Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
3
Включение электрической схемы под напряжение без
разрешения преподавателя не допускается!
После включения цепь необходимо опробовать, т.е.
проверить все намеченные планом работы режимы (без записи
показаний приборов), затем вторично получить все исследуемые
режимы работы цепи, произвести измерения и записать показания
приборов в таблицы.
Графики и кривые строятся по точкам, полученным
расчетным или экспериментальным путем с помощью
вычислительной среды Mathcad или Excel. Изображения процессов,
полученные с помощью осциллографа, переносятся в отчет (кнопка
Print Screen, далее вставить в Paint, вырезать нужную часть экрана,
копировать и вставить в отчет)
Не разбирая электрическую цепь, бригады студентов
предъявляют свои протоколы преподавателю.
Программа работы
1. Определение типа, пределов измерения, цены деления, класса
точности аналоговых измерительных приборов.
2. Измерение напряжений, токов и мощностей в цепях постоянного
тока.
3. Определение сопротивлений по законам Ома и Джоуля-Ленца с
помощью приборов.
Общие положения
Измерением называется процесс нахождения опытным
путем значения физической величины с помощью специальных
4
технических средств. Электроизмерительные приборы широко
используются при наблюдении за работой электроустановок, при
контроле за их состоянием и режимами работы, при учете расхода и
качества электрической энергии, а также при ремонте и наладке
электротехнического оборудования.
Наибольшее распространение получили аналоговые приборы
непосредственной оценки, которые классифицируют по следующим
признакам: род тока (постоянный или переменный), род измеряемой
величины (ток, напряжение, мощность, сдвиг фаз), принцип
действия (магнитоэлектрические, электромагнитные и
ферродинамические), класс точности и условия эксплуатации.
Для расширения пределов измерения электрических
приборов на постоянном токе используют шунты (для тока) и
добавочные сопротивления (для напряжения). На переменном токе
используют трансформаторы тока и напряжения.
Измерение напряжения выполняют вольтметром,
подключаемым непосредственно на зажимы исследуемого участка
электрической цепи.
Измерение тока осуществляют амперметром, включая его
последовательно с элементами исследуемой цепи.
Измерение мощности и сдвига фаз в цепях переменного
тока производят с помощью ваттметра и фазометра. Эти приборы
имеют две обмотки: неподвижную токовую, которую включают
последовательно, и подвижную обмотку напряжения, включаемую
параллельно.
На лабораторных стендах напряжение, сопротивление и ток
можно измерить либо мультиметром, либо с помощью
преобразователя и компьютера. Мощность, сдвиг фаз,
сопротивление участка электрической цепи вычисляют на
компьютере по показаниям двух приборов - амперметра и
вольтметра, подключенных к соответствующему участку цепи.
Цена деления прибора представляет собой значение
измеряемой величины, вызывающей отклонение стрелки прибора на
одно деление, и определяется зависимостями:
Uí B I U í * I í Bò
Cv ; ; ÑÀ í ; A ; ÑW ; .
N äåë N äåë N äåë
5
Электрической цепью называется совокупность устройств,
(источник, приемник и промежуточные звенья - провода и
аппараты), предназначенных для прохождения электрического тока.
Графическое изображение цепи представляет собой
электрическую схему.
Источниками электрической энергии являются устройства, в
которых происходит процесс преобразования в электрическую
энергию других видов энергии (химической, тепловой,
механической). Мгновенные значения напряжения и тока
u(t), i(t) характеризуют режим работы устройства и называются
параметрами режима или характеристиками режима.
Сопротивление R (Ом), индуктивность L (Гн), ёмкость C (Ф)
составляют группу пассивных элементов и являются основой всех
электротехнических устройств.
Сопротивлением называется элемент электрической цепи, в
котором происходит необратимый процесс преобразования
электрической энергии в тепловую. Для практических расчетов в
линейных электрических цепях величину R принимают постоянной,
а зависимость напряжения от силы тока на сопротивлении (вольт-
амперная характеристика) - линейной.
U U
Закон Ома: I , U IR , R .
R I
6
прибора система (макс, мин.) деления точности
1 Амперметр
2 Вольтметр
3 Ваттметр R
2. Собрать + цепь с активным
A1
15 В сопротивлением
V1
(рис.1) и подключить ее к
источнику - нерегулируемого
постоянного
Рис. 1. Схема цепи для измерения тока,
напряжения.
напряжения, мощности и сопротивления
7
Вычислить ток и мощность в цепи по номинальным
значениям напряжения источника и сопротивления. Определить
P
величину сопротивления по выражению R 2 и сравнить с
I
измеренным по табл.2.
4. Произвести расчет сопротивления по закону Ома и Джоуля-
Ленца. Сравнить показания.
Таблица 3
U, I, P, R,
R = U/ I R = P/ I2
B мA мВт Ом
Контрольные вопросы
1. К какой системе относятся приборы для измерения только на
постоянном токе?
2. Какая из обмоток ваттметра включается в электрическую цепь
последовательно, а какая параллельно?
3. Что обозначает класс точности прибора?
4. Какие приборы используются для расширения пределов
измерения напряжения и тока?
5. Какими приборами измеряются: ток, напряжение и мощность?
Как они включаются в цепь?
6. Зависит ли исследуемое сопротивление R от величины тока?
Программа работы
1. Последовательное соединение элементов. 2-ой закон Кирхгофа.
2. Параллельное соединение элементов. 1-ый закон Кирхгофа.
Общие положения
В электрической схеме соединения элементов образуют
ветви, узлы, контуры.
Ветвь образуется одним или несколькими последовательно
соединенными элементами, по которым протекает один и тот же
ток.
Узел - место соединения 3-х или большего числа ветвей.
Контур - любой замкнутый путь, проходящий по нескольким
ветвям в электрической схеме.
Ветви, присоединенные к одной паре узлов, называются
параллельными.
9
Режим постоянного тока
При постоянном токе в электрической цепи отсутствует
явление самоиндукции, и напряжение на катушке индуктивности
определяется только величиной падения напряжения на активном
сопротивлении.
Если рассматривать конденсатор как идеальную емкость, то
в цепи постоянного тока эта ветвь равносильна разомкнутой.
Постоянный ток через ёмкость не проходит.
Таким образом, в цепи постоянного тока остаются только
источники ЭДС или тока - активные элементы и приёмники,
резисторы - пассивные элементы.
Простыми цепями постоянного тока называются цепи с
одним источником при последовательном, параллельном и
смешанном соединениях приемников.
I I1 I2 In
E R1 R2 Rn
10
При параллельном соединении приемников напряжение на
всех приемниках одинаково (рис.3).
По закону Ома, токи в каждой ветви
E E E
I1 , I2 , ... , In .
R1 R2 Rn
По первому закону Кирхгофа, общий ток
1 1 1
I I1 I 2 I n E( ) E(g1 g 2 g n ) Eg ÝÊÂ
R1 R 2 Rn
1
g ÝÊÂ g1 g 2 g n RÝ
gÝ
При параллельном соединении суммируются проводимости.
Смешанное соединение - комбинация последовательного и
параллельного (рис.4).
