Вы находитесь на странице: 1из 80

ВВЕДЕНИЕ

Настоящие методические указания предназначены для


студентов, выполняющих лабораторные работы по курсу
«Электротехника и электроника».
В процессе проведения работ студенты должны научится
пользоваться электроизмерительными приборами, приобрести
навыки в проведении экспериментальных исследований
электрических цепей, получить опытное подтверждение основных
законов электротехники, анализировать результаты, полученные в
процессе работы.
Все лабораторные работы выполняются бригадами из двух-
трех человек после изучения соответствующего материала,
изложенного на лекции и в методических указаниях.
На первом занятии студенты знакомятся с устройством
лабораторных стендов и с правилами работы в лаборатории в
соответствии с инструкцией по технике безопасности, после чего
каждый студент расписывается в журнале по технике безопасности.
Перед началом лабораторной работы студент должен
уяснить цель работы, ознакомиться с теоретическими основами
изучаемых процессов, ответить на контрольные вопросы,
приведенные после описания каждой лабораторной работы.
Для определения расчетных величин приводятся
соответствующие формулы. Исходные данные, необходимые для
проведения лабораторных работ, содержатся в описаниях по
отдельным лабораторным работам.
Электрические схемы собираются в определенной
последовательности. Сначала, посредством соединительных
проводов, собирается главная цепь, содержащая источник питания,
пассивные элементы, амперметры и токовые катушки ваттметров.
Вспомогательные цепи (соединительные провода от вольтметров и
катушки напряжения ваттметров) присоединяются в последнюю
очередь.
При сборке разветвленных цепей сначала собирается один
контур, а затем к узловым точкам присоединяются остальные ветви.
После проверки преподавателем правильности сборки схемы,
бригада студентов приступает к измерениям.

3
Включение электрической схемы под напряжение без
разрешения преподавателя не допускается!
После включения цепь необходимо опробовать, т.е.
проверить все намеченные планом работы режимы (без записи
показаний приборов), затем вторично получить все исследуемые
режимы работы цепи, произвести измерения и записать показания
приборов в таблицы.
Графики и кривые строятся по точкам, полученным
расчетным или экспериментальным путем с помощью
вычислительной среды Mathcad или Excel. Изображения процессов,
полученные с помощью осциллографа, переносятся в отчет (кнопка
Print Screen, далее вставить в Paint, вырезать нужную часть экрана,
копировать и вставить в отчет)
Не разбирая электрическую цепь, бригады студентов
предъявляют свои протоколы преподавателю.

Работа № 1. Электроизмерительные приборы и измерение


основных электрических величин

Цель работы – ознакомление с электроизмерительными


приборами, способами их включения, а также измерение основных
электрических величин.

Программа работы
1. Определение типа, пределов измерения, цены деления, класса
точности аналоговых измерительных приборов.
2. Измерение напряжений, токов и мощностей в цепях постоянного
тока.
3. Определение сопротивлений по законам Ома и Джоуля-Ленца с
помощью приборов.

Общие положения
Измерением называется процесс нахождения опытным
путем значения физической величины с помощью специальных

4
технических средств. Электроизмерительные приборы широко
используются при наблюдении за работой электроустановок, при
контроле за их состоянием и режимами работы, при учете расхода и
качества электрической энергии, а также при ремонте и наладке
электротехнического оборудования.
Наибольшее распространение получили аналоговые приборы
непосредственной оценки, которые классифицируют по следующим
признакам: род тока (постоянный или переменный), род измеряемой
величины (ток, напряжение, мощность, сдвиг фаз), принцип
действия (магнитоэлектрические, электромагнитные и
ферродинамические), класс точности и условия эксплуатации.
Для расширения пределов измерения электрических
приборов на постоянном токе используют шунты (для тока) и
добавочные сопротивления (для напряжения). На переменном токе
используют трансформаторы тока и напряжения.
Измерение напряжения выполняют вольтметром,
подключаемым непосредственно на зажимы исследуемого участка
электрической цепи.
Измерение тока осуществляют амперметром, включая его
последовательно с элементами исследуемой цепи.
Измерение мощности и сдвига фаз в цепях переменного
тока производят с помощью ваттметра и фазометра. Эти приборы
имеют две обмотки: неподвижную токовую, которую включают
последовательно, и подвижную обмотку напряжения, включаемую
параллельно.
На лабораторных стендах напряжение, сопротивление и ток
можно измерить либо мультиметром, либо с помощью
преобразователя и компьютера. Мощность, сдвиг фаз,
сопротивление участка электрической цепи вычисляют на
компьютере по показаниям двух приборов - амперметра и
вольтметра, подключенных к соответствующему участку цепи.
Цена деления прибора представляет собой значение
измеряемой величины, вызывающей отклонение стрелки прибора на
одно деление, и определяется зависимостями:
Uí B I U í * I í Bò
Cv  ; ; ÑÀ  í ; A ; ÑW  ; .
N äåë N äåë N äåë
5
Электрической цепью называется совокупность устройств,
(источник, приемник и промежуточные звенья - провода и
аппараты), предназначенных для прохождения электрического тока.
Графическое изображение цепи представляет собой
электрическую схему.
Источниками электрической энергии являются устройства, в
которых происходит процесс преобразования в электрическую
энергию других видов энергии (химической, тепловой,
механической). Мгновенные значения напряжения и тока
u(t), i(t) характеризуют режим работы устройства и называются
параметрами режима или характеристиками режима.
Сопротивление R (Ом), индуктивность L (Гн), ёмкость C (Ф)
составляют группу пассивных элементов и являются основой всех
электротехнических устройств.
Сопротивлением называется элемент электрической цепи, в
котором происходит необратимый процесс преобразования
электрической энергии в тепловую. Для практических расчетов в
линейных электрических цепях величину R принимают постоянной,
а зависимость напряжения от силы тока на сопротивлении (вольт-
амперная характеристика) - линейной.
U U
Закон Ома: I , U  IR , R  .
R I

Энергия, выделяемая на сопротивлении R при протекании по


нему тока I, пропорциональна произведению квадрата силы тока и
величины сопротивления.
Закон Джоуля-Ленца: W  I 2 Rt (Дж) или (Втс).

Порядок выполнения работы

1. Определить и записать в табл. 1 технические характеристики


предложенных преподавателем настольных
электроизмерительных приборов.
Таблица 1
№ Наименование Тип, Пределы измерения Цена Класс

6
прибора система (макс, мин.) деления точности
1 Амперметр
2 Вольтметр
3 Ваттметр R
2. Собрать + цепь с активным
A1
15 В сопротивлением
V1
(рис.1) и подключить ее к
источнику - нерегулируемого
постоянного
Рис. 1. Схема цепи для измерения тока,
напряжения.
напряжения, мощности и сопротивления

3. Произвести измерения тока, напряжения и сопротивления


мультиметром.
В режиме вольтметра подключить выходы «com» и «V»
мультиметра параллельно резистору, выставить соответствующий
предел измерений на шкале со значком «=V». В режиме амперметра
подсоединить выходы «com» и «A» мультиметра последовательно с
резистором, выставить соответствующий предел измерений на
шкале со значком «=А».
При использовании мультиметра в качестве омметра,
отключить источник питания схемы и подсоединить выходы «com»
и «Ω» параллельно резистору. Выставить необходимый предел
измерений на шкале со значком «Ω» режима омметра. Полученные
данные занести в табл.2.
Таблица 2
U, I, R,
B мA Ом

4. Произвести измерения тока, напряжения, мощности и


сопротивления приборами. Полученные данные занести в табл.3.

7
Вычислить ток и мощность в цепи по номинальным
значениям напряжения источника и сопротивления. Определить
P
величину сопротивления по выражению R  2 и сравнить с
I
измеренным по табл.2.
4. Произвести расчет сопротивления по закону Ома и Джоуля-
Ленца. Сравнить показания.

Таблица 3
U, I, P, R,
R = U/ I R = P/ I2
B мA мВт Ом

5. Переключить цепь на источник регулируемого постоянного


напряжения. Задаваясь рядом напряжений снять показания
приборов и занести их в табл. 4.
Таблица 4
U, B
I, мA

6. Построить график зависимости напряжения от тока U = f(I).

Контрольные вопросы
1. К какой системе относятся приборы для измерения только на
постоянном токе?
2. Какая из обмоток ваттметра включается в электрическую цепь
последовательно, а какая параллельно?
3. Что обозначает класс точности прибора?
4. Какие приборы используются для расширения пределов
измерения напряжения и тока?
5. Какими приборами измеряются: ток, напряжение и мощность?
Как они включаются в цепь?
6. Зависит ли исследуемое сопротивление R от величины тока?

Работа № 2. Последовательное, параллельное и смешанное


8
соединения элементов на постоянном токе

Цель работы – изучение способов включения элементов


электрических цепей, экспериментальная проверка законов
Кирхгофа на постоянном токе.

Программа работы
1. Последовательное соединение элементов. 2-ой закон Кирхгофа.
2. Параллельное соединение элементов. 1-ый закон Кирхгофа.

Общие положения
В электрической схеме соединения элементов образуют
ветви, узлы, контуры.
Ветвь образуется одним или несколькими последовательно
соединенными элементами, по которым протекает один и тот же
ток.
Узел - место соединения 3-х или большего числа ветвей.
Контур - любой замкнутый путь, проходящий по нескольким
ветвям в электрической схеме.
Ветви, присоединенные к одной паре узлов, называются
параллельными.

Законы электрических цепей


1. Первый закон Кирхгофа - закон баланса токов в узле:
n
«Алгебраическая сумма токов, сходящихся в узле, равна 0:  IK =
i 1
0.
Электрический заряд в узле не накапливается».

2. Второй закон Кирхгофа: «Алгебраическая сумма ЭДС


источников питания в любом контуре равна алгебраической сумме
падений напряжения на пассивных элементах этого контура».
n m
 E K   IK R K .
i 1 K 1

9
Режим постоянного тока
При постоянном токе в электрической цепи отсутствует
явление самоиндукции, и напряжение на катушке индуктивности
определяется только величиной падения напряжения на активном
сопротивлении.
Если рассматривать конденсатор как идеальную емкость, то
в цепи постоянного тока эта ветвь равносильна разомкнутой.
Постоянный ток через ёмкость не проходит.
Таким образом, в цепи постоянного тока остаются только
источники ЭДС или тока - активные элементы и приёмники,
резисторы - пассивные элементы.
Простыми цепями постоянного тока называются цепи с
одним источником при последовательном, параллельном и
смешанном соединениях приемников.

Последовательное соединение приемников


E
R1 R2 Rn I

Рис. 2. Последовательное соединение приемников

E = IR1 + IR2 +  + IRn = I( R1 + R2 +  + Rn) = I Rэкв


Rэкв= Ri - при последовательном соединении сопротивления
складываются (рис.2).

Параллельное соединение приемников

I I1 I2 In

E R1 R2 Rn

Рис. 3. Параллельное соединение приемников

10
При параллельном соединении приемников напряжение на
всех приемниках одинаково (рис.3).
По закону Ома, токи в каждой ветви
E E E
I1  , I2  , ... , In  .
R1 R2 Rn
По первому закону Кирхгофа, общий ток
1 1 1
I  I1  I 2    I n  E(    )  E(g1  g 2    g n )  Eg ÝÊÂ
R1 R 2 Rn
1
g ÝÊÂ  g1  g 2    g n RÝ 

При параллельном соединении суммируются проводимости.
Смешанное соединение - комбинация последовательного и
параллельного (рис.4).

