэлектрика
Марка ПАВ Без ПАВ ПВС ПАВ-2К ОП-10
Концентрация ПАВ, г/л ‒ 15 0,1 0,5
Количество Cu2+, мг/дм2 623 770 725 680
После фотоактивации поверхности диэлектрического материала
проводятся проявление и фиксирование восстановленных центров в растворе
щелочного формальдегида с последующим химическим осаждением меди
[8, 16]. Экспериментально установлено, что поверхностно-активные вещества
влияют на адгезию металлопокрытия к диэлектрику. Данные адгезионной
прочности металлопокрытия к диэлектрику приведены в табл. 5. Величину
адгезии определяли методом полоскового отрыва.

25
 Таблица 5
Адгезионная прочность металлопокрытия в зависимости от вида ПАВ
Диэлектрик Адгезионная прочность, Г/3 мм
Ком позиция ПВС ПАВ-2К ОП-10
без ПАВ
СТЭК-0.25 300 250 250‒300 400‒450
СТЭК-1.5 350 250–300 250‒300 450‒500
Для стеклопластиков марок СТЭК-0.25 и СТЭК-1.5 наименьшая адгезия
250–300 Г/3 мм наблюдается при введении в фотоактиватор ПВС и ПАВ-2К.
Наибольшее значение адгезии 450‒500 Г/3 мм получено при использовании
фотокомпозиции, содержащей в своем составе ПАВ марки ОП-10. Это
свидетельствует о том, что неионогенное ПАВ ОП-10 позволяет сформировать
на поверхности диэлектрика однородный слой фотоактиватора, который
хорошо закрепляется на шероховатой поверхности, чего нельзя сказать о ПВС и
ПАВ-2К.
3.4. Влияние времени нанесения и состава фотоактиватора на
содержание меди (II) в адгезивном слое органических стеклопластиков
При фотоактивации поверхности диэлектрических материалов роль
каталитически активных центров выполняет металлическая медь, полученная в
результате фотовосстановления меди (II) до Cu0 в фотокомпозиции под
действием УФ-излучения.
Количество каталитически активных центров определяется
концентрацией меди (II) на единицу поверхности диэлектрика.
Экспериментально установлено, что для проведения металлизации достаточной
является концентрация меди (II) 0,150 мг/дм2.
Для увеличения количества меди (II) на поверхности в
фоточувствительную композицию вводятся органические растворители:
диметилформамид (ДМФА) и диметилсульфоксид (ДМСО) в количестве 10
объемных процентов. При нанесении фотокомпозиции в данном случае
активирующий раствор не только закрепляется на поверхности диэлектрика за

26
счет микрошероховатости, но и способен проникать вглубь набухшего
адгезивного слоя. В качестве диэлектрика использовался стеклопластик с
эпоксикаучуковым адгезивным слоем марки СТЭО-0,25.
Для оптимизации процесса нанесения фотоактиватора время нанесения
варьировалось в интервале 0‒5 мин. с целью получения максимального
количества меди (II) на поверхности. Количество меди (II), нанесенной на
поверхность диэлектрика в составе фотокомпозиции, определялось с помощью
атомно-абсорбционного (ААМА) и рентгеноструктурного флуоресцентного
(РСФА) методов анализа.
При использовании ААМА количество меди (II) определялось в растворе
комплексообразователя 2,2-дипиридила с концентрацией 5∙10‒4 моль/л при
использовании предварительно построенной градуировочной кривой. Образец
диэлектрика заданной площади с нанесенной фотокомпозицией выдерживался
в растворе 2,2-дипиридила в течение 20 мин., после чего раствор
анализировался на содержание меди (II).
Съемка спектров проводилась на спектрофотометре марки ААS-3
(Сагl-Zеiss-Iеnа) в ацетиленово-воздушном пламени относительно раствора,
содержащего органические добавки фотокомпозиции (натриевые соли
антрахинонсульфокислот, сорбит, этанол и 2,2-дипиридил) по Kα линии меди [18].
Данные по определению количества меди (II) ААМА представлены в табл. 6.
Таблица 6