U R1 R2 R3 U R1 RЭ1 U RЭ2
R 2R 3
R Ý1 ; R Ý2 R 1 R Ý1 .
R2 R3
11
Расчет
Эксперимент
Абсолютная
погрешность
Относительная
погрешность
Расчётные формулы: U 1 IR 1 ; U 2 IR 2 ; E U1 U 2 ;
E
I ; P1 I 2 R 1 ; P2 I 2 R 2 ; P P1 P2 .
R1 R 2
2. Собрать схему с последовательно соединёнными
активными сопротивлениями (рис.5). Измерить ток, напряжения и
мощности на отдельных элементах, напряжение источника питания.
Результаты измерений занести в табл. 4.
3. Сравнить результаты расчётов и показаний приборов.
Определить погрешности измерений.
Абсолютная погрешность: Прасч - Пизмер (П - параметр).
Относительная погрешность: (Прасч - Пизмер)*100 / Прасч.
4. Рассчитать токи, напряжения и мощности на отдельных
элементах в цепи (рис.6). Результаты расчётов занести в табл. 5.
+ А1
А4 А3
Е=15 В
V0
R2 R3
-
Рис. 6. Параллельное соединение приёмников
E E
I2 ; I3 ; I I 2 I 3 ; P2 I 22 R 2 ; P3 I 32 R 2 .
R2 R3
5. Собрать схему с параллельно соединенными активными
сопротивлениями (рис.6), измерить ток, напряжения и мощности на
отдельных элементах, напряжение источника питания. Результаты
измерений занести в табл. 5.
Таблица 5
I I2 I3 Uо Р2 Р3 Робщ
мA мA мA B мBт мBт мBт
12
Расчет
Эксперимент
Абсолютная
погрешность
Относительная
погрешность
6. Сравнить результаты расчетов и показаний приборов.
Вычислить погрешности.
7. Рассчитать токи, напряжения, мощности и сопротивления
R23, Rобщ в схеме со смешанным соединением элементов (рис.7).
6. 8. Собрать схему со смешанным соединением элементов (рис.7),
измерить токи, напряжения, мощности и сопротивления с
помощью компьютера. Результаты расчётов и измерений внести
в табл. 6. Определить погрешности.
V1
+ А1
R1
А4 А3
Е=15
R2 R3 V0
R 2R 3 E
Расчётные формулы: R 23 ; R общ R 1 R 23 ; I1 ;
R2 R3 R общ
U U
U 1 I1 R 1 ; U 2 I1 R 23 ; U3 U2 ; I2 2 ; I3 3 ;
R2 R3
P1 I12 R 1 ; P2 I 22 R 2 ; P3 I 32 R 3 .
Таблица 6
Е, U1 , U2 , I1 , I2 , I3 , P1 , P2 , P3 , R23 , Rобщ ,
В B B мА мA мA мВт мВт мВт Ом Ом
Расчет
Эксперимент
13
Абсолютная
погрешность
Относительная
погрешность
Программа работы
1. Исследование основных элементов электрических цепей:
резистора, катушки индуктивности и конденсатора.
2. Определение параметров основных элементов цепи по
показаниям электроизмерительных приборов и выявление
характера зависимости этих показаний от частоты.
3. Определение сдвига фаз напряжения и тока в различных
элементах электрических цепей.
Общие положения
14
Резистором (сопротивлением) называется идеализированный
элемент электрической цепи, в котором происходит необратимый
процесс преобразования электрической энергии в тепловую.
Магнитные и электрические поля вокруг резистора отсутствуют.
В цепи переменного тока:
u Um
i sin(t u ) I m sin(t i ) , = 2f
R R
Im
где Im - амплитуда тока; I - действующее значение
2
тока;
i - начальная фаза тока; u - начальная фаза напряжения.
Ток в сопротивлении совпадает по фазе с напряжением
u i ; u i 0 ,
где - угол сдвига фаз между напряжением и током.
Временная и векторная диаграммы напряжения и тока в
резисторе представлены на рис.8.
U(t Um
) Im
i(t) U
t
2 I
P = U I cos = U I
( = 0, cos = 1 )
Q = U I sin = 0 ( = 0, sin = 0 )
U P U2
S = U I = P; P = U I = I 2 R = U2 g ; R= 2 .
I I P
Идеальное активное сопротивление от частоты не зависит (рис.9).
R = const
15
R
U
U(t) Im
m
Рис.11. Диаграммы напряжения и тока в идеальной индуктивности
i(t) t
2
I U
Активная,
реактивная и полная мощности идеальной
катушки индуктивности P = U I cos = 0, (так как = 90°).
Q = U I sin = U I = I2 XL = U2 bL,
i S = U I = Q.
RK В реальных катушках индуктивности часть
электрической энергии преобразуется в
u
тепловую энергию, т.е. катушка обладает не
L только индуктивностью L, но и активным
сопротивлением Rk.
Эквивалентная схема замещения
Рис.12. Схема замещения реальной катушки индуктивности
реальной катушки представлена на рис.12.
индуктивности
17
i I m sin(t ) , u U m sin(t k )
XL
Um = Im Zk; Zk = R 2k X 2L ; XL= L; = 2f; k arctg .
Rk
В реальной индуктивности к < 90°.
Ёмкость С - элемент электрической цепи (конденсатор), в
котором накапливается энергия электрического поля.
q
Количественно ёмкость определяется выражением C .
Uc
dq dU c
i , q C Uc , iC .
dt dt
Если при возрастании напряжения ток i > 0, то ток и
напряжение совпадают по направлению, энергия электрического
поля в конденсаторе возрастает. При убывании напряжения ток
также уменьшается, энергия возвращается обратно к источнику.
Если напряжение на ёмкости меняется по закону синуса
u U m sin(t u ) , то
dU c
iC CU m cos(t u ) I m sin(t u ) ,
dt 2
1 XС
где Xc - модуль
C
ёмкостного сопротивления.
Ёмкостное сопротивление
зависит от частоты по
Рис.13. Зависимость модуля
гиперболическому закону ёмкостного сопротивления
(рис.13). конденсатора от частоты
В идеальной ёмкости ток
опережает напряжение на 90°.
Временная и векторная диаграммы напряжения и тока в
ёмкости представлены на рис.14.
U(t Im Um
)
I U
i(t) t
2
18
Рис.14. Кривые напряжения и тока ёмкостного сопротивления
Активная, реактивная и полная мощности идеального
конденсатора составляют соответственно P = U·I cos = 0;
Q = U I sin = U I = I2 XС = U2 bС; S = U I = Q.
i Реальные конденсаторы
RС характеризуются не только ёмкостью С,
С но и активным сопротивлением RС или
u проводимостью gC, учитывающими
потери энергии в диэлектрике.
Эквивалентная схема замещения
реального конденсатора представлена на
Рис.15. Схема замещения рис.15.
реального конденсатора u U m sin(t ) ;
i I m sin(t ) ;
1 1
Im = Um YC YC = 2
2 ;
R C XC
1 RC
XC = ; arctg .
C XC
3.
A1
L C
U f = var R
V1
Расчётные формулы:
I U2 1 P 1
Yc ; Rc ; gc 2 ; Xc ;
U P Rc U Yc2 g c2
10 6 gc Xc
C мкФ; cos ; arctg .