U R1 R2 R3 U R1 RЭ1 U RЭ2

Рис. 4. Этапы свертывания схемы смешанного соединения приемников

R 2R 3
R Ý1  ; R Ý2  R 1  R Ý1 .
R2  R3

Порядок выполнения работы


1. Рассчитать ток, напряжения и мощности на отдельных
элементах цепи по заданным сопротивлениям (рис.5). Результаты
расчетов занести в табл. 4.
R1 R2
+ A
1
Е
V1 V0
-
Рис.5. Последовательное соединение приемников
Таблица 4
I, U1, U 2, Uобщ, Р1, Р2, Робщ,
Данные
мA B B B мBт мBт мBт

11
Расчет
Эксперимент
Абсолютная
погрешность
Относительная
погрешность
Расчётные формулы: U 1  IR 1 ; U 2  IR 2 ; E  U1  U 2 ;
E
I ; P1  I 2 R 1 ; P2  I 2 R 2 ; P  P1  P2 .
R1  R 2
2. Собрать схему с последовательно соединёнными
активными сопротивлениями (рис.5). Измерить ток, напряжения и
мощности на отдельных элементах, напряжение источника питания.
Результаты измерений занести в табл. 4.
3. Сравнить результаты расчётов и показаний приборов.
Определить погрешности измерений.
Абсолютная погрешность: Прасч - Пизмер (П - параметр).
Относительная погрешность: (Прасч - Пизмер)*100 / Прасч.
4. Рассчитать токи, напряжения и мощности на отдельных
элементах в цепи (рис.6). Результаты расчётов занести в табл. 5.
+ А1

А4 А3
Е=15 В
V0
R2 R3

-
Рис. 6. Параллельное соединение приёмников

E E
I2  ; I3  ; I  I 2  I 3 ; P2  I 22 R 2 ; P3  I 32 R 2 .
R2 R3
5. Собрать схему с параллельно соединенными активными
сопротивлениями (рис.6), измерить ток, напряжения и мощности на
отдельных элементах, напряжение источника питания. Результаты
измерений занести в табл. 5.
Таблица 5
I I2 I3 Uо Р2 Р3 Робщ
мA мA мA B мBт мBт мBт
12
Расчет
Эксперимент
Абсолютная
погрешность
Относительная
погрешность
6. Сравнить результаты расчетов и показаний приборов.
Вычислить погрешности.
7.  Рассчитать токи, напряжения, мощности и сопротивления
R23, Rобщ в схеме со смешанным соединением элементов (рис.7).
6. 8. Собрать схему со смешанным соединением элементов (рис.7),
измерить токи, напряжения, мощности и сопротивления с
помощью компьютера. Результаты расчётов и измерений внести
в табл. 6. Определить погрешности.
V1
+ А1

R1
А4 А3
Е=15

R2 R3 V0

Рис. 7. Смешанное соединение элементов

R 2R 3 E
Расчётные формулы: R 23  ; R общ  R 1  R 23 ; I1  ;
R2  R3 R общ
U U
U 1  I1 R 1 ; U 2  I1 R 23 ; U3  U2 ; I2  2 ; I3  3 ;
R2 R3
P1  I12 R 1 ; P2  I 22 R 2 ; P3  I 32 R 3 .

Таблица 6
Е, U1 , U2 , I1 , I2 , I3 , P1 , P2 , P3 , R23 , Rобщ ,
В B B мА мA мA мВт мВт мВт Ом Ом
Расчет
Эксперимент
13
Абсолютная
погрешность
Относительная
погрешность

Проверить 1-ый закон Кирхгофа: I1 = I2 + I3


Проверить 2-ой закон Кирхгофа: E = U1 + U2
Контрольные вопросы

1. Какими приборами измеряются ток, напряжение, мощность?


2. При каком соединении элементов суммируются сопротивления?
3. Изменяется ли величина тока в элементах при их
последовательном соединении?
4. При каком соединении элементов суммируются проводимости?
5. Отличается ли величина напряжения на элементах при их
параллельном соединении?

Работа № 3. Частотные характеристики пассивных элементов

Цель работы – исследование свойств основных элементов


электрических цепей и определение их параметров по опытным
данным на переменном токе.

Программа работы
1. Исследование основных элементов электрических цепей:
резистора, катушки индуктивности и конденсатора.
2. Определение параметров основных элементов цепи по
показаниям электроизмерительных приборов и выявление
характера зависимости этих показаний от частоты.
3. Определение сдвига фаз напряжения и тока в различных
элементах электрических цепей.

Общие положения

14
Резистором (сопротивлением) называется идеализированный
элемент электрической цепи, в котором происходит необратимый
процесс преобразования электрической энергии в тепловую.
Магнитные и электрические поля вокруг резистора отсутствуют.
В цепи переменного тока:
u Um
i  sin(t   u )  I m sin(t   i ) ,  = 2f
R R
Im
где Im - амплитуда тока; I - действующее значение
2
тока;
i - начальная фаза тока; u - начальная фаза напряжения.
Ток в сопротивлении совпадает по фазе с напряжением
u  i ;    u  i  0 ,
где  - угол сдвига фаз между напряжением и током.
Временная и векторная диаграммы напряжения и тока в
резисторе представлены на рис.8.

U(t Um
) Im
i(t) U
t
 2 I

Рис.8. Временная и векторная диаграммы напряжения и тока на резисторе

Активная, реактивная и полная мощности сопротивления:

P = U I cos  = U I
(  = 0, cos  = 1 )
Q = U I sin  = 0 (  = 0, sin  = 0 )
U P U2
S = U I = P; P = U I = I 2 R = U2 g ; R=  2  .
I I P
Идеальное активное сопротивление от частоты не зависит (рис.9).

R = const

15
R

Рис.9. Частотная характеристика резистора


Индуктивная катушка
Индуктивным элементом электрической цепи называют
такой идеализированный элемент, в котором происходит только
процесс накопления энергии в магнитном поле. Электрическое поле
вокруг такого элемента отсутствует, а протекание тока не
сопровождается выделением тепла.
Индуктивностью L называется элемент электрической цепи,
в котором накапливается энергия магнитного поля. Количественно
индуктивность определяется отношением потокосцепления

самоиндукции к току в данном элементе L  . В цепях с
i
изменяющимся током i всякое изменение тока, вызывающее
изменение его собственного потокосцепления L, сопровождается
наведением ЭДС eL в этом элементе.
Явление наведения ЭДС в элементах цепи при изменении их
собственного потокосцепления называют самоиндукцией.
ЭДС самоиндукции определяется скоростью изменения
d
собственного потокосцепления: e L   ;   Li ;
dt
di
eL   L .
dt
Связь между напряжением и током в катушке
индуктивности определяется по закону электромагнитной индукции:
di
U L  eL  L .
dt
В цепи постоянного тока UL = 0 при любой величине тока.
di
При нарастании тока > 0, направления тока и
dt
напряжения совпадают: UL > 0, в индуктивности запасается энергия
di
магнитного поля. При убывании тока < 0, UL < 0 направления
dt
16
тока и напряжения не совпадают, энергия магнитного поля в
индуктивности убывает, возвращается обратно в источник.
В цепи переменного синусоидального тока
i  I m sin( t   i ) напряжение на индуктивности:
di 
U  U L  e L  L  LI m cos( t   i )  U m sin( t   i  ) ,
dt 2
где U m  I m L  I m X L , а X L  L  2fL - модуль
индуктивного сопротивления цепи переменного тока (в омах).
Индуктивное сопротивление
линейно зависит от частоты X
L
(рис.10). 
В идеальной индуктивности ток
отстает от напряжения на 90°.
Рис. 10. Частотная
Временная и векторная характеристика катушки
диаграммы напряжения и тока в индуктивности
идеальной катушке индуктивности
представлены на рис.11.

U
U(t) Im
m
Рис.11. Диаграммы напряжения и тока в идеальной индуктивности
i(t) t
 2
I U
Активная,
реактивная и полная мощности идеальной
катушки индуктивности P = U I cos  = 0, (так как  = 90°).
Q = U I sin  = U I = I2 XL = U2 bL,
i S = U I = Q.
RK В реальных катушках индуктивности часть
электрической энергии преобразуется в
u
тепловую энергию, т.е. катушка обладает не
L только индуктивностью L, но и активным
сопротивлением Rk.
Эквивалентная схема замещения
Рис.12. Схема замещения реальной катушки индуктивности
реальной катушки представлена на рис.12.
индуктивности
17
i  I m sin(t ) , u  U m sin(t   k )
XL
Um = Im Zk; Zk = R 2k  X 2L ; XL= L;  = 2f;  k  arctg .
Rk
В реальной индуктивности к < 90°.
Ёмкость С - элемент электрической цепи (конденсатор), в
котором накапливается энергия электрического поля.
q
Количественно ёмкость определяется выражением C  .
Uc
dq dU c
i , q  C  Uc , iC .
dt dt
Если при возрастании напряжения ток i > 0, то ток и
напряжение совпадают по направлению, энергия электрического
поля в конденсаторе возрастает. При убывании напряжения ток
также уменьшается, энергия возвращается обратно к источнику.
Если напряжение на ёмкости меняется по закону синуса
u  U m sin(t   u ) , то
dU c 
iC  CU m cos(t   u )  I m sin(t   u  ) ,
dt 2
1 XС
где Xc  - модуль
C
ёмкостного сопротивления. 
Ёмкостное сопротивление
зависит от частоты по
Рис.13. Зависимость модуля
гиперболическому закону ёмкостного сопротивления
(рис.13). конденсатора от частоты
В идеальной ёмкости ток
опережает напряжение на 90°.
Временная и векторная диаграммы напряжения и тока в
ёмкости представлены на рис.14.
U(t Im Um
)
I U
i(t) t
 2

18
Рис.14. Кривые напряжения и тока ёмкостного сопротивления
Активная, реактивная и полная мощности идеального
конденсатора составляют соответственно P = U·I cos  = 0;
Q = U I sin  = U I = I2 XС = U2 bС; S = U I = Q.
i Реальные конденсаторы
RС характеризуются не только ёмкостью С,
С но и активным сопротивлением RС или
u проводимостью gC, учитывающими
потери энергии в диэлектрике.
Эквивалентная схема замещения
реального конденсатора представлена на
Рис.15. Схема замещения рис.15.
реального конденсатора u  U m sin(t ) ;
i  I m sin(t  ) ;
1 1
Im = Um YC YC = 2
 2 ;
R C XC
1 RC
XC = ;   arctg .
C XC

Порядок выполнения работы

1. Собрать цепь, изображенную на рис.16. Установить


сопротивление, заданное преподавателем.
2. Установить напряжение источника питания 3 В. Для частот,
приведенных в табл.7, записать показания приборов и измерить
сопротивление.

3.
A1
L C
 U f = var R
V1

Рис. 16. Цепь для получения частотных характеристик


сопротивления, индуктивности и ёмкости
19
Таблица 7
f, U, I, P, R, ,
№ cos 
Гц B мA мВт Ом градус
1 200
2 500
3 1500
4 3000

3. Построить в Excel зависимость R= f() и показать преподавателю.