Содержание меди (II) на поверхности диэлектрика при различном времени

нанесения и составе фотокомпозиции (ФК)
Время нанесения ФК, Содержание Си (II), мг/дм2
мин. ФК+ 10 % ДМФА ФК+ 10 % ДМСО
0,5 0,230 0,250
1,0 0,260 0,318
3,0 0,400 0,450
5,0 0,420 0,616

27
 Рентгеноструктурный флуоресцентный метод анализа позволяет
определить концентрацию меди (II) на поверхности диэлектрика в твердой фазе
в сухом слое фотокомпозиции. Анализ проводился на рентгеновском
спектрометре марки КРУС методом парного канала.
Количественное определение меди (II) основано на уменьшении
интенсивности рентгеновского излучения при прохождении пучка через
вещество. Измерение интенсивностей аналитической линии и линии сравнения
выполнялось с помощью системы обтюрации [18].
Измерение интенсивности флуоресценции проводилось при наборе
постоянного числа импульсов, равного 100 000; при таком количестве
импульсов уменьшается погрешность измерения. Количественные данные
содержания меди (II), определенные РСФА, приведены в табл. 7.
Таблица 7
Содержание меди (II) на поверхности диэлектрика при различном времени
нанесения и составе фотокомпозиции (ФК)
Время нанесения ФК, Содержание Си (II), мг/дм2
мин. ФК+ 10 % ДМФА ФК+ 10 % ДМСО
0,5 0,220 0,245
1,0 0,250 0,320
3,0 0,450 0,455
5,0 0,560 0,655
При анализе данных, приведенных в табл. 6 и табл. 7, видно, что при
увеличении времени нанесения фотокомпозиции от 0,5 до 5 мин. количество
меди (II) на поверхности диэлектрика возрастает в 2‒3 раза. Это подтверждает
тезис о том, что фотокомпозиция закрепляется на поверхности диэлектрика не
только за счет микрошероховатости, но и за счет сорбции фотокомпозиции
адгезивным слоем. Экспериментально установлено, что при дальнейшем
увеличении времени нанесения количества меди (II) на поверхность меняется
незначительно.

28
 Следует отметить, что при нанесении на диэлектрик фотокомпозиции,
содержащей 10 объемных процентов диметилсульфоксида, количество меди (II)
на поверхности больше, чем при нанесении фотокомпозиции с
диметилформамидом. Это свидетельствует о том, что набухание адгезивного
слоя в ДМСО идет эффективнее.
Следовательно, введение в состав фотоактиватора органических
растворителей увеличивает концентрацию меди (II) не только на поверхности,
но и в адгезивном слое.

29
 4. АКТИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА РАСТВОРАМИ
НА ОСНОВЕ ПАЛЛАДИЯ И ОЛОВА
Установлено, что металлические пленки хорошего качества получаются
при равномерном распределении каталитически активных частиц на
однородной поверхности подложки. Частицы катализатора размером 3‒20 нм
должны распределяться в один слой, создавая концентрацию 400 мкм‒2.
Выполнение всех требований достигается именно при палладиевой активации,
что объясняется легкостью восстановления ионов палладия, способностью его
соединений сорбироваться на подложках и склонностью к формированию
мелких, устойчивых и каталитически активных частиц [6].

4.1. Классическая активация

Классический способ активации диэлектрика предусматривает обработку
поверхности в растворе соли олова (II) с последующим гидролизом на
поверхности диэлектрика (сенсибилизация), а затем обработку в растворе соли
благородного металла (обычно палладия).
Цель сенсибилизации – создание на поверхности диэлектрика пленки из
ионов двухвалентного олова, которые являются впоследствии
восстановителями для ионов палладия.
Присоединение олова (II) к поверхности происходит не в растворе, а
лишь при последующем промывании поверхности в результате реакции
гидролиза солей олова.
После промывки сенсибилизированной поверхности (водой при рН = 9)
следует ее активация раствором соли палладия. Раствор стандартного состава
содержит: PdCI2 ‒ 0,25 – 1,0 г/л; HCI (1,19 г/см3) ‒ 2–3 г/л.
Так как в солянокислых растворах хлористый палладий находится в виде
соединения H2PdCI4, то активация может быть представлена в виде уравнений:
Sn(OH)CI+H2PdCI4+HCI → Pd+H2SnCI6+H2O,
Sn(OH)2+H2PdCI4+HCI → Pd+H2SnCI6+H2O.

