Вы находитесь на странице: 1из 47

INFSEMI_2Text.fm, стр.

466 из 590 (September 6, 2010, 19:36)

13.„ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ
466 13. Электромагнитная совместимость
СОВМЕСТИМОСТЬ

13.1. Основные понятия


Электромагнитная совместимость (Electro Электромагнитная совместимость (EMC)
Magnetic Combatibility — EMC) — это спо
собность электрооборудования удовлетво
рительно функционировать в условиях Электромагнитные Электромагнитная
излучения (EMI) чувствительность (EMS)
электромагнитных воздействий со стороны
окружающей среды, а также не оказывать
недопустимого воздействия на эту окружа Наведён* Излучаемые Устойчивость Устойчивость
ющую среду, которая включает в себя дру ные помехи помехи к наведённым к излучаемым
помехам помехам
гое электрооборудование.
*'Ток помехи *'Электри* *'Ток помехи *'Электри*
В последнее время пристальное внима *'Напряже* ческое *'Напряже* ческое
ние уделяется вопросам обеспечения элект ние помех поле ние помех поле
ромагнитной совместимости электронных *'Магнитное *'Магнитное
поле поле
устройств и модулей с их отдельными узла *'Электро* *'Электро*
ми и компонентами. В данной главе мы рас магнитное магнитное
поле поле
смотрим эти вопросы применительно к по
лупроводниковым интегральным схемам
(ИС), поскольку они часто являются источ Рис. 13.1. Различные аспекты электромагнит
никами (излучателями) или приёмниками ной совместимости.
электромагнитных помех в электронных
устройствах. Рост требований к дальнейше зультат технических процессов. Примерами
му улучшению характеристик электромаг естественных помех могут служить атмос
нитной совместимости обусловлен тем, что ферные разряды (электромагнитные им
область применения электронных устройств пульсы, возникающие при ударе молнии)
постоянно расширяется. Системные реше или электростатические разряды (Electro
ния на основе микроэлектроники и полу Static Discharge — ESD). Последние имеют
проводниковой электроники применяются особенно большое значение в полупровод
во всех сферах промышленности, домашне никовой электронике. В промышленном
го хозяйства и на транспорте. В настоящее оборудовании основным источником помех
время оценка продукции с точки зрения являются процессы переключения в элект
EMC необходима в ещё большей степени, рических цепях, связанные с очень быст
чем на ранних этапах развития электроники. рым изменением токов и напряжений, что,
Основные понятия электромагнитной в свою очередь, ведёт к появлению электро
совместимости рассматривают воздействие магнитных помех, которые могут быть пе
как излучаемых, так и кондуктивных помех риодическими или случайными. Воздейс
(наводки), распространяющихся по провод твие этих помех может носить как кондук
никам (например, наводки по цепям пита тивный (в виде наводки на токи или напря
ния), а также чувствительность электрообо жения в проводниках), так и излучательный
рудования к воздействию помех (помехоус (под влиянием переменного электромаг
тойчивость). При этом характеристики нитного поля) характер.
электромагнитной совместимости могут оп Тип кондуктивной помехи, когда наве
ределяться в полосе частот 0…400 ГГц. Взаи дённый в проводниках ток имеет знак, т.е. с
мосвязь основных понятий электромагнит одинаковой амплитудой протекает как в
ной совместимости приведена на Рис. 13.1. прямом, так и в обратном направлении, на
зывается симметричной, или дифференци
13.1.1. Природа электромагнитных альной, помехой. Если ток помехи замыка
помех ется на землю или протекает по проводнику
в одном направлении, то такая помеха на
Электромагнитные помехи возникают
зывается асимметричной, или синфазной.
вследствие природных явлений или как ре
INFSEMI_2Text.fm, стр. 467 из 590 (September 6, 2010, 19:29)

13.1. Основные понятия „ 467

Периодические помехи Апериодические помехи


Узкополосные Широкополосные Узкополосные Широкополосные
∧ ∧ –δt
∧ 0 ≤ t ≤ τ, x(t) = x
x(t) = xsin(ωt) x(t) = x(t) = xe cos(ω0t)

τ ≤ t ≤ T – τ, x(t) = 0 x
x ∧
∧ x
x x
x e–δt
Временная ∧
область x
t τ
T
T t t t tr t
T
A A A A
∧ ∧
∧ 2x –20 дБ
∧ 2x x —
Частотная x — — τ
π 2δ –40 дБ
область

1/T f 1/T1/t 2/t f 1/T lg f 1/π τ 1/π tr lgf

Рис. 13.2. Представления различных сигналов помех в частотной и временной области.

Электромагнитная связь между источни жены» в частотный спектр с помощью пре


ком и приёмником помех может возникать образования Фурье. Ниже в данном разделе
в результате: приведены аппроксимирующие выраже
 гальванической связи (наиболее распро ния, которые можно использовать при рас
странённый случай), которая создаёт чёте амплитуд и частот излома для трапецеи
симметричные помехи; дальных сигналов. Пример такого сигнала
 ёмкостной связи, возникающей в резуль показан на Рис. 13.3, а соответствующая ему
тате воздействия переменного электри аппроксимирующая огибающая спектра
ческого поля на паразитные конструк представлена на Рис. 13.4. От основной час
тивные ёмкости; тоты сигнала до первой из частот излома fg1
 индуктивной связи, вызванной нахожде график спектральной зависимости амплиту
нием проводника, по которому течёт ды сигнала от частоты идёт параллельно оси
ток, в переменном магнитного поле; частот. На участке между первой и второй
 электромагнитной связи, которая может (fg2) частотами излома амплитуда уменьша
иметь кондуктивной характер (возникает ется с крутизной 20 дБ/дек, а на последнем
как наводка на проводники в кабельных участке — с крутизной 40 дБ/дек.
жгутах или на проводящие дорожки пе
чатной платы) либо распространяется пу A
A0
тём излучения (если ширина зазора меж
ду источником и приёмником помехи
превышает 0.1 длины волны излучения 6). tr ti tf
T/2 t
Формы представления сигналов помехи T0

