Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Институт машиностроения, материалов и транспорта

Высшая школа автоматизации и робототехники
Направление: Полиграфические машины и автоматизированные комплексы

РЕФЕРАТ

Дисциплина: Наноматериалы и нанотехнологии в полиграфии

Тема: Нанолитография

Выполнил студент гр. 3341502/90101 Наумов В.А.

Руководитель Ваганов В.В.

«__» ______ 2020 г.

Санкт-Петербург

2020
 Содержание

Введение.....................................................................................................3

Задачи при разработке методов нанолитографии..................................7

Электронно-лучевая литография.............................................................8

Ионно-лучевая литография......................................................................9

Рентгеновская литография.....................................................................10

Литография в жестком ультрафиолетовом излучении........................11

Микроконтактная печать........................................................................12

Зондовые методы.....................................................................................12

Нанолитография с погружным пером...................................................14

Наноимпринтинг.....................................................................................16

Выводы.....................................................................................................20

Список использованной литературы.....................................................21

 Введение

Нанопечатная литография — технология, предназначенная для

переноса изображения наноструктуры или электронной схемы на подложку с

покрытием и включающая деформацию покрытия штампом с последующим

травлением деформированного покрытия и формированием на подложке

наноструктуры или элементов электронной схемы.

В нанопечатной литографии изображение образуется за счёт

механической деформации полимерного покрытия (резиста) пресс-формой

(штампом), а не путём изменения химической структуры покрытия с

помощью облучения, как в литографии с экспонированием. Исключение из

технологического процесса облучения резиста через маску упрощает

производство. С помощью нанопечатной литографии можно получать

наноструктуры размером менее 10 нм на достаточно больших площадях, что

недоступно для всех других методов литографии

 Литография первоначально обозначала способ печатания изображений:

рисунок сначала наносили на плоскую поверхность камня, а затем делали

оттиск с него на другом материале. Во второй половине XX в. им стали

называть и процессы переноса рисунков электрических схем в производстве

микроэлектроники. Ее смысл и главная цель заключаются в переносе

изображения на подложку. Современная промышленная микро- и

нанолитография использует, главным образом, оптический способ переноса

рисунка с шаблона на поверхность подложки, в связи с чем сам процесс

часто называют фотолитографией. Существенной частью этого процесса

является изготовление фотошаблона с необходимым рисунком и нанесение

на поверх-

С помощью ультрафиолетового, рентгеновского или другого источника

электромагнитного излучения резист экспонируется через фотошаблон.

Последний может лежать на поверхности резиста (контактная печать) или

находиться на расстоянии от него (проекционная печать). Во втором случае

изображение фотошаблона проектируется на поверхность резиста с

уменьшением в несколько раз с помощью оптической системы. При этом

размеры всех элементов на фотошаблоне могут быть в 4-5 раз больше, чем на

изготавливаемой микросхеме, и требования к точности изготовления

шаблона существенно снижаются. Далее на фоторезист действуют

селективным химическим травителем. Проэкспонированные участки резиста

стравливаются со скоростью, во много раз отличающейся от

неэкспонированной (если с большей - то получается позитивное изображение

шаблона, если с меньшей - негативное). При длительном травлении рисунок

начинает вытравливаться и на подложке (кремний, диоксид кремния, металл

и др.). В этой связи становится понятным, почему пленка, наносимая на

поверхность подложки, называется резистом.

Показанная на рис. 1 схема оптической литографии сильно упрощена.

