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2 – OBJETIVOS ............................................................................................................... 4
3 – MATERIAIS E MÉTODOS....................................................................................... 4
5 – CONCLUSÕES ........................................................................................................ 11
BIBLIOGRAFIA ............................................................................................................ 12
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1 – INTRODUÇÃO TÉORICA
Um diodo de potência é um dispositivo composto por junção pn de dois terminais.
Segundo Rashid [1], um diodo em condução tem uma queda de tensão direta (𝑉𝐷 > 0)
relativamente pequena, cuja magnitude depende do processo de fabricação e da
temperatura da junção. Quando o potencial no catodo é positivo em relação ao anodo,
diz-se que o diodo está reversamente polarizado, e 𝑉𝐷 < 0. Em condições de
polarização reversa, uma pequena corrente reversa flui, e a amplitude dessa corrente de
fuga aumenta lentamente com a tensão reversa até que a tensão de avalanche ou zener
seja alcançada.
Figura 1 – Junção pn
Então, foi obtida uma tabela de dados, contendo os valores da corrente no diodo, das
tensões no gerador, no diodo e no resistor.
Em posse desses dados, foi possível traçar uma curva correspondente ao diodo da
professora e outra curva correspondente ao diodo simulado pelos alunos, conforme
mostram as Figuras [11] e [12].
A partir das figuras e utilizando o valor de VBI de cada diodo, foi possível obter os
valores das correntes correspondentes de cada diodo. Esses dados foram aplicados na
formulação obtida para a associação em série e paralelo, e dessa maneira foi possível
obter os valores das resistências para cada caso.
4 – RESULTADOS E DISCUSSÕES
1) Medidas obtidas
As tensões no gerador, no diodo e no resistor encontradas estão anexadas em formato
txt, já que a quantidade de valores é muito elevada e mantê-los separadamente dá maior
clareza ao relatório.
2) Análise da corrente no diodo
Ao plotar a corrente que passa pelo diodo em função do tempo, foi possível obter os
seguintes gráficos:
6
Isolando para R1 :
VD1 (6)
R1 =
VD2
R 2 + ID2 − ID1
Substituindo os valores:
0,7 (7)
R1 =
1
R 2 + 0,1m − 0,07m
Assim, é possível escolher qualquer valor para R1 . Por exemplo, para R1 = 500Ω,
R 2 = 730Ω
5) Diodos conectados em paralelo
Similarmente ao item anterior, mas agora para o circuito da Figura [3], considerando as
mesmas tensões e correntes, é possível obter também as resistências.
Da Equação [4]:
VD1 + VR1 = VD2 + VR2 (8)
Sabendo que IR1 = ID1 e IR2 = ID2 :
VD1 + 𝑅1 ID1 = VD2 + 𝑅2 ID2 (9)
Isolando para 𝑅1 :
VD2 + 𝑅2 ID2 − VD1 (10)
𝑅1 =
ID1
Substituindo os valores:
1 + 𝑅2 0,1m − 0,7 (11)
R1 =
0,07m
Assim, é possível escolher qualquer valor para R1 . Por exemplo, para R1 = 1000Ω,
R 2 = 2,3𝑘Ω
5 – CONCLUSÕES
Utilizando o software AIM-SPICE, foi possível simular o comportamento de um diodo
de potência. Diferente do diodo visto em Eletrônica I (análise básica), pôde-se,
experimentalmente, visualizar situações que o diodo se comporta de maneiras distintas.
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É possível variar alguns parâmetros que outros simuladores de circuito não possibilitam.
Como por exemplo a corrente reversa (Is), resistência (Rs), coeficiente de emissão (N),
barreira de potencial (VJ), tempo de transição (TT) e corrente reversa de ruptura (IBV).
Assim é possível entender, variando esses parâmetros, o comportamento do diodo de
potência que apresentar detalhes diferentes do diodo comum. Através da simulação e a
análise feita através do MATLAB, as resistências puderam ser calculadas de forma a
obter um circuito que atenda as especificações desejadas.
BIBLIOGRAFIA
[1] RASHID, Muhammad H. Eletrônica de Potência: Dispositivos, circuitos e
aplicações. 4ª. Ed. São Paulo: Pearson, 2014.
[2] AIM-SPICE. Automatic Integrated Circuit Modeling. Disponível em:
www.aimspice.com.
[3] MATLAB M. The language of technical computing. The MathWorks, Inc, 2016.
Disponível em: http://www mathworks.com.