Вы находитесь на странице: 1из 3

Технический университет Молдовы

Факультет компьютерные сети, информатика и микроэлектроники

Департамент Микроэлектроники и Биоинженерии

ОТЧЁТ
по физике твердого тела
Лабораторной работы № 7

Тема: Фотопроводимость полупроводников

Выполнил(а) Студентка группы MN-192

Бабисанда Серафима
Фамилия, имя

Проверил Постика В.
оценка дата подпись Фамилия, имя

преподавателя

Кишинев 2020

Цель работы: изучение основных физических закономерностей,


определяющих спектральные характеристики фоторезисторов, определение
ширины запрещенной зоны полупроводника по спектральной характеристике
фотопроводимости.

1) Функциональная схема лабораторного стенда с


конкретными типами применяемых приборов.

1-источник света (лампа накаливания);


2-линзы;
3-двигатель модулятора;
4- модулятор;
5-монохроматор;
6- барабан длин волн монохроматора;
7- фоторезистор (образец);
8- усилитель У2-6;
RH-резистор нагрузки;
VБ-источник питания образца.

2) График спектральной характеристики фотопроводимости


λ макс =0,4 + ( 0,6−0,4
5
∗4 ) =0,56( мкм)
120

100

80
Vc/k

60

40

20

0
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1

𝜆, мкм
3) Таблица спектральной характеристики фотопроводимости
n, дел λ , мкм Vc k Vc/k
3500 1,0300 7,2 1,000 7,2
3400 0,9512 7,3 0,996 7,329
3300 0,8858 7,3 0,883 8,267
3200 0,8271 7,4 0,772 9,585
3150 0,7997 7,4 0,626 11,821
3100 0,7745 7,4 0,571 12,959
3050 0,7520 7,5 0,500 15
3000 0,7310 7,5 0,442 16,968
2950 0,7110 7,5 0,408 18,382
2900 0,6914 7,5 0,367 20,435
2850 0,6730 7,5 0,327 22,935
2800 0,6556 7,5 0,290 25,862
2750 0,6406 7,5 0,282 25,595
2700 0,6267 7,5 0,248 30,241
2600 0,6017 7,5 0,221 33,936
2500 0,5810 7,5 0,177 42,372
2400 0,5622 7,4 0,139 53,237
2300 0,5457 7,4 0,126 58,730
2200 0,5302 7,4 0,105 70,476
2100 0,5161 7,4 0,088 84,090
2000 0,5083 7,4 0,068 108,823

hc 1,24
4) Расчет Eg и оценка погрешности E g=( hv ) мин= λ =
0,56
=2,214
макс

5) Выводы
В данной лабораторно работе, мы изучили основные физические
закономерности, которые определяют спектральные характеристики
фоторезисторов. Спектральная характеристика фоторезистора показывает
зависимость фототока от длины волны падающего излучения и имеет
характерный максимум, местоположение которого на оси X зависит от
материала фоторезистивного слоя. Вычислили ширину запрещенной зоны
полупроводника по спектральной характеристике фотопроводимости. В свою
очередь фотопроводимость полупроводников — это увеличение
электропроводности полупроводников под действием электромагнитного
излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и
содержащихся в нем примесей.