Вы находитесь на странице: 1из 44

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования
«МИРЭА – Российский технологический университет)»

Кафедра наноэлектронии
(www.eks.fel.mirea.ru)
Центр проектирования интегральных схем, устройств наноэлектроники и
микросистем
(www.edamc.mirea.ru)

Певцов Евгений Филиппович, к.т.н., доцент

Моделирование и проектирование микро- и наносистем


осенний семестр 2018 г.

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


1
 Административные показатели (5 семестр) :
Лекции – 16 час.
(по первым нед. Пятница 1-я пара, ауд. В-211)
Практические занятия – 32 час.
(по первым нед. Пятница, 2 и 3-я пары, ауд. В-211, В104, В-223)
Самостоятельная работа – 60 час.

Контроль:
баллы по посещению лекций,
выполнению практических работ,
Экзамен
1 вопрос билета на экзамене = презентация по МЭМС
(10...20 слайдов, темы согласовать не позднее 01 ноября)

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Литература
1. Щука А.А. Наноэлектроника: учебник для бакалавриата и мгистратуры / под общ.
ред. А.С. Сигова. – М.: Издательство Юрайт, - 2017. – 297 с.
2. Певцов Е.Ф., Деменкова Т.А., Аль-Натах Р.И. Основы моделирования и
проектирования МЭМС в САПР CoventorWare: Учебное пособие [Электронный
ресурс] // Московский технологический университет (МИРЭА) – М., - 2016. – 98 с.
ISBN 978-5-9909518-0-8.
3. Банков С.Е., Куршин А.А. Электродинамика для пользователей САПР СВЧ. Учебник. /
М.: СОЛОН-Пресс,- 2017, 316 с.
4. Савицкий В. А. Микросистемная техника и ее компоненты [Электронный ресурс]:
учебное пособие. — М.: МИРЭА, 2016. — Электрон. опт. диск (ISO).
5. Каплун А.Б., Морозов Е.М., Олферьева М.А. ANSYS в руках инженера. Практическое
руководство. / М.: Книжный дом «ЛИБРОКОМ», 2015. - 272с.
6. Певцов Е.Ф. Автоматизация физического эксперимента. Лабораторный практикум.
Часть 2. Основы проектирования схем с микроконтроллерами: Учебное пособие //
Электронное издание МГТУ МИРЭА. 2013. 42 с. ISBN 978-5-7339122-33.
7. Вонг Б.П. Нано-КМОП-схемы и проетирование на физическом уровне / Вонг Б.П.,
Миталл А., Цао Ю., Старр Г. – М.:Техносфера, 2014. – 432 с.
8. Савицкий В. А.Курс лекций по микросистемной технике и электронике
[Электронный ресурс] / В. А. Савицкий. — М.: МИРЭА, 2012. — Электрон. опт. диск
(ISO).
9. Распопов В.Я. Микромеханические приборы. Учебное пособие. - М.:
Машиностроение, 2007. - 400 с.: ил.
10. Гридчин В.А. Физика микросистем: учеб. пособие / Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2006. -
496 с.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
http://salda.ws/video.php?id=sagmAHX4tcg

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


 Домашнее задание (самостоятельная работа)
= 1 вопрос билета на экзамене:
Составить оригинальную презентацию на тему МЭМС
объем презентации (10 -20 слайдов)
рекомендация:
использовать материалы сайта

http://salda.ws/video.php?id=sagmAHX4tcg

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Микроэлектромеханические системы (МЭМС) — технологии и
устройства, объединяющие в себе микроэлектронные и
микромеханические компоненты.

Термин «микросистемная техника» (МСТ, МЭМС, MST, MEMS,


MOEMS, MCROMACHINES) определяет содержание комплекса
работ, направленных на создание сверхминиатюрных механизмов,
приборов и машин, создаваемых интегрально-групповыми
процессами микро- и нанотехнологии и обладающих
сверхминиатюрными массогабаритами.

