Вы находитесь на странице: 1из 408

А К А Д Е М И Я Н А У К СССР

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им. А. Ф. ИОФФЕ


СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ НАУКИ

О КОНДЕНСИРОВАННЫХ

СРЕДАХ

Главные редакторы серии:


В. М. АГРАНОВИЧ (Москва, СССР)
А. А. МАРАДУДИН (Ирвайн, Калифорния, США)

Консультативный совет серии:


Ф. АБЕЛЕС (Париж, Франция)
Н. БЛОМБЕРГЕН (Кембридж, США)
Е. БУРШТЕЙН (Филадельфия, США)
М. Д. ГАЛАНИН (Москва, СССР)
В. Л. ГИНЗБУРГ (Москва, СССР)
И. П. ПЛАТОВА (Ленинград, СССР)
А. А. КАПЛЯНСКИЙ (Ленинград, СССР)
Л. В. КЕЛДЫШ (Москва, СССР)
Р. КУБО (Токио, Япония)
Р. ЛОУДОН (Колчестер, Великобритания)
А. М. ПРОХОРОВ (Москва, СССР)
К. К. РЕБАНЕ (Таллинн, СССР)
И. Л. ФАБЕЛИНСКИЙ (Москва, СССР)
X. ХАКЕН (Штутгарт, ФРГ)
Р. М. ХОХШТРАССЕР (Филадельфия, США)
ОПТИЧЕСКАЯ
ОРИЕНТАЦИЯ

Под редакцией
Б. II. ЗАХАРЧЕНИ (Ленинград, СССР),
Φ. ΜΑЙΕΡΑ (Цюрих, Швейцария)

ЛЕНИНГРАД
«НАУКА»
ЛЕНИНГРАДСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
1989
УДК 587.632

Оптическая ориентация. — Л.: Н а у к а , 1989. — 408 с.

В книге излагаются физические аспекты оптической ори-


ентации электронных и ядерных спинов в полупроводниках.
Рассмотрение теории ориентации сцпнов светом сопровожда-
ется изложением результатов экспериментальных исследо-
ваний данного явления методами поляризованной люмине-
сценции, электронного и ядерного парамагнитных резонан-
сов, динамической поляризации ядер, выстраивания электрон-
ных моментов. Большое внимание уделяется анализу поля-
ризации и энергетического распределения ориентированных
светом фотоэлектронов, эмитированных пз кристаллов,
а также нелинейным эффэктам и другим явлениям, не име-
ющим аналогов при оптической ориентации в газах.
Книга предназначена для специалистов в области физики
полупроводников и твердого тела, а также может служить
методическим пособием для студентов и аспирантов, изучаю-
щих физику полупроводников.

Рецензенты:
Э. И. Р А Ш Б А , А. А. К А П Л Я Н С К И Й

Переводчик
Е. Л. ИВЧЕНКО (главы 6-11)

© North Holland company, 1984

© Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 1989

ISBN 5-02-024533-Х © Перевод на русский язык Е. Л. Ивченко (главы 6—11), 1989


О СКОЛЬКО ИХ НА ПОЛЯХ!
НО КАЖДЫЙ ЦВЕТЕТ ПО-СВОЕМУ -
В ЭТОМ ВЫСШИЙ ПОДВИГ ЦВЕТКА!
Мацуо Басе (1844—1694)

ПРЕДИСЛОВИЕ К СЕРИИ

Издание «Современные проблемы науки о конденсиро-


ванных средах» задумано как серия монографий, посвященных
науке о конденсированных средах, которую публикуют изда-
тельства «Норс Холланд компани» и «Наука». Эта обширная
область физики в настоящее время бурно прогрессирует,
а полученные в ее рамках многочисленные результаты в зна-
чительной мере определяют лицо современной науки. Есте-
ственно, что отразить ее важнейшие успехи и тенденции раз-
вития под силу лишь международному коллективу авторов.
В работе над данной серией принимают участие советские
и западные ученые, и поэтому каждая коллективная моногра-
фия имеет двух редакторов.
Идея серии и представления о ее нынешней структуре
родились в ходе дискуссий, происходивших в СССР и США
во время встреч бывшего президента «Норс-Холланд компани»
доктора В. X. Виммерса с главными редакторами серии. По-
видимому, главным итогом этих дискуссий следует считать
не только создание серии монографий, способной стать своеоб-
разной энциклопедией, но и возникновение довольно интересной
и плодотворной формы сотрудничества ученых разных стран.
Это обстоятельство является также существенным, поскольку,
по нашему глубокому убеждению, международное сотрудни-
чество как в области науки и искусства, так и в других полез-
ных сферах человеческой деятельности содействует созданию
климата доверия и мира.