Помехи, имеющие периодический или


Рис. 13.3. Представление процесса переключе
апериодический характер в определённом
ния сигналов в виде трапецеидальной функции.
временном интервале, могут быть математи
чески представлены в виде наложения сину
В приведённых ниже формулах исполь
соидальных и косинусоидальных сигналов
зуются следующие обозначения:
различной частоты и амплитуды. На
A0 — амплитуда исходного сигнала;
Рис. 13.2 показаны типичные виды сигналов
An — амплитуда n&й гармоники;
помехи и их спектральные представления.
T0 — период основной частоты сигнала;
Полупроводниковые ключи, логические
ti — длительность импульса;
интегральные схемы, микроконтроллеры
tS — время переключения (tr = tf);
являются источником широкополосных по
n — номер гармоники основной частоты;
мех, вызванных внутренними процессами в
ng1 — номер гармоники частоты 1го излома;
этих устройствах и работой тактовых генера
ng2 — номер гармоники частоты 2го излома;
торов. Сигналы указанных помех имеют пе
f0 — основная частота;
риодический характер и могут быть «разло
INFSEMI_2Text.fm, стр. 468 из 590 (September 6, 2010, 19:29)

468 „ 13. Электромагнитная совместимость

Амплитуда тик помех путём измерения их пикового,


квазипикового, среднего или эффективно
0 дБ fg1 го значения. При этом измерения прово
60
–20 дБ дятся относительно определённого уровня,
что позволяет осуществлять удобную инди
fg2
40 кацию при измерении физических величин
от мкВ до В. Показания прибора соответ
–40 дБ ствуют логарифмическому отношению ам
20 плитуды сигнала к опорному значению (это
опорное значение в технике связи принято
называть эффективной мощностью или
0 мощностью помех). Уровень мощности оп
1 10 100 1000
Частота
ределяется как умноженный на десять деся
тичный логарифм отношения мощности
Рис. 13.4. Форма огибающей спектральной ха измеряемого сигнала к эффективной мощ
рактеристики. ности и выражается в децибелах:

fg1 — частота 1го излома; Px


p = 10 ⋅ log10 , дБ.
fg2 — частота 2го излома. P0
На первом участке спектра в диапазоне В технике связи принято считать, что ве
частот f0…fg1 амплитуда сигнала не зависит личина опорной (эффективной) мощности
от частоты: P0 составляет 1 мВт. Чтобы подчеркнуть это,
2 ⋅ A0 ⋅ ti к единице измерения уровня мощности до
An ≈ . (1)
T0 бавляется буква «м» (дБм, т.е. децибелы, от
считываемые относительно уровня 1 мВт).
На втором участке в диапазоне частот Уровень напряжения или напряжённости
fg1…fg2 амплитуда сигнала падает с крутиз поля, полученный в ходе измерения элект
ной 20 дБ на декаду: ромагнитного излучения, имеет размерность
1 дБмкВ или дБмкВ/м соответственно, а фор
f g1 = , (2)
π ⋅ ti мула для него может быть выведена из выра
жения для уровня мощности. Величине
2 1.
An ≈ A0 ⋅
⋅ (3) 0 дБмкВ соответствует опорное значение
π n 1 мкВ. Следовательно, для систем с волно
На третьем участке (частота выше fg2) ам вым сопротивлением 50 Ом измеренное зна
плитуда сигнала падает с крутизной 40 дБ чение уровня мощности 0 дБм соответствует
на декаду: уровню напряжения 107 дБмкВ.
Формула для уровня напряжения:
1
fg2 = , (4)
π ⋅ tS p = 20 ⋅ log
Ux
, дБмкВ.
2 1 T0 U0
An ≈ A0 ⋅ ⋅ ⋅ . (5)
π2 n 2 tS Чувствительность тестприёмников элек
тромагнитных помех зависит от рабочей
Измерение электромагнитного излучения частоты, которая устанавливается в соот
ветствии с требованиями стандарта
Измерения электромагнитного излуче
CISPR16. Выбор частоты осуществляется с
ния проводятся в частотной области с по
помощью различных полосовых фильтров,
мощью тестового приёмника или анализа
в зависимости от требуемого диапазона ра
тора спектра. Данные приборы позволяют
бочих частот, как это указано в Табл. 13.1.
производить оценку различных характерис
Таблица 13.1. Выбор полосы пропускания измерительных полосовых фильтров
в соответствии с рабочим диапазоном частот
Ширина полосы (BW) 200 Гц 9 кГц 120 кГц
Диапазон частот 0.01…0.15 МГц 0.15…30 МГц 30…1000 МГц
INFSEMI_2Text.fm, стр. 469 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.1. Основные понятия „ 469

Если приёмный канал приёмника «за которых может быть сделан вывод, что ис
хватывает» лишь одну гармонику сигнала пытываемые устройства удовлетворяют тре
помехи, то измеренное значение не зависит бованиям EMC.
от ширины полосы пропускания (BW) и ха Работа по стандартизации требований по
рактеристик индикатора. Такая помеха на электромагнитной совместимости ведётся
зывается узкополосной. Напротив, широ на международном, европейском и нацио
кополосная помеха имеет место в тех случа нальных уровнях. На мировом уровне ос
ях, когда основная частота сигнала низкая, новную нагрузку несут на себе ISO (Между
поэтому в полосе частот тестового приём народная организация по стандартизации)
ника оказываются сразу несколько гармо и IEC (Международная электротехническая
ник сигнала, и измеряемое значение будет комиссия, МЭК), подразделением которой
зависеть от ширины полосы пропускания является CISPR (International Special
приёмника (BW) и качества гармонического Committee on Radio Interference — Между
анализа сигнала. В этой ситуации «интег народный специальный комитет по борьбе
ральная» процедура измерения сигнала уже с радиопомехами). На европейском уровне
неприменима, поскольку не отражает его данную работу осуществляют CEN (Евро
реальную амплитудночастотную характе пейский комитет по стандартизации) и
ристику (АЧХ). Такая помеха наблюдается, CENELEC (Европейский комитет по элект
когда при измерении широкополосных сиг ротехническим стандартам), а также ETSI
налов в районе границ между рабочими (Европейский институт по стандартизации
диапазонами частот тестового приёмника в области телекоммуникаций).
(0.15 МГц и 30 МГц) происходят скачкооб Полупроводниковые интегральные мик
разные изменения их амплитуды. росхемы являются относительно новым
объектом EMCстандартизации, что требует
13.1.2. Нормы и стандарты введения особых нормативов, относящихся
электромагнитной исключительно к этим приборам. Требова
совместимости ния электромагнитной совместимости для
Существует большое количество норм и них примерно те же, что и для других уст
требований, относящихся к обеспечению ройств и компонентов, однако как индиви
электромагнитной совместимости оборудо дуальные компоненты ИС редко использу
вания. Они подразделяются на нормы, рег ются исключительно в одной области при
ламентирующие характеристики измери менения. В настоящее время МЭК разрабо
тельного оборудования, параметры тесто таны две группы нормативов, стандартизи
вых систем и методику измерений помех рующих методики измерения излучаемых
различной природы. Определяя методику помех (стандарт IEC 61967) и помехоустой
испытаний электрических устройств на чивости ИС (стандарт IEC 62132).
электромагнитную совместимость, эти нор В Табл. 13.2 представлен обзор данных стан
мы устанавливают критерии, на основании дартов. Указанные методики имеют сущест

