Вы находитесь на странице: 1из 3

Технический университет Молдовы

Факультет компьютерные сети, информатика и микроэлектроники

Департамент Микроэлектроники и Биоинженерии

ОТЧЁТ
по физике твердого тела
Лабораторной работы № 4

Тема: Измерение времени жизни неосновных носителей


заряда в n-Ge методом модуляции проводимости
точечного контакта.

Выполнил(а) Студентка группы MN-192

Бабисанда Серафима
Фамилия, имя

Проверил Постика В.
оценка дата подпись Фамилия, имя

преподавателя

Кишинев 2020
Цель работы: измерение времени жизни неосновных носителей заряда в n-Ge
методом модуляции проводимости точечного контакта.

1. Структурная схема измерительной установки

Схема установки для измерения времени жизни носителей заряда методом


модуляции проводимости: 1-генератор сдвоенных импульсов; 2-регулятор
тока; 3-ограничитель; 4-усилитель; 5-оссциллограф; 6-образец.

2. Таблица и график зависимости ln Δu = f (t3).

t, µs 5,4 5,8 6,2 6,6 7,0 7,4 7,8 8,2


Δu, B 0,3 0,26 0,24 0,22 0,20 0,18 0,16 0,12
ln Δu -1,20 -1,34 -1,42 -1,51 -1,60 -1,71 -1,83 -2,12

5.4 5.8 6.2 6.6 7 7.4 7.8 8.2


0

-0.5
ln Δu

-1

-1.2
-1.5 -1.34 -1.42
-1.51
-1.6
-1.71
-2 -1.83
-2.12
-2.5

t, µs

3. Расчет τ p , L p .
см 2
D p=44
с

∆t 8,4−5,4 2,8
τ p= = = =3,04 ( c ) L p= √ D p τ p =√ 44∗3,04=11,56( см)
∆ lnU −1,2+2,12 0,92
4. Выводы
В ходе данной лабораторной работе мы изучение процессов генерации и
рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниках;
ознакомились с методом модуляции проводимости точечного контакта; освоили
методики определения времени жизни неравновесных носителей заряда в базе
точечного полупроводникового диода, основанной на методе модуляции
проводимости точечного контакта. Провели измерений времени жизни
неравновесных носителей заряда при комнатной температуре.

Вам также может понравиться