В. М. Агранович, А. А. Марадудин
ПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ИЗДАНИЮ

Выход в свет русского издания коллективной монографии


«Оптическая ориентация» доставляет нам глубокое удовлетво-
рение. Это сделает единственную пока в мировой литературе
монографию по этой теме доступной широкому кругу совет-
ских читателей.
Поскольку издание монографии на английском языке
вышло еще в 1984 г., ряд статей был специально переработан
для советского издания с тем, чтобы отразить последние до-
стижения в соответствующих направлениях исследований.
Последнее относится лишь к статьям советских авторов. Пере-
вод статей зарубежных авторов выполнен без изменений по
изданию на английском языке. Мы признательны Е. Л. Ив-
ченко, выполнившему эти переводы.

Б. П. Захарченя, Ф. Майер
ПРЕДИСЛОВИЕ К АНГЛИЙСКОМУ ИЗДАНИЮ

Монография представляет собой первый подробный обзор


исследований по оптической ориентации в полупроводниках,
выполненных за последние 15 лет учеными Франции, СССР,
США и Швейцарии.
История возникновения и развития исследований по опти-
ческой ориентации электронных и ядерных спинов в полупро-
водниках в достаточном объеме изложена во вводных главах
книги, поэтому в предисловии мы не будем останавливаться
на этом вопросе.
Монография состоит из двух частей.
В первой части излагаются результаты исследований эф-
фекта оптической ориентации и выстраивания электронов и
экситонов, а также исследования по оптической поляризации
ядер, возникающей вследствие сверхтонкого взаимодействия
ориентированных электронов с ядрами кристаллической ре-
шетки.
Ко второй части относятся исследования по изучению опти-
чески ориентированных фотоэлектронов, эмитированных из
кристаллов.
Комментируя первую часть, следует подчеркнуть следую-
щее обстоятельство: многие эффекты, наблюдаемые при опти-
ческой поляризации в полупроводниках, по своей физической
природе весьма близки к явлениям, обнаруженным при опти-
ческой накачке в газах. Вместе с тем в системе сильно свя-
занных электронных и ядерных спинов, ориентированных
светом, наблюдаются эффекты, не имеющие аналогов в опти-
ческой накачке газов. Особенно ярко они проявляются в очень
слабых внешних полях. Подробнее этот вопрос рассмотрен
в нескольких главах монографии. Однако указанное обстоя-
тельство важно, поэтому мы упоминаем о нем в самом начале
книги.
Хотя в первых опытах Лампеля в 1968 г. оптическая ориен-
тация в кремнии была зарегистрирована обычной техникой
ЯМР, основным методом детектирования спиновой ориентации
при оптической накачке в полупроводниках стало изучение
8 Предисловие к английскому изданию

