КТ104Б

     Кремниевые планарно-эпитаксиальные p-n-p транзисторы, предназначены для работы в схемах радиовещательных приемников и в
другой аппаратуре.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
1...10 <50 (5) 3000 (5) 5 50 150
 КТ201А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в усилительных схемах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
20...60 <20 (5) 1000 (5) 10 20 150
 КТ201В
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в усилительных схемах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
20...60 <20 (5) 1000 (5) 10 20 150
 КТ301А
     Кремниевые планарные n-p-n транзисторы предназначены для усиления и генерации колебаний на частотах до 30 МГц.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
20...60 <10 (20) 2000 (5) 30 10 150
 КТ302А
     Кремниевые планарные n-p-n транзисторы предназначены для работы в усилителе кассетного магнитофона типа “Воронеж”.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
110...250 <7 (10) 300 (10) 100 10 100
 ГТ310
     Германиевые сплавно-диффузионные p-n-p транзисторы предназначены для работы в малогабаритных всеволновых радиовещательных
приемниках, телевизорах, магнитофонах, а также в другой аппаратуре.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
20...50 <4 (5) 300 (5) 160 10 20
 КТ312В
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
50...280 <3.5 (10) 500 (5) 120 30 225
 КТ3102Г
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для усиления электрических колебаний.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
400...1000 <6 (5) 100 (5) 300 100 250
 КТ315А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для усиления электрических колебаний.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
30...120 <7 (10) 300 (10) 250 100 150
 КТ315В
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для усиления электрических колебаний.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
 30...120 <7 (10) 500 (10) 250 100 150

КТ316А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в быстродействующих переключающих и
усилительных устройствах.
 Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
20...60 <3 (5) 150 (5) 600 50 150

КТ326А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные p-n-p транзисторы предназначены для работы в ВЧ и СВЧ усилителях и в переключающих
схемах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
20...70 <5 (5) 450 (5) 250 50 200

КТ339А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для применения в выходных каскадах УПЧ телевизоров и в
других схемах.
 Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
25...50 <2 (5) 25 (5) 300 25 260

КТ340В
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в схемах переключения.
 Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
35 <3.7 (5) 85 (5) 300 50 150

КТ342В
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в радиовещательных приемниках.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
400...1000 <8 (5) 700 (5) 300 50 250

ГТ346А
     Германиевые планарно-эпитаксиальные p-n-p транзисторы предназначены для использования в приемно-усилительной аппаратуре и в
селекторах телевизионных каналов дециметрового диапазона.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
10...150 <1.3 (5) 3 (5) 700 10 50

КТ358А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний
высокой частоты и в быстродействующих импульсных схемах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
10...100 <5 (10) 500 (10) 80 30 100
 КТ373А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в быстродействующих импульсных и в других
схемах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
100...250 <8 (5) 200 (5) 350 50 150
 КТ375А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в импульсных и других схемах радиотехнических
устройств.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
10...100 <5 (10) 300 (10) 250 100 200
 КТ503А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, узлах и
блоках радиоаппаратуры.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
40...120 <20 (5) 1000 (5) 50 150 350

КТ601А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в радиовещательных и телевизионных приемниках,
в приемно-усилительной аппаратуре и других устройствах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
15...300 <15 (20) 600 (50) 40 30 250
 КТ602А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для генерирования и усиления электрических колебаний в
радиовещательных и телевизионных приемниках, в приемно-усилительной аппаратуре и других устройствах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
20...80 <4 (50) 300 (10) 150 75 850
 КТ603А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах
вычислительных машин, в схемах генерирования и усиления электрических колебаний радиовещательных и телевизионных приемников, в
приемно-усилительной и другой аппаратуре.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
10...80 <15 (10) 400 (10) 200 300 500
 КТ604А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в схемах переключения, релаксационных
генераторах, усилителях напряжения, стабилизаторах напряжения и других схемах промышленной аппаратуры широкого применения.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
10...40 <7 (40) 800 (40) 40 200 800
 КТ605А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для использования в схемах переключения, релаксационных
генераторов, усилителей напряжения, стабилизаторов напряжения и в других схемах аппаратуры.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
10...40 <7 (40) 250 (20) 40 200 400
 КТ807А
     Кремниевые мезапланарные n-p-n транзисторы предназначены для работы в стабилизаторах напряжения, в схемах развертки телевизоров
и в других схемах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
15...45 <150 (10) 4000 (10) 5 500 1500
 КТ808А
     Кремниевые мезапланарные n-p-n транзисторы предназначены для работы в схемах переключения, строчной развертки телевизоров и в
других схемах.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
10...50 <500 (10) 2000 (10) 7.2 10000 5000
 КТ815А
     Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы предназначены для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках
аппаратуры.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
40...70 <60 (5) 1000 (10) 3 1500 1000
 КТ817А
     Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы предназначены для применения в ключевых и линейных схемах
аппаратуры.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
 25...30 <60 (10) 1000 (10) 3 3000 1000

