Matériaux

SemiConducteurs
Introduction
 Définition
Dans le cas des diélectriques et des semiconducteurs, la bande de conduction se situe plus haut que
la bande de valence et a la température de zéro absolu tous les niveaux dans la bande de valence
sont remplis.

Dans les diélectriques, le gap est élevé (5.2
eV pour le diamant). Dans les conditions
normales peu d’électrons sont capables de
franchir ce gap, et presque tous les électrons
restent dans la bande de valence. Dans un
diélectrique il y a peu d’électrons libres.
Les semiconducteurs ressemblent aux
diélectriques, seulement leur gap est
beaucoup plus faible, généralement
inférieur à 1.2 eV ( 1.1 eV pour silicium,
0.7 eV pour germanium). Ainsi, il suffit de
communiquer aux électrons une très
faible énergie pour qu’ils puissent
franchir le gap et devenir libres.
Semiconducteurs intrinsèques
Semiconducteurs intrinsèques
Semiconducteurs intrinsèques
Semi-conducteur intrinsèque
 Semiconducteurs intrinsèques
Semi-conducteur intrinsèque

Génération thermique et recombinaison de paires électrons-trous conduisent à un

équilibre à température ambiante
Semiconducteurs intrinsèques
Concentration des porteurs intrinsèques
Semiconducteurs intrinsèques
Concentration des porteurs intrinsèques
Dopage des semi-conducteurs
Silicium dopé n
 Dopage des semi-conducteurs
Silicium dopé n

ND atomes donneurs libèrent n = Nd électrons libres

Concentrations en électrons et trous libres liées par une loi d’action de masse :
 Dopage des semi-conducteurs
Silicium dopé p

On injecte des atomes possédant 3 électrons de valence (colonne III)

L’atome trivalent crée un trou libre dans le cristal de silicium,

et reste sous forme ionisée dans le cristal
 Dopage des semi-conducteurs
Silicium dopé

Na atomes donneurs libèrent p = Na trous libres

Concentrations en électrons et trous libres liées par une loi d’action de masse :
Jonction p-n
 Le transistor bipolaire

Le transistor bipolaire est l’un des dispositifs à semiconducteur les plus utilisés
à l’heure actuelle dans les rôles d’amplificateur et d’interrupteur.
C’est un élément composé de deux jonctions pn.

Le transistor bipolaire est un

dispositif présentant trois
couches à dopages alternés
npn ou pnp