4. Заменить в схеме на рис.16 активное сопротивление на
катушку индуктивности 40 мГн или 10 мГн.
5. Записать показания приборов для частот, приведенных в табл.8,
измерить параметры сопротивлений и угла . Произвести
вычисления L и cos  .
Таблица 8
f, U, I, P, Zк , Rк , XL , L,
№ , cos 
Гц B мA мВт Ом Ом Ом Гн
1 500
2 1500
3 2000
4 2500
5 3000
XL XL Rk
Расчётные формулы: L   ; cos   .
 2f Zk
6. Построить в Excel зависимость XL = f() и показать
преподавателю.
7. Заменить катушку индуктивности в цепи рис.16, на конденсатор
0,22 мкФ или 0,47 мкФ.
8. Записать показания приборов в табл.9 для частот, указанных
преподавателем, произвести необходимые вычисления.

Расчётные формулы:
I U2 1 P 1
Yc  ; Rc  ; gc   2 ; Xc  ;
U P Rc U Yc2  g c2
10 6 gc Xc
C мкФ; cos   ;   arctg .
2fX c Yc gc

20
Таблица 9
f, U, I, P, Yc, gc, RС , XС , C, ,
№ cos 
Гц B мA мВт 1/Ом 1/Ом Ом Ом мкФ град.
1
2
3
4
5

9. Построить в Excel зависимость XC = f() и показать


преподавателю.
10. Включить осциллограф и для каждого из пассивных элементов
убедиться в соответствии вида кривых (для напряжения и тока),
полученных в Excel, изображениям на экране.

Контрольные вопросы
1. Чему равен угол  = u - i для активного сопротивления?
2. Чему равен угол  для идеального индуктивного
сопротивления?
3. Чему равен угол  для идеального ёмкостного сопротивления?
4. Чему равен угол  для реального индуктивного сопротивления?
5. Чему равен угол  для реального ёмкостного сопротивления?

Работа № 4. Резонанс напряжений

Цель работы – изучение особенностей цепи с


последовательно соединенными элементами R, L, C,
экспериментальное исследование резонансных характеристик
последовательного контура, определение добротности контура.

Программа работы
1. Экспериментальное исследование резонансных характеристик
последовательного контура.
2. Определение тока цепи и напряжений на отдельных элементах на
различных частотах.

21
3. Определение резонансного значения o, характеристического
сопротивления  и добротности Q последовательного контура.

Общие положения
Резонанс напряжений в цепях переменного тока возникает
при последовательном соединении пассивных элементов (рис.17).

U R L С

Рис. 17. Последовательное соединение R, L, C в цепях переменного тока

По закону Ома ток в цепи в комплексной форме:


  
I  U  U

U
Z ZR  ZL  ZC 1 .
R  j L  j
C
Модуль тока определяется выражением:
U U U
I  
R 2  X2 R 2  (X L  X C ) 2 1 2 .
R 2  (L  )
C
Знаменатель данного выражения есть комплексное
сопротивление, модуль которого зависит от частоты. При
достижении некоторой частоты о реактивная составляющая
1
сопротивления исчезает, т.к. 0 L  , модуль сопротивления
0 C
становится минимальным, ток в данной схеме возрастает до
максимального значения, при этом вектор тока совпадет с вектором
напряжения.
1 2 U
Z  R 2  ( o L  )  Z min  R ; I  I max  ,  = 0.
o C R
При больших токах напряжения на элементах цепи могут
достигать больших значений. Такое явление называется резонансом
напряжений.

22
1 1
UL  UC , XL  XC , o L  , o 
2
,
o C LC
1
o  .
LC
На рис.18 приведены частотные характеристики исследуемой цепи.
Imax Z()

Zmin
R I()

o
-90°
()

Рис. 18. Частотные характеристики контура R, L, C

L
X L  X C  o L   Z B - волновое сопротивление контура.
C
Отношение напряжения на индуктивности или ёмкости к
напряжению на входе в режиме резонанса называется
добротностью контура Q:
UL U X I X
Q  Ñ  L  L .
U ÂÕ U ÂÕ RI R
Добротность контура в катушках индуктивности может
достигать сотен единиц.
U X
U L ðåç  I ðåç X L  X L  U L .
R R
При X L  R напряжение на индуктивности (или ёмкости)
может быть гораздо больше напряжения на входе, что широко
используется в радиотехнике.

23
Напряжения на индуктивности и ёмкости при резонансе
равны по величине, противоположны по фазе и в Q раз больше
входного напряжения.

Порядок выполнения работы

1. Собрать цепь по рис. 19. Подключить вольтметр к источнику


напряжения. Установить входное напряжение 4-5 В.
Катушка индуктивности

A V
Rk Lk
С
U f = var

Рис.19. Схема цепи для исследования явления резонанса


напряжений

2. 2. Изменяя частоту входного напряжения в диапазоне от 800 Гц


до 2000 Гц, зафиксировать явление резонанса по значению угла
, близкого к 0 (микроградус). На частоте резонанса произвести
измерение параметров, указанных в табл. 10, и записать
показания в 5-ю колонку.
Таблица 10
№ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
f, Гц
Измерено
U, B
I, мA
P, мВт
, градус
U k, B
Uc, B
Z, Ом
Zk, Ом
Rk, Ом

24
Рассчитать
f, Гц

XL, Ом
L, Гн
XС, Ом
С, мкФ

3. Для ряда частот, убывающих влево и возрастающих вправо от


резонансной точки, снять показания приборов и записать в табл.10.
4. Произвести необходимые вычисления и записать в табл. 10.
5. Построить в Excel графики зависимостей Z= f(), I= f(), =
f(), UL= f(), UC = f() и показать преподавателю.
6. Определить на резонансной частоте волновое сопротивление и
добротность исследуемого контура.

Расчётные формулы:
XL UC 10 6
X L  Z 2k  R 2k ; L ; XC  ; C , мкФ;
2f I X C 2f
1 L
o  ; X L  X C  o L   ZB ;
LC C
UL U X I X
Q  Ñ  L  L .
U ÂÕ U ÂÕ RI R

Контрольные вопросы
1. Дайте определение понятия «резонанс напряжений».
2. Чему равен угол  при резонансе напряжений?
3. Как изменяется полное сопротивление последовательно
соединенных элементов R, L, C при изменении частоты?
4. Как определить резонансную частоту через параметры контура?
5. Что определяет волновое сопротивление?
6. Поясните физическую сущность добротности контура.
7. Как меняется угол  при изменении частоты?
8. Как меняется ток при изменении частоты?

25
Работа № 5. Резонанс токов.
Повышение коэффициента мощности

Цель работы – изучение особенностей цепи при


параллельном соединении ветвей с индуктивным и ёмкостным
характером сопротивлений, а также использование свойств таких
цепей для повышения коэффициента мощности.
Программа работы
1. Изучение параметров режима цепи при параллельном
соединении катушки индуктивности и конденсатора при
изменении частоты.
2. Определение резонансного значения частоты o.
3. Повышение коэффициента мощности участка цепи.

Общие положения
Резонанс токов может возникнуть при параллельном
соединении реактивных элементов в цепях переменного тока.
Сопротивление ветви с
I конденсатором:
RС RL
U 1
ZC  R Ñ  j
IC L C
Сопротивление ветви с
С катушкой индуктивности:
IL
Z L  R L  j L .
Рис. 20. Параллельное соединение L, C. Проводимость ветви с
Резонанс токов конденсатором YC  g C  jb C

1
1 1 RC  C
Yc     j
ZC 1 1 2 1 2 ;
RC  j 2
RC ( ) 2
RC ( )
C C C

26
1
RC
gC  C
1 2; bC  ; b C  C .
R C2  ( ) 1 2
C R ( ) 2
C
C
Аналогичные преобразования проделаем для ветви с
индуктивностью и получим:
R L
gL  2 L 2 ; bL  2 ; YL  g L  jb L .
R L  ( L) R L  ( L) 2
Проводимости ветвей с индуктивностью и ёмкостью зависят
от частоты, причем реактивные составляющие имеют разные знаки.
При определенной частоте, называемой резонансной, реактивные
составляющие проводимости могут сравняться по модулю, и
суммарная проводимость станет минимальной. Общее
сопротивление при этом становится максимальным, общий ток -
минимальным, вектор тока совпадёт с вектором напряжения, токи в
ветвях с индуктивностью и ёмкостью могут быть во много раз
больше общего тока. Такое явление называется резонансом токов.
      
I  I L  I C  U YL  U YC  U(g L  jb L  g C  jb C )  U g  j(b C  b L )
C
где b L  b C    - волновая проводимость.
L
При отсутствии активных сопротивлений в ветвях с L, C
1
резонансную частоту определяют выражением: o  ,=0и
LC
cos = 1.
При наличии активных сопротивлений резонансная частота
R 2L 1
определяется выражением:  o  1 .
LC L/C
При g  bL ток в ветви с индуктивностью гораздо больше
общего тока. Такое явление называется резонансом токов.
Характер изменения общего тока и угла  при изменении
частоты представлен на рис.21.

27
I()

90°
R Imin

o
-90°
()
Рис. 21. Частотные характеристики при параллельном
соединении L и С

28
Важным показателем работы силовой электроустановки
является коэффициент мощности cos . Одну и ту же мощность при
одном и том же напряжении линии электропередач (ЛЭП) можно
передавать различными токами, зависящими от величины cos :
P
P = U I cos ; I= .
U  cos 
Чем больше cos  (в пределе cos  = 1), тем меньше ток I, и
тем меньше потери мощности в линии электропередач, так как они
определяются зависимостью P  I 2  R ЛЭП .
Для уменьшения тока и потерь мощности в ЛЭП
параллельно нагрузке, имеющей активно-индуктивный характер,
подключают ветвь с конденсатором. При правильно подобранной
мощности конденсатора реактивные составляющие проводимости
ветвей с конденсатором и с индуктивностью взаимно компенсируют
друг друга, суммарная проводимость уменьшается, общее
сопротивление увеличивается, уменьшается общий ток и потери
мощности. Явление резонанса токов широко используется в силовых
сетях промышленных предприятий для компенсации передаваемой
по ЛЭП реактивной мощности, что способствует снижению потерь
активной мощности.

Порядок выполнения работы


1. Собрать схему согласно рис. 22.
А1
А4
А3
U V0

C L

Рис. 22. Схема цепи для изучения явления резонанса токов

2. Изменяя частоту входного напряжения в диапазоне от 800 Гц до


2000 Гц, зафиксировать явление резонанса по значению угла ,
близкого к 0 (микроградус). На частоте резонанса произвести

29
измерение параметров, указанных в табл. 11 и записать показания в
5-ый столбец.
Таблица 11
№ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
f , кГц 5
Измерить
U, B 3
I1, мA 0
I3, м A
I4, мA
P, мВт
, градус 0
Рассчитать
cos 
Iа, мA
IP, мA
Q, вар
3. Произвести необходимые вычисления и записать в табл. 11.
4. Построить в Excel графики зависимостей Z = f(), I = f(),  =
f(), cos  = f(), IA = f(), IP = f(). Показать преподавателю.
5. Отключить конденсатор, наблюдая увеличение общего тока.
Определить резонансную частоту f0.
Расчётные формулы:
I A  I  cos ; I P  I  sin ; Q  U  I P .

