Вы находитесь на странице: 1из 17

Лекция № 5

Транзисторный усилитель
Динамический режим транзистора

Динамическим режимом транзистора называется такой режим, при


котором в выходной цепи находится сопротивление нагрузки, за счет
которого, изменения входного тока или напряжения будут создавать
изменения выходного напряжения. Различают динамические
характеристики по постоянному и переменному току.



ЕК
ЕБ
Uвх =UБ Uвих=UК

Схема включения транзистора с ОЭ при отсутствии сигнала на входе

Выходное напряжение в этом случае в соответствии со вторым законом


Кирхгофа равняется
U вых   К   вых R , или U K  E К  I K RK .
В динамическом режиме работы транзистора изменение напряжения на
входе приводит к изменению напряжения на выходе.
Анализ работы и расчет каскада графическим методом
С помощью линий нагрузки и выходных динамических характеристик,
возможно установить зависимость выходного тока от напряжения на
выходе каскада для разных значений входного сигнала. Когда на входе
сигнал отсутствующий, в цепи протекает постоянный ток (ток покоя).
Зависимость U K  f ( I K ) , при RK  const , E K  const представляет
собой прямую линию, которую возможно построить по двум точкам.
Приняв U K  0 , что отвечает короткому замыканию на выходе,
EK
определяют значения тока на осе ординат: I K  - первая точка. Приняв
RK
I K  0 , что соответствует холостому ходу, находят на оси абсцисс вторую
точку: U K  E К . Линию, проведенную между определенными точками,
называют линией нагрузки постоянного тока, или прямой нагрузки
постоянного тока.

RК ||Rн
IК1 =ЕК /RK1
RК1
IБ5

IК2 =ЕК /RK2 IБ4


RК2 А
IК0 IБ3

IБ2
1 IБ1
2
U0К1 I0К1 RК1 ЕК UК
Выходные динамические характеристики
Наклон прямых определяется соответствующими углами 1  arctgRK 1 ,
 2  arctgRK 2 . Если значение E К ( RK  const ) другое, то линии нагрузки
смещаются параллельно вправо или влево.
Линии нагрузки строятся на семействе выходных статических
характеристик, точка пересечения линии нагрузки определяет значение
U K  f ( I K ) (для заданных значений RK , E K и тока базы I Б , ток
коллектора I 0 K 1 и напряжение на выходе U 0 K 1 .
При переменном токе, сопротивление нагрузки каскада не равняется
RK , а равняется RK || RН . Линия нагрузки переменного тока пересекает
линию нагрузки постоянного тока в так называемой выходной рабочей
точке, потому что в момент прохождения переменного сигнала через нуль
рабочая точка находится в начальном положении. Наклон линии нагрузки
переменного тока определяется углом   arctg( RK || RН ) . Она проходит
через исходную рабочую точку А, круче соответствующей прямой
нагрузки постоянного тока.
Входная динамическая характеристика - зависимость I вх  f ( U вх ) в
динамическом режиме. Для усилителя на транзисторе, включенном по
схеме ОЭ, это зависимость I Б  f (U Б ) . Графически ее строят путем
перенесения точек пересечения прямой нагрузки со статическими
выходными характеристиками, на семейство входных статических
характеристик. Поскольку входные статические характеристики для
разных значений U K отличаются очень незначительно, то в качестве
динамической входной характеристики используют усредненную входную
статическую характеристику.
Проходная динамическая характеристика - это зависимость I вых  f (U вх ) ,
или I вых  f ( I вх ) , в динамическом режиме. Для каскада на транзисторе,
включенном по схеме ОЭ, это зависимость I K  f (U Б ) или I K  f ( I Б ) .
Пользуясь семейством выходных характеристик, можно осуществить
выбор режима работы усилителя на транзисторе и определить
максимальное значение амплитуды тока и напряжения на его выходе.
С**
IKm 2
А** IБ2 t А*
I0К

