оглавление

ВВЕДЕНИЕ..................................................................................................................3
1. РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКАЯ РАБОТА.......................................................3
2. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ.....................................................................6
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК......................................................................12

2
 ВВЕДЕНИЕ
Цель расчетно-графической работы активизация самостоятельной
учебной работы студентов, развитие умений выполнять информационный
поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и
характеристики, эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить
разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
Каждый студент выполняет расчетно-графическую работу по общим
правилам и алгоритмам, но в соответствии с индивидуальным вариантом
исходных данных, который он сам выбирает на установочной консультации
преподавателя. Варианты заданий должны быть утверждены преподавателем.
Для студентов заочной формы обучения, не имевших возможности быть
на установочной консультации, вариант задания может быть выбран в
соответствии с двумя последними цифрами номера студенческого билета
непосредственно (если цифры менее 50, 25, 40 соответственно), либо после
вычета этих чисел (50, 25 или 40) необходимое число раз.
Расчетно-графическую работу рекомендуется оформлять в отдельной
ученической тетради либо на листах писчей бумаги стандартного формата,
вычерчивая графики на миллиметровой бумаге. Ответы на вопросы должны
быть исчерпывающими по существу и лаконичными по форме. При проведении
расчетов следует приводить общие и окончательные расчетные формулы,
выполнять в явном виде подстановку числовых значений, указывать
размерности. Решение сопровождать краткими пояснениями,
библиографическими ссылками.

1. РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКАЯ РАБОТА
Для выбранного типа биполярного транзистора выписать паспортные
параметры и характеристики, в соответствии со схемой включения и
величинами элементов схемы выбрать положение режима покоя, для которого
и определить величины элементов эквивалентных схем транзистора и

3
малосигнальные параметры транзистора и усилительного каскада. Варианты
заданий приведены в табл. 1.
Таблица 1
Биполярные транзисторы (варианты заданий)
№ Транзистор Еп, В Rк, кОм Rн, кОм
задания
1 ГТ320Б 7 0,15 0,25
2 ГТ305В 14 0,8 1,5
3 КТ301Ж 14 2,8 4
4 ГТ313Б 7 1,6 2,2
5 КТ904А 20 0,4 0,7
6 ГТ321Е 8 0,07 0,25
7 П608А 25 0,12 0,3
8 ГТ309Б 6 2,5 2
9 П601И 18 0,35 0,6
10 ГТ308А 9 2 1,5
11 2Т301Е 12 2,2 3
12 КТ602А 50 1,8 2
13 ГТ322А 8 1,5 2
14 ГТ310В 6 1,4 2
15 КТ315В 18 1,5 2
16 П607 16 0,15 0,4
17 ГТ310Б 9 1,6 1,8
18 КТ312А 12 0,6 1,2
19 ГТ309Д 10 1,3 1,8
20 КТ603Д 9 0,15 0,5
21 ГТ321Е 9 0,08 0,3
22 КТ315В 20 1,4 2,1
23 КТ312Б 25 1,2 1,5
24 ГТ330Е 6 0,8 1,2
25 ГТ305Б 10 0,4 1,5

Содержание работы и отчета:

1. Титульный лист, аннотация, содержание.
2. Исходные данные – тип транзистора, величина напряжения питания ЕП,
сопротивления коллекторной нагрузки RK, и нагрузки. RH, схема включения – с
общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно-емкостной
связью с нагрузкой. Схема включения транзистора приведена на рис. 1.

4
 – Еп
Rб Rк
СС

CC VT
Rн Uвых
Uвх

Рис. 1. Схема включения транзистора с общин эмиттером с фиксированным током базы.