2fX c Yc gc
20
Таблица 9
f, U, I, P, Yc, gc, RС , XС , C, ,
№ cos
Гц B мA мВт 1/Ом 1/Ом Ом Ом мкФ град.
1
2
3
4
5
Контрольные вопросы
1. Чему равен угол = u - i для активного сопротивления?
2. Чему равен угол для идеального индуктивного
сопротивления?
3. Чему равен угол для идеального ёмкостного сопротивления?
4. Чему равен угол для реального индуктивного сопротивления?
5. Чему равен угол для реального ёмкостного сопротивления?
Программа работы
1. Экспериментальное исследование резонансных характеристик
последовательного контура.
2. Определение тока цепи и напряжений на отдельных элементах на
различных частотах.
21
3. Определение резонансного значения o, характеристического
сопротивления и добротности Q последовательного контура.
Общие положения
Резонанс напряжений в цепях переменного тока возникает
при последовательном соединении пассивных элементов (рис.17).
U R L С
22
1 1
UL UC , XL XC , o L , o
2
,
o C LC
1
o .
LC
На рис.18 приведены частотные характеристики исследуемой цепи.
Imax Z()
Zmin
R I()
o
-90°
()
L
X L X C o L Z B - волновое сопротивление контура.
C
Отношение напряжения на индуктивности или ёмкости к
напряжению на входе в режиме резонанса называется
добротностью контура Q:
UL U X I X
Q Ñ L L .
U ÂÕ U ÂÕ RI R
Добротность контура в катушках индуктивности может
достигать сотен единиц.
U X
U L ðåç I ðåç X L X L U L .
R R
При X L R напряжение на индуктивности (или ёмкости)
может быть гораздо больше напряжения на входе, что широко
используется в радиотехнике.
23
Напряжения на индуктивности и ёмкости при резонансе
равны по величине, противоположны по фазе и в Q раз больше
входного напряжения.
A V
Rk Lk
С
U f = var
24
Рассчитать
f, Гц
XL, Ом
L, Гн
XС, Ом
С, мкФ
Расчётные формулы:
XL UC 10 6
X L Z 2k R 2k ; L ; XC ; C , мкФ;
2f I X C 2f
1 L
o ; X L X C o L ZB ;
LC C
UL U X I X
Q Ñ L L .
U ÂÕ U ÂÕ RI R
Контрольные вопросы
1. Дайте определение понятия «резонанс напряжений».
2. Чему равен угол при резонансе напряжений?
3. Как изменяется полное сопротивление последовательно
соединенных элементов R, L, C при изменении частоты?
4. Как определить резонансную частоту через параметры контура?
5. Что определяет волновое сопротивление?
6. Поясните физическую сущность добротности контура.
7. Как меняется угол при изменении частоты?
8. Как меняется ток при изменении частоты?
25
Работа № 5. Резонанс токов.
Повышение коэффициента мощности
Общие положения
Резонанс токов может возникнуть при параллельном
соединении реактивных элементов в цепях переменного тока.
Сопротивление ветви с
I конденсатором:
RС RL
U 1
ZC R Ñ j
IC L C
Сопротивление ветви с
С катушкой индуктивности:
IL
Z L R L j L .
Рис. 20. Параллельное соединение L, C. Проводимость ветви с
Резонанс токов конденсатором YC g C jb C
1
1 1 RC C
Yc j
ZC 1 1 2 1 2 ;
RC j 2
RC ( ) 2
RC ( )
C C C
26
1
RC
gC C
1 2; bC ; b C C .
R C2 ( ) 1 2
C R ( ) 2
C
C
Аналогичные преобразования проделаем для ветви с
индуктивностью и получим:
R L
gL 2 L 2 ; bL 2 ; YL g L jb L .
R L ( L) R L ( L) 2
Проводимости ветвей с индуктивностью и ёмкостью зависят
от частоты, причем реактивные составляющие имеют разные знаки.
При определенной частоте, называемой резонансной, реактивные
составляющие проводимости могут сравняться по модулю, и
суммарная проводимость станет минимальной. Общее
сопротивление при этом становится максимальным, общий ток -
минимальным, вектор тока совпадёт с вектором напряжения, токи в
ветвях с индуктивностью и ёмкостью могут быть во много раз
больше общего тока. Такое явление называется резонансом токов.
I I L I C U YL U YC U(g L jb L g C jb C ) U g j(b C b L )
C
где b L b C - волновая проводимость.
L
При отсутствии активных сопротивлений в ветвях с L, C
1
резонансную частоту определяют выражением: o ,=0и
LC
cos = 1.
При наличии активных сопротивлений резонансная частота
R 2L 1
определяется выражением: o 1 .
LC L/C
При g bL ток в ветви с индуктивностью гораздо больше
общего тока. Такое явление называется резонансом токов.
Характер изменения общего тока и угла при изменении
частоты представлен на рис.21.
27
I()
90°
R Imin
o
-90°
()
Рис. 21. Частотные характеристики при параллельном
соединении L и С
28
Важным показателем работы силовой электроустановки
является коэффициент мощности cos . Одну и ту же мощность при
одном и том же напряжении линии электропередач (ЛЭП) можно
передавать различными токами, зависящими от величины cos :
P
P = U I cos ; I= .
U cos
Чем больше cos (в пределе cos = 1), тем меньше ток I, и
тем меньше потери мощности в линии электропередач, так как они
определяются зависимостью P I 2 R ЛЭП .
Для уменьшения тока и потерь мощности в ЛЭП
параллельно нагрузке, имеющей активно-индуктивный характер,
подключают ветвь с конденсатором. При правильно подобранной
мощности конденсатора реактивные составляющие проводимости
ветвей с конденсатором и с индуктивностью взаимно компенсируют
друг друга, суммарная проводимость уменьшается, общее
сопротивление увеличивается, уменьшается общий ток и потери
мощности. Явление резонанса токов широко используется в силовых
сетях промышленных предприятий для компенсации передаваемой
по ЛЭП реактивной мощности, что способствует снижению потерь
активной мощности.
C L
29
измерение параметров, указанных в табл. 11 и записать показания в
5-ый столбец.
Таблица 11
№ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
f , кГц 5
Измерить
U, B 3
I1, мA 0
I3, м A
I4, мA
P, мВт
, градус 0
Рассчитать
cos
Iа, мA
IP, мA
Q, вар
3. Произвести необходимые вычисления и записать в табл. 11.
4. Построить в Excel графики зависимостей Z = f(), I = f(), =
f(), cos = f(), IA = f(), IP = f(). Показать преподавателю.
5. Отключить конденсатор, наблюдая увеличение общего тока.
Определить резонансную частоту f0.
Расчётные формулы:
I A I cos ; I P I sin ; Q U I P .
U PL XL U
ZL ; RL ; X L Z 2L R 2L ; L ; XC ;
IL I 2L 2f IC
10 6 1 0
C (мкФ); o ; f0= .
X C 2f LC 2
30
Контрольные вопросы
Программа работы
1. Исследование трёхфазного приемника, соединенного «звездой»,
при симметричной нагрузке без нулевого провода.
2. То же, при несимметричной нагрузке без нулевого провода.