Реальный процесс содержит гораздо больше стадий (операции нанесения и

закрепления резиста на окисленной поверхности кремния, тщательное

позиционирование трафаретов, различные виды обработок резиста и

оксидного слоя после фотоэкспозиции и т.д.). Но они не имеют

принципиального значения для нашего обсуждения, поскольку не

лимитируют дальнейшее снижение размеров рисунка изготавливаемой

микросхемы.
 Рис.1. – «Схема оптической литографии»

Использование оптического (наиболее удобного и освоенного) способа

литографии предопределяет физический предел миниатюризации до

нескольких десятков нанометров (да и то, только в случае экспонирования

резиста коротковолновым ультрафиолетовым источником). Для дальнейшего

повышения разрешения необходимо или применять более жесткое излучение

(рентгеновское, электронное, ионное), или переходить к альтернативным

технологиям[1,c.112].
 Задачи при разработке методов нанолитографии

Общими задачами при разработке альтернативных методов

нанолитографии являются:

• высокая производительность;

• высокая точность установки и совмещения масок-шаблонов для

каждого слоя создаваемой многослойной структуры;

• мощные источники излучения, монохроматичные, стабильные во

времени;

• необходимость для каждого отдельного изображения (а их для

производства одной БИС требуется до нескольких десятков) своей маски,

причем в областях пропускания она должна передавать излучение без

искажений, а в областях поглощения излучения не должна сильно

нагреваться, деформироваться и искажать переносимый на подложку

рисунок;

• подбор высокочувствительного (чтобы позволить установить

меньшую экспозицию при облучении) и контрастного (для обеспечения

высокого разрешения) резиста.

 Рассмотрим имеющиеся предложения и наработки, направленные на

дальнейшее улучшение разрешения в нанолитографических процессах.

Электронно-лучевая литография

Она может быть реализована двумя способами: проекционным, с

помощью расфокусированного пучка, облучающего всю подложку сразу, и

точечным, посредством хорошо сфокусированного пучка. В первом случае

необходима маска-шаблон (как и в проекционной оптической литографии), а

во втором - нет (пунктирная стрелка справа на рис. 5.8). При этом

достигнутое к настоящему времени разрешение со- ставтяет около 32 и 10 нм

соответственно. Однако несмотря на большее разрешение, безмасочная

литография обладает серьезным недостатком - низкой производительностью,

поскольку объект обрабатывается последовательно, от точки к точке. Из-за

этого она может применяться лишь в производстве высокоточных масок,

которые затем используют многократно. Ряд эффектов препятствует

дальнейшему увеличению разрешения: кулоновское отталкивание

электронов в пучке, дробовой шум (следствие дискретности потока

электронов, становящееся заметным при малых токах в пучке нанометрового

диаметра), рассеяние электронов в резисте и др. Такие явления приводят к

размытию формируемого изображения, т.е. к понижению разрешения.

 Ионно-лучевая литография.

В целом она весьма похожа на электронно-лучевую. Однако благодаря

гораздо меньшей эквивалентной длине волны (для ионов гелия X = 5 • 10 5

нм при ускоряющем напряжении U - 0 кВ, в то время как для электронов X =

410-3 нм при том же напряжении) дает возможность работать при

значительно меньшей апертуре. Это позволяет создавать большую глубину

резкости изображения и экспонировать за один прием большую площадь (~ 1

см2) при проекционной литографии с возможностью уменьшения

изображения в 3^1 раза. Вместе с тем проекционная печать требует двух

комплиментарных масок на каждый рисунок, которые должны

позиционироваться с очень высокой точностью относительно друг друга

(порядка нескольких нанометров). Ионно-лучевая литография может быть

осуществлена и сфокусированным пучком ионов диаметром 5... 10 нм.

Отметим более высокую чувствительность резистов к ионным пучкам,

нежели к электронным, а также возможность работы прямо по поверхности

кремния без нанесения резиста (прямым распылением подложки). К

недостаткам ионно-лучевой литографии можно отнести опасность

возникновения радиационных повреждений подложки. Эти и другие

трудности делают ионную литографию менее развитой, чем электронная.

 Рентгеновская литография.

Она может быть осуществлена с помощью пучка фотонов с X < 1 нм.

Препятствием для быстрой массовой реализации является необходимость

использования мощного и весьма громоздкого источника излучения

(например, синхротрона), а также предварительного изготовления

высокоточных масок в масштабе 1:1. Последнее условие является следствием

невозможности сфокусировать рентгеновский пучок аналогично

оптическому, электронному или ионному. В результате отсутствует

возможность получать на кремниевой подложке значительно уменьшенное

(относительно масштаба шаблона-матрицы) изображение и добиваться

дополнительной миниатюризации за счет этого.

