Вы находитесь на странице: 1из 9

Содержание

Полупроводниковый транзистор npn, pnp. Основные сведения.................................2


Режимы включения и работы полупроводникового транзистора..............................3
Полупроводниковый транзистор в ключевом режиме................................................4
Схема Дарлигтона и составной транзистор..................................................................5
Полевые транзисторы, классификация, основные сведения.......................................5
Полевые FET транзисторы n- и p- типа.........................................................................5
Полевые MOSFET транзисторы n- и p- типа................................................................6
Полевой транзистор в ключевом режиме.....................................................................6
Полупроводниковый транзистор npn, pnp. Основные сведения.
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из
полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от
небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что
позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и
преобразования электрических сигналов.
Биполярные транзисторы имеют три контакта:
 Коллектор (collector) — на него подаётся высокое напряжение, которым
будет управлять база
 База (base) — через неё подаётся небольшой ток, чтобы разблокировать
большой; база заземляется, чтобы заблокировать его
 Эмиттер (emitter) — через него проходит ток с коллектора и базы, когда
транзистор «открыт»

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель h fe


также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку
коллектор–эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база–
эмиттер.
Описанный выше транзистор — это так
называемый NPN-транзистор. Называется он так из-
за того, что состоит из трёх слоёв кремния,
соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative.
Где negative — это сплав кремния, обладающий
избытком отрицательных переносчиков заряда (n-
doped), а positive — с избытком положительных (p-
doped). NPN более эффективны и распространены в промышленности. PNP-
транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда
указывает от P к N. PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток
не блокируется, когда база заземлена и блокируется, когда через неё идёт ток.
Режимы включения и работы полупроводникового транзистора.
Режимы работы:
Инверсный активный режим. Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт.
Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому
транзисторы в этом режиме используются очень редко.
Режим насыщения. Оба перехода открыты. Соответственно, основные носители
заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с ее
основными носителями. Из-за возникающей избыточности носителей заряда
сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. Поэтому цепь, содержащую
транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот
радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.
Режим отсечки. Оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей
заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных
носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов.
Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно
возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки,
представляет собой разрыв цепи.
Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое
сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную
цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом
получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным
сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать
практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к
параметрам транзисторов.
Есть 3 режима включения: С общей базой, с общим эмиттером и с общим
коллектором.
Схема с общим эмиттером дает наибольшее усиление по напряжению и току.
Схема с общей базой не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на
высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать частотную
характеристику транзистора.
Схема с общим коллектором коэффициент усиления по току почти такой же, как
и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению
маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но
всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается
равным всего нескольким десяткам единиц. Такое включение используют для
согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет
высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель
или конденсаторный микрофон).
Полупроводниковый транзистор в ключевом режиме.
В современной цифровой электронной аппаратуре полупроводниковые элементы
работают в ключевом режиме, формируя сигналы логического «0» и «1».
Построение выходных усилительных каскадов таких схем требует знаний
специфики работы и расчетов электронных ключей.
Простейшей реализацией электронного ключа являетс транзисторный каскад с
общим эмиттером (ОЭ), представленный на рис. 45. Выходное напряжение U вых при
этом определяется положением рабочей точки, которое, в свою очередь, зависит от
тока базы. Движение рабочей точки при изменении тока базы происходит по
определенной траектории ab (нагрузочной прямой), положение которой
определяется напряжением EК и сопротивлением в цепи коллектора RК.