3. То же, при симметричной и несимметричной нагрузке с нулевым
проводом.
Общие положения
31
e A E msint , E A Ee j0 ,
2
e B E m sin(t
) , E B Ee j120 ,
3
2
e C E msin(t ) , E C Ee j120 .
3
Нагрузка фаз трёхфазной системы может быть
симметричной, если ZA = ZB = ZC, т.е. модули сопротивлений фаз
А, В, С и углы между векторами напряжений и токов этих фаз
одинаковы. На рис.24 приведено соединение фаз «звезда» при
симметричной нагрузке.
IфА
IA UфA
EA ZA
IфC EB UCA UAB ZB
EC ZC
IфB
UA 32
-UB
UC
UB
I A I B I C 0 ; U AB U BC U CA 0 .
Из векторной диаграммы (рис.25) при симметричной
нагрузке следует:
UË
U ô cos30o ; UË 3U ô ; U AB U A 3e j30
o
.
2
Осветительные приборы UA
будут работать одни - с
недокалом, другие с перекалом, UСA
UAB
33 0
01 UB
UC
UBС
Рис.27. Векторная диаграмма при
несимметричной нагрузке
т.е. будут быстро выходить из строя. Схема «звезда» не
обеспечивает независимой работы отдельных приемников и
применяется только при равномерной нагрузке.
Для обеспечения симметричной системы напряжений во
всех фазах и независимой работы отдельных приемников
используется схема «звезда с нулевым проводом», т.е.
четырёхпроводная система, рис.28.
EA ZA
0 EB ZB 01
EC ZC
Нулевой провод
A А1
RA
B А2 O1 V0
RB
34 0
C А3
RC
N A4
Контрольные вопросы
35
Таблица 12
Без нулевого провода С нулевым проводом
Параметры
RB = RB = R RB = 1/2R RB = RB = R RB = 1/2R
Источник питания
UAB, В
UBС, В
UCA, В
UAN, В
UBN, В
UCN, В
UA01, В
UB01, В
UC01, В
U001, В
IA, мА
IB, мА
IC, мА
I0, мА
Вычислить
U AB
UA
U AB
U A1
U A1
U B1
Программа работы
1. Определение влияния элементов цепи на переходный процесс.
2. Расчёт тока и напряжения в цепи с индуктивность или ёмкостью
по заданию преподавателя.
36
3. Экспериментальное исследование переходных характеристик
тока и напряжения.
4. Определение времени процесса по опытным данным.
Общие положения
L i (02 ) L i (02 )
WМ(0 ) WМ( ) ;
2 2
С u (02 ) С u (02 )
WЭ(0 ) WЭ( ) .
2 2
Законы коммутации
37
Анализ переходных процессов в линейных цепях с
сосредоточенными параметрами сводится к решению линейных
неоднородных дифференциальных уравнений, составленных на
основе законов Кирхгофа для после коммутационного процесса.
При включении цепи R, L на постоянное напряжение (рис.30):
di
Ri L U0 .
dt
R L
Uо
i
38
di
Ri L U0 . Свободную составляющую определяем из
dt
di CB
уравнения Ri CB L 0 . Решение этого уравнения i ÑÂ Aekt ;
dt
k - корень характеристического уравнения R kL 0 ;
R
где k ;
L
А - постоянная интегрирования, определяемая из начальных
условий при t = 0 на основании Первого закона коммутации ,
U U
i L (0 ) i L (0 ) 0 i ïð (0) i ñâ (0) A 0 , отсюда A .
R R
Решение:
U U RL t U R
t
i e (1 e L )
R R R
R
Напряжение на R: U iR U(1 e L t ) .
R
R
di t
Напряжение на L: U L L Ue L .
dt
Кривые тока и напряжения на индуктивности при включении
R, L на U=const приведены на рис.31.
Uo
UL
t
39
При включении цепочки R, C на постоянное напряжение
(рис.32) уравнение переходного процесса примет вид:
dU C
iR U C U , где iC .
dt
R
U0 С
i
dU C
После подстановки получим выражение RC UC U .
dt
Решим уравнение относительно UC:
U C U ïð U ñâ ; U ïð U 0 ; U ñâ Aekt .
Uo
uс
40
i
t
2. A
Подключить R L
генератор U V
напряжения
специальной
формы, Рис.34. Включение R, L на постоянное напряжение
установив
переключатель «форма» в крайнее правое положение, а частоту
установить 0,4 кГц. Наблюдать кривые тока и напряжения на
индуктивности по экрану осциллографа при параметрах, заданных в
табл.13.
По графику определить время переходного процесса для
каждого случая. Показания приборов занести в табл. 13.
Таблица 13
L 100 мГн 40 мГн С 0,22 мкФ 0,47 мкФ
R, кОм 1 0,68 1 0,68 R, кОм 1 0,68 1 0,68
f, Гц f Гц
Хк Хс
R R
U, B U B
I, мA I мA
U k, B Uс B
t, мкс t мкс
, мс мс
42
1 L 1
4. Вычислить для цепочки R, L и RC для
k R k
цепочки R, C и записать в табл. 13.
A V
R L
U С
Контрольные вопросы
43
Работа № 8. Исследование схем выпрямления
Общие положения
Для преобразования переменного тока в постоянный служат
выпрямительные устройства. Основным элементом
преобразователей является диод. Различают четыре основных схемы
выпрямления: однополупериодная, мостовая двухполупериодная,
трёхфазная и трёхфазная мостовая.
Однополупериодный выпрямитель
U1 Uн Rн t
uн
iн u
н
iн
44
В течение первого полупериода напряжения U1, когда
положительный потенциал приложен к аноду вентиля, он открыт и
через нагрузочное сопротивление Rн пойдет ток iн = iв; при этом всё
напряжение окажется приложенным к Rн (uн = u2). Во второй
(отрицательный) полупериод синусоидального напряжения U1 диод
окажется включённым в обратном направлении, ток прекратится, и
всё напряжение U1 окажется приложенным к закрытому диоду.
Из временных диаграмм видно, что ток iн и напряжение uн
имеют пульсирующий характер и значительно отличаются от
постоянных. Для однополупериодного выпрямителя справедливы
следующие соотношения:
U U
U 0 0,45U1 ; I 0 0 0,45 1 .
R R
где I0 и U0 – средние значения (постоянные составляющие)
выпрямленного тока и напряжения.
Для характеристики степени пульсации выпрямленного
напряжения вводят коэффициент пульсации
U m ãàðì
Ê ïóëüñ ;
U0
где Um гарм – амплитуда наибольшей гармоники, для
однополупериодного выпрямителя эта гармоника имеет частоту,
равную частоте питающей сети переменного тока.
Для однополупериодного выпрямителя Кпульс = 1,57.
Основным преимуществом однополупериодного выпрямителя
является его простота, а недостатками – большой коэффициент
пульсаций и малые значения выпрямленного тока и напряжения.
Поэтому значительно большее распространение получили
двухполупериодные выпрямители, в которых выпрямленное
напряжение создаётся в оба полупериода напряжения сети.
