Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Mecánica

Licenciatura en Ingeniería Mecánica
Laboratorio de electrónica industrial.
Instructora: Martha Deycaza

Curvas características del transistor BJT.

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Resumen. Transistor bipolar. El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su denominación inglesa
Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente de corriente: dentro de ciertos
márgenes, la corriente en el terminal de colector es controlada por la corriente en el terminal de base. La mayoría de las
funciones electrónicas se realizan con circuitos que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los cuales
son los dispositivos básicos de la electrónica moderna.

Descriptores: El puerto base de un transistor bjt, el puerto colector de un transistor bjt, el puerto emisor de un transistor
bjt, factor de amplificación de un transistor bjt, Transistor bjt,

1. Introducción.

La estructura física de un transistor bipolar consta de dos uniones PN dispuestas una a continuación de la otra. Entre los
terminales de emisor y base hay una unión PN, denominada unión emisora, y entre los de base y colector otra unión PN,
llamada unión colectora.
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden de la descripción de su estructura física.
En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física del
transistor PNP es dual a la anterior cambiando las regiones P por regiones N, y las N por P.

2. Resultados

PARTE I: La ganancia de corriente β del BJT

a. Busque en la hoja de especificaciones técnicas del transistor 2N2222A, cada uno de los parámetros
indicados en la tabla 1. Anote el valor correspondiente para cada parámetro.

Parámetro Valor
Máxima corriente de colector (Ic max) 0.6 A
Factor de amplificación o ganancia (HFE o Beta) 100-300
Máximo Voltaje colector emisor (VCE max) 40 V
Máximo voltaje base emisor (VBE max) 3V
Máxima potencia de disipación (PD) 0.625 W
Tabla.1 valores obtenidos del manual.

b. Arme el circuito de la figura 3 y determine el valor de β.

Copyright Alexis Tejedor De León, PhD– see: http://www.alexistejedor.org

 Figura.1 Para la obtencion de datos.

c. Compare la β anotada en la tabla 1 con la obtenida en el punto (b).

Figura 2. Corriente obtenida de RC. Figura 3. Corriente obtenida de RB.

I C 1.733 ×10−3
β= = =199.195
IB 8.7 ×10−6

Análisis: Se puede observar que el valor obtenido del circuito a través de las mediciones, están dentro del rango obtenido
del fabricante rambal.

Parte II Graficar la curva característica de entrada del BJT 2N2222A, a partir del registro de valores.
d. Utilice el circuito de la figura 1.
e. Remplace los valores de RBB indicados para obtener los valores de IB y VBE requeridos para completar los cuadros de la
tabla 2.
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Rango de IB (µA) 5-10 16-25 30-50 120-200
IB Registrado (µA) 7.867 22.658 39.068 123.323
VBE(V) 0.62671 0.661653 0.679566 0.710733
RBB(Ω) 111K 37K 21K 6.4K
Tabla.2 valores obtenidos del circuito. 1
f. Grafique en la siguiente hoja cuadriculada, los valores obtenidos en la tabla 2, en los ejes de I B vs VBE (Curva

caracteristica de entrada del transistor NPN 2N2222A)

IB Vs VBE
140

120

100

80
IB(µA)

60

40

20

0
0.62 0.63 0.64 0.65 0.66 0.67 0.68 0.69 0.7 0.71 0.72
VBE(V)

Grafico.1. Obtenido del circuito 1

g. Arme el circuito de la figura.

Figura.4 circuito 2 para la obtención de datos.

Copyright Alexis Tejedor De León, PhD– see: http://www.alexistejedor.org

h. Reemplace los valores de IB y RC requeridos, para completar los cuadros de la tabla 3.

Tabla.3 valores obtenidos del circuito 2y debido a la variación de sus parámetros.

i. Grafique en la siguiente hoja cuadriculada los valores obtenidos en la tabla 3 para las curvas de I B, en los ejes de IC vs
VCE (Curvas características de salida del transistor NPN 2N2222A.

Ic-Vs-Vce
45
40
35
30
25
Ic(mA)

20
15
10
5
0
0 5 10 15 20 25 30
Vce(v)

0 IB 160 IB 200 IB 240 IB

40 IB 80 IB 120 IB
Grafico. 2. Obtención a través del circuito 2

3. Conclusion.

El desarrollo de este laboratorio nos permitió obtener las curvas características que por lo general tienen los transistores bjt
además nos deja comparar el resultado obtenido con los reales de los manuales como se logra observas en el grafico 2 y los
que nos proporciona la guía vimos que estos presentan un patrón más o menos igual, pero debido a diversos factores como
los valores dado en si al circuito. Quizás no nos dio de forma perfecta, pero en si tiene un patrón parecido, que con valores
mas precisos lo mas probable es que obtengamos las curvas, semejantes a la de los manuales, además todo este proceso es
algo que nos sirve solo para experimentación ya que, por lo general, todos estos estudiados de los transistores ya están
dados simplemente sería el encontrar el manual apropiado con las especificaciones que queremos estudiar.
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4. Referencias
Guía proporcionada por la instructora de laboratorio.
https://www.ecured.cu/Transistor_bipolar
https://rambal.com/componentes/484-transistor-2n2222a-npn-to-92.html

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