3. Справочные данные: описание транзистора, электрические параметры,
предельные эксплуатационные данные, семейства входных и. выходных
характеристик, зависимости параметров транзистора от режимов работы.
4. Нарисовать нагрузочную прямую по постоянному току.
5. Выбрать положение рабочей точки, (режим покоя), определить,
величину Rб – сопротивления задающего ток базы.
6. Определить Н-параметры в рабочей точке.
7. Вычислить G-параметры.
8. Записать неопределенную матрицу G-параметров транзистора и
матрицы G-параметров для включений транзистора в схемах с общей базой и с
общим коллектором.
9. Определить величины элементов схемы Джиаколетто – физической
эквивалентной малосигнальной высокочастотной схемы биполярного
транзистора и coбственную постоянную времени транзистора .
10. Определить граничные и продольные частоты транзистора fт,. f, fs, fгрн.
11. Записать матрицу Y-параметров транзистора в схеме включения с
общим эмиттером и построить зависимости модулей Y21 от () и Y11 от().
12. Определять сопротивление нагрузки транзистора по переменному
току R~ и построить нагрузочную пряную по переменному току.
13. Графически определить коэффициенты усиления усилительного
каскада по току КI и по напряжению КU.
14. Выводы и замечания по работе.
15. Библиографический список.

5
 2. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
1. Возьмите 2–3 справочника по транзисторам [19–24] разных лет
издания (в более ранних найдете статические характеристики, в поздних –
полнее представлены параметры и могут быть зависимости параметров от
режима работы транзистора). Выпишите электрические параметры транзистора
с указанием условий их измерения. На миллиметровую бумагу перенесите
семейства входных и выходных характеристик (при необходимости для более
удобного графического определения параметров вблизи рабочей точки,
изменив масштабы пo осям). Перерисуйте зависимости граничной частоты
постоянной времени обратной связи от режима (при их наличии). Не забудьте,
указать источники информации, в библиографическом списке и ссылкой в
тексте.
2. На семействе выходных характеристик постройте нагрузочную прямую
по постоянному току согласно ее уравнению:
Eп  U кэ
Iк  ,
Rк

E
по двум точкам – при Iк, Uкэ = Eп,, и при Uкэ = 0, I К  R .
п

3. В режим покоя выберите рабочую точку на нагрузочной прямой

примерно посередине между режимами отсечки и насыщения, в точке ее
пересечения с ближайшей выходной характеристикой. При отсутствии таковой
достройте дополнительную характеристику, или характеристики, с учетом
закономерностей хода характеристик, приведенных в справочнике.
Зафиксируйте параметры режима покоя – Iбо, Uбэс, Iок, Uкэо Чтобы обеспечить
работу транзистора в этом режиме, величину сопротивления RБ выберите из
условия:
EП  U бэ0
RБ 
I б0

4. Графически определите Н-параметры:

6
 U бэ I I к
H11Э  U const ,H 21Э  к U , H 22 Э  .
I б кэ =
I б кэ U кэ Iб

Для повышения точности расчетов приращения IK, Iб, Uбэ, Uкэ

возьмите симметрично относительно рабочей точки. Примем среднюю
величину Н12Э = 3 104 для всех типов транзисторов и рабочих точек. Величины
G-параметров в рабочей точке определим путем пересчета матриц:
1  1 Н 
 G  
12 Э
,
H11Э  Н 21Э Н 

H  H11H 22  H12 H 21
5. Для обеспечения возможности контроля и корректировки расчетов
записи всех расчетов производите по образцу:
U U 217  37  В 
R 2 1
  20МОм .
I 2  I1 14  5  мкА 

6. Матрицы G-параметров транзистора для других схем включения

определим, воспользовавшись неопределенной (вырожденной, особенной)
матрицей:
Б К Э
Б G11 G12 (G11  G12 )
,
 G   К G21 G22 (G21  G22 )
Э (G21  G11 ) (G21  G22 ) G
где  G G
21  G11  G32  G12  G21  G11  S3 .