степени поляризации рекомбинационного излучения. Этот ме-


тод впервые был успешно продемонстрирован Парсонсом.
Метод оптической ориентации вместе с оптическим детек-
тированием поляризованных электронов, экситонов и дырок
позволил измерить с большой точностью ряд параметров
зонной структуры, изучить процессы в системе свободных
носителей и экситонов, протекающие за пикосекундные вре-
мена. Исследования по оптической ориентации привели к со-
зданию чувствительных способов оптического детектирования
магнитных резонансов. Это позволило наблюдать резонансы
в малых объемах вещества, например в очень тонких эпитак-
сиальных пленках полупроводников. Именно этим способом
наблюдались резонансы, детектирование которых классическими
методами затруднено или невозможно (квадрупольные и много-
квантовые резонансы, многоспиновые резонансы).
Метод оптического детектирования применим лишь в тех
случаях, когда время жизни возбужденных светом электронов
меньше времени их спиновой релаксации. По этой причине
этот метод пока не удалось использовать для непрямых полу-
проводников, например для кремния. Для детектирования
оптической поляризации в кремнии применяется обычная
техника ЯМР. Оказалось, что в специально легированном
кремнии сигнал ядерного резонанса оптически поляризован-
ных ядер в сотни раз больше, чем наблюдавшийся в экспери-
ментах 1968 г. Это позволило развить исследования по опти-
ческой поляризации в кремнии и накопить обширную инфор-
мацию о процессах спиновой релаксации ядер с учетом их
спиновой диффузии в полупроводниках с однородным и неодно-
родным распределением примесей и дефектов. К сожалению,
обзор этих работ не вошел в настоящую книгу. Во вводной
главе Переля и Захарчени содержится лишь краткое их ре-
зюме.
Следует упомянуть также об эксперименте Власенко, Флей-
шера и Заварицкого, которым удалось с помощью квантового
интерферометра SQUID зарегистрировать сигнал ядерной по-
ляризации оптически ориентированных ядер в кремнии. По-
скольку этот эксперимент был выполнен недавно, он также
не вошел в книгу.
Во второй части книги рассматривается применение метода
оптической ориентации спинов в экспериментах по фотоэмиссии
электронов. Сохранение преимущественной ориентации спи-
нов электронов при выходе их из кристалла и возможность
ее экспериментального измерения были показаны еще в 1968 г.
Зигманом с сотрудниками. Однако несмотря на интенсивное
Предисловше к английскому изданию

в то время развитие исследований по спектроскопии эмитиро-


ванных электронов подобные эксперименты несколько лет
ставились только отдельными исследовательскими группами.
Первые эксперименты по фотоэмиссии поляризованных элек-
тронов относились исключительно к магнитным материалам,
в которых поляризация спинов электронов имеет место уже
в основном состоянии системы. Среди заметных успехов, полу-
ченных с помощью нового метода, можно отметить, например,
обнаружение отрицательной поляризации спинов у электронов
вблизи поверхности Ферми в никеле. Значительное расшире-
ние работ по исследованию фотоэмиссии поляризованных
электронов начинается с 1974 г., когда была показана возмож-
ность эмиссии высокополяризованных электронов также из
материалов, не обладающих упорядочением электронных спи-
нов в невозбужденном состоянии. В таких материалах поля-
ризация спинов достигается в результате оптического возбуж-
дения, т. е. с помощью метода оптической ориентации спинов.
Оптически ориентированные фотоэлектроны были впервые
получены в экспериментах с кристаллами GaAs, правда, уже
после того как эффективность метода оптической ориентации
в твердом теле была показана другими методами. Эти экспе-
рименты имели весьма заметное влияние на развитие всей
спектроскопии эмитированных электронов, так как обогатили
исследователей новым, очень эффективным источником поляри-
зованных электронов. Применение пучков поляризованных
электронов в атомной физике, физике твердого тела и физике
высоких энергий рассматривается в главе Пирса и Челотты.
Хотя полезность GaAs-источника поляризованных электронов
была продемонстрирована на целом ряде примеров, все же
существует важная проблема замены его устройством, которое
давало бы не 50-процентно, а полностью поляризованный пучок
электронов (с одинаковой ориентацией спинов всех электронов)
без ухудшения других его важных свойств — высокой интен-
сивности и возможности смены знака поляризации.
Вскоре после того, как фотоэлектроны были оптически
ориентированы в GaAs, стало ясно, что этот метод обладает
огромным потенциалом и как средство проведения чисто спек-
троскопических исследований. Как будет показано в главах
Волеке и Борштеля, а также Майера и Песиа, поляризация
фотоэлектронов, возбуждаемых в конкретных переходах, опре-
деляется просто симметрией электронных состояний, участвую-
щих в переходе. При наблюдении переходов из начальных
состояний с близкими энергиями (например, d-зон в переходных
металлах) знак поляризации уже сам по себе может быть
Предисловие к английскому изданию