I0
45
Двухполупериодный выпрямитель
Двухполупериодные выпрямители бывают двух типов:
мостовые и с выводом средней точки вторичной обмотки
трансформатора. Распространение получил мостовой выпрямитель
а) б)
u1
( )
Iв1 1 2 Iв2
(рис.37).
Rн
U1 t
4 3
Iв4 Iв3 uн
( ) U0
U 1m U m.ãàðì
U 0 0,9U 1 0,9 ; K ïóëüñ 0,67,
2 U0
46
где Um гарм – амплитуда наибольшей гармоники, которая для
двухполупериодного выпрямителя имеет частоту вдвое бóльшую,
чем частота питающей сети.
Мостовой выпрямитель, по сравнению с
однополупериодным, более эффективен: средние значения
выпрямленного тока и напряжения у него в 2 раза больше, а
пульсации значительно меньше.
Коэффициент пульсаций напряжения К пульс, питающего
электронную аппаратуру, должен составлять доли процента.
Двухполупериодный выпрямитель создает пульсирующее
напряжение с Кпульс = 0,67. Для уменьшения пульсаций до
требуемого уровня применяют устройства, называемые
сглаживающими фильтрами.
В трехфазной схеме выпрямления с нулевым проводом,
(рис.38) напряжения в каждой фазе сдвинуты по отношению к друг
другу на 120°. В любой момент времени действует лишь одна фаза,
которая в это время имеет положительный наибольший потенциал
относительно нулевой точки. Ток протекает через диод в течение 1/3
части периода выпрямляемого тока. Выпрямленный ток,
являющийся суммарным током всех поочередно действующих фаз
выпрямителя, имеет форму огибающей кривой.
Отношение выпрямленного напряжения на нагрузке к
фазному напряжению составляет 1,17.
A
Rн
B
iн Uн
O
Рис.38. Трёхфазная схема выпрямления с нулевым проводом
47
А В С
Rн
Uн
U1 Rн V0
V1 Uн
А3
Рис. 40 Схема измерения для однополупериодной схемы выпрямления
48
5
-1
-2
-3
-4
-5
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
49
Таблица 14
Схем Измеренные и вычисленные параметры
а по U1 I1 U0 I3 Кв Кп f
п.
1 Um Uд1 Iд Uд0 Uс.в0 Iд Iс.в. Uд0/ Uд1 Um/ Uд0
1
2
3
4
A1
Rн
V0
U1 V1 A3
Iв4
50
5
-1
-2
-3
-4
-5
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
Рис.41.Схема измерения для двухполупериодной схемы выпрямления
5. Собрать схему по рис.42 и повторить действия по пп.1,2,3.
Измеренные и вычисленные данные занести в табл.14.
V0
A
А1 Rн
B
V1 iн Uн
C
А3
O
51
5
-1
-2
-3
-4
-5
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
Рис.42. Схема измерения для трёхфазной схемы выпрямления
5. Собрать схему по рис.43 и повторить действия по пп.1,2,3.
Измеренные и вычисленные данные занести в табл.14.
V1
А В С о
А1
Rн
А3
V0
52
5
-1
-2
-3
-4
-5
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
Рис.43. Схема измерения для трёхфазной мостовой схемы выпрямления
Контрольные вопросы
53
Работа № 9. Исследование полупроводниковых диодов
Цель работы - изучение принципа действия и снятие статических
характеристик полупроводниковых диодов.
Программа работы
1. Снятие вольтамперных характеристик диода в прямом и
обратном направлениях.
2. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона.
3. Снятие характеристики оптоэлектронной пары.
4. Снятие вольтамперной характеристики светодиода.
Общие положения
Полупроводниковый диод – двухэлектродный прибор,
принцип действия которого основан на использовании явлений,
возникающих между частями монокристалла полупроводника с
проводимостями p- и n-типа. Слой, образующийся на границе двух
областей полупроводника, обладающих противоположными типами
электропроводимости – дырочной p и электронной n, называют
электронно-дырочным переходом (ЭДП) или p-n переходом.
Образование контактной разности потенциалов обедняет
области p и n ЭДП основными носителями заряда. Это повышает
электрическое сопротивление ЭДП. Поэтому область ЭДП называют
запирающим слоем. Его толщина – микроны- десятки микрон. ЭДП
возникает не только на границе двух полупроводников с разной
проводимостью, но и при контакте полупроводника с металлом.
Полупроводниковые диоды широко применяются в
устройствах, работающих в непрерывных и импульсных режимах, и
делятся по назначению на выпрямительные диоды (в том числе
универсальные диоды, работающие в широком диапазоне частот),
импульсные, СВЧ диоды, варикапы, стабисторы и стабилитроны
(опорные диоды), туннельные, обращенные и др.
Выпрямительные диоды служат для выпрямления
переменного тока низкой (до 50 кГц) частоты. Выпускают
германиевые, кремниевые, титановые и др. диоды.
54
Зависимость тока через ЭДП от внешнего напряжения или
вольтамперная характеристика (ВАХ ЭДП):
qU
I IS
e
kT
1
,
где: IS – неуправляемый тепловой (обратный) ток или ток
насыщения. Он обусловлен неосновными носителями заряда
(дырками из n-области, электронами из p-области);
e = 2,718…– основание натурального логарифма;
q = 1,602…· 10-23 Кл – заряд электрона;
U – внешняя разность потенциалов, приложенная
непосредственно к ЭДП (напряжение на электродах диода за
вычетом падения напряжения на p- и n-слоях монокристалла);
K=1,380662·10-23 Кл·В/К – постоянная Больцмана;
T – абсолютная температура, К.
Положительным внешнее напряжение считают в том случае,
когда плюс приложен к p-области. При этом протекает прямой ток –
ток из p-слоя в n-слой. Если к ЭДП приложено положительное
напряжение, то говорят, что диод «смещён в прямом направлении».
Напряжение противоположной полярности называют «обратным».
На рис.44 показаны структура диода, его условное
изображение и график ВАХ ЭДП.
+I
p n
эмиттер (анод) +U
база(катод) Is -0,1 В
55
В создании прямого тока участвуют основные носители:
дырки из p-слоя «перетекают» (инжектируются) в n-слой, а
электроны из n-слоя инжектируются в p-слой.
Rд Rн
Uвх Uст
I
Ia
Iн
U
Iст.min
56
Iст.max
Рис.45.Схема включения и ВАХ стабилитрона
Основные параметры стабилитрона: напряжение на участке
стабилизации Uст (1 – 1000 В); динамическое сопротивление на
участке стабилизации Rд=d Uст /d Iст (0,5 – 200 Ом); минимальный
ток стабилизации Iстmin (1 – 10 мА); максимальный ток стабилизации
Iстmax (50 - 2000 мА); температурный коэффициент напряжения на
участке стабилизации (от –0,05 до +0,2 %/°С) U= (d Uст /d Т)100.
Оптоэлектронные приборы
Это группа полупроводниковых приборов, действие которых
основано на использовании явлений излучения, передачи или
поглощения в видимой части спектра, инфракрасной и (или)
ультрафиолетовой областях спектра. Светоизлучающие диоды
(светодиоды) - это полупроводниковые диоды с одним электронно-
дырочным переходом, в котором осуществляется непосредственное
преобразование энергии электрического поля в оптическое
излучение вследствие рекомбинации электронов и дырок.