Таблица 13.2. Стандарты по методам измерения электромагнитной совместимости для ИС


МЭК 61967 Интегральные схемы — Измерение электромагнитного излучения
МЭК 619671 Основные условия и определения
МЭК 619672 Метод измерения электромагнитного излучения с помощью TEMкамеры
МЭК 619673 Метод поверхностного сканирования
МЭК 619674 Метод прямого соединения 1 Ом/150 Ом
МЭК 619675 Стендовый метод с применением клетки Фарадея
МЭК 619676 Метод магнитного зонда
МЭК 62132 Интегральные схемы — Измерение электромагнитной помехоустойчивости
МЭК 621321 Основные условия и определения
МЭК 621322 Метод измерения с помощью TEMкамеры
МЭК 621323 Метод инжекции объёмного тока
МЭК 621324 Метод прямого введения мощности
МЭК 621325 Стендовый метод с применением клетки Фарадея
INFSEMI_2Text.fm, стр. 470 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

470 „ 13. Электромагнитная совместимость

венное значение на ранних этапах проекти


Основная тестовая плата
рования устройств (иногда даже на этапе
выбора их компонентов). Благодаря исполь
зованию этих методов, можно оценивать ха Испытуемая ИС

Квадрат со стороной 100 +3/–1 мм


рактеристики излучаемых помех и помехо
устойчивости ИС с точки зрения наилучшей
электромагнитной совместимости уст
ройств и их соответствия специфическим
требованиям пользователей.

13.1.3. Методы измерения электромаг>


нитной совместимости для ин>
тегральных схем
Методы измерения излучаемых помех В углах платы могут располагаться
дополнительные отверстия
Стандарт IEC 61967 претендует на роль
общеупотребительного стандарта, опреде
Сквозные отверстия диаметром
ляющего характеристики помех, излучае 0.2 мм для подключения выводов ИС Сквозные от*
мых интегральными схемами любого типа в к проводящим дорожкам на лицевой верстия диаме*
стороне платы тром 0.8 мм для
диапазоне 150 кГц…1 ГГц. Он включает в соединения
Сквозные отвер* Заземляющая
себя 5 методов измерения (Табл. 13.3). плоскость под слоя 1 и слоя 4
стия диаметром
Метод TEMкамеры (измерение излучае 0.8 мм для сое* испытуемой ИС
мых помех по стандарту IEC 619672) ис динения слоя 1
и слоя 4
пользуется для измерения электромагнит
ного излучения в окружающую среду, соз
даваемого внутренней структурой и вывод
ной рамкой ИС. Камера поперечной элект Элементы развязки по
ромагнитной волны (ТЕМкамера) пред Дополнительные компонен* питанию должны сое*
ты, размещённые на слое 4 диняться с этой частью
ставляет собой клинообразный коаксиаль (желательно размещать их заземляющего слоя
ный волновод, состоящий из плоского по периметру отверстий)
внутреннего проводника (перегородки) и
внешнего коаксиального проводника (эк Рис. 13.5. Тестовая плата, используемая сов
рана), и в данном случае используется в ка местно с TEMкамерой.
честве экранированной приёмной антенны.
Указанный метод измерений электромаг рона полностью металлизирована и служит
нитного излучения требует разработки спе в качестве «земли» (GND — отрицательное
циальной тестовой платы для испытуемой опорное напряжение, которое обычно рав
ИС (Рис. 13.5). Испытуемая ИС, электро но 0 В). На лицевой стороне платы разме
магнитное излучение которой требуется из щаются периферийные компоненты, необ
мерить, помещается с нижней стороны тес ходимые для работы испытуемой ИС, а так
товой платы. За исключением контактных же проводники сигналов и земли. Для раз
площадок для подсоединения ИС, эта сто водки цепей питания используются допол

Таблица 13.3. Методы измерения помех, излучаемых ИС


Прямое Метод
Метод Сканирование Метод клетки
соединение магнитного
TEMкамеры поверхности Фарадея
1 Ом/150 Ом зонда
Диапазон 0.15…1000 МГц 1…1000 МГц 0.15…1000 МГц 0.15…1000 МГц 0.15… 1000 МГц
частот
Измеряе Напряжённость Напряжённость Ток ВЧ Напряжённос Напряжён
мые физи электромагнит электромагнит ти электричес ность магнит
ческие ве ного поля ного поля кого и магнит ного поля
личины ного полей
Напряжение ВЧ Напряжение ВЧ Ток ВЧ
INFSEMI_2Text.fm, стр. 471 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.1. Основные понятия „ 471