Микросистемы представляют собой набор из отдельных


пленочных слоев толщиной от нескольких микрон до миллиметра,
в каждом из которых сформированы микроструктуры датчиков и
приводов.

Основные конструктивные элементы микросистем:


диафрагмы (мембраны), консольные балки и балки с опорами,
выполненные в объеме кремниевой пластины (объемная
микрообработка) или на ее поверхности (поверхностная
микрообработка)
..
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Наиболее важные преимущества МЭМС:

- совместимость с процессами микро- и наноэлектроники;


- незначительные затраты материалов и малое потребление
электрической энергии;
- высокая эксплуатационная эффективность;
- малая стоимость;
- высокая надежность;
- возможность обеспечения локально распределенных
интеллектуальных свойств

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


 Материалы для МЭМС: кремний и полимеры
Кремний - основной материал электроники в современном мире.
Свойства, привлекательные для МЭМС:
1. Монокристалл кремния почти идеально подчиняется закону Гука. Т.е. при
деформации он не подвержен гистерезису и, следовательно, энергия
деформации практически не рассеивается.
2. Обладает очень малой усталостью и может работать в диапазоне от
миллиардов до триллионов циклов без разрушения.

Полимеры
Можно производить в больших объемах, с большим разнообразием
характеристик материала. Особенно хорошо подходят для применения при
изготовлении микрофлюидных устройств (одноразовые картриджи анализа
крови)
МЭМС устройства могут быть сделаны из полимеров с помощью:
- литьевое формование,
- штамповка или стереолитография;

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Кремний – основной материал микроэлектроники.
В природе встречается в виде диоксида SiO2 (обычный
песок)
Si-полупроводник с 4-мя валентными электронами.
В 1 см3 кремния содержится 4,2·1022 атомов
Собственная проводимость обусловлена тепловой генерацией
носителей – дырок и электронов.
При комн. темп. (300K) их концентрация основных носителей в 1см3
составляет Nd= 2,5·1013
Концентрация специально введенных примесей примесная
проводимость):
один атом примеси на миллион атомов кремния, т.е. NL ~1016
(в 1000 раз больше, чем тепловых носителей)

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Два основных варианта формирования конструкций в кремнии:
• Объемная технология
• Поверхностная технология

Объемная технология: выборочное удаление кремния для формирования


в подложке мембран, канавок, отверстий и других подобных структур. Для
этого используется либо жидкостное (влажное) травление в водных растворах
реагентов, либо сухое травление кремния, когда реагенты находятся в парах
или в плазме. Обычно при сборке устройств, полученных по объемной
технологии, требуются специальные операции крепления отдельных
элементов к подложке, в то время как поверхностная технология позволяет
изготавливать полностью монолитные микросистемы.

Поверхностная технология: построение микроструктуры на поверхности


кремния путем осаждения тонких защитных (жертвенных, удаляемых в конце
процесса) и структурных слоев. Эта методика в наилучшей степени сочетается
с базовыми технологическими процессами микроэлектроники, причем для
формирования микроструктуры используются те же материалы, что и при
изготовлении большинства интегральных схем.

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Поверхностная технология

Жертвенный слой по заданной жертвенный слой опора


маске осаждается на поверхности
подложки
Изготавливаемые структуры кремниевая подложка
имеют небольшое аспектное
соотношение (отношение
глубины к поперечным
размерам) . Их иногда называют
2.5 D структурами, имея в виду
относительно малые толщины
слоев.
Эта технология полностью
совместима с процессами КМОП

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Объемная модель устройства
(модуль VISUALIZER)

Проектирование МЭМС-2018
Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Типовой технологический маршрут изготовления МЭМС
(на примере электростатического зеркала):

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Объемная модель устройства
(модуль VISUALIZER)

Проектирование МЭМС-2018
19
Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Основные операции поверхностной МЭМС-технологии (CoventorWare)

Conformal Shell - это конформное осаждение материала на любую


поверхность. Конформное означает, что осаждаемый слой точно
повторяет рельеф и форму предыдущего слоя.

Delete используется для удаления какого-либо слоя. Обычно используется


для удаления жертвенных слоев.

Partition используется для разделения слоев.

Planar Fill используется для заполнения какого-либо промежутка или


отверстия в плоскости, повторяющей форму рельефа.

Round Corners позволяет делать углы и острия гладкими.

Stack Material предназначена для осаждения материала.

Straight Cut предназначена для травления той или иной части материала
по форме и типу заданной маски.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Замечание (напоминание) о фоторезистах:

(+) – позитивный, т.е. проэкспонированные области становятся


растворимыми и после проявления разрушаются

(-) – негативный, т.е. проэкспонированные области полимеризуются и


становятся нерастворимыми (мнемоника: НЕ-НЕ)

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Технологический маршрут

1 – Базовый слой GND – земля (Si - 8 микрон)


(этот слой определяет границы активной области модели)
2 – Нанесение слоя (SiN – 0,5 микрон)
3 – Нанесение слоя (полиSi – 0,5 микрон)
4 – Травление электродов
5 – Планарное нанесение жертвенного слоя (полиимид – 2 микрона)
6 – Травление торсиона
7 – Нанесение согласованной оболочки (Al(film) – 0,5 микрон)
8 – Травление зеркала
9 – Удаление жертвенного слоя (полимид)
Проектирование МЭМС-2018
Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Типовые комбинации материалов
(микростркутура/жертвенный слой):

1) Поликремний/диоксид кремния с нитридом кремния как


изолирующим материалом. Используется химическое осаждение
поликристаллического кремния из газовой фазы при низком
давлении и паров оксида для осаждения жертвенных слоев. Для
удаления последних применяется раствор плавиковой кислоты
(HP), который не оказывает влияния на поликремний.
2) Полиимид/алюминий. Для удаления защитного слоя алюминия
используются кислотные реагенты.
3) Нитрид кремния/поликремний. Растворения и анизотропного
травления кремния используются KOH и EDP.
4) Вольфрам/диоксид кремния. Жертвенные слои удаляются
растворами плавиковой кислоты.
5) Рабочий материал датчика/борофосфоросиликатное стекло
(ФБСС, Boro PhosphoSilicate Glass, BPSG). Для удаления
жертвенных слоев применяется селективное химическое травление
с использованием плавиковой кислоты.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
МЭМС - акселерометр
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф. 25
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф. 26
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф. 27
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф. 28
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф. 29
Микромеханическая цепная передача
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Объемная технология

Осаждение, литография
рисунка и вытравливание
структуры и жертвенных
слоев
Предполагает сухое или
жидкостное вытравливание
относительно большой массы
кремниевой подложки
В структуре формируются
каналы для протока жидкости,
регулярные углубления и лунки

Возможна реализация
аспектного отношения от 10 до
600

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Микромехани-
ческое
устройство

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


МЭМС –
оптическая
скамья

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Литография

Гальванопластика
(электроформирование)

Формовка

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Турбины
Шестерни
Пружины
Зажимы
Массивы
игл
Заслонки
Решетки
Корпуса

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.


САПР МЭМС

MemsCAP SUGAR (MathLab) AINSYS


Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.
Контрольные вопросы
1. Определение термина «микросистемная техника». Что представляют собой
микросистемы?
2. Основные преимущества МЭМС.
3. Основные свойства кремния как конструкционного материала для МЭМС.
4. Охарактеризуйте два варианта формирования конструкций в кремнии.
5. Типовой технологический маршрут поверхностной технологии.
6. Типовые комбинации материалов (микроструктура/жертвенный слой.
7. Аспектное отношение и виды травления.
8. Основные операции LIGA-процесса.
9. Приведите несколько программных пакетов, предназначенных для
проектирования МЭМС.

Проектирование МЭМС-2018 Каф.наноэлектроники доц. Певцов Е.Ф.

Вам также может понравиться