U PL XL U
ZL  ; RL  ; X L  Z 2L  R 2L ; L  ; XC  ;
IL I 2L 2f IC
10 6 1 0
C (мкФ); o  ; f0= .
X C 2f LC 2

30
Контрольные вопросы

1. Определите понятие «резонанс токов».


2. Чему равен угол  при резонансе токов?
3. Как определить резонансную частоту через параметры цепи?
4. Как меняется угол  при изменении частоты?
5. Как меняется общий ток при изменении частоты?
6. Как используется явление резонанса токов в сетях
электроснабжения промышленных предприятий?
7. Как меняется общий ток при отключении конденсатора?

Работа № 6. Трёхфазные цепи при соединении «звезда»

Цель работы – исследование трёхфазных цепей,


соединенных звездой, при равномерной и неравномерной нагрузке
фаз.

Программа работы
1. Исследование трёхфазного приемника, соединенного «звездой»,
при симметричной нагрузке без нулевого провода.
2. То же, при несимметричной нагрузке без нулевого провода.
3. То же, при симметричной и несимметричной нагрузке с нулевым
проводом.

Общие положения

Трёхфазные цепи есть E


C

совокупность однофазных цепей, в


которых действуют синусоидальные EA
токи и напряжения одной частоты,
отличающиеся по фазе.
В трёхфазных системах токи
(напряжения) фаз сдвинуты на одну EB
треть периода, т.е. на 120 градусов
Рис. 23. Векторная диаграмма
(рис.23): фазных напряжений

31

e A  E msint , E A  Ee j0 ,
2 
e B  E m sin(t 
) , E B  Ee  j120 ,
3
2 
e C  E msin(t  ) , E C  Ee j120 .
3
Нагрузка фаз трёхфазной системы может быть
симметричной, если ZA = ZB = ZC, т.е. модули сопротивлений фаз
А, В, С и углы между векторами напряжений и токов этих фаз
одинаковы. На рис.24 приведено соединение фаз «звезда» при
симметричной нагрузке.
IфА
IA UфA
EA ZA
IфC EB UCA UAB ZB
EC ZC
IфB

Источник IC линия UфСприемник


UфB
Рис 24.UСхема соединений «звезда»
BC
Здесь: IB

U ôÀ , U ôB , U ôC- фазные напряжения, это напряжения


между началом и концом соответствующей фазы;
I ôÀ , I ôB , I ôC - фазные токи - токи в фазах приемника;
U ÀB , U BC , U CA - линейные напряжения;
I À , I B , I C - линейные токи - токи в линиях.
Для схемы «звезда» очевидно равенство фазных и линейных
     
токов: IôA  I A ; IôB  I B ; I ôC  I C .
Линейные напряжения равны разности фазных:
        
U AB  U A  U B ; U BC  U B  U C ; U CA  U C  U A .

UAB Независимо от характера нагрузки:

UA 32
-UB

UC
UB
     
I A  I B  I C  0 ; U AB  U BC  U CA  0 .
Из векторной диаграммы (рис.25) при симметричной
нагрузке следует:
UË  
 U ô cos30o ; UË  3U ô ; U AB  U A 3e j30
o
.
2

Рис.25. Векторная диаграмма


напряжений При неравномерной нагрузке ZA  ZB  ZC (рис.26):
EA ZA
EB ZB
0 01
EC ZC

Рис. 26. Схема «звезда» без нулевого провода


        
U A  E A  U 001 ; U B  E B  U 001 ; U C  E C  U 001 ;
  
E A YA  E B YB  E C YC

U 001  .
YA  YB  YC
При симметричной нагрузке:
  
U001 = 0, так как YA  YB  YC и E A  E B  E C  0 .
При несимметричной нагрузке напряжения фаз приемника
неодинаковы по величине и по фазе (рис.27).
 
  UA    UB 
IôA  IA   U A YA ; IôB  IB   U B YB ;
ZA ZB

  UC 
IôC  IC   U C YC .
ZC

Осветительные приборы UA
будут работать одни - с
недокалом, другие с перекалом, UСA
UAB
33 0
01 UB
UC
UBС
Рис.27. Векторная диаграмма при
несимметричной нагрузке
т.е. будут быстро выходить из строя. Схема «звезда» не
обеспечивает независимой работы отдельных приемников и
применяется только при равномерной нагрузке.
Для обеспечения симметричной системы напряжений во
всех фазах и независимой работы отдельных приемников
используется схема «звезда с нулевым проводом», т.е.
четырёхпроводная система, рис.28.

EA ZA

0 EB ZB 01

EC ZC

Нулевой провод

Рис.28. Схема «звезда с нулевым проводом»


Здесь узлы 001 соединены нулевым проводом, напряжение
между ними равно 0.
Тогда справедливы следующие соотношения при
несимметричной нагрузке:
           
U A  E A  U 001  E A ; U B  E B  U 001  E B ; U C  E C  U 001  E C .

Порядок выполнения работы

1. Собрать схему по рис.29 без нулевого провода. Для симметричной


нагрузки установить сопротивления R по 1кОм. Для
исследования несимметричной нагрузки установить в фазе В
сопротивление 470 Ом.
2. Произвести измерения параметров и записать показания приборов
в табл. 12.

A А1
RA
B А2 O1 V0
RB
34 0
C А3
RC
N A4

Рис.29. Схема соединений «звезда»


3. Подключить нулевой провод и повторить измерения с
сопротивлениями, приведенными в п.1.
4. Произвести необходимые вычисления и записать в табл.12.
5. Построить векторную диаграмму для режима, указанного
преподавателем.

Контрольные вопросы

1. Какой ток больше в схеме «звезда» - линейный или фазный?


2. Какое напряжение больше - линейное или фазное в схеме
«звезда» при симметричной нагрузке? Во сколько раз больше?
3. Изменяются ли напряжения на нагрузке при нарушении
симметрии в схеме без нулевого провода?
4. Что нужно сделать для выравнивания напряжений при
симметричной нагрузке в схеме без нулевого провода?
5. Изменяются ли напряжения на нагрузке при нарушении
симметрии в схеме без нулевого провода?
6. Какая система (трёхпроводная или четырёхпроводная)
используется в жилых помещениях?
7. Какие провода вводят в квартиру (два фазных или два нулевых
или фазный и нулевой)?
8. В каком проводе следует устанавливать выключатель (фазном
или нулевом)?

35
Таблица 12
Без нулевого провода С нулевым проводом
Параметры
RB =  RB = R RB = 1/2R RB =  RB = R RB = 1/2R
Источник питания
UAB, В

UBС, В
UCA, В
UAN, В
UBN, В
UCN, В

UA01, В
UB01, В
UC01, В
U001, В
IA, мА
IB, мА
IC, мА
I0, мА
Вычислить
U AB
UA
U AB
U A1
U A1
U B1

Работа № 7. Переходные процессы в цепи постоянного тока

Цель работы – исследование переходных процессов при


коммутации цепей постоянного тока с элементами R, L и C.

Программа работы
1. Определение влияния элементов цепи на переходный процесс.
2. Расчёт тока и напряжения в цепи с индуктивность или ёмкостью
по заданию преподавателя.

36
3. Экспериментальное исследование переходных характеристик
тока и напряжения.
4. Определение времени процесса по опытным данным.
Общие положения

Переходные процессы - это процессы перехода от одного


установившегося состояния к другому установившемуся состоянию.
Изменения параметров элементов схемы или изменение режима
работы самой схемы называются коммутациями.
В природе соблюдается принцип непрерывности во времени
потокосцепления индуктивности и электрического заряда ёмкости.

L  i (02  ) L  i (02  )
WМ(0  )    WМ(  ) ;
2 2
С  u (02  ) С  u (02  )
WЭ(0  )    WЭ(  ) .
2 2

Законы коммутации

1-й закон: Потокосцепление скачком измениться не может:


 (0  )   ( 0  )
Следствие: В первый момент после коммутации ток в катушке
индуктивности скачком измениться не может
i L (0  )  i L (0 ) .
2-й закон: Заряд ёмкости скачком измениться не может:
q(0+) = q(0-).
Следствие: В первый момент после коммутации напряжение на
ёмкости скачком измениться не может
U C (0  )  U C (0 ) .
На основании законов коммутации определяется постоянная
интегрирования свободной составляющей тока или напряжения при
расчете переходных процессов. За начало отсчета переходного
процесса принимается время равное нулю.

37
Анализ переходных процессов в линейных цепях с
сосредоточенными параметрами сводится к решению линейных
неоднородных дифференциальных уравнений, составленных на
основе законов Кирхгофа для после коммутационного процесса.
При включении цепи R, L на постоянное напряжение (рис.30):
di
Ri  L  U0 .
dt

R L

i

Рис. 30. Включение R, L на U = const

Общее решение такого уравнения может быть найдено


методом наложения принуждённого и свободного режимов:
di CB
i  i ÏÐ  i ÑÂ ; Ri CB  L  0,
dt
U di
где i ÏÐ  - ток принуждённого режима при  0 или
R dt
частное решение неоднородного уравнения. Принуждённый режим
определяет новое состояние электрической цепи после окончания
переходного процесса;
i ÑÂ  Aekt - ток свободного режима или общее решение
однородного уравнения (с нулевой правой частью).
До коммутации (до включения) ток в цепи отсутствовал
i L (0 )  0 . На основании 1-го закона коммутации можно записать
i L (0 )  i L (0  ) , т.е. ток в индуктивности в первый момент после
коммутации равен току до коммутации. После коммутации
переходный процесс описывается дифференциальным уравнением

38
di
Ri  L  U0 . Свободную составляющую определяем из
dt
di CB
уравнения Ri CB  L  0 . Решение этого уравнения i ÑÂ  Aekt ;
dt
k - корень характеристического уравнения R  kL  0 ;
R
где k   ;
L
А - постоянная интегрирования, определяемая из начальных
условий при t = 0 на основании Первого закона коммутации ,
U U
i L (0  )  i L (0  )  0  i ïð (0)  i ñâ (0)   A  0 , отсюда A   .
R R
Решение:
U U  RL t U R
 t
i  e  (1  e L )
R R R
R
Напряжение на R: U  iR  U(1  e  L t ) .
R
R
di  t
Напряжение на L: U L  L  Ue L .
dt
Кривые тока и напряжения на индуктивности при включении
R, L на U=const приведены на рис.31.

Uo

UL
t

Рис. 31. Кривые тока и напряжения на


индуктивности при включении R, L на U=const

39
При включении цепочки R, C на постоянное напряжение
(рис.32) уравнение переходного процесса примет вид:
dU C
iR  U C  U , где iC .
dt

R
U0 С
i

Рис.32. Включение R, С на U = сonst

dU C
После подстановки получим выражение RC  UC  U .
dt
Решим уравнение относительно UC:
U C  U ïð  U ñâ ; U ïð  U 0 ; U ñâ  Aekt .

Докоммутационный режим U C (0 )  U C (0 )  0 .


1
Характеристическое уравнение RCk  1  0 ; k   .
RC
А - постоянная интегрирования, определяемая из начальных
условий при t = 0:
U C (0  )  U C (0  )  0  U ïð (0)  U ñâ (0)  U 0  A .
Отсюда A   U 0 .
1
1 dU C U  RC t
Решение: U  U  U e  RC t и i  C  e .
C o o dt R

Кривые тока и напряжения на конденсаторе при включении


R, С на U=const приведены на рис. 33.