КТ819А
     Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, узлах,
блоках аппаратуры.
 Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
15...30 <100 (10) 1500 (10) 3 10000 2500

КТ904А
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные n-p-n транзисторы предназначены для работы в схемах автогенераторов, усилителей мощности
УКВ и ДМВ диапазонов и в других схемах на частотах свыше 100 МГц.

Cк, пФ τос, пс
β, раз fгр, МГц Iк max, мА Pк max, мВт
(при Uкб, В) (при Uкб, В)
10 <12 (28) 15 (10) 350 800 5000

КП103Е
     Кремниевые диффузионно-планарные транзисторы с управляющим p-n переходом и каналом p-типа предназначены для работы во
входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока и в ключевых каскадах.

при Uси, В
Uси max, В Iс max, мА С11и,* пФ С12и,** пФ С22и,*** пФ Pmax, мВт
и Uзи, В
10
10 - 20 8 1 7
0
*
С11и - входная емкость в схеме с ОИ
**
С12и - проходная емкость в схеме с ОИ
***
С22и - выходная емкость в схеме с ОИ

КП103Л
     Кремниевые диффузионно-планарные транзисторы с управляющим p-n переходом и каналом p-типа предназначены для работы во
входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока и в ключевых каскадах.

при Uси, В
Uси max, В Iс max, мА С11и,* пФ С12и,** пФ С22и,*** пФ Pmax, мВт
и Uзи, В
10
12 - 20 8 1 66
0
*
С11и - входная емкость в схеме с ОИ
**
С12и - проходная емкость в схеме с ОИ
***
С22и - выходная емкость в схеме с ОИ

КП302А
     Кремниевые планарные транзисторы с каналом n-типа и диффузионным затвором предназначены для работы в приемной, усилительной
и другой аппаратуре.

при Uси, В
Uси max, В Iс max, мА С11и,* пФ С12и,** пФ С22и,*** пФ Pmax, мВт
и Uзи, В
10
20 24 20 8 7.1 300
0
*
С11и - входная емкость в схеме с ОИ
**
С12и - проходная емкость в схеме с ОИ
***
С22и - выходная емкость в схеме с ОИ

КП303В
     Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы с управляющим p-n переходом и каналом n-типа предназначены для использования
в радиовещательной, приемно-усилительной, телевизионной и другой аппаратуре.

при Uси, В
Uси max, В Iс max, мА С11и,* пФ С12и,** пФ С22и,*** пФ Pmax, мВт
и Uзи, В
10
25 20 6 2 1.3 200
0
*
С11и - входная емкость в схеме с ОИ
**
С12и - проходная емкость в схеме с ОИ
***
С22и - выходная емкость в схеме с ОИ
 КП312А
     Кремниевые планарные-эпитаксиальные транзисторы с управляющим p-n переходом и каналом n-типа предназначены для работы в
усилителях высокочастотных сигналов входных каскадов радиоприемных устройств с повышенной чувствительностью.

при Uси, В
Uси max, В Iс max, мА С11и,* пФ С12и,** пФ С22и,*** пФ Pmax, мВт
и Uзи, В
15
20 25 4 1 0.3 100
0
*
С11и - входная емкость в схеме с ОИ
**
С12и - проходная емкость в схеме с ОИ
***
С22и - выходная емкость в схеме с ОИ
 ТРАНЗИСТОРЫ
И ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