1

Лекция №1

Физические основы работы полупроводниковых

приборов.
Полупроводниковый диод
 2

Полупроводники
Современные электронные схемы содержат в качестве нелинейных элементов
большое количество функциональных компонентов, основанных на использовании
свойств полупроводниковых материалов.

Полупроводники - это вещества, удельное сопротивление которых зависит от

влияния температуры, электрического поля, изменения освещения, наличия
примесей.

Обычно к полупроводникам относят кристаллические материалы, в которых для

высвобождения электронов необходимая энергия 0,5-2 еВ.
В радиоэлектронике в качестве полупроводников чаще всего используют кремний,
германий, у которых атомы соединены ковалентными связями.
 3

+4 +4 +4 +4 +4 +4
Валентные -
электрон
электроны

+4 +4 +4 +4 +4 +4
Ковалентные +
связи дырка

+4 +4 +4 +4 +4 +4

а) б)
Модель атома кремния: а) - двухмерная; б) - с нарушенной ковалентной связью

Во время нагревания полупроводников их атомы ионизируются, электроны, которые

высвобождаются, не могут быть захвачены соседними атомами, потому что их
 4

валентные связки насыщены. Свободные электроны под воздействием внешнего

электрического поля могут перемещаться в кристалле, таким образом создавая
электрический ток проводимости. Потеря электрона из внешней оболочки одного из
атомов в кристаллической решетке приводит к созданию позитивного иона. Этот ион
может нейтрализоваться, захватив электрон.
В результате перехода электронов от атома к позитивным ионам, осуществляется
процесс хаотического перемещения в кристалле места с отсутствующим электроном -
"дырки". Внешне этот процесс хаотического перемещения принимается как
перемещение позитивного заряда. При помещении кристалла в электрическое поле
возникает упорядоченное перемещение "дырок" - дырочный ток проводимости. В
идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и дырок. На
проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси, которые бывают
донорные и акцепторные.
Донорные примеси - это когда примеси имеют большую валентность.
При внесении донорных примесей создаются избыточные электроны. В
полупроводнике проводимость становится электронной, а полупроводники называются
полупроводниками n -типа.
Например, для кремния с валентностью n - 4 донорной примесью является мышьяк с
валентностью n - 5. Атом примеси легко ионизируется, добавляет электрон к
электронам собственной проводимости.
 5

Акцепторные примеси имеют меньшую валентность. При придании такой

примеси в полупроводнике создается избыточное количество дырок. Проводимость
будет дырочной, а полупроводник – р - типа.
Например, для кремния акцепторной является примесь индия (бора) с
валентностью n - 3. Атом примеси ионизируется, принимает электрон от соседнего
атома основного полупроводника, который приводит к созданию избыточной дырок.
Наибольшее использование нашли полупроводники, одна часть из которых имеет
акцепторную, а другая - донорную примесь.
Переход между двумя областями полупроводника с разными типами
электропроводимости называется электронно-дырочным, или р-n - переходом.
Электронно-дырочный переход имеет свойство несимметричной проводимости
(нелинейное сопротивление). Работа большинства полупроводниковых приборов
основана на использовании свойств р-n - перехода.
 6

Принцип действия p - n -перехода

После создания в полупроводнике р- и n -областей начинается диффузионный ток

основных носителей заряда (дырок из р- области в n- область и электронов в обратном
направлении). Диффузия электронов и дырок оставляет после себя положительно и
отрицательно заряженные ионы примеси, которые жестко закреплены в
кристаллической решетке и перемещаться не могут. В n- области диффузионные дырки
рекомбинируют с электронами, резко уменьшают концентрацию электронов и
дополнительно образуют нескомпенсованные позитивные ионы. Аналогичным
способом в р- области электроны, которые дифузируют, рекомбинируют с дырками,
резко уменьшается концентрация основных носителей заряда и дополнительно
образуются нескомпенсованные отрицательные ионы. Таким образом вблизи предела р-
и n- областей концентрация основных носителей заряда резко уменьшается. Возникает
обедненный носителями слой.
 7

