Вы находитесь на странице: 1из 3

«Полевые транзисторы»

1. Классификация полевых
транзисторов

2. Тонкий слой полупроводника


типа n или p , ограниченный с
двух сторон электронно-
дырочными переходами
называется каналом. Величина
тока в канале зависит от
напряжения приложенного
между стоком и истоком ,
нагрузочного сопротивления и
сопротивления
полупроводниковой пластинки между стоком и истоком. При постоянном стоковом
напряжении и нагрузочного сопротивления ток в канале зависит только от эффективной
площади поперечного сечения канала. С уменьшением сечения канала увеличивается
сопротивление между истоком и стоком и снижается величина стокового тока.
Уменьшение напряжения на затворе вызывает уменьшение сопротивление канала и
возрастание стокового тока.

3.Выводы транзистора называются сток , исток и затвор. Затвор является управляющим


электродом , на него подают управляющее напряжение. Исток аналогичен эмиттеру в
биполярных транзисторах. Сток является выводом, с которого снимается выходной ток.

4. К затвору p-n транзисторов нужно прикладывать положительное управляющее


напряжение для открытия ключа, а для транзисторов с изолированным затвором –
отрицательное относительно истока. В отличие от полевого транзистора с p-n переходами,
транзистор с изолированным затвором может работать с нулевым отрицательным или
положительном напряжении на затворе.
5.Основными преимуществами полевого транзистора перед биполярным является более
высокое входное сопротивление и более широкий температурный диапозон.

6.

Данный рисунок отображает конструкцию n-p транзистора и схему его включения.


Тонкий слой полупроводника типа n или p , ограниченный с двух сторон электронно-
дырочными переходами называется каналом. C , И и З – это выводы биполярного
транзистора носящие названия сток , исток и затвор.
На рисунке схематически представлена конструкция полевого транзистора с
изолированным затвором. Основой прибора служит пластинка монокристалического
кремния p-типа . Области стока и истока представляют собой участки кремния , сильно
легированные примесью n-типа. Расстояние между истоком и стоком примерно 1 мкм. На
этом участке расположена узкая слабо легированная полоска кремния n-типа. Затвором
служит металлическая пластинка изолированная от канала слоем диэлектрика. В качестве
диэлектрика может использоваться выращенная пленка двуокиси кремния.

7.Полевой транзистор с индуцированным каналом отличается от полевого транзистора с


собственным каналом тем что канал возникает только при подаче на затвор напряжения
определённой полярности. При отсутствии этого напряжения канала нет. В транзисторе с
собственным каналом если приложить напряжение между стоком и истоком то через
канал потечёт ток представляющий собой поток электронов.