30
 Активация обычно проводится при комнатной температуре в течение 0,5–
5 мин. Для улучшения смачиваемости во время обработки раствор подвергается
ультразвуковой вибрации с частотой 20–40 кГц в течение 2 мин.
Эффективность активации пропорциональна количеству палладия,
оставшегося на поверхности. Необходимо, чтобы минимальное количество
палладия на поверхности диэлектрика было 1,1–3,0 г/см2.
В связи с тем, что реакция восстановления палладия идет не до конца,
целесообразно после активации более полно восстановить ионы благородного
металла в щелочном растворе гипофосфита и лишь потом проводить меднение.
При обработке стенок отверстий МПП, которые представляют собой
систему из чередующихся слоев «фольга – диэлектрик – фольга – диэлектрик»,
на фольге протекает реакция контактного обмена:
Cu+PdCI2 → Pd+CuCI2.
Эта реакция нежелательна, так как палладий, выделившийся на торцах
медных контактных площадок, препятствует прочному сцеплению медной
фольги со слоем химически осажденной меди; кроме того, раствор быстро
истощается, и растут потери благородного металла. Использование операции
электрохимического полирования удаляет палладий с поверхности медной
фольги, в том числе и торцов. Для устранения контактного выделения палладия
на медной фольге используется раствор на основе трилона Б следующего
состава: PdCI2 – 4 г/л; трилон Б – 12 г/л; NH4OH – 300 мл/л.

4.2. Совмещенная активация

Широкое применение для активации поверхности печатных плат нашли
коллоидные, или совмещенные, растворы. Это прямая активация
металлизируемой поверхности. При обработке фольгированных печатных плат
в совмещенном коллоидном растворе на основе хлористых солей палладия и
олова выделение палладия на медной фольге значительно замедляется.
Палладий в совмещенном растворе обычно находится в виде
комплексных соединений, стабилизированных SnCI2. При этом образуются
интенсивно окрашенные темно-коричневые растворы координационных
31
соединений анионного типа PdSnmCIх4–. Со временем или при нагревании они
разлагаются, образуя коллоидные растворы. Присутствие коллоидных частиц в
таких растворах значительно превышает силу активации, особенно при
размерах частиц 2 нм.
В табл. 8 приведены рекомендуемые составы совмещенных растворов
активирования. Низкоконцентрированные растворы №№ 1, 2, 4 чаще
используются для фольгированных диэлектриков и позволяют сократить
расход драгоценного палладия, обусловленный в основном механическим
уносом раствора заготовками плат (1 м2 поверхности заготовок с учетом обеих
сторон выносит 0,15‒0,20 л раствора).
Для уменьшения расхода раствора активирования платы над ванной
необходимо выдерживать не менее 30 секунд, желательно с периодическим
встряхиванием. Раствор №3 имеет преимущество при металлизации
нефольгированных материалов (СТЭК-1,5), на которых адсорбция происходит
на значительно большей поверхности. Высокая концентрация хлоридов в
растворах в виде HCI, NaCI (KCI) необходима для повышения их стабильности.
Таблица 8
Совмещенные растворы активирования
Компоненты и режимы Концентрация (г/л) в растворах
1 2 3 4
Палладий двухлористый 0,2–0,5 0,4–0,5 0,8–1,0 0,1–0,25
Олово двухлористое 50–60 10–14 44–45 6–15
Кислота соляная, х.ч., мл/л 45–50 50 150–180 25–30
Натрий хлористый 170–175 250 200–220
Калий хлористый 140–150
Олово четыреххлористое 8,0–8,5
Гидросульфат натрия 70
Температура, °С 35 35 30 35
Обработку заготовок плат в растворах активирования проводят при
перемешивании покачиванием.