Uo

40
i
t

Рис.33 Кривые тока и напряжения на конденсаторе при


включении R, С на U=const
41
Порядок выполнения работы

1. Собрать схему по рис.34.

2. A
Подключить R L
генератор U V
напряжения
специальной
формы, Рис.34. Включение R, L на постоянное напряжение
установив
переключатель «форма» в крайнее правое положение, а частоту
установить 0,4 кГц. Наблюдать кривые тока и напряжения на
индуктивности по экрану осциллографа при параметрах, заданных в
табл.13.
По графику определить время переходного процесса для
каждого случая. Показания приборов занести в табл. 13.

Таблица 13
L 100 мГн 40 мГн С 0,22 мкФ 0,47 мкФ
R, кОм 1 0,68 1 0,68 R, кОм 1 0,68 1 0,68
f, Гц f Гц
Хк Хс
R R
U, B U B
I, мA I мA
U k, B Uс B
t, мкс t мкс
, мс  мс

3. 3. Заменить в схеме рис.34 индуктивность на конденсатор и


повторить измерения по п.2.

42
1 L 1
4. Вычислить    для цепочки R, L и   RC для
k R k
цепочки R, C и записать в табл. 13.

5. Собрать схему по рис.35 с L=100 мГн и С=0,47 мкФ , R=1кОм.

A V
R L
U С

Рис.35. Включение R, L, С на постоянное напряжение

6. Наблюдать на экране осциллографа кривые тока и напряжения


на индуктивности и ёмкости. Объяснить изменение формы
кривых.

Контрольные вопросы

1. За сколько постоянных времени примерно заканчивается


переходный процесс?
2. Из какого условия определяется постоянная интегрирования?
3. Из какого условия получены законы коммутации?
4. Чему равна постоянная времени цепи R, L, и цепи R, С при
включении на постоянное напряжение?

43
Работа № 8. Исследование схем выпрямления

Цель работы – исследование параметров выпрямительных


устройств
Программа работы
1. Экспериментальное исследование характеристик тока и
напряжения при различных схемах выпрямления.
2. Определение влияния количества диодных элементов на
частоту пульсаций выпрямленного напряжения.

Общие положения
Для преобразования переменного тока в постоянный служат
выпрямительные устройства. Основным элементом
преобразователей является диод. Различают четыре основных схемы
выпрямления: однополупериодная, мостовая двухполупериодная,
трёхфазная и трёхфазная мостовая.

Однополупериодный выпрямитель

Работа однополупериодного выпрямителя (рис.36)


рассматривается в предположении, что вентиль (диод) – идеальный,
т.е. сопротивление диода в прямом направлении равно нулю, а в
обратном – бесконечно велико. Здесь Rн – сопротивление нагрузки.
u2

U1 Uн Rн t

iн u
н

Рис.36. Схема и временные диаграммы однополупериодного выпрямителя

44
В течение первого полупериода напряжения U1, когда
положительный потенциал приложен к аноду вентиля, он открыт и
через нагрузочное сопротивление Rн пойдет ток iн = iв; при этом всё
напряжение окажется приложенным к Rн (uн = u2). Во второй
(отрицательный) полупериод синусоидального напряжения U1 диод
окажется включённым в обратном направлении, ток прекратится, и
всё напряжение U1 окажется приложенным к закрытому диоду.
Из временных диаграмм видно, что ток iн и напряжение uн 
имеют пульсирующий характер и значительно отличаются от
постоянных. Для однополупериодного выпрямителя справедливы
следующие соотношения:
U U
U 0  0,45U1 ; I 0  0  0,45 1 .
R R
где I0 и U0 – средние значения (постоянные составляющие)
выпрямленного тока и напряжения.
Для характеристики степени пульсации выпрямленного
напряжения вводят коэффициент пульсации

U m ãàðì
Ê ïóëüñ  ;
U0
где Um гарм – амплитуда наибольшей гармоники, для
однополупериодного выпрямителя эта гармоника имеет частоту,
равную частоте питающей сети переменного тока.
Для однополупериодного выпрямителя Кпульс = 1,57.
Основным преимуществом однополупериодного выпрямителя
является его простота, а недостатками – большой коэффициент
пульсаций и малые значения выпрямленного тока и напряжения.
Поэтому значительно большее распространение получили
двухполупериодные выпрямители, в которых выпрямленное
напряжение создаётся в оба полупериода напряжения сети.
I0

45
Двухполупериодный выпрямитель
Двухполупериодные выпрямители бывают двух типов:
мостовые и с выводом средней точки вторичной обмотки
трансформатора. Распространение получил мостовой выпрямитель

а) б)
u1
( )
Iв1 1 2 Iв2
(рис.37).

U1 t
4 3
Iв4 Iв3 uн

( ) U0

В положительный полупериод синусоидального напряжения


сети (U1), вентили 1 и 3 открыты, а вентили 2 и 4 закрыты. В этот
полупериод ток проходит от верхнего зажима через вентиль 1 (ток
Iв1), нагрузочный резистор Rн, вентиль 3 (ток Iв3) к нижнему зажиму.
В Мостовой
Рис.37. другой выпрямитель:
полупериод, а –когда
схема; бверхний зажим
– временные имеет
диаграммы
отрицательный потенциал по отношению к нижнему, вентили 1 и 3
закрыты, а вентили 2 и 4 открыты. Ток проходит от нижнего зажима
через вентиль 2 (ток Iв2), нагрузочный резистор Rн, вентиль 4 (ток Iв4)
к верхнему зажиму. При этом в течение всего периода ток Iн через
резистор Rн и напряжение на нём имеют одно и то же направление.
Для рассматриваемого двухполупериодного выпрямителя
справедливы следующие соотношения:

U 1m U m.ãàðì
U 0  0,9U 1  0,9 ; K ïóëüñ   0,67,
2 U0

46
где Um гарм – амплитуда наибольшей гармоники, которая для
двухполупериодного выпрямителя имеет частоту вдвое бóльшую,
чем частота питающей сети.
Мостовой выпрямитель, по сравнению с
однополупериодным, более эффективен: средние значения
выпрямленного тока и напряжения у него в 2 раза больше, а
пульсации значительно меньше.
Коэффициент пульсаций напряжения К пульс, питающего
электронную аппаратуру, должен составлять доли процента.
Двухполупериодный выпрямитель создает пульсирующее
напряжение с Кпульс = 0,67. Для уменьшения пульсаций до
требуемого уровня применяют устройства, называемые
сглаживающими фильтрами.
В трехфазной схеме выпрямления с нулевым проводом,
(рис.38) напряжения в каждой фазе сдвинуты по отношению к друг
другу на 120°. В любой момент времени действует лишь одна фаза,
которая в это время имеет положительный наибольший потенциал
относительно нулевой точки. Ток протекает через диод в течение 1/3
части периода выпрямляемого тока. Выпрямленный ток,
являющийся суммарным током всех поочередно действующих фаз
выпрямителя, имеет форму огибающей кривой.
Отношение выпрямленного напряжения на нагрузке к
фазному напряжению составляет 1,17.

A

B
iн Uн

O
Рис.38. Трёхфазная схема выпрямления с нулевым проводом

В трёхфазной мостовой схеме выпрямления (рис.39) ток в


любой момент времени протекает через два последовательно
соединенных диода и сопротивление нагрузки.

47
А В С

Рис.39. Трёхфазная мостовая схема выпрямления

Постоянная составляющая напряжения на активной нагрузке


Uн = 2,34 Uф. Действующее значение тока диодов составляет 0,58 от
постоянной составляющей тока нагрузки.

Порядок выполнения работы

1.Собрать схему по рис.40.



А1

U1 Rн V0
V1 Uн

А3
Рис. 40 Схема измерения для однополупериодной схемы выпрямления

Произвести измерения тока и напряжения. Данные занести в


табл.14.
Наблюдать по осциллографу кривую напряжения и кривую тока.

48
5

-1

-2

-3

-4

-5
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0

49
Таблица 14
Схем Измеренные и вычисленные параметры
а по U1 I1 U0 I3 Кв Кп f
п.
1 Um Uд1 Iд Uд0 Uс.в0 Iд Iс.в. Uд0/ Uд1 Um/ Uд0
1
2
3
4

2. По осциллографу наблюдать форму выпрямленного тока


(амперметр А3) и напряжения источника питания (вольтметр V1).
Определить частоту выпрямленного тока.
3. Вычислить коэффициент пульсаций Кп и коэффициент
выпрямления Кв. Полученные значения занести в табл.14.
4. Собрать схему по рис.41 и повторить действия по пп.1,2,3.
Измеренные и вычисленные данные занести в табл.14.

A1

V0
U1 V1 A3
Iв4

50
5

-1

-2

-3

-4

-5
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
Рис.41.Схема измерения для двухполупериодной схемы выпрямления
5. Собрать схему по рис.42 и повторить действия по пп.1,2,3.
Измеренные и вычисленные данные занести в табл.14.
V0
A
А1 Rн

B
V1 iн Uн
C
А3
O

51
5

-1

-2

-3

-4

-5
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
Рис.42. Схема измерения для трёхфазной схемы выпрямления
5. Собрать схему по рис.43 и повторить действия по пп.1,2,3.
Измеренные и вычисленные данные занести в табл.14.
V1

А В С о

А1


А3

V0

52
5

-1

-2

-3

-4

-5
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
Рис.43. Схема измерения для трёхфазной мостовой схемы выпрямления

Контрольные вопросы

1. Зависит ли частота пульсаций выпрямленного тока от


частоты питающего напряжения?
2. Как зависит частота пульсаций выпрямленного тока от
схемы выпрямителя?
3. Чем отличается действующее значение тока от
средневыпрямленного?
4. Какие схемы выпрямления использовались в настоящей
работе?

53
Работа № 9. Исследование полупроводниковых диодов
Цель работы - изучение принципа действия и снятие статических
характеристик полупроводниковых диодов.

Программа работы
1. Снятие вольтамперных характеристик диода в прямом и
обратном направлениях.
2. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона.
3. Снятие характеристики оптоэлектронной пары.
4. Снятие вольтамперной характеристики светодиода.

Общие положения
Полупроводниковый диод – двухэлектродный прибор,
принцип действия которого основан на использовании явлений,
возникающих между частями монокристалла полупроводника с
проводимостями p- и n-типа. Слой, образующийся на границе двух
областей полупроводника, обладающих противоположными типами
электропроводимости – дырочной p и электронной n, называют
электронно-дырочным переходом (ЭДП) или p-n переходом.
Образование контактной разности потенциалов обедняет
области p и n ЭДП основными носителями заряда. Это повышает
электрическое сопротивление ЭДП. Поэтому область ЭДП называют
запирающим слоем. Его толщина – микроны- десятки микрон. ЭДП
возникает не только на границе двух полупроводников с разной
проводимостью, но и при контакте полупроводника с металлом.
Полупроводниковые диоды широко применяются в
устройствах, работающих в непрерывных и импульсных режимах, и
делятся по назначению на выпрямительные диоды (в том числе
универсальные диоды, работающие в широком диапазоне частот),
импульсные, СВЧ диоды, варикапы, стабисторы и стабилитроны
(опорные диоды), туннельные, обращенные и др.
Выпрямительные диоды служат для выпрямления
переменного тока низкой (до 50 кГц) частоты. Выпускают
германиевые, кремниевые, титановые и др. диоды.