Обедненный слой

p - + n
-
+ - +
-
+ - +
l


k
0

Принцип действия р-n -перехода

 8

Ширина этого слоя для кремниевого перехода равняется l=0,3 мкм. Появление
противоположно заряженных ионов приводит к возникновению электрического поля в
переходе. Это поле направлено таким образом, что тормозит процессы диффузии.
Электрическому полю отвечает контактная разница потенциалов φк, которая
определяет высоту потенциального барьера. При температуре Т=27 0 С для кремния
φк≈0,8 В.
Электрическое поле в переходе вызывает появление дрейфового тока - тока
неосновных носителей зарядов в переходе. Дырки из n- области переносятся
электрическим полем в р- область, а электроны из р- области затягиваются в n- область.
Величина дрейфового тока мала, поскольку малая концентрация неосновных носителей
заряда. В постоянном режиме диффузионный ток равняется дрейфовому.
Высоту потенциального барьера возможно изменять, для этого к р-n - переходу
прикладывается внешнее напряжение. Если внешнее напряжение создает в р-n
-переходе поле, какое совпадает с внутренним, то высота потенциального барьера
увеличивается, при противоположной полярности прилагаемого напряжения высота
потенциального барьера уменьшается. Если прилагаемое напряжение равняется
контактной разнице потенциалов, то потенциальный барьер совсем исчезает.
 9

Схемы подключения источников постоянного напряжения к р- n -переходу

U U

Суженый обедненный слой Расширенный обедненный

слой
p n
p - + n - +
- +
- + - - +
+
- + - +
-
+ - + + -
- +

 
k  U k  U
0

0
 10

Рассмотрим р-n - переход при подключении его к источнику постоянного

напряжения.
Электрическое поле, которое создает источник, накладывается на внутреннее поле
р-n - перехода, созданное ионами примеси. Результирующий ток в переходе
уменьшается. Возникает дополнительная диффузия основных носителей заряда.
Диффузионный ток через переход становится больше чем дрейфовый. Чем большее
напряжение прикладывается, тем больший диффузионный ток через переход.
Напряжение, при котором ток через р-n - переход быстро увеличивается, называется
прямым напряжением. Ток, который при этом возникает, называется прямым током.
При подключении р-n - перехода к источнику постоянного напряжения таким
образом, что минус прикладывается к р- области, дополнительное электрическое поле
складывается с внутренним электрическим полем в р-n - перехода, результирующее
поле увеличивается. Диффузия основных носителей заряда уменьшается, а при
повышении потенциала почти совсем прекращается. Дрейфовый ток через переход
незначительно увеличивается и становиться больше диффузионного. Сопротивление
перехода протекающему току остается увеличенным, поскольку концентрация
неосновных носителей в полупроводнике имела дрейфовый ток намного меньший, чем
прямой ток. Поданное напряжение называется обратным (запирающим), а ток, который
возникает при этом, обратным током.
 11

Теоретическая зависимость тока через переход от поданного напряжения имеет вид:

u
I  I 0 (e  1) ,
T


где I - обратный ток перехода при большом обратном напряжении;



 - тепловой потенциал.
T

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) перехода отображена на рисунке.

Анализируя ВАХ, возможно проследить основное свойство р-n - перехода -
одностороннюю проводимость. При подаче прямого напряжения ток через переход
растет по экспозиционному закону. Обратный ток, который возникает при обратном
напряжении, значительно меньше прямого и слабо зависит от величины обратного
напряжения. Предельное значение напряжения на р-n -перехода при прямом смещении
не превышает контактную разницу потенциалов. Обратное напряжение ограничено
пробоем р-n -переходу. Пробой возникает за счет лавинного размножения неосновных
носителей и называется лавинным пробоем.
 12

Iпр

I0
k U
Iзв

Вольт-амперная характеристика р-n -перехода

Полупроводниковый р-n - переход имеет емкость. Различают барьерную и

диффузионную емкости.
Барьерная емкость обусловлена наличием в обедненном слое противоположно
заряженных ионов примеси. Два слоя положительно и отрицательно заряженных ионов
отвечают двум заряженным пластинам конденсатора. Барьерная емкость играет
основную роль при подаче обратного напряжения. Зависимость барьерной емкости для
малых переменных токов от обратного напряжения определяется выражением
 13

C0
Cб 
uоб ,
1
к
где  к - контактная разница потенциалов; C - значение барьерной емкости при u=0;
uоб - обратное напряжение на переходе.
Зависимость барьерной емкости от напряжения показана на рисунке.
Диффузная емкость характеризуется накоплением неуравновешенного заряда,
который обусловлен диффузией электронов и дыр вглубь полупроводника за пределы
перехода. Поскольку время жизни электронов и дыр ограничено, то по обе зоны
перехода появляются дополнительные объемные заряды. Диффузионная емкость для
малых переменных напряжений линейно увеличивается с увеличением тока:
I
 ,
пр
C  д р
 к

где  - время жизни неосновных носителей.