нительные слои печатной платы. На TEMкамера особенно хорошо подходит


Рис. 13.6 показан вариант подключения ис для определения характеристик электромаг
пытательного оборудования. Тестовая плата нитного излучения у интегральных схем, ра
располагается поверх раструба ТЕМкаме ботающих на высоких частотах и/или отли
ры таким образом, чтобы испытуемая ИС чающихся большими размерами структур
находилась внутри ТЕМкамеры. ных и конструктивных элементов (что спо
собствует повышенному электромагнитно
Стандартная Анализатор му излучению). Результаты измерений
Согласованная тестовая плата для спектра относятся к ИС в целом, т.е. нельзя изме
нагрузка 50 Ом испытания ИС
рить излучение её отдёльных компонентов.
Метод поверхностного сканирования (со
гласно стандарту IEC 619673) предназна
чен для измерения напряжённости электри
ческих и магнитных полей, излучаемых ИС,
путём сканирования её поверхности с помо
Предварит. щью электрических и магнитных зондов, ра
усилитель ботающих в ближнем поле. Такой зонд пред
ставляет собой определённым образом ори
ентированную штыревую или рамочную ан
тенну, которая двигается в плоскости, па
Рис. 13.6. Подключение испытательного обо раллельной поверхности испытуемой ИС, и
рудования при тестировании ИС с помощью на определённом расстоянии от неё. Управ
TEMкамеры. ление шаговым приводом антенны осущест
вляется программно. В процессе сканирова
Земляной слой на нижней стороне тесто ния записываются значения напряжённос
вой платы с помощью пружинных контактов ти поля на заданной частоте. Разрешающая
подключается к внешнему экрану TEMка способность измерительной системы зави
меры, что обеспечивает надёжное экраниро сит от размеров зонда и величины шага при
вание от ВЧ излучений. Спектр электромаг вода. Во время измерений испытуемая ИС
нитных помех, излучаемых микроконтрол размещается на тестовой плате, которая за
лером с системной частотой 40 МГц и при крепляется на плоскости опорной земли (но
нимаемых внутренним проводником (пере не имеет электрического контакта с ней).
городкой) TEMкамеры, приведён на
Рис. 13.7. Уровень помех, излучаемых внут
ренними «антеннами» ИС, зависит от их
ориентации в пространстве TEMкамеры, Геометриче*
ский центр
поэтому измерения проводятся в двух поло рамки
жениях тестовой платы (0G и 90G).
X2 Z2
DC B A
32*битный микроконтроллер ИС Z1 Поверхностный
Системная частота 40 МГц, заземляющий слой
дБмкВ частота кварцевого генератора 16 МГц
40 Внутренний
Печатная Центральная заземляющий слой
плата CL ось ИС
30
Рис. 13.8. Принцип реализации метода
20 поверхностного сканирования.

10 На Рис. 13.8 схематично изображена


структура измерительной системы, а
0 Рис. 13.9 иллюстрирует полученную в ре
0 100 200 300 400 500 600 зультате измерений картину распределения
Частота [МГц] электромагнитного поля вдоль поверхности
Рис. 13.7. Спектр электромагнитного излуче ИС. Данный метод хорош в тех случаях,
ния микроконтроллера в положении 1 (0G). когда необходимо уточнить (локализовать)
положение источника электромагнитной
INFSEMI_2Text.fm, стр. 472 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

472 „ 13. Электромагнитная совместимость

помехи заранее известной частоты на по жение и выдаёт результат, характеризую


верхности ИС. Однако для измерений в щий уровень помех, генерируемых ИС. Ре
широком диапазоне частот потребуется зистор сопротивлением 49 Ом служит для
слишком много времени. согласования с входным импедансом изме
рительного устройства. Разделительный
конденсатор на выходе токового пробника
защищает вход тестового приёмника от по
вышенных напряжений постоянного тока.

Коаксиаль* К измери*
Щуп ный кабель тельному
пробника 49 Ом (ZL = 50 Ом) прибору

Раздели*
1 Ом тельный
конденсатор

Рис. 13.10. Схема одноомного пробника тока.

Схема с использованием 150омной це


Рис. 13.9. Распределение электромагнитного пи согласования импедансов, приведённая
поля вдоль поверхности ИС. на Рис. 13.11, предназначена для измерения
напряжения высокочастотной помехи на
Метод прямого соединения 1 Ом/150 Ом выводах ИС, к которым подключены со
(согласно стандарту IEC 619674) является единительные провода, либо на проводни
комбинацией двух методов, предназначен ках печатной платы или кабельных жгутах
ных для определения уровня генерируемых длиной более 10 см. В процессе измерений
ИС кондуктивных электромагнитных по указанные выводы ИС подключаются к ти
мех, которые могут проявляться в виде тока пичной антенной нагрузке с импедансом
высокой частоты (для его измерения ис 150 Ом (в соответствии со стандартом
пользуется шунт сопротивлением 1 Ом) или IEC 6100046). На Рис. 13.12 приведена
высокочастотного напряжения (использу комбинированная схема, сочетающая токо
ется согласующая цепь с импедансом вый пробник 1 Ом и 150омную цепь.
150 Ом). Когда речь идёт об излучении по
мех, следует учитывать, что внутри ИС на
6.8 нФ
ведённые токи помех возбуждаются только
в замкнутых контурах. Путь протекания на 120
A
ведённого тока для различных типов ИС за Zшума R1 С1
висит от величины опорного потенциала и ~
~
51

50

Vшума Vi R2 Va V
может проходить либо по общей земляной
шине, либо по цепи питания ИС. Это поз Rmi
воляет измерять суммарный ток кондуктив B
ной помехи путём измерения суммарного
Генератор Схема согласования
тока, протекающего в цепи питания или шумов импедансов Приёмник
земли, с помощью токового пробника со
противлением 1 Ом. Кроме того, таким Рис. 13.11. Схема 150омного пробника
способом можно отдельно определять токи напряжения.
помех, протекающие через те или иные вы
воды ИС, представляющие особый интерес Спектры узкополосной и широкополос
для разработчика. Схема одноомного токо ной помехи, генерируемой силовой ИС и
вого пробника, используемого для измере измеренной с помощью 150омного про
ния токов высокой частоты, приведена на бника напряжения, приведены на
Рис. 13.10. Напряжение, падающее на пре Рис. 13.13. Поскольку метод прямого со
цизионном резисторе сопротивлением единения обеспечивает практически посто
1 Ом, поступает на тестовый приёмник сиг янную передаточную характеристику, он
налов, который анализирует данное напря может быть использован для измерения
INFSEMI_2Text.fm, стр. 473 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.1. Основные понятия „ 473

C3 ZL = 50
ZL = 150 6.8 нФ
Q ИС I/O 120
GND VDD R3 C4

50
VRF
C2 R2 51
R1**
Заземление ИС C1
Схема **В зависимости
ВЧ пробник тока согласования от применения может Измерительное
C5 импедансов потребоваться подтяжка оборудование
+5 В к питанию или подтяжка
0В к земле

Источник питания

Рис. 13.12. Схема испытания, реализующая метод прямого соединения 1 Ом/150 Ом.