Используются светодиоды чаще всего в устройствах визуального
представления информации.
Светодиоды характеризуют спектральным составом
излучения, мощностью излучения и коэффициентом полезного
действия. Основными характеристиками светодиодов являются
яркостная или ватт-амперная характеристика, прямой ток, прямое и
обратное напряжение.
Светодиоды включают по схеме, приведенной на рис.46:
R
Iсв
+
G 1
-
H L1
57
Светодиоды нуждаются в источнике питания с большим
внутренним сопротивлением, для чего последовательно с
источником питания включают резистор. Это уменьшает наклон
яркостных характеристик, а проходящий через светодиод ток
меньше зависит от напряжения питания.
Ватт-амерные характеристики различных светодиодов
представлены на рис.47.
I, мА Ф2 > Ф1 > Ф0 I, мкА
U2
U1
U0=0
а) вольтамперная характеристика
0 U, В
б) световая характеристика Ф, лм
Ф0=0 0
Ф1 Рис.47. Ватт-амперные
Ф2 характеристики светодиодов
Н и з к и е н а п
в низковольтных транзисторных устройствах (индикации,
фотопамяти и др.).
Инерционность светодиодов не превышает 10 -6…10-8 с,
поэтому их используют в импульсных режимах на частотах до 100
МГц.
Фотодиоды
Фотодиоды – это полупроводниковые приборы p-n-типа,
принцип действия которых основан на внутреннем фотоэффекте.
При освещении в p-n-переходе возникает фотоэлектрический
эффект. В результате неравновесной концентрации носителей
зарядов, в p- и n-областях появляются электроны и дырки.
Электронно-дырочные пары движутся к p-n-переходу, где
разделяются и под действием контактной разности потенциалов
неосновные носители зарядов проходят через p-n-переход, образуя
58
фототок (вентильный режим фотодиода или режим фотогенератора:
рис. 48, б).
R VD R VD
Н Н
- +
a) б) в)
59
- удельной чувствительностью K0=Iф/(ФU), которая
характеризует фототок Iф, проходящий через фотодиод при
освещении его световым потоком Ф=1 миллилюмен при
напряжении 1 В;
- спектральной чувствительностью.
Полоса пропускания быстродействующих кремниевых
фотодиодов лежит в пределах 108…109 Гц.
Оптроны
Оптрон состоит из светоизлучателя (светодиода) и
приёмника излучения (светочувствительного детектора, фотодиода,
фоторезистора или фототиристора), связанных оптической средой и
конструктивно объединённых в одном корпусе.
Диодные оптроны используются, как правило, для
гальванической развязки отдельных входов в комплексных системах
автоматики.
Оптроны характеризуются четырьмя группами параметров.
1. Входные параметры: входное напряжение Uвх – прямое на
входе оптрона при заданном прямом токе; максимальное
допустимое обратное входное напряжение Uвх.обр.мах, которое
допускается подавать на вход оптрона; номинальный входной ток
Iвх.н; максимально допустимый входной ток Iвх.max – постоянный,
прямой, который разрешается пропускать через вход оптрона.
2. Выходные параметры: максимально допустимое обратное
входное напряжение Uвх.обр.mах, которое разрешается прикладывать к
выходу оптрона; максимально допустимый выходной ток Iвых.max,
который разрешается пропускать через фотоприемник при
включенном оптроне; световое сопротивление Rc – сопротивление
фоторезистора при заданном токе на входе оптрона, темновое
сопротивление Rт – сопротивление фоторезистора при входном токе,
равном нулю; остаточное напряжение Uост – прямое на выходе
оптрона в открытом состоянии; выходная ёмкость Cвых.
3. Передаточные параметры: статический коэффициент
передачи тока Ki – отношение токов на выходе и входе оптрона;
ёмкость связи Cc между входом и выходом оптрона.
60
4. Параметры гальванической развязки: максимально
допустимое пиковое напряжение между выходами входа и выхода
Uраз.п.max; максимально допустимое напряжение между выводами
входа и выхода Uраз.max; сопротивление гальванической развязки Rраз
между выводами входа и выхода оптрона.
Условные обозначения некоторых оптронов приведены на
рис.49.
61
1.1.2. Установить для амперметра А1 предел 20 мА, а для вольтметра
V1 – 1 В. Перевести ручку регулятора напряжения источника в
крайнее левое положение. После проверки преподавателем схемы,
включить источник питания. Вывести на экран компьютера сигналы
амперметра А1 и вольтметра V1.
1.1.3. Снять вольтамперную характеристику. Для этого с помощью
регулятора напряжения источника задавать значения тока Iпр через
диод (амперметр А1) и записывать значения соответствующего
напряжения Uпр (вольтметр V1). Результаты занести в табл.15.
Таблица 15
Iпр,
0 0,1 0,2 0,5 0,7 1 2 4 6 8 10 12 14
мА
Uпр,
В
62
В качестве амперметра использовать мультиметр MY60,
минусовой провод подключить к клемме «com», а плюсовой к «А»,
предел измерений установить «20 А».
1.2.2. Установить для вольтметра V0 предел 5В. В процессе работы
изменить на 20 В. После проверки преподавателем схемы, включить
источник и мультиметр.
1.2.3. Снятие вольтамперной характеристики. С помощью
регулятора напряжения источника задавать значения напряжения
Uобр (вольтметр V0) согласно табл.16 и записывать значения
соответствующего тока Iобр. Результаты занести в табл.16.
Таблица 16
Uобр,
0 0,1 0,5 1 2 4 6 8 10 12 14 15
В
Iобр,
мА
63
2.2. Установить для вольтметров предел 20 В, для амперметра 20мА.
После проверки преподавателем схемы, включить источник.
Снять .17.
Таблица17
U 3, В 0 3 5 7 10 11 12 13 14
Uст, В
Iст, мА
По окончании опыта, уменьшить напряжение на диоде до 0 и
отключить источник U3.
2.3. По ВАХ кремниевого стабилитрона определить:
- напряжение пробоя стабилитрона,
- максимальный и минимальный токи, при которых
обеспечивается стабилизация напряжения,
- динамическое сопротивление на участке стабилизации.
64
положение. После проверки преподавателем схемы, включить
источник.
3.3. Снять параметры сопротивления фоторезистора в зависимости
от освещенности (напряжения на лампе накаливания). Для
этого, меняя напряжение на лампе накаливания (и
освещенность), измерить сопротивление фоторезистора Rф.
Значение сопротивления больше 2кОм (мультиметр показывает
«1») условно считать равными .
Результаты измерений и вычислений записать в табл. 18.
Таблица 18
U 3, В 3 4 5 6 7 8 9 10
Rф, кОм
4. Исследование светодиода.
4.1. Собрать схему по рис.52, используя в качестве диода VD1
светодиод.
4.2. Аналогично п.1 снять ВАХ светодиода, включённого в прямом
направлении. В процессе снятия характеристики визуально
убедиться в зависимости количества излучаемого света от тока
светодиода. Результаты внести в табл.19.