32
 Для поддержания стабильности работы растворов и предотвращения их
разбавления рекомендуется проводить предварительную обработку
(предактивацию) заготовок плат в растворе: NaCI ‒ 150–170 г/л; HCI ‒ 50–70 г/л.
Корректировка раствора активирования проводится после анализа по
всем компонентам, который выполняется не реже двух раз в неделю. При
снижении концентрации палладия добавляют концентрат, содержащий SnCI2 и
PdCI2, а при снижении содержания олова – только SnCI2. Периодический
прогрев раствора способствует его стабилизации, поэтому рекомендуется его
прогревать при температуре 60–90 °С в течение 20–30 мин. после каждого
корректирования и по мере снижения каталитической активности.
Потеря каталитической активности при нормальной концентрации
компонентов является следствием агрегатирования частиц палладия и их
коагуляции. Для повышения устойчивости коллоидного состояния частиц
палладия раствор прогревают при температуре 90‒100 °С в течение 10‒15 мин.
за счет растворения оксидов с поверхности медной фольги
При длительной эксплуатации раствора активатора происходит
накопление в нем нежелательных примесей (и в первую очередь меди) за счет
растворения оксидов с поверхности медной фольги соляной кислотой,
содержащейся в растворе:
СuO+2HCI → CuCI2+H2O.
Примесь двухвалентной меди приводит к накоплению четырехвалентного
олова по реакции:
2Cu2++Sn2+ → 2Cu++Sn4+.
Раствор меняет цвет и практически теряет активирующее действие при
концентрации меди 1,3‒1,4 г/л, адсорбционная активность уменьшается.
Механизм действия совмещенных растворов на основе олова и палладия
можно представить совокупностью следующих стадий:
1. Первая стадия осуществляется в растворе активирования. При этом
происходят заполнение катализатором микровпадин и адсорбция его на
поверхности.

33
 2. Вторая стадия – гидролиз – осуществляется при промывке
обработанных плат в воде. В результате промывки происходит гидролиз
комплексных солей условной формулы PdSnCI с образованием
труднорастворимого Sn(OH)CI, который захватывает частицы PdCI2:
PdSnCI+H2O → Sn(OH)CI+PdCI2.
3. Третья стадия – обработка в растворе ускорителя, в котором
происходят полное восстановление палладия и удаление солей олова. В
качестве растворов ускорителей применяют щелочные (NaOH 20–25 г/л) или
кислые растворы (HCI 50–70 г/л). При этой обработке происходят коагуляция
частиц палладия и перевод гидроокисных соединений олова в растворимую
форму станнита, если ускоритель щелочной, или хлорида, если ускоритель
кислый.
4. Четвертая стадия – промывка в проточной воде. На этой стадии
происходит смывание частиц гидроокиси Sn(IV), на поверхности остаются
адсорбированные частицы металлического палладия в коллоидной форме.
При использовании совмещенного раствора активирования
последовательность операций при активации печатных плат следующая:
1) обработка в совмещенном растворе в течение 2‒10 мин.;
2) промывка в холодной воде в течение 1‒2 мин.;
3) обработка в растворе-ускорителе в течение 0,5‒2 мин.;
4) промывка в холодной воде в течение 1‒2 мин.
Использование раствора активирования, содержащих 0,2–0,5 г/л
хлористого палладия, дает существенную экономию по сравнению с
растворами с концентрацией PdCI2 0,8–1,0 г/л.