уровня помех, излучаемых интегральными 100 Ом и 50омное внутреннее сопротивле


схемами, с высоким разрешением и в ши ние тестового приёмника либо 50омный
роком диапазоне частот. При данном мето согласующий резистор. Стенки клетки Фа
де результаты могут быть получены как для радея также представляют собой опорную
ИС в целом, так и выборочно для тех или землю. Входные и выходные соединитель
иных выводов ИС. ные провода от периферийных источников
питания «вводятся» в корпус измерительно
Излучаемая помеха на выводе Vbb го устройства через вводные фильтры и
ИС мощного верхнего ключа снабжены синфазными дросселями, импе
90
данс которых на частоте 150 кГц должен со
Напряжение помехи [дБмкВ]

80
70 Режим ШИМ ставлять 280 мкГн (Z = 263 Ом).
60 Измерительная схема подключается к
50 Режим двум синфазным точкам сигнальной цепи,
постоян*
40 ного тока цепи питания или к выходным линиям тес
30 товой платы, как это показано на
20 Рис. 13.14. Измеряемая кондуктивная по
10
0 EMI*приёмник Источник Дополни*
–10 или питания тельный
0.1 1 10 100 1000 анализатор источник
спектра
Частота [МГц]

Рис. 13.13. Спектр помехи. Источник


50 Ом*

50 Ом*

сигналов

Стендовый метод с применением клетки


Фарадея (измерение кондуктивного излуче F F F
ния согласно стандарту IEC 619675) позво
Феррит**

Феррит**

Феррит**

ляет измерять уровень помех, излучаемых


100 Ом
100 Ом

100 Ом

ИС, группами ИС и целыми платами, пред


назначенными для реализации тех или
иных прикладных задач. Как и в методе
прямого соединения, здесь предполагается, Вход Питание Выход
что на частотах до 1 ГГц (6/2 = 17 см) элект Печатная плата испытуемого устройства
ромагнитное излучение от самих ИС мал=о *Подлежащие проверке линии (сигнальные или
по сравнению с излучением от соедини питания), к которым в данный момент не
тельных проводников. Синфазный импе подключён анализатор спектра, заземляются
через согласующий резистор 50 Ом
данс свободных концов кабелей относи ** Импеданс ферритового дросселя >>150 Ом
тельно земли (150 Ом, IEC 6100046) в схе
ме измерения моделируется при помощи Рис. 13.14. Схема установки, реализующей
цепи с импедансом 150 Ом относительно стендовый метод измерений помех с приме
опорной земли (клетки Фарадея). Эта цепь нением клетки Фарадея (WBFC).
включает в себя резистор сопротивлением
INFSEMI_2Text.fm, стр. 474 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

474 „ 13. Электромагнитная совместимость

меха представляет собой высокочастотный Как видно из Рис. 13.16, с помощью данно
синфазный ток, протекающий на землю го метода можно измерять ВЧ токи помех в
(GND), а также вызванные быстрыми из различных точках схемы. На Рис. 13.17 при
менениями напряжения (dv/dt) токи, кото ведена схема включения испытуемой ИС
рые через паразитные ёмкости замыкаются для реализации метода магнитного зонда.
на экранирующие стенки клетки Фарадея. Применяя формулы преобразования физи
Контуры, в которых наводятся токи поме ческих величин и вводя соответствующие
хи, через 150омную согласующую цепь за калибровочные коэффициенты, можно пе
мыкаются на синфазную (общую) точку ис ресчитать измеренный уровень напряжён
точника помехи. Принцип измерения пояс ности магнитного поля в эквивалентный
няет изображённая на Рис. 13.15 модель с ему высокочастотный ток помехи.
сосредоточенными параметрами.
Магнитный зонд
Измерение
<< λmax производится
на расстоянии
Распределённые источники помех 1 мм от зонда
Испытуемая микропо*
2 лосковая линия A = 0.9…1.1 мм
Zcm Печатная 1 Zcm
плата 3 Слой 4 C2
Cпаразитн.
Клетка Фарадея
Слой 1
ИС Заземление для
Рис. 13.15. Пояснение принципа измерения Стандартизирован* микрополосковой линии
синфазной помехи. ная тестовая плата (слой 3)

Метод магнитного зонда (согласно стан Рис. 13.16. Метод магнитного зонда.
дарту IEC 619676) представляет собой ме
тод измерения высокочастотного тока кон Метод магнитного зонда предпочтитель
дуктивной помехи. С помощью магнитного но использовать для измерения уровня
датчика (зонда) измеряется напряжённость электромагнитных излучений, генерируе
магнитного поля на определённом расстоя мых ИС, рабочая частота которых достаточ
нии от соединительного проводника, под но высока (находится в верхней части мега
ключённого к соответствующему выходу герцового диапазона). Преимуществом маг
испытуемой ИС (в том случае, когда этот нитного зонда по сравнению с TEMкаме
проводник выполнен в виде полосковой рой является возможность выборочного из
линии). Данный метод позволяет оценить мерения уровня помех на отдельных
уровень высокочастотных токов, которые выводах испытуемой ИС. Получаемые при
создают электромагнитные помехи, излуча этом результаты сравнимы с результатами,
емые через проводящие дорожки печатной которые даёт метод одноомного токового
платы, земляной слой и шины питания. пробника.

Магнитный зонд

Магнитный зонд
+
IDD VDD 6.8 нФ
R1 Разъём SMA
Источник ИС I/O
питания C2 C1
II/O 120 Ом С3 R2 R3
GND
51 Ом 50 Ом
GND Земля ИС

Схема согласования импедансов

Рис. 13.17. Схема испытаний при измерениях методом магнитного зонда.