 Литография в жестком ультрафиолетовом излучении.

В качестве источника такового предлагается использовать плазму

газового разряда. Основные проблемы - создание высокоточных,

бездефектных масок и мощных источников ультрафиолетового излучения.

При требуемой длине волны X ~ 10 нм необходимая мощность

излучения составляет около 100 Вт в полосе 5А.~ 0,25 нм.

 Рассмотрим также альтернативные (нелучевые) методы

нанолитографии.

Микроконтактная печать.

Этот метод весьма похож на типографскую печать со свинцовых

матриц. Однако он требует высокоточных шаблонов, специфических

полимерных материалов для перенесения рисунка с матрицы на подложку,

покрытую золотом или серебром, и пока имеет невысокое разрешение (~ 100

им).

Зондовые методы.

Зондовые методы, принципы которых описаны в гл. 3, потенциально

обладают очень высоким разрешением (1...10 нм), относительной простотой

осуществления и требуемого оборудования. Однако производительность

такого «письма нанопером» ограничивается максимально допустимой

скоростью латерального движения зонда (~ 100 мкм/с), т.е. приблизительно

103 элементов в секунду. Значительно увеличить производительность можно

с помощью матриц, содержащих 103—104 зондов, работающих

одновременно. Подобные системы разрабатываются рядом корпораций (в

частности IBM) для последующего использования в устройствах

энергозависимой памяти большой емкости. В них планируется достичь

величину плотности записи информации (в виде наноотпечатков на

поверхности носителя) 1 ТБ/см2 при продолжительности ее надежного

сохранения в течение многих тысяч лет[2,c.293].

 Нанолитография с погружным пером

Нанолитография с погружным пером ( DPN ) - это метод литографии с

использованием сканирующего зонда , в котором наконечник атомно-

силового микроскопа (АСМ) используется для создания рисунков

непосредственно на различных веществах с помощью различных чернил.

Типичный пример этого метода - использование тиолатов алканов для

нанесения отпечатка на поверхность золота. Этот метод позволяет создавать

рисунки на поверхности размером менее 100 нанометров . DPN - это

нанотехнологический аналог погружной ручки (также называемой гусиным

пером ), где кончик кантилевера атомно-силового микроскопа действует как

«ручка», покрытая химическим соединением или смесью, действующей как

«чернила», и положить в контакт с подложкой, «бумагой». DPN позволяет

гибко напрямую наносить наноразмерные материалы на подложку. Недавние

достижения продемонстрировали массовое параллельное формирование

рисунка с использованием двумерных массивов из 55 000 наконечников. В

настоящее время эта технология применяется в химии , материаловедении и

науках о жизни и включает такие работы, как биологические наномассивы

сверхвысокой плотности и аддитивный ремонт фотошаблонов .

Прямая запись DPN - это метод прямой записи, поэтому его можно

использовать для литографии сверху вниз и снизу вверх. При работе сверху

вниз наконечники используются для доставки резиста к травлению на

поверхность, после чего выполняется стандартный процесс травления . В

восходящем направлении интересующий материал доставляется прямо на

поверхность через наконечники. Нанолитография с помощью пера

Уникальные преимущества Направленное размещение - прямая печать

различных материалов на существующих нано- и микроструктурах с

помощью реестра наноразмеров Прямая запись - создание произвольных

узоров без маски с разрешением элементов от 50 нм до 10 микрометров

Биосовместимость - разрешение от субклеточного до нанометрового в

условиях окружающей среды Масштабируемость - не зависит от силы, что

позволяет выполнять параллельное напыление.

 Наноимпринтинг

Способ считается самым перспективным из нелучевых методов

нанолитографии. По своей идее он напоминает технологию производства

грампластинок на виниловых дисках времен середины прошлого века. Она

заключалась во вдавливании металлической матрицы в разогретую

поверхность полимера. Предложено несколько вариантов осуществления

данного процесса в наномасштабе (рис. 2). Это может быть и буквальное

воспроизведение старой технологии на новом техническом уровне (рис.