34
 БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Медведев, А.М. Технологии производства печатных плат [Текст] /
А.М. Медведев. ‒ М. : Техносфера, 2005. ‒ 360 с.
2. Пирогова, Е.В. Проектирование и технология печатных плат:
учебник для вузов [Текст] / Е.В. Пирогова. ‒ М. : ФОРУМ, 2005. ‒ 560 с.
3. Ильин, В.А. Технология изготовления печатных плат [Текст] /
В.А. Ильин. ‒ СПб. : Машиностроение, 2006. ‒ 77 с.
4. Свиридов, В.В. Химическое осаждение металлов из водных
растворов [Текст] / В.В. Свиридов, Т.Н. Воробьева, Т.В. Гаевская. ‒ Минск :
Изд-во Университетское, 1987. ‒ 270 с.
5. Брусницына, Л.А. Технология изготовления печатных плат: учебное
пособие [Текст] / Л.А. Брусницына Л.А., Е.И. Степановских. ‒ Екатеринбург :
Изд-во ФГАОУ ВПО УрФУ, 2015. ‒ 200 с.
6. Капица, М. Активация поверхности диэлектрика / М. Капица //
Технология электронной промышленности. – 2005. – № 5. – С. 22–25.
7. Брусницына, Л.А. Технологический процесс беспалладиевой
активации диэлектрический материалов / Л.А. Брусницына, Н.А. Грекова,
Т.Л. Крупина // Обмен научно-техническим опытом в радиопромышленности. –
1988. – № 7. – С. 44‒45.
8. Китаев, Г.А. Раствор восстановления каталитической активности
поверхности рисунка печатной схемы / Г.А. Китаев, В.Н. Сосницкий,
Л.А. Брусницына // ЖПХ. – 1989. – № 6. – С. 1378‒1380.
9. Ильичева, Т.Л. Беспалладиевая активация диэлектрических
материалов перед химической металлизацией / Т.Л. Ильичева,
Л.А. Брусницына, Ю.Н. Макурин // Химия и химическая технология. Научные
труды. – 2006. – С. 111‒113.
10. Брусницына, Л.А. Изучение процесса активации поверхности
диэлектрических материалов растворами меди (I) / Л.А. Брусницына,
Ю.Н. Макурин // ЖПХ. – 1999. – Т. 72, вып. 2. – С. 228‒231.

35
 11. Брусницына, Л.А. Комплексообразование меди (I) в растворах для
активации диэлектрических печатных плат / Л.А. Брусницына,
Е.И. Степановских, Т.А. Алексеева // Бутлеровские сообщения. – 2012. –
Т. 29. – № 1. – С. 68–74.
12. Брусницына Л.А. Моделирование процесса фотовосстановления
меди (II) в твердой фазе / Л.А. Брусницына, Е.И. Степановских,
Т.А. Алексеева // Бутлеровские сообщения. – 2012. – Т. 29. – № 1. – С. 68–74.
13. Ильичева, Т.Л. Влияние времени нанесения и состава
фотоактиватора на содержание меди (II) в адгезивном слое органических
стеклопластиков / Т.Л. Ильичева, Л.А. Брусницына, Е.И. Степановских //
Химия и химическая технология. Научные труды. – 2006. – С. 130‒131.
14. Батеха, А. Г. Фотохимические процессы в слоях [Текст] / А.Г. Батеха,
Г.О. Беккер. ‒ Л. : Химия. – 1978. – 231 с.
15. Брусницына, Л.А. Влияние поверхностно-активных веществ на
процесс фотоактивации диэлектрических материалов / Л.А. Брусницына,
Г.А. Китаев // ЖПХ. – 1999. – Т. 72, вып. 8. – С. 1272‒1275.
16. Китаев, Г.А. Раствор восстановления каталитической активности
поверхности рисунка печатной схемы / Г.А. Китаев, В.Н. Сосницкий,
Л.А. Брусницына // ЖПХ. – 1989. – № 6. – С. 1378‒1380.
17. Шалкаускас, М. Химическая металлизация пластмасс [Текст] /

М. Шалкаускас, А. Вашкялис. ‒ Л. : Химия, 1985. ‒ 144 с.

18. Хавезов, И. Атомно-абсорбционный анализ [Текст] / И. Хавезов,
Д. Цалев. ‒ Л. : Химия, 1983. ‒ 143 с.

36
 Учебное электронное текстовое издание

Брусницына Людмила Александровна

АКТИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА

Учебное пособие

Редактор А.В. Овчинникова

Компьютерная верстка А.В. Овчинниковой

Рекомендовано Методическим советом УрФУ

Разрешено к публикации 29.12.2017
Электронный формат – pdf
Объем 1,38 уч.-изд.л.

620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19

Информационный портал УрФУ
http://www.study.urfu.ru