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Universidad Nacional Experimental del Táchira

Departamento de Ingeniería Electrónica
Asignatura: Laboratorio de Electrónica I Código: 0223602L

PRACTICA Nº 4

SENSIBILIDAD DE LA POLARIZACIÓN

Objetivos generales
El objetivo final del experimento es entender el concepto de sensibilidad
(estabilidad) de la polarización de un transistor de unión bipolar (BJT) en un circuito
y su dependencia de la configuración o topología del circuito. Comparando la
variación del punto de trabajo debido a cambios en la ganancia de corriente beta y en
la temperatura del transistor; el estudiante comprenderá como dichas variaciones
afectan el desempeño de los circuitos electrónicos (Boylestad, pagina 191).

Objetivos específicos:
1. Aprender a identificar los terminales EBC de un BJT usando un multímetro.
2. Obtener la ganancia beta de cada transistor usando el probador de transistores.
3. Observar la influencia de la temperatura en las curvas de transferencia del
transistor, usando el trazador de curvas.
4. Comparar la sensibilidad del punto de operación del BJT con respecto a las
variaciones de la ganancia beta y de la temperatura (Boylestad, pagina 157).

Dispositivos:
• Transistor NPN con alta ganancia de corriente (beta mayor de 100).
• Transistor NPN con baja ganancia de corriente (beta menor de 50).
• Calentador y medidor de temperatura.
• Trazador de curvas de transistores.
• Probador de transistores o medidor de ganancia de corriente beta.
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Pre-laboratorio

1. Investigar y registrar en una tabla las principales características electrónicas de los

transistores adquiridos para realizar los montajes en el laboratorio.
2. Investigar el procedimiento para diferenciar, mediante un multímetro, los
terminales EBC de un BJT.
3. Diseñar los circuitos de polarización de las figuras 1 y 2 establecer su punto de
operación y su línea de carga de manera que cumplan con los objetivos indicados
en la tabla 1. Efectúe el cálculo de las resistencias comerciales más próximas que
le permiten cumplir las especificaciones con una tolerancia máxima del 10%. En
los circuitos con resistencia de realimentación en emisor, diseñe para obtener un
voltaje en el emisor de aproximadamente VE = 1/5 (VCE).
4. Encuentre mediante el uso de las formulas correspondientes, la sensibilidad a
variaciones de temperatura, alimentación Vcc y ganancia de corriente del
transistor (β). Registre en una tabla los cálculos para todos los circuitos y compare
los resultados.
5. Determinar mediante simulación del circuito diseñado, la sensibilidad a
variaciones de temperatura, alimentación Vcc y ganancia de corriente del
transistor (β). Registre en una tabla los valores obtenidos para todos los circuitos
y compare los resultados con los obtenidos mediante formulas.

Laboratorio

Actividad 1: Usando el multímetro y el probador de transistores, determine los

terminales EBC de dos transistores que le serán facilitados en el laboratorio.

Actividad 2: Utilizando el trazador de curvas, el calentador y el sensor de

temperatura del multímetro; mida la ganancia de corriente de los dos transistores a 25
y 90 grados centígrados de temperatura.
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Actividad 3: Para el circuito de la figura 1, diseñar el circuito de polarización directa,

determinar punto de operación y la línea de carga. Encuentre mediante el uso de las
formulas correspondientes, la sensibilidad a variaciones de temperatura, alimentación
Vcc y ganancia de corriente del transistor (β). Registre en una tabla los cálculos para
el circuito.

Actividad 4: Para el circuito de la figura 2, diseñar el circuito de polarización directa

con resistencia en el emisor, determinar punto de operación y la línea de carga.
Encuentre mediante el uso de las formulas correspondientes, la sensibilidad a
variaciones de temperatura, alimentación Vcc y ganancia de corriente del transistor
(β). Registre en una tabla los cálculos para el circuito.

Actividad 5: Establezca para los circuitos de la figura 1 y 2 la estabilidad del punto

de operación ante variaciones de temperatura (Calcular los valores de polarización
para diferentes valores de temperatura). Determine cual de los dos es más estable y
defina que función cumple la resistencia del emisor.

Figura 1 Circuito de polarización simple

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Tabla 1 Restricciones de los circuitos de polarización

Grupo I V V
CQ CE CC
(mA) (V) (V)
1, 2 5 10 20

3, 4 4 7,5 15
5, 6 3 5 10

Figura 2 Polarización con realimentación en emisor

Post-laboratorio
El estudiante presentará un informe de los resultados obtenidos en el
laboratorio (mediciones, cálculos etc.) y en las simulaciones, dando una explicación
sobre las diferencias entre los valores. El informe debe contener al menos lo
siguiente:

1. Los valores, de los dispositivos pasivos y activos, usados en el laboratorio:

resistencia, características de los transistores dadas por el fabricante, etc.
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2. Tablas con los valores de polarización de los circuitos diseñados sin y con
resistencia en el emisor, que el punto de operación y la línea de carga.
3. Las gráficas Ic vs Vce elaboradas con los valores tomados en el laboratorio y
donde se defina el punto de operación y la línea de carga.
4. Realizar cuadro comparativo de los datos teóricos y experimentales de la
sensibilidad a variaciones de temperatura, alimentación Vcc y ganancia de
corriente del transistor (β). Registre en una tabla los cálculos para cada uno de los
circuitos.
5. ¿Cual es la correspondencia entre el valor de la resistencia de emisor y la
sensibilidad del punto de trabajo con respecto a la ganancia beta del transistor?
6. Explique un procedimiento a seguir para encontrar experimentalmente el voltaje
de Early (VA) del transistor.
7. Explique el procedimiento a seguir para encontrar experimentalmente la
sensibilidad ∂I CQ /∂β para un circuito de polarización.

8. Conclusiones.
9. anexos resultados experimentales.

Textos de referencia
Circuitos Microelectrónicos. M. Rashid. Editorial Internacional Thomson.
Teoria de Circuitos 6 edicion Robert Boylestad.

Elaborado por:
Prof. Edwin Hernández.
Prof. Favela Quintero.
Prof. Joel Moreno.