2, а), и ряд модификаций, две из которых показаны на рис. 2, 6, в.

 Рис.2. – «Варианты наноимпринтинга»

В массовом производстве определяющую роль в выборе конкретной

технологии играют экономические соображения, в частности себестоимость

продукта, стоимость и сложность оборудования, оснастки (например, масок-

шаблонов), их надежность, стойкость (для масок - число циклов печати,

которые они выдерживают), стабильность получаемых результатов и

т.п[3,c.174].
 Преимущества технологии

Ключевым преимуществом литографии наноимпринтов является ее

простота. Самая большая стоимость, связанная с производством микросхем, -

это инструмент для оптической литографии, используемый для печати

схемных рисунков. Оптическая литография требует мощных эксимерных

лазеров и огромных наборов прецизионных шлифованных линз для

достижения разрешения в нанометровом масштабе. Нет необходимости в

сложной оптике или источниках излучения высокой энергии с

наноимпринтом. Нет необходимости в специально подобранных

фоторезистах, рассчитанных как на разрешение, так и на чувствительность

при заданной длине волны. Упрощенные требования к технологии

обуславливают ее невысокую стоимость. Силиконовые мастер-формы могут

использоваться до нескольких тысяч отпечатков, в то время как никелевые

формы могут служить до десяти тысяч циклов. Литография оттиска - это по

сути процесс создания трехмерного рисунка. Формы для оттисков можно

изготавливать с несколькими вертикальными слоями рельефа. Полученные

оттиски воспроизводят оба слоя за один шаг оттиска, что позволяет

производителям микросхем снизить затраты на изготовление микросхем и

повысить производительность. Как упоминалось выше, оттискный материал

не требует точной настройки для обеспечения высокого разрешения и

чувствительности. Для литографии оттиска доступен более широкий спектр

материалов с различными свойствами. Повышенная вариативность

материалов дает химикам свободу разрабатывать новые функциональные

материалы, а не протравливаемые полимеры. Функциональный материал

может быть отпечатан непосредственно с образованием слоя в чипе без

необходимости переноса рисунка на лежащие под ним материалы. Успешное

внедрение функционального импринт-материала приведет к значительному

снижению затрат и увеличению производительности за счет устранения

многих сложных этапов обработки изготовления микросхем.

 Выводы

Нанолитография - это простой процесс переноса, который не ограничен

ни дифракционными эффектами, ни эффектами рассеяния, ни вторичными

электронами и не требует сложной радиационной химии. Это также

потенциально простой и недорогой метод. Однако сохраняющимся барьером

для нанометрового нанесения является нынешняя зависимость от других

методов литографии для создания шаблона. Вполне возможно,

что самосборные структуры обеспечат окончательное решение для шаблонов

периодических паттернов в масштабах 10 нм и менее. Также можно решить

проблему генерации шаблонов с помощью программируемого шаблона в

схеме, основанной на двойном нанесении.

Новые методы, такие как иммерсионная литография, двухцветный

резист и многократное нанесение рисунков продолжайте улучшать

разрешение 193 нм литографии. Между тем, современные исследования

изучают альтернативы традиционному ультрафиолетовому излучению ,

такие как электронно-лучевая литография, рентгеновская литография,

экстремальная ультрафиолетовая литография и ионная проекционная

литография.
Список использованной литературы

1. Гусев, А.И. «Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии» /

А.И. Гусев. - М.: Физматлит, 2011. - 416 c
2. Мальцев, П.П. «Наноматериалы. Нанотехнологии.»2014 год /
П.П. Мальцев. - М.: Техносфера, 2008. - 432 c
3. Солнцев, Ю.П. «Нанотехнологии и специальные материалы» /
Ю.П. Солнцев. - СПб.: Химиздат, 2011. - 336 c.