Таблица 19
Iпр,
0 0,1 0,2 0,5 0,7 1 2 4 6 8 10 12 14
мА
Uпр,
В
Контрольные вопросы
65
4. Что такое электрический пробой, чем он отличается от
пробоя теплового для кремниевых диодов?
5. Есть ли принципиальные различия между
выпрямительным кремниевым диодом и фотодиодом?
6. Могут ли создавать электрический ток фотодиоды при
отсутствии внешнего источника электроэнергии?
7. Для каких целей, кроме выпрямления переменного тока,
можно использовать выпрямительные диоды?
66
Работа № 10. Исследование биполярного транзистора
Программа работы
1. Снятие семейства входных и выходных вольтамперных
характеристик.
2. Снятие проходных характеристик транзистора, включённого
по схеме с общим эмиттером (ОЭ).
Общие положения
Биполярным транзистором называют трёхэлектродный
полупроводниковый прибор с двумя близкорасположенными
электронно-дырочными переходами. Они служат для усиления,
генерирования, преобразования и коммутации сигналов и т.д.
Ток в биполярном транзисторе определяется движением
носителей зарядов двух знаков – отрицательных (электронов) и
положительных (дырок), отсюда и название – биполярный, т.е.
двухполярный. На рис.54 показаны условные графические
обозначения транзисторов типа n-p-n и p-n-p, выполненных на
основе германия и кремния и типовые напряжения на электродах
относительно эмиттера.
с т р у к т у р ы p -n -p с т р у к т у р ы n -p -n
герм ан и й крем ний герм ан и й крем ний
- 3 ...9 В - 3 ...9 В + 3 ...9 В + 3 ...9 В
к к к к
б б б б
- 0 ,1 5 В - 0 ,6 В + 0 ,1 5 В + 0 ,6 В
э э э э
67
Две крайние области монокристалла германия или кремния с
однотипной проводимостью разделены областью противоположной
электропроводности (рис.55).
Биполярные транзисторы являются асимметричными
приборами:
1. Эмиттерный электронно-дырочный переход (ЭЭДП) между базой
и эмиттером n1+ -p по площади меньше коллекторного (КЭДП) n2-p.
2. Знак «плюс» означает, что концентрация примесей в эмиттере в
сотни раз превышает концентрацию примесей в базе (p).
3. Концентрация примесей в коллекторе чуть меньше, чем в
эмиттере.
Э м и ттер
Б аза К ол л ек то р
n 1 p
w
n 2
U 1 U 2 U 1 U 2
О Б О Э
I1 I2
U 1 U 2
О К
Рис.56. Схемы включения биполярного транзистора: ОБ – с общей базой; ОЭ – с
общим эмиттером; ОК – с общим коллектором. Полярности напряжений указаны
для активного режима
69
потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и
управления этим потоком посредством тока базы.
Если транзистор не подключён к внешним источникам
электроэнергии, то в его электронно-дырочных переходах (ЭДП)
возникают потенциальные барьеры высотой UЭДП. Через них
протекают два небольших тока: ток, обусловленный диффузией
через ЭДП основных носителей (электронов из области n и дырок из
области p), и встречный дрейфовый ток, создаваемый неосновными
носителями заряда. Токи эти равны, поэтому суммарный ток через
ЭДП равен нулю.
Входная ВАХ аналогична характеристике диода при прямом
токе, а выходная - ВАХ при обратном токе.
На рис. 57,а приведены входные статические характеристики
ВАХ для кремниевого биполярного транзистора n-p-n структуры,
они сняты при двух значениях коллекторного напряжения: UКЭ=0 и
UКЭ = 3 В.
Увеличение напряжения на коллекторе сверх некоторого
предела UКП приводит к очень незначительным смещениям входной
ВАХ вправо, с ними можно не считаться. На практике для всех
напряжений на коллекторе, бóльших значения UКП, пользуются
одной характеристикой, снятой при UКЭ = 0.
Семейства выходных ВАХ, снятых при различных значениях
входного тока (IБ=const) показаны на рис.57,б. Переходная
характеристика приведена на рис.58.
70
а)
Iб, м к А
U кэ= 0 U кэ= 3 В
вхо д н о е со пр о ти влен ие
I б U бэ
R вх
I б
U бэ
0 U бэ, м В
б)
Iк, м к А
Iб4
Iк3 Iб3
IкА IбА I к3 I к2
h 21э
I б3 I б2
Iк2 Iб2
Iб1
Iб= 0
0 U кэ, м В
U кА
Iк, м А
Iб, м А
0
Рис.58. Переходная характеристика
71
Рис.59. Схема включения транзистора
Таблица 20
Iб, Uкэ = 0 В Uкэ = 3 В Uкэ = 6 В
мкА Uбэ, мВ Iк, мА Uбэ, мВ Iк, мА Uбэ, мВ Iк, мА
0
20
40
60
80
72
100
120
3. По данным табл.20 построить графики семейства входных
Iб(Uбэ) и выходных Iк (Iб) характеристик транзистора,
соответствующих каждому из значений Uкэ. Для каждой их входных
характеристик определить входное статическое и динамическое
сопротивления транзистора. Для каждой из проходных
характеристик определить коэффициент усиления по току.
4. Снять семейство выходных (см. рис.57,б) характеристик
транзистора. Для этого установить, и поддерживая с помощью
регулятора переменного резистора R1 ток базы транзистора Iб
(мультиметр) неизменным и равным сначала 0, затем 20, 40 и 60
мкА. При каждом значении тока базы Iб, задавать с помощью
регулятора напряжения источника U3 напряжение Uкэ транзистора
(вольтметрV0) и фиксировать соответствующие значения тока
коллектора Iк (амперметр A1). Результаты занести в табл.21.
5. По данным табл.21 построить графики семейства
выходных Iк (Uкэ) характеристик транзистора при различных токах
базы. По каждой из характеристик определить статическое и
динамическое сопротивление транзистора.
Таблица 21
Iк, мА
Uкэ, В
при Iб = 0 мкА при Iб = 40 мкА при Iб = 80 мкА при Iб = 120 мкА
0
0,1
0,2
0,5
0,7
1
2
4
6
Контрольные вопросы
1. В каком направлении (прямом или обратном)
включаются КЭДП и ЭЭДП биполярного транзистора?
2. Какая из схем включения (с ОЭ, ОК или ОБ)
обладает наибольшим входным сопротивлением?
73
3. Какая из схем включения биполярного транзистора
усиливает и ток, и напряжение и мощность?
4. Дать определение коэффициента усиления
биполярного транзистора.
5. Как определить статическое и динамическое
сопротивление биполярного транзистора по его входным и
выходным характеристикам?
Программа работы
1. Снятие статических характеристик ПТ.
2. Снятие семейства выходных характеристик ПТ с затвором
в виде р-n перехода.
3. Снятие проходной характеристики ПТ, включённого по
схеме с общим истоком.
Общие положения
Полевым называют транзистор, управляемый электрическим
полем, или транзистор с управляемым каналом для тока.
Ток в полевом транзисторе создаётся носителями заряда
только одного знака (электронами или дырками), вследствие чего
эти транзисторы часто называют униполярными.