UKm
В**IБ1 В*
IБ=0
 2
U0KЭ ЕK UKЭ IБ1 IБ2 IБ3 IБ

Uвыхm Uвых(t)

t t
I0Б IБ
В
1
U0m U0БЭ А
t
С

Uвх UБЭ
Определение рабочей точки на семействе входных и выходных
характеристик

Принцип работы транзисторного каскада усиления. Рабочая точка

При подаче на эмиттерный и коллекторный переходы напряжения


смещения в цепях транзистора проходят постоянные токи: I Б - во
входном цепи и I К - в выходной. На входной и выходной клеммах
устанавливаются соответственно напряжения U Б , которое равняется
напряжению смещения на эмиттерном переходе, и U К , что определяется
ЕДС источника питания E K и сопротивлением резистора RK . Эти значения
токов и напряжения на статических характеристиках определяют
положение рабочей точки.
RК IК
С

ЕК
ЕБ Rн
Uвх Uвых

uc  U0 m sin t

Схема включения транзистора ОЭ при подаче на вход сигнала

Допустимо, что на вход подано напряжение синусоидальной формы.


Тогда она будет добавляться к постоянному напряжению смещения на
эмиттерном переходе, и рабочая точка А будет перемещаться между
точками В и С. В положительные полупериоды напряжение сигнала
прибавляется к положительному напряжению смещения, увеличивает
напряжение смещения базы, токи базы и коллектора увеличивается и
рабочая точка смещается в положение С и С*. В отрицательные
полупериоды напряжение сигнала вычитается из положительного
напряжению смещения, напряжение смещения базы уменьшается, ток
базы и коллекторный ток тоже уменьшаются. Рабочая точка смещается из
положения А и А* соответственно в положение В и В*. На выходной
характеристике соответственно С** и В**. Токи iБ и iK изменяются в фазе
с изменениями мгновенного значения суммарного напряжения U 0Б  uc . В
цепи источник ЕДС – (коллекторный переход) проходит пульсирующий
ток, который состоит из постоянной I 0 K и переменной i K составляющей
такой же формы, как и входной сигнал. Переменная составная тока
создает на резисторе RK падение напряжения, амплитуда которого U RKC
равняется амплитуде выходного сигнала U выхC . При этом напряжение на
резисторе изменяется синфазный, а выходное напряжение находится в
противофазе к напряжению входного сигнала, то есть возникает
дополнительный фазовый сдвиг между входным и выходным
напряжением 180°. При использовании разделительного конденсатора С
выходное напряжение усилителя содержит лишь переменную
составляющую. При больших значениях сопротивления RK амплитуда
исходного сигнала U вых m значительно больше амплитуды напряжения
сигнала U 0m . Таким образом, в транзисторе осуществляется усиление как
напряжения, так и тока сигнала, а соответственно и мощности. Площадь
треугольника, заштрихованная, равняется мощности, которую отдает
каскад
P  0 , 5 I KmU Km .

Задание начального смещения. Стабилизация рабочей точки.

Схема смещения фиксированным током

RК IК
RБ С
IБ IБ0
ЕК

UБ0 U К0

u c
Схема смещения фиксированным током
В данном случае база соединяется с плюсом источником питания Е К
через RБ . В режиме покоя напряжение смещения на базе определяется как
U 0 Б  E К  I 0 Б RБ ,
где I 0Б определяется по входной статической характеристике транзистора,
исходя из нужного положения выходной рабочей точки. Это положение
задается постоянными напряжениями смещение U 0 Б , U 0 K ( E К ) . Из этого
соотношения возможно определить значение сопротивления резистора
RБ  ( E К  U 0 Б ) / I 0 Б . Напряжение U 0Б  E К , потому RБ  E К / I 0 Б .
Значение RБ обычно складывает десятки, сотни кОм. В данном случае
при замене транзистора или изменении температуры значения I 0Б
остается без изменения.

Схема смещения фиксированным напряжением


RD1 RК IК
С
ID1 IБ0
ЕК
ID2 Rн
U Б0 U К0
RD2 IЭ
uc

Напряжение смещения создается резистивным делителем RD1 , RD 2 ,


через которые протекает ток I D1 , I D 2 . Из уравнений E K  RD1 I D1  RD 2 I D 2 и
RD 2 I D 2  U 0 Б возможно определить значение RD1  ( E К  U 0 Б ) / I D1 и
RD 2  U 0 Б / I D 2 .
При расчетах значения RD1 , RD 2 выбираются таким образом, чтобы токи
I D1 , I D 2 были в 3-5 раз больше, чем ток I 0Б . В этом случае изменения тока
базы I 0Б практически не приводят к изменению напряжения смещения.
Характеристики работы транзисторных каскадов существенно зависят
от температурных режимов и характеристик самого транзистора.
Изменение активного элемента и температуры может привести к
изменению коэффициента усиления за током. Поэтому для обеспечения
работы транзистора в режиме А при изменениях температурных условий
используются схемы стабилизации рабочей точки.

Схема эмиттерной стабилизации

ЕК
RD1 RК I0К
С2
С1 ID1 I0Б

RD2 U0Б
RЭ СЭ U0К
I0Э
ID2
0

Стабилизация осуществляется введением последовательной


отрицательной обратной связи по постоянному току. Напряжение
обратной связи снимается из резистора RЭ , который включен в цепь
эмиттера. Напряжение смещения эмиттерного перехода определяется как
U 0 Б  RD 2 I D 2  RЭ I 0 Э .
При изменении температуры изменяется ток спокойствия коллектора и
вследствие этого - ток эмиттера I 0Э . Например, при увеличении токов I и

I 0Э рабочая точка на выходной динамической характеристике должна


подняться вверх, но этого не случится, потому что уменьшится
напряжение смещения U 0 Б , а вместе с ней уменьшатся и токи
транзистора. Выходная рабочая точка остается на месте.
Для исключения влияния отрицательной обратной связи по переменному
току на коэффициент усиления параллельно резистору включают
конденсатор С Э . Если конденсатор отсутствует, то переменная
составляющая создает на резисторе спад напряжения uЭ  RЭ iЭ , которое
уменьшает усиливаемое напряжение, поскольку uБ  uвх  RЭ iЭ . Для того,
чтобы переменная составляющая на всех частотах не проходила сквозь
резистор, емкость конденсатора должна быть большой. При этом емкостное
1
сопротивление  RЭ .
2 fC Э

Схема коллекторной стабилизации


Стабилизация осуществляется введением параллельной обратной связи
по напряжению. Напряжение подается через резистор RБ .

ЕК
I0Б +I0K
I0Б RБ RК
С2
С1
I0К Rн

U0Б U0К
I0Е

При этом напряжение на коллекторе равняется


U 0 К  Е К  RК ( I 0 Б  I 0 К )  U 0 Б  RБ I 0 Б .

Поскольку U 0Б  U БК , то RБ I 0 Б  Е К  RК ( I 0 Б  I 0 К ) .
Таким образом, при увеличении температуры, а значит и тока I 0 К ,
напряжение на резисторе U БК  RБ I 0 Б уменьшается, ток I 0 Б уменьшается,
а это вызывает уменьшение I0 К .
Схема коллекторной стабилизации с исключением ООС по переменной
составляющей

Для исключения отрицательной обратной связи по переменной


составной коллекторного напряжения в цепь базы вводят конденсатор С ф
.
Резистор RБ заменяется двумя резисторами с приблизительно ровными
сопротивлениями, а конденсатор включают между ними и землей.
Переменная составная напряжения не попадает на резистор RБ 1 . При этом
емкостное сопротивление выбирается с учетом условия:
1
 RБ  RБ 1  RБ 2
2 f C .
ЕК

RБ1 RБ2 С2
С1

U0Б Сф U0К
Ед

Оценить