При работе в качестве электронного ключа биполярный транзистор может


находиться в трех режимах: отсечки (ключ закрыт) – точка а,Uвых≈ EК, IК≈ 0;
насыщение (ключ открыт) – точка b, Uвых=UКЭнас, IК≈ EК/RК; и активном режиме (при
переходе из закрытого состояния в открытое и обратно).
Для электронных ключей активный режим является невыгодным, поскольку в
этом режиме на коллекторе рассеивается значительная мощность, снижающая КПД
схемы и вызывающая нагрев транзистора. Поэтому активный режим допустим
только в течение переходных процессов , длительность которых, по возможности,
необходимо сделать как можно меньше.
При недостаточном токе базы IБ открытый транзистор может находиться в
активном режиме. Для обеспечения насыщения необходимо, чтобы выполнялось
соотношение IБ>IБнас. Ток базы можно определить по формуле
Схема Дарлигтона и составной транзистор.
На+
Составной транзистор — электрическое соединение двух или
более биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-
транзисторов, с целью улучшения их электрических
характеристик. К этим схемам относят так называемую пару
Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения
транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.
Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые
эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления
по току типичного составного транзистора (иногда ошибочно называемого
«супербета»), у мощных транзисторов ≈ 1000 и у маломощных транзисторов ≈
50000. Это означает, что небольшого тока базы достаточно для того, чтобы
составной транзистор открылся.
В отличие от биполярных, полевые транзисторы не используются в составном
включении. Объединять полевые транзисторы нет необходимости, так как они и без
того обладают чрезвычайно малым входным током. Однако существуют схемы
(например, биполярный транзистор с изолированным затвором), где совместно
применяются полевые и биполярные транзисторы. В некотором смысле, такие
схемы также можно считать составными транзисторами. Так же для составного
транзистора достигнуть повышения значения коэффициента усиления можно,
уменьшив толщину базы, но это представляет определенные технологические
трудности.
Схема Дарлингтона
Составной транзистор является каскадным
соединением нескольких транзисторов, включенных
таким образом, что нагрузкой в эмиттере предыдущего
каскада является переход база-эмиттер транзистора
следующего каскада, то есть транзисторы соединяются
коллекторами, а эмиттер входного транзистора
соединяется с базой выходного. Кроме того, в составе
схемы для ускорения закрывания может
использоваться резистивная нагрузка первого
транзистора. Такое соединение в целом рассматривают
как один транзистор, коэффициент усиления по току
которого при работе транзисторов в активном режиме
приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго
транзисторов.
Полевые транзисторы, классификация, основные сведения.
Полевые транзисторы имеют то же назначение, но отличаются внутренним
устройством.
Полевые транзисторы обладают тремя контактами:
 Сток (drain) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется
управлять
 Затвор (gate) — на него подаётся напряжение, чтобы разрешить течение тока;
затвор заземляется, чтобы заблокировать ток.
 Исток (source) — через него проходит ток со стока, когда транзистор
«открыт»
В полевом транзисторе ток протекает от истока к стоку через канал под затвором.
Канал существует в легированном полупроводнике в промежутке между затвором и
нелегированной подложкой, в которой нет носителей заряда, и она не может
проводить ток. Преимущественно под затвором существует область обеднения, в
которой тоже нет носителей заряда благодаря образованию между легированным
полупроводником и металлическим затвором контакта Шоттки. Таким образом
ширина канала ограничена пространством между подложкой и областью обеднения.
Приложенное к затвору напряжение увеличивает или уменьшает ширину области
обеднения и, тем самым, площадь поперечного сечения канала, управляя током
стока и равного ему током истока.

Классификация происходит по следующим критериям:


 По основному полупроводниковому материалу (кремний, германий, галий);
 По структуре (с p-n переходом, с изолированным затвором);
 По мощности (маломощные меньше 0.1 Вт, мощные больше 1 Вт);
 По исполнению (в составе интегральное схеме или дискретные).
Полевые FET транзисторы n- и p- типа.
В качестве основного рабочего элемента полевого транзистора с управляющим
переходом выступает определенной длины полупроводник с электропроводностью
либо p-, либо n-типа. К противоположным концам такого полупроводника
подводится внешнее напряжение, что приводит к появлению в нем потоков зарядов
и, соответственно, к протеканию через полупроводник некоторого тока. Чтобы
сделать возможным управление потоком зарядов в полупроводниковую структуру,
так же, как и в случае с биполярным транзистором, вводится небольшая область с
противоположным основному типом электропроводности. Однако здесь эта область
не разделяет исходную структуру на две части, а лишь создает в ней на пути
протекания потока зарядов некоторое достаточно узкое место (рис. 2-1.1). В
дальнейшем будет показано, что с помощью определенных внешних воздействий на
созданный в полупроводниковой структуре p-n-переход мы можем управлять
основным потоком зарядов через нее. Участок полупроводниковой структуры, в
котором протекает этот поток, называется каналом.

В зависимости от комбинации типов применяемых полупроводников возможны


два варианта структур полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом: с p-
каналом и с n-каналом. Кроме этого, сам управляющий переход может исполняться
не только как обычный p-n-переход между полупроводниками, отличающимися
только типом проводимости, но и как переход типа металл–полупроводник (см.
ниже Полевые транзисторы с управляющим переходом Шоттки) или как
гетеропереход (переход между полупроводниками из различных исходных
материалов).
Полевые MOSFET транзисторы n- и p- типа.
МОП-транзистор (MOSFET, «металл-оксид-полупроводник») – полевой
транзистор с изолированным затвором (канал разделен с затвором тонким
диэлектрическим слоем). Позволяют оперировать гораздо большими мощностями
при тех же размерах. А управление самой «заслонкой» осуществляется
исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных
транзисторов, не идёт.
N-канальный тип насыщения MOSFET
 Слегка легированная субстрат P-типа образует корпус устройства, а исток и
сток сильно легированы примесями N-типа.
 N-канал имеет электроны в качестве основных носителей.
 Подаваемое напряжение затвора положительно для включения устройства.
 Он имеет более низкую собственную емкость и меньшую площадь
соединения из-за высокой подвижности электронов, что позволяет ему
работать на высоких скоростях переключения.
 Он содержит положительно заряженные примеси, что делает
преждевременным включение полевых МОП-транзисторов с N-каналом.
 Сопротивление дренажу низкое по сравнению с P-типом.
P-канальный тип насыщения MOSFET
 Слегка легированная подложка N-типа образует корпус устройства, а исток и
сток сильно легированы примесями P-типа.
 P-канал имеет отверстия в качестве основных носителей.
 Он имеет более высокую внутреннюю емкость и малую подвижность
отверстий, что делает его работающим при низкой скорости переключения
по сравнению с N-типом.
 Подаваемое напряжение затвора является отрицательным для включения
устройства.
 Водостойкость выше по сравнению с N-типом.
Полевой транзистор в ключевом режиме.
Ключевым называют такой режим работы транзистора, при котором он может
быть либо полностью открыт, либо полностью закрыт, а промежуточное состояние,
при котором компонент частично открыт, в идеале отсутствует. Мощность, которая
выделяется в транзисторе, в статическом режиме равна произведению тока,
протекающего через выводы сток-исток, и напряжения, приложенного между этими
выводами.
В идеальном случае, когда транзистор открыт, т.е. в режиме насыщения, его
сопротивление межу выводами сток-исток стремится к нулю. Мощность потерь в
открытом состоянии представляет произведение равного нулю напряжения на
определённую величину тока. Таким образом, рассеиваемая мощность равна нулю.
В идеале, когда транзистор закрыт, т.е. в режиме отсечки, его сопротивление
между выводами сток-исток стремится к бесконечности. Мощность потерь в
закрытом состоянии есть произведение определённой величины напряжения на
равное нулю значение тока. Следовательно, мощность потерь равна нулю.
Выходит, что в ключевом режиме, в идеальном случае, мощность потерь
транзистора равна нулю. На практике, естественно, когда транзистор открыт,
присутствует некоторое небольшое сопротивление сток-исток. Когда транзистор
закрыт, по выводам сток-исток протекает ток небольшой величины. Таким образом,
мощность потерь в транзисторе в статическом режиме мала. Однако в
динамическом режиме, когда транзистор открывается или закрывается, его рабочая
точка форсирует линейную область, в которой ток через транзистор может условно
составлять половину максимального тока стока, а напряжение сток-исток может
достигать половины от максимальной величины. Таким образом, в динамическом
режиме в транзисторе выделяется огромная мощность потерь, которая свела бы на
нет все замечательные качества ключевого режима, но к счастью длительность
нахождения транзистора в динамическом режиме много меньше длительности
пребывания в статическом режиме. В результате этого КПД реального
транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме, может быть очень высок
и составлять до 93% – 98%.
Работающие в ключевом режиме транзисторы широко применяют в силовых
преобразовательных установках, импульсных источниках электропитания, в
выходных каскадах некоторых передатчиков и пр.