С учетом типичного соотношения величин G-параметров

G21 >> G1 1>> G22> G12, G21 = S.
Упростим и запишем
Б Э
Б G11 G11
 G К 
Э  S3 S
3

для включения с общим коллектором,

Э К
Э S3 (G22  G12 )
 G Б 
К  S3 G22

7
для включения с общей базой.
Место положения параметров в матрице соответствует канонической
форме записи уравнений токов и напряжений четырехполюсника в системе Y-
параметров и соответственно их физическому смыслу (входная проводимость и
т. д.). Индексы же соответствуют схеме включения транзистора с общим
эмиттером.
7. Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора
(рис. 2) и собственная постоянная времени транзистора определяются
соотношениями (упрощенными):
1
rКЭ  ,
G
22Э

H 21Э
r ,
G32 Э

U кб
C К  CК пасп
пасп U кб

rбэ  rэ  ( H 21э  1)

26
rЭ   Ом  ,
I Э0 мА 

ос
rб  1,5 ,
CК

1
С 
э  rэ ,
Т

G21
S ,
1  j

  (C1  C2 )(rб rбэ )  СЭ rб

8
 Ск

Б rб К

rк

rкэ
rбэ Cэ SUвх

Э Э

Рис. 2. Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного

транзистора (схема Джиаколетто)
8. Граничные и предельные частоты транзистора могут быть
непосредственно приведены в справочниках (например, fгр = fт), либо оценены
по соотношениям:
fт= H 21 Э fизм,
где H 21Э – модуль коэффициента передачи по току на высоких частотах, (в
справочнике: не менее «_»),
fизм – частота на которой он измерен,
fТ
f 
β H 21Э  1 ,

fТ
f ГЕН  ,
8  rб  CК

f  1,5 f Т .
α
1
f 
s 2 .

9. Матрица Y-параметров транзистора определяется выражением:

9
 G11  j / rб G12  jCк
1  j 1  j
Y  ,
S  C r 
C22  jCк  1  21 б 
1  j  1  j 

а модули Y21 и Y11:

S
Y21 (ω)  ,
1  () 2

G11  () 2 / rб  2 2 (G11  1/ rб ) 2

Y11 ()  .
1  ( ω)2

Для построения графиков зависимостей необходимо рассчитать величины

1 2 4 10
модулей для 5–8 точек (например,   0; ; ; ; и др.).
2   
В пояснительной записке приводится таблица результатов расчетов и
отмечаются точки на графиках.
10. Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току
Rк Rн
R  Rк R н  .
Rк  Rн

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима

покоя(Uкэ0, I0к) и точку с координатами Iк = 0
Uкэ = Uкэ0+I0кR~.
11. Динамические коэффициенты усиления КI, КU определяются
соотношениями
I к
КI  ,
I б

U кэ
КU  ,
I бэ

где приращения Iк, Iб, Uкэ берутся по нагрузочной прямой для переменного
тока на семействе выходных характеристик вблизи режима покоя
(симметрично), a Uбэ – соответственно на входной характеристик для
активного режима работы транзистора.
12. В выводах и замечаниях по работе желательно отразить:
– что, на ваш взгляд, наиболее полезно для вас как результат выполнения
10
 данного контрольного задания;
– что вызвало наибольшие трудности;
– затраты вашего времени на выполнение.

11
 БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Шишкин, Г.Г. Электроника [Текст]: учебник для бакалавров,
обучающихся по направлению 210300 «Радиотехника» / Г.Г. Шишкин,
А.Г. Шишкин. − 2-е изд., испр. и доп. – М.: Юрайт, 2014.− 702 с.
2. Игнатов, А.Н. Микросхемотехника и наноэлектроника [Текст]:
учебное пособие для студентов вузов, обучающихся по направлению подгот.
дипломир. специалистов 210400 «Телекоммуникации» / А.Н. Игнатов.− СПб.:
Лань, 2011. – 528 с.
3. Щука, А.А. Электроника [Текст]: учебное пособие / А.А. Щука; под
ред. А.С. Сигова. – СПб.: БХВ – Петербург, 2005. − 800 с.
4. Электронные приборы [Текст]: учебник / В.Н. Дулин [и др.]; под
ред. Г.Г. Шишкина. – 4-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергоатомиздат, 1989. –
496 с.
5. Батушев, В.А. Электронные приборы [Текст]: учебник для вузов /
В.А. Батушев. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1980. - 383 с.
6. Булычев, А.Л. Электронные приборы [Текст]: учебник /
А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов. – М.: Лайт Лтд., 2001. – 416 с.
7. Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы [Текст]: учебник для
вузов / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. – 5-е изд., испр. - СПб.: Лань, 2001. – 480 с.
8. Пасынков, В.В. Материалы электронной техники [Текст]: учебник
для вузов / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. – СПб.: Лань, 2001. – 368 с.
9. Гусев, В.Г. Электроника [Текст]: учебное пособие / В.Г. Гусев,
Ю.М. Гусев. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1991. - 621 с.
10. Елфимов, В.И. Основы теории p-n-перехода [Текст]: учебное
пособие / В.И. Елфимов, Н.С. Устыленко. − Екатеринбург: Изд-во УМЦ УПИ,
2000. –55 с.
11. Епифанов, Г.И. Физика твердого тела [Текст]: учебное пособие для
втузов / Г.И. Епифанов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1977. –
288 с.

12
 12. Ржевкин, К.С. Физические принципы действия полупроводниковых
приборов [Текст] / К.С. Ржевкин. − М.: Изд-во МГУ, 1986. − 256 с.
13. Тугов, Н.М. Полупроводниковые приборы [Текст]: учебник для
вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под. ред. В.А. Лабунцова. − М.:
Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.
14. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов [Текст]: Кн. 1. Пер. с
англ. - М.: Мир, 1984. – 456 с.
15. Антипов, Б.Л. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы
[Текст]: учебное пособие для вузов / Б.Л. Антипов, В.С. Сорокин, В.А. Терехов;
под ред. В.А. Терехова. – 2-е изд. – СПб.: Лань, 2001. – 208 с.
16. Жеребцов, И.П. Основы электроники [Текст]: учебное пособие для
вузов / И. П. Жеребцов. - 5-е изд., перераб. и доп. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. –
352 с.
17. Рычина, Т.А. Устройства функциональной электроники и
электрорадиоэлементы [Текст] / Т.А. Рычина, А.В. Зеленский. - М.: Радио и
связь, 1989. – 352 с.
18. Денискин, Ю.Д. Электронные приборы [Текст]: учебное пособие
для вузов / Ю.Д. Денискин, А.А. Жигарев, Л.П. Смирнов; под ред.
Р.А. Нилендера. - М.: Энергия, 1980. – 280 с.
19. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и
интегральным схемам [Текст] / под общ. ред. Н.Н. Горюнова. - 4-е изд.,
перераб. и доп. - М.: Энергия, 1976. – 744 с.
20. Полупроводниковые приборы. Транзисторы [Текст]: справочник /
под общ. ред. Н.Н. Горюнова. - 2-е изд., перераб. - М.: Энергоатомиздат, 1985. –
904 с.
21. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности [Текст]:
справочник / под ред. А.В. Голомедова. - 2-е изд., стереотип. - М.: Радио и связь,
1994. – 384 с.

13
 22. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой
мощности [Текст]: справочник / под ред. А.В. Голомедова. - 2-е изд.,
стереотип. – М.: Радио и связь, 1994. – 640 с.
23. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы [Текст]:
справочник / под ред. А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь, 1985. - 560 с.
24. Петухов, В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы.
Дополнение, первое [Текст]: справочник / В.М. Петухов. – М.: Рикел, Радио и
связь, 1994. – 232 с.
25. Устыленко, Н.С. Исследование характеристик и параметров
биполярного транзистора в схеме включения с общей базой [Текст]:
методические указания к выполнению лабораторной работы / Н.С. Устыленко,
В.И. Елфимов. – Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2005. – 33 с.

14
 Учебный электронный текстовый ресурс

Дурнаков Андрей Адольфович

Елфимов Вячеслав Ильич

ЭЛЕКТРОНИКА

Подготовка к публикации
Компьютерная верстка А.А. Дурнакова

Рекомендовано Методическим советом

Разрешено к публикации
Электронный формат - pdf
Объем 0,7 уч.-изд. л.

620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19

Информационный портал УрФУ

http://www.urfu.ru