очень полезен для определения симметрии состояний. Увели-


чение разрешения по сравнению с обычными методиками может
быть достигнуто и в часто встречающемся случае, когда два
соседних перехода обладают поляризациями противополож-
ных знаков. Чувствительность поляризационных спектров
к расположению атомов на поверхности не была использована
пока вовсе, например, для наблюдения структурных фазовых
переходов или геометрии адсорбции. Возможно, наиболее
важное применение оптической ориентации спинов состоит
в экспериментальном определении гибридизации энергети-
ческих зон. Это важное свойство электронных состояний,
которое обычно не удается установить из измерений просто
энергетического или углового распределений фотоэмитиро-
ванных электронов.
Представляется, что в настоящее время механизм опти-
ческой ориентации спинов уже достаточно хорошо понят.
Задачей дальнейших работ является максимальное исполь-
зование богатых возможностей этого все еще нового метода.

Ф. Майер, Б. П. Захарченя
Глава 1 ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ
ПРИ ОПТИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ

В. И. Перелъ, Б, Л. Захарченя

Общие принципы оптической ориентации были установлены в ходе блестя-


щих исследований Кастлера [1] и его школы. Обзор этих исследований содер-
жится в нобелевской лекции Кастлера.
В 20-х годах в пионерских работах Вуда и Ханле было обнаружено влияние
слабого магнитного поля на поляризацию резонансной флуоресценции паров
ртути и натрия. Значение этих работ не было вполне осознано до 1949 г. В этом
году появилась работа Бросселя и Кастлера [2], положившая начало система-
тическому изучению круга явлений, сформировавших ветвь физики, которую мы
называем сейчас оптической накачкой [3, 4].
Можно сказать, что все процессы в физических системах в принципе имеют
главный источник — неодинаковость заселенности различных состояний. Есте-
ственной причиной этого неравенства в термодинамическом равновесии явля-
ется распределение Больцмана, согласно которому заселенность состояний
тем меньше, чем больше их энергия. Однако заселенность состояний, имеющих
одинаковую энергию, — вырожденных состояний — одинакова в равновесии,
так что внешние воздействия не могут индуцировать переходы между ними.
Причиной вырождения является, как правило, симметрия, и для того чтобы
все-таки наблюдать эти переходы, необходимо снять вырождение с помощью
внешнего поля, изменяющего симметрию системы. На этом основаны классиче-
ские методы регистрации электронного и ядерного парамагнитных резонансов
которые требуют достаточно сильных магнитных полей и низких температур
чтобы повысить разность заселенностей подуровней до значений, определяемых
чувствительностью аппаратуры.
Расновесное распределение можно изменить, воздействуя на систему светом
узкого спектрального состава, который индуцирует переходы между уровнями
уменьшая заселенность нижнего уровня и увеличивая верхнего. При этом име
ются в виду уровни, энергетическое расстояние между которыми велико и и
населенности в равновесии сильно различаются. Оптическое возбуждение остав
ляет заселенность вырожденных состояний одинаковой, если исходить только
из энергетических соображений.
Главным результатом исследований Кастлера и его сотрудников было ясно
Основные физические явления при оптической ориентации 13

Выше мы упоминали о влиянии магнитного поля на поляризацию резонанс-


ной люминесценции. Исследование зависимости поляризации люминесценции
от магнитного поля (эффект Ханле) стало традиционным приемом, часто исполь-
зуемым в экспериментах по оптической накачке. Можно дать различные интер-
претации этого явления. Наиболее проста и наглядна классическая интер-
претация.
Циркулярная поляризация люминесценции обусловлена передачей углового
момента от электронов свету, поэтому степень такой поляризации пропорцио-
нальна проекции среднего спина электрона на направление наблюдения. Тогда
если возбуждение коллинеарно наблюдению, а магнитное поле перпендикулярно
этому направлению, то в стационарных условиях происходит следующее:
свет ориентирует возбужденные электроны вдоль луча, а магнитное поле раз-
ворачивает спины, так что в любой момент времени спиновое распределение
электронов в плоскости z—у имеет вид, изображенный на рис. 1.2. С увеличением
магнитного поля средняя проекция спина на ось z уменьшается, а следовательно,
падает и степень циркулярной поляризации люминесценции. Поляризация
практически исчезает, если произведение угловой скорости прецессии спина
в магнитном поле на время жизни спина становится большим. Ясно, что такие
измерения дают время жизни спина. С точки зрения квантовой теории цирку-
лярная поляризация есть результат когерентности состояний со спином, ориен-
тированным по и против поля. Когда соответствующие уровни раздвигаются на
величину, превышающую их ширину, когерентность исчезает, а с ней и цирку-
лярная поляризация люминесценции. Важно, что здесь существенно только од-
нородное уширение уровней, связанное со временем жизни спина соотношением
неопределенности. Различные же механизмы неоднородного уширения (эффект
Доплера в газах, случайные поля в кристаллах) не играют роли. Это позволяет
измерить параметры однородного уширения, связанные со временем жизни и
временем спиновой релаксации, в условиях, когда в спектре оно полностью
замаскировано неоднородным уширением.
Главные закономерности явления оптической ориентации (в более общем
смысле — оптической накачки) имеют вполне универсальный характер. Однако
долгое время эксперименты по оптической накачке осуществлялись лишь для
изолированных атомов газов.
В физике твердого тела методы оптической ориентации первоначально ис-
пользовались в случаях, аналогичных переходам между уровнями атомов в га-
зах: исследовались переходы между уровнями примесных центров в кристал-
лах [5 — 7]. Специфическое направление исследований связано с ориентацией
триплетных экситонов в молекулярных кристаллах. В этих исследованиях [8]
регистрация осуществлялась по ядерной поляризации, возникающей за счет
динамической поляризации протонов антрацена ориентированными экситонами.
Лампель в 1968 г. [9] осуществил эксперимент по оптической ориентации
электронов в полупроводниках. Объектом исследований служил кремний. Из-за
наблагоприятного соотношения времен жизни и времени спиновой релаксации
степень ориентации электронов была мала, но достаточна, чтобы поляризовать
ядра решетки кристалла. Поляризация ядерных спинов детектировалась обыч-
ной техникой ЯМР.
В последующие годы для электронов в полупроводниках был применен весь
арсенал классических методов оптической накачки: регистрация ориентации
электронов по циркулярной поляризации фотолюминесценции и деполяризации
излучения в магнитном поле — эффект Ханле [10—12]; оптическая регистра-
ция ядерного [13, 14] и электронного [15] парамагнитных резонансов; ориента-
ция основных носителей заряда — аналог оптической ориентации в основном
состоянии [16, 17].
Основные физические явления при оптической ориентации 15

и ядерных спинов. Сюда относятся гистерезис, бистабильность и незатухаю-


щие релаксационные колебания поляризации люминесценции (см. главу 5).
Наблюдались многоспиновые ядерные магнитные резонансы [25]. Была об-
наружена сильная анизотропия оптической ориентации в магнитном поле в твер-
дых растворах Ga x Al 1 - x As и др. Как было показано, эта анизотропия связана
с квадрупольным расщеплением ядерных спиновых уровней, которое обуслов-
лено локальным нарушением кубической симметрии при замещении части ато-
мов галия на алюминий. Оптически были зарегистрированы запрещенные
ЯМР-переходы, связанные с квадрупольным взаимодействием [26], и квадру-
польный резонанс ядер [27].
ЯМР на оптически ориентированных ядрах
в к р е м н и и . Было показано, что исследование оптической ориентации
в кремнии методами ЯМР и ЭПР позволяет разделить эффекты, возникающие
из-за мелких и глубоких примесных электронных состояний [28, 29]. Это свя-
зано с тем, что поляризация ядер электронами, находящимися на мелких уров-
нях, обусловлена в основном фермиевским контактным взаимодействием. Поля-
ризация ядер электронами глубоких уровней обусловлена диполь-дипольным
взаимодействием и имеет противоположный знак. Это открывает большие возмо-
жности исследования примесей и дефектов, в том числе радиационных дефек-
тов и дефектов, возникающих при пластической деформации.
Необычное поведение оптической поляризации ядер было обнаружено в крем-
нии, содержащим дефекты такого рода. Степень поляризации ядер в этом мате-
риале не зависит от поляризации света накачки и при этом она на 2—3 порядка
выше, чем в образцах кремния, не подвергнутых радиационному облучению,
пластической деформации или термообработке. Как было показано в [30],
это связано с неодинаковой заселенностью (выстраиванием) различных подуров-
ней триплетных возбужденных состояний дефектов и возникновением электрон-
ной ориентации в магнитном поле, направленном под углом к оси дефекта.
П о л я р и з а ц и я г о р я ч е й ф о т о л ю м и н е с ц е н ц и и . Было
показано, что исследование поляризации горячей люминесценции в магнитном
поле (см. главу 4) позволяет измерить времена излучения оптических фононов
и междолинных переходов. Эти времена составляют 10-12—10-13 с. Было пока-
зано также, что в горячей люминесценции проявляется выстраивание фотовоз-
бужденных электронов по импульсам и корреляция между импульсами и спи-
нами [31, 32]. Выстраивание фотовозбужденных электронов приводит к поля-
ризационно-зависимому поверхностному фотогальваническому эффекту [33].
Д и ф ф у з и я и д р е й ф «меченых» по спину электро-
н о в в г е т е р о с т р у к т у р а х . Гарбузов и др. [34] исследовали опти-
ческую ориентацию в двойной гетероструктуре GaxAl1-xAs. При этом наблюда-
лось две полосы люминесценции — коротковолновая, обусловленная излу-
чателыюй рекомбинацией во внешней широкозонной области, и длинноволновая
из внутренней узкозонной. Отношение поляризаций этих полос зависит от того,
каким образом попадают электроны в узкозонную область: путем диффузии
ориентированных электронов или в результате переизлучения фотонов. В этих
опытах была исследована относительная роль этих двух процессов в зависимо-
сти от толщины широкозонного слоя.
При исследовании эффекта Ханле в варизонной структуре (т. е. в материале,
в котором ширина запрещенной зоны плавно меняется от поверхности в глубь
образца) наблюдались осцилляции поляризации в зависимости от энергии
фотонов или в зависимости от магнитного поля [35, 36]. Для такой структуры
имеется однозначное соответствие между энергией фотона люминесценции и
глубиной, на которой он испущен. Электроны, возбужденные светом на поверх-
ности, дрейфуют в глубь кристалла, и их спин прецессирует в магнитном поле.
16 Глава 1

Осцилляции в спектре поляризации люминесценции обусловлены тем, что угол


прецессии периодически зависит от времени, а значит, и от глубины, которой
достиг электрон.
Литература
ТЕОРИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ
Глава 2 СПИНОВ ЭЛЕКТРОНОВ
И ЯДЕР В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

М. И. Дьяконов, В. И. Перелъ

1. Введение

При межзонном поглощении фотона в полупроводнике рождаются элек-


трон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне, причем суммарный спин
электрона и дырки должен быть равен угловому моменту поглощенного фотона.
Фотоны света, поляризованного по правому или левому кругу, имеют проекцию
углового момента на направление волнового вектора, равную +1 или —1 со-
ответственно. Этот угловой момент распределяется между фотовозбужденаыми
электроном и дыркой в соответствии с правилами отбора, которые определяются
зонной структурой полупроводника. Фотовозбужденные носители живут неко-
торое время τ до рекомбинации. В течение этого времени благодаря различным
процессам релаксации спиновая ориентация носителей уменьшается. Если
ориентация не полностью исчезла к моменту рекомбинации, то рекомбинацион-
ное излучение окажется частично поляризованным по кругу.
Таким образом, процесс оптической ориентации включает две стадии: созда-
ние ориентированных по спину носителей при поглощении циркулярно поля-
ризованного света и спиновая релаксация, происходящая в течение времени
жизни носителей.
Степень циркулярной поляризации рекомбинационного излучения служит
удобным и чувствительным индикатором спинового состояния носителей и его
изменений под влиянием внешних воздействий и релаксационных процессов,
определяющих кинетику неравновесных носителей в полупроводнике.
Наряду с оптическим возможны и другие методы регистрации спиновой
ориентации носителей. Так, в эксперименте Лампеля [1], впервые продемон-
стрировавшего возможность оптической ориентации свободных электронов
в полупроводнике, методом регистрации служил ядерный магнитный резонанс.
Ядра 29Si в кристалле кремния поляризовались благодаря сверхтонкому вза-
имодействию с оптически ориентированными электронами. Оптический метод
регистрации впервые применил Парсонс [2], исследовавший оптическую спино-.
вую ориентацию в GaSb (см. также [3]).
Типичная схема эксперимента по оптической ориентации представлена на
рис. 2.1.
Степень спиновой ориентации фотовозбужденных носителей определяется
особенностями зонной структуры, типом оптических переходов, процессами
релаксации и влиянием различных внешних воздействий. Именно поэтому
оптическая ориентация служит эффективным методом исследования физических
процессов в полупроводниках. Особенно подробно исследована оптическая
ориентация в арсениде галлия и твердых растворах на его основе. Первые экспе-
рименты по оптической ориентации в этих материалах были выполнены Екимо-
вым и Сафаровым [4] и Захарченей, Флейшером и др. [5]. Оптическая ориента-
ция проявляется во всех типах краевой люминесценции, в частности в рекомби-
национном излучении оптически ориентированных экситонов, обнаруженном
впервые Гроссом и др. [6] в гексагональных кристаллах CdSe. Измерения по-
2 Заказ № 392
СПИНОВАЯ РЕЛАКСАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ
Глава 3 ПРИ ОПТИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ
В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Г. Έ. Пикус, А. Н. Титков

1. Введение

Метод оптической ориентации дает возможность измерять весьма малые


значения времен спиновой релаксации — до 10-12 с, недоступные при исследо-
вании обычными радиоспектроскопическими методами. С другой стороны, в ус-
ловиях оптической накачки проявляются новые механизмы спиновой релакса-
ции, не сказывающиеся в обычных условиях исследования ЭПР. К их числу
относится механизм, предложенный Дьяконовым и Перелем [1, 2] (механизм
ДП), обусловленный спиновым расщеплением зоны проводимости в кристаллах
без центра инверсии. Особенностью экспериментов по оптической ориентации
является то, что в них, как правило, изучается ориентация неосновных носи-
телей — обычно электронов, при этом для обеспечения достаточно интенсивной
люминесценции используются материалы с большой концентрацией основных
носителей — дырок. В этих условиях становится существенным механизм ре-
лаксации, связанный с обменным взаимодействием электронов и дырок. Этот
механизм был предложен Биром, Ароновым и Пикусом [3] (механизм БАП).
Наряду с этим в условиях оптической ориентации в некоторых случаях может
играть роль и механизм Эллиота—Яфета (механизм ЭЯ) [4, 5], обычно про-
являющийся при исследовании ЭПР на свободных носителях. В основе этого
механизма лежит возможность переворота спина при рассеянии носителей на
примесях или колебаниях решетки в результате смешивания состояний с разной
ориентацией спина вследствие спин-орбитального взаимодействия. В опреде-
ленных условиях в полупроводниках может иметь место заметное поглощение
рекомбинационного излучения с образованием новой пары. Этот процесс пере-
излучения также приводит к уменьшению поляризации вторичного излучения
и поэтому может рассматриваться как механизм спиновой релаксации.
В разделе 2 настоящего обзора мы изложим теорию указанных механизмов
спиновой релаксации и, в частности, рассмотрим влияние на нее одноосных
деформаций и магнитного поля. Для того чтобы рассмотреть эти механизмы еди-
ным образом, мы ограничились одним классом кристаллов — прямозонными
кубическими полупроводниками со структурой цинковой обманки, имея в виду,
что основные эксперименты по оптической ориентации свободных носителей
выполнены на кристаллах А3В5, относящихся к этому классу. В разделе 3
мы проанализируем имеющиеся экспериментальные данные по зависимости
времен спиновой релаксации в разных материалах от температуры и концентра-
ции примесей, а также данные о влиянии внешних деформаций и магнитного
поля. Из сопоставления этих данных с теорией мы установим области преобла-
дания того или иного механизма спиновой релаксации.
В настоящем обзоре мы не будем рассматривать специфические механизмы
деполяризации, проявляющиеся при оптической ориентации и выстраивании
свободных и связанных экситонов. Эти вопросы подробно рассмотрены в обзоре
Пикуса и Ивченко [6]. Мы также не рассматриваем механизмы спиновой релак-
сации электронов, связанных на примесях.
;ул;
Г Λ IT
эва
ию