INFSEMI_2Text.fm, стр. 475 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.1. Основные понятия „ 475

Методы измерения помехоустойчивости ИС ляют собой антенны, которые улавливают


из окружающей среды высокочастотные
Стандарт IEC 62132 является основным сигналы электромагнитных помех и в фор
стандартом, определяющим характеристи ме токов высокой частоты передают их по
ки помехоустойчивости интегральных схем указанным соединительным проводникам
любого типа в диапазоне 150 кГц…1 ГГц. на входы ИС, которая работает как приём
В Табл. 13.4 перечислены различные мето ник данных помех. ВЧ ток «инжектируется»
ды измерения помехоустойчивости и указа в подключённые к выводам испытуемой
ны физические величины, связанные с ис ИС проводники с помощью бесконтактно
пользованием этих методов. го (надевающегося сверху на проводник)
Метод TEMкамеры (согласно стандарту токового пробника. Второй токовый про
IEC 621322) предназначен для определе бник используется для измерения ВЧ тока в
ния помехоустойчивости ИС и применяет проводнике. Блоксхема установки, реали
ся в тех случаях, когда приёмниками помех зующей данный метод измерений, приведе
являются исключительно элементы внут на на Рис. 13.18.
ренней структуры и выводной рамки ИС.
Данный метод работает по тому же принци
ВЧ* Ваттметр
пу, что и одноимённый метод измерения генератор Оптический
электромагнитного излучения. Отличие со интерфейс
Направ*
стоит в том, что в TEMкамере размещается ленный Управ*
ответви* Вольтметр ление
не тестовый приёмник излучения, а высо Усилитель
тель установ*
Измери*
кочастотный генератор с соответствующим тельный
ками по
Инжекцион* умолча*
усилителем сигнала, что позволяет воздей ный датчик датчик нию
ствовать на испытуемую ИС высокочастот Провод*
ным излучением заданной мощности. При ник
этом используется та же самая тестовая пла
та. В процессе измерений определяется Нагрузка Испытуе*
максимально допустимый уровень напря Тестовая печатная плата мая ИС
жённости электромагнитного поля, воз
действие которого не приводит к сбою фун Рис. 13.18. Схема установки для измерения
кционирования ИС. помехоустойчивости методом инжекции
Метод инжекции объёмного тока (соглас объёмного тока.
но стандарту IEC 621323) применяется для
определения устойчивости ИС к высоко Для проведения измерений методом ин
частотным токам помех (наводкам), возни жекции объёмного тока нужна специальная
кающим в проводниках, которые подклю тестовая плата, которая имеет посередине
чены к соответствующим выводам ИС и вырез для размещения «передающего» и из
служат для соединения ИС с периферийны мерительного токовых пробников. Испыту
ми устройствами. Данный метод разработан емая ИС вместе с остальными компонента
в соответствии со стандартом испытаний ми схемы, в которой она используется, раз
компонентов на устойчивость к воздей мещается с одной стороны тестовой платы.
ствию кондуктивных помех (ISO 114524). Периферийные устройства, источники сиг
Он основан на том, что соединительные налов и т.п. размещаются с обратной сторо
проводники, подключённые к отдельным ны платы; для развязки от помех использу
электронным компонентам ИС, представ ются ВЧ фильтры. Испытуемая ИС под

Таблица 13.4. Методы измерения помехоустойчивости ИС


Метод инжек Метод прямого Стендовый метод
Метод TEMкамеры ции объёмного введения ВЧ мощ с использованием клетки
тока ности Фарадея
Диапазон частот 0.15…1000 МГц 1…4000 МГц 0.15…1000 МГц 0.15…1000 МГц
Измеряемые Напряжённость Ток ВЧ Ток ВЧ Напряжённости элект
физические электромагнитного рического и магнитного
величины поля полей
Напряжение ВЧ Напряжение ВЧ
INFSEMI_2Text.fm, стр. 476 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

476 „ 13. Электромагнитная совместимость

ключается к периферийным устройствам главным образом, подключёнными к тести


соединительными проводами. На провод, руемому выводу ИС соединительными про
подключённый к выводу ИС, который тре водами или «квазиантеннами», образован
буется протестировать, надеваются зажимы ными проводниками печатной платы, и за
токовых пробников. На той стороне тесто тем передаётся в указанный вывод ИС. Тес
вой платы, где размещена испытуемая ИС, товым критерием при определении степени
контур протекания высокочастотного тока помехоустойчивости ИС является уровень
замыкается непосредственно через ИС, а на прямой ВЧ мощности, поступающей в вы
«периферийной» стороне тестовой платы — вод ИС через разделительный конденсатор.
через проходной конденсатор или за счёт На Рис. 13.19 приведена схема соответству
прямой гальванической связи с шиной ющей измерительной установки. Реализа
опорной земли. Данный метод позволяет ция данного метода требует наличия специ
выборочно инжектировать электромагнит альной тестовой платы, имеющей, как ми
ную ВЧ энергию в те или иные выводы ИС нимум, два слоя. Выбор точек подключения
и даже в несколько выводов одновременно. к тестовой плате для ввода ВЧ мощности
Помехоустойчивость ИС можно охаракте должен осуществляться на основании тех
ризовать путём сравнения уровней инжек же критериев, что и при реализации метода
тированной в ИС высокочастотной мощ измерения электромагнитного излучения
ности и измеренного ВЧ тока. путём прямого соединения и использова
Метод прямого введения мощности (со ния 150омной согласующей цепи. Развязка
гласно стандарту IEC 621324) представляет периферийных нагрузок или источников
собой метод определения устойчивости ИС сигналов от высокочастотных помех осу
к кондуктивным помехам, когда электро ществляется за счёт высокого импеданса
магнитная мощность высокой частоты ин соответствующих цепей (Z  400 Ом). На
жектируется в конкретный вывод ИС. В ос Рис. 13.20 показаны способы подключения
нове данного метода измерений лежит измерительного сигнала в симметричном
предположение, что энергия внешнего (дифференциальном) и асимметричном
электромагнитного поля улавливается, (синфазном) режимах.