54
Зависимость тока через ЭДП от внешнего напряжения или
вольтамперная характеристика (ВАХ ЭДП):
 qU 
I  IS 
e
kT
 1
,
 
где: IS – неуправляемый тепловой (обратный) ток или ток
насыщения. Он обусловлен неосновными носителями заряда
(дырками из n-области, электронами из p-области);
e = 2,718…– основание натурального логарифма;
q = 1,602…· 10-23 Кл – заряд электрона;
U – внешняя разность потенциалов, приложенная
непосредственно к ЭДП (напряжение на электродах диода за
вычетом падения напряжения на p- и n-слоях монокристалла);
K=1,380662·10-23 Кл·В/К – постоянная Больцмана;
T – абсолютная температура, К.
Положительным внешнее напряжение считают в том случае,
когда плюс приложен к p-области. При этом протекает прямой ток –
ток из p-слоя в n-слой. Если к ЭДП приложено положительное
напряжение, то говорят, что диод «смещён в прямом направлении».
Напряжение противоположной полярности называют «обратным».
На рис.44 показаны структура диода, его условное
изображение и график ВАХ ЭДП.
+I

p n

эмиттер (анод) +U
база(катод) Is -0,1 В

Рис.44. Структура диода, его условное изображение и график ВАХ ЭДП

55
В создании прямого тока участвуют основные носители:
дырки из p-слоя «перетекают» (инжектируются) в n-слой, а
электроны из n-слоя инжектируются в p-слой.

Основные параметры выпрямительных диодов


1) Средний прямой ток Iпр.ср – среднее за период переменного
напряжения значение прямого тока через диод. Уменьшается с
увеличением температуры корпуса и частоты следования тока.
2) Постоянное прямое напряжение Uпр – постоянное значение
прямого напряжения, обусловленное постоянным прямым
током.
3) Постоянный обратный ток Iобр – обусловлен постоянным
обратным напряжением.
4) Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
U обр.max.
5) Максимально допустимая частота fmax – наибольшая частота
подводимого напряжения и импульсов тока, при которых
обеспечивается надежная работа диода.
6) Импульсный прямой ток Iпр.и – наибольшее мгновенное значение
прямого тока, исключая повторяющиеся переходные токи.
Полупроводниковый стабилитрон – полупроводниковый
диод, напряжение на котором в области электрического пробоя
слабо зависит от тока и который служит для стабилизации
напряжения.
Как видно из рис.45, в области электрического пробоя
напряжение на стабилитроне Uст лишь незначительно изменяется
при больших изменениях тока стабилизации Iст.

Rд Rн

Uвх Uст
I
Ia

U

Iст.min

56
Iст.max
Рис.45.Схема включения и ВАХ стабилитрона
Основные параметры стабилитрона: напряжение на участке
стабилизации Uст (1 – 1000 В); динамическое сопротивление на
участке стабилизации Rд=d Uст /d Iст (0,5 – 200 Ом); минимальный
ток стабилизации Iстmin (1 – 10 мА); максимальный ток стабилизации
Iстmax (50 - 2000 мА); температурный коэффициент напряжения на
участке стабилизации (от –0,05 до +0,2 %/°С) U= (d Uст /d Т)100.

Оптоэлектронные приборы
Это группа полупроводниковых приборов, действие которых
основано на использовании явлений излучения, передачи или
поглощения в видимой части спектра, инфракрасной и (или)
ультрафиолетовой областях спектра. Светоизлучающие диоды
(светодиоды) - это полупроводниковые диоды с одним электронно-
дырочным переходом, в котором осуществляется непосредственное
преобразование энергии электрического поля в оптическое
излучение вследствие рекомбинации электронов и дырок.
Используются светодиоды чаще всего в устройствах визуального
представления информации.
Светодиоды характеризуют спектральным составом
излучения, мощностью излучения и коэффициентом полезного
действия. Основными характеристиками светодиодов являются
яркостная или ватт-амперная характеристика, прямой ток, прямое и
обратное напряжение.
Светодиоды включают по схеме, приведенной на рис.46:
R

Iсв
+
G 1
-
H L1

Рис.46.Схема включения светодиода

57
Светодиоды нуждаются в источнике питания с большим
внутренним сопротивлением, для чего последовательно с
источником питания включают резистор. Это уменьшает наклон
яркостных характеристик, а проходящий через светодиод ток
меньше зависит от напряжения питания.
Ватт-амерные характеристики различных светодиодов
представлены на рис.47.
I, мА Ф2 > Ф1 > Ф0 I, мкА

U2
U1
U0=0

а) вольтамперная характеристика
0 U, В
б) световая характеристика Ф, лм
Ф0=0 0
Ф1 Рис.47. Ватт-амперные
Ф2 характеристики светодиодов
Н и з к и е н а п
в низковольтных транзисторных устройствах (индикации,
фотопамяти и др.).
Инерционность светодиодов не превышает 10 -6…10-8 с,
поэтому их используют в импульсных режимах на частотах до 100
МГц.

Фотодиоды
Фотодиоды – это полупроводниковые приборы p-n-типа,
принцип действия которых основан на внутреннем фотоэффекте.
При освещении в p-n-переходе возникает фотоэлектрический
эффект. В результате неравновесной концентрации носителей
зарядов, в p- и n-областях появляются электроны и дырки.
Электронно-дырочные пары движутся к p-n-переходу, где
разделяются и под действием контактной разности потенциалов
неосновные носители зарядов проходят через p-n-переход, образуя

58
фототок (вентильный режим фотодиода или режим фотогенератора:
рис. 48, б).

R VD R VD
Н Н

- +
a) б) в)

Рис. 48. Изображения фотодиода и схемы их включения

Если к n-области подсоединить плюс источника, а к p-


области – минуc, то и при отсутствии освещения ЭДП через
фотодиод будет проходить малый темновой ток. Обратный ток
возрастает при освещении. Это так называемый фотодиодный
режим, схема включения которого показана на рис. 48,в.
Фотодиоды характеризуются напряжением питания Uп
(порядка 10..30 В), темновым током Iт (от 1 до 25 мкА).
При отсутствии освещенности через фотодиод протекает
темновой ток Iт, а при освещении - световой ток Ic.
Фотодиоды предназначены для работы в видимой области
спектра (3..7,5)10-7 м, а также в области инфракрасных волн.
Германиевые фотодиоды широко применяют в качестве
индикаторов инфракрасного излучения. Кремниевые – в качестве
фотоэлементов для преобразования энергии из световой в
электрическую, а селеновые – для фотоэкспонометров и
светотехнических измерений, так как их спектральная
характеристика близка к спектральной характеристике
человеческого глаза.
Фотодиоды характеризуется:
- темновым Rт и световым Rс сопротивлениями;
- кратностью изменения сопротивления при освещении Rс/Rт;

59
- удельной чувствительностью K0=Iф/(ФU), которая
характеризует фототок Iф, проходящий через фотодиод при
освещении его световым потоком Ф=1 миллилюмен при
напряжении 1 В;
- спектральной чувствительностью.
Полоса пропускания быстродействующих кремниевых
фотодиодов лежит в пределах 108…109 Гц.

Оптроны
Оптрон состоит из светоизлучателя (светодиода) и
приёмника излучения (светочувствительного детектора, фотодиода,
фоторезистора или фототиристора), связанных оптической средой и
конструктивно объединённых в одном корпусе.
Диодные оптроны используются, как правило, для
гальванической развязки отдельных входов в комплексных системах
автоматики.
Оптроны характеризуются четырьмя группами параметров.
1. Входные параметры: входное напряжение Uвх – прямое на
входе оптрона при заданном прямом токе; максимальное
допустимое обратное входное напряжение Uвх.обр.мах, которое
допускается подавать на вход оптрона; номинальный входной ток
Iвх.н; максимально допустимый входной ток Iвх.max – постоянный,
прямой, который разрешается пропускать через вход оптрона.
2. Выходные параметры: максимально допустимое обратное
входное напряжение Uвх.обр.mах, которое разрешается прикладывать к
выходу оптрона; максимально допустимый выходной ток Iвых.max,
который разрешается пропускать через фотоприемник при
включенном оптроне; световое сопротивление Rc – сопротивление
фоторезистора при заданном токе на входе оптрона, темновое
сопротивление Rт – сопротивление фоторезистора при входном токе,
равном нулю; остаточное напряжение Uост – прямое на выходе
оптрона в открытом состоянии; выходная ёмкость Cвых.
3. Передаточные параметры: статический коэффициент
передачи тока Ki – отношение токов на выходе и входе оптрона;
ёмкость связи Cc между входом и выходом оптрона.

60
4. Параметры гальванической развязки: максимально
допустимое пиковое напряжение между выходами входа и выхода
Uраз.п.max; максимально допустимое напряжение между выводами
входа и выхода Uраз.max; сопротивление гальванической развязки Rраз
между выводами входа и выхода оптрона.
Условные обозначения некоторых оптронов приведены на
рис.49.

фоторезисторный составной фоторезисторный


фотодиодный

Рис.49. Условные обозначения оптронов

Порядок выполнения работы

1. Исследование выпрямительного диода.


1.1. Снятие вольтамперной характеристики (ВАХ) выпрямительного
диода, включённого в прямом направлении.
1.1.1. Собрать схему согласно рис.50.

Рис.50. Схема включения выпрямительного диода в прямом направлении

61
1.1.2. Установить для амперметра А1 предел 20 мА, а для вольтметра
V1 – 1 В. Перевести ручку регулятора напряжения источника в
крайнее левое положение. После проверки преподавателем схемы,
включить источник питания. Вывести на экран компьютера сигналы
амперметра А1 и вольтметра V1.
1.1.3. Снять вольтамперную характеристику. Для этого с помощью
регулятора напряжения источника задавать значения тока Iпр через
диод (амперметр А1) и записывать значения соответствующего
напряжения Uпр (вольтметр V1). Результаты занести в табл.15.

Таблица 15
Iпр,
0 0,1 0,2 0,5 0,7 1 2 4 6 8 10 12 14
мА
Uпр,
В

По окончании опыта уменьшить напряжение на диоде до 0 и


отключить источник.

1.2. Снятие вольтамперных характеристик выпрямительного диода,


включённого в обратном направлении.
1.2.1. Собрать схему согласно рис.51.

Рис.51. Схема включения выпрямительного диода в обратном направлении

62
В качестве амперметра использовать мультиметр MY60,
минусовой провод подключить к клемме «com», а плюсовой к «А»,
предел измерений установить «20 А».
1.2.2. Установить для вольтметра V0 предел 5В. В процессе работы
изменить на 20 В. После проверки преподавателем схемы, включить
источник и мультиметр.
1.2.3. Снятие вольтамперной характеристики. С помощью
регулятора напряжения источника задавать значения напряжения
Uобр (вольтметр V0) согласно табл.16 и записывать значения
соответствующего тока Iобр. Результаты занести в табл.16.
Таблица 16
Uобр,
0 0,1 0,5 1 2 4 6 8 10 12 14 15
В
Iобр,
мА

По окончании опыта уменьшить напряжение на диоде до 0 и


отключить источник U3.
1.2.4. По ВАХ выпрямительного диода определить статическое
сопротивление в 3-4 точках прямой и обратной ветвей
характеристики и динамическое сопротивление на линейном
участке прямой и обратной ветвей характеристики.

2. Исследование кремниевого стабилитрона.


2.1. Собрать схему согласно рис.52.

Рис.52. Схема включения кремниевого стабилитрона

63
2.2. Установить для вольтметров предел 20 В, для амперметра 20мА.
После проверки преподавателем схемы, включить источник.
Снять .17.
Таблица17
U 3, В 0 3 5 7 10 11 12 13 14
Uст, В
Iст, мА
По окончании опыта, уменьшить напряжение на диоде до 0 и
отключить источник U3.
2.3. По ВАХ кремниевого стабилитрона определить:
- напряжение пробоя стабилитрона,
- максимальный и минимальный токи, при которых
обеспечивается стабилизация напряжения,
- динамическое сопротивление на участке стабилизации.

3. Исследование оптоэлектронной пары.


3.1. Собрать схему согласно рис.53. В качестве оптоэлектронной
пары использовать лампу накаливания и полупроводниковый
фоторезистор. Собирая схему, следует обеспечить
расположение окошек элементов оптоэлектронной пары
непосредственно напротив друг друга. В качестве омметра
использовать мультиметр MY60, подключив минусовой провод
к клемме «com», а плюсовой – «U, », предел измерений
установить «2кОм».

Рис.53. Схема включения оптоэлектронной пары

3.2. Установить предел измерения вольтметра V1 в 20 В. Перевести


ручку регулятора напряжения источника в крайнее левое

64
положение. После проверки преподавателем схемы, включить
источник.
3.3. Снять параметры сопротивления фоторезистора в зависимости
от освещенности (напряжения на лампе накаливания). Для
этого, меняя напряжение на лампе накаливания (и
освещенность), измерить сопротивление фоторезистора Rф.
Значение сопротивления больше 2кОм (мультиметр показывает
«1») условно считать равными .
Результаты измерений и вычислений записать в табл. 18.
Таблица 18
U 3, В 3 4 5 6 7 8 9 10
Rф, кОм

4. Исследование светодиода.
4.1. Собрать схему по рис.52, используя в качестве диода VD1
светодиод.
4.2. Аналогично п.1 снять ВАХ светодиода, включённого в прямом
направлении. В процессе снятия характеристики визуально
убедиться в зависимости количества излучаемого света от тока
светодиода. Результаты внести в табл.19.
Таблица 19
Iпр,
0 0,1 0,2 0,5 0,7 1 2 4 6 8 10 12 14
мА
Uпр,
В

5. Для каждого из опытов в формате Excel построить графики


зависимостей, согласно таблицам 17-19.

Контрольные вопросы

1. Зависит ли конструкция диода от значения выпрямляемого


тока, его частоты, значения допустимого напряжения, температуры
окружающей среды?
2. Из каких материалов изготовляют выпрямительные
диоды?
3. Чем обусловлен обратный ток диода?

65
4. Что такое электрический пробой, чем он отличается от
пробоя теплового для кремниевых диодов?
5. Есть ли принципиальные различия между
выпрямительным кремниевым диодом и фотодиодом?
6. Могут ли создавать электрический ток фотодиоды при
отсутствии внешнего источника электроэнергии?
7. Для каких целей, кроме выпрямления переменного тока,
можно использовать выпрямительные диоды?

66
Работа № 10. Исследование биполярного транзистора

Цель работы - изучение принципа действия биполярного


транзистора, статических характеристик транзистора, включённого
по схеме с общим эмиттером.

Программа работы
1. Снятие семейства входных и выходных вольтамперных
характеристик.
2. Снятие проходных характеристик транзистора, включённого
по схеме с общим эмиттером (ОЭ).

Общие положения
Биполярным транзистором называют трёхэлектродный
полупроводниковый прибор с двумя близкорасположенными
электронно-дырочными переходами. Они служат для усиления,
генерирования, преобразования и коммутации сигналов и т.д.
Ток в биполярном транзисторе определяется движением
носителей зарядов двух знаков – отрицательных (электронов) и
положительных (дырок), отсюда и название – биполярный, т.е.
двухполярный. На рис.54 показаны условные графические
обозначения транзисторов типа n-p-n и p-n-p, выполненных на
основе германия и кремния и типовые напряжения на электродах
относительно эмиттера.
с т р у к т у р ы p -n -p с т р у к т у р ы n -p -n
герм ан и й крем ний герм ан и й крем ний
- 3 ...9 В - 3 ...9 В + 3 ...9 В + 3 ...9 В
к к к к

б б б б
- 0 ,1 5 В - 0 ,6 В + 0 ,1 5 В + 0 ,6 В

э э э э

Рис.54. Условные обозначения и типовые напряжения на электродах биполярных


транзисторов

67
Две крайние области монокристалла германия или кремния с
однотипной проводимостью разделены областью противоположной
электропроводности (рис.55).
Биполярные транзисторы являются асимметричными
приборами:
1. Эмиттерный электронно-дырочный переход (ЭЭДП) между базой
и эмиттером n1+ -p по площади меньше коллекторного (КЭДП) n2-p.
2. Знак «плюс» означает, что концентрация примесей в эмиттере в
сотни раз превышает концентрацию примесей в базе (p).
3. Концентрация примесей в коллекторе чуть меньше, чем в
эмиттере.
Э м и ттер
Б аза К ол л ек то р

n 1 p
w

n 2

Рис.55. Конструкция современного биполярного транзистора типа n-p-n

Асимметричность обеспечивает быстрейшее протекание


переходных процессов при переключениях.
Рабочей областью обоих ЭДП является та, что расположена
под донной частью ЭЭДП.
Взаимодействие ЭЭДП и КЭДП возможно из-за малой
ширины базы w (1…3 мкм).
В однородной базе носители двигаются за счет диффузии.
Если база неоднородна, то образуется встречное электрическое поле,
поэтому на движение носителей влияет ещё и дрейф. В силу этого
различают бездрейфовые и дрейфовые биполярные транзисторы.
Дрейфовые применяются в интегральных микросхемах.
На рис.56 приведены три схемы включения биполярного
транзистора. Из рис.56 видно, что в любой схеме включения один из
электродов должен быть общим как для входной, так и для
68
выходной цепей; этот электрод обычно заземляют. При этом цепи
рассматривают только относительно переменного тока.
Входными величинами являются U1 и I1, а выходными – U2 и
I2. Эти величины связаны уравнениями:
U1  F1  I1 ; U 2  

I 2  F2  I1 ; U 2  
Зависимости U1 = F(I1) при различных значениях U2=const
называются семейством входных статических ВАХ. Зависимости
I 2  F2 (U 2 ) при различных значениях I1=const называются
семейством выходных статических ВАХ.
I1 I2 I1 I2

U 1 U 2 U 1 U 2

О Б О Э

I1 I2

U 1 U 2

О К
Рис.56. Схемы включения биполярного транзистора: ОБ – с общей базой; ОЭ – с
общим эмиттером; ОК – с общим коллектором. Полярности напряжений указаны
для активного режима

Принцип действия биполярного транзистора любой


структуры основан на создании транзисторного (проходящего)

69
потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и
управления этим потоком посредством тока базы.
Если транзистор не подключён к внешним источникам
электроэнергии, то в его электронно-дырочных переходах (ЭДП)
возникают потенциальные барьеры высотой UЭДП. Через них
протекают два небольших тока: ток, обусловленный диффузией
через ЭДП основных носителей (электронов из области n и дырок из
области p), и встречный дрейфовый ток, создаваемый неосновными
носителями заряда. Токи эти равны, поэтому суммарный ток через
ЭДП равен нулю.
Входная ВАХ аналогична характеристике диода при прямом
токе, а выходная - ВАХ при обратном токе.
На рис. 57,а приведены входные статические характеристики
ВАХ для кремниевого биполярного транзистора n-p-n структуры,
они сняты при двух значениях коллекторного напряжения: UКЭ=0 и
UКЭ = 3 В.
Увеличение напряжения на коллекторе сверх некоторого
предела UКП приводит к очень незначительным смещениям входной
ВАХ вправо, с ними можно не считаться. На практике для всех
напряжений на коллекторе, бóльших значения UКП, пользуются
одной характеристикой, снятой при UКЭ = 0.
Семейства выходных ВАХ, снятых при различных значениях
входного тока (IБ=const) показаны на рис.57,б. Переходная
характеристика приведена на рис.58.

70
а)
Iб, м к А

U кэ= 0 U кэ= 3 В

вхо д н о е со пр о ти влен ие
I б U бэ
R вх 
I б

U бэ

0 U бэ, м В
б)
Iк, м к А
Iб4

Iк3 Iб3

IкА IбА I к3  I к2
  h 21э 
I б3  I б2
Iк2 Iб2

Iб1

Iб= 0
0 U кэ, м В
U кА

Рис.57. ВАХ биполярного транзистора: а) входные; б) выходные

Iк, м А

Iб, м А
0
Рис.58. Переходная характеристика

Порядок выполнения работы


1. Собрать схему согласно рис.59.

71
Рис.59. Схема включения транзистора

В качестве микроамперметра А0 использовать мультиметр


MY60, минусовой провод подключить к клемме «com», а плюсовой
– к «А», предел измерений установить «200 А». В качестве
источника U1 использовать нерегулируемый, а в качестве U3 –
регулируемый источники напряжения, соответственно. После
проверки схемы преподавателем, включить источники питания U1 и
U3.
2. Снять семейство входных (см. рис.57,а) и выходных
(рис.57,б) характеристик транзистора. При уровнях напряжения Uкэ
(вольтметр V0) сначала 0, затем 3В и 6 В с помощью ручки
переменного резистора R1 устанавливать ток базы транзистора Iб
(мультиметр), согласно таблицы 20. Соответствующие значения
напряжения Uбэ (вольтметр V1) и тока Iк (амперметр A1) записать в
табл.20.

Таблица 20
Iб, Uкэ = 0 В Uкэ = 3 В Uкэ = 6 В
мкА Uбэ, мВ Iк, мА Uбэ, мВ Iк, мА Uбэ, мВ Iк, мА
0
20
40
60
80

72
100
120
3. По данным табл.20 построить графики семейства входных
Iб(Uбэ) и выходных Iк (Iб) характеристик транзистора,
соответствующих каждому из значений Uкэ. Для каждой их входных
характеристик определить входное статическое и динамическое
сопротивления транзистора. Для каждой из проходных
характеристик определить коэффициент усиления по току.
4. Снять семейство выходных (см. рис.57,б) характеристик
транзистора. Для этого установить, и поддерживая с помощью
регулятора переменного резистора R1 ток базы транзистора Iб
(мультиметр) неизменным и равным сначала 0, затем 20, 40 и 60
мкА. При каждом значении тока базы Iб, задавать с помощью
регулятора напряжения источника U3 напряжение Uкэ транзистора
(вольтметрV0) и фиксировать соответствующие значения тока
коллектора Iк (амперметр A1). Результаты занести в табл.21.
5. По данным табл.21 построить графики семейства
выходных Iк (Uкэ) характеристик транзистора при различных токах
базы. По каждой из характеристик определить статическое и
динамическое сопротивление транзистора.
Таблица 21
Iк, мА
Uкэ, В
при Iб = 0 мкА при Iб = 40 мкА при Iб = 80 мкА при Iб = 120 мкА
0
0,1
0,2
0,5
0,7
1
2
4
6

Контрольные вопросы
1. В каком направлении (прямом или обратном)
включаются КЭДП и ЭЭДП биполярного транзистора?
2. Какая из схем включения (с ОЭ, ОК или ОБ)
обладает наибольшим входным сопротивлением?

73
3. Какая из схем включения биполярного транзистора
усиливает и ток, и напряжение и мощность?
4. Дать определение коэффициента усиления
биполярного транзистора.
5. Как определить статическое и динамическое
сопротивление биполярного транзистора по его входным и
выходным характеристикам?

Работа № 11. Исследование полевых транзисторов

Цель работы - изучение полевых транзисторов (ПТ),


включённых по схеме с общим истоком; определение влияния
управляющего напряжения на выходной ток.

Программа работы
1. Снятие статических характеристик ПТ.
2. Снятие семейства выходных характеристик ПТ с затвором
в виде р-n перехода.
3. Снятие проходной характеристики ПТ, включённого по
схеме с общим истоком.
Общие положения
Полевым называют транзистор, управляемый электрическим
полем, или транзистор с управляемым каналом для тока.
Ток в полевом транзисторе создаётся носителями заряда
только одного знака (электронами или дырками), вследствие чего
эти транзисторы часто называют униполярными.
Носители заряда в полевом транзисторе являются
основными для активной области, его параметры не зависят от
времени жизни неосновных носителей (как у биполярных
транзисторов), что определяет их высокие частотные свойства и
меньшую зависимость от температуры.
Каналом считают центральную область транзистора.
Электрод, из которого в канал поступают основные носители заряда,
называют истоком И, а электрод, через который основные носители
уходят из канала, – стоком С. Электрод, служащий для
регулирования поперечного сечения канала, называют затвором З.

74
Изготавливают полевые транзисторы из кремния. В
зависимости от электропроводности исходного материала,
различают транзисторы с p- и с n- каналом.
В отличие от биполярных, полевые транзисторы имеют
высокое входное сопротивление и поэтому требуют очень малых
мощностей для управления. Полевые транзисторы подразделяются
на два основных типа: с затвором в виде p-n-перехода и с
изолированным затвором.
Полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода
представляет собой кремниевую пластину, например n-типа, на
верхней и нижней гранях которой созданы области с проводимостью
противоположного типа, например p-типа (рис.60,а). Эти области
электрически связаны, образуя единый электрод-затвор. Область с
n-проводимостью, расположенная между p-областями; образует
токовый канал. На торцевые поверхности пластины наносят
контакты, образующие два других электрода И и С, к которым
подключается источник питания Uс и, при необходимости,
сопротивление нагрузки. Между каналом и затвором возникают два
p-n-перехода. Ток протекает от истока к стоку по каналу, сечение
которого зависит от затвора.
a)
- И С +

p
З
n
p -

в) " n " -к а н а л
б)
с
с з
з
и и
U си
U з с
з
и
" p " -к а н а л

75
Рис.60. Полевой транзистор: а) структура; б) схема включения с затвором
в виде р-n перехода; в) обозначения ПТ с затвором в виде р-n перехода
При увеличении отрицательного потенциала на затворе, p-n-
переходы запираются и расширяются практически за счет канала;
сечение канала, и, следовательно, его проводимость, уменьшаются,
ток через канал падает. При некотором Uз = Uзо, называемом
напряжением отсечки, области p-n-переходов смыкаются по всей
длине канала, сток и исток оказываются изолированными друг от
друга, ток Iс равен нулю.
Если при неизменном Uз увеличивать Uс, то ток через канал
(Iс) возрастёт. При этом увеличивается падение напряжения на
канале, которое способствует увеличению обратного напряжения на
p-n-переходах, вызывая тем самым сужение канала. При некотором
Uс = Uнас, называемом напряжением насыщения, канал настолько
сужается, что дальнейшее увеличение Uс не увеличивает Iс.
Полевые транзисторы с изолированным затвором или
МДП-транзисторы находят более широкое применение, так как
имеют более простую конструкцию и обладают лучшими
электрическими свойствами.
У МДП-транзисторов (металл – диэлектрик –
полупроводник) между полупроводниковым каналом и
металлическим затвором расположен изолирующий слой
диэлектрика.
Принцип работы МДП-транзисторов основан на эффекте
изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника
под воздействием поперечного электрического поля. МДП-
транзисторы управляются напряжением и имеют чрезвычайно
большое входное сопротивление, и в отличие от полевых
транзисторов с затвором в виде p-n-перехода сохраняют его
большим независимо от величины и полярности входного
напряжения. Применяются две конструкции МДП-транзисторов:
МДП-транзиторы со встроенным каналом и МДП-транзисторы с
индуцированным каналом.
У МДП-транзисторов со встроенным каналом (рис.61) в
полупроводниковой пластине (подложке), например n-типа, в
процессе изготовления в приповерхностном слое создают области,
например, p-типа, образующие электроды стока и истока.
76
Перемычка между С и И с проводимостью p-типа является каналом
для протекания тока стока Iс даже при отсутствии управляющего
напряжения Uз = 0 на затворе.

Рис.61. МДП-транзистор со встроенным каналом: а) изображение структуры;


б) характеристика; в) схемы обозначения

При подаче положительного напряжения на затвор,


электрическое поле выталкивает основные носители (дырки) из
канала, его сопротивление растёт, а Iс падает.
Такой режим носит название «режим обеднения». При
отрицательном напряжении на затворе электрическое поле
притягивает дырки из подложки, они скапливаются в области
канала, сопротивление канала уменьшается, Iс растёт («режим
обогащения»).
У МДП-транзисторов с индуцированным каналом (рис.62)
последний заранее не создаётся, и в транзисторах, использующих
пластину с проводимостью, например, n-типа, при Uз > 0 и Uз = 0 ток
Iс = 0. Образование канала в таких приборах происходит при подаче
на затвор только отрицательного напряжения (Uз < 0). Тогда в
результате вытеснения из поверхностного слоя электронов и

77
подтягивания дырок из n-пластины происходит образование между
стоком и истоком инверсного слоя полупроводника с
проводимостью, аналогичной проводимости С и И, в данном случае
p-типа, и, чем более отрицательным будет напряжение на затворе,
тем больший Iс будет в канале.
a) б) Iс, м А
И З С

p p
n

-U з, В
0
в) " n " -к а н а л " n " -к а н а л
с с
з з
и
и

Рис.62. МДП-транзистора с индуцированным каналом:


а) изображение структуры; б) характеристика; в) схемы обозначения

Основные характеристики полевых транзисторов:


крутизна характеристики передачи
S = dIс / dUз при Uс = const;

дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке


насыщения
Rвых = dUс / dIс при Uз = const.

Порядок выполнения работы

1. Собрать схему для исследования полевого транзистора (ПТ) с


затвором в виде p-n-перехода с каналом «n»-типа (транзистор

78
КП303Е), представленную на рис. 63.
Для амперметра A1 установить предел 20мА, для вольтметров
V0, V1 – 20 В. После проверки схемы преподавателем, перевести
ручки регулятора напряжения источника U3 и переменного
резистора R1 в крайнее левое положение, включить источники.

Рис. 63. Схема включения ПТ с затвором в виде p-n-перехода и каналом «n»-типа


по схеме с общим истоком

2. Снять проходные характеристики транзистора при Uси = const при


четырех значениях Uзи = 0, 2, 4 и 6 В, соответственно.
Для этого установить и поддерживать в течение опыта
неизменным значение напряжения между стоком и истоком Uси с
помощью регулятора напряжения источника U3. Далее, изменяя
напряжение между затвором и истоком Uзи с помощью регулятора
напряжения источника E1, записать соответствующие значения тока
стока Ic. Результаты свести в табл. 22.
Таблица 22
Ic, мА
Uзи, В
Uси = 0 В Uси = 2 В Uси = 4 В Uси = 6 В
0
0,5
0,75
1
1,5
2,0
2,5

79
3
3. По графику каждой из проходных характеристик определить
крутизну S, максимальный ток стока Iс и напряжение отсечки Uзи.
4. Снять семейство выходных (стоковых) вольтамперных
характеристик Ic = f(Uси) при Uзи = const для пяти значений Uзи = 0, 1,
2, 3, 4 В. Результаты свести в табл. 23.
Для этого установить и поддерживать в течение опыта
неизменным значение напряжения между затвором и истоком Uзи с
помощью регулятора - переменного резистора R1. Далее, изменяя
напряжение между стоком и истоком Uси с помощью регулятора
напряжения источника U3, записать соответствующие значения тока
стока Ic. Результаты свести в табл. 23.
Таблица 23
Ic, мА
Uси, В
Uзи = 0 В Uзи = 1 В Uзи = 2 В Uзи = 3 В Uзи = 4 В
0
0,1
0,2
0,5
1
2
4
6

5. По графикам выходных характеристик определить статические и


динамические выходные сопротивления.
6. По заданной преподавателем выходной ВАХ Iс = f1 (Uс) при Uзи =
сonst определить выходное сопротивление транзистора Rвых и
напряжение насыщения Uнас. Δ Iс
7. По заданной преподавателем передаточной ВАХ Ic = f2 (Uзи)
приUзи = сonst определить крутизну S и напряжение отсечки Uзи отс.

Контрольные вопросы
1. Что определяет крутизна вольтамперной
характеристики полевого транзистора и почему для него не
пользуются коэффициентом усиления по току?
2. Объяснить устройство полевого транзистора.

80
3. Как расшифровывается аббревиатура МДП и на
какие типы они подразделяются?
4. С чем связано уменьшение тока стока
транзистора?
Рекомендуемый библиографический список

ОСНОВНАЯ
1. Глазенко Г.А., Прянишников В.А. Электротехника и основы электроники.
- М.: Высшая школа, 1994.
2. Нефедова Н.В., Каменев П.А., Большунова О.М. Карманный справочник
по электротехнике и электронике. - Ростов н/Д.: Феникс, 2007.
3. ЛачинВ.И., Савельев Н.Р. Электроника. - Ростов н/Д.: Феникс, 2001.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ
4. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника. - М.: 2000 г.
5. Нефедова Н.В., Каменев П.А., Большунова О.М. Электротехника и
электроника. Учебное пособие. – СПб.: СПГГИ, 2002 г.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение ………………………………………………………………..3
1. Электроизмерительные приборы и измерение основных
электрических величин…………………..
……………………………………..4
2. Последовательное, параллельное и смешанное соединения
элементов на постоянном токе …..
……………………………………… 8
3. Частотные характеристики пассивных элементов …..……..……14
4. Резонанс напряжений……………………………………………….21
5. Резонанс токов…..…………………………………………………..25
6. Трехфазные цепи при соединении звездой..…….…….…………..30
7. Переходные процессы в цепи постоянного тока .….…………….35
8. Исследование схем выпрямления……..……………………...……42
9. Исследование полупроводниковых диодов…..………...…………49
10. Исследование биполярного транзистора……………...…………61

81
11. Исследование полевых транзисторов…………………..………..68

82

Оценить