Федеральное агентство связи

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное

бюджетное образовательное учреждение высшего образования
Московский технический университет связи и информатики
Кафедра физики

Учебно-методическое пособие по физике

ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ
(Элементы классической электродинамики)

Для студентов 1-2 курсов заочной формы обучения

Направления подготовки: 09.03.02, 11.03.02, 15.03.04, 27.03.04

МОСКВА 2019

План УМД на 2019/20 уч.г.

 2

Учебно-методическое пособие по физике

ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ
(Элементы классической электродинамики)

Составители: А.П. Жилинский, профессор

В.А. Оборотов, доцент
М.И. Тимошина, доцент
В.Ф. Дегтярев, доцент

Издание утверждено на заседании кафедры. Протокол № 2 от 18.10.2018г.

Рецензент С.В. Латышев, доцент

1. Общие представления теории

1.1. Что такое электромагнетизм?

 3

Электромагнетизмом будем называть раздел физики, описывающий

классическими методами электромагнитное взаимодействие между
элементами вещества, источники возникновения и распределения
электрического и магнитного поля в пространстве, условия существования
свободного (независимо от вещества) электромагнитного поля,
взаимодействие таких полей с веществом. Однако, оставаясь в целом в
рамках классического электромагнетизма, мы иногда, для более полного
описания рассмотренных явлений, будем использовать некоторые новые
квантовые представления из других разделов курса.
Общий подход к решению перечисленных задач дают уравнения
Максвелла (1860 г). Так как в целом они – результат обобщения
экспериментальных фактов, то в продвинутых курсах классической
электродинамики их часто считают первоосновой, рассматривая конкретные
проблемы как частный случай решения этих уравнений. Однако уравнения
Максвелла сравнительно сложны, и реализация такой методики требует
определенных базовых знаний. Поэтому теория электромагнетизма в
настоящем изложении строится более традиционно: от описания внешне
простых явлений к более сложным с постепенным накоплением базовых
понятий и знаний. Конечным результатом такого (в общем исторического)
пути будут уравнения Максвелла.
1.2. Электрический заряд
Представление о существовании электрических зарядов является
основополагающим в теории электромагнетизма.
Их вводят как количественную меру электромагнитного
взаимодействия между элементами вещества. На уровне микрочастиц это
одна из фундаментальных характеристик материального мира.
Основные общие свойства электрических зарядов q
1. Заряды бывают двух типов – одним приписывают положительные
значения (q>0) другим отрицательные ( q <0). При взаимодействии элементов
вещества с зарядами одного знака они отталкиваются, разного -
притягиваются.
2. Накопление электрических зарядов в веществе всегда происходит
дискретными порциями, кратными значению e e =1,6∙10-19 Кл.1) Носителем
элементарного отрицательного заряда  ee  e  является электрон,
положительного – протон e p  e 
.
1)
Кулон – единица измерения электрических зарядов в системе единиц МКС. Полагаем,
что это известно читателю.
 4

3. В любой замкнутой системе действует закон сохранения электрических

зарядов: алгебраическая сумма зарядов в системе – постоянная величина.
Таким образом, заряды могут возникать и исчезать только парами   .
e
4. Электрические заряды являются инвариантами преобразований
Лоренца - в любой системе отсчета значение заряда остается неизменным.
Таким образом, электрический заряд является скалярной аддитивной,
релятивистки инвариантной величиной.
1.3. Основные положения теории
1.3.1. Закон Кулона и напряженность электрического поля
Для дальнейшего удобно ввести понятие – пробный электрический
заряд  n  . Это заряд, состоянием которого интересуется наблюдатель в
q
рассматриваемых условиях (и наличие которого не изменяет этих условий).
Если можно пренебречь размерами области локализации двух зарядов q1
и q , то сила взаимодействия между этими покоящимися зарядами
описывается известным экспериментально установленным законом
Кулона:
 1 q1q 
F1q = e1q
4 0 r 21q
, (1.1)

F1q
где введены обозначения: - сила, действующая от q1 на пробный заряд q.

r1q
- радиус вектор, проведенный из источника силы в точку наблюдения (где
расположен q ).
Коэффициент пропорциональности  0 называют электрической постоянной
 
11 Кл   Ф 
2
  0,88  10  r1q
 0  e1q  
 Нм 2   м  r - единичный вектор в направлении r1q .
,
Формула иллюстрируется рис. 1.1, на котором заряды одного знака.
Современные опыты показывают, что для электронов кулоновское
18
взаимодействие должно сохранять свой вид вплоть до расстояний 10 м. До
таких масштабов элементарные заряды следует, по-видимому, считать
точечными объектами.

Рисунок 1.1
Если q1 рассматривать как некоторый силовой центр – источник силы,
действующей на пробные заряды, то (1.1) можно переписать в виде
 5

   
F =qE1 или просто F = qE , (1.2)
  1 q1 
E1  r  = er ,
4 0 r 2 (1.3)
где r – расстояние от силового центра, до точки наблюдения силы,
действующей на пробный заряд. Величину ⃗E E называют напряженностью
электрического поля. Её значение, как следует из (1.2) , можно определить
как отношение электрической силы, действующей на заряд,
помещенный в интересуемую точку пространства, к значению этого

заряда. Из (1.2) следует, что E  F ⃗E , если q>0. Это направление

считают
положительным для векторов E E . Из (1.3) видно, что поле E E является
⃗
только характеристикой силового центра и не зависит ни от значения, ни от
места,

где находятся пробные заряды. Поэтому, определив распределение

E r E (или задав его формулой), силовое воздействие в любом месте
⃗
пространства на конкретные заряды можно

определять с помощью (1.2), не
интересуясь в опытах происхождением E . 
Совокупность всех значений вектора E ⃗E в пространстве называют
полем этого вектора.1)
В
E
⃗  
Напомним, что E в системе единиц измерения МКС подсчитывается в  м 
Н 
 Кл 
или .
1.3.2. Сила Лоренца
Если заряды движутся, то, как показывает

опыт, описать их
взаимодействие только с помощью вектора E не удается. У движущихся
зарядов возникает дополнительное,

магнитное взаимодействие: один заряд

(по аналогии с E ¿ E ) создает вокруг себя дополнительное (кроме ⃗E E )
⃗
магнитное поле, другой – испытывает воздействие этого поля. 
Для описания этого поля вводится вектор магнитной индукции B ⃗B.
Если этот вектор известен, то   
FB = q   B 
, 
(1.4)

где  – скорость заряда q (в лабораторной системе отсчета); B – вектор
магнитной индукции (единица измерения в МКС – Тесла). В скобках стоит
   
векторное произведение  ⃗ V и B , так что FB  ⃗
F B ⊥ и B .
По аналогии с (1.1) - (1.3) формулу (1.4) можно использовать в качестве
определения вектора магнитной индукции.
 6

1)
Концепция поля была впервые сформулирована М. Фарадеем (1845-1852). Идея
“силового” поля, по мнению А. Эйнштейна, была самым важным открытием со времен
И. Ньютона.

Объединив (1.2) и (1.4), получаем общее выражение для

электромагнитной силы, действующей на электрический заряд q:
   
F =qE  q  B . (1.5)

E
Её называют силой Лоренца. Таким образом, феноменологически ⃗ F и

B
следует рассматривать как векторные коэффициенты пропорциональности
между силой, действующей на движущийся электрический заряд, и
алгебраическим значением этого заряда.
1.3.3. Принцип суперпозиции полей
Опыты и наблюдения показывают, что во всех окружающих нас
явлениях электрические и магнитные силы векторно складываются, т.е. для 
них действует принцип суперпозиции. Из (1.5) тогда сразу следует, что E ⃗F
и B ⃗ В также подчиняются принципу суперпозиции. Если имеется
 
несколько источников полей, то поля ⃗E E и B , входящие в (1.5), равны:
 n   m 
E =  Ei B =  Bk
i 1 , k=1 , (1.6)
 
где i , Bk - поля, создаваемые в точке наблюдений i и k -ми источниками.
E
Таким образом,
 
остается разобраться, как возникают в пространстве поля
векторов E и B B .
⃗

1.3.4. Принцип близкодействия

Человеку трудно представить, что силы могут действовать между
объектами в отсутствие прямого контакта, т.е. на больших расстояниях. Все
наши ощущения основаны на контактном взаимодействии с окружающим
миром. Между тем на наших глазах имеют место явно противоположные
примеры – гравитационные притяжения объектов к Земле, планет к Солнцу;
в лабораторных условиях - искривление траектории движения электронов
при их пролете (в вакууме!) между пластинами заряженного плоского
конденсатора и т.п. Как согласовать эту пару, казалось бы, взаимно
исключающих наблюдений?
Ответ на этот вопрос по современным представлениям состоит в том,
что любые взаимодействия в конечном счете являются фундаментальными.
Все фундаментальные взаимодействия реализуются посредством тех или
иных полей, распределенных
 
в пространстве. По классическим
преставлениям это E и B для электромагнитных взаимодействий. Концепция
близкодействия состоит в том, что элементы вещества (заряды, например)
взаимодействуют непосредственно с полями в той области пространства, где
 7

они находятся. Если фундаментальные силы проявляются лишь на малых (по

макроскопическим меркам) расстояниях, то в опытах взаимодействие тел
воспринимается как результат их непосредственного контакта.
Теория близкодействия между зарядами лежит вне рамок классической
электродинамики. Предполагается, что электрические заряды постоянно
“излучают” и поглощают квазичастицы электромагнитного поля – фотоны.
Для нас они не наблюдаемы – виртуальны!1)
При взаимодействии зарядов они определенным образом локально, там,
где они находятся, поглощают виртуальные фотоны “партнера”, отдавая
ему “свои” фотоны. Таким образом, локальное взаимодействие имеет
место с квазичастицами поля (шубой виртуальных фотонов), окружающих
каждый заряд. Макроскопическое проявление этого процесса
воспринимается макрообъектами (и “описывается”) как напряженность
(магнитная индукция 
и т.п.) соответствующего силового поля в
пространстве. Поля E и B выступают как макроскопическое проявление
определенного вида материи, являющейся переносчиком электромагнитных
взаимодействий.

2. Электростатическое поле в вакууме

Цель последующих трех глав - рассмотрение методов описания
электрических полей, воздействия их на электрические заряды;
формирование поля в веществе и его влияние на состояние вещества в
условиях, когда в любой из рассматриваемых систем установилось
определенное равновесие. Соответственно, электрические поля,
действующие в системах, можно считать не зависящими от времени
   
( E (r )  E (t )) .
Такое поле называют электростатическим, а раздел
электродинамики, описывающий эти поля в разных условиях –
электростатикой. Основной моделью таких полей является поле,
создаваемое неподвижными зарядами.
Конечно, элементарные электрические заряды всегда движутся.
Электростатика дает способы описания макроскопически усредненных
электрических полей.
2.1. Основная задача электростатики
Наиболее естественно изучать поведение любого пробного заряда q с
помощью известной в пространстве электрической силы, определяемой
соотношением (1.2). Первопричиной возникновения электрических полей
являются элементарные заряды. Поэтому основной задачей электростатики
считают определение во всех элементах пространства напряженности

E r
электрического поля по известному распределению зарядов,
источников этого поля.
 8

1)
Реальные фотоны - это электромагнитное поле, существующее независимо от
электрических зарядов. Например, “реликтовые”: излучение, заполняющее Вселенную,
радиоволны и т.п.
Пусть в вакууме имеется система из электрических зарядов (рис. 2.1). Тогда,
в соответствии с принципом суперпозиции полей (1.6), используя формулу
для пространственного распределения напряженности электрического поля
одного заряда (1.1), найдем

  1 n
qi  1 n
qi 
EM  rM  =  e =  eiM
4 0 i 1 riM 4 0  
2 iM   2
i 1 rM  r0 i
. (2.1)

Любые макроскопические тела представляют собой совокупность огромного

числа элементарных зарядов (электронов и ядер атомов). Однако в
равновесном состоянии в любом атоме заряды компенсированы. Поэтому на
макроскопических расстояниях от тел электрическое поле возникает в
первую очередь из-за наличия в телах избыточных зарядов. Такие заряды
называют сторонними.

Рисунок 2.1

Если сторонние заряды расположены в отдельных малых элементах


dl r
объема тела, линейные размеры которых
 
i << , то (2.1) определит поле iM

E м  rM 
, создаваемое таким заряженным телом.
число элементарных сторонних зарядов dqi в
Однако, во многих случаях
3
каждом малом элементе объема тела d ri =dxdydz (рис. 2.2) оказывается очень
большим. Поэтому можно считать распределение зарядов в пространстве
непрерывным и ввести объемную плотность распределения зарядов.
 
dqi =  r0i  d 3 ri =  r  d 3r ,
(2.2)
 9



 r
где – объемная плотность зарядов.

Рисунок 2.2
Тогда из (2.1) находим

 1  rd 3r  
E м  rм  = e  riM 
4 0  V  rм  r 2
, (2.3)
где интегрирование (суммирование) распространяется по всему объему V, в
котором плотность зарядов не равна нулю. Часто избыточные заряды
располагаются в тонких слоях вещества толщиной dh.
3
Все элементарные объемы d r теперь будут расположены в этом слое.

d r =dh  dS
3 dq =  r  dh  dS = dS
и .
(2.4)
dq
=
Величину dS в (2.4) называют поверхностной плотностью зарядов.

Рисунок 2.3
Напряженность поля в “M”, создаваемую такой заряженной поверхностью,
используя (2.4), можно записать в виде:

 1   r  dS  
e  riM 
4 0 (S )  rм  r 2
Eм =
. (2.5)
 10

Электрические заряды могут также располагаться на тонких стержнях

(нитях). В этом случае вводят линейную плотность зарядов
dq
dq = dldS = dl ,     dS
dl .
Формулы (2.1), (2.3), (2.5) решают в принципе основную задачу
электростатики.

Рисунок 2.4
2.2. Силовые линии электрического поля

Для наглядного представления распределения электрического поля в

 
Er
пространстве вводят силовые линии . Их смысл аналогичен линиям
любого вектора (например, линиям вектора скорости течения жидкости и

E
т.п.). Это воображаемые линии в пространстве, для которых является в
каждой точке касательным вектором.

E |⃗
E| больше и наоборот. Получается (так же, как
Там, где линии сгущаются
и для течения жидкости), что через любую малую площадку dS , перпенди-
кулярную силовым линиям, число линий, пересекающих площадку,
E
пропорционально E|(рис. 2.5).
|⃗

Рисунок 2.5

Источник с q > 0 “порождает” 

силовые линии (это ”исток“ силовых
линий). На отрицательный заряд ⃗E E они замыкаются (“cтекаются”, ”сток ”
силовых линий). Таким образом, силовые линии электростатического поля
или замыкаются на зарядах или уходят в “бесконечность”.
 11

На рисунке 2.6 для примера приведены силовые линии для нескольких

электрических систем.

Рисунок 2.6

В случае а) и б) рис 2.6, число силовых линий N, пересекающих

сферические поверхности с r1 и r2, неизменно. Поэтому, полагая
N  E1S1 =E2 S 2
,
E1 4 r 2
r 2
1
= 2
= 2
E 2
находим E2 4 r
2 2
1 r , т.е.
1 r ,
что и определяет закон Кулона. Густота силовых линий действительно
пропорциональна напряженности электрического поля.

2.3. Потенциальность электростатического поля

Потенциальность электростатического поля следует из закона Кулона и

принципа суперпозиции.
2.3.1. Циркуляция электростатического поля
Как было показано в механике, силы Кулона потенциальны, т.к. они
являются центральными и не зависят от времени. Поэтому работа по
перемещению пробного заряда в кулоновском поле по любому замкнутому
контуру равна нулю:
   
 Fk dl  q  Ek dl  0 ,

E E
⃗
где значения k k дают (1.3).
 12

Но тогда, используя принцип суперпозиции, аналогичное соотношение

получаем для любого электростатического поля
     
 q  Ek dl  q  ( Ek )dl  q  E dl  0
k k . (2.6)
Это равенство и дает интегральную формулировку утверждения, что все
электростатические поля потенциальны, интеграл типа (2.6) называют

E
циркуляцией вектора .

2.3.2. Ротор вектора E
Соотношение (2.6) позволяет в принципе всегда проверить, с каким
 
полем E E имеют дело в конкретных условиях. Однако, если E ( r ) имеет
⃗

сложную зависимость от координат, то вычисление интеграла может

оказаться трудно выполнимой задачей.
Избавиться от интегрирования можно, если контур сделать физически

«бесконечно малым», т.е. таким, на котором поле E на разных участках
будет испытывать лишь малые приращения.
Покажем, что помимо локальности анализа поля, такая процедура
заменяет интеграл (1.12) на определенную связь компонент производных

вектора E по координатам.
Обратим внимание, что приведенный ниже переход справедлив для

любых непрерывных в пространстве векторных полей A (x, y, z).

Рассмотрим в некоторой области пространства, где ⃗E ≠ 0 E  0 , малый

объём со сторонами dx, dy, dz, который пересекают силовые линии E (рис.
2.7). 
Вычислим циркуляцию E ⃗E по контурам, ограничивающим грани куба,
например, по контуру 1,2,3,4.
Очевидно, на этом контуре вклад в циркуляцию дадут только
E x  x, y  E x ( x , y ) E y  x, y 
компоненты поля и .
 13

Рисунок 2.7
E x  x, y  Ex1 (т.к. на
На участке 1 примем равным его среднему значению -
dx E  x 
почти не изменяется).
На участке 3:
Ex
Ex  Ex  x, y  dy   Ex1  dy
y .
E y  x, y   E y 4 E y ( x , y )=E y 4
На 4: .
E y
E y  x  dx, y   E y 4 
dx
На 2: x .

Используя эти выражения для циркуляции E , находим

 E   E 
Ex1 dx   E x1  x dy   dx   E y 4   dy    E y 4  x dx  dy 
 y   x 
 E E 
  y  x  dxdy,
 x y 
(2.7)

d d =d S xy −¿ dxdy  dS xy - площадка, которую «стягивает» рассмотренный

где x y
контур. Ей можно придать векторный смысл, если умножить её на
   
n  ez , dS z  dS xy ez
единичный вектор нормали . По правилу правого винта
направление этого вектора определяет и направление обхода контура. Из
(2.7) теперь также видно, что в нем стоит скалярное произведение

e
некоторого вектора на z . Иными словами, в круглой скобке стоит
z-компонента вектора. Этот вектор называют «ротором» (rotate -
 
E
вращать) вектора E ; краткое обозначение – rot
⃗ E
 
   
Sz
Edl
ez rotE =rot z E = lim
.S z =dxdy 0 Sz
(2.8)
Приведенным выше способом можем найти две другие его компоненты.
 dE dE  dEx dE z
rot x E = z  y , rot y E = 
dy dz dz dx . (2.9)
Из сравнения всех компонент заключаем, что
 
rotE =  E (2.10)
 14


- векторное произведение оператора Набла на ⃗E E , которое раскрывается с
помощью определителя
  
ex ey ez
e⃗ x e⃗ y e⃗ z   

 
rotE =  E =
| ∂
∂x
∂
∂y |
∂ x
∂z
Ex
y
Ey
z
Ez
.

(2.11)
2.3.3. Теорема Стокса
Эта теорема утверждает, что для любого векторного поля:
   

( Sl )

rotA  dS =  Adl
l
, (2.12)
S
где l – некоторый контур в пространстве, l – поверхность, “стягиваемая
этим контуром".
Доказательство непосредственно следует из определения компонент
ротора.
Разобьем поверхность,

стягиваемую контуром, на элементарные
площадки dS с нормалями n (рис. 2.8).
Для каждой такой площадки справедливо равенство:
     
l 
rotA  dS =rotA  ndSl  =  Adl
,
где dl  – участки малого контура, стягивающего площадки dS .

Рисунок 2.8
Как видно из рисунка, при суммировании таких равенств по всем
элементарным площадкам левая сумма дает интеграл по всей площади “S“.
От суммы циркуляций по малым контурам останутся
 15

   
нескомпенсированными приращения Adl =Adl (рис. 2.8) на участках
контура l , т.е. получается правая часть (2.12).
2.3.4. Дифференциальная форма потенциальности электрического поля
Воспользуемся теоремой Стокса и запишем (2.6) в виде:
   
 Edl =  rotEdS  0
l ( Sl )
, (2.13)
S
где циркуляция берется по произвольному контуру и, соответственно, l
может быть любой. Но это означает, что равенство (2.13) будет иметь место,
если:

rotE  0 . (2.14)
Формула (2.14) утверждает, что все электростатические поля являются
потенциальными локально в любом месте пространства. Неподвижные
электрические заряды создают только такое пространственное

распределение (r ) , для которого в каждой точке пространства выполняется
E
(2.6), (2.14).
   x 
E =E0 ey   1
Пример. В некоторой области пространства  x0  (рис. 2.9).
На первый взгляд, поле выглядит очень просто. Однако его циркуляция

и rotE не равны нулю. Действительно, на контуре 1 2 3 4:

 
 =y  E y  x2   E y  x1    0,
Edl

  E E  E E
rot z E =  y  x  = y = 0  0
 x y  x x0
.
Рисунок 2.9
Никакой стационарной комбинацией электрических зарядов такое поле
создать невозможно, оно непотенциально.
2.4. Потенциал электростатического поля
2.4.1. Потенциальная энергия зарядов в электростатическом поле
В соответствии с общими определениями элементарное приращение
потенциальной энергии (запас) пробного заряда q в электростатическом поле
qi заряда (силового центра) равно:
другого
 16

 
dU =  dA=  qEi dr . (2.15)
U для
Если поместить начало координат в силовой центр, находим
 
конечного перемещения из
r1 r
в 2
r2 r2 r
qi dr qi 1 2 qqi 1 1
  dU =U1  U 2 =q  =q =   
r1 r1
4 0 r 2
4 0 r r1 4 0  r1 r2  .
Полагая при r2   , а U 2  0 (взаимодействие отсутствует), получаем
значение потенциальной энергии заряда q (отсчитанной от ее значения на
бесконечности) на расстоянии r от силового центра (с зарядом i ).
q
qqi 1
U=
4 0 r . (2.16)
 n 
E =  Ei ,
Для системы зарядов, т.к. i 1

n
qi 1 n
U = q =U i
i 1 4 0 ri i 1
, (2.17)
где
ri - расстояние от q до qi .
.

Потенциальная энергия в поле электростатических сил системы зарядов

qi - аддитивная величина.
Наконец, для непрерывного распределения зарядов
q i (силовых
центров) (см. рис. 2.2)

 q dqi q  (r ) d 3 r
Ur =   = (V ) rМ  r
4 0 (V )
rМ  r 4 0
, (2.18)
   
где
rM q 
r
определяет положение , - зарядов
qi r  r  r ).
( i M

2.4.2. Электрический потенциал

Электрическим потенциалом называют коэффициент
пропорциональности между электрическим зарядом, находящимся в
электростатическом поле, и его потенциальной энергией в этом поле:
 
 U
   r 
U  r  =q  r  q .
; (2.19)
 17

Можно сказать также, что электрический потенциал определяет

потенциальную энергию единичного электрического заряда в
электростатическом поле.
Из (2.18) следует, что это такая же характеристика электрического поля,

как и его напряженность ⃗E E .
Используя (2.16-2.19), находим:
 1 qi
i  r  =
4 0 ri (2.20)
 1 n
qi n
r =
4 0

i 1 ri
=  i
i 1
и для системы зарядов
или

 1   r  d 3r
r =  rм  r
4 0
. (2.21)
 
Работа, совершаемая полем при перемещении заряда из 1 в 2 q r r
 
A12 =  q =q 1  r1   2  r2  
(2.22)
.
С учетом (2.20) - (2.22) можно сказать, что электрический потенциал
численно равен работе, которую совершают силы поля при удалении
положительного единичного заряда из данной точки в бесконечность.
2.4.3. Связь электрического потенциала с напряженностью
электрического поля
 
Так как dU =  dA=  qE  dl (2.15), то
2
 
 =1   2 =  E  dl
. 1 (2.23)
С другой стороны, в механике было получено соотношение для
потенциальных сил

F =  gradU =  U
  
и, т.к. в электростатическом поле, действующая на заряд q, равна: =qE ,
F F

        
E =  grad =   =   ex  ey  ez 
то  x y z . (2.24)
1 Q
=
Пусть 4 0 r - электрический потенциал точечного заряда (2.20).
 18

 r Q 1 2x Q 1 x 
( grad ) x = = =   
r x 4 0 r 2r
2
4 0 r 2 r ; E = E x ex  E y e y  E z e z
,
т.е. в итоге получаем (1.3):
 Q 1 r
E=
4 0 r 2 r . (2.25)
Для однородного поля, например, создаваемого равномерно заряженной
плоскостью (рис. 2.10) , напряженность и потенциал связаны отношением:

  E= 
dA=qEdl =qEdx =  dU =  qd ⇒ x , E =const . (2.26)
Поэтому
1  2 =Ed (рис. 2.10).

Рисунок 2.10
2.4.4. Потенциальная энергия взаимодействия зарядов
Рассмотрим сначала энергию взаимодействия двух электрических
 
зарядов
q q
1, 2, r
находящихся на расстоянии 12 . Т.к. при 12
r 
взаимодействие исчезает, то, как и ранее, будем считать, что
U12 r12  0 
. Перемещая из 12   один заряд (например “2”) к другому,
r
внешняя сила будет совершать работу, в результате которой энергия
взаимодействия изменится на величину:
r12
    
U12  r12  =  Fвз dr =  F12 dr
 r12
. (2.27)
Это запас энергии частицы 2 в поле частицы 1.

Очевидно,
U12 =U 21 . Поэтому
 19

1
U  2  =U12 =U 21 =
 U12  U 21 
2 . (2.28)
Рассмотрим теперь три заряда (частицы)
1
U  3 =  U12  U 21    U13  U 31    U 23  U 32   =
2
1
=  U12  U13    U 21  U 23    U 31  U 32   .
2

U  3
Формула для позволяет сделать обобщение
1 n n
U (n)=  U ik
2 i 1 k i . (2.29)
Учтем теперь, что для зарядов
1 qk
U ik = qi =qi ki
4 0 rki , (2.30)
где

ki - потенциал для i от заряда q q
k . Подставляя (2.30) в (2.29),

получаем:
1 1
U  n  =  qi   ki =  qii ,
2 i k i 2 i (2.31)
где
i - потенциал, созданный зарядами в точке нахождения заряда qi .
В случае непрерывного распределения зарядов
 
dqi =dq =  r  d 3 r dq =  r  dS
или
и вместо суммы следует записать соответствующие интегралы для
потенциальной энергии взаимодействия (внутренней - internal)

1 1
U  in  = 
2 V 
 d 3 r  in  = 
2  S
 dS 1)
или . (2.32)

1) При использовании полученных формул следует иметь в виду, что они описывают некоторые
модели реальной ситуации, но сами по себе содержат определенный парадокс. Из (2.30) следует,

что для точечных зарядов при ki ik r  0 U  

. Однако формулы (2.32) такой расходимости
не дают. Отсутствие расходимости обусловлено заменой точечных зарядов непрерывным
 20


r
распределением, которое предполагает всюду конечным. С другой стороны, при
суммировании в (2.31) исключено самовоздействие. Между тем (2.32) позволяет его учесть. При

r 
этом для реализации точечного заряда необходимо, чтобы в соответствующей области
пространства и аналогично вел себя потенциал, действующий между элементами этого заряда.
Иными словами, для создания точечного заряда конечной величины, по представлениям
классической электродинамики, внешние силы должны совершать бесконечно большую работу.
Получается, что энергия “самовоздействия ” точечного заряда бесконечно велика и всегда
положительна. Однако анализ кулоновского взаимодействия на микроскопических расстояниях
требует уже иного, неклассического подхода. Современные теории микромира и опыт
показывают, что на пространственных масштабах, где справедливы законы классической
электродинамики, исключение самовоздействия и использование непрерывного распределения

r
приводят к правильному описанию реальных явлений.

2.4.5. Эквипотенциальные поверхности и силовые линии

Эквипотенциальной называют воображаемую поверхность, все точки
которой имеют одинаковый потенциал.

  x, y, z  = const
. (2.33)

Следовательно, касательная, составляющая вектора E


E =  =0
l , (2.34)
где
dl – элементарное перемещение вдоль любой из прямых, касательных к

поверхности (в данной точке). Таким образом, вектор E (и силовые линии)
всегда направлен по нормали к эквипотенциальной поверхности
Для геометрического восприятия поля с помощью эквипотенциальных
поверхностей их условно проводят так, чтобы разность потенциалов для двух
эквипотенциальных поверхностей была всюду одна и та же. Тогда по густоте
линий равного потенциала можно судить о “скорости” изменения потенциала
и, соответственно, напряженности поля в различных областях пространства.
Чем гуще расположены эквипотенциальные поверхности, тем больше  ,

т.е. поле E . Пересечение эквипотенциальных поверхностей поля точечного
заряда с плоскостью рисунка иллюстрировано рис. 2.11 (в пространстве они,
очевидно, являются сферами).
 21

Рисунок 2.11

2.4.6. Внутренняя энергия и энергия связи

Внутренней называют полную энергию, содержащуюся в физических

объектах, которая обеспечивает факт существования объектов с
наблюдаемыми свойствами.
Конечно, строгое определение этой энергии требует анализа
взаимодействия отдельных микрочастиц. Поэтому здесь мы можем высказать
лишь некоторые общие соображения.
Во-первых, в любом реальном теле микрочастицы не находятся в покое.
Говоря классическими категориями, они обладают некоторой кинетической
энергией
 ki  in  = mi i  0.
2

2
Если объект состоит из “n” микрочастиц, то
mi 2i
 k  in  =
n
0.
i =1 2
Следовательно, для существования объектов необходимо, чтобы частицы в
целом притягивались, так чтобы:
  in   U  in   0.
k

Тогда система будет устойчива.

Наконец, релятивистская теория требует введения в полную внутреннюю
2
энергию энергию, характеризующую массу микрочастиц -
mi c .
С другой стороны, для покоящегося объекта всегда имеет место
соотношение Эйнштейна:
  in  =Мc 2
.
 22

Энергию, которую надо затратить, чтобы отделить от объекта одну из

   c .
его частей, называют энергией связи
Например, атом в результате внешнего воздействия быстрого электрона
может превратиться в электрон или ион:
e  a  2e  i .
Закон сохранения энергии для процесса:

me c 2    c   ma c 2 =2me c 2  mi c 2
. (2.35)
  c 
в этом случае - энергия ионизации атома  (энергия, которая
(i )

необходима для отрыва электрона от атома). В приведенном процессе эта

энергия  ”приносится” электроном.
(i )

Из (2.35) видно:
ma c 2 =me c 2  mi c 2   ( i ) , ma  mi  me . (2.36)

ma   me  mi  =m
Разность называют дефектом масс.

Рассмотрим процесс, обратный ионизации, который называют

рекомбинацией. Из (2.36) видим, что при слиянии (рекомбинации) иона и
электрона из-за дефекта масс выделяется энергия, которая уносится в виде
кинетической энергии оставшегося электрона (или другим способом,
например, излучением). Нетрудно сообразить, что (2.36) таит в себе
возможность получения ядерной энергии. Так, выделение термоядерной
2
энергии происходит при слиянии ядер дейтерия ( D =1 H ) и трития ( T 1 H ) с
3

4
образованием ядра гелия (
He 2
1
n
и нейтрона 0 )

D  T 42 He 10 n (дефект масс 35 me ).

В результате выделяется огромная энергия (в виде кинетической энергии
продуктов слияния  1,76  10 эВ), более чем в 10 раз превышающая энергию
7 6

ионизации атомов.
2.5. Электрический диполь
Это электрическая структура, моделью которой являются два по
модулю одинаковых электрических точечных заряда разного знака
 q, q , расположенных на некотором расстоянии l друг от друга. К ней
 23

часто сводятся реальные распределения электрических зарядов в различных

объектах.
\

Электрический диполь - это векторная величина

 
pq =ql ,

(2.37)
l
где - вектор, направленный от отрицательного к положительному заряду.

2.5.1. Потенциал диполя

Для определения зависимости электрического потенциала, создаваемого
диполем в пространстве, воспользуемся рисунком 2.12.

Потенциал в точке, определяемой радиус вектором r , равен
 1 q q q  r  r 
r =   =  
4 0  r r  4 0  r r 
.
Это точная формула для потенциала диполя. Однако обычно интересуются
 
r  l
полем диполя, если
.

Рисунок 2.12
Тогда приближенно можно считать
l l
r =r  cos  r =r  cos 
2 , 2 .
Что дает
  
 q l cos  1 qler per pr
r  = = =
4 0 r 2 4 0 r 2 4 0 r 2 4 0 r 3 . (2.38)
Из (2.38) следует, что электрический потенциал диполя убывает с
расстоянием быстрее, чем потенциал точечного заряда.

2.5.2. Электрическое поле диполя


Компоненты напряженности поля E и её модуль в дальней зоне (l  r )
проще всего получить в сферической системе координат. Пусть ось z
 24

 
l  p
направлена вдоль . В этой системе потенциал - функция двух
переменных  и r (от азимутального  угла не зависит). Соответственно E
имеет две компоненты E и Er . Так как E =  grad , то из (2.38) имеем:
 q 2l cos  
Er =  = 
r 4 0 r 3


  p sin  
E =  = 
l r  4 0 r 3  , (2.39)

p
E = Er 2  E2 = 1  3cos 2 
4 0 r 3
. (2.40)

В направлении oz 
  0
, т.е. вектора p,
    1 2p
Er =Ez =E=e p
E =0 , 4 0 r 3 .
(2.41)

и проходящей через центр диполя 
p z  0 ,
В плоскости, перпендикулярной

=
т.к. 2 , находим:
  1 p 
  E =E =  e p
Er =0 , e =  e p 4 0 r 3 .
 
, (2.42)
p 
Связь вектора E с и r в любой точке пространства можно найти,
получив формулу для grad в прямоугольной системе координат.