Источник
постоянного
напряжения

Тестовая Цепи
50*Ом печатная развязки
коаксиальный плата
кабель
Раздели*
Направленный тельный
ответвитель конден*
сатор

Точка
ВЧ усилитель Pfor Prefl ввода ВЧ Испыту*
мощности емая ИС

ВЧ*генератор
Управляющий
Измери* ПК (опция)
тели ВЧ
Шина управления мощности
Контроль
испытуемой ИС

Рис. 13.19. Схема испытаний для измерения помехоустойчивости методом прямого введения
мощности.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 477 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.1. Основные понятия „ 477

Тестовая печатная плата


150 кГц должен составлять 280 мкГн
Точка ввода
(Z = 263 Ом). Блоксхема установки, реали
ВЧ мощности зующей данный метод измерений помехо
C R Испы* устойчивости, приведена на Рис. 13.21.
ВЧ туемая
мощность ИС
Источник ВЧ
T1 ВЧ генератор*

S1
Тестовая печатная плата Усилитель
Точка ввода C R мощности
Анализатор
ВЧ мощности сигналов во
Испы* 22 Ом Схема Источник
туемая питания временной
ВЧ C R согласо* области
мощность ИС вания
50 Ом T2

50 Ом*

50 Ом*
Источник
сигналов
Рис. 13.20. Точки прямого введения мощнос
ти в синфазном (верхняя схема) и дифферен
F F F
циальном (нижняя схема) режимах.

Феррит**

Феррит**

Феррит**
100 Ом
100 Ом

100 Ом
Данный метод используется как для се
лективных измерений (конкретно для вы
бранного вывода испытуемой ИС), так и
для одновременной подачи ВЧ мощности
на несколько выводов. В зависимости от Вход Питание Выход
назначения тестируемого вывода (внутрен
ний, защищённый, внешний), входная Испытуемая печатная плата
мощность может варьироваться от 50 мВт *Подлежащие проверке линии (сигнальные или
до 5 Вт. питания), к которым в данный момент
Стендовый метод с применением клетки не подключён ВЧ генератор, заземляются
через согласующий резистор 50 Ом
Фарадея (согласно стандарту IEC 621325)
** Импеданс ферритового дросселя >150 Ом
предназначен для измерения помехоустой
чивости ИС; при этом входная ВЧ мощ Рис. 13.21. Схема испытаний для измерения
ность прикладывается к тем же синфазным помехоустойчивости стендовым методом
точкам тестовой или рабочей платы, к кото с применением клетки Фарадея.
рым в рассмотренной выше одноимённой
схеме измерения электромагнитного излу 13.1.4. Модели, используемые
чения прикладывалось входное ВЧ напря при оценке устойчивости ИС
жение. Цепь подачи ВЧ мощности состоит к электростатическим разрядам
из резистора сопротивлением 100 Ом, под (ESD)
ключённого через отверстие в стенке клет
ки Фарадея к выходу усилителя (внутреннее Помимо частотнозависимых характе
сопротивление усилителя Ri = 50 Ом), на ристик электромагнитной совместимости, в
вход которого поступает сигнал с ВЧ гене основном связанных с процессом функцио
ратора. Цепь протекания тока помехи обра нирования электронных устройств, на ра
зована вторым резистором сопротивлени ботоспособность отдельных их компонен
ем 100 Ом, который через 50омный экви тов могут негативно влиять электростати
валент нагрузки подключается к корпусу ческие явления. Ток, возникающий при
клетки Фарадея, стенки которой использу электростатическом разряде (ElectroStatic
ются в качестве опорной земли. Проводни Discharge — ESD), может вывести компо
ки, соединяющие тестовую плату с внеш нент из строя. Проверка устойчивости ком
ними источниками питания, входами и вы понентов со встроенными схемами защиты
ходами, вводятся внутрь клетки Фарадея к воздействию электростатического разряда
через проходные фильтры и синфазные осуществляется с использованием моде
дроссели, импеданс которых на частоте лей, соответствующих международным
стандартам. К наиболее известным из них
INFSEMI_2Text.fm, стр. 478 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

478 „ 13. Электромагнитная совместимость

относятся модель человеческого тела > 1 МОм R = 1500 Ом


(Human Body Model — HBM), механичес
кая модель (Machine Model — MM) и мо
дель заряженного устройства (Charged

Испытуемое
устройство
Источник
Device Model — CDM) или, как вариант, высокого C = 100 пФ
модель съёмного устройства (Socketed напряже*
ния
Device Model — SDM). Если модели HBM и
MM предназначены для симуляции про
цесса электростатического разряда заря
женного объекта (человека или механичес
кого устройства) при его соприкосновении
700
с электронным компонентом, то в моделях 600
Короткое
замыкание

Ток разряда [мА]


CDM/SDM рассматривается процесс быст 500
рого разряда электростатически заряженно 400
го электронного компонента. 300 500 Ом
200
Модель человеческого тела (HBM) 100
0
и механическая модель (MM) –100
Модель человеческого тела является 100 200 300 400 500
наиболее хорошо известной и широко рас Время [нс]
пространённой моделью для оценки устой
Рис. 13.22. Эквивалентная схема (вверху) и
чивости электронных компонентов к воз
график зависимости разрядного тока от вре
действию электростатического разряда.
мени (внизу) для HBMтестера при напряже
В ней рассматривается случай, когда носи
нии заряда 1 кВ.
тель электростатического заряда (человек)
разряжается через заземлённый компонент Первый стандарт, описывавший метод
(Рис. 13.22). Здесь предполагается, что че испытаний с применением модели HBM
ловеческое тело обладает электрической (MILSTD883D, метод 3015), в настоящее
ёмкостью 100 пФ. Резистор R = 1500 Ом время вышел из употребления, хотя и часто
представляет собой контактное сопротив цитируется. Компания Infineon в своих раз
ление между человеческим телом и поверх работках следует требованиям стандарта
ностью подвергшегося воздействию ESD JEDEC «Испытание на чувствительность к
электронного компонента. электростатическому разряду, модель чело
В принципе, следовало бы производить веческого тела» (JESD22A114B), который
испытания на устойчивость к воздействию определяет как стандартные комбинации
электростатического разряда для каждого выводов, так и количество импульсов на
из выводов испытуемого электронного ком пряжения и форму этих импульсов для
понента по отношению ко всем другим его HBMтестера (см. Рис. 13.22).
выводам (комплексное тестирование выво В отличие от HBMмодели, учитываю
дов). Если устройство имеет много выво щей электростатический разряд, возникаю
дов, то проведение таких испытаний оказы щий при контакте обладающего электро
вается чересчур дорогостоящим. Поэтому статическим зарядом человека с испытуе
существующие стандарты предусматрива мым электронным компонентом, в так на
ют также варианты испытаний для так на зываемой механической модели объектом,
зываемых комбинаций выводов. Эти вари воздействующим на компонент, является
анты включают в себя проверку ESDустой другое заряженное устройство или машина.
чивости различных выводов (как правило, Эквивалентная схема для данной модели
это порты ввода/вывода и выводы питания) отличается от уже рассмотренной выше (см.
по отношению к питающим напряжениям. Рис. 13.22) лишь величинами собственной
Кроме того, часто проводят так называе ёмкости объекта (C = 200 пФ) и разрядного
мый тест ввода/вывода, когда испытатель сопротивления (R = 0 Ом). Вследствие ма
ное напряжение прикладывается между лости разрядного сопротивления, форма
каждым из портов ввода/вывода ИС и все разрядного импульса (Рис. 13.23) определя
ми остальными (соединёнными накоротко) ется лишь величинами паразитных элемен
выводами порта.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 479 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.1. Основные понятия „ 479