Носители заряда в полевом транзисторе являются
основными для активной области, его параметры не зависят от
времени жизни неосновных носителей (как у биполярных
транзисторов), что определяет их высокие частотные свойства и
меньшую зависимость от температуры.
Каналом считают центральную область транзистора.
Электрод, из которого в канал поступают основные носители заряда,
называют истоком И, а электрод, через который основные носители
уходят из канала, – стоком С. Электрод, служащий для
регулирования поперечного сечения канала, называют затвором З.
74
Изготавливают полевые транзисторы из кремния. В
зависимости от электропроводности исходного материала,
различают транзисторы с p- и с n- каналом.
В отличие от биполярных, полевые транзисторы имеют
высокое входное сопротивление и поэтому требуют очень малых
мощностей для управления. Полевые транзисторы подразделяются
на два основных типа: с затвором в виде p-n-перехода и с
изолированным затвором.
Полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода
представляет собой кремниевую пластину, например n-типа, на
верхней и нижней гранях которой созданы области с проводимостью
противоположного типа, например p-типа (рис.60,а). Эти области
электрически связаны, образуя единый электрод-затвор. Область с
n-проводимостью, расположенная между p-областями; образует
токовый канал. На торцевые поверхности пластины наносят
контакты, образующие два других электрода И и С, к которым
подключается источник питания Uс и, при необходимости,
сопротивление нагрузки. Между каналом и затвором возникают два
p-n-перехода. Ток протекает от истока к стоку по каналу, сечение
которого зависит от затвора.
a)
- И С +
p
З
n
p -
в) " n " -к а н а л
б)
с
с з
з
и и
U си
U з с
з
и
" p " -к а н а л
75
Рис.60. Полевой транзистор: а) структура; б) схема включения с затвором
в виде р-n перехода; в) обозначения ПТ с затвором в виде р-n перехода
При увеличении отрицательного потенциала на затворе, p-n-
переходы запираются и расширяются практически за счет канала;
сечение канала, и, следовательно, его проводимость, уменьшаются,
ток через канал падает. При некотором Uз = Uзо, называемом
напряжением отсечки, области p-n-переходов смыкаются по всей
длине канала, сток и исток оказываются изолированными друг от
друга, ток Iс равен нулю.
Если при неизменном Uз увеличивать Uс, то ток через канал
(Iс) возрастёт. При этом увеличивается падение напряжения на
канале, которое способствует увеличению обратного напряжения на
p-n-переходах, вызывая тем самым сужение канала. При некотором
Uс = Uнас, называемом напряжением насыщения, канал настолько
сужается, что дальнейшее увеличение Uс не увеличивает Iс.
Полевые транзисторы с изолированным затвором или
МДП-транзисторы находят более широкое применение, так как
имеют более простую конструкцию и обладают лучшими
электрическими свойствами.
У МДП-транзисторов (металл – диэлектрик –
полупроводник) между полупроводниковым каналом и
металлическим затвором расположен изолирующий слой
диэлектрика.
Принцип работы МДП-транзисторов основан на эффекте
изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника
под воздействием поперечного электрического поля. МДП-
транзисторы управляются напряжением и имеют чрезвычайно
большое входное сопротивление, и в отличие от полевых
транзисторов с затвором в виде p-n-перехода сохраняют его
большим независимо от величины и полярности входного
напряжения. Применяются две конструкции МДП-транзисторов:
МДП-транзиторы со встроенным каналом и МДП-транзисторы с
индуцированным каналом.
У МДП-транзисторов со встроенным каналом (рис.61) в
полупроводниковой пластине (подложке), например n-типа, в
процессе изготовления в приповерхностном слое создают области,
например, p-типа, образующие электроды стока и истока.
76
Перемычка между С и И с проводимостью p-типа является каналом
для протекания тока стока Iс даже при отсутствии управляющего
напряжения Uз = 0 на затворе.
77
подтягивания дырок из n-пластины происходит образование между
стоком и истоком инверсного слоя полупроводника с
проводимостью, аналогичной проводимости С и И, в данном случае
p-типа, и, чем более отрицательным будет напряжение на затворе,
тем больший Iс будет в канале.
a) б) Iс, м А
И З С
p p
n
-U з, В
0
в) " n " -к а н а л " n " -к а н а л
с с
з з
и
и
78
КП303Е), представленную на рис. 63.
Для амперметра A1 установить предел 20мА, для вольтметров
V0, V1 – 20 В. После проверки схемы преподавателем, перевести
ручки регулятора напряжения источника U3 и переменного
резистора R1 в крайнее левое положение, включить источники.
79
3
3. По графику каждой из проходных характеристик определить
крутизну S, максимальный ток стока Iс и напряжение отсечки Uзи.
4. Снять семейство выходных (стоковых) вольтамперных
характеристик Ic = f(Uси) при Uзи = const для пяти значений Uзи = 0, 1,
2, 3, 4 В. Результаты свести в табл. 23.
Для этого установить и поддерживать в течение опыта
неизменным значение напряжения между затвором и истоком Uзи с
помощью регулятора - переменного резистора R1. Далее, изменяя
напряжение между стоком и истоком Uси с помощью регулятора
напряжения источника U3, записать соответствующие значения тока
стока Ic. Результаты свести в табл. 23.
Таблица 23
Ic, мА
Uси, В
Uзи = 0 В Uзи = 1 В Uзи = 2 В Uзи = 3 В Uзи = 4 В
0
0,1
0,2
0,5
1
2
4
6
Контрольные вопросы
1. Что определяет крутизна вольтамперной
характеристики полевого транзистора и почему для него не
пользуются коэффициентом усиления по току?
2. Объяснить устройство полевого транзистора.
80
3. Как расшифровывается аббревиатура МДП и на
какие типы они подразделяются?
4. С чем связано уменьшение тока стока
транзистора?
Рекомендуемый библиографический список
ОСНОВНАЯ
1. Глазенко Г.А., Прянишников В.А. Электротехника и основы электроники.
- М.: Высшая школа, 1994.
2. Нефедова Н.В., Каменев П.А., Большунова О.М. Карманный справочник
по электротехнике и электронике. - Ростов н/Д.: Феникс, 2007.
3. ЛачинВ.И., Савельев Н.Р. Электроника. - Ростов н/Д.: Феникс, 2001.
ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ
4. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника. - М.: 2000 г.
5. Нефедова Н.В., Каменев П.А., Большунова О.М. Электротехника и
электроника. Учебное пособие. – СПб.: СПГГИ, 2002 г.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение ………………………………………………………………..3
1. Электроизмерительные приборы и измерение основных
электрических величин…………………..
……………………………………..4
2. Последовательное, параллельное и смешанное соединения
элементов на постоянном токе …..
……………………………………… 8
3. Частотные характеристики пассивных элементов …..……..……14
4. Резонанс напряжений……………………………………………….21
5. Резонанс токов…..…………………………………………………..25
6. Трехфазные цепи при соединении звездой..…….…….…………..30
7. Переходные процессы в цепи постоянного тока .….…………….35
8. Исследование схем выпрямления……..……………………...……42
9. Исследование полупроводниковых диодов…..………...…………49
10. Исследование биполярного транзистора……………...…………61
81
11. Исследование полевых транзисторов…………………..………..68
82