 1 pr 1 1    1 
E =  grad   grad 3 =  gradpr  prgrad  3  .
4 0 r 4 0  r 3  r 

Для любой функции f (r )
f  f  f 
gradf = ex  ey  ez
x y z
,
f f r f 
= =
xi r xi r xi
 
x2  y2  z 2 =
xi f xi f
=
x 2  y 2  z 2 r r r
,
(2.43)
где
xi =x,y,z. Поэтому для слагаемых в (2.42) имеем:

pr 
=  px x  p y y  p z z  =px 
x x
 
 grad  pr  =  p,
 25

  1  x  3  3x
 3  =  4  =  
x  r  r  r  r5

 1  3r
 grad  3  = 5 .
r  r
Exi 
Соответственно, любая компонента поля E
и вектор будут равны:

1  pxi 3 prxi 
Exi =    
4 0  r 3 r5  ,
   
1  p 3  pr   r  1   3  pr   r 
 
E=    =  3 
p 
4 0  r 3 r5  4 0 r  r2  . (2.44)
  
Из (2.44) можно найти проекции E на r и направление  ,
e
т.е. (2.39-2.42). Например:
1   r 2  1 2 p cos  p sin 
Er = 3 
 p cos   3 p cos   2   = E =
4 0 r   r   4 0 r 3
4 0 r 3 .
,
Картина силовых линий диполя показана на рисунке 2.13.
поле вдоль оси диполя 
  0,  
На одинаковых расстояниях r вдвое
 
 = 
сильнее, чем в экваториальной плоскости  2.
Угол между силовой
линией и радиус-вектором находим из (2.39):
E 1
tg  =  = tg .
Er 2
Можно представить себе и более сложные в среднем нейтральные
системы зарядов.
Систему из четырех разноименных зарядов называют квадруполем,
восьми – октуполем (расположенных в вершине куба).
 26

Рисунок 2.13
2.5.3. Силы и момент сил, действующие на диполь во внешнем
электрическом поле
В общем случае
  
F =F  F . (2.45)

В однородном поле F равна нулю, так как силы, действующие на
положительный и отрицательный заряды F =  F , уравновешивают друг
 
друга. В неоднородном поле F   F , сила, действующая на диполь, не равна
нулю. Причем, если диполь ориентирован по полю, то она стремится втянуть
его в область сильного поля, если против, то вытолкнуть из поля.
 
Пара сил F , F стремится повернуть диполь так, чтобы ось диполя
установилась вдоль поля.
Поэтому ориентация против поля неустойчива, и независимо от
первоначальной ориентации диполь “затягивается” в область более сильного
поля. Если масштаб неоднородности внешнего поля a >> l , то можно
 
F  F
приближенно считать , и момент сил, действующий на диполь
(рис. 2.14), записать в виде:
 
M =qEl sin  =pE sin  M =  pE  .
, (2.46)

Рисунок 2.14
 27


F
Чтобы найти , запишем:
  

F =q E  E 

и будем отсчитывать поле E от его значения для q . Тогда
  

E =E  dE  
l
,

 dE 
 
l  ep 
где  
- приращение поля вдоль
l на расстоянии l . Это приращение
записывают в виде 
 E
 dE  l = l l

,
E 

где l обозначает производную
E  x, y, z  по направлению (в направлении)

вектора l .

Соответственно для F находим:  
 E E
F  q  l =p 
l l . (2.47)

Компонента Fx будет определяться полным приращением Ex на отрезке l , т.к.

 
E
проекции и их приращения y и Ez перпендикулярны e x . В общем случае l
направлен под произвольными углами к осям координат и изменение
Ex ( x , y , z ) на отрезке l равно приращениям Ex по всем трем направлениям.

Рассмотрим приращение компоненты E x l
вдоль из-за ее зависимости от x
(рис. 2.15).

Рисунок 2.15
 28

dE  dEx cos  . Поэтому

Если на dx приращение Ex есть dEx , то lx

 Ex  Ex
    cos 
 l  x x ,
px
cos  =
p и, следовательно,
 Ex  px Ex
  
 l  x p x .
Аналогично находим:
 Ex  p y Ex  Ex  pz Ex
      
 l  y p y ,  l  z p z .
Таким образом, Fx оказывается равной
  E
 Ex Ex Ex 
 =px x +py y  pz z  p Ex
Fx =p  x
  l .
F
Идентичные выражения получаются для y и Fz
  E    E 
Fy =p  y  Fz =p  z 
 l  ,  l  .

Подставляя эти выражения в (2.47), находим:

  p Ex p y Ex pz Ex    px Ey p y E y pz E y   
F =p   x    ex      e y   
 p x p y p z   p x p y p z  
,
или, переставляя слагаемые местами: 
 E E E  
F =px  py  pz   p  E
x y z . (2.48)

2.5.4. Потенциальная энергия диполя в электростатическом поле

Значение U для диполя равно алгебраической сумме потенциальной

энергии зарядов q  q :
U =U   U  =q       =q
.
Полагая приращение потенциала  на расстоянии l малым, для 
получаем выражение:
 
 =grad  l =  lE ,
т.е.
 29

  
U  ql  E =  pE . (2.49)
Потенциальная

энергия диполя уменьшается при его разворачивании по
полю E . Если такой разворот возможен, то в дальнейшим в соответствии с
качественными представлениями, диполь будет стремиться попасть в
область более сильного поля, где его потенциальная энергия будет
наименьшей.

Используя (2.49), для силы, действующей на диполь в электрическом

поле, находим
  
F =  gradU =gradpE = pE  . (2.50)
Эта формула, как нетрудно видеть, не совпадает с (2.48). Причина в
том, что (2.50) дает значения силы только в электростатическом поле, вто
время, как (2.48) справедлива для описания воздействия любого поля E и
(2.50) содержит как частный случай. Действительно, покажем, что если

rotE =0 , то
  
 
 pE =  p  E
. (2.51)
 
Для этого рассмотрим векторное произведение p  rotE , применим к нему
правило раскрытия двойного векторного произведения:
     

 
p  rotE =p    E = pE   p  E

(
    
   
a  b  c =b  ac   ab c
).

Из равенства следует, что (2.51) выполняется всегда, если rotE =0 .
Покажем на конкретном примере, что формула (2.50) дает неверный
результат в непотенциальном поле. Для этого воспользуемся моделью поля,
 
приведенной в (2.3.4) на рис. 2.9. Пусть в начальный момент p =p0 e x и

   x 
E =e y E0   1
 x0 .
Из (2.50) имеем
 
 
F = pE =0
,
 
px ex E y e y  0
.
А из (2.48):
  E y  E
F =e y px =e y p0 0
x x0 , что и следует из рисунка  F =F  F  0  .

2.5.5. Поле системы зарядов на больших расстояниях

 30


Вычисление поля (r ) и потенциала от системы зарядов с помощью
E
общих соотношений (2.1), (2.3), (22.1) может представлять значительные
трудности. Между тем часто электрическое поле и потенциал нужно знать на
расстояниях, много больших характерных размеров области локализации
зарядов. Оказывается, это обстоятельство существенно упрощает задачу.
q , q ...q
Пусть имеется система из N зарядов 1 2 N , расположенных

в объеме
с линейными размерами l (рис. 2.16). Будем считать  и E от этих зарядов
на расстоянии r l .

Рисунок 2.16

Поместим начало координат (О) где-то внутри системы зарядов.

Электрический потенциал, создаваемый системой в точке M , в соответствии
с (2.17) имеет вид:
N N
 1 qi 1 qi
r =
4 0

i 1 riM
=
4 0
 r  r
i 1
. i
(2.52)
Из рисунка с помощью теоремы косинусов находим:
 1

   re r 
2 2
r  ri = r 2  ri 2  2rri cos   r 1  2 i r  i 2 
 r r 
,

 1 N
qi 1
r =
4 0
r  1
i 1
 ri er ri 
2 2

1  2 r  r 2 
  , (2.53)
ri r2
  i2
где под корнем наряду с единицей стоит величина r и r первого и
второго порядка малости.
Из математической теории рядов известно, что дробь в (2.53)
естественно представить в виде ряда по степеням малого параметра.
 31


r
Поэтому расчет может быть проведен суммированием
соответствующих быстро убывающих слагаемых ряда. Ограничиваясь
ri
первым порядком малости по r слагаемых в (2.53):

1 1 re
1
 1
 1 i r
  2 r
 ri er ri 2  2  i r 
re
1  2 r  r 2  1  2 
   r 
.
1
 
Эту формулу для r  ri можно получить, не используя представлений теории
 
ri  r
рядов. Если , то из рис. 2.16 находим:
 
  ri  ri er
r  ri  r  ri cos   r  r =r  1  x  x
r , r
1 x
 1 x
1  x2 , что и дает (2.54).
Будем считать, что r  ri . Для потенциала, соответственно, получаем
формулу:
  N 
er  qi ri 
 1 1 N
r =   qi  i

4 0  r i r2 
 
(2.54) .
Первое слагаемое представляет собой потенциал точечного заряда со
q =  qi
значением . Второй член определяет поле диполя, если принять
i

 
p =  qi ri
i . (2.55)
Поэтому эту величину называют дипольным электрическим моментом
q i
системы зарядов. Величину i иногда называют монополем, или
мультиполем нулевого порядка.


r
В электрически нейтральной системе первое слагаемое равно нулю, и
1
 
будет носить дипольный характер, т.е. r 2 , если p  0 .
Если дипольный момент равен нулю, что имеет место, например, для
системы зарядов, изображенных на рис. (2.17), то потенциал поля будет
 32

1
определяться третьим членом разложения, который пропорционален r3 .
2
 ri 
 
Для получения этого слагаемого нужно учесть величины порядка  r  .

Рисунок 2.17
Систему зарядов на рисунке 2.17, как отмечалось, называют квадруполем
или мультиполем второго порядка.
Таким образом, в общем случае на больших расстояниях поля системы
зарядов можно представить как суперпозицию (наложение) полей,
создаваемых мультиполями разных порядков - монополя, диполя, квадруполя
и т.д.
2.6. Теорема Гаусса. Дифференциальная форма закона Кулона
2.6.1. Поток вектора напряженности
Напомним некоторые

понятия векторной алгебры. Элементарным
потоком любого вектора A через площадку dS называют величину:
  
dФ =AndS =A cos  dS =An dS =AdS ,
  
где dS =ndS , а значения вектора A берутся непосредственно на
поверхности dS . Так как число силовых линий, пересекающих dS ,
пропорционально A , то

можно сказать, что dФ “поток” (количество)
силовых линий “тока” A в трубке тока, опирающийся на площадку dS .

E
Для элементарного потока имеем:
 
dФ =EdS =En dS . (2.56)
 33


Потоком вектора E через поверхность S называют:
 
Ф  EdS =  En dS =  E cos  dS
(S ) (S )
.(S )
(2.57)
Поток есть псевдоскалярная величина, знак которой зависит от
положительного направления нормали. Для замкнутых поверхностей
условимся принимать за положительное направление нормали, обращенное
наружу. В этом случае, если линии выходят из объема, то Ф  0 (рис. 2.18).

Рисунок 2.18
2.6.2. Теорема Гаусса

Поток вектора E через произвольную замкнутую поверхность S
пропорционален алгебраической сумме зарядов, заключенных внутри
этой поверхности:
  1
S EdS =  qi
  0 i
. (2.58)

Для доказательства теоремы


рассмотрим сначала поток E от
точечного заряда, располо-
женного внутри замкнутой
S
поверхности (рис. 2.19).
Окружим внутри S заряд сферой
радиуса r с центром в точке
расположения заряда q .

Рисунок 2.19  
Так как источником поля E является только q , то поток вектора E через
S и S  одинаков, так же как и через dS  и dS , опирающиеся на одни и те же

силовые линии E , “исходящие ” из q.
 34

Поэтому для расчета потока через произвольную поверхность S

достаточно определить его значение через сферу S  :
   
 
EdS =  EdS
 S  .  S

Элементарный поток через dS  равен:

 
dФ =EdS =E  r  dS 
,
dS =dl dl =rd  r sin   d  =r 2 sin  d d =r 2d 
,
dS 
=d 
r2 ,
где d  = sin  d d - элемент телесного угла 

На сфере:
1 q
E=
4 0 r 2 .
Поэтому для dФ находим:

q q
dФ = sin  d d = d
4 0 4 0 ,
 2
q q q q
Ф =  d =  d =  d sin   d = 
S
4 0 4 0 4 0
(S) 0 0 0
. (2.59)

Если заряд находится вне объема, ограниченного замкнутой

поверхностью, или непосредственно на поверхности, то:
q
dФ1 =  d
dФ =dФ1  dФ2 =0 ; 4 0 ;

dФ2 =
q
d Ф =  dФ =0
4 0 ; S (2.60)
(рис. 2.20).
 35

Рисунок 2.20

Для системы зарядов, находящихся внутри объема, в силу принципа

суперпозиции получаем соотношение:
    1 n

 i dS = q
 
E =  Ei  
EdS =  E
0 i
i  S S i i 1
,
что и доказывает теорему Гаусса.
Если внутри замкнутой поверхности заряд распределен непрерывно с
плотностью  , то:
  1
S EdS =
 0 V
 dV
. (2.61)
Физической основой теоремы Гаусса является закон Кулона и
принцип суперпозиции. Поэтому часто говорят, что теорема является
интегральной формулировкой закона Кулона.

2.6.3. Теорема Ирншоу

Это следствие теоремы Гаусса - вывод о том, что при наличии только
электростатических сил взаимодействия не существует какой-либо
устойчивой конфигурации неподвижных электрических

зарядов.
Для доказательства предположим, что E - напряженность поля,
создаваемая системой зарядов. Окружим пробный заряд замкнутой
поверхностью так, чтобы других зарядов внутри нее не было. Равновесие
устойчиво, если при смещении пробного заряда возникает возвращающая
 
сила =qE . Это означает, что напряженность поля должна быть направлена
F
относительно внешней нормали в одну сторону на всех элементах замкнутой
поверхности. Согласно теореме Гаусса (2.60), это невозможно.
 36

2.6.4. Дивергенция вектора.

Дифференциальная формулировка закона Кулона

Дивергенция (divergo (лат.) - отклоняюсь, расхожусь) вектора A

характеризует плотность (мощность) источников векторного поля A , т.е.
число источников в единичном объеме пространства:
 
 
S
AdS
divA= lim
V  0 V , (2.62)
где S - бесконечно малая замкнутая поверхность, ограничивающая объем
 
V =d 3 r =dxdydz в рассматриваемом месте пространства  r , dr  .
Воспользуемся для анализа (2.62) и теоремой Гаусса. При этом будем
считать, что заряды в физически бесконечно малом объеме S
распределены непрерывно. Тогда в (2.61) в правой части получим:

1   1  
  3
 d 3r EdS = d r =divE
0 0  0
и S . (2.63)

Рисунок 2.21

Чтобы найти аналитическое выражение для

правой части (2.63), т.е. divE ,
учтем, так же как и в (2.32), что потоки E через площадки малого
куба
(рис. 2.21) испытывают незначительное приращение. Поток E сквозь
поверхность куба равен алгебраической сумме потоков через его грани.
dS y1 dS y 2 =dxdz dS y1
Вычислим, например, поток через грани , . Пусть для
E y dxdz   E y dS y1
это втекающий поток, который равен: (т.к. компоненты поля
Ex , Ez вклада в поток через dS y не дают).
dS y 2
Тогда для имеем “вытекающий” из куба поток:
 37

 E  E y
  E y  y dy  Ф y = dxdydz
 y , y
а .

Аналогично находим:
Ez 3
Фz = d r
z ,

Ex 3
Фx = d r
x .

Поэтому ”интеграл” и divE в (2.62) оказываются равными:

   Ex E y Ez  3  E E y Ez 

 EdS =
 x

y

z
d r

divE = x 
x y

z
=E
S 0 , . (2.64)
Из вывода следует, что дивергенция определяется скалярным
произведением оператора Набла  на вектор E , ср. с (2.10), (2.11).

Таким образом, из (2.62)-(2.64) окончательно находим:

 
=divE
0 . (2.65)
Выполнимость (2.65) (так же как и теоремы Гаусса) обусловлена
справедливостью закона Кулона. Линейность уравнения (2.64) отражает
применимость принципа суперпозиции для E . Поскольку в (2.65) входят
дифференциальные операции, то уравнение и называют дифференциальной
формулировкой закона Кулона. Соотношение (2.65) также часто
называют теоремой Гаусса в дифференциальной форме.
2.6.5. Формула Остроградского – Гаусса

Проинтегрируем по замкнутому объему (2.65) и воспользуемся

теоремой Гаусса:
 3 1  
 
 0 (V)
  
3
divEd r d r EdS
(V ) (S )
.

Таким образом,
  

(V )
divEd 3r =  EdS
S
. (2.66)
 38

Соотношение справедливо для любого векторного поля.

2.6.6. Уравнения Пуассона и Лапласа


r
Во многих случаях предпочтительно определять сначала . Уравнение
для  следует из (2.65), если в него подставить:

E =  grad ,
 2  2  2 
divgrad =   = 2 = 
x 2
y 2
z 2
0 ,

где    - называют оператором Лапласа, а получившееся уравнение со

2

вторыми частными производными потенциала:


 2 = = 
0 (2.67)
- уравнением Пуассона.
В тех областях пространства, где заряды отсутствуют, правая часть
равна нулю, и уравнение приобретает вид:

 =0 . (2.68)
Уравнение такого вида называют уравнением Лапласа.
В силу (2.67) вторые производные от потенциала должны быть
конечными. Это означает, что первые производные потенциала (т.е.

компоненты поля E ) являются непрерывными функциями координат, а
также непрерывной функцией следует считать и сам потенциал .
2.7. Применение теоремы Гаусса

Теорема Гаусса устанавливает интегральную связь между E и

r
электрическими зарядами (или их плотностью ). Такие уравнения в
математике называют интегральными. В общем случае решать их весьма
трудно, гораздо труднее, чем уравнения с производными для искомой
величины, например, уравнение Пуассона для  . Однако иногда, в силу
симметрии задачи, можно предсказать характер распределения поля в
пространстве. Тогда при удачном (соответствующем найденной симметрии)
выборе гауссовой поверхности может оказаться так, что на ее каждом
элементе вектор напряженности будет одинаков по величине и направлению
относительно нормалей к поверхности, интегрирование в (2.58), (2.61)
становится элементарно простым
 39

 
 =  En dS =En S =ES cos  =ES 
S
EdS
S
 
там, где E на поверхности направлено относительно нормали n под углом

  
2 , и равен нулю при E  n .
2.7.1. Поле бесконечной заряженной плоскости Если заряд распределен
равномерно по бесконечной плоскости с поверхностной плотностью  , то
напряженность поля будет всюду одинакова и направлена перпендикулярно
к плоскости. Естественно выбрать в качестве поверхности для
интегрирования цилиндр (рис. 2.22):
S 
S En dS =2S En dS Sбок
 En dS =2SE =  0 E=
2 0 .
, (2.69)

Поле, напряженность
которого во всех точках
пространства одинакова,
называют однородным.
Поле бесконечной
пластины - однородное.
Силовые линии
егопараллельны и
равноотстоят друг от
друга.

Рисунок 2.22

Графики распределения поля и

электрического потенциала вдоль
 E =E  .
оси x приведены на рис. 2.23 x
Формально полученные

распределения E  x  ,  
 x
противоречат, на первый взгляд,
выводам об общих свойствах этих
величин, приведенным в 2.6.6. На

заряженной поверхности поле E
 40

  x
испытывает “скачок” (меняет направление), а - имеет излом. Однако
это обстоятельство просто
обусловлено нашей моделью,
в которой плоскость предполагается
Рисунок 2.23 бесконечно тонкой, см. также 2.1
формулу (2.4).

2.7.2. Поле бесконечной равномерно заряженной цилиндрической

поверхности

Пусть на цилиндрической поверхности радиуса R (рис. 2.24)

равномерно распределен заряд поверхностной плотностью  . В качестве
гауссовой поверхности для расчета поля выберем поверхность цилиндра
радиуса r и высоты h , соосного с данным. В силу аксиальной симметрии
задачи, напряженность поля на всех точках боковой поверхности должна
быть одинаковой и направленной по нормали к ней.

Рисунок 2.24
 2 Rh R R  r 
E 2 rh = E=  ln
Поэтому: 0 , r 0 при r  R ,  0  R 
R 1
0  r
 dr  C
. (2.70)
Так как потенциал определяется с точностью до некоторой постоянной, то в
(2.70) принято, что потенциал поверхности цилиндра  (r  R )  0 .
Внутри цилиндра зарядов нет, при
r  R , E =0 ,   r     R   0 .
График функции приведен на рис. 2.25.
 41

Рисунок 2.25
2.7.3. Поле равномерно заряженного шара

Дано: радиус шара R и объемная плотность заряда   const . Полный

4
Q =  R3 
заряд 3 .
Теорему Гаусса используем для двух поверхностей r  R и r  R
(рис. 2.26). “Сшиваем” решения при r  R и полагаем при r     0 . В
результате находим:
rR 

4 r
3

E 4 r =
2

3 0 

r 3R 
3
4
Qr 
E = r= 
3 0 3 0 43  R 3 4 0 R 3 
rR 

Q 
E=
4 0 r 2 
 . (2.71)
Формулы для электрического потенциала имеют вид:
rR 

1 Q 1  R3 
  r = =
4 0 r 3 0 r 

rR 
 
  r =
6 0
 3R 2  r 2  
. (2.72)
E  r   r
Графики распределения , приведены на рис. 2.27. Заметим,
E (r ),   r 
что при r  R изменяется, как будто, весь заряд Q сосредоточен
вначале координат.
 42

Рисунок 2.26 Рисунок 2.27

3. Электрическое поле в диэлектриках
3.1. Диэлектрики. Полярные и неполярные молекулы
Диэлектриками называют вещества, которые в обычных условиях
практически не проводят электрический ток. К ним относятся все
(неионизованные) газы, жидкости и твердые тела, у которых нет зарядов
(электронов, ионов), способных относительно свободно перемещаться под
действием электрического поля.
3.1.1. Полярные и неполярные молекулы
У диэлектриков электроны связаны с ядром в каждом атоме или
молекуле. Под действием электрического поля электроны лишь меняют свое
положение относительно ядер. В отсутствие внешнего электрического поля
центры “тяжести“ положительных и отрицательных зарядов либо совпадают
(неполярные молекулы) либо сдвинуты (полярные молекулы).
Математически это означает, что при разложении распределения заряда в
молекуле по мультипольным моментам
e   
 1 1 pm er
r = i

4 0 r 4 0 r 2 ,
 
pm =  qi ri
где i , дипольный момент может быть как равным, так и не равным
e i 0
нулю (рис. 3.1) ( i ).
 43

   
p =ql =q  r  r  ,
  1  
r =    qi ri ,
 q 
  1  
r =     qi ri ,
 q  (3.1)
где
q =q =q - суммарный заряд определенного знака.

Рисунок 3.1
   
r = r r  r
У неполярных молекул , у полярных  
. Принадлежность
молекулы к тому или другому типу определяется ее структурой и
симметрией. У молекулы воды, например, нет центральной симметрии, так
как атомы водорода не лежат на одной прямой с атомом кислорода. За счет
этого возникает несимметричное распределение заряда и, следовательно,
дипольный момент. У молекулы CO2 из-за центральной симметрии
дипольного момента нет (рис. 3.2).
3.1.2. Поляризация неполярных молекул
В электрическом поле неполярная молекула приобретает дипольный
момент, обусловленный смещением положительных зарядов по полю,
отрицательных - против поля. Такой момент иногда называют
индуцированным. Таким образом, молекула поляризуется. Смещение
зарядов определяется балансом квазиупругой (электрической) силы,

возникающей в молекуле при смещении зарядов и внешней силы qE ,
вызывающей это смещение.
Так как внешнее поле много меньше атомного, то
   
r qE  и p м =  0 E , (3.2)

где коэффициент пропорциональности  называют поляризуемостью

молекулы.
 44

Очевидно, инертность такой поляризации (время) должна быть очень

малой, т.к. процесс смещения зарядов происходит внутри атомов.
Важным для практики является вопрос температурной зависимости и
степени поляризации всего диэлектрика. Нетрудно понять, что такой
зависимости у неполярного диэлектрика быть не должно
    Т ,
т.к. под действием поля искажаются (изменяются)
внутримолекулярные орбиты (их называют орбиталями) электронов, на
которые внешнее тепловое движение атомов влияния не оказывает.

Рисунок 3.2

3.1.3. Полярные молекулы

Полярная молекула в электрическом поле ведет себя как диполь,
который может менять свою ориентацию. Значение электрического
момента остается
почти неизменным. Конечно, такая молекула под
действием поля E тоже деформируется, но по сравнению с уже имеющимся

pм эта деформация мала.
В отсутствие поля все диполи ориентированы хаотически и поэтому
диэлектрик не поляризован. В электрическом поле из-за преимущественной
ориентации молекул по полю у диэлектрика появляется макроско-
пический дипольный момент.

Рисунок 3.3
 45

3.2. Поляризация диэлектриков

При внесении диэлектрика в электрическое поле у него появляется
макроскопический электрический дипольный момент. Это явление называют
поляризацией диэлектрика. Дипольный момент образца складывается из
дипольных моментов отдельных микрообъемов, каждый из которых
включает в себя множество молекул. Для локальной характеристики
степени поляризации диэлектрика вводится понятие вектора
поляризации или поляризованности как отношения суммы дипольных
моментов молекул, находящихся в микрообъеме V к V .

  pi
P=
V . (3.3)
Эта величина равна среднему дипольному моменту единицы объема в
рассматриваемом элементе:

 N p м 
P= =n p м
V , (3.4)

pM
где n – концепция молекул, – среднее значение дипольного момента
молекулы.
Так как в неполярных диэлектриках поляризация возникает за счет
появления одинакового у всех молекул индуцированного электрического
момента, пропорционального напряженности поля и направленного вдоль
него, то
  
pM =pM = 0 E
,
 
P = 0 E , (3.5)
где
 =n - диэлектрическая восприимчивость (безразмерная величина).
Заметим, что здесь это то поле, которое действует в диэлектрике
на отдельные диполи (заряды) - локальное поле.
В полярных диэлектриках поляризация возникает за счет ориентации
отдельных диполей по полю. Модуль среднего значения дипольного
полях   определяется формулой
 10
8
В м
момента в не очень сильных
Ланжевена:
2  2
 p ME  p n
p = = E n = M

3kT , 3 0 kT (3.6)
В этом случае для однородных диэлектриков имеем:
 46

 
P = 0 E ,
(3.7)
pM2 n

где 3 0 kT
.
Приведенные формулы (3.6), (3.7) фактически - результат, “конкуренции”
между стремлением молекул попасть в минимум потенциальной энергии
 
диполей



U  p  =  pм E
, т.е. ориентироваться

вдоль E , и тепловым
движением, хаотизирующим ориентацию диполей. Поэтому средняя доля от
U p E
   min = M
общего числа молекул, ориентированных по E 3kT 3kT . Откуда и

получаем 
P    pм n 
(3.6), (3.7). Таким образом, поляризация полярного
диэлектрика оказывается обратно пропорциональной его температуре.

3.3. Объемные, поверхностные заряды и поляризованность

При внесении диэлектрика в электрическое поле на его поверхности и
объеме может появиться связанный заряд. Он возникает вследствие
поляризации диэлектрика за счет втягивания зарядов одного знака в объем
и выталкивания зарядов другого знака на поверхность. Эти заряды
называют поляризационными, а процесс их возникновения под действием
внешнего поля – поляризацией. В однородном диэлектрике объемная
плотность связанных зарядов

будет равна нулю, так как разноименные
заряды соседних диполей будут полностью компенсировать друг друга
(рис. 3.4). Некомпенсированными остаются лишь положительные и
отрицательные заряды крайних диполей. Они и создают поверхностную
плотность заряда   на границе диэлектрика. Оценим   для случая
однородного диэлектрика, помещенного в однородное поле. Выделим в
пластине элементарный объем в виде тонкого цилиндра с образующими,
параллельными полю.
Приравнивая выражения, находим:
 =Pcos =Pn = En 0 ,
где   - поверхностная плотность зарядов.
 47

Рисунок 3.4 Рисунок 3.5

Объем такого цилиндра:
V =l Scos .
Он имеет электрический момент:
PV =Pl Scos , или ql   Sl , (3.8)
где Рn - проекция поляризованности на внешнюю нормаль к поверхности,
En =Ecos - проекция поля E внутри диэлектрика на внешнюю нормаль.

Плотность зарядов, которые остались под поверхностью in (внутри
диэлектрика), очевидно, равна:
 in =  Pn .
В неоднородном диэлектрике может возникать и объемный заряд. Его
величина определяется  балансом “втекающих и вытекающих” из объема
зарядов под действием E .
Число зарядов, вышедших на замкнутую поверхность S ,
ограничивающую некоторый объем, равно:
 
Q=   dS =  PdS
.
Такой же заряд противоположного знака скопится в объеме:
 
Q   in dV   
 PdS
V .
По теореме Остроградского-Гаусса:
   
 PdS =  divPdV
v .

Следовательно,
in =  divP . (3.9)
Из этой формулы находим, что в однородном диэлектрике
in  0 ;
in  0 лишь у самой поверхности.
3.4. Поле внутри диэлектрика
Появление связанных зарядов приводит к уменьшению напряженности
поля внутри диэлектрика. Рассмотрим этот эффект при помещении

E
диэлектрика в однородное поле 0
=const . Практически постоянное поле
реализуется, например, в плоском конденсаторе. Пусть пластина из
 48

диэлектрика находится между пластинами заряженного плоского

конденсатора (рис. 3.6).
В силу принципа суперпозиции поле внутри диэлектрика
векторноскладывается из поля E0 , создаваемого свободными зарядами
металлических пластин конденсатора, и поля, создаваемого связанными
зарядами диэлектрика:
  
E =E0  E  , E =E0  E  .
Поле за пределами конденсатора отсутствует.
Поэтому, используя теорему Гаусса, нетрудно найти:
 
E0 = E =
0 , 0 ,
      in
E =E0  E =
 0 , E  E0 на величину  0 .
За пределами диэлектрика поле

восстанавливается до E0 . С учетом

 = 0 E ,  in   Pn   0 E

имеем
E =E0   E (3.10)
или

E0 E
E= = 0
1   (3.11)

Рисунок 3.6
где величину  =1   называют относительной диэлектрической
проницаемостью или просто диэлектрической проницаемостью.
Из (3.10) следует: диэлектрическая проницаемость в однородном
диэлектрике определяет, во сколько раз электрическое поле в диэлектрике
уменьшается по сравнению с полем, создаваемым свободными зарядами в
вакууме.
Используя  , для   найдем:
E0      -1
E= = =E0  E    = 
  0 0 ,  . (3.12)
 49

3.5. Локальное поле в диэлектрике

Вернемся к формулам (3.5) - (3.7) и выясним, какое же поле
(в среднем) поляризует отдельные молекулы в диэлектрике. Прежде всего
следует иметь в виду, что каждая молекула заполняет некоторый объем в
диэлектрике, и вокруг нее расположены другие молекулы, которые при
E0  0 уже поляризованы. Таким образом, пробная молекула (заряд q ) как
бы находится в вакууме, вне однородного диэлектрика. Но тогда поле в
месте нахождения заряда (локальное поле) будет отличаться от того, что
существует в сплошном диэлектрике.
Рассмотрим случай, когда пробный заряд расположен в узкой щели,

перпендикулярной вектору E (рис. 3.7). В соответствии с 3.4 (формулой 3.10)
E
поле в щели восстанавливается до 0 . В щели:
   
Eз =Eд  =  E0   =E0
0  0  0
.

Рисунок 3.7
Предположим теперь, что полость сферическая, с центром О (рис. 3.8).
На границе сферы в результате поляризации выступят поляризационные
заряды. Их значения на поверхности можно представить как результат
смещения двух равномерно заряженных шаров с плотностью  =  ne ,
вложенных друг в друга и со смещенными центрами на длину диполя
" l " молекулы (рис. 3.8). В формуле для плотности зарядов n – концентра-
ций диполей.
 50

Рисунок 3.8

Так как “О” находится внутри каждого из заряженных шаров, то поле в

“О” от каждого будет определяться объемным зарядом внутри малых
l
O O
сфер S с центром в  ,  и радиусом 2 :
1 Qs 8 neVs
E (0)=2 E    =2 = =
4 0  l  4 0 l 2
2

 
2
3
8 ne 4  l  1 P
=    = nel =
4 0 l 2 3  2  3 0 3 0 . (3.13)

Таким образом, в центре сферы: 

  P
E лок =E  E (0)=E 
3 0 , (3.14)

где E - поле в однородном (сплошном) диэлектрике.
С помощью (3.14) для неполярного диэлектрика получаем:

  P 
pM = 0  E  
 3 0 
,
   1 
P =npM =n 0 E  n P
3 , (3.15)
 n 
P= 0E
n
1
3 .

 
Сравнивая с (3.5)
 P = E 
0
для  , в отличие от (3.5), находим:
n
=
n
1
3 (3.16)
или
n   1
=
3  2. (3.17)
 51

Это соотношение называют формулой Клаузиуса-Мосотти.

Из нее следует:
2
1+ n
 =1+ = 3  2+ 
n
1 E лок = E
3 , 3 . (3.18)
 
Как видно из всех этих формул, отличие
E лок от E нужно
учитывать, когда диэлектрическая проницаемость становится заметно
n
 1
больше единицы. При 3 из (3.18) имеем:
  1  n .
В полярных диэлектриках, используя (3.6), тоже заманчиво
записать:

npM2 E
 3кT
P= 2
npM
1
9кT  0 . (3.19)
Однако здесь следует иметь в виду, что (3.6) получено в приближении,
kT  pM E
когда энергия теплового движения , т.е. число диполей,
 
ориентированных вдоль поля, мало. В сильном поле

pM E  kT
все

   
диполи будут ориентироваться по E и
P = PmaxM
=np . С другой
стороны, диполь, находящийся внутри полости, обладая изначально

p
большим значением M , будет влиять на поляризацию диполей границ
полости, что не учитывает (3.19). Так неиндуцированные дипольные

E
моменты изменяют лок и, соответственно, вид соотношения (3.19).

3.6. Вектор электрического смещения и теорема Гаусса в

диэлектриках
3.6.1. Вектор электрической индукции (смещения)
Запишем теорему Гаусса (закон Кулона) в дифференциальной
dq
=
форме. Пусть dV - объемная плотность заряда. Тогда, как было
показано в 2.5.5:
 52

 
divE =
0 .
В диэлектрике под  следует понимать объемную плотность всех
зарядов (связанных   и сторонних  ), которые находятся в нем.
Поэтому
 1
divE =      
0 . (3.20)
Учитывая, что

 =divP ,
из (3.20) получаем:
 

div  0 E  P =  ,

divD = . (3.21)
Величину:
  
D = 0 E  P (3.22)
называют электрическим смещением или индукцией.
 
Так как
P = 0  E ,
   
D = 0 E   0  E = 0  1    E
то .
Или
 
D = 0 E . (3.23)
Таким образом, диэлектрическая проницаемость в однородном
диэлектрике
 
оказывается коэффициентом пропорциональности
между E , D . 1)


1)
В общем случае в анизотропном диэлектрике действие поле E , например, вдоль оси x
 
может вызвать поляризацию по другим направлениям ( y и z ). Связь между D и E

становится тензорной – компоненты D по определенному направлению оказываются
 
D
связанными со всеми компонентами поля Е . Например, для y имеет место соотношение
Dy = yx Ex   yy E y   yz Ez
и т.д.
3.6.2. Теорема Гаусса в диэлектрике
Теорема Гаусса для вектора смещения, как следует из (3.21),
записывается следующим образом
 
S DdS =   dV
V , (3.24)
 53


 divDd 3 r   D dS
n
т.к. (V )
, где  - объемная плотность сторонних зарядов.
(S)

Эту формулу иногда удобно использовать для нахождения поля E
в диэлектриках.
Пример. Найти поле равномерно заряженной с плотностью  сферы
в трехслойном диэлектрике (рис. 3.9) 3 2 1 .
  