тов схемы. Следовательно, повторяемость и личающихся от описанных выше. В ней


взаимная совместимость результатов испы рассматривается случай, когда устройство
таний при использовании модели MM ока (ИС) ещё в процессе его производства при
зывается значительно ниже, чем при ис обретает электростатический заряд, а затем
пользовании модели HBM. разряжается на объект, обладающий высо
кой проводимостью (например, на землю).
Этот чрезвычайно быстрый разряд не при
2
водит к перегреву схемы защиты ИС от ESD
(как это происходит при использовании
Ток разряда [А]

1
моделей HBM или MM), зато он вызывает
0 пробой изолирующего оксидного слоя. На
Рис. 13.24 показана типичная форма раз
–1
рядного импульса при испытаниях по моде
–2 ли CDM. Его нарастающий фронт гораздо
0 100 200 300 400 короче (время нарастания приблизительно
Время [нс] 300 пс), а общая длительность импульса су
щественно ниже (приблизительно 0.5 нс),
Рис. 13.23. Разрядный ток при испытаниях чем соответствующие параметры импуль
по модели MM и напряжении 100 В. сов в моделях HBM и MM. Это означает,
что, хотя амплитуда тока в импульсе дости
Сама процедура испытаний (комбина гает нескольких ампер даже при низких на
ции выводов, оценка результатов воздей пряжениях разряда, при использовании мо
ствия электрического напряжения) практи дели CDM уровень мощности, рассеивае
чески идентична процедуре испытаний для мой в устройстве, оказывается ниже, чем
модели HBM и осуществляется в рамках при использовании моделей HBM и MM.
международных стандартов. Компания
Infineon следует требованиям стандарта
JEDEC «Испытания на чувствительность к
электростатическому разряду, механичес Разрядная
кая модель» (JESD22A115A). Разрядные игла Кристалл
импульсы для каждой из рассматриваемых Испытуемое
ИС
тестмоделей (HBM и MM) имеют близкие устройство
значения времени нарастания и несущест
венно различаются по длительности. Обе
Металлическая
модели предполагают, что результатом воз пластина
действия электростатического разряда на
испытуемое устройство будет возникнове
10
ние одной и той же неисправности (тепло 8
Ток разряда [А]

вая перегрузка схемы защиты от ESD). Пос 6


кольку использование модели MM не даёт 4
никакой дополнительной тестовой инфор 2
мации, а повторяемость результатов испы 0
таний для неё существенно ниже, чем для –2
модели HBM, компания Infineon при опре –4
0 1 2
делении чувствительности электронных
Время [нс]
компонентов к воздействию электростати
ческого разряда, как правило, использует Рис. 13.24. Типичная схема установки для
модель HBM. CDMиспытаний и форма разрядного тока
(ИС в корпусе PLCC44, напряжение заряда
Модель заряженного устройства (CDM) 500 В).
и модель съёмного устройства (SDM)
Модель заряженного устройства (CDM) В процессе тестирования, когда ИС ис
подробно описывает другой тип электро пытывается на устойчивость к воздействию
статического разряда, который может стать электростатического разряда, она вынута из
причиной неисправностей устройства, от панельки и лежит на металлической плас
INFSEMI_2Text.fm, стр. 480 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

480 „ 13. Электромагнитная совместимость

тине выводами вверх. Сначала ИС заряжа тве таковых можно рекомендовать Техни
ется посредством подачи заряда на земля ческий отчёт, опубликованный Американс
ной вывод через высокоомный резистор ли кой Ассоциацией по ESD (ESD TR 0800:
бо за счёт электростатической индукции от Socket Device Model (SDM) Tester). Учиты
заряженной подложки. Затем выводы ИС вая рассмотренные выше преимущества
поочерёдно разряжаются (при касании их модели SDM, для слаботочных CDMуст
заземлённой иглой). Как видно из ройств производства Infineon используется
Рис. 13.24, кристалл ИС и металлическая модель SDM, а их CDMиспытания осу
пластина, на которой лежит ИС, образуют ществляются лишь в тех случаях, когда тест
конденсатор. Ёмкость этого конденсатора SDM показывает низкую устойчивость к
зависит от геометрии корпуса ИС. Значение воздействию электростатического разряда.
данной ёмкости определяет величину элек
трического заряда, который может быть 13.2. Электромагнитная
«запасён» кристаллом ИС, и, следователь совместимость
но, амплитуду разрядного тока. Поскольку автомобильных силовых ИС
процесс разряда начинается с того, что
между тестируемым выводом ИС и зазем Сфера применения автомобильных сило
лённой иглой возникает искра (ещё до того, вых ИС охватывает широкий диапазон функ
как они соприкасаются друг с другом), пов ций и приложений устройств автомобиль
торяемость теста CDM также невысока. Од ной электроники. Основной их функцией
нако данное испытание очень хорошо мо является распределение, преобразование
делирует реальные ситуации, возникающие или передача электрической мощности от
при различных манипуляциях с ИС. единиц милливатт (мВт) до нескольких ки
Стандарты для модели CDM проработа ловатт (кВт). Диапазон рