Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ
В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Составители:
Л.Н. Владимирова,
Е.Н. Бормонтов,
Е.Н. Берло
Издательско-полиграфический центр
Воронежского государственного университета
2009
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
s = e( n m n + p m p )
r r
Рассмотрим уравнение непрерывности (1) при условии j p = j n » 0 .
dn dp
В стационарном состоянии = = 0, и уравнения (1) и (1а) имеют
dt dt
простое и наглядное решение:
DpСТ = p - p0 = G pt p (5)
mn
где b = , то первое характеристическое соотношение фактически опреде-
mp
ляет зависимость стационарной фотопроводимости от длины волны падающего
света (λ) (область спектра) и его интенсивности (J) через G (l , J ) и t (l , J ) .
Скорость генерации зависит от l и J непосредственно, а t – по-
средством зависимости времени жизни от избыточной концентрации, которая
в свою очередь зависит от скорости генерации. Скорость генерации G опреде-
ляется интенсивностью света J и коэффициентом поглощения a . Пусть на
единицу поверхности слоя вещества толщиной dz, имеющего коэффициент
поглощения a , падает свет интенсивности J. Тогда количество световой энер-
гии, поглощаемой в единицу времени в единице объема этого вещества, будет
dJ
- = a J. (7)
dz
J
Ds CT = eba ( m nt n + m pt p ) . (9)
hw
Отношение фотопроводимости Ds к интенсивности света J опреде-
ляет удельную фоточувствительность полупроводника
Ds
SФ = . (10)
J
Если один из членов в скобках соотношения (9) значительно больше
другого, то фотопроводимость определяется носителями заряда одного
знака, и ее называют монополярной. В этом случае
J
Ds CT = ebatm . (11)
hw
Выражение для стационарного значения плотности фототока будет
иметь вид:
JE
jФ = Ds CT E = eba ( m nt n + m pt p ) . (12)
hw
l l l
электронов и дырок через образец будут t n = и tp = =
mn E Vp m p E .
Тогда, выразив значение напряженности поля через времена дрейфа
l l
E= = и подставив это значение E в (12), получим:
m pt p mntn
tn tp Jl
jФ = eba ( + ) . (13)
tn t p hw
Умножим выражение (13) на площадь поперечного сечения полупро-
водника S и учтем, что S × l = V есть объем полупроводника, а
jФ S = J Ф – фототок. Тогда выражение для фототока можно записать
tn t p JV
J Ф = e ba ( + ) . (14)
tn t p hw
Величина
tn tp
A=( + ) (15)
tn tp
носит название коэффициента усиления. Выражение для фототока (14)
называется вторым характеристическим соотношением для фоторези-
стивного эффекта. Если, кроме b , все величины, входящие в (14), извест-