Уравнение на поверхности сферы радиуса r =const :
 

S
DdS   Dn dS =Dn 4 r 2 =q = 4 R12 .

1)
r  R1 , Dn =0 , E1 =0 .

D =  E
2) R2  r  R1 , n 0 1 1 ,
q R12
E2 = =
4 0 1r 2  01r 2 .
R12
E3 =
R  r  R  0 2 r 2 .
3) 2 3 ,
R12
E4 =
4)
R3  r ,  0 3 r 2 .

Рисунок 3.9

В таблице приведены значения  для некоторых материалов:

Материал Al2O3 SiO2 Слюда H 2O N 2 жидк. NaCl

 10 3.75 5.5  7.5 80 1.45 5.9

 54

Материал BaTiO3 (200 C ) Si Ge GaA

 2000 16 11.7 12.5-13

3.7. Условия на границе двух диэлектриков


Пусть в однородном поле с E
напряженностью 0 находятся две
 ,
плоскопараллельные пластины из различных диэлектриков 1 2 . Выделим
вблизи границы элемент объема в форме цилиндра малой высоты h , с
основаниями параллельными плоскости раздела, площадью S (рис. 3.10).

Рисунок 3.10
Устремляя h к нулю, по теореме Гаусса для вектора смещения имеем:
SD1n1  SD2 n 2 =0 ,

D1n1 =  D2 n 2 .
  
D n S D
где 1n1 - проекция вектора D на нормаль 1 к основанию 1 , 1n 2
на n2.

Или
D1n =D2 n , (3.25)
D2n - проекция на общую нормаль.
где
 
С учетом
D = 0 E , имеем:
E1n 
= 2
E2 n 1 . (3.26)

Нормальная составляющая E награнице двух диэлектриков терпит
разрыв.
Найдем соотношение между тангенциальными составляющими поля.
Выделим вблизи границы контур в форме прямоугольника со стороной a ,
параллельной границе, и стороной b (рис. 3.11) .
 55

Так как электростатическое поле потенциально, то циркуляция вектора по

любому контуру должна равняться нулю:
 
 =0
Edl
L .

Рисунок 3.11

Устремляя b к нулю, находим:

E1x a  E2 x a =0 .
Или
E1 =E2 (3.27)

D1 D2
=
1 2 . (3.28)
Условия на границе определяют закон преломления линий
электрического смещения (рис. 3.12):
tg1 D D 
 1 2 n = 1
tg 2 D1n D2  2 .

Рисунок 3.12
 56

   21 . Силовые
На рис. 3.12 приведен случай преломления линий D при 2
 
линии D не терпят разрыва, а только изменяют направление. Линии E
терпят разрыв (в области с большей проницаемостью их становится
меньше).
3.8. Сегнетоэлектрики
Существует группа веществ, которые обладают спонтанной
(самопроизвольной) поляризацией в отсутствие внешнего поля. Эти
вещества называются сегнетоэлектриками (сегнетова соль, титанат бария -
ВаTiO3 , керамика - дигидрофосфат калия KH 2 PO4 ( KDP ) и др.). Ими могут
быть только кристаллы, у которых нет центра симметрии.
Сегнетоэлектрикам свойственно иметь:
1) большие значения   10 ;
4

2) нелинейную зависимость D от E ; 
3) гистерезис зависимости поляризованности P от E (рис. 3.13). Гистерезис
(от греческого hysteresis - отставание, запаздывание);
4) остаточную поляризацию. При циклических изменениях поля
зависимость от изображается петлей гистерезиса. При обращении E в
P E
нуль поляризованность не исчезает, и только в противоположно
E
направленном поле c (коэрцитивная сила) поляризованность обращается в
нуль;

Рисунок 3.13

5) для кристаллов характерна анизотропия для  . Значения и поведение 

для разных направлений поляризации оказываются неодинаковыми.
Вещества такого рода находят применение в технике как излучатели
и приемники звука, электрические преобразователи, гидрофоны, в
нелинейной оптике, голографии и т.д. Зависимость поляризованности от
E приведена на рис. 3.13 ( Ec - коэрцитивная сила; P0 - остаточная
поляризованность).
Наличие указанных свойств обусловлено образованием
сегнетоэлектрических доменов – объемных областей, в каждой из
которых дипольные моменты молекул ориентированы одинаково.
Взаимодействие между соседними диполями приводит к упорядочиванию
 57

их направления в кристалле – целые области вещества становятся

самопроизвольно поляризованными в определенном направлении.
Образуется “домен”. Однако в отсутствие внешнего поля энергетически
выгодным оказывается не однородная (рис. 3.14а), а многодоменная
структура (рис. 3.14б). Заряды, которые появляются на поверхности
диэлектрика, создают деполяризующее поле (стремящееся уничтожить
поляризацию). В однородном кристалле энергия этого поля велика. Она
уменьшается, если в кристалле образуется несколько доменов (рис. 3.14б).

а) б)
Рисунок 3.14
Углы, под которыми формируются домены, могут иметь разные
0 0 0
значения ( 180 , 90 и др.). На рисунке изображены 180 градусные домены. У
доменных стенок диполи соседних доменов стремятся оттолкнуться, т.е.
обладают избыточным запасом энергии. Поэтому процесс деления на
домены заканчивается, когда уменьшение запаса энергии
деполяризующего поля из-за деления сравняется с ростом поверхностной
энергии доменных стенок.
Во внешнем электрическом поле изменение поляризации
сегнетоэлектрика может происходить по следующим причинам:
1) в результате изменения поляризации каждого домена;
2) поворота направления поляризации домена;
3) увеличения размера доменов, ориентированных в сторону поля, за
счет доменов с невыгодной ориентацией.
В результате при некотором поле поляризация достигает насыщения
(рис. 3.13). После выключения внешнего поля остается остаточная
поляризация P0 , которая снимается полем противоположного направления
(коэрцитивной силой). Спонтанная
поляризация сильно зависит от
температуры. С ростом температуры P0 уменьшается и при некоторой
критической температуре
T  Tk (сегнетоэлектрической точкой Кюри)

обращается в нуль. Тепловое движение при

T  Tk разрушает
сегнетоэлектрическое состояние, происходит фазовый переход, в результате
которого вещество становится полярным диэлектриком. По аналогии с
 58

магнитными материалами, это состояние называют параэлектрическим

(парамагнетики).

В параэлектрической области
T  Tk зависимость  от температуры
описывается законом Кюри – Вейсса:
C
=
T  Tk . (3.29)
Особенности поведения   иллюстрируют рис. 3.15, 3.16.
 T

Рисунок 3.15

Рисунок 3.16

Зависимости  (Т ) весьма сложны, и их объяснение (как и полная теория

сегнетоэлектронов) выходит за рамки курса общей физики. Поясним
качественно только два обстоятельства, имея в виду, что индексы  и 
обозначают два разных направления поляризации кристалла. Во-первых, в
соответствии с (3.29) - резкое увеличение  при
T T
k для направления .

Это означает, что для такого направления внешнего поля дополнительная

 59

поляризация молекул микрополем в диэлектрике приводит к резкому

увеличению поляризованности молекул. Тепловое движение не может

“остановить” рост P . Результирующая поляризованность будет описыватся
приближенно формулой (3.19), из которой качественно и следует (3.29).
Во-вторых, отсутствие резких изменений  (Т ) на рисунке объясняется тем,
что для направления  поляризуемость молекул   невелика и микрополе

не приводит к изменению состояния кристалла в этом направлении.
3.9. Пьезоэлектрики
Это вещества, в которых наблюдается пьезоэлектрический эффект
(прямой и обратный).
Прямым называют эффект вынужденной поляризации
(образования электрических зарядов на поверхности) диэлектрика
под воздействием механических напряжений (пьезополяризация).
Обратный - деформация пьезоэлектриков при наложении внешнего
электрического поля. В некоторых материалах вынужденная поляризация
может возникать при нагреве (пирополяризация) под воздействием
излучения (фотополяризация).
Пьезоэлектрический эффект возникает во всех кристаллах, не
обладающих центром симметрии. Поэтому все сегнетоэлектрики - пьезо-
электрики. Однако не все пьезоэлектрики – сегнетоэлектрики, например,
кварц ( SiO2 ). Его упрощенная структура ячейки кристалла приведена на
рис. 3.17а. Как видно, в отсутствие деформации ячейка не поляризована.
При сжатии или растяжении (рис. 3.17 б,в) кристалла возникают
поляризоционные заряды.

а) б) в)
Рисунок 3.17

4. Проводники в электрическом поле

4.1. Электрическая индукция
4.1.1. Электростатическое поле и заряды в уединенных проводниках
 60

В отличие от диэлектриков, где электроны ограничены в своем

движении размерами атомов, в проводниках (металлах) они могут
свободно перемещаться в пределах всего образца. Поэтому в состоянии
равновесия напряженность электрического поля внутри проводника

должна равняться нулю E =0 . При возникновении в проводнике поля
равновесие нарушается, по проводнику потечет электрический ток.
Согласно теореме Гаусса:
 
divE =
0 .
Откуда следует, что и объемный заряд внутри проводника должен также
равняться нулю  =0 . Это означает, что у заряженного проводника
сторонний заряд распределяется только по его поверхности, причем таким
образом, чтобы отсутствовала тангенциальная и сохранялась
непосредственно у поверхности лишь нормальная составляющая поля:
 
E =En , (4.1)
а сама поверхность была эквипотенциальной  =const , с одинаковым
значением потенциала всего проводника. В противном случае равновесие
зарядов было бы нарушено, и стало бы возможным существование

E
поверхностных или объемных токов. Равенство нулю 
=0 следует также
из условия потенциальности электростатического поля:
 
 =0
Edl
.

Действительно, для замкнутого контура, пересекающего поверхность

проводника, как показано на рис. 4.1, отличный от нуля вклад в

циркуляцию вектора E дает лишь участок, расположенный над
поверхностью:
  
 Edl =E l12 =0  E =0
1 4 .

Найти нормальную составляющую можно по теореме Гаусса, вычислив

поток через цилиндр, пересекающий поверхность под прямым углом
(рис. 4.2).
 61

   S 
S =En S=  0  En = 
EdS
0 . (4.2)

Рисунок 4.1

Рисунок 4.2
При внесении проводника во внешнее поле равновесие зарядов также
достигается за счет соответствующего распределения их по поверхности.
При этом если в диэлектрике внешнее поле лишь ослабляется за счет
поляризации, то внутри проводника оно снижается до нуля. Смещение
электрических зарядов (электронов) в проводнике под воздействием
внешнего электрического поля называют электростатической индукцией,
а возникающие на поверхности заряды - индуцированными.

Электрическое

поле в проводнике складывается из внешнего поля E0 и
поля E  , созданного индуцированными зарядами. На ближней к
заряженному телу поверхности проводника собираются заряды
противоположного знака, вдали того же (рис. 4.3).

Рисунок 4.3
 
Поле E  E
направлено против внешнего 0 и равно ему по величине,
так что поля полностью компенсируют друг друга в проводнике.
 62

  
E =E0  E =0 . (4.3)
При этом поверхность и весь проводник остаются эквипотенциальными.
Так как поверхность эквипотенциальна, то силовые линии (вне
проводника) перпендикулярны к поверхности, т.е. имеют лишь нормальную

En =
составляющую  0 , а тангенциальная E =0 . Таким образом, в
равновесии для проводника выполняются условия:

внутри:
Ein =0 , in =const ;


En =
на поверхности:
 s =in =const , E =0 , 0 . (4.4)
4.1.2. Зависимость плотности сторонних зарядов на поверхности от
ее кривизны
Из (4.3) следует, что поле внутри вблизи поверхности проводника в
соответствии с принципом суперпозиции состоит из двух равных
слагаемых: одно создается поверхностными зарядами примыкающего
элемента поверхности, другое – всеми остальными зарядами (в том числе и

создающими E0 ), лежащими вне этого элемента.
Это обстоятельство позволяет качественно понять, как распределяется
сторонний заряд на проводящей поверхности. Поле поверхностного заряда

ES на данном элементе поверхности dS должно компенсировать под
поверхностью поле от других элементов E  . На рис. 4.4 приведены два
случая. При малой кривизне поверхности (рис. 4.4а) E  – мало, а т.к.
  s
 E =  E S =
2 0 , то поверхностная плотность на dS  s - незначительная.
С ростом кривизны плотность зарядов должна расти.

а) б)
Рисунок 4.4
 63

Рассмотрим еще в качестве примера распределения плотности

заряда на двух заряженных металлических шарах, соединенных тонкой
длинной проводящей нитью (рис. 4.5).
Очевидно, имеет место равенство 1 = 2 и, если пренебречь
l  R
накаливанием поля нитью, то, так как 1,2
, приближенно можно
записать, учитывая сферическую симметрию шаров:
q 4 R12 1  R
1 = = =R1 1 =2 =R2 2  1 = 2
4 0 R1 4 0 R1  2 R1 - плотность зарядов на шарах
обратно пропорциональна их радиусам (кривизне). Там, где кривизна
поверхности у проводника больше, там больше плотность зарядов.
Качественная картина распределения поля у поверхности с переменным
радиусом приведена на рис. 4.6.

Рисунок 4.5 Рисунок 4.6

4.1.3. Электростатическое экранирование
Проведенный анализ показывает, что поле внутри проводника
уничтожается определенным распределением зарядов на его поверхности.
Поэтому внутренние части проводника можно удалить. Внутри такой
замкнутой оболочки поле останется равным нулю. Защиту внутреннего
пространства металлической оболочки от внешнего электрического поля
(и действие зарядов на поверхности проводника) называют
электростатическим экранированием. Экранирование можно
осуществить и металлической сеткой с металлическими ячейками.
Следует, однако, иметь в виду, что поле, созданное зарядами внутри
полости, проникает за пределы экрана, т.е. во внешнее пространство.
Это связано с тем, что на внешней поверхности полого проводника
соберутся заряды, равные алгебраическому значению зарядов внутри
полости (рис. 4.7а). Их распределение будет определяться формой
внешней поверхности и должно быть таким, чтобы поле от них внутри
металла было равно нулю. Иными словами, распределения на внешней и
внутренней поверхностях проводника оказываются несвязанными между
собой.
Если оболочку заземлить, т.е. соединить с большим проводящим
телом, то наружные заряды «уйдут» с внешней поверхности. Останутся
лишь заряды внутри полости и на внутренней поверхности оболочки
 64

(рис. 4.7б). Заземленная замкнутая оболочка экранирует внешнее

пространство от поля зарядов, находящихся внутри полости.

Рисунок 4.7
4.2. Электроемкость
4.2.1. Емкость уединенного проводника

Поскольку поверхность проводника эквипотенциальна, то при

изменении заряда проводника меняется лишь величина потенциала, а
распределение потенциала как внутри, так и вне проводника остается
неизменным. Коэффициент пропорциональности C между зарядом
проводника и его потенциалом называют электроемкостью уединенного
проводника.
Q
C=
. (4.5)
Емкость измеряется в фарадах:

C =  Ф  =  Кл / В 
.
Из определения следует способ расчета электроемкости: при заданной
форме проводника следует вычислить потенциал
 s по известному заряду
 q  на проводнике. Например, для металлической заряженной сферы,
радиуса R имеем:
q
s =
4 0 R .
Сравнивая с (4.5), находим:
C =4 0 R  1,11 1010 R  Ф 
. (4.6)
 65

Одна фарада (единица измерения электроемкости в СИ) - очень большая

единица измерения электроемкости. Так, как следует из (4.6), емкость Земли
C  7,1 104  Ф   0, 71103  мкФ 
оказывается равной: 3 .
Если приблизить к заряженному проводнику другие (незаряженные)
проводники, то его потенциал уменьшится, так как на соседних
проводниках будут индуцироваться заряды, причем ближе к заряженному
телу – заряды противоположного знака, дальше – с меньшей поверхностной
плотностью заряды одноименного знака (рис. 4.8). Часть силовых линий
от заряженного проводника “замкнется” на другом проводнике.

Рисунок 4.8
В результате такого перераспределения площадь, по которой
распределяется заряд, в системе эффективно увеличится, а его
поверхностная плотность и, соответственно, напряженность поля вне
проводника уменьшится. Это значит, что уменьшится и работа по
переносу заряда из бесконечности на поверхность проводника и его
потенциал.
Уменьшение потенциала при заданном заряде, как следует из (4.5),
увеличивает электроемкость системы. Особенно эффективно емкость
увеличится, если второй проводник будет представлять собой замкнутую
полость, внутри которой расположен первый проводник. В этом случае
накопление зарядов на проводниках определяется работой по переносу
зарядов с одного проводника на другой в электрическом поле,
сосредоточенном между проводниками.
4.2.2. Конденсаторы
Возможность свободного перемещения зарядов (электронов) по
проводникам и их эффективное удержание на поверхности используют
для создания накопителей электрического заряда и, следовательно,
электрической энергии. Такие системы называют конденсаторами.
Обычно конденсаторы состоят из двух изолированных проводников,
расположенных на малых по сравнению с размерами их поверхностей
 66

расстояниях. Конфигурация проводников (обкладок конденсатора) выби-

рается таким образом, чтобы электрическое поле, возникающее между
ними в результате помещения равных по модулю зарядов с одного про-
водника на другой, было сосредоточенно в основном внутри конденсатора.
Электрическую емкость конденсатора определяют как отношение
модуля заряда на одной из обкладок к модулю разности
потенциалов между ними:
q q
C= =
1  2 U
. (4.7)
4.2.3. Примеры расчета емкости конденсатора

Плоский конденсатор – две металлические пластины, площадью S ,

разделенные тонким слоем диэлектрика. Электрическое поле,
сосредоточенное между пластинами, практически однородное.
Неоднородность и “провисание” поля в окружающее пространство имеет
место лишь на границах пластин (краевой

эффект) (рис. 4.9). Полагая
a, b  d , будем считать, что поле E создается в пространстве двумя
 
 
заряженными плоскостями с + , - . Тогда для поля вне
 Eex  
и между in
E 
пластин получаем:
 
Ein  2 =
Eex  0 , 2 0  0 , (4.8)
где  – диэлектрическая проницаемость среды между пластинами.

1   2 =U =Ed ,

q S  0 S
C= = =
U d d
 0 . (4.9)
 67

Рисунок 4.9

Рисунок 4.10

Цилиндрический конденсатор. С помощью теоремы Гаусса находим

поле между цилиндрами

q 2 R1 h
 Er dS r =
 0
=
 0
( Sr )
,

2 R1 h
Er 2 rh =
 0 , (4.10)
R1
Er =
 0 r ,

R2

U =1   2 =  Er dr =
R1

 R1 R q R
= ln 2 = ln 2 .
 0 R1 2 h 0 R1 (4.11)

2 h 0
C=
R
ln 2
R1 . (4.12)
 68

Сферический конденсатор
q 1 1 
U =1  2 =   
4 0  R1 R2 
,
\\

R1 R2
C =4 0
R2  R1 . (4.13)
4.2.4. Конденсаторные батареи (соединения конденсаторов)
При использовании конденсаторов их часто соединяют между собой,
образуя единую конденсаторную систему – “батарею” конденсаторов.
С батареи по-прежнему определяют отношением заряда, сообщенного
батарее к напряжению на выходных контактах системы, т.е. формулой
(4.7). Комбинируя разные способы соединения, можно получить батареи
различной емкости и максимально допустимого напряжения, до которого
можно заряжать батарею. Существуют два основных вида соединения
конденсаторов: параллельное и последовательное.
При параллельном соединении (рис. 4.11) напряжение на всех
конденсаторах одинаково, а общий заряд батареи равен сумме зарядов
отдельных конденсаторов:

U1 =U 2 =... U n =U , q =q1  q2  ...qn .

n
q q
q
Ci = i C= =  i =  Ci
Так как U , то U i=1 U i=1 . (4.14)

Рисунок 4.11

Если конденсаторы соединены последовательно (рис. 4.12), то общий

заряд батареи равен заряду каждого конденсатора, т. к. в изолированной
системе проводников происходит только перераспределение зарядов.
Полный заряд в этой области в силу закона сохранения заряда
остается равным нулю. Напряжение на батарее равно сумме напряжений
на отдельных конденсаторах:
 69

q1 =q2 =q3 ...qn =q , U =U1  U 2  ...U n .

q
U=
Так как C , то в результате находим:
n n
q 1
U = =  U i =q 
C i =1 i =1 Ci
,
n
1 1
=
т.е. C i =1 Ci . (4.15)

Рисунок 4.12

4.2.5. Слоистый конденсатор

Если в конденсатор ввести металлический или дополнительный

диэлектрический слой, то его емкость изменится. Рассмотрим для примера
два случая.
Пусть в плоский конденсатор ввели параллельно обкладкам
металлическую пластинку толщиной d1 (рис. 4.13). Как видно из рисунка, в
результате образуются два последовательно соединенных конденсатора:
1 1 1 x d  x  d1 d  d1
=  =  =
Cоб Cx Cxd  0 S  0S  0S

0S d
Cоб = =C C
d  d1 d  d1 . (4.16)
Электрическая емкость системы уменьшается. Причем местоположение
пластины в зазоре не имеет значения.
 70

Предположим теперь, что введенная пластина - диэлектрик с

проницаемостью  .

Рисунок 4.13
Представим себе, что вплотную к границе диэлектрика ввели очень
тонкие металлические пластины. В соответствии с (4.16), емкость системы
при этом не изменится, но в результате получаются три последовательно
соединенных конденсатора:

1 x d  x  d1 d
=  + 1 =
Cоб  0 S 0S  0 S
d  d1 d  d  d1    1
=  1 =
 0 S  0 S  0 S ,
1
Cоб =C .
d1    1
1
d
Так же как и для металлической пластины, результат не зависит от
местоположения диэлектрика в зазоре.

5. Энергия электростатического поля

5.1. Энергия заряженных проводников
5.1.1. Уединенный проводник
При сообщении проводнику заряда внешняя сила совершает работу
по преодолению кулоновского отталкивания перемещаемого заряда
зарядами, уже находящимися на поверхности:
dA=dq =C d ,
где  – уже имеющийся потенциал проводника (относительно бесконеч-
ности), а dq – переменный заряд.
dq =Cd .
 71

Полная работа по зарядке проводника до потенциала  определит

его электростатическую энергию

 2 q 2 q
A=Wq =  C d =C = =
2 2C 2
0 . (5.1)
Нетрудно сообразить, что эту энергию можно рассматривать как
энергию взаимодействия электрических зарядов на поверхности
проводника. Действительно, воспользовавшись формулой (2.32) для
энергии взаимодействия зарядов на поверхности:
1
U in =   dS
2 (S)
и учитывая, что поверхность проводника имеет одинаковый потенциал
 =const , немедленно получаем (5.1).

5.1.2. Энергия заряженного конденсатора

Для конденсатора, т.к. он имеет две заряженные поверхности,
находим:
1 1 1
Wc =  1q1dS    2 q2 dS =  1q1  2 q2  =
2 (S1 ) 2  S2  2 q1 = q2 =q

1 1 q2 CU 2
=  1
   2 q = Uq = = .
2 2 2C 2 (5.2)
5.2. Энергия электрического поля
5.2.1. Плотность энергии электрического поля в конденсаторе
Преобразуем в плоском конденсаторе соотношение (5.2).

В нем E =const , U =Ed . Поэтому:

CU 2  0 S  E 2
  Ed  = 0
2
Wc = = Sd =WEV
2 2d 2 , (5.3)
где V – объем полости между пластинами конденсатора, а
 0 E 2 ED Wc
WE = = =
2 2 V , (5.4)
имеет смысл плотности энергии, запасенной в электрическом поле в
пространстве между пластинами.
W
Вместо трактовки, что q , WC - энергия взаимодействия зарядов,
появляется другая, чем в 5.11, интерпретация. Энергия заряженного
конденсатора - это запас энергии электрического поля, которое заключено
между пластинами конденсатора, т.е. в пространстве, где существует
электрическое поле.
 72

5.2.2. Энергия и ее плотность произвольного электрического поля

Фундаментальный по своей сути вывод предыдущего пункта, который
следовал из частного рассмотрения однородного поля плоского
конденсатора, может быть получен из рассмотренных выше общих
представлений для произвольного электрического поля. Для этого
предположим, что в некоторой области пространства имеется произвольно

распределенный с объемной плотностью   электрический
 r
заряд.
Преобразуем формулу (2.32) для энергии взаимодействия зарядов:
1 1  3
2 V 2 V
W=  d 3
r =  divDd r,
    
div D = divD  Dgrad = divD  ED,
1  1 
W =  EDd 3 r   div Dd 3 r .
2V 2V
По теореме Остроградского-Гаусса:
 3  
 div D d 
r =   DdS
V S .
На больших расстояниях:
1 1
 D
r, r2 .
Поэтому  
  DdS 0
S ,
S при
и, следовательно, для энергии поля, заключенного во всем пространстве,
получаем:
1 
WE = 
2 V 
EDd 3 r
. (5.5)
Из (5.5) следует, что плотность энергии поля равна:
1 
w= ED
2 . (5.6)
Формула справедлива для любого диэлектрика.
 
Для изотропного диэлектрика D = 0 E и (5.6) дает формула (5.4).
 
Учитывая, что
D = 0  P , имеем:
E

 0 E 2 EP
w= 
2 2 . (5.7)
Первое слагаемое совпадает с плотностью энергии поля в вакууме, второе –
плотность энергии, затрачиваемой на поляризацию диэлектрика.
В диэлектрике поле в  раз меньше чем в вакууме. Поэтому плотность
энергии электрического поля в областях пространства, где имеются
диэлектрики, оказывается в  раз меньше:
 73

2
 E 2   E  1  E 2 1
wE = 0 = 0  0  = 2 0 0 = w
2 2     2  . (5.8)
5.2.3. Энергия диэлектрических тел во внешнем электрическом поле

Пусть диэлектрик помещают во внешнее электрическое поле,

создаваемое заданной системой сторонних электрических зарядов
(например, между обкладками заряженного конденсатора). В отсутствие
1   1
w0 = E0 D0 =  0 E02
диэлектрика: 2 2 ;
1  1
w= ED =  0 E 2
при его наличии: 2 2 .
Следовательно, энергия диэлектрика, помещенного во внешнее
электрическое поле, равна:
0
WD =W  W0 =   w  w0  d 3r = 
2 (V )
  E 2  E02  d 3r
(V )
,
где V – объем диэлектрика,
 E02   1   E0  
 0   E  E  = 0   E02  = 0 E02 
2 2
0  =   E
0 0  =  E0P
      
,
- диэлектрическая восприимчивость;

P - поляризуемость диэлектрика.

Таким образом, окончательно находим:

1   3
W0 =   E0 Pd r  0
2 (V)
. (5.9)
Электрическая энергия диэлектрика во внешнем электрическом поле
отрицательна. Чем больше E0 и поляризуемость (т.е.  ), тем она меньше.
Попав в неоднородное поле, диэлектрик будет стремиться переместиться
в область наиболее сильного электрического поля. Наконец, из формул
(5.7) – (5.9) следует важное утверждение: увеличение диэлектрической
проницаемости среды ведет к уменьшению полной энергии поля.
6. Постоянный электрический ток
6.1. Сила и плотность электрического тока
Если среднее значение алгебраической суммы зарядов, пересекающих
некоторую поверхность, отлично от нуля, то говорят, что через эту
поверхность течет электрический ток. Частицы, несущие заряд в данном
проводнике – носители тока. В металлах носителями тока являются
валентные электроны. Именно они могут свободно перемещаться по
кристаллу. Остальные электроны жестко связаны с ядрами атомов (ионов),
 74

находясь в узлах кристаллической решетки. В ионизированном газе

(плазме) или электролитах носителями тока могут быть как электроны,
так и ионы. В отсутствие электрического поля все заряды движутся
хаотично,
 
имея среднее значение вектора скорости, равное нулю
   =  w  =0 . Поэтому ток через любую поверхность также равен нулю.
При наложении 
внешнего поля кроме тепловой составляющей вектора
скорости  w  у заряженных частиц появляется составляющая движения

 u  , направленная (в зависимости от знаков заряда) вдоль или против
    
вектора напряженности поля E ,    =  w    u  =  u  - дрейфовая
скорость. В результате упорядоченного движения (дрейфа) зарядов
возникает электрический ток (перемещение электрических зарядов под
воздействием электрического поля).
Сила тока I измеряется количеством заряда, прошедшего через
выделенную поверхность, обычно поперечное сечение проводника, в
единицу времени.
dq
I=
dt . (6.1)
Сила тока – псевдоскаляр, т.к. направленный поток зарядов через
избранную поверхность может реализоваться в двух направлениях.
Положительным направлением тока считают направление, в котором
перемещаются положительные заряды. За единицу электрического тока
принимается 1 Ампер.
При наличии в проводнике разных по знаку носителей тока, например,
электронов и ионов, величина I складывается из двух составляющих: \

dq dq
I 
dt dt . (6.2)

Второе слагаемое входит с положительным знаком, так как перенос

отрицательного заряда в одном направлении равнозначен переносу такого
же по величине положительного заряда в противоположном направлении
(рис. 6.1).
 75

Рисунок 6.1
Ток может быть распределен в сечении проводника неравномерно и
по-разному направлен. Для его локальной характеристики используют
вектор плотности тока:
 dI 
j eu
dS  , (6.3)
где dS - площадка  направлению

тока (средней скорости u ).

Направление вектора j
совпадает с направлением вектора средней

e
скорости положительных зарядов u :
  
j  e n u  e nu , (6.4)

где n – локальная концентрация носителей заряда, u - скорость
упорядоченного движения, которую часто называют скоростью дрейфа.
Поле вектора j обозначается аналогично силовым линиям поля E .
Чтобы получить формулу (6.4), рассмотрим движение зарядов через
элементарную площадку dS в проводнике, нормаль к которой направлена
под некоторым углом  к дрейфовой скорости зарядов q (рис. 6.2). За
время dt через площадку пройдут все заряды, находившиеся в объеме:
dV  dl  dS  udt  dS  ,

Рисунок 6.2
и, следовательно, для плотности тока зарядов q
dN q  nq dV  nqudt  dS 
т.е.
(например, электронов) получаем:
 76

dQq  eneue dt  dS 
,
dQe 1
je    eneue ,
dt dS 
 
je  je eu .

6.2. Уравнение непрерывности. Связь силы тока с его плотностью

Вектор плотности тока – это вектор, направление которого
совпадает с направлением скорости дрейфа положительно
заряженных частиц, а модуль численно равен отношению силы тока
через рассматриваемый элемент площади dS проводника,
 dS 
  
  dS n  eu
перпендикулярный скорости дрейфа к площади этого
элемента.
Силу тока I можно рассматривать как поток вектора плотности тока
через поверхность S  
I   jdS
.
S (6.5)
Если плотность тока по поперечному сечению S проводника
одинакова, то
I  j  dS   jS

S . (6.6)
Поток вектора j через замкнутую поверхность равен скорости
убывания положительных зарядов в объеме, заключенном внутри
данной поверхности.

Рисунок 6.3
Поскольку:
dq d  3
dt
 
dt V
 d 3r  
t
d r
V ,
То, используя теорему Остроградского-Гаусса:
   3
S jdS   divjd r
V , (6.7)
находим:
 77

 
divj  
t . (6.8)
Это соотношение называют уравнением непрерывности. Уравнение есть
математическое выражение сохранения электрического заряда. Количество
электрических зарядов определенного знака в замкнутом объеме может
изменяться только из-за разности потоков “втекающих” и “ вытекающих”
зарядов через поверхность, окружающую рассматриваемый объем (рис. 6.3).
Возникновение и исчезновение зарядов разного знака всегда происходит
только так, чтобы их алгебраическая сумма была равна нулю.
“Источниками” линий тока могут быть только “точки”, в которых
убывает заряд, “стоками ” - где заряд растет.

0
Для постоянного тока: t .
Следовательно, в данном случае линии тока должны быть замкнутыми.

divj  0 . (6.9)
6.3. Элементарная теория электропроводности
6.3.1. Средняя направленная скорость заряженных частиц в
проводниках
Из формул (6.4), (6.5) следует, что при известной концентрации
носителей тока для определения плотности и силы электрического

тока

необходимо знать скорость дрейфа зарядов u в поле E .
Чтобы установить количественную связь между u и характеристиками
движения отдельных носителей тока учтем, что хаотическое тепловое
движение частиц возникает из-за их случайных взаимодействий с
неоднородностями микроструктуры проводников. В газах такими
“неоднородностями” оказываются атомы и молекулы вещества, в
твердых телах - микронеоднородности кристалла (отклонения атомов от
равновесного положения из-за тепловых колебаний, примеси, дефекты
структуры и т.п.).
Процесс взаимодействия отдельных частиц с такими неоднородностями
обычно носит кратковременный характер по сравнению с общим временем
перемещения. Поэтому их называют столкновениями. В такой модели
изменения состояния равномерного движения микрочастицы между
столкновениями происходит только в результате действия внешних
силовых полей. Будем считать приближенно, что каждое столкновение
случайным образом изменяет направление движения рассматриваемого
пробного заряда. Тогда его скорость в направлении действия внешней силы
будет приобретаться заново каждый раз между столкновениями.
Следовательно,
    
v  w  a  a  u
, (6.10)
 78


где a - ускорение в поле силы,  - время между столкновениями.
 e 
a E
Так как для электрона в электрическом поле m , то
  e 
u  a    E
m . (6.11)
ze
b 
Величину m (6.12)
называют подвижностью носителей тока с зарядом z (в единицах
элементарного заряда e, для электронов qe  e , ze  1 , q  e, z  1 и т.д.).
6.3.2.Электропроводность и закон Ома в дифференциальной форме
Подставив (6.11) в (6.4), получаем
 e  n e2  
je  ene (  ) E  e  E   E
m me (6.13)

ne e 2
 
где me (6.14)
- коэффициент пропорциональности   
между j и E называется
удельной электропроводностью среды, а сама формула (6.13) - законом
Ома в дифференциальной форме.
Величина, обратная
 , определяет удельное электрическое сопротивление
1

вещества  .

6.3.3. Закон Ома для однородного участка цепи

Однородным называют участок проводящий среды, в которой
направление перемещения электрических зарядов поддерживается только
электрическим полем. Однородными являются металлический стержень
(рис. 6.4), электрические провода, специально изготовленные элементы с
проводящими покрытиями (резисторы) и т.п.
Установленная сначала экспериментально линейная связь между силой
тока и приложенным к этому участку напряжением называют законом
Ома.
IR  a  b  U ab , (6.14а)
где R - сопротивление (электрическое) проводника (рассматриваемого
участка).
Докажем это соотношение для участка цепи проводника постоянного
поперечного сечения S длиной l (рис. 6.4).
 79

Рисунок 6.4

В каждом элементе проводника плотность тока связана с

напряженностью поля соотношением (6.13)
 
j E.

Если проводник однороден по длине и поперечному сечению, то

  
E  E ( x)  const , j  const ,
 lSj   lI  ElS    a  b  S  U ab S .