р
 14

Сб

Сб0

k U

Зависимость барьерной емкости от напряжения

на р-n - переходе

Общая емкость перехода при прямом смещении состоит из барьерной и

диффузионной емкостей.
При обратном смещении перехода диффузионная емкость отсутствующая.
 15

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковым диодом называется прибор, который имеет один (или

несколько) р-n - переходов и два вывода.
Все полупроводниковые диоды можно разделить на две группы: выпрямляющие и
специальные. Выпрямляющие диоды предназначены для выпрямления переменного
тока. Специальные полупроводниковые диоды используют разные свойства р-n
-переходов - явление пробоя, барьерной емкости, наличие участков с отрицательным
сопротивлением и др.
Наиболее распространенное использование получили диоды, которые имеют один р-
n - переход. Условное графическое обозначение диода и его структура показаны на
рисунке. Электрод, подключенный к р- области, называется анодом, а к n области-
катодом.
+ A A
p
n
-
K K
Условное обозначение и структура диода
 16

Диоды имеют одностороннюю проводимость и используются для выпрямления

переменного тока, стабилизации тока и напряжения, формирования импульсов
регуляции мощности и др.
Выпрямляющие диоды используются для превращения переменного тока в
постоянный. Они делящиеся на: диоды малой мощности (до 0.3 А); средней мощности
(до 10 А); мощные (больше 10 А); низкочастотные (до 1 кГц); высокочастотные (до 100
кГц).
Свойства выпрямляющих диодов характеризуются статическими и динамическими
параметрами.
К статическим параметрам относятся:
- среднее значение прямого тока I ;ср

- прямое падение напряжения U ;

пр

- обратный ток при заданной температуре I об ;

- напряжение отсечки U от ;
- мощность рассеивания P и др.
Статические параметры можно установить по вольтамперной характеристике диода.
 17

Iпр

Iср

I

U

Uот Uпр k U
Iоб

Вольтамперная характеристика диода

К динамическим параметрам диода относят его часовые и частотные характеристики.
Высокочастотные диоды предназначены для превращения и обработки
высокочастотных сигналов (до десятков гГц).
Импульсные диоды нашли широкое использование в схемах автоматической
регуляции, автоматики, в вычислительной технике. Они имеют высокое
быстродействие и минимальное время возобновления.
 18

Стабилитроны - полупроводниковые диоды, рабочий участок которых лежит в

области лавинного пробоя и характеризуется малыми изменениями напряжения
при значительных изменениях тока.

Они широко используются в источниках питания для получения стабильного

исходного напряжения. Вольтамперная характеристика стабилитрона приведена на
рисунке.
 19

Iа

U ст

А I min ст Uа

I ст

В I max ст

ВАХ стабилитрона
 20

Варикапы - полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость

барьерной емкости р- n - переходов от обратного напряжения.

На рисунке представлены вольтамперная и емкостная характеристики варикапа.

Емкость варикапа увеличивается с уменьшением напряжения. Варикапы нашли
применение в электрических схемах приемопередатчиков и передатчиков и
используются в качестве конденсаторы с переменной емкостью.

Iа С
С0

Uа 0
Uзв U

Характеристики варикапа: а - ВАХ; б - емкостная

 21

Тоннельный диод - полупроводниковый диод, вольтамперная характеристика

которого при прямом напряжении имеет нисходящее звено. Наличие этого звена
объясняется возникновением тоннельного эффекта.
I

ВАХ тоннельного диода

Излучающие диоды - это диоды, которые излучают из области р-n -перехода кванты
энергии. Они могут излучать энергию как в видимой области спектра, такие и в
инфракрасной.
 22

Излучающие диоды используются в качестве индикаторы, источники излучения в

оптоэлектронных устройствах и др.
Маркировка отечественных полупроводниковых диодов состоит из шести символов.
Первый символ - буква или цифра, что указывают исходный полупроводниковый
материал изготовления: Г (1) - германий, К (2) - кремний, А (3) - арсенид галлия.
Второй символ - буква, которая определяет подкласс диода, : Д - (выпрямляющие,
высокочастотные, импульсные); В - варикапы; С - стабилитроны, стабисторы, Н -
денисторы, В - тиристоры и др.
Третий символ - цифра, которая указывает назначение диода: выпрямляющие,
импульсные, СВЧ и др.
Четвертый и пятый - двусмысленное число, которое указывает порядковый номер
разработки (у стабилитронов номинальное напряжение стабилизации).
Шестой символ - параметр группы прибора.
Например: КД 521 - кремниевый импульсный диод, разработка 21, группа А, общего
назначения.