То есть получаем (6.14а)

l
I  U ab
S ,
где соотношение
l
R
S (6.15)
дает простейшую связь между сопротивлением участка проводника и его
удельным сопротивлением. Единицей измерения сопротивления
 B
Oм  A 
проводников (резисторов) является 1 Ом .
Удельное сопротивление некоторых металлов при нормальной
температуре и давлении
 T  273K , P  105 Па 
приведено в таблице.
Металл
 (Ом  м) 108
T 0 C0

Al 2,5
Au 2,1
 80

Pt 9,8
Fe 8,7
W 4,9
Sn 10
U 20
Pb 19
Cs 19
Hg 95
Bi 107
C(графит) 800

6.4. Закон Джоуля – Ленца

При протекании электрического тока в проводнике выделяется
тепловая энергия. Это связано с тем, что при каждом рассеянии носителя
тока скорость, приобретённая им под действием поля между столкновением,
становится приращением хаотической, т.е. тепловой скорости. В результате
энергия, приобретаемая зарядами в электрическом поле, превращается в
тепловую энергию хаотического движения, которая затем передается другим
элементам проводника. Энергия хаотических (тепловых) колебаний ионов
(атомов) твердого тела около их положения равновесия возрастает,
увеличивается внутренняя энергия всего проводника, сопровождающаяся
ростом его температуры. Температура перестает расти, когда ежесекундно
поступающая за счет работы электрического поля по поддерживанию тока
энергия становится равной количеству теплоты, передаваемой от
проводника окружающей среде.
Закон Джоуля - Ленца устанавливает количественную связь между
количеством теплоты, выделяемом в проводнике, и протекающим по
нему током.

6.4.1. Работа и мощность тока

Найдем количество тепла, выделяемого в однородном участке
электрической цепи (проводника) с сопротивлением R (рис. 6.4). Для
поддерживания тока электрическое поле должно совершать работу по
переносу заряда из S a в Sb , равную
 A  q  a  b   IU ab t
. (6.16)
Эту работу часто называют работой тока. Обратим внимание, что из
приведенного соотношения следует одиночный смысл понятия – напряжение
на участке цепи. Это величина, равная работе по пересечению пробного
заряда через рассматриваемый участок цепи, отнесенный к значению этого
заряда.
Если никакие иные процессы, кроме хаотизации направлений скорости
носителей тока, не происходят (химическая реакция, механическое
 81

движение проводника и т.п.), то A будет определять количество

выделившегося за t тепла:
U2
 A   Q  IU t  I 2 Rt  t
R . (6.17)
A 2
U
 IU  I 2 R 
Величину t R называют мощностью тока.

6.4.2. Закон Джоуля – Ленца в дифференциальной форме

Применим закон Джоуля - Ленца к очень малому объему проводника
dV  dldS в виде цилиндра, ось которого совпадает с направлением тока.
Тогда в (6.17) можно записать:
dl
I  jdS , R   ,U  Edl
dS .

Это дает
dP   j 2 dSdl   j 2 dV .
Следовательно, плотность мощности тока, общая плотность тепловой
энергии, выделяемой в проводнике при протекании тока, определяется
соотношением:
 j 2
w   j   E  jE 
2 2

 . (6.18)
В заключение еще раз обратим внимание на важное обстоятельство.
Соотношения (6.17), (6.18) определяют мощность, развиваемую током на
определенном участке проводника. Форма, вид выделяемой при этом
энергии совсем необязательно является теплотой. Она зависит от
физической природы тех факторов, которые имеют место на
рассматриваемом элементе цепи.
Только в том случае, когда падение потенциала определяется
омическим сопротивлением участка, энергия выделяется в виде теплоты. В
других случаях, например, в электрических двигателях постоянного тока
дополнительное падение напряжения обусловлено совершением
механической работы.
Если тепловые потери малы, то вся мощность тока превращается в работу,
а не в тепло. В антеннах радиостанций часть мощности тока
превращается в энергию излучения электромагнитных волн и т.п.
6.5. Закон Ома при наличии сторонних сил
6.5.1. Сторонние силы в электрических цепях
Рассмотрим условия, при которых на однородном участке проводника
(рис. 6.5) между “a” и ”b” будет поддерживаться постоянный электрический
ток.
 82

Пусть это однородный    const  ,

прямолинейный и длинный   l  S

проводник.
Первый вопрос – каким образом
при заданной разности потенциалов на
концах проводника a , b в нем
формируется электрическое

поле.
Внутри проводника поле E должно
быть стационарным и постоянным в
пространстве и направленным
вдоль проводника, так как через любые
Рисунок 6.5 сечения протекает одинаковый ток

I   ES , то  E  Eex , En  0  .


Электрические заряды на торцах проводника не могут создавать

такое поле, поскольку при l  S их поле будет близко к нулевому, т.е.
1

изменяться с расстоянием r 2 . Но тогда остается предположить, что
главным источником поля должны быть заряды, распределенные
непосредственно по проводнику. Однако объемные заряды при протекании
тока по однородному проводнику должны отсутствовать. Действительно,
т.к. рассматривается стационарный случай, то из уравнения
неопределенности (6.8) , следует: 
divj  0,
 dj
divex j   0.
dx
Поэтому из дифференциальной формы 
закона Кулона получим:
 dE d j d 1
  div 0 E   0  0 ( )  0 j  
dx dx  dx    .
И, если   const , то и  во всем проводнике должна быть равной нулю.
Таким образом, в проводнике источником стационарного электри-
ческого поля, обеспечивающего постоянный ток, является определен-
ным образом распределенные по проводнику поверхностные заряды.
Вторая проблема – необходимо отводить заряды с торцов проводника,
т.е. осуществлять ” возврат ” зарядов с одного торца на другой (рис. 6.5).
Ее решение возможно только, если электрическая цепь замкнута. Однако
просто замкнутая цепь не приведет к желаемому результату, т.к. обратное
движение зарядов в этом случае должно происходить против сил
электрического поля. Таким образом, все электрические цепи, по которым
 83

протекает электрический ток, должны быть замкнутыми, и на участке

возврата следует обеспечить перемещение зарядов против сил электричес-
кого поля. Последнее достигается с помощью устройств (источников тока),
в которых на заряды действуют силы неэлектрического происхождения,
приводящие к разделению зарядов. Такие силы называют сторонними.
Сторонние силы могут быть обусловлены химическими реакциями (раз-
личные гальванические элементы, например аккумуляторы), иметь электро-
магнитное происхождение (как в генераторах на электростанциях), обеспечи-
ваться воздействием света на вещество (фотоэлектрические батареи) и т.д.
Распределение этих сил в пространстве зависит от механизма разделения
зарядов. Так в электрогенераторах действие сторонних сил происходит на
протяженных участках устройства. В электрических батареях разделение
зарядов происходит в слоях молекулярной толщины, непосредственно
примыкающих к электродам. Например, если опустить цинковую пластину
Z n в раствор серной кислоты H 2 SO4 , то Z n будет растворяться. Однако в
раствор уходят не атомы, а ионы. Раствор заряжается положительно, а
пластина отрицательно. При некотором (электрохимическом) потенциале
пластины относительно раствора процесс прекращается. Поместив в
раствор электрод из другого материала (например, Сu ) и с иным
электрическим потенциалом, получают источник тока (разделенных зарядов).
Практически весь раствор в нем играет роль обычного проводника.
На рис. 6.6а приведено распределение потенциала в таком элементе при
отсутствии тока. Разность потенциалов между электродами равна разности
электрохимических потенциалов Сu и Zn .

Части цепи, где наряду с кулоновскими

присутствуют сторонние силы,
называют неоднородными. При этом
доля участка, в котором действуют
сторонние силы, не имеет значения.
Таким образом, наличие источника
тока (сторонних сил) в замкнутой цепи
приводит к появлению электрических
зарядов на границах однородного
участка (т.е. проводника).
Кулоновское поле этих зарядов,
воздействуя на заряды проводника
вблизи электродов, формирует
дальнейшие коллективные
взаимодействия других зарядов,
обеспечивая необходимое для
 84

существования постоянного поля распределение поверхностей плотности

зарядов по длине цепи.

Рисунок 6.6

6.5.2. Закон для неоднородного участка цепи (обобщенный закон Ома)

Для количественного описания действия сторонних сил используется
понятие электродвижущей силы (ЭДС). ЭДС - это коэффициент
пропорциональности между работой сторонних сил по перемещению
пробного заряда вдоль участка контура, где действуют эти силы, и
значением этого заряда q

Aст  q , или
A
ст

q . (6.19)
Работа сторонних сил Aст  0 и, следовательно,   0 , если перемещение
положительных зарядов (направление тока) внутри источника происходит
от отрицательного электрода к положительному (а отрицательных
наоборот). В противоположном случае Aст  0 и   0 . Для локальной
характеристики действия сторонних сил часто вводят понятие

напряженности поля этих сил Eст . По аналогии с полем E для Eст следует
записать:
 
qEст  Fст . (6.20)
Соответственно

элементарная работа сторонних сил по переносу
заряда на dl :
   
 Aст  Fст dl  qEст dl .

E
Работа ст на участке цепи 1-2
2
 
A12  q  Eст dl q ст
1
2

 
ст   Eст dl
1 , (6.21)
т.е. определяет ЭДС на участке цепи l12 .

Условное изображение неоднородного участка цепи и источника тока на

участке приведено на рис. 6.7. Как и любой проводящий электрический ток
участок электрической цепи источник имеет некоторое (внутреннее)
r
сопротивление .
 85

Так как на участке действует как электрическая, так и сторонняя силы,

то работа на участке равна:
Aa b  qU a b  Ak  Aст  q(a  b )  q

U a b   a  b   q
. (6.22)

Рисунок 6.7

Напряжение U a b - определяет работу всех сил, действующих на участке

цепи, и равно алгебраической сумме напряжения, обусловленного разностью
потенциалов и ЭДС.
В (6.22)  - модуль ЭДС. Знак “+” следует использовать для случая
рис. 6.7а, т.к. работа сторонних сил при протекании тока I здесь
положительна и ЭДС больше нуля. Знак “-” соответствует схеме рис. 6.7б
(знак ЭДС в цепи следует определять, задав направление тока!).
Формулу (6.22) нетрудно получить из дифференциальной формы
закона Ома. Плотность тока в каждом элементе проводника определяется
 
векторной суммой E  Eст :
 
 .

j   E  Eст

Полагая   const , по перечным сечениям участка цепи находим:

  b
j   jdlS   b  
 E  Eст     Edl   Eст dl 
 S a a

 Rоб I  a  b    U a b ,
b
dl
Rоб  r  R   ;
 S
где и I  jS .
a

Таким образом, ток в неоднородном участке определяется его полным

сопротивлением и напряжением между площадями участка:
U a b a  b  
I 
rR rR . (6.23)
 86

6.5.3. Закон Ома для полной ( замкнутой ) цепи

Если в рассмотренном участке цепи рис. 6.7 токи a и b соединить, то

получим простейшую замкнутую цепь (рис. 6.8).
Напряжение в цепи равно:

I (r  R )   ,и rR .
I
(6.24)
Применяем закон Ома для участка 1-2 внешней нагрузки R и неоднородного
участка 2-1. Из (6.22 и 6.23) следует:
U12  1   2  IR,
U 21   2  1    Ir.

То есть,
U12    Ir (6.25)
- падение напряжения на резисторе R внешней цепи совпадает с
падением напряжения на зажимах источника.

Рисунок 6.8
Иными словами, сторонние силы, обеспечивая разделение зарядов в
источнике тока, в процессе протекания тока компенсируют потери энергии
на однородных участках цепи. Таким образом, единственной причиной
существования тока в элементарных цепях являются сторонние силы.
Этот вывод иллюстрирует рис. 6.8б. При замыкании ключа k по цепи течет
ток от 1 к 2 и затем в источник от 2 к 1.
Работа электрического поля на однородных участках:
A  q(3  4 )  q(1   2 )
,
где первое слагаемое - работа поля внутри источника (на r ) по преодолению
сил сопротивления среды направленному движению зарядов, второе
слагаемое аналоговая работа на внешней нагрузке.
Работа сторонних сил против сил электрического поля совершается на
участках 2-3, 4-1 и равна:
Aст   A    q (3  2 )  q (1  4 )   q
.
Из сравнения двух равенств видим, что:
Aст  A  q .
Таким образом, полная мощность выделяемого в цепи постоянного тока
всегда равна:
 87

P  I . (6.26)

6.5.4. Правила Кирхгофа

Эти правила используются для расчета разветвленных цепей. Пример
такой цепи приведен на рис. 6.9.
Правила являются следствием закона Ома для каждого из замкнутых
контуров и закона сохранения заряда в каждом узле цепи.
1) Сумма алгебраических значений сил токов в каждом узле равна
нулю, т.к. электрический заряд при постоянном токе в любом элементе
цепи не должен изменяться:
 I k 0
k. (6.27)
2) Сумма алгебраических значений сторонних ЭДС равна сумме
произведений алгебраических значений сил токов на сопротивление
соответствующих участков для каждого из замкнутых контуров:
  I R   
k k k
k k . (6.28)
При использовании (6.27) и (6.28) следует придерживаться следующей
схемы.
1. Произвольно выбрать направление токов на всех участках цепи.
2. Указать положительное направление обходов контура и действия
ЭДС по отношению к изображенному направлению токов.
3. Записать уравнение типа 1, 2 с учетом знаков токов и ЭДС.
Выписывая уравнения для замкнутых контуров, нужно следить за
тем, чтобы следующее содержало хотя бы одну неизвестную величину
тока. Аналогично следует поступать и при записи суммы токов для
узлов. Чтобы система имела единственное решение, уравнения должны
быть линейно независимыми и число их должно равняться числу
неизвестных.
Число независимых уравнений типа (6.27) равно N  1 , где N - число
узлов. Число независимых уравнений типа (6.28) равно наименьшему
числу разрывов, которые необходимо сделать, чтобы ликвидировать все
контуры разветвленной цепи.
Продемонстрируем сначала правило 2) на примере неразветвленной
цепи (рис. 6.10) в соответствии с выбранным направлением тока и обхода:
I (r1  R1  R2  r2 )  1   2
откуда
I
 2  1
r1  R1  R2  r2 .
В схеме рис. 6.9 имеем два узла и число разрывов, делающих цепь
незамкнутой тоже два. Поэтому число уравнений типа (6.27) – одно, а
 88

(6.28) – два. Для избранных направлений токов, используя внутренние

контуры, находим:
I1  R1  r1   I 2  R2  r2   1   2 ,
I 2  R2  r2   I 3  R3  r3    2   3 .

Для известных параметров цепи уравнения позволяют найти все токи.

Рисунок 6.9 Рисунок 6.10

7. Стационарное магнитное поле в вакууме

Взаимодействие неподвижных точечных зарядов полностью описывается
законом Кулона. Так как поле неподвижных зарядов электростатическое, то
их воздействие на движущиеся пробные заряды также остается кулоновским.
Однако, когда силовое поле создается движущимися зарядами, в силе
взаимодействия появляется дополнительная динамическая составляющая,
пропорциональная скорости этих зарядов, которая, как теперь ясно, имеет
релятивистское происхождение.
Эта физическая составляющая была фактически обнаружена задолго до
установления ее физической природы. Для ее феноменологического описания

был введен в силу взаимодействия дополнительный вектор B - магнитной
индукции. Обобщив данные в конце ХIX века, Х. Лоренц предложил
универсальную формулу воздействия электромагнитного поля на движущийся
заряд    
F  qE  q  B , (7.1)
названную впоследствии силой Лоренца. Второе слагаемое 
можно
использовать для феноменологического определения B , как векторного
коэффициента пропорциональности между ”магнитной составляющей
силы”, значением заряда q и его скоростью  .


Из (7.1) следует, что составляющая силы, действующая на пробный заряд

перпендикулярна скорости и вектору магнитной индукции и ее значение
равно:
FB  q B . (7.2)
Коллективное направленное движение зарядов – это, по определению,
электрический ток. Поэтому одним из макроскопических проявлений
 89

существования магнитного поля является магнитное взаимодействие токов:

проводники с сонаправленными токами притягиваются, с
антинаправленными - отталкиваются.
Все существующие к настоящему времени опыты и наблюдения
свидетельствуют о том, что силовые линии магнитного поля всегда являются
замкнутыми кривыми. Это означает, что для любого поля поток вектора B
через произвольную замкнутую поверхность всегда будет равен нулю:
 
 BdS  0 . (7.3)
 S
Соответственно теорема Остроградского – Гаусса дает универсальную
локальную характеристику магнитного поля:
   3
S BdS  V divBd r 0
  ,
и т.к. S и V произвольны, то

divB  0 . (7.4)
Из этих соотношений следует фундаментальный вывод: магнитное поле не
имеет источников и стоков! Ни в одном природном явлении до сих пор не
обнаружено магнитных зарядов (магнитных монополей). 
Таким образом, в отличие от электрического поля E поле B является
только вихревым. Поэтому, если для электростатического поля мы имеем
циркуляцию  
 Edl  0
 l

,
rotE  0 ,

то при расчете циркуляции B , например, вдоль силовой линии должно иметь
место:
 
 Bdl 0
 l . (7.5)
Приведенные обстоятельства говорят о принципиальном отличии
магнитного и электростатического полей. Изложенные ниже элементы
теории электромагнетизма подтвердят приведенные утверждения.
Магнитное взаимодействие движущихся зарядов и, соответственно,
магнитное поле токов было обнаружено Ампером и Эрстедом (1820 г.).
7.1. Преобразование Лоренца и магнитное взаимодействие
7.1.1. Магнитная индукция движущейся равномерно заряженной
плоскости
Найдем изменение, которое имеет место во взаимодействии зарядов при
их движении.
 90

Для этого проанализируем воздействие равномерно заряженной плоскости

на заряд q .
В некоторой системе отсчета S1 плоскость покоится, ее уравнение: Z1  0 ,
а плотность электрического заряда на ней  1 (рис. 7.1). Над плоскостью
 
q q1  q1ex1
движется заряд со скоростью . Поле плоскости
 1 
E1  ez
электростатическое: 2 0 ,
и сила, действующая на заряд, равна
    
Fq1  qE1ez  q 1 ez  Fq1 ez  const
2 0
, (7.6)
т.е. является электростатической кулоновской
S 1
силой. Уравнение движения заряда в имеет
вид:  
dp 1
 Fq1
dt1 ,
Рисунок 7.1
или:
 
dpz1
 F1
dt1 . (7.7)
“Правильные” законы динамики должны выглядеть одинаково в любой
инерциальной системе отсчета. Поэтому в системе S , движущейся со
 
скоростью  S   S ex , где заряды плоскости также перемещаются относительно
 
  q
наблюдателя со скоростью q q1 , для заряда запишем:
  dp
dp
 Fq ; z  F ;
dt dt
dpx dp
 0; y  0.
dt dt (7.8)
q
Чтобы найти, какая сила действует на заряд со стороны движущихся
зарядов плоскости, установим связь между левыми частями (7.7) и (7.8) ,
воспользовавшись преобразованиями Лоренца (см. механика).
Так как система S движется относительно S1 , то для изменения z -
компо-ненты импульса и времени имеем:
 91

dpz  dpz1 ,
 s x1  s dx1  sq1
t1  dt1  1 
t c 2  dt  c 2  dt c2 .
1 1
s 2 s 2  s 
2 2
1 2 1 2
c c 1  2 
 c 

Подставляя это соотношение в (7.7), находим связь между z компонентами

силы в S1 и S системах.
s 2 s 2
1 1 
dpz dpz1 c2  F c2
Fz  F  
dt dt1  sq1 1
 s q1
1 
c2 c 2 , где F1 определяется формулой (7.6),
S
куда входит  1 - плотность зарядов, определяемая в системе 1 . Чтобы
выделить электрическую часть силы, которую определяет наблюдатель в S ,
следует связать плотность  1 с  .
Для этого учтем, что
qs qs
 , 1 
xy x1y1

s 2
y  y1 , x  x1 1  2
и c . (7.9)
Элементы длины в движущейся системе отсчета вдоль движения
сокращаются. Поэтому поверхностная плотность зарядов
s 2
1   1 
c2 (7.10)
в S увеличивается. Соответственно связь между электрическим полем Ez в S
и S1 будет иметь вид:
  x1y1 E z1
Ez   1 
2 0 2 0 xy s 2
1 2
c .

Таким образом, Fz оказывается равной:

2 2
1  s2 1  s2
q c c
Fz   qEz
2 0    s q1
s q1
1 1
c2 c2 . (7.11)
q1 qx
Заменив с помощью обратных преобразований Лоренца на ,
 92

qx   s
q1 

1  s 2qx
c ,
окончательно найдем:
  
Fz  qEz 1  s 2qx 
 c 
. (7.12)
Второе слагаемое является силой ( Fz ) дополнительной к электроста-
тической силе взаимодействия зарядов q и зарядов плоскости. Она
пропорциональна произведению скоростей зарядов, т.к.  s   x - скорость
движения зарядов по плоскости в системе отсчета S . Из (7.12) также видно,
F
что эта сила - релятивистская поправка к q
 sqx
Fz  2 Fq ,
c
Fz  sqx  Sq  q
  2  2
Fq c2 c c
. (7.13)
 
Чтобы записать F в векторной форме, учтем, что вектор  F  Fz ez есть
  
Ez ez ,q ex ,  ex
результат произведения трех векторов , т.е. является их
двойным векторным произведением.
   
ex , e y , e x
Таким образом, произведение трех векторов должно дать ez . Из
 
(7.12) следует: чтобы получить вектор  F  Fe z , нужно векторно умножить

  
B y  2 Ez ey

qqx ex c
на некоторый вектор (определите векторное произведение
единичных векторов по рис. 7.1)
 
  qq Ez ex  e y
Fz  Fez 
c2 .

By
Вектор же равен: 
  Ez  E    E 
By   x  2    2 z ex  ez   2 z e y
c c c ,
или в более общей форме:

   E
B 2
c , (7.14)
   
F  FB  qq  B
. (7.15)
 93

Сравнивая (7.14), (7.15) с (7.1), видим, что (7.15)


описывает магнитную
составляющую силы Лоренца, в которой вектор B определяется движущейся
с постоянной скоростью равномерно заряженной плоскостью.

Из проведенного анализа можно сделать ряд важных выводов.

1. При движении электрических зарядов между ними возникает
дополнительное к электростатическому взаимодействие,
пропорциональное значениям этих зарядов, напряженности
электрического поля одного в месте нахождения другого, их скоростям
в системе отсчета наблюдателя.
2. Оно является релятивистской поправкой к электростатическому
взаимодействию. Описание такого дополнительного взаимодействия
реализуют с помощью вектора магнитной индукции.
3. Если заряды одинакового знака движутся в разные стороны, то
магнитная составляющая увеличивает силу отталкивания зарядов. В
противном случае имеет место частичная компенсация. (При
q , s  c, Fz  0!
).
  
E B F
4. Так как поле подчиняется принципу суперпозиции, то и B также
должны подчиняться принципу суперпозиции.

5. Выполнение принципа суперпозиции для B позволяет считать, что
формулы, аналогичные (7.15), должны иметь место для любой пары
электрических зарядов.

7.1.2. Магнитное поле бесконечной проводящей плоскости

с постоянной поверхностной плотностью тока
Формула (7.14) определяет магнитное поле, создаваемое движущейся
равномерно заряженной плоскостью. Для наблюдателя в системе S это
движение  эквивалентно электрическому току, и, следовательно, поле
вектора B можно рассматривать как результат протекания тока по
бесконечной плоскости.
Пусть по-прежнему плоскость образована множеством точек Z  0
  
E  ez
(рис. 7.2). Тогда в формуле для Z  0, 2 0
, в которой будем считать   0 ,
  
а скорость зарядов примем равной s     ex , т.е. движение плоскости вверх
эквивалентно движению зарядов в проводящей плоскости в сторону
положительных значений x .
Объемная (или просто) плотность тока равна:
 94

edN dq 
jx  j  en x  3
   sx   x .
d r dhdydx dh
Величину j  dh  js   s называют поверхностной плотностью тока. С учетом
этого определения находим из (7.14):
    
   E  E    E    1 js e y  0 js e y
B  2  2 ex  ez   2 e y   ey   2  .
c c c 2 0c 2  0c 2 2
Магнитная индукция оказывается равной:
  1 j  j
B  Bey ; B  2 s  0 s
 0c 2 2 . (7.16)

Рисунок 7.2

Направление B определяется по отношению к направлению тока,
текущего по плоскости, по правилу правого винта (направлением поворота
ручки “штопора ”, конец которого перемещается

в сторону протекания тока).
По обе стороны плоскости поле B постоянно, но имеет противоположные
 
z0 B ey
направления. Так для направлено вдоль . Такое
“магнитостатическое” поле - аналог электрического поля заряженной
плоскости (см. 2.6.1).
Коэффициент 0 в (7.16) называют магнитной постоянной:
1 1
0   0 0 
 0c 2 или c2 , (7.17)
0 и  0 связаны между собой через фундаментальную константу  c  , что
2


свидетельствует об однозначной связи (как мы убедились) электрического E

и магнитного B силовых полей.
Формулы

(7.12), (7.14), (7.16) показывают, что магнитная индукция
(поле B ) возникает в результате движения электрических зарядов. Каждый
 95

движущийся электрический заряд создает вокруг себя не только

электрическое поле, но и магнитное. Магнитная индукция B порождается в
пространстве, если в системе имеет место электрический ток.

7.2. Преобразования Лоренца


для электрического и магнитного полей
7.2.1. Преобразование E
Воспользуемся результатами

предыдущего параграфа и выясним, как
преобразуются поля E и B для наблюдателей из разных систем отсчета.
Поле создается заряженной плоскостью (рис. 7.3), ориентацию которой


будем мысленно изменять по отношению к скорости s системы S1 .
В отличие от 7.1 теперь S1 - подвижная система. Плоскость в S неподвижна.
 
В случае, изображенном на рис. 7.3,  ex Ex .
E

Плотность зарядов для наблюдателей в S1 и S выглядит одинаково, т.к.

dq dq
 1 
dzdy , dz1dy1 , dz  dz1 , dy  dy1 .
 
Поэтому E x1  E x E
или 1/ /  E // (компонента поля, параллельная скорости
перемещения системы отсчета, не меняется).  
Если же поверхность заряженной плоскости параллельна , Ox1 , то мы
Ox
получим результат предыдущего параграфа. В движущейся системе:

x ,y 
2
 S1   1  S 1   2
x1 x 1  s2 x 1   2
c , x1 ,z  ,

Р
Рисунок 7.3 и
т.е. продольный движимо пространственный масштаб для наблюдателя в S
сокращается.
Поэтому
 96

q 
Ez  
2 0 xy 2 0 ,

q q  
E z1    1  1  2
2 0 x1 y1 2 0 S 1   2 2 0 2 0
а в S1 .

Таким образом, преобразование поля E имеет вид:
 
  E1  1 E
E1/ /  E/ / , 1  2
. (7.18)
Такое поле будет действовать в S1 на неподвижный заряд.
 
7.2.2. Совместные преобразования E и B

Формулы преобразования полей имеет вид

  
   E    B 
E1/ /  E/ / , E1  
1  2 

   E 
  B  2 
B1/ /  B/ / , B1  C

1   2 
. (7.19)

Для доказательства этих соотношений снова воспользуемся случаем,

когда поля создаются заряженной плоскостью (рис. 7.4).
Предположим, что плоскость z  0 с плотностью заряда  в системе S
 
движется со скоростью u  exu (рис. 7.4). Тогда в S наблюдатель обнаружит
электрическое и магнитное поля:
   
E z  ez E z  ez
2 0 ,
     
B  By e y   uey   0 jx e y
2 0c 2
2 ,

где jx   u (см. (7.16)).

Очевидно, в S1 следует записать:

Рисунок 7.4
   u1
E z1  1 , B y 1  
2 0 2 0 c 2 . (7.20)
 97

Поэтому преобразование поперечных компонент полей можно найти,

установив связь между  ,u и  1 ,u1 .

Так как u  u x , то для u1 имеем:

u 
u1 
u
1
c2 . (7.21)
Чтобы найти  1 , найдем сначала плотность  u в системе отсчета, где
заряды покоятся. Она выражается формулой (7.10)

dq dq u2
u     1
dydxu   c2
 
dx
dy  
 u2 
 1 2 
 c  ,
т.к.  определена в S , которая движется относительно зарядов, и элементы
длины x в ней сокращаются по отношению к системе, связанной с зарядами.
Таким образом, в системе S1 в результате лоренцовского сокращения
плотность зарядов будет равна:
u2
 1 2
dq dq u c .
1    
dydx1 u2 u 2 u2
dydxu 1  12 1 2 1  12
c c c

Использовав (7.21), найдем:

1
2
 2 u 2 2
2
 2   2    2  2
c  2  u    c 1  2    2  1  u
1 2

 u12  
2 c    c  c 
1 
 c2    
   u   u 
c 1  2  c 1  2 
 c   c 
1
1 2
  2   u2 
2
1  2  1  2 
c   c 
 
u
1 2
c
 98

 u 
 1  2 
c 
1   1
2

 2 
1  2 
 c  . (7.22)
Вид преобразований Лоренца для поперечных компонент получим,
подставив (7.22) в (7.20):
1 1    xux  1   x By 
E z1       Ez  c 2  ,
1   2  2  0 2 0 c 
2
1  2  
т.е.
1  
E1   E    B 
1  2
. (7.23)
 u 
 1  2 
B y1  
1
u1    c  
 u   
2 0c 2  u 
1

1  2 
2
   2
2 0c 2  1  2   c 
 c 
1  u  x 
   2

 2 0 c 2 0 c 
1 2

 1  2  2
1   x Ez 
B у1   B  .
c 2 
1 y

 1   2 2

Или
 
 1   E
B  1  B  2 
c 
 1   2 2 
. (7.24)

Что и требовалось доказать.

Продольная составляющая магнитного поля в разных системах отсчета
остается неизменной:
 
Bx  Bx1 , т.е. B  B1 . (7.25)
Нетрудно понять причину неизменности продольной составляющей

B
поля (см. (7.19)), рассмотрев преобразования магнитного поля соленоида,
длинной катушки, ось симметрии которой параллельна оси ox, ox (рис. 7.5).
В соленоиде магнитное поле однородно и равно:
 
B  0 nIex , (7.26)
где n – число витков на единицу длин соленоида, I - ток в проводнике
(см. 7.4.3, формула (7.50)).
 99

Рисунок 7.5

В системе S1 соленоид будет претерпевать лоренцовское сокращение в

1   2 раз. Поэтому число витков на единицу длины будет больше.
dq
I1 
Однако для наблюдателя в S1 сила тока по dt1
будет меньше, т.к. с
S
его точки зрения, наблюдатель в , определяя тот же прошедший через
сечение проводника заряд dq , пользовался более медленно идущими часами
dt
dt1 
1  2
. Так что в (7.25) оба эффекта компенсируют друг друга.
7.3. Магнитное взаимодействие и магнитное поле токов
Основные законы магнетизма были установлены экспериментально, до
появления теории относительности. Иными словами, это были феномено-
логические законы.
Ниже мы увидим, что они просто следствие уже установленных в 7.2
соотношений. Рассмотрение начнем с классического описания магнитного
взаимодействия и поля электрических зарядов.
7.3.1. Магнитное взаимодействие точечных зарядов

Магнитное поле заряженной плоскости образуется в результате

суперпозиции полей отдельных зарядов. Поэтому,

в соответствии с (7.14),
следует считать, что и магнитная индукция B является векторной суммой
(суперпозицией) полей, движущихся вместе с плоскостью элементарных

q
зарядов , а магнитная индукция dB одного заряда должна иметь
     
   Eq  r   r
dB  q  0 q ,  c
2
C 4 0 c r
2 3
4 r3 , (7.27)
находится q

r-
радиус-вектор, проведенный из точки, в которой
где
(источник силового поля).

Так как dB   , r , то силовые линии магнитного поля представляют собой
(для любого r  const ) концентрические окружности относительно прямой,
вдоль которой движется заряд (рис. 7.6).
При этом на самой прямой:
 100

0 q
dB  sin sin
4 r 2 - магнитная индукция равна нулю.

Рисунок 7.6
Следует, однако, иметь в виду, что приведенная диаграмма имеет место

 1
лишь при c , когда распределение полей в каждый момент времени
можно приближенно считать квазистационарным. Такое предположение,

 1
конечно, неверно, если c , т.к. в соответствии со специальной теорией
относительности распределение силовых полей устанавливается со
скоростью не большей c .
Поэтому мгновенную картину распределения силовых линий поля
следует строить с учетом изменения пространственно- временных масштабов
в движущейся системе отсчета.
Так, при  c распределение силовых линий электрического поля перестает
быть сферически симметричным, линии стремятся сжаться в диск,
перпендикулярный к направлению движения (рис. 7.6а), соответственно
изменяется и распределение магнитного поля.

Рисунок 7.6а
 101


Замечательно также то, что такое поле E уже не является потенциальным
 
( 
Edl  0
, см. рисунок). Релятивистские скорости для заряженных частиц в
современной технике – обычное явление.
Формулы (7.15) и (7.27) позволяют также записать аналитическое
выражение для силы магнитного взаимодействия двух точечных зарядов
 
q1 и q2 , движущихся со скоростями 1 и  2 :
  
 0 q1q2 1   2  r 
F21 
4 r3 . (7.28)

Сравнивая (7.28) с законом Кулона, получим

f E 12
 2 1
fB C
(7.29)
- магнитное взаимодействие зарядов, как и следовало ожидать, становится
существенным при 12 c .
2

7.3.2. Закон Ампера (взаимодействие постоянных токов)

Рассмотрим два “элементарных ” отрезка токов (рис. 7.7),

   
I1dl1eu1  I1dl1
и
I 2 dl2 eu 2  I 2 dl2 ,

e
где u - единичный вектор в направлении средней скорости движения
 

u положительных зарядов в проводниках, ue dl  dl .
Количество зарядов, движущихся в отрезках проводников, равно
dq  edN  endV  endldS , (7.30)

где e – заряд каждой частицы - носителя тока; n - концентрация; dS - попе-

речное сечение проводника. Умножив (7.28) на dN1  dN 2 , получим закон
Ампера – силу взаимодействия двух проводников с током:
  
 0 I1 I 2 dl1  dl2  r12
F12 
4 r123 , (7.31)
 
где учтено, что I  enudS , u  ueu .

7.3.3. Сила Ампера

В соответствии с (7.27), из (7.31) следует:
 102


 0 I 2 dl2  r12
B2 
4 r123 (7.32)
- это магнитная индукция, создаваемая
элементом тока I 2 dl2 там, где
находится элемент I1dl1 . Поэтому,

если
известно полное значение B на dl , то
магнитная сила, действующая на
элемент,

Рисунок 7.7

определяется по формуле:
  
F  Idl  B . (7.33)
А плотность силы (на единицу объема проводника с током):

 F  
Fv   jB
dV . (7.34)
Эти соотношения и называют силой Ампера.
Формулы позволяют определить единицу измерения B в системе СИ:
F  кг 
B ;  B   Тл(тесла )   2 
Idl c А .

7.3.4. Закон Био – Савара – Лапласа

Установленный экспериментально (1820 г. Био-Савар), этот закон есть по

существу формула (7.32), которая определяет магнитную индукцию, 
создаваемую в точке наблюдения, находящейся на расстоянии r от

источника Idl , т.е. элемента тока. В определенном смысле он аналог закона
Кулона и позволяет рассчитывать распределение магнитного поля от
проводников с током различной конфигурации. Пусть имеетсяпроизвольный
проводник (рис. 7.8), по которому течет ток I .
 
От элемента Idl магнитная индукция dB в точке М в соответствии с
законом Био - Савара - Лапласа равна: 
 0 Idl  r
dB 
4 r 3 .
Поле от участка проводника 1-2 можно найти с помощью криволинейного
интеграла (векторной суммы dB от всех элементов участка):
 103

 
  I dl  r
B12  0
4  r3 . (7.35)

7.3.5. Определение

магнитной
индукции B с помощью закона
Био-Савара-Лапласа
Приведем некоторые примеры
использования закона Био – Савара –
Лапласа.
1. Поле от прямолинейного
проводника (рис. 7.9)
(прямолинейного тока).

На расстоянии a от заданной р
 и
B  const
точки 0 проводника: , Рисунок 7.8

а B направлен по касательной к окружности радиуса – a
a rd
r ; dl 
sin sin ,

  dlIrsin
dB  dB  0 
4 r 3
I
 0 sin d 
4 a

0 I 2 I
B12   sin d  0  cos1  cos2  .
4 a 1 4 a
(7.36)
 104

Рисунок 7.9

Для бесконечно длинного проводника

0 I
1  0, 2   , B 
2 a . (7.37)
2. Поле кругового тока
Определим поле на прямой oz .
 
В силу симметрии задачи векторная сумма проекций dB от всех dl на
плоскость параллельную плоскости, где лежит проводник с током, равна
нулю.
 
Поэтому  ez Bz .
B

0 Idlsin 0 IRdl 0 IR 2 d
dBz  dBsin   
4 r2 4 r 3 2 4 r 3
0 IR 2 2 0 IR 2  IS
3 
Bz  d   0 3,
4 r 0 2 r
2
 
3
R2  z2
(7.38)

где S   R – площадь, охватываемая круговым током.

2
 105

Рисунок 7.10

В центре круга:
  
B  0 Iez ,

2R
а от каждого элемента dl :

  0 Id ez
dB  dBez 
4 R .
Качественная картина распределения силовых линий кругового тока (витка)
приведена на рис. 7.11. Каждое множество силовых линий, на которых B
относительно оси симметрии  oz  ведет себя одинаковым образом, образует
торондальную поверхность.
Магнитное поле Земли протекания замкнутого тока внутри ее ядра.

Рисунок 7.11
 106

7.3.6. Магнитный дипольный момент

Если учесть, что  R  S – площадь, охватываемая замкнутым контуром
2

с током, то (7.38) можно записать в виде:

 2 IS  2 pM  2p
Bz  0  0  0 3M
4 2 2 2 4 2 2 2 4 r
3 3

R z  R z  . (7.39)
Эта формула аналогична по своей структуре выражению (2.41) для поля E
электрического диполя (см. 2.5.2). Величину pM  IS называют
магнитным дипольным моментом контура с током (или магнитным
диполем).
 
B  B e
Так как в (7.38) z z , то магнитному диполю придают векторный

смысл, полагая:
 
pM  p M n ,

где n - нормаль к плоскости, в которой лежит контур (рис. 7.12).
Направление нормали определяют по правилу “правого винта”.
Продолжая 
аналогию с электрическим диполем, для магнитной
индукции B можно теперь записать:
На оси oz :
 0 
2 pM
B
4 3

R z  .
2 2 2
(7.40)

Вдали от витка с током  r  R 

   3( pM  r)r pM 

B 0   3 
4  r5 r . (7.41)

 0 pM
B 1  3cos 2
Для модуля 4 r 3 .

Рисунок 7.12
 107

 
  
В плоскости витка  2  из (7.41) следует:

  0 pM
B
2 r 3 , ср. с (2.40) и (2.42). (7.42)

Покажем, что на большем расстоянии поле B от плоского контура с
током произвольной формы (рис. 7.13) также описывается соотношениями
 
(7.40), (7.42), в которых pM  IS , pM  pM n при условии r  l .
Для доказательства разобьем контур на малые прямоугольные рамки с
током I (см. рис. 7.13) и воспользуемся принципом суперпозиции
 
B   Bi
i ,
  
где
B i – поле от одной рамки. Так как r  l
, то все ri  r
, и достаточно
доказать справедливость утверждения для одной рамки. Для этого найдем

поле, например, когда r лежит в плоскости рамки так, как показано
на рис. 7.14.

Рисунок 7.13

B имеет составляющие, порожденные двумя прямолинейными участками
 
тока 2-3, 4-1. От участков 4-3,1-2 векторная сумма B34  B12  0 .


Используя формулу для B прямолинейных участков проводников (7.36),
находим:
 108

0 I 20 I
BM 23   cos1  cos 2   cos1 
 a  a
4  r   4  r  
 2   2
20 I b I b  Ib a
  0   0 2 (1  ).
 a 1
4 r (r 2  ar ) 2
1
4 r 2r
4  r   2  (r  a ) 2  b 
2 2

 2  2 4 

2 0 I 0 Ib 0 Ib a
BM 41  cos1   (1  )
 a 4 r  r  ar  
1 2
2 2 4 r 2 r
4  r  
 2 
  Iab  p
BM  BM 23  BM 41   0 3   0 M3 ,
4 r 4 r
т.е. совпадает с формулой (2.42).

Рисунок 7.14

7.4. Циркуляция вектора. Ротор вектора B

7.4.1. Теорема о циркуляции вектора B

Рассмотрим циркуляцию вектора B по контуру  l  , охватывающему прямой



проводник с током I и лежащему в плоскости, перпендикулярной

проводнику (рис. 7.15):
 
l Bdl

.
В каждой точке контура вектор B направлен по касательной к окружности
соответствующего радиуса. Из рисунка

следует:

Bdl  Bdlcos  Brd  
 I  I
 0 rd  0 d
2 r 2
.
 109

Поэтому
   2
 Bdl  0 I  d  0 I
2 0
l . (7.43)
Эта формула справедлива и для
проводника произвольной формы.
Если контур охватывает несколько
токов, то циркуляция, очевидно,
будет равна их алгебраической
сумме:
  n

 Bdl  0  I i
Рисунок 7.15 l i 1
. (7.44)
Соотношение (7.44) иногда называют законом полного тока (в вакууме).
Однако мы этот термин, следуя Максвеллу, оставим для другого
соотношения, а полученную

формулу будем называть теоремой о
циркуляции вектора B .
Положительными считают токи, направление которых связано с
направлением обхода контура правилом правого винта. Напомним, что поля,
циркуляция которых по замкнутому контуру отлична от нуля, называют
вихревыми.
Таким образом, магнитное поле вихревое. Электростатическое поле
потенциально, поэтому   
 Edl  0 , rotE  0 .
Силовые линии электростатического поля начинаются и заканчиваются на
зарядах.
Силовые линии магнитного поля всегда замкнуты. Это означает, что
магнитных зарядов нет, и   
divB  0;  BdS  0
.
7.4.2. Дифференциальная форма теоремы о циркуляции
Преобразуем (7.43) воспользовавшись теоремой Стокса (см. 2.3.1)
    
 Adl  
s
rotAdS   rot
s
n AdS 
     

l
Bdl   rotBdS  0 I  0  jdS 
s
  

s

rotB  0 j dS  0,
 
rotB  0 j .
т.е. (7.45)
Для потенциального электростатического поля, в отличие от (7.45), мы
имеем:
 110


rotE  0 . (7.46)
7.4.3. О расчетах магнитного поля, создаваемого проводниками с током
 
B r 
В простейших случаях при наличии симметрии в задаче для расчета
иногда удается использовать закон полного тока (интегральную форму). Из
(7.44) видно, что для этого необходимо знать (угадать) характер
распределения магнитной индукции в пространстве. Ситуация аналогична
применению теоремы Гаусса для расчета электростатического поля E
(см. 2.6). Поэтому в большинстве случаев приходится использовать закон
Био - Савара - Лапласа или (7.45). При использовании (7.45) обычно

вводят
 
дополнительный вектор – векторный потенциал A , полагая B  rotA .
 
B r 
Рассмотрим несколько конкретных примеров расчета .
1. Магнитное поле бесконечной плоскости x  const с поверхностной
  
jn  ey jn  e y u y
плотностью тока .

В силу симметрии магнитное поле справа и слева от плоскости должно

быть постоянным, но направленным в противоположные стороны.
  
 Bdl   0  jn ndl
l , l

jn - поверхностная
где справа стоит интеграл по участку l плоскости, т.к.
плотность
 jn xnл j 
.

Рисунок 7.16
Контур естественно выбрать так, как показано на рис. 7.16. Тогда закон
полного тока дает:
 111

0 jn
2 Bl  0 jnl  B 
2 .
Из равенства следует:
  j 
B   0 n ez
2 , (7.47)
где знак минус относится к полю справа от плоскости. Естественно, формула
совпадает с (7.15), полученной ранее с помощью
преобразований Лоренца.

2. Магнитное поле бесконечного

прямолинейного цилиндрического
проводника радиуса R , по которому
вдоль его оси симметрии течет ток с
 
j  r   j  r  ez
плотностью (рис. 7.17),
r
где – расстояние от оси проводника до
точки наблюдения.
Воспользуемся законом полного тока. Так как
поле на любой
концентрической окружности (силовые линии B )
B  const в силу симметрии задачи, то
Рисунок 7.17
2
 
 Bdl   Bl dl  Br  d 2 Br  0  j  r  dS
l l 0 s ,
где интегрирование по S производится по поперечному сечению,
охватываемому контуром.

 j  r  dS  I
При r  R по определению s ,
и, следовательно,
0
B I
2 r ,
т.е. описывается формулой (7.35).
При r  R справа получаем ток, текущий через площадку S  r    r   R
2 2

0 I (r )
B
2 r
, (7.48)
 112

r
I (r )  2  r j  r  dr
где 0 . Для определения B  r  необходимо знать
0 j0 r
j r j  r   j0  const B r 
, то I (r )  j0 r и
2
зависимость . Например, если 2 .

Рисунок 7.18
Распределение B  r  по радиусу для этого случая приведено на рисунке 7.18,
0 j0 R 0 I
Bm  
где 2 2 R .
Таким образом, на оси симметрии проводника магнитная индукция равна
нулю.
3. Магнитное поле соленоида, длинной цилиндрической катушки,
состоящей из большего числа вплотную намотанных витков
изолированного провода
Магнитное поле, возникающее при пропускании по проводу тока I ,
эквивалентно полю системы одинаковых круговых токов с общей осью.
Определим магнитное поле на оси соленоида, которое равно векторной

сумме dB круговых токов витков. Пусть n - число витков в катушке,
N
n
приходящихся на единицу длины: где N - общее число витков.
L ,
Воспользуемся формулой (7.33) (т.е. законом Био-Савара-Лапласа). От
участка катушки шириной dZ поле на оси:
0 2 pn ndz 0 2 R 2 nIdz
dBz  
4 r 3 4 r 3 .
rd R 0
dz  ,r  dBz  nIsin d
Так как sin sin , то 2 .
 113

Рисунок 7.19
Интегрирование в пределах от 1 до 2 дает:

0 nI  nI
2

Bz   sin d  0  cos1  cos2 

2  2
1 , (7.49)
где Bz - магнитное поле в точке, которая видна с разных концов соленоида
под углами 1 и 2 .
Если соленоид длинный, а точка находится внутри соленоида так, что 1 и
  2  1 , то
Bz  0 nI . (7.50)
Магнитное поле на всей поверхности поперечных сечений, проходящих
через такие точки, также будет определяться формулой (7.50), т.е.
  
B  Bz ez  B  x, y, z 
.
Причина в том, что поле, создаваемое витками, расположенными
симметрично относительно такой плоскости, направлены перпендикулярно к
плоскости (рис. 7.20).
Поэтому, вычисляя циркуляцию на контуре 1-2-3-4,
2 3 4 1

 B dl   B dl   B dl   B dl   B dl  0
l l l l l
1 2 . 3 4

Следует

принять, что второй и четвертый интегралы равны нулю, т.к. вектор
B перпендикулярен к соответствующим участкам контура. Следовательно:
2 3

 B dl  B
l l   Bl dl  B43l43 , B12  B43
12 12
1 4 .
 114

Приведенные соотношения позволяют легко вычислить магнитную

циркуляцию в длинном соленоиде с помощью закона полного тока. Для
этого следует использовать контур 1  4 на рис. 7.20:
' '


 B dl  nIl
l 0 12
.

Рисунок 7.20

Нетрудно сообразить, что, если 1  4 расположить далеко от границ

' '

соленоида, то B34 обязано быть малым и в циркуляции этим участком можно

пренебречь (наряду с участками 2  3 , 4  1 )
' ' ' '

2
  0 nIl12 , B  0 nI
 B dl  B dl  Bl
l l 12
1 .
В заключение отметим, что область неоднородности " B " на торцах
длинного соленоида вдоль z порядка z  2 R , т.к. здесь
0 nI  nI
B  0 nI , Bz   1  cos1  z  0, cos1  0, Bz  0
2 (на торце 2 ).
4. Поле тороида - это катушка, витки провода которой образуют тор
(рис. 7.21). В силу симметрии силовые линии внутри тора – концентрические

окружности, относительно OZ . Циркуляция B по силовой линии радиуса r :

 B dl 2 rB(r )   NI ,
l 0

где I - ток в обмотке, N - число витков

 NI
B(r )  0
2 r , Rmin  r  Rmax . (7.51)
На центральном радиусе:
 NI
B ( R)  0
2 R . (7.52)
 115


Таким образом, B(r ) в
соленоиде аналогична магнитной индукции
бесконечного проводника с током NI , расположенного на оси OZ ! Однако,

вне соленоида B  0 .

Рисунок 7.21
7.5. Движение заряженных частиц в электрическом и магнитном полях
Магнитная составляющая силы Лоренца всегда перпендикулярна
скорости движения заряженных частиц, и этим объясняются особенности их
движения при наличии в пространстве магнитного поля.


Существенно то, что в магнитном поле значение скорости остается
постоянным, а изменяется лишь ее направление. Действительно, из
уравнения движения следует:
 
d    dm   
m  q  B     q    B   0 
dt dt
d m 2
m 2
( )  0 , K   const ,   const.
dt 2 2 (7.53)

7.5.1. Движение в однородном магнитном поле

 
В поле с  const сила Лоренца не влияет на движение вдоль B , а в
B
плоскости, перпендикулярной силовым линиям, на частицу действует
постоянная центростремительная сила.
Это приводит к ее вращению по круговой траектории.
 
При   :

m 2 m 
 q B ,  B    
B qB B , (7.54)
qB
B 
где m - угловая скорость вращения по окружности (циклотронная
частота),  B - циклотронный радиус вращения. Нетрудно сообразить, что
вектор угловой скорости:
 116


 qB
B  
m . (7.55)
Так что для положительно заряженной частицы он направлен в сторону,
 q    
противоположную B , а для - параллелен B (рис. 7.22), (     r ).
Обратим здесь внимание на
важное обстоятельство 
– свойство
движущихся в B свободных
электрических зарядов создавать
внутри орбиты '
«собственное»
магнитное поле B , противоположное
внешнему полю. Это явление
называют диамагнетизмом.
Действительно, вращающаяся
частица создает замкнутый ток,
q qB
Рисунок 7.22 Iq  
равный: TB 2 . (7.56)

Магнитный момент такого тока:

qB q B 1 m2  
pm  S  B2  
2 2 2 B B , (7.57)
который направлен (в соответствии с рис. 7.22) противоположно внешнему
магнитному

полю. Заряженная частица «стремится» уменьшать энергию
влияния B на состояние ее движения.
7.5.2. Гиромагнитное отношение
Заряды, создающие замкнутый ток, имеют конечную массу.
Следовательно, двигаясь по «таковой» траектории, они будут обладать
отличным от нуля импульсом.
Пусть, например, в элементарном замкнутом витке, радиуса r , ток создается
зарядами q , масса которых m , скорость  , а линейная концентрация ni .
I  qni , pm  IS   r 2 qni .
Тогда
Момент импульса этих зарядов L  rp  rm 2 rni  2 r ni m .
2

Отношение магнитного момента частицы к механическому моменту,

обусловленное ее движением, называют гиромагнитным отношением
pm q
  
L 2m . (7.58)
Для частицы, вращающейся в магнитном поле находим: LB  m   B  m B  B
2
.
 117

q q q
pm   B2  B  B 2  B  B2
T 2 2 .
Сравнивая с (7.56), снова получаем (7.58).
Таким образом, гиромагнитные отношения является важной универсальной
характеристикой вращательного движения заряженных микрочастиц.Из
(7.58) следует:
 q 
pm  L
2m . (7.59)
 
Для электронов q  e , и pm антипараллелен L .
Соотношениям (7.58), (7.59) должны подчиняться состояния
вращательного движения электронов около атомов ядра. Вследствие
вращения электрон оказывается подобным волчку. Хотя понятие траектории

для электронов в атомах неприменимо, величины m и Ll для электронов
p
удовлетворяют соотношению (7.58) в атомах и называются, соответственно,
магнитным и механическим орбитальными
моментами импульса.
Если   0 , то траектория движения будет винтовой
линией. В плоскости, перпендикулярной B , частота
вращения останется равной В , а радиус и шаг винтовой
линии определятся соотношениями Рисунок
7.23
 m 
R  B   , 
B qB 

2 2 m 
h  TB   
B qB 
. (7.60)
Таким образом, в однородном магнитном поле заряженные частицы не
могут в отсутствие дополнительных внешних сил перемещаться поперек
магнитного поля. Они

вращаются по циклотронным орбитам, «наматываясь»
на силовые линии B . Этот эффект имеет место в магнитосфере Земли, в
результате которого образуется ионосфера. Он лежит в основе магнитного
удержания горячей плазмы в термоядерных установках (и др.).
7.5.3. Движение в однородных скрещенных электрическом и магнитном
полях  
Если электрическое поле E направлено вдоль B , то оно не влияет на
поперченное движение, и траектория будет растягивающейся (или

сначала
сжимающейся) винтовой линией
(из-за ускорения вдоль E ). Поэтому
рассмотрим случай, когда E и B перпендикулярны друг другу.
Уравнение движения для заряженной

частицы имеет вид
d   
m  q( E    B)
dt . (7.61)
 118


Учтем, что в отсутствие E частица вращается по окружности в соответствии
с уравнением (7.60) при E  0 .
Предположим, что частица в момент t  0 находилась в начале координат
 
с  (t )  0  0
.
Попытаемся найти инерциальную систему 
отсчета S , в которой движение
частицы в плоскости, перпендикулярной B , представляло бы собой вращение
'
по окружности. Для этого необходимо, чтобы в S уравнение движения
имело вид: 
d   
m  q   B
dt , (7.62)
   
где      u , u  скорость движения . S
 '
Заменив в (7.61)  на  , находим:  
d (   u ) d      
m m  q(E     B  u  B)
dt dt ,
откуда следует (7.62), если   
E uB  0.

Умножив это соотношение векторно на B и используя правило
       
преобразования двойного векторного

произведения  b  c  b (ac )  c (a  b )) ,
( a
получаем формулу для скорости u :
        
B   E  u  B   B  E  uB 2  B ( Bu )

, (7.63)
 
где принято, что u  B (т.е. последнее слагаемое ( Bu ) равно нулю).
 '

Из (7.61) и начального условия 0  0 находим значение скорости 0
  
0  u  0  0 , 0  u .
'
В соответствии с (7.59) модуль скорости  (t ) частицы в S не меняется, и
'

характеристики вращательного движения по окружности имеют вид:

qB mu mE
B  ; B  
m qB qB 2 .
(7.64)
' 
Наконец, т.к. S двигается относительно S со скоростью u , то
траекторию частицы в S «вычерчивает» точка на «колесе»
 
радиуса  B ,

которое катится со скоростью u перпендикулярно E и B , см. (7.64) и
рис. 7.24.
Таким образом, движение заряженной частицы в скрещенных
электрическом и магнитном полях при принятых начальных условиях
'
происходит по циклоиде, которая – результат вращения частицы в S и ее
E
  u
«дрейфа» в направлении, перпендикулярном E и B , со скоростью B.
 119

Рисунок 7.24

7.5.4. Эффект Холла

Так называют впервые обнаруженное Э. Холлом (1879 г.) явление
возникновения в проводниках с током

плотностью j , помещенных в
  
магнитное поле , электрического поля
B E H , перпендикулярного j и B .
Эффект Холла относится к явлениям, которые называют гальваномагнит-
ными, обусловленными воздействием стационарного магнитного поля на
направленное движение электронов в конденсированном веществе (металлах
и полупроводниках).
В настоящее время различают классический и квантовый эффект Холла.
Классический – это то, что обнаружил Холл, проводя измерения в
тонкой пластине золота при T  300 K и относительно слабом магнитном поле
( B  1 Тл). Он имеет простое объяснение. Пусть по прямоугольному
однородному проводнику, помещенному

в магнитное поле (рис. 7.25), течет
электрический ток плотностью j .

Плотность тока в металле j  enu , где n – концентрация электронов –
 
носителей тока, их средняя направленная

скорость u  uey .

Однородное магнитное поле B  j . На электроны, движущиеся в проводнике,
будет действовать сила Лоренца, направленная вдоль
оси x,
     
FB  eu  B   euBey  ez  euBex
. (7.65)

Рисунок 7.25
 120

Под действием этой силы электроны отклоняются от движения вдоль y

и будут скапливаться на передней боковой грани проводника.
Соответственно, на задней боковой грани появятся положительные заряды
(рис. 7.25). В проводнике возникает холловское поле Ex .
Поверхностный заряд и Ex будут расти до тех пор, пока в каждом
элементе объема действующая со стороны холловского поля сила не
уравновесит силу Лоренца
 
eEx ex  euBex  0,
Ex  uB. (7.66)
Используя (7.64), окончательно находим
1 1 IB IB
U x  bEx  uBb  jBb  R
en en d d . (7.67)
1
R
Величину zen (7.68)
(в нашем случае z  1 ) называют постоянной Холла.
Соотношение (7.67) можно также записать в виде
U x  Rx I , (7.69)
B
Rx 
где end (7.70)
это так называемое холловское сопротивление.
Формулы (7.68)-(7.70) демонстрируют два замечательных свойства эффекта
Холла.
Во-первых, в константы R и Rx входят только заряды носителей тока и
их концентрация. От каких-либо других внешних или внутренних
характеристик эффект Холла не зависит. Поэтому он стал одним из наиболее
эффективных методов изучения состава носителей тока в металлах и
полупроводниках, их концентрации, энергетического состояния и т.п.
Например, в полупроводниках и некоторых металлах движение электронов в
электрическом поле оказывается аналогичным движению положительных
зарядов (дырок! В полупроводниках “P”- типа). В этом случае окажется, что
z  1 , поле Холла будет иметь знак, противоположный случаю электронной
U
проводимости. При наличии носителей двух знаков x уменьшается и может
стать равным нулю.1) Если подвижности электронов и дырок одинаковы
b  bp n  np
( n см. 6.3), то U x  0 при равенстве концентраций n .
Второе удивительное обстоятельство: холловское сопротивление не
зависит от формы образца. В рассмотренной пластине можно “просверлить”
отверстие, и при этом
Rx останется неизменным.
 121

Эффект Холла используется в целом ряде технических устройств

(магнитометры, усилители постоянных токов, датчики перемещения, частоты
вращения, электронные компасы и т.д.).
В 1980-1982 гг. были обнаружены два новых поразительных явления
-целочисленный и дробный квантовые эффекты Холла (Нобелевские премии
за 1985, 1998 гг.). Они установлены при исследовании эффекта Холла при
1
очень низких температурах ( T  10  4 К) и в сильных магнитных полях
( B  5  30 Тл) в полупроводниковых структурах, в которых электроны могут
перемещаться только в двух измерениях, удерживаясь при движении около
некоторой внутренней поверхности. Для них ситуация оказалась в
определенном смысле аналогичной бильярдным шарам, катающимся по
поверхности стола.
Объяснение эффектов выходит далеко за рамки настоящего раздела.
Однако чрезвычайно интересно уже феноменологическое описание
эффектов.
Оказалось, что в приведенных условиях вместо линейной зависимости
холловского сопротивления Rx от B наблюдается ступенчатая зависимость
(рис. 7.26).

1)
Так как при протекании тока электроны (с концентрацией nn ) и дырки ( c  n p )
смещаются под действием силы Лоренца в одном направлении (в рассмотренном примере
на переднюю грань), то результирующее поле будет определяться разностью плотностей
e
Г  nn bn  n p bp b 
их потоков , где m - подвижность. Соответственно постоянная
1 n p bp  nn bn
2 2

R
e (nn bn  n p bp ) 2
Холла оказывается равной: .

При этом на каждой ступени значение Rx квантовано

h 1
Rx  n  1, 2, 3...
e2 n
h
2
Квант сопротивления e в экспериментах воспроизводимо измеряется с
R  25,812
точностью до восьми значащих цифр! Его значение, равное x0 кОм,
с 1990 г. называют новым международным эталоном сопротивления.
 122

Рисунок 7.26
7.6. Контур тока в магнитном поле и работа сил Ампера
7.6.1. Момент сил, действующий на контур с током
Рассмотрим прямоугольный контур, в котором поддерживается постоянный
ток I . Силы Ампера, действующие на участки " a " контура, стремятсясжать
(или растянуть) контур.
Силы на участках " b " образуют пару. Момент этих сил

стремится развернуть

контур до n  B .
Его значение равны
M  hFA  a sin  FA  abIB sin 
, (7.71)
т.е.
    
M  abIn  B  pM  B . (7.72)
Формула справедлива при любой
форме плоского контура в
однородном

магнитном поле,
т.к. M определяется лишь

p
значением и направлением m .
Рисунок 7.27
7.6.2. Потенциальная механическая энергия магнитного момента
(контура)
При повороте контура против сил Ампера совершается работа (рис. 7.27)
 123

dA  FA h  FA l sin  

 FA ad sin   abIB sin  d 
 pm B sin  d .
Эта работаидет на увеличение механической потенциальной энергии
контура в B :
dW  dA .

W  pm B  sin  d   pm B cos   const

Интегрируя
и полагая константу равной нулю, находим
 
W   pM B (7.73)

Рисунок 7.28

Энергия контура

(магнитного диполя) минимальна там, где максимально B ,

если pm  B .Таким образом, «свободная» рамка с током будет
разворачиваться

по полю и даже «втягиваться» в область сильного поля
B , где ее потенциальная энергия минимальна. Такое поведение контура с
током часто называют парамагнитным эффектом.
Заметим, что приведенные формулы и описываемые ими процессы для
магнитного диполя аналогичны поведению электрического диполя в
электростатическом поле (см. 2.4). 
Разворот контура вдоль поля B определяется моментом

сил Ампера,
«затягивание» в B - силой, обусловленной неоднородностью B .
  
f   gradW   grad ( pm  B) 
  
  B   B   B
 ex ( pm  )  ey ( pm )  ez ( pm ).
x y z (7.74)
Механизм втягивания иллюстрируется рис. 7.27. Это явление

противоположно воздействию неоднородного поля B на свободную частицу.
 124


Так как магнитный момент, обусловленный вращением, антипараллелен B ,
то она выталкивается в область более слабого поля!

Рисунок 7.29
7.6.3. Работа сил Ампера
Как мы увидели в 7.42, силы Ампера, в отличие от магнитной
составляющей силы Лоренца, могут совершать работу над проводниками с

током. Это обусловлено

тем, что при B  0 протекание тока в проводнике не
параллельно B - результат «разрушения» круговых орбит электронов из-за их
взаимодействия с «жестким каркасом» проводника. Соответственно,
направление силы Ампера не будет зависеть от направления перемещения
проводника.
Пусть, например, участок контура l , изображенного на рис. 7.30, можно
медленно перемещать вдоль x , поддерживая равным.

Рисунок 7.30

I  const
FA  IBl ,
dA  IBldx  IBdS  IdФ. (7.75)
Очевидно, эта формула справедлива при любой ориентации элемента
проводника относительно направления магнитного поля. Поэтому работа по
перемещению участка на произвольное расстояние из положения 1 в
положение 2 будет равна:
2
A12  I  dФ
1 .
 125

Работа по перемещению замкнутого контура с током в магнитном поле (рис.

7.31) складывается из работ, совершаемых силами Ампера, приложенными к
разным участкам контура.
Силы, приложенные к переднему участку контура, направлены под острым
углом к вектору перемещения. Поэтому они совершают положительную
'
работу A , равную:
A  I (Ф0  Ф2 )
.
Силы, приложенные к «заднему» участку совершают отрицательную работу
A   I (Ф0  Ф2 ) .
Работа, совершаемая над всем контуром, равна
A  A  A  I (Ф2  Ф1 )  I Ф , (7.76)
где Ф - приращение потока магнитной индукции при движении замкнутого
контура в магнитном поле.
В заключение обратим внимание на то,
что работа сил Ампера совершается в
результате отбора энергии от источника
тока. При

перемещении проводника
вдоль FА в нем возникает ЭДС
индукции, которая противоположна
ЭДС источника ( i ) . Для поддержания
Рисунок 7.31 I  const источник должен совершать
дополнительную работу.

8. Стационарное магнитное поле в веществе

8.1. Вектор намагниченности и закон полного тока
8.1.1. Магнетики
Рис. 7.3ч
Так как любое вещество состоит из заряженных частиц, то внешнее
магнитное поле, воздействуя на отдельные частицы, изменяет состояние
вещества и магнитного поля. Коллективный эффект влияния приводит к
возникновению магнитного момента у макроскопических элементов
вещества, оно «намагничивается». 
Магнитный момент создает собственное поле B ' , которое, векторно

складываясь с полем B0 внешнего источника,

формирует результирующее
распределение магнитной индукции B(r ) в пространстве:
  
B  B0  B . (8.1)
'
Поле B в магнетиках возникает по нескольким причинам. Во-первых,
каждый электрон в атомах, молекулах или будучи относительно свободным,
 126


под воздействием внешнего магнитного поля B0
стремится изменить
состояние своего движения (см. 7.3). В результате в веществе индуцируются
токи, аналогичные элементарным (диамагнитным) токам свободных
электрических зарядов, вращающихся по циклотронным орбитам.
Соответственно

магнитный момент таких элементарных токов направлен
против B0 в веществе. Эти токи часто называют молекулярными. Эффект
оказывается единственным в средах со сферической симметрией
распределения электронного заряда в атомах и молекулах. Все такие
вещества называются диамагнетиками. У других веществ, которые
называют парамагнетиками, элементарные атомарные (молекулярные)

токи
в структурных элементах не равны нулю. Однако, в отсутствие B0 они
ориентированы хаотически. Процесс намагничивания в таких материалах
происходит в первую очередь за счет переориентации магнитных моментов
внешнего поля. Эта вторая причина оказывается основной. Особое место
среди магнетиков занимают ферро- и антиферромагнетики. Их
последовательное описание основано на современной квантовой теории
конденсированного вещества.
Наиболее «сильными» магнитными свойствам обладают ферромагне-
тики: железо, никель, кобальт, гадолиний и другие редкоземельные металлы,
а также некоторые особые сплавы. Магнитные свойства других веществ
(пара- и диамагнетиков) проявляются в тысячи и сотни тысяч раз слабее.
В отличие от электрического эффекта в веществе, который всегда
приводит к «втягиванию» диэлектрика в электрическое поле, диамагнетики,
и так же как и свободные заряды, выталкиваются из магнитного поля.
Однако диамагнетизм является самым слабым магнитным явлением.
Ферромагнетики

и парамагнетики втягиваются в область более сильного
поля B , что и свидетельствует об изначальном существовании магнитных
моментов (молекулярных токов) у структурных элементов этих веществ.
«Стремление» попасть в более сильное поле характерно для замкнутых
контуров с током (см. 7.6.2).
8.1.2. Вектор намагниченности
Для описания процесса намагничивания вводят количественный

параметр – вектор намагниченности J . Это физическая величина, равная
векторной сумме элементарных магнитных моментов микрочастиц вещества
в единице объема
 1 N

J
V
p mi
i 1 , (8.2)
 127


Pmi
где - магнитный момент структурной частицы (атома, молекулы,
электрона и т.п.), V - физически бесконечно малый объем, содержащий N

Pmi
частиц, обладающих моментами .
Воспользуемся определением среднего момента по рассматриваемому
объему


 pm 
p mi

N .

Тогда J можно записать в виде:

  pmi N 
J   pm  nm
V N , (8.3)
где nm - концентрация элементарных магнитных диполей в веществе. 

pm B
В однородных диа- и парамагнетиках вектор пропорционален 0 .
Поэтому логично записать: 
  m B0
pm 
0 ,
где  m - молекулярная магнитная восприимчивость,

параметр, определяю-
щий эффективность, с которой поле B0 формирует у структурных частиц

направленный магнитный момент. Используя это соотношение для J ,
находим
   n   
J  pm  nm  m m B0  B
0 0 0 . (8.4)
Коэффициент  называют магнитной восприимчивостью вещества. Заметим,
 '  
что для диамагнетиков  д  0 , а для парамагнетиков  п  0 и п . Значения 
(у ферромагнетиков 
5 3
для диамагнетиков 10 , парамагнетиков 10
достигает нескольких тысяч!).

8.1.3. Теорема о циркуляции (закон полного тока)

Наглядную картину намагничивания диа- и парамагнетиков можно получить,
если ввести так называемые молекулярные токи (Ампер) – эффективный ток для

отдельной структурной частицы, создающий магнитный момент pm .
 128

Рисунок 8.1
Пусть изотропный цилиндрический магнетик помещен в однородное магнитное
 
поле B0 (рис. 8.1). Под действием B0 в магнетике наводятся молекулярные токи im
, приводящие к появлению магнитных моментов у молекул. В частности, в

B
парамагнетике это результат «разворота» элементарных «рамок» с током вдоль 0

B
(рис. 8.1). В диамагнетике возбужденные 0 элементарные токи формируют
' 
B
магнитные диполи (и поле B ! ) противоположного 0 направления.
Внутри объема магнетика любой молекулярный ток компенсируется током
соседней молекулы, так что суммарный ток внутри магнетика равен нулю.
Исключение составляют токи, касающиеся поверхности образца. Они
формируют ток «намагничивания», «текущий» по поверхности образца в
слое толщиной, определяемой поперечным сечением Sm контура,
охватываемого молекулярным током.

'
В итоге для B получаем поле соленоида:
N
B   0 I
l ,
где I  im - молекулярный ток, l - длина участка соленоида, N - число
витков молекулярных токов, дающих вклад в поверхностный ток: N  S m l nm
(рис. 8.1).
Поэтому
B  0im Si nm  0  pm  nm  0 J . (8.5)

'
Таким образом, поле B логично рассматривать как поле, создаваемое
совокупностью молекулярных (элементарных) токов в магнетике.

Воспользуемся этим обстоятельством и найдем циркуляцию B по
произвольному контуру внутри магнетика
 129

     
 Bdl  0  jk dS  0  j мол dS 
S S
 
 0  I kn  0  j мол dS .
n S (8.6)
В правую часть равенства входят токи проводимости I k , создающие поле B0 ,
и молекулярные токи I m , т.е. все токи, пересекающие поперечное сечение,
стягиваемое контуром.
 
j j
Используя плотность токов k , мол , (8.6) логично переписать в виде:
     
 Bdl   0  j k dS
S
  0  j мол dS 
S

 
 0  I kn  0  j мол dS .
n S (8.7)

а) б)
Рисунок 8.2

Из рис. 8.2 следует, что вклад в последнее слагаемое дают только m ,

i
«нанизанные» на контур.
i
Центры таких «витков» с m находятся на участке dl в объеме косого
цилиндра с основанием Sm cos  , т.е.
 
j мол dS  im nm S m cos  dl 
 
 pm  nm cos  dl  J  dl .
Откуда следует:
 130

  
 Bdl  0  I n  0 
 ,
Jdl
l n l

B  
 0 )dl  
(  J In .
n
(8.8)
Или
 
   I n
Hdl
. n (8.9)
Формулы (8.8), (8.9) дают аналитическое выражение теоремы о
циркуляции магнитного поля (закона полного тока) при наличии
магнетиков. 
Вспомогательный вектор H , равный

 B 
H  J
0 , (8.10)
называют напряженностью магнитного поля.
Таким образом, циркуляция вектора напряженности стационарного
поля по замкнутому контуру равна алгебраической сумме токов
проводимости (конвективных), пересекающих поверхность, опирающих-
ся на контур. При этом форма поверхности может быть любой.
8.1.4. Магнитная проницаемость
 
B
Формулы (8.4), (8.5), определяющие связь между 0 и I, B' ,
справедливы для изотропных магнетиков.
Для них находим:
     
 Bdl  0  I n  0  Jdl   B0 dl  0  Jdl 
l n l l l
    
B  B0  B  B0  0 J ,
  
B  0 J   B0 , (8.11)
  
B  (1   ) B0   B0 . (8.12)
Величину
  1  (8.13)
называют магнитной проницаемостью, которая показывает, во сколько раз
магнитное поле в присутствии магнетика отличается от поля в его
отсутствие.
Из (8.10) также следует:
    
 B  B B  B0 B0
H  J   
0 0 0 0 (8.14)
 131


 B
B0 
и т.к.  , то

 B
H
0 . (8.15)
8.1.5. Условия на границе двух изотропных магнетиков
Рассмотрим поведение поля на границе двух магнетиков с разными  .
При этом воспользуемся теоремой Гаусса для вектора магнитной индукции
 
 BdS  0
S . (8.16)
Для цилиндра бесконечно малой высоты,
основания
которого
расположены
Рисунок 8.3 по разные стороны границы раздела 
двух
сред, пренебрегая потоком вектора B через
боковую поверхность, имеем

( B1n  B2 n )S  0 ,
 
где B1n - нормальная составляющая поля B в первом магнетике,

B2n - во втором
B1n  B2 n или 1 H1n  2 H 2 n . (8.17)
Для расчета соотношения между тангенциальными составляющими поля
воспользуемся законом полного тока для прямоугольного контура
бесконечно малой высотой " a " , расположенного по обе стороны границы.
 
l Hdl 0
, конвективные токи отсутствуют.

Рисунок 8.4 
Пренебрегая вкладом в циркуляцию вектора H на бесконечно малых
участках " a " контура, имеем:
B1 B2

H1  H 2 1 2 .
или (8.18)
 132

Таким образом, на границе двух магнетиков силовые линии магнитного

поля преломляются, как показано на рис. 8.3.
tg1 B1 1
 
tg 2 B2  2 . (8.19)
Отсюда следует, что чем больше относительная магнитная проницаемость
веществ, тем сильнее отклоняются силовые линии от нормали к поверхности.
Этим пользуются на практике для экранировки магнитного поля и создания
полей большой напряженности (рис. 8.5).

Рисунок 8.5
Пример тому – поле электромагнита с железным сердечником (с с ).
Линии магнитной индукции в этом случае сосредоточены внутри ярма и
лишь в узком зазоре проходят через среду с малым  . Согласно закону
полного тока H clc  H 0l0  NI , где N - число витков в катушках, I - ток.
Соотношения между нормальными составляющими для индукции, согласно
(8.17),
lc 1
H 0l0 (1  )  NI
c H c  H 0 , т.е. l0 c .
Для железа как ферромагнетика с  5 10 и, следовательно, для обычных
3

электромагнитов размером lc  1м , l0 0,1м , вторым слагаемым в скобке

можно пренебречь и считать поле
Nl
H0 
l0 , (8.20)
N
n
т.е. равным по силе полю, создаваемому соленоидом с l0 . Уменьшая
 
зазор и увеличивая число витков, можно получить поле
B   0 H  10 5
Тл .
8.2. Диамагнетизм
8.2.1. Диамагнитные вещества
Как отмечалось, это вещества, которые намагничиваются навстречу
приложенному магнитному полю, т.е. их магнитная восприимчивость
  0 . Диамагнитный эффект имеет место в любом веществе, т.к. он –
результат изменения состояния движения отдельных электрических зарядов
в магнитном поле. В диамагнетиках этот эффект оказывается основным.
Диамагнитными свойствами обладает плазма (ионизированный газ),
состоящая из «свободных» электронов и ионов. Диамагнетиками являются
 133

инертные газы, некоторые металлы  Bi, Zn, Au, Cu и др  , неорганические

соединения (например, H 2O, NaCl , CO2 ( газ)) , а также большое число
органических веществ. Причем у последних магнитная восприимчивость во
многих материалах оказывается неодинаковой по разным направлениям
(анизотропной).
Таблица 8.1
Неорганические и 
органические
кристаллы
NaCl 30,3
Бензол C6H6  =95
┴
 =35
║
BiCl3 100
Нафталин  =177
┴
C10H8  =53
║
Тетрафилин  =271
┴
C8H14  =95
║

Вещество -  . 106
Гелий He 2
Ксенон Xe 43
CO2 13
Жидкости
о
Вода (0 ) H2O 13
Бензол C6H6 62,9
Металлы
Медь Cu 5,4
Золото Au 29,6
Ртуть Hg 33,4
Висмут Bi  ┴=-309
 ║=-222
Сурьма Sb  ┴=173
║=61

Сверхдиамагнетиками являются вещества, способные переходить в

сверхпроводящее состояние. При таком переходе происходит
«выталкивание» внешнего магнитного поля из образца (эффект Мейсера)!
Магнитная восприимчивость для некоторых диамагнетиков приведена в
4
табл. 8.1. Как видно, значения  не превышают (2  3) 10 .
8.2.2. Диамагнетизм плазмы
Классическая плазма представляет собой ионизированный газ. Ее
диамагнитные свойства обусловлены наличием квазисвободных электронов
и ионов, каждые из которых проявляют диамагнитные свойства.
 134

Как было показано в 7.5.1, каждый заряд в магнитном поле обладает

магнитным моментом

 m 2    
pm   , pm   pm eB
2B B .

Поэтому намагниченность плазмы с температурой зарядов T оказывается

равной:
me2 e m p2 p
ne   np  
J  2  2
B B ,
где ne , n p ,e ,  p - соответственно концентрации и скорости электронов и
m 2
  kT
положительно заряженных частиц. Полагая 2 (на поперечное
ne  n p
движение приходится две степени свободы) и приняв , получаем:
2kTn 2kTn H
J     H
B BH ,
т.е.
2kTn wT 
 
BH wB , (8.21)
wT 
где - плотность энергии поперечного движения частиц, а
wВ wT   wВ   1 B'
- плотность

энергии магнитного поля. При , оказывается
порядка B0 - плазма «выталкивает» из себя силовые линии магнитного
поля.
Диамагнетизм плазмы проявляется в «космической плазме»; при
магнитном удержании плазмы в установках, предназначенных для
реализации управляемого термоядерного синтеза, и др.
Возмущение магнитного поля Земли «солнечным ветром» вследствие
диамагнетизма ( wT - ветра порядка wВ ) приводит к возникновению магнитных
«бурь» в магнитосфере Земли.
Из-за диамагнетизма «горячей» плазмы ряд проблем возникает при ее
магнитном удержании вдали от стенок вакуумной камеры. В частности, из
(8.21) следует, что с достаточным запасом должно выполняться неравенство:
B2
nkT 
2 0 . (8.22)
В противном случае флуктуации газокинетического

давления заряженных
частиц «раздвинут» силовые линии B , и плазма попадет на стенки камеры.
 135

Таким образом, чем больше n и T , тем большие магнитные поля

необходимы для магнитного удержания плазмы.
8.2.3. Прецессия атомных электронов в магнитном поле
Разумеется, последовательный анализ поведения атомных электронов в
магнитном поле требует применения квантовой механики. Однако
удовлетворительную оценку диамагнитного эффекта можно получить,
пользуясь простейшей боровской моделью атомов. Согласно этой модели
каждый электрон вращается вокруг ядра, создавая электрический ток и,
следовательно, обеспечивая определенный вклад в орбитальный
магнитный и собственный механический момент импульса атома. Так
как заряд электрона отрицателен по направлению протекания электрического
тока, противоположному направлению движения электрона, и,

pme
соответственно, , как отмечалось в (7.5.2), противоположен
механическому орбитальному моменту электрона.
При помещении атома

во внешнее однородное
магнитное поле B на все атомные электроны
начинает действовать момент сил (рис. 8.6),
 
pme
стремящийся развернуть вдоль B :
  
M e  pme  B . (8.23)

Однако этому препятствует орбитальный

механический момент электрона
(см. (7.59) в 7.5.2).
В результате электрон на орбите ведет себя, как
механический волчок (гироскоп) в поле силы
тяжести. Возникает прецессия орбиты
электрона, которая является дополнительной к
орбитальному вращению.
Рисунок 8.6
Поведение электрона при этом описывается силовым уравнением
вращательного движения:

dle   
 M e  pme  B
dt .
Так как
  e 
pme    le   le
2m
,
 136


dle    
   le  B   B  le
то dt . (8.23а)

23) Уравнение прецессии механического момента с частотой e , полученное

при анализе вращения гироскопов (см. разд. «Механика»), имело вид:

dle  
 e  le
dt .
Поэтому из (8.23а) находим частоту прецессии (динамического вращения
электрона)
  e 
e   B  B
2m , (8.24)
которую называют ларморовой частотой. Она оказывается в два раза
меньше циклотронной частоты вращения электрона. Так как угловая

скорость e электрона направлена вдоль B , то возникающий
дополнительный магнитный момент ориентирован навстречу вектору
индукции внешнего поля.
Дополнительный индуцированный ток (прецессионный ток) равен
e e2 B
I l  e 
2 4 m . (8.25)
И для диамагнитного момента электрона в атоме соответственно получаем:
 e2  e2  e2 
pml   S B   rl 2  B    rl 2  B
4 m 4 m 4m , (8.26)
где  rl  - средний квадрат расстояния электрона от оси ларморовской
2

прецессии. Полагая, что орбиты идентичных электронов в атомах в

магнитном поле имеют случайные направления, можно принять
 rk2 
 x  y  z 
2 2 2

3 ,
где  rk2  - средний квадрат радиуса орбиты k -го электрона атома. Полагая
 
B  ez B и учитывая, что прецессия происходит в плоскости x, y , окончательно
находим:
  rk2 
 r  x    y 
2
lk
2
lk
2
lk
3
2 
 e
pmk    rk2  B
6m . (8.27)
8.2.4. Диамагнитная восприимчивость атомов и макроскопических тел
Если Z - атомный номер элемента, из которого состоит вещество, то
диамагнитный момент каждого атома будет равен сумме моментов всех Z
электронов атома
 137

 Z
e 2  rk2  
pma   B
k 1 6 m .
Z
1
 r 
Z
0
2
 r k
2

Введем средний квадрат радиуса орбит электронов: k 1 .

pma
Тогда и молекулярную магнитную восприимчивость можно записать в
виде:
 Ze 2 
 pma    r02  B
6m , (8.28)
  
 pma  m B
0 , (8.29)
0 Ze2 2
m    r0 
6m .
Соответственно для диамагнитной магнитной восприимчивости находим:
0 Ze2
   m nm    r02  nm
6m , (8.30)
где nm - концентрация атомов (молекул) в веществе.
Из (8.30) для типичных значений параметров конденсированных сред
 r02  1020 м 2 , получаем значение  dia  10 , что
5
Z  10...40 , nm  1028 1/ м3
согласуется по порядку величин с экспериментальными данными.

8.3. Парамагнетизм
8.3.1. Механизм образования парамагнитного эффекта
Из проведенного анализа, как и утверждалось ранее, следует, что
диамагнитный эффект имеет место в любом веществе. Однако, он
обнаруживается только в тех веществах, у которых полная векторная сумма
магнитных моментов электронов в атомах оказывается равна нулю. Если

p
магнитный момент ma атомов отличен от нуля, вещество оказывается

pma
парамагнитным. При включении магнитного поля диполи стремятся
развернуться вдоль поля, т.к. их механическая энергия при параллельной
 
ориентации pma и B будет меньше:
 
Wn   pma B   pma B cos , (8.31)
 
где  - угол между векторами pma и B (рис. 8.7).
«Развороту» препятствует наличие у атома механического момента,
который обуславливает прецессию моментов с неизменным углом  . В

состоянии теплового равновесия (при B  0 ) ориентация молекулярных
 138

диполей случайна. Поэтому, если бы не было взаимодействия между

молекулами (например, их столкновений 
в газе), то случайная ориентация
магнитных моментов при включении B не изменялась. Вещество было бы
диамагнетиком.
В каждом акте столкновений (рассеяния), которые происходят за время,
в среднем существенно меньшее, чем период прецессии, магнитные диполи
меняют свою ориентацию. Прецессия у конкретной молекулы будет
происходить уже под другим углом. Хаотическая переориентация в B будет
происходить уже с учетом наличия потенциальной энергии Wn у диполей.
Установятся новые стационарные распределения магнитных моментов 
по
направлениям с некоторой преимущественной их ориентацией вдоль B .
Стационарные распределения микрочастиц в поле внешних сил, как
показывает теория и опыт, описывается формулой Больцмана.1)

Для рассматриваемого случая она имеет вид:

Wn
dn  A exp( )d  
KT
p B cos 
 A(exp ma )  sin  d d ,
KT (8.32)

где dn - число молекул, моменты которых находятся в телесном угле d

(рис. 8.7), т.е. в интервале углов  ,   d ,  ,   d . Wn определяется (8.31),
k - постоянная Больцмана.

1) Формула Больцмана, например, подчиняется распределению атмосферного

mgh


давления над поверхностью земли: p  p0 e

kt
, и т.п.)
 139

Рисунок 8.7

Формула количественно описывает «борьбу» между процессами

 
упорядочения расположения моментов pma вдоль B , обеспечивая минимум
потенциальной энергии системы диполей, и тепловым движением,
приводящим к хаотизации, исчезновению такой преимущественной
ориентации. Как видно из (8.32), эффективность упорядочения определяется
p B
  ma
параметром: kT ,
т.е. быстро уменьшается с ростом температуры.

Пусть вектор B параллелен OZ (рис. 8.7). 
Тогда среднее значение
проекции магнитного момента молекул на B следует искать с помощью
формулы
pma  cos dn
 pzm 
 dn
,
где интегрирование (суммирование) проводится по всем возможным
направлениям.
Вычисление дает
 pzm  pma L( ),
где
ctg  1
L( ) 
 (8.33)
так называемая функция Ланжевена. 1)
_____________________________
1)
Описанные здесь процессы аналогичны тем, которые определяют поляризацию полярных
   
p p
диэлектриков в электрическом поле. Идентичны и формулы с заменой B на E , m на e
 140

Соответственно, для намагниченности находим:

J  pzm  na  pma na L( ) . (8.34)
Функция Ланжевена приведена на рис 8.8.
При малых значениях x :   1
1 p B
L( )    ma
3 3KT . (8.35)
Из (8.34), (8.35) следует:
2
 na pma 0  C
J H 
3KT T - (8.36)
- закон Кюри (1896 г.).

Рисунок 8.8

8.3.2. Парамагнетизм свободных атомов и молекул

Магнитные моменты атомов возникают за счет двух факторов.
1. Орбитального движения электронов.
2. Наличия у каждого электрона собственного механического и,
следовательно, магнитного моментов.

Орбитальный (механический) электронный момент количественно

определяется в квантовой механике и равен:
 
lor  l , (8.37)

где l - квантовый вектор, проекция которого на выделенное
(рассматриваемое) направление может принимать лишь дискретные
целочисленные значения от l до l .
Магнитный момент связан с орбитальным гиромагнитным соотношением
  
pmor   lor   l , (8.38)
e
 
2me .
Величину
 141

e
Б    
2me (8.39)
называют магнетоном Бора. Очевидно, она является единицей кратного
изменения орбитального магнитного момента электронов.
Спин электрона является его фундаментальной характеристикой, такой
 
же, как например, электрический заряд. Это чисто квантовый вектор Se  S ,
 

проекции которого могут принимать только два значения 2 и 2 .
Со спином связан собственный магнитный момент электрона
 e 
pes   S
m . (8.40)
Здесь следует обратить внимание, что в отличие от (8.38), (8.39) в (8.40)
1
отсутствует

коэффициент 2 , что указывает на особую не классическую связь

pS и S .
Спин и спиновый магнитный моменты не обусловлены вращением
микрочастиц или их элементов, т.к. для такого объяснения пришлось бы
допустить возможность реализации для элементов материи линейных
скоростей, превышающих скорость света.
Квантовая микроскопическая сущность этих свойств до сих пор не нашла
полного объяснения. Однако оказывается возможным их дальнейшее
феноменологическое использование.
Обычно в атомах орбитальные магнитные моменты отдельных
электронов с учетом квантовых требований их взаимной ориентации
складываются между собой по правилам сложения квантовых векторов. В

результате образуется полный орбитальный момент атома L и Pml .
Каждый электрон, благодаря наличию
силового механического момента,
взаимодействует с магнитным полем от Pml . Такое взаимодействие называют
спин-орбитальным. В результате полный орбитальный магнитный момент
атома связывается с полным спиновым моментом, образуя магнитный
момент атома
     
I   lie   Sie ; pma  pml  pms
.
Этот путь образования полного магнитного момента атома называют L  S
связью.
Далее следует иметь в виду, что в многоэлектронных атомах электроны
располагаются на нескольких «оболочках». В пределах каждой заполненной
оболочки все орбитальные и спиновые моменты взаимно компенсированы.
Поэтому магнитный момент атома определяется лишь состоянием
 142

электронов на валентной (незаполненной) оболочке. Таким образом, все

инертные газы оказываются диамагнетиками.
В общем случае всегда следует иметь в виду, что в невозбужденном
атоме электронные оболочки заполнены так, чтобы энергия
электронного «облака» была минимальна.
Это приводит к тому, что спины и орбитальные моменты электронов во
внешней оболочке стремятся ориентироваться в противоположных
направлениях, чтобы максимально компенсировать друг друга. Поэтому
магнитные моменты свободных атомов в основном определяются
спинами внешних электронов.
Таким образом, используя (8.36) для оценки магнитной восприимчивости
парамагнитного газа, можно записать
 S 2l 2  2
 an  0 l 2 na
3ml kT . (8.41)
Воспользовавшись (8.30) находим оценочное соотношение между пара-
и диамагнитной восприимчивостью свободных атомов при нормальной
температура ( T  300 K )
 an 2 Sl 2  2
  101  102
 aд kTml Z  r0  2
,
что согласуется с экспериментальными данными.
Магнитные моменты молекул не равны сумме магнитных моментов
атомов, т.к. химическая связь приводит к перестройке внешних (валентных)
атомов. Например, в молекулах водорода H 2 , азота N 2 обобществленные
электроны имеет антипараллельные спины. Равен нулю и полный
орбитальный момент. Диамагнетиком является и совокупность молекул,
образование которых осуществляется переходом электрона от Na к Cl
 
( NaCl  Na  Cl так называемая ионная связь). В результате образуются два
иона с заполненными оболочками. Теория и опыт показывают, что при
образовании молекул наблюдается общая тенденция, при которой
оптимальная связь атомов в молекуле имеет место при минимальном
значении полного момента системы.
Из распространенных газов парамагнитными свойствами обладает
только O2 , у которого спины обобществленных электронов не
компенсируются NO и NO2 с нечетным числом электронов на внешней
оболочке.
8.3.3. Парамагнетизм конденсированных веществ
В твердых и жидких телах близкое расположение огромного числа
структурных частиц зачастую кардинально изменяет состояние электронов,
находившихся на внешней оболочке атомов. Поэтому теоретическое
выяснение магнитных свойств конкретных материалов требует сложного
 143

квантомеханического анализа. Ограничимся в этой связи лишь общими

тенденциями.
8.3.3.1. Парамагнетизм твердых диэлектриков
В большинстве таких веществ структурные частицы при конденсации
оказываются с полностью заполненными внешними оболочками.
Такие вещества оказываются диамагнетиками (например, Ge - германий, SiO2
- кремний и т.п.).
Главное исключение из этого правила - соединения, в которые входят
элементы группы периодической системы ( Fe, Pt и т.п.). Электронная
оболочка этих элементов заполнена лишь частично (они многовалентны).
Поэтому их атомные остатки в кристалле (ионы) обладают постоянными
магнитными моментами.
8.3.3.2. Магнетизм квазисвободных электронов в твердых телах
В металлах и полупроводниках электроны проводимости вносят
дополнительный вклад в магнитные свойства. Классическая теория магнетизма
утверждает, что в твердых телах диамагнетизм электронов проводимости должен
быть равен нулю, вследствие отражения электронов на границе. Квантовая теория
показывает, что это не так (диамагнетизм Ландау). Кроме того из-за
взаимодействия спинов электронов с внешним магнитным полем энергетически
 
более выгодной оказывается параллельная ориентация S , B (см. (8.31)) - возникает

избыток электронов, которые ориентированы вдоль B . Это явление называют
парамагнетизмом электронов проводимости или парамагнетизмом Паули
(1927 г.).
В большинстве случаев парамагнитная восприимчивость оказывается более
диамагнитной. Поэтому в целом эффект от электронов проводимости оказывается
парамагнитным. В таблице 8.2 приведены для некоторых параметров численные
значения восприимчивости при нормальных условиях T  300 K на 1 моль вещества
( n  N a  6 1023 ) .
8.3.3.3. Поляризационный парамагнетизм
До сих пор мы рассматривали ориентационный парамагнетизм, при
котором магнитное поле только выстраивает уже имеющиеся в атомах
магнитные моменты. Однако в некоторых атомах возникает поляризационный
парамагнетизм, обусловленный деформацией электронной оболочки атома (или
иона) приложенным магнитным полем. Деформация

приводит к
индуцированию магнитного момента параллельного B , если оболочка не
обладает сферической симметрией (ванн-Флек 1927 г.). Ванфлековские
парамагнетики используют для получения сверхнизких температур до
 T 10 8
 10 9 K 
.
Таблица 8.2
Вещество  106 Вещество  106
O2 3.4 103 Li 25
NO 1.5 103 Al 16.3
 144

FeCl2 1.5 104 Pt 189

EuCl3 2.6 104

8.3.3.4. Закон Кюри – Вейсса

В заключение обратим внимание на важное обстоятельство. В
конденсированных средах, в отличие от газов, имеет место значительное
взаимодействие между структурными частицами. Оно во многих случаях
модифицирует зависимость (8.36) для полярных магнетиков.
Изменение принимает вид закона Кюри - Вейсса:
c
n 
T  Tk , (8.42)
где Tk - температура Кюри, характерная для конкретного вещества.
При T  Tk ,  n   .
Модификация закона Кюри обусловлена тем, что конденсированные
вещества, магнитная восприимчивость которых подчиняется (8.42), при
T  Tk переходят в ферромагнитное состояние (см. 8.4).
8.4. Ферромагнетизм
8.4.1. Упорядоченные магнетики (общее представление)
Это вещества, в которых на макроскопических масштабах имеет место
самопроизвольное строго упорядоченное расположение магнитных моментов
отдельных атомов (самопроизвольная намагниченность). Различают три
вида упорядоченных магнетиков: ферромагнетики, ферримагнетики
(ферриты), антиферриты.
Качественное различие между этими веществами показано на рис. 8.9.
Известно, что в кристаллах структурные частицы расположены
упорядоченно - в узлах кристаллической решетки, представляющей собой
некоторую пространственную структуру - каркас. Последнюю часто
изображают в виде тонких линий, соединенных в периодически
расположенных точках - узлах. Расстояние между узлами - постоянная
кристаллической решетки - порядка атомных размеров 
a  2  4 10 10 м 
.

Рисунок 8.9
 145

Из рисунка видно, что в ферромагнетике расположенные в узлах

магнитные (спиновые) моменты микроэлементов вещества направлены
одинаково. Магнитный момент макроскопического участка такого образца
даже в отсутствие магнитного поля имеет максимально возможное
значение. Магнитная проницаемость ферромагнетиков достигает очень
больших значений (   10  10 ! ), зависит от значений внешнего магнитного
3 6

поля и предшествующей истории. Они обладают остаточной намагничен-

ностью, т.е. могут использоваться как постоянные магниты. Ферромагнетики
представляют собой как бы две “встроенные” друг в друга подрешетки. В
каждой из них магнитные моменты имеют упорядоченное, но
противоположное одна другой направление. При этом элементарные
магнитные моменты каждой из подрешеток различны. Имеет место
частичная компенсация магнитных моментов подрешеток. В
антиферромагнетике такая компенсация оказывается полной. При высокой
температуре, большей некоторой критической, все эти вещества становятся
парамагнетиками, что иллюстрирует рис. 8.10.

а) б) в)
Рисунок 8.10
Для “истинного” парамагнетика упорядоченность в соответствии с законом
Кюри растет с уменьшением температуры, но только при T  0 достигается
полная упорядоченность. Такая упорядоченность достигается в
Tk  T  0
парамагнитном состоянии ферромагнетиков и ферритов при . Точку
Кюри Tk определяют как температуру, ниже которой существует
самопроизвольная намагниченность.
Внутри веществ образуются макроскопические области с характерными
4 6
размерами 10  10 м с упорядоченным расположением спинов
(магнитных моментов) структурных частиц – магнитные домены (от франц.
Domaine - владения). Антифферромагнитное состояние имеет место при
 146

T  Tn
, где Tn температура (точка) Нееля (рис. 8.10б). (Экспериментальные
 
    0.5  5 
значения  Tn  для различных материалов и образцов).
Тепловое движение стремится разрушить самопроизвольную
намагниченность (рис. 8.11). Поэтому намагниченность насыщения в
доменах с ростом температуры уменьшается (рис. 8.12) и при T  Tk
оказывается равной нулю. В каждом домене при T  const в отсутствие
внешнего поля намагниченность имеет максимально возможные значения J s .

Рисунок 8.11 Рисунок 8.12

8.4.2. Магнитные домены
Если при кристаллизации ферромагнетика образуются кристаллы с
размерами, превосходящими характерные размеры доменов, то они
оказываются многодоменными. В пределах каждого домена
самопроизвольная намагниченность максимальна, но направление
магнитных моментов различно. Поэтому суммарный магнитный момент
образца оказывается равным нулю. Доменную структуру наблюдают
экспериментально. Рис. 8.13а,б иллюстрирует доменную структуру участка
нитевидного кристалла железа 
a  102 cм 
.
 147

Рисунок 8.13
Границы доменов - доменные стенки (на рисунке сплошные линии)
делают видимыми с помощью магнитного порошка.
В доменной стенке (стенка Блоха) происходит постепенный разворот
магнитных моментов. В каждом слое стенки элементарные магнитные
моменты параллельны стенке. Ее толщина определяется минимальной
затраченной энергией на постепенный разворот моментов
 d  1  5 10 атомных слоев  , рис. 8.14 (разворот показан в сечении а - а, б - б).
2

Домены вытянуты вдоль направлений легкого намагничивания кристалла.

Физическая причина образования многодоменной структуры состоит в том,
что ферромагнетики, как и любая физическая система, при кристаллизации
стремятся занять состояние с наименьшей энергией.

Рисунок 8.14
В кристалле ферромагнетика наименьшая энергия у силовых моментов
атомов достигается тогда, когда они все ориентированы вдоль одного из
направлений легкого намагничивания (ср. с сегнето-электриками). Однако в
 148

такой ситуации за пределами образца возникает значительное магнитное

поле с большим запасом магнитной энергии. Это обстоятельство
иллюстрирует рис. 8.15а, на котором изображены схемы конечного

сечения
ферромагнитного кристалла и распределение силовых линий B .

а) б) в) г)
Рисунок 8.15
Для конфигурации рис. 8.15б с двумя антипараллельными доменами
магнитная энергия оказывается в два раза меньшей, чем в случае одного
1

домена (рис. 8.15а). Соответственно для N доменов она составит N часть
первой конфигурации. На границах образца могут также образовываться
“замыкающие” домены. Модель структуры для железа с такими
призматическими доменами показана на рис. 8.15г. В конфигурации
отсутствуют магнитные полюса, так что магнитный поток замыкается
внутри кристалла и, соответственно, магнитная энергия оказывается равной
нулю. Никаких полей, связанных с намагниченностью, не возникает.
Однако, на поворот спинов в доменной стенке (рис. 8.14) также
требуется некоторая энергия, т.к. на ее границе спины ориентированы
антипараллельно. Поэтому процесс дробления при кристаллизации
продолжается до тех пор, пока полная энергия, затрачиваемая на процесс, не
достигнет минимального значения.

8.4.3. Кривые намагничивания и перемагничивания ферромагнетиков.

Петля Гистерезиса

Кривыми намагничивания называют зависимости намагниченности

магнетиков J ( H ) и магнитной индукции B( H ) , в них и непосредственно у
граничных поверхностей

полюсов образца, от напряженности внешнего
магнитного поля H .
Кривую намагничивания ферромагнетика, имеющего в первоначальном
состоянии нулевую намагниченность называют основной (на рис. 8.16,
 149

8.17- кривые 1). Она является нелинейной функцией H и для J ( H ) имеет

J
предел, называемый - намагниченностью насыщения s .

Рисунок 8.16 Рисунок 8.17

При уменьшении внешнего поля размагничивание идет по кривой,
лежащей выше кривой намагничивания, т.е. имеет место гистерезис.
В результате отсутствия магнитного поля сохраняется остаточная
J B 
намагниченность r r . Ферромагнетик становится постоянным магнитом.
Намагниченность можно сделать равной нулю лишь в магнитном поле,
направленном противоположно первоначальному. Значение напряженности
такого поля называют коэрцетивной силой H c .
Последовательное изменение знака внешнего поля приводит к
образованию петли гистерезиса намагничивания и размагничивания образца
(рис. 8.17). Петля максимальна, если в процессе перемагничивания

J  J H  Hs
достигается значение s (на рис. 8.16, 8.17 ). При этом остаточная
намагниченность также оказывается максимальной J r  J rm .
С уменьшением амплитуды изменения H (например, для H d на
рисунке) петля гистерезиса получится меньшего размера. Нетрудно
сообразить, что H c и J rm , Brm связаны между собой. Чем больше H c , тем
J rm
большим должно быть отношение J s и тем значительнее оказывается
гистерезис. Таким образом, коэрцетивная сила оказывается одним из
важнейших критериев при выборе магнитных материалов для технических
применений.
 150

По значениям коэрцетивной силы ферромагнетики делят на

магнитомягкие (с малыми H c ) и магнитотвердые материалы. Обычно это
различные сплавы, свойствами которых можно управлять, меняя процентное
содержание различных элементов, формируя поликристаллическую
структуру и т.д. Характеристики некоторых ферромагнетиков приведены
в табл. 8.3.
Среди ферромагнетиков особое место занимают ферриты - сложные
окислы, содержащие железо и некоторые другие элементы.
Простейшие ферриты имеют общую химическую формулу MOFe2O3

(где M - двухвалентный металл ( Fe, Ni, Co, Cd и др.).

Главная особенность ферритов - их высокое сопротивление. Удельное
4 12  Y Fe O 
сопротивление ферритов   1  10 Oм  м и даже 10 Oм  м 3 5 12 . Для
сравнения у Fe   10 Oм  м . Они являются полупроводниками и
7

диэлектриками. Поэтому они широко применяются в высокочастотной

электронике. Примеры таких материалов также приведены в табл. 8.3
Таблица 8.3

Тип магнетика Tc , k Bs , Tл 0 H с  Тл  B
or
r n  ,Oм  м
(ферро-и ферри-)

Магнитомягкие 3
железо( Fe ) 1043 2,2 6
1 10  3 10 3
3 105 107

кобальт
 Co  1395 1,8

никель
 Ni  631 0,64

гадолиний
 Gd  289 2,7

диспрозий
 Dy  85 3,7

сплавы 1800  900 1 106  105 5 

Fe  Ni  Si  Mo 105
феррит 570 0,4  1  2  103  4  10
3 2,5  20
 MnZnFe2O4  103

феррит
 NiZnFe2O4  300  2300 70  50  10  105
700 7000
Сильно анизотропные
кристаллы, сплавы

Co  V  Fe 5 102 1Тл
Sm  Co  Fe  Cu  Zr 1 1, 2
 151

Металлокерамика  5 102  0, 2  1,1

(порошковая
металлургия)
Бариевый феррит 1
BaOGFe2O3 ) 700 0,1  0, 2 0, 5 1,5
( 2,5

103
103

Рисунок 8.18

Кривые намагничивания B( H ) по тангенсу угла наклона позволяют

непосредственно определить относительную проницаемость:
 ( H )  tg ( H ) .
Очевидно, так же как и намагниченность, она нелинейно зависит от H .
Это обстоятельство иллюстрирует рис. 8.18.

8.4.4. Энергия намагничивания

В процессе намагничивания приобретение магнитного момента

dJ – результат работы, совершённой внешним полем над образцом.

Соответствующее приращение энергии образца в поле H будет равно
 
dW  0 H  dJ ,
а полная энергия, накопленная при увеличении поля от H=0 до H=H' ,
определится интегралом
H  
W ( H )  0  HdJ
. 0

Очевидно, для основной кривой намагничивания W(H) равна

заштрихованной площади на рис. 8.19а. Площадь, заштрихованная на
рис.

8.19б, определяет энергию, выделяющуюся при размагничивании, когда
H уменьшается до нуля. Разность этих площадей – энергия, оставшаяся в
теле (рис. 8.19в). Таким образом, полная энергия, затрачиваемая в каждом
цикле перемагничивания, должна быть равна площади петли гистерезиса.
 152

Следовательно, по таким кривым можно рассчитывать энергетические

потери в устройствах, использующие ферромагнитные материалы.

Рисунок 8.19

8.4.5. Механизм гистерезиса

Для качественного объяснения основной кривой намагничивания и
гистерезиса следует иметь в виду, что на практике образцы ферромагнеников
являются поликристаллическими, спрессованными порошкообразными
структурами, обладающими участками с аморфной структурой. С учетом
этих обстоятельств можно дать следующую интерпретацию наблюдаемым
кривым.
В слабых полях H (например, на участке 1 рис. 8.16) в кристаллитах с
доменами сначала происходит смещение доменных стенок. Домены, в
    
которых спины ( S ) сонаправлены H (угол 0 SH  ), с ростом H растут
(рис. 8.13), а другие уменьшаются. Этот процесс почти полностью обратим.
В монокристалле он завершается образованием одного большого домена.
Намагниченность достигает J S при сравнительно малых H. Петля
гистерезиса мала, а магнитная проницаемость µ в таких материалах может
иметь очень большие значения (µ > 106). Всё это характерно для мягких
ферромагнетиков. Их используют в переменном магнитном поле, например,
в трансформаторах, т.к. потери энергии на перемагничивание будут малы.
В материалах и соответствующих образцах с большой коэрцитивной силой
имеется значительный участок намагничивания (на рис. 8.16 это – 2), где этот
процесс необратим. После снятия внешнего поля в них остаётся значительная
остаточная намагниченность J r , а образец становится постоянным
магнитом. Чем больше в образце J S , J r и HC, тем лучше магнит. Высокая
коэрцитивная сила достигается в магнитных материалах, состоящих из
 153

мелких зёрен и порошков. Малая магнитная частица с линейными размерами,

меньшими характерных размеров доменов (< 106÷10-6 см), всегда
намагничена до насыщения, т.е. является однодоменной. Поэтому в такой
частице возможен лишь поворот вектора намагниченности сразу всей
частицы. Но в силу магнитной анизотропии кристаллов он должен
происходить через направление “трудной” намагниченности, что требует
больших значений внешнего магнитного поля. Разумеется, на величину
коэрцитивной силы (и необратимость) влияют примеси, различные дефекты в
кристаллитах и т.п., т.к. это затрудняет смещение доменных стенок и их
исчезновение.
8.4.6. Элементы теории ферромагнетизма
Последовательная теория ферромагнетизма может быть реализована в
рамках квантовой физики. Поэтому здесь придётся ограничиться лишь
первыми качественными представлениями о процессах, происходящих в
ферромагнетиках.
Первая основная задача состоит в объяснении стремления спинов
электронов сориентироваться в одном общем направлении. Для решения
этой задачи (как и многих других) следует, прежде всего, предположить, что
магнетик в заданных условиях, как и любая физическая система, “стремится”
занять состояние с меньшей энергией.
Чтобы состояние магнетиков с определённой ориентаций спинов было
энергетически выгодным, между спинами должно существовать
определённое взаимодействие, приводящее к минимуму полной энергии
системы. Оказывается, такое квантовое взаимодействие существует, его
называют обменным.
1
S
Квантовая теория утверждает, что из-за наличия спина ( 2)
электроны в любом силовом поле не могут находиться в одном и том же
состоянии (принцип Паули). В одних и тех же условиях электроны с
параллельными спинами “стремятся как бы раздвинуться в пространстве”,
т.е. не иметь одинаковых координат, что не имеет место для электронов с
анти - параллельными спинами.
Это приводит к тому, что во внутрикристаллическом силовом поле
полная энергия взаимодействия (кулоновская и кинетическая) пар
ближайших электронов в зависимости от ориентации их спинов оказывается
неодинаковой. Такое изменение, учитывающее параллельность или анти -
параллельность спинов электронов, и называют обменной энергией. Её
записывают в виде:

 об  2 I об Si S j , (8.43)
 154

 
S S
где i и j – спины взаимодействующих электронов, I об – коэффициент,
описывающий результат усреднения взаимодействия по пространству, где
локализованы электроны – обменный интеграл.
I 0
Если об , то энергия минимальна при параллельных спинах, что и
характерно для ферромагнетизма. В ферритах и антиферромагнетиках
обменный интеграл меньше нуля.
Энергию (8.43) можно рассматривать как энергию собственного
магнитного момента электрона в некотором обменном магнитном поле,
создаваемом диполями ближайших соседей:

  Se m
 об   Pm  Bоб   i  2I об S j
i j
m e , (8.44)

 m
B  2 I об S j
об j
e .

Приведённая модель позволяет получить закон Кюри – Вейсса для

парамагнитного состояния ферромагнетика.
Будем считать, в соответствии с (8.44), что каждый “магнитный” атом

испытывает действие некоторого среднего обменного магнитного поля B об ,

J
пропорционального намагниченности вещества :
 
Bоб   J , (8.45)
где λ – константа,не зависящая от температуры.
Внешнее поле B создаёт полную намагниченность, а последняя – обменное
поле.   
Bп  B  Bоб 
Полная индукция магнитного поля равна сумме , поэтому для J
следует записать:
 p
J   p H n  p Bn  (B   J )
0 (1   p ) 0 ,

где p – магнитная восприимчивость, которую следует считать равной
парамагнитной восприимчивости в отсутствие обменного взаимодействия,
С
p 
т.е. Т в соответствии с законом Кюри.
Решая уравнение относительно J и учитывая, что по определению для
магнетиков принято писать:
 
J  H  B B,
0 (1   ) 0
 155

для ферромагнетика в парамагнитном состоянии находим:

pB B 
J   B,
(1  p )0   p  T 1    (1  )0
 
  0
C 

 1

(1   )0  T  1   
C  0
  ,

С

С
Т
0 . (8.46)
Аналогичным образом можно получить формулу для  (Т ) феррита.
Она оказывается более сложной, чем (8.46), но также содержит критическую
точку Тк, при которой    и происходит переход в ферромагнитное
состояние. Приведённая на рис. 8.10  (Т ) для антиферромагнетика –
частный случай формулы для ферромагнетиков.

8.4.7. О техническом применении магнетиков (ферро-, ферри-)

Очевидно, специфика применения магнетиков определяется
совокупностью их свойств. Некоторые простейшие примеры использования
магнетиков уже упоминались выше. Особое значение они имеют в
электротехнике. Из них формируют магнитопроводы в трансформаторах,
электрогенераторах и моторах, реализуют магнитное экранирование для
создания компактных источников магнитного поля. Магнетики широко
применяются в аппаратуре связи, технике на сверхвысоких частотах, для
магнитной записи, в вычислительной технике и др.

9. Электромагнитное поле

9.1. Электромагнитная индукция. Закон Фарадея

\

9.1.1. Определение
Электромагнитной индукцией называют возникновение
электрического поля, тока или электрической поляризации при
изменении во времени магнитного поля или при движении
материальных сред в магнитном поле. Электромагнитная индукция была
обнаружена экспериментально и весьма подробно изучена Фарадеем
(1831 г.). Он установил, что в проводящих контурах (катушках) можно
вызвать ”индукционный “ ток, если:
 156

• перемещать контур (или его части) в магнитном поле другой

неподвижной катушки (рис. 9.1а);
• изменять магнитное поле в неподвижном контуре, меняя ток в катушке,
либо перемещая ее относительно контура (рис. 9.1б)

а) б)
Рисунок 9.1

Он также выявил, что при сближении катушек направление индукционного

тока было обратным по отношению к индуцирующему току. При удалении
проводов друг от друга наведенный ток шел в том же направлении. Когда
провода оставались неподвижными, индукционного тока не было.1)
Математическая формулировка закона электромагнитной индукции
Фарадея (Ф. Нейман 1845 г.) имеет вид:
 in 
dФB
dt , (9.1)
 
ФB   BdS
где (S )
- магнитный поток, пронизывающий контур,  in - ЭДС
электромагнитной индукции, создающая ток в замкнутом контуре.
Отрицательный знак отражает универсальное правило Э. Ленца (1833 г.)
 in всегда направлена так, чтобы магнитный поток
утверждающее, что
сквозь контур, создаваемый  in при замкнутой цепи контура,
”противодействовал” предполагаемому изменению тока. Таким образом,
“правило” демонстрирует “свойство систем” сопротивляться изменению их
первоначального состояния равновесия.2)
9.1.2. Природа электромагнитной индукции
Закон Фарадея утверждает, что ЭДС индукции и электрический ток в
замкнутом контуре проводника возникают при изменении со временем
магнитного потока через поперечное сечение контура независимо от причин,
вызывающих это изменение.
 157

Оказывается, существуют два принципиально разных механизма ЭДС.

Рассмотрим их сначала на примере плоского проводящего контура,
помещенного в однородное магнитное поле (рис. 9.2). В этом случае
магнитный поток Ф через контур записывается наиболее просто:
Ф =Bn S =BS cos  .
Подставив это выражение в (9.1), получим:

 in =  dФ =  S B cos   BS sin    B S cos  .

dt t t t
(9.2)
Первое и второе слагаемые отличны от нуля, если со временем
изменяется площадь, ограниченная контуром, либо меняется ориентация
контура в магнитном поле. Очевидно, в этих случаях происходят
перемещения частей контура. Поэтому на заряды, находящиеся в этих
частях, будет действовать магнитная составляющая силы Лоренца. Она и
должна стать источником ЭДС.
М. Фарадей. Экспериментальные исследования по электричеству. - Лондон, 1839.
1)
2)
В термодинамике – Ле-Шателье – Брауна принцип (1884-1887 гг.)

Рисунок 9.2
Последнее слагаемое “утверждает”, что ЭДС (и индукционный ток)
возникает и в неподвижном контуре, в котором на свободные заряды
(в среднем) не действует магнитная сила (Лоренца). Поэтому остается
предположить (вслед за Фарадеем), что ЭДС обусловлена электрическим
полем, присутствующим в контуре, при изменении магнитного поля. Так как
это поле не связано с движением (и разделением зарядов), то наличие
проводящего контура не обуславливает возникновение поля. Индукционный
ток в замкнутом контуре лишь позволяет обнаружить существование этого
электрического поля. Его циркуляция по замкнутому контуру, численно
равная работе по переносу единичного электрического заряда по этому
контуру, и есть ЭДС индукции:
Ф
 =  E
 
in in dl =
t . (9.3)
 158

Частной производной в (9.3) отмечено, что контур и “натянутая” на

него поверхность неподвижны. Изменение потока обусловлено только
зависимостью магнитной индукции B от времени. Из (9.3) следует
чрезвычайно важный вывод.
Изменяющееся со временем магнитное поле порождает в пространстве
электрическое поле. Оно принципиально отличается от электростатического
потенциального поля, создаваемого неподвижными электрическими
зарядами, так как оказывается вихревым (соленоидальным) полем. Так
 
E
же как и у B , силовые линии этого поля замкнуты. Если такое поле in
индуцируется в разомкнутом проводнике (рис. 9.3), то под его действием
будет происходить разделение зарядов. В проводнике возникнет электроста-

E
тическое поле, которое компенси-рует в каждом элементе in . Перемещение
зарядов прекратится, а между концами проводника возникнет
электростатическая разность потенциалов U , равная:
2
 
U =  Ein dl .
1 (9.4)
Эту разность потенциалов можно измерить. Она возникает в
трансформаторах и других с разомкнутыми концами проводов катушках, в
которых изменяется магнитный поток.

Рисунок 9.3
9.1.3. Магнитная сила Лоренца как сторонняя электродвижущая сила
Действие силы Лоренца рассмотрим на двух примерах.
Пусть плоский контур (рис. 9.4) с подвижным проводником длиной l
помещен в однородное магнитное поле, вектор индукции которого B
перпендикулярен плоскости контура. Проводник движется со скоростью
 159

 
 = ex .
На участке контура 1-2 на заряды, движущиеся вместе с проводником,
действует сила Лоренца
  
FB =q  B ,
направленная вдоль проводника. Она приводит к разделению зарядов и
возникновению тока в цепи. Напряженность стороннего поля E  по
определению равна: 
F   
E = =  B = Be y .
q

Рисунок 9.4

Поскольку неподвижная часть контура – однородный участок цепи, где

E   0 , то:
2
 ст =   Bdlx = Bl.
1
Учитывая, что:
dx dx dS
= = l
dt и dt dt ,
находим приращение потока через контур dt :
BdS =dФ  0 .
Однако, как нетрудно видеть, возбуждаемый в цепи ток создает
приращение магнитного потока dФ  0 , т.е. препятствует общему
изменению магнитного потока через контур. Поэтому, связывая  in с dФ ,
следует записать:
 in =   Bl = 
dФ
dt (9.5)
и считать, что положительному приращению потока внешнего поля
соответствует направление ЭДС индукции, определяемое правилом
левого винта.
Рассмотрим теперь движение замкнутого

проводника (прямоугольной
рамки) в плоскости, перпендикулярной B (рис. 9.5). При движении вдоль x
 160


на участках 1-2, 3-4 будет действовать сила Лоренца. Если поле B
однородное, то  ст12 = ст 43 - электрический ток в рамке не возникает. В поле,
изменяющемся вдоль x, ситуация оказывается иной. Такое поле можно,
например, создать, пропуская электрический ток через длинный
прямолинейный проводник (рис. 9.5)
x SB21 Ф21
 21 = B21l = lB21 = = ,
t t t

Ф34
 34 = B34l =
.
t
Так как  34   21 , то электрический ток в рамке направлен по часовой
стрелке, создавая магнитный поток dФ , противоположный приращению
магнитного потока внешнего поля:
dФ =Ф34  Ф21.
Поэтому в рамке снова получаем:
Ф21  Ф34
 in = =
dФ
.
t dt

Рисунок 9.5
Таким образом, действие сторонней силы в движущихся проводниках –
силы Лоренца – можно формально сопоставить с соответствующим
изменением магнитного потока через поверхности, охватываемые этими
проводниками. Следует, однако, всегда помнить, что такая электромагнитная
индукция возникает только в веществе и при наличии в нем зарядов,
способных перемещаться вдоль действия силы Лоренца.
9.1.4. Электромагнитная индукция в вакууме и непроводящих средах
Рассмотрим теперь природу возникновения последнего слагаемого в
(9.2). Представим, что наблюдатель изучает электромагнитную индукцию на
 161

рассмотренных выше примерах в системе 

отсчета S1 , где рамка покоится. В

этой системе источник внешнего поля B будет двигаться со скоростью  .
Находясь в подвижной относительно источников системе 
координат,

наблюдатель, в соответствии с преобразованиями Лоренца для E и B (см. 7.2

B1
формулу

(7.21)), наряду с магнитным полем обнаруживает электрическое
поле E  , равное 
   B    
E = =  B  c    B,
1  2
 
т.к. E  0 . Обратим внимание, поле E  существует в системе отсчета
наблюдателя независимо от зарядов в проводнике, т.е. ведется ли
наблюдение за полем, возникающим в проводящем контуре, или это
воображаемый контур в вакууме 
или диэлектрике!
Линейный интеграл от E  , взятый по рамке, равен:
  dx
 dl =l (B12  B34 )  l ( B12  B34 )= dt l ( B12  B34 ),
E
 
поскольку на боковых участках (2-3,4-1) E   dl . Это поле – вихревое (не
потенциальное), т.к. его циркуляция не равна нулю!
Значение dx - это расстояние, на которое приблизился проводник с током к
контуру за dt , что приводит к росту потока за это время через контур на
величину:
dФ =B34ldx  B12ldx =Ф34  Ф21.
Никакими способами наблюдатель в S1 не может обнаружить ни своего
движения вместе с воображаемым контуром, ни относительного

перемещения источника B , т.к. S1 - инерциальная система. (Для
“надежности” его можно даже “посадить в темную комнату”). Для него
dФ - изменение потока со временем!
Поэтому можно сделать окончательный вывод, подтверждающий
существование последнего слагаемого в законе Фарадея (9.1), (9.2).
Изменение магнитного потока со временем через любой
воображаемый контур приводит к возникновению на этом контуре, т.е. в
пространстве, вихревого электрического поля. Его циркуляция равна:
Ф
=  .
 
 E dl = 
t in
Для электрических зарядов она определяет как стороннюю
электродвижущую силу в результате изменения магнитного поля со
временем. Так как все элементы контура неподвижны, то, опуская индекс,
приведенное соотношение можно записать в виде:
 162


     B 
 Edl =  t  BdS =   t dS . (9.6)
Такая запись закона Фарадея была впервые дана Максвеллом (1864 г.),
который предположил, что изменяющееся со временем магнитное поле
независимо от присутствия проводников порождает в окружающем
пространстве вихревое электрическое поле. Наличие проводника позволяет
лишь обнаружить это поле по возникающему индуцированному току (токи
Фуко).
Таким образом, электрическое поле может быть как потенциальным, так
и вихревым. Формулировка соотношения (9.6) была одним из шагов
создания знаменитых уравнений Максвелла для электромагнитного поля.
Соотношение (9.6) часто называют первым интегральным уравнением
Максвелла (а иногда, так же как и (9.1), законом Фарадея, законом
электромагнитной индукции).

9.1.5. Первое уравнение Максвелла

(закон электромагнитной индукции в дифференциальной форме)

Воспользуемся теоремой Стокса:

  

l
E l = 
S
rotEdS ,

где S - любая поверхность, натянутая на контур l . С ее помощью из (9.6)

получаем:

  B  
S  rotE  t  dS  0.
Так как S - произвольная поверхность, то интеграл всегда будет равен
нулю, если: 
 B
rotE   .
t (9.7)
Это и есть одно из знаменитых уравнений Максвелла. Оно определяет
“источник” рождения вихревого электрического поля. Электромагнитная
индукция является одной из причин существования электромагнитных волн.
Она порождает вихревые токи Фуко, приводящие к потере энергии в
 163

сердечниках трансформаторов и электромоторов; приводит к

неустойчивостям плазменных образований (например, на Солнце) и т.д.

9.2. Самоиндукция
9.2.1. Электродвижущая сила самоиндукции и индуктивность
Электрический ток I , текущий в контуре, создает пронизывающий этот
контур поток Ф . При изменении тока будет изменяться и поток.
Следовательно, в контуре будет индуцироваться ЭДС, препятствующая
этому изменению. Это явление называют самоиндукцией.
Из законов Био - Савара - Лапласа и теоремы

о циркуляции следует,
что созданное током I магнитное поле B и магнитный поток Ф
пропорциональны этому току. Поэтому сила тока в любом контуре должна
быть связана с магнитным потоком соотношением:
 
(S) BdS =
Ф = LI . (9.8)
Коэффициент пропорциональности L в (9.8) называют индуктивностью
контура (или коэффициентом самоиндукции).
В жестких конструкциях контуров их индуктивность зависит только
от геометрии контура и магнитной проницаемости  среды. В таких
системах ЭДС самоиндукции   i  будет равна:
S

 si =
dФ
=L
dI
dt dt. (9.9)
Недостаточная жесткость конструкции при значительном токе может
приводить к деформации контура, т.е. изменению L . Поэтому в общем
случае следует записать:
 si =  dФ =  d  LI  =   L dI  I dL 
dt dt  dt dt  .

Однако, в дальнейшем мы будем пользоваться для   i  только формулой S

(9.9).
Если контур, в котором индуцируется  si , состоит из нескольких витков
 N  (например, это катушка), то каждый из витков пересекается полем и в
каждом из них индуцируется ЭДС (  si ). Полная  
k k
si будет равна сумме si :

d N 
 =  dФk
N N

si
k
si = =    Фk 
k 1 dt dt  k 1  .
k 1
(9.10)
 164

N
 =  Фk =LI
Величину k 1 . (9.11)
называют потокосцеплением. Так как по виткам течет одинаковый ток I , то
с  также связывают, но уже полную индуктивность системы.

Поток Фk через каждый виток определяется магнитной индукцией B ,
пронизывающим рассматриваемый виток магнитным полем, созданным всей
системой витков в сечении конкретного витка.
С учетом (9.11.), (9.10) можно переписать в виде:
 Si =  d =  L dI
dt dt . (9.12)
Если магнитные потоки через каждый из витков равны друг другу Фk =Фi ,
где Фi - поток через один виток, то  =NФi , и
 Si
=N
dФi
=L
dI
dt dt . (9.13)
9.2.2. Примеры расчета индуктивности
Формулы (9.10)-(9.13) показывают, как следует рассчитывать
индуктивности различных устройств. Часто наиболее простой оказывается
ситуация, когда можно пользоваться (9.13).

1. Индуктивность длинного соленоида

В нем можно пренебречь краевыми эффектами и считать, что
магнитная индукция в каждом витке равна:
B =0 nI ,
(9.14)
где n - число витков на единицу длины (см. 7.4.3 формула (7.50));
 - магнитная проницаемость сердечника соленоида. Соответственно,
индуктивность оказывается равной:

L =0 nNS =0 n 2lS . (9.15)

2. Индуктивность тороидальной катушки

Будем считать, что тор имеет N прямоугольных витков. Малый и большой

радиусы тора, соответственно, равны a и b. Магнитное поле в тороиде
описывается формулой:
0 NI
B (r )=
2 r (9.16)
(см. 7.4.3, (7.51)).
 165

Рисунок 9.6

Поэтому индуктивность оказывается равной:

0 N 2 h b dr 0 N 2 h b
L=
2 a r = 2 ln a
. (9.17)
Единицей измерения L является Генри (Гн). Один Гн соответствует
контуру, в котором при силе тока 1А возникает потокосцепление (полный
Вб   Тл  м 2 
 Гн =  = 
поток) в 1 Вб  А   А 
.
Катушка в 1 Гн без ферромагнитных сердечников представляет собой
уже конструкцию довольно внушительных размеров. Так для тора,
поскольку 0 =4 10 Гн / м , имеем для расчетов формулу:
-7

b
L =210-7 N 2 h  ln
a Гн.
b
1ln
Если принять h =1 м, а a , то, чтобы в катушке получить L =1Гн ,
придется намотать в один слой почти 3 10 витков, при внутреннем радиусе
3

тора 0,5 м. Это ограничит максимальный диаметр провода d n  1мм , что в

свою очередь определит предельные значения тока в торе и максимальную
индукцию в его полости.
9.3. Переходные процессы в электрических цепях с индуктивностью
и емкостью
Переходными называют процессы перехода систем из одного
квазистационарного состояния в другое при изменении условий их
пребывания во внешней среде. Сравним, что происходит в электрических
цепях, если в них включены помимо резистора емкость или катушка с
индуктивностью ( L - индуктивность).
9.3.1. Электрическая цепь с емкостью
 166

Принципиальная схема цепи, с помощью которой можно заряжать или

разряжать конденсатор через сопротивление R , изображена на рисунке 9.7.
Будем считать, что в каждый момент выполняется закон Ома. Для
процесса зарядки он имеет вид:
dq q 
IR  U c  
 
или dt RC R .
Поэтому
dq 1
= dt
q  C CR .

Рисунок 9.7
Справа и слева можно найти первообразные (с точностью до производной
постоянной!)
1
ln( q  C )=  t  lnB
RC ,
где произвольная постоянная записана в виде логарифма.
t
q  C =Be

RC
.
В момент времени t = 0 конденсатор разряжен q  0  =0 , что дает
t
q  t  =C (1  e

RC
)
. (9.18)
После размыкания K1 и последующего замыкания K 2 реализуется разряд
конденсатора. Будем считать, что разряд начинается с q =qm в момент начала
отсчета времени t = 0. Закон Ома для разрядки:
dq q
IR  U c =0  R 0
dt C ,
t

q =Вe
.
RC

Или после подстановки начального условия:

t

q =qm e RC
. (9.19)
 167

В соотношениях (9.18), (9.19) величина

 r =RC (9.20)
характеризует масштаб времени, за которое устанавливается (в основном)
квазистационарное состояние в цепи. Её называют временем релаксации.
Зависимости q(t ) , I (t ) для заряда (1) и разряда (2) конденсатора приведены на
рис. 9.8.

Рисунок 9.8

9.3.2. Электрическая цепь с индуктивностью, в которой происходит

переходный процесс при замыкании и размыкании цепи, изображена
на рис. 9.9. Пусть в момент времени t = 0, когда замыкают ключ K1 , K 2
был уже замкнут. Формирование тока в цепи при t  0 будет определяться 
и ЭДС самоиндукции
IR0 =   si =  L
dI
dt . (9.21)
dI R0
 dt
 L
I
R0
Или .

Рисунок 9.9
Приняв, что в начальный момент времени I  0  =0 , находим:
 168


ln  I 
  =  R0 t  lnB,

 R0  L

I  Be

R0
L
t

 ,
R0

I
 
1  e

1
r

,
R0  
 (9.22)
L
r 
R0 - время релаксации в цепи. Кроме зависимости I  t
где в цепи
представляет определенный интерес анализ зависимости   t  si

 si  t    L dI = e  r


dt (9.23)
R0
и напряжения на резисторе
t

U 0  t   IR0 = (1  e )

r
. (9.24)

Графики всех этих величин приведены на рисунке 9.10. Как видно из

сравнения рис. 9.9, 9.10, картина переходного процесса в цепи с
индуктивностью противоположна поведению тока и напряжений в емкостной
цепи. Причина – ЭДС самоиндукции в L и то обстоятельство, что при qC =0
контур с конденсатором как бы замкнут.
Любая электрическая цепь обладает электрической индуктивностью.
Существенная особенность для электрических цепей с индуктивностью
возникает при разрыве таких цепей. Дело в том, что при мгновенном
разрыве цепи ток скачком стремится уменьшиться до нуля и, следовательно,
 Si
=L
dI
dt

в момент разрыва на выключателе (“рубильнике”) возникает .
 169

Рисунок 9.10

Это приводит к пробою возникающего зазора между контактами

выключателя (возникновению электрической дуги), что, зачастую, разрушает
выключатель.
Процессы, происходящие в цепи при её разрыве, можно уяснить в
результате электрических характеристик контура (рис. 9.9) при размыкании
ключа K 2 . За начало отсчета времени примем момент замыкания ключа. До

I1 =I 0 =
этого момента, т.е. при t  0 , R0 . При t  0 сопротивление скачком

возрастает от R0 до R  R1  R0 . Уравнение, описывающее изменение тока при

t  0:

 IR =
dI
L
dt .
R
 t 
I  Be L

Его решение: R.


I  I0 
В момент t  0, R 0 . Из этого условия находим B и
окончательную формулу для I  t  :
  R   RL t 
I  t    1  e  1
R  R0  . (9.25)

Для ЭДС самоиндукции имеем:

 170

R   RL t
 si = L =  L =   1 e
dI
dt  R0  . (9.26)
Соответственно, напряжение на R в момент t  0 будет равно:
U R  IR     si 
R
t 0
R0
.
При R   (разрыв цепи)  UR  
Si , .
Приведенные формулы иллюстрируют рис. 9.11:
1,1 - ток и напряжение на индуктивности при замыкании К и замкнутом К
1 2
(ср. с рис. 9.10);
2, 2 -  i и ток после размыкания К .
S
2

Рисунок 9.1
9.4. Энергия электромагнитного поля
9.4.1. ”Магнитная” энергия в замкнутом контуре
Процесс установления тока в электрических контурах (катушках) требует
совершения определенной работы. В цепи рис. 9.9 работа совершается
источником тока с электродвижущей силой  . Её можно найти,
воспользовавшись уравнением (9.21), описывающим процесс установления
тока в цепи
  RI   L  RI  L
dI
dt .
Умножив это уравнение на dq  Idt , получим:
 Idt  RI 2
dt  LIdI . (9.27)
Первое слагаемое в правой части - работа источника  , затрачиваемая
на джоулево тепло, выделившееся в цепи за время dt . Второе - работа
против сторонней силы самоиндукции в катушке, затрачиваемая на
 171

приращение тока I на величину dI . В результате в катушке возникает

некоторый дополнительный запас энергии -
dWL  LIdI .
Полная энергия, запасенная в катушке после установления
квазистационарного тока, будет равна:
L 2
Im
LI m2
WLm   LIdI 
2 Im 
 
2R 2
0 R . (9.28)
Или в общем виде:
LI 2  I  2
WL    ,
2 2 2L (9.29)
где  - потокосцепление,   LI .
Одновременно с ростом тока в окружающем витки катушки пространстве
растет магнитное поле B . После установления тока  i оказывается равной

S

нулю, магнитное поле перестает расти, а источник тока совершает лишь

2
работу по поддержанию тока ( I m Rt ) из-за наличия в проводниках
джоулевых потерь.
Таким образом, можно утверждать, что энергия, запасенная в индуктивной
составляющей цепи, это энергия магнитного поля, возникающего в
результате создания конечного тока в электрическом контуре.
9.4.2. Плотность энергии магнитного поля
Чтобы связать энергию, накопленную в катушке, с возникшим в
пространстве магнитным полем, рассмотрим такую связь в длинном
соленоиде. В нем можно считать, что магнитное поле сосредоточено внутри
катушки, если пренебречь краевыми эффектами. При таком приближении
имеем:
B  0 nI ,  NФ  nlBS  0 n 2lSI  0 n 2 IV
,
где l - длина, S - поперечное сечение соленоида, V - его объем.
Формула для индуктивности (см. 9.15) имеет вид:

L  0 n 2V
I .
Подставляя это выражение в (9.29), получим
LI 2 n2 I 2 B2
WB  WL   0 V V
2 2 20 , (9.30)
 
B H  B  0 H
2 2
wB   
2 0 2 2 , (9.31)
где wB - плотность энергии магнитного поля.
В общем случае wB - функция координат. Поэтому полная энергия,
запасенная в магнитном поле равна:
 172

B2 3
WB   wB d r   3
d r
(V ) (V )
2  0
. (9.32)
9.4.3. Энергия электромагнитного поля

Полная энергия, запасенная в произвольном электромагнитном поле, равна

сумме энергии электрического и магнитного полей, поэтому полная
плотность энергии поля равна:   
DE HB
w  wE  wB  
2 2 . (9.33)
Соответственно, для полной энергии имеем:

1   3 1  3
W  wd 3 r 
2 (V)
DEd r   HBd r
2 (V )
(V )
. (9.34)

9.5. Взаимная индукция

9.5.1. Электродвижущая сила взаимной индукции
Взаимной индукцией называют явление возникновения сторонней ЭДС в
электрической цепи при изменении тока в другой цепи. В качестве
простейшего примера рассмотрим взаимную индукцию для двух замкнутых
контуров C1 , C2 . Пусть в одном из них течет ток I1 (рис. 9.12).
Магнитный поток, пронизывающий второй контур, должен быть
пропорционален току I1
21  M 21 I1 . (9.35)

При изменении этого потока в контуре возбуждается ЭДС, равная

 i 21   M 21
dI1
dt , (9.36)
и, соответственно, полная ЭДС

  
i2 si  i 21   L2
dI 2 dI
 M 21 1
dt dt . (9.37)
Аналогично формулы можно записать для контура 1:
 173

 i12   M 12
dI 2
 i1   L1
dI1 dI
 M 12 2
dt , dt dt . (9.38)

Контуры 1, 2 называют
связанными, коэффициенты M 12 ,
M 21 - коэффициентами взаимной
индукции.
Замечательно, что для любых
двух контуров

M 12  M 21 . (9.39)

Рисунок 9.12

Это утверждение составляет содержание “теоремы взаимности” для

магнитного взаимодействия двух контуров, доказательство которой
приводится в следующем пункте параграфа.

9.5.2. Энергия магнитного поля взаимодействующих контуров.

Теорема взаимности

Для установления токов I1 , I 2 в контурах C1 , C2 источники сторонних

ЭДС  S совершают работу против ЭДС индукции. Энергия стороннего
источника в процессе совершения работы превращается в запас энергии
системы, сосредоточенной в возникшем магнитном поле. За промежуток
времени dt работа  S и приращение энергии равны:

dA1   in1dq1   in1 I1dt  dW1 .

При нарастании токов до наблюдаемых значений I1 , I 2 находим

например для C1
I1 I1
I 21
W1   L11 I1dI1   M 12 I 2 dI1  L11 M 12 I 2 I1  W11  W12
2
0 0 , (9.40)
2
I
W2  L22 2
 M 12 I1 I 2  W22  W21
2 .
(9.41)
Вторые слагаемые в (9.40) и (9.41) должны быть равны друг другу,

т.к.
определяют запас энергии одного контура с током в поле B другого
 174

контура.1) Иными словами каждое из них - энергия взаимодействия

контуров C1 , C2 , обусловленная взаимной индукцией. Поэтому, определяя
полную магнитную энергию системы контуров, следует в конечном
выражении использовать только одно или по половине каждого из этих
слагаемых:

1
W  L11I12  ( M 12 I1 I 2  M 21 I 2 I1 )  L22 I 22 
2 .
В такой форме формулу легко обобщить на любое число контуров, записав

1 n n n

W  
2  i 1
Lii I i
2
  M ik I k I i 
,
i 1 k  i
(9.42)

M I I
ik k i
где k  i - энергия взаимодействия контура Ci со всеми контурами k.
При наличии магнетиков индуктивность контуров и взаимные
индуктивности увеличиваются в  раз и, следовательно, во столько же раз
вырастет энергия магнитного поля. Следует также иметь в виду, что при
использовании ферромагнетиков  оказывается функцией B .
В заключение, воспользовавшись равенством W21  W12 ,
т.е. M 21I 2 I1  M 12 I1I 2 , находим, что
M 21  M 12  M (9.43)
для любых двух контуров, между которыми возникает взаимная индукция.
Это утверждение составляет содержание «теоремы взаимности» для
магнитного взаимодействия двух электрических контуров. Разумеется,
теорема не есть результат геометрической симметрии. Здесь она пример
симметрии электромагнитных взаимодействий. Аналогичные «теоремы»
существуют и в ряде других проявлений электромагнитных
взаимодействий, в частности, в законах возбуждения и распространения
электромагнитных волн. Аналитическая формулировка теорий может быть
весьма сложной.


C1
1)
с током I1 - это магнитный диполь, помещённый в поле B2 .
 175

9.6. Простейшие примеры применения закона Фарадея

и коэффициента взаимной индукции
9.6.1. Генератор постоянного напряжения (тока)
Простейшая конструкция генератора - металлический диск или колесо с
проводящими спицами (рис. 9.13), вращающийся в постоянном магнитном
поле. Между прижимами (щетками) (см. рисунок) при вращении колеса с
угловой скоростью  возникает ЭДС, равная

   B ( R 2  r02 )
2 .
Физическая причина - сила Лоренца, которая возникает в каждом элементе
спицы и обода колеса
F  q  B  q rB
.
Она начинает разделять заряды. Рост объемного поверхностного заряда на
ободе будет происходить до тех пор, пока в каждом элементе поле Е не
уравновесит магнитную составляющую силы Лоренца. Из условия
равновесия находим поле Е(r).
qE ( r )   q rB ,

E   rB .
Соответственно, ЭДС между щетками равна:

    qEdr   B  rdr   B ( R
R R
2
 r02 )
r0 r0
2
.

Рисунок 9.13
 176

9.6.2. Генератор переменного тока

Простейшая модель - проводящий контур (рамка), вращающийся в
магнитном поле (рис. 9.14). На щетках коллекторов - проводящих колец, к
которым присоединены концы проводов рамки, при вращении рамки с
угловой скоростью  возникает переменное напряжение (ЭДС), равное:
 (t )   m sin t
.

Рисунок 9.14

Физическая причина - снова магнитная сила Лоренца. Однако найдем

формулу для  (t ) , воспользовавшись законом электромагнитной индукции
Фарадея
   d
dt ,

где   n , n - число витков в рамке,   SB cos   SB cos t - поток


вектора B через рамку в момент t.
Поэтому
U ~   (t )  SBn sin t .

9.6.3. Взаимная индукция компланарных

концентрических колец (рис. 9.15)

Будем считать R2 R1 , так что магнитный поток через C2 определяется

приблизительно постоянным полем B центральной части кольца C1
0
B1  I1
2 R1 .
Магнитный поток через C2 -
0
21  R22 I1
2 R1 .
Откуда:
R22 0
M 
2 R1 . (9.44)
 177

Рисунок 9.15

9.6.4. Трансформатор

Трансформатором называют две индуктивно связанные катушки. Чаще

всего они связаны общим сердечником из магнито-мягкого ферромагнетика,
так что магнитные потоки, пронизывающие катушки, оказываются
одинаковыми (рис. 9.16). Иногда используют “воздушные” трансформаторы
(без сердечника) (рис. 9.17).

Рисунок 9.16

Рассмотрим сначала воздушный трансформатор, полагая, что поток через

катушку 2 формируется B в центральной части соленоида 1.

B  0 n1 I1 ,
Ф2  S10 n1 I1 .
 178

Соответственно, потокосцепление:
N1
 2  0 S1 I1 N 2  MI1 ,
l1
S1
M  0 N1 N 2 .
l1 (9.45)

Рисунок 9.17
У трансформатора с сердечником весь поток от любой из катушек
сосредоточен в сердечнике, а магнитная индукция B оказывается в  раз
больше. Поэтому
S
M  0  N1 N 2
l . (9.46)
Рассмотрим работу трансформатора (рис. 9.18). Пусть к его первичной
обмотке приложено переменное напряжение. Тогда законы Ома для
первичной и вторичной обмоток имеют вид:
d 1 d 2
I1r1    , I 2  R  r2   
dt dt , (9.47)
где r1 , r2 - омическое сопротивление обмоток,  - сторонняя ЭДС,
подключенная к трансформатору. В обычных условиях r1 , r2 малы. Поэтому
пренебрежем ими в (9.47) и учтем, что оба контура охватывают один и тот
же магнитный поток Ф0 .

Рисунок 9.18
 179

Из (9.47) находим:
d 1 dФ0 

dФ0  ,
 N1
dt dt , dt N1
 2
dФ0 N
I 2 R  U1   N 2
dt N1 . (9.48)

Таким образом, в первичной обмотке is в каждый момент компенсирует
приложенное к транзистору напряжение. Отношение:
U U2 N
 k  2
 U1 N1 , (9.49)
определяет коэффициент трансформации. Если пренебречь потерями энергии
в трансформаторе, то закон сохранения энергии в нем имеет вид:
I1U1  I 2U 2 ,

т.е. для амплитуд силы токов в обмотках получаем обратное (9.49)

соотношение
I 2 m 1 N1
 
I1m k N 2 . (9.50)
9.7. Уравнения Максвелла
Система уравнений Максвелла (1860 г.) является достаточной для
описания всех явлений в области электромагнитизма, для которых возможно
применение классических физических представлений.
Завершение классической теории электромагнитного поля стало
возможным после того, как Максвелл, развивая идею Фарадея о единой
природе взаимодействия между заряженными телами, выдвинул и оформил
математически гипотезу о симметрии взаимной связи переменных
электрического и магнитного полей.
В основе теории лежат два положения.
1. Всякое переменное магнитное поле порождает вихревое электрическое
поле.
Это утверждение – прямое обобщение закона Фарадея (закона
электромагнитной индукции).
2. Любое переменное электрическое поле порождает магнитное (вихревое)
поле.
Оба положения формируют идею Максвелла о симметрии в уравнениях,
которые должны описывать состояние вихревых электрического и
магнитного полей.
Выясним, откуда возникает и как количественно описать второе
положение. Для этого проанализируем, в какой взаимосвязи находятся и как
реализуются законы полного тока и сохранения электрического заряда в
условиях, когда в пространстве возникает переменное электрическое поле.
 180

9.7.1. Ток смещения и закон полного тока

Нетрудно сообразить, что симметрия для полей предполагает для
переменного магнитного поля, в отсутствие токов, выполнение следующего
соотношения, аналога закона Фарадея:
  ФД   
l Hdl 
t
  DdS ,
t s
(9.51)
или в дифференциальной форме: 
 D
rotH 
t . (9.52)
Величину 
D 
 jсм
t . (9.53)
Максвелл назвал плотностью “тока смещения’’. Формулы утверждают, что
ток смещения является наряду с токами проводимости равноправной
причиной возникновения
магнитного поля. Очевидно, роль первого и второго
токов, как источников H , должна зависеть 
от условий возникновения поля, и,
следовательно, в теорему о циркуляции H они должны войти на одинаковых
основаниях.
     

l
Hdl   jdS   jсм dS 
s S

  D 
  jdS   dS  I  I см .
t
s s (9.54)
Сумму токов, стоящую справа в (9.54), Максвелл назвал полным током.
Поэтому уравнение часто называют законом полного тока. Роль, место, а
также знак тока смещения по отношению к току проводимости (“плюс” в
(9.53), (9.54)) удобно выяснить на моделях квазистатических
(квазистационарных) электромагнитных процессов, в которых токи
оказываются пространственно разделенными. Обычно для этого используют
модель заряда (разряда) конденсатора (рис. 9.19). По отношению к
электромагнитным системам, процессы можно считать квазистационарными,
если характерное время изменения внешних условий, определяющих
процесс, существенно больше времени распространения света
(электромагнитных возмущений) по всей системе. В такой ситуации в
каждый момент параметры состояния, например, ток заряда конденсатора,
распределение зарядов по поверхности пластин (и т.п.) будут достигать
оптимальных, т.е. максимально возможных значений.
 181

Рисунок 9.19

При зарядке конденсатора ток втекает внутрь замкнутой поверхности

S  S1  Sl , окружающей пластину 1, пересекая ее участок, площадку Sl . Затем
он растекается по пластине, увеличивая ее заряд в соответствии с уравнением
непрерывности:
  dq
 jdS   dt , (9.55)
так как ток не вытекает из S . Ток проводимости вытекает из пластины (2)
конденсатора, увеличивая на ней отрицательный заряд. Таким образом,
силовые линии тока проводимости между пластинами конденсатора
прерываются. С другой стороны циркуляция H по контору l дает отличное
от нуля значение, которое, если взять площадку, стягиваемую контуром Sl ,
равна I :
   
   jdSn  I
Hdl
l S .

Однако, в соответствии с теоремой о циркуляции H , поверхность,
S1
опирающаяся на контур l , может быть любой, в том числе и (на рис. 9.19),
дополняющая Sl до S , и через которую ток проводимости не течет.
Возникает очевидное противоречие, которое легко устраняется с помощью
(9.55):
 182

  
 jdS     d 3 r
t V
.
Так как заряды – инварианты в любой системе отсчета, то при любом
их движении справедливо равенство:

divD   .
Поэтому, используя теорему Остроградского - Гаусса, далее находим:

         D  
 jdS    divDd 3r    DdS
t V t s s  j  t dS  0
s или . (9.56)
В квазистационарном случае силовые линии тока проводимости при
заряде (разряде) конденсатора переходят в линии вектора электрического
смещения - плотности тока смещения!
D
Векторное поле tпоявляется для того, чтобы продолжить ток

проводимости. Поэтому на поверхности S  весь вклад в циркуляцию H на l 
дается вторым слагаемым в (9.54).
  
jсм  jсм  r 
При известной зависимости

в пространстве, можно
вычислить циркуляцию H вдоль любого контура, который не пересекает ток
проводимости. Например, для контура l  на рис. 9.19

  D 
 Hdl   t dS
l . S

В общем случае ток проводимости и смещения существует в одном и

том же объеме, формируя полный ток. Каждый из них вносит свой вклад в
создание магнитного поля.

9.7.2. Система уравнений Максвелла в интегральной

и дифференциальной формах

Открытие тока смещения позволило Максвеллу завершить создание

классической макроскопической теории электромагнитного поля. В ее
основе лежат

четыре уравнения, определяющие источники возникновения
полей E и B , а также материальные уравнения, описывающие отклик среды
на действие полей.
Первое уравнение указывает, что источником возникновения вихревого
электрического поля является изменяющееся магнитное поле. Оно является
результатом идеи Максвелла о возможности расширения

закона
электромагнитной индукции Фарадея при изменении B со временем, на
пространство, где отсутствует материальная среда.
 183

В интегральной и дифференциальной формах уравнение имеет уже

известный нам вид: 
     B 
l Edl  
t S
BdS   S t dS ,

 B
rotE   ,
t (9.57)
где l и S – соответственно произвольные (воображаемые) контур и
поверхность, опирающаяся на избранный контур.
Второе уравнение

определяет характеристики потенциальной

части
электрического поля E и указывает, что источниками такого поля E являются
электрические заряды. Аналитическое выражение уравнения - теорема
Гаусса и закон Кулона в дифференциальной форме:
 
 DdS    d 3r
s

V , (9.58)
divD   .

Вторая пара уравнений описывает поле B :
    D 
l Hdl  s jdS  s t dS

, (9.59)
  D
rotH  j 
t ,
 
 BdS  0
s ,

divB  0 . (9.60)
Соотношения (9.60) являются обобщением теоремы Гаусса для
магнитного

поля. Напомним, что они “говорят” о том, что силовые линии
поля B всегда замкнуты (в природе отсутствуют магнитные заряды,
магнитное поле всегда является вихревым, соленоидальным полем).
Замыкают систему материальные уравнения. В простейших случаях они
имеют вид:
     
D   0 E , j   E , B  0 H . (9.61)
Еще раз напомним, что при записи всех уравнений были использованы
известные понятия и теоремы векторного анализа:
grad   - градиент скалярной функции   x, y, z  ;
     
  ex  e y  ez
x y z - оператор Набла;
  
divA    A - дивергенция векторной функции  x, y , z  ;
A
 
rotA    A - ротор векторной функции;
 184

  
 AdS   divAd 3r
s V - теорема Остроградского - Гаусса;
   
 Adl   rotAdS
l s - теорема Стокса.
Заметим также, что


div rotA  0
,
 (9.62)
т.к. компоненты векторного поля вычисляются как циркуляции по
замкнутым элементарным контурам (поле такого вектора является
соленоидальным).  
Чтобы обсудить единство и взаимосвязь E и B , выпишем теперь всю
систему уравнений в дифференциальной

форме:
 B 
rotE  
t
, div( 0 E )   ,

   ( 0 E )  
rotH  j  , divB  div (  H )  0,
t 0
     
D   0 E , j   E , B  0 H . (9.63)

В вакууме уравнения Максвелла приобретают симметрию относительно E и

B , к которой стремился Максвелл, вводя ток смещения:

 B
rotE   , 
t divE  0,

 E
rotB   0 0 , 
t divB  0, (9.64)
1
 0 0  2 .
где c
Из сравнения (9.63) с (9.64) видно, что отсутствие симметрии в
уравнениях (9.63) обусловлено исключительно наличием электрического
заряда и тока проводимости. Ток смещения в вакууме имеет первостепенную
важность. Его присутствие наряду с его аналогом в первом уравнении
означает возможность появления электромагнитных волн. Теоретический
анализ свойств этих волн позволил Максвеллу создать электромагнитную
теорию света.
9.7.3. Единственность решений и пределы применимости уравнений
Максвелла
Важнейшее ограничение области применимости уравнений обусловлено
тем, что они являются обобщением классических представлений об
электромагнитном поле. Поэтому там, где существенны квантовые свойства
материи, они перестают правильно описывать объективную реальность.
Современная теория здесь пользуется уравнениями “квантовой
 185

электродинамики”, которые переходят в уравнения Максвелла в

классическом “пределе”. При использовании уравнений Максвелла, следует
также учитывать, что теория Максвелла - это макроскопическая теория.
Пространственная протяженность зарядов и токов, входящих в уравнения,
много больше размеров отдельных атомов и молекул. Поэтому и сами поля в
уравнениях являются макрополями, усредненными по относительно
большим объемам вещества. Только в вакууме получающееся из уравнений
электромагнитное поле совпадает с локальным полем, пока не возникает
необходимость учета квантовых эффектов.
Второй вопрос – это полнота уравнений (9.63), (9.64). С помощью
материальных уравнений можно, так же как и в (9.64) и (9.63), перейти к
 
уравнениям относительно E и B . Тогда для шести неизвестных компонент
будет иметься восемь скалярных уравнений. На первый взгляд, система
оказывается переполненной. Однако на самом деле независимыми
оказываются только шесть уравнений.
Действительно, применим к первому уравнению div ,
 (9.63) операцию
 B

div rotE  0   div 
t ,

или, т.к. в правой части все производные B – частные
 
t

divB  0 
.
Дифференцирование четвертого уравнения по времени дает
эквивалентный результат, т.е. между первым и четвертым уравнением
имеется однозначная дифференциальная связь. Аналогичную связь находим
между вторым и третьим уравнением:

  D 
 

div rotH  0  divj  div  
 t  .
 
divj   
Но t и для D получаем второе уравнение:
  
t
 
divD    0  divD  
.
Третий вопрос – единственность решений уравнений Максвелла.
Ответ на него требует тщательного анализа вида материальных уравнений.
Они зависят не только от свойств среды, но и от характера ее движения в
избранной системе отсчета.
Простейшими (имеющими вид (9.61) , где  ,  ,   const ) эти уравнения
оказываются в однородной изотропной среде в отсутствие ферромагнитных
и сегнетоэлектрических тел. В этом случае уравнения Максвелла являются
линейными, а получающиеся их решения будут подчиняться принципу
 186

суперпозиции. Линейным уравнением называется уравнение, в котором

исходные функции и их производные входят в первой степени, отсутствуют
их произведения и т.п.   
В такой ситуации при заданных функциональных зависимостях   r , t  , j  r , t 
и известных граничных условиях уравнения будут давать одно единственное
решение. Действительно, если имеются два решения, то в силу принципа
суперпозиции их разность тоже будет решением, но уже при нулевых
зарядах, токах и граничных условиях. Так как для таких полей отсутствуют
источники, то из закона сохранения энергии следует, что разность решений
тождественно равна нулю, т.е. решения одинаковы (теорема Пойнтинга).
Если элементы среды движутся, то даже в простейших случаях отклик
среды на воздействие полей по разным направлениям оказывается
неодинаковым. Среда становится анизотропной. Это связано с тем, что в
движущейся системе отсчета необходимо учитывать преобразование
 
Лоренца для полей E и B . Исследование структуры полей в этих условиях
составляют предмет электродинамики движущихся сред.
Особенно сложной оказывается ситуация в нелинейных средах, в
которых  ,  ,   
зависит от E и B или их производных. Принцип
суперпозиции в таких веществах не работает и никаких общих утверждений
о единственности решений не существует.
10. Вопросы для самоконтроля

10.1. Электостатика

1. Что такое электромагнетизм?

2. Что является основополагающим представлением в теории
электромагнитизма?
3. Сформулируйте и перечислите основные общие свойства
электрического заряда.
4. Какова единица измерения электрического заряда в системе СИ?
5. Перечислите и объясните основные положения теории
электромагнитизма.
6. Что такое пробный электрический заряд?
7. Сформулируйте закон Кулона и дайте определение напряженности
электрического поля.
8. Что описывает сила Лоренца?
9. Поясните необходимость введения понятия вектора магнитной
индукции (магнитного поля) при описании электромагнитных
взаимодействий.
10. В чем суть принципа суперпозиции электрических полей?
11. Поясните суть принципа близкодействия.
12. Какое поле называется электростатическим?
 187

13. Сформулируйте основную задачу электростатики.

14. Что изображают силовые линии электростатического поля?
15. В чём выражается потенциальность электростатического поля?
16. Что такое потенциал электростатического поля и его свойства?
17. Как связан электростатический потенциал с напряжённостью
электростатического поля?
18. Что такое эквипотенциальные поверхности и как они строятся?
19. Напишите и поясните выражения для напряжённости и потенциала
электрического диполя на больших расстояниях.
20. Какие силы и момент сил действуют на диполь во внешнем
электрическом поле?
21. Напишите и поясните выражение для потенциальной энергии диполя в
электростатическом поле.
22. Что такое поток вектора напряженности?
23. Сформулируйте и поясните теорему Гаусса в интегральной и
дифференциальной формах.
24. Напишите и поясните уравнения Пуассона и Лапласа.
25. Что такое поляризация диэлектриков?
26. Какие молекулы являются полярными, а какие – неполярными?
27. Опишите связь поляризованности с плотностью поверхностных и
объёмных поляризационных зарядов.
28. Что такое вектор электрической индукции (смещения)?
29. Напишите и поясните теорему Гаусса в диэлектрике в интегральной и
диффиренциальной форме.
30. Напишите и поясните граничные условия для электрического поля на
границе двух диэлектриков.
31. Что такое электрическая индукция?
32. Как распределяются электрические поля и заряды в уединённых
проводниках?
33. Как зависит плотность сторонних зарядов на поверхности от её
кривизны?
34. В чём суть электростатического экранирования?
35. Что такое ёмкость уединённого проводника и конденсатора?
36. Чему равна энергия заряженного уединённого проводника и
конденсатора?
37. Чему равна энергия и её плотность произвольного электрического
поля?
10.2. Постоянный электрический ток
1. Дайте определение силе тока и плотности тока.
2. Как связана сила тока с его плотностью?
3. Напишите и поясните уравнение непрерывности.
4. Что такое средняя направленная скорость носителей тока?
 188

5. Что такое подвижность носителей тока?

6. Что такое удельные электропроводность и электрическое
сопротивление среды?
7. Сформулируйте и поясните закон Ома в интегральной и
дифференциальной формах.
8. Сформулируйте и поясните закон Джоуля-Ленца в интегральной и
дифференциальной формах.
9. Что такое сторонние силы в электрических цепях?
10. Что такое электродвижущая сила?
11. Что такое внутреннее сопротивление источника и сопротивление
внешней цепи?
12. Запишите и поясните закон Ома для полной (замкнутой) цепи.
13. Сформулируйте и поясните правила Кирхгофа.
10.3. Стационарное магнитное поле
1. Что такое вектор магнитной индукции?
2. Как записать силу воздействия электромагнитного поля на
движущийся точечный заряд?
3. Существуют ли в природе магнитные заряды (магнитные монополи)?
4. В чем принципиальное отличие магнитного и электростатического
полей?
5. Сформулируйте, в чем схожесть и различия законов Кулона и Ампера
(взаимодействия постонных токов).
6. Сформулируйте и запишите закон Био - Савара - Лапласа.
7. Что такое элемент тока?
8. Что такое магнитный дипольный момент?
9. Сформулируйте и запишите теорему о циркуляции вектора
магнитной индукции.
10. Что такое гиромагнитное отношение?
11. Как ведет себя контур с током в магнитном поле?
12. За счет какого источника энергии совершается работа сил Ампера?
13. Какие вещества называются диамагнетиками и парамагнетиками?
14. Дайте определение вектора намагниченности?
15. Что такое магнитная восприимчивость вещества?
16. Сформулируйте теорему о циркуляции (закон полного тока).
17. Сформулируйте условия на границе двух изотропных магнетиков.
10.4. Электромагнитное поле
1. В чем суть явления электромагнитной индукции?
2. Сформулируйте и запишите закон Фарадея. Что такое электродвижущая
сила (ЭДС)?
3. В чем заключается природа электромагнитной индукции?
4. Запишите и поясните первое уравнение Максвелла в дифференциальной
форме.
 189

5. Что такое ЭДС самоиндукции и индуктивность контура?

6. Запишите выражение для плотности энергии магнитного поля.
7. Запишите выражение для плотности энергии электромагнитного поля.
8. Поясните суть явления взаимной индукции.
9. Что такое теорема взаимности?
10. Что такое ток смещения?
11. Сформулируйте и запишите закон полного тока.
12. Запишите и поясните систему уравнений Максвелла в интегральной и
диффиренциальной формах.
13. Каковы пределы применимости уравнений Максвелла?
11. Тестовые задания для самоконтроля
11.1. Электрическое поле
1. Напряженность поля в центре квадрата со стороной а, в вершинах
которого находятся одинаковые точечные заряды +q, равна:
2. Кольцо радиуса R равномерно заряжено с линейной плотностью заряда τ.
Сила, действующая на заряд q, помещенный в центр кольца, равна:
3. В вершинах квадрата со стороной а помещены одноименные точечные
заряды q. Сила, действующая на один из зарядов равна:
4. Круглая пластина радиуса R равномерно заряжена с поверхностной
плотностью заряда σ. Определите напряженность в точке, лежащей на
перпендикуляре, восстановленном из центра пластины на расстоянии d от
пластины.
5. Циркуляция вектора Е – это:
6. Циркуляция вектора напряженности в электростатическом поле равна:
7. Напряженность электростатического поля бесконечной нити, заряженной с

E
линейной плотностью заряда τ, равна: 2 0 r . Работа по перемещению
заряда q0 из точки 1 в точку 2 равна (r1 и r2 – расстояние от нити до
точек 1 и 2) равна:
8. Два одноименных заряда q1 и q2 находятся на расстоянии r1. Работа по их
сближению на расстояние r2 равна:
9. Потенциальная энергия взаимодействия двух точечных зарядов равна:
10. Металлический шар радиусом R имеет заряд q. Потенциал в точке,
находящейся на расстоянии r < R от центра шара, равен:
11. Металлический шар с зарядом q1 и радиусом R1 окружен металлической
сферой с зарядом q2 и радиусом R2. Потенциал внутри шара равен:
12. Градиент потенциала точечного заряда q0 в точке на расстоянии r от
заряда равен:
13. Электрон, движущийся со скоростью 0 , влетает в однородное
электростатическое поле параллельно вектору Е. Какой путь пройдет
электрон до остановки?
 190

14. Электрон движется в электростатическом поле в направлении вектора Е.

В точке с потенциалом φ1 он обладал скоростью 0 . Найти потенциал φ2
точки, в которой электрон остановится.
15. Металлическая сфера радиуса R равномерно заряжена по поверхности.
Потенциал в центре сферы равен φ0. Потенциал φ(r) на расстоянии r >R от
центра сферы равен:
16. Два электрона движутся из бесконечности навстречу друг другу со
скоростью 0 . При этом они сблизятся до расстояния d , равного:
17. Работа сторонних сил по перемещению точечного положительного заряда
q0 из бесконечности в точку, находящуюся на расстоянии d от поверхности
шара с радиусом R и зарядом +q, равна:
18. Электростатическое поле создано бесконечной плоскостью, заряженной с
поверхностной плотностью σ. Поток вектора Е через сферическую
поверхность,центр
 
которой лежит на плоскости, а радиус равен r равен:
19. Вектора D, E , P связаны соотношением:
20. Как распределен потенциал по объему заряженного проводника?
21. Параллельно пластинам плоского конденсатора емкостью С0 вводится
металлическая пластина толщиной d/2 (d – расстояние между пластинами).
Емкость конденсатора С становится равной:
22. Плоский конденсатор емкостью С0 наполовину заполняется диэлектриком
с диэлектрической проницаемостью ε. Емкость конденсатора станет равной:
23. На плоский конденсатор подано напряжение U0. Не отключая
конденсатор от источника, пространство между пластинами заполняют двумя
слоями диэлектрика с диэлектрическими проницаемостями ε1 и ε2 и
одинаковой толщины d/2. Напряжение в каждом слое U1 и U2 равно:
11.2. Магнитное поле 
B
1. В системе СИ единицей измерения магнитной индукции является:
2. Напряженность магнитного поля в вакууме – это вектор, равный:
3. Магнитная составляющая силы Лоренца равна:
4. Силовые линии магнитного поля - это воображаемые кривые в
пространстве, в каждой точке которых:
5. По участку проводника длиной   10см протекает электрический
ток I  2 A . Проводник помещен в однородное магнитное поле B  1Тл под
углом к силовым линиям поля   30 . Сила Ампера, действующая на
участок, равна:
6. Маленький шарик со сторонним электрическим зарядом q  1Кл влетает
под углом 60º к направлению силовых линий однородного магнитного поля с
V  100 MC
индукцией B  1Тл со скоростью . Сила Лоренца, действующая на
шарик, равна:
 191


7. Магнитное поле, создаваемое движущимся со скоростью V зарядом q , на
расстоянии r от него равно:
8. Закон Био - Савара - Лапласа имеет вид:
9. Значение магнитной индукции B в системе СИ, создаваемой бесконечно
длинным проводником
с током I на расстоянии r от проводника, равно:
10. Поток вектора B через замкнутую поверхность

равен:
11. Опыт показывает, что поток вектора B через любую замкнутую
поверхность всегда равен нулю. Физическая
причина этого обстоятельства:
12. Поток вектора магнитной индукции B через замкнутую поверхность
равен:
13. Закон полного тока в вакууме имеет вид: 
14. Дифференциальная операция над вектором B , которую называют
дивергенцией, в прямоугольной системе координат равна:
15. Закон полного тока в дифференциальной форме имеет вид:
16. Дифференциальные уравнения Максвелла для квазистационарного
магнитного поля имеют вид: 
17. Модуль и направление магнитного дипольного момента PM плоского
проводящего контура с током вдоль контура I , равны:
18. Магнитное поле  B  внутри бесконечно длинного соленоида (катушки)
равно:
Момент  M  сил Ампера, действующих на магнитный дипольный момент

19.
 
PM в магнитном поле B , равен:

20. Механический момент M сил Ампера, действующих на магнитный
 
дипольный момент pm в магнитном поле , направлен:
B
21. При постоянном токе в замкнутом контуре работа силы Ампера при его
перемещении в постоянном магнитном поле всегда равна:
22. Гиромагнитное отношение - это отношение: 
23. Электрон вращается в плоскости, перпендикулярной магнитному полю B ,
eB
B 
с частотой m и тем самым представляет собой магнитный диполь.
Гиромагнитное отношение для такого диполя равно:
24. Известно, что электрон обладает собственным механическим моментом
1
Sz  
(спином), проекция которого на любое направление равна 2 . Кроме
p ms
того (и в этой связи) он обладает собственным магнитным моментом .
p ms
Алгебраическое значение отношения S z равно:
25. При движении частицы внутри однородного магнитного поля ее
траектория:
 192

26. Электрон и протон вращаются по ларморовским окружностям радиуса  e

и  p в однородном магнитном поле. Соотношение «гиромагнитных
отношений» для их движения по траекториям равно:
27. Заряженная частица вращается в магнитном поле ( B  2 Тесла) по
м
3
V  2  10 5
окружности радиусом 10 м со скоростью с . Гиромагнитное
отношение для такой частицы на орбите равно:
28. Электрон движется в магнитном поле B по окружности под действием
силы Лоренца. Работа силы Лоренца dA при перемещении на d равна:

12. Правильные ответы к тестовым заданиям для самоконтроля

12.1. Электрическое поле

1. Е=0.
2. F=0.
kq 2
2
( 2  0,5)
3. a .

E
d2
2 0 (1  )
4. R 2
 d 2
.

 Edl
5. l .
6. Нулю в любом случае.
q0 r
A ln 2
7. 2 0 r1 .
1 1
kq1q2 (  )
8. r1 r2 .

q1q2
k
9. r .
kq
10. R .
kq1 kq2

11. 1 R2 .
R

 q0
12. 4 0 r 2 .

m02
13. 2eE .
 193

m0 2
1 
14. 2e .
0 R
15. r .
kq02
16. m02 .

kqq0
17. d  R .
1
 r 2
18. 0 .
  
19. D   0 EP.

20. φ(r) =const.

21. С=2С0 .
C0
(  1)
22. 2 .
U 0 2 U
U1  U2  0 1
23. Правильный ответ: 1   2 ; 1   2 .

12.2. Магнитное поле

1. Тесла.

 B
H
2. 0 .
 
3. qV B.

4. Магнитная индукция B является касательным вектором.
5. 0,1H .
6. 50 Н.

 0 V  r
dB  q 3
7. 4 r .
 
 0 d  r
dB 
8. 4 r 3 .
0 I
9. 2r .
10. Всегда равен нулю.
 194

11. В природе не обнаружено магнитных зарядов, все наблюдаемые

магнитные поля возникают в результате протекания некоторых
электрических токов.
  B  n  dS  0
 

12. S .
 
 Bd    0  I i
13.  i
,
где  – замкнутый контур, I i – электрические токи.
 B B y B z
divB x, y, z   x  
14. x y z .
 
15. rot H  j.
  
16. div B  0 , rot H  j.
 
17. PM  SIn , где S – площадь участка плоскости, охватываемого контуром,
 
n – нормаль к плоскости, совпадающая по направлению с B на
поверхности S .
18.  0 I n n , где I n – ток, текущий по виткам в соленоиде; n – число
витков, приходящихся на единицу длины соленоида.

  M  Pm B sin 
19. P  B , .
 
 – угол между векторами Pm и B .
 
p
20. Перпендикулярен m и B и определяется правилами векторного
 
p
произведения m  B .
21. A12  I   2   1  ,

где  2 и  1 - потоки B , пронизывающие контур в конечном (2) и начальном
(1) положенииях.
22. Магнитного момента системы к его механическому моменту импульса.
e  q 
 
23. 2m  2m  .
e

24. m .
25. Окружность или винтовая линия.
me

mp
26. .
Кл
0,5  10 8
27. кг .
 195

28. 0 .

СОДЕРЖАНИЕ

1. Общие представления теории

1.1. Что такое электромагнетизм? …………………………..…………….... 3
1.2. Электрический заряд.………………………………………………..…… 3
1.3. Основные положения теории…..…..……………………………………..4
2. Электростатическое поле в вакууме
2.1. Основная задача электростатики. ………………………………….... 7
2.2. Силовые линии электрического поля. ..……….……………………… 10
2.3. Потенциальность электростатического поля. ……………..………… 11
2.4. Потенциал электростатического поля. …………….………………..... 15
2.5. Электрический диполь. ……………………………………………… 22
2.6. Теорема Гаусса. Дифференциальная форма закона Кулона. ...……... 31
2.7. Применение теоремы Гаусса...……………………………….………...37
3. Электрическое поле в диэлектриках
3.1. Диэлектрики. Полярные и неполярные молекулы. ……………...…...41
3.2. Поляризация диэлектриков………………………………..……..….... 43
3.3. Объемные, поверхностные заряды и поляризованность..……….…. 44
3.4. Поле внутри диэлектрика. ………………………………………..… 46
3.5. Локальное поле в диэлектрике. ………………………………….….. 47
3.6. Вектор электрического смещения и теорема Гаусса
в диэлектриках. ……………………………………………………… 50
3.7. Условия на границе двух диэлектриков.………………………..….. 52
3.8. Сегнетоэлектрики. ………………………………………………….….. 54
3.9. Пьезоэлектрики..………………………………………………………... 57
 196

4. Проводники в электрическом поле

4.1. Электрическая индукция…………………………………………..…… 58
4.2. Электроемкость. …………………………………………………..……. 62
5. Энергия электростатического поля
5.1. Энергия заряженных проводников. ……………………………….... 68
5.2. Энергия электрического поля. …………………………...………….. 69
6. Постоянный электрический ток
6.1. Сила и плотность электрического тока. ……………………………...71
6.2. Уравнение непрерывности. Связь силы тока с его
плотностью. …………………………………………………………… 73
6.3. Элементарная теория электропроводности. ………………………… 75
6.4. Закон Джоуля – Ленца. ………………………………………………... 77
6.5. Закон Ома при наличии сторонних сил..………………………………79
7. Стационарное магнитное поле в вакууме
7.1. Преобразование Лоренца и магнитное взаимодействие.…………... 87
7.2. Преобразования Лоренца для электрического
и магнитного полей. …………………………………………………… 92
7.3. Магнитное взаимодействие и магнитное

поле токов. ……………… 96
7.4. Циркуляция вектора. Ротор вектора B . ………………………………105
7.5. Движение заряженных частиц в электрическом
и магнитном полях. …………………………………………………… 111
7.6. Контур тока в магнитном поле и работа сил Ампера. ……………….118
8. Стационарное магнитное поле в веществе
8.1. Вектор намагниченности и закон полного тока. ……………………..121
8.2. Диамагнетизм. ……………………………………………………….....128
8.3. Парамагнетизм. ………………………………………………………...132
8.4. Ферромагнетизм. ……………………………………………………… 139
9. Электромагнитное поле
9.1. Электромагнитная индукция. Закон Фарадея.……………………… 150
9.2. Самоиндукция. ……………………………………………………… 157
9.3. Переходные процессы в электрических цепях
с индуктивностью и емкостью. ……………………………………… 160
9.4. Энергия электромагнитного поля. …………………………………… 164
9.5. Взаимная индукция. …………………………………………………....166
9.6. Простейшие примеры применения закона Фарадея и коэффициента
взаимной индукции. ……………………………………………..….....169
9.7. Уравнения Максвелла. …………………………………………….… 173
10. Вопросы для самоконтроля
10.1. Электостатика. …………………………………………………………180
10.2. Постоянный электрический ток. …………………………………… 181
 197

10.3. Стационарное магнитное поле. …………………………..…………... 182

10.4. Электромагнитное поле. ……………………………………………….182
11. Тестовые задания для самоконтроля
11.1. Электрическое поле. …………………………………………………..183
11.2. Магнитное поле. ……………………………………………………….184
12. Ответы к тестовым заданиям для самоконтроля
12.1. Электрическое поле. ……………………………………………......... 186
12.2. Магнитное поле. ……………………………………………………… 187

Учебно-методическое пособие по физике

ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ
(Элементы классической электродинамики)

Для студентов 1-2 курсов заочной формы обучения

Направления подготовки: 09.03.02, 11.03.02, 15.03.04, 27.03.04
 198

Подписано в печать 22.11.2018г. Формат 60х90 1/16.

Объём 12,0 усл.п.л. Изд. № 96.
ООО «ТР-принт». Москва, ул. Правды, д. 24, стр. 3.
www.tirazhy.ru. +7 (499) 638-27-50

ВЫГОДНО. УДОБНО.
НАДЕЖНО

ИНТЕРНЕТ
WI-FI
СТАБИЛЬНАЯ СКОРОСТЬ
НАДЕЖНОЕ СОЕДИНЕНИЕ
 199

ТЕЛЕВИДЕНИЕ
ИНТЕРЕСНЫЕ ТЕЛЕКАНАЛЫ СО
ВСЕГО МИРА НА РАЗНЫХ ЯЗЫКАХ
HDTV

WWW.AKADO.RU
ОАО «КОМКОР», 117535, РОССИЯ, МОСКВА, ВАРШАВСКОЕ ШОССЕ, 133
ЛИЦЕНЗИИ № 123058, 123059, 123056, 123057, 153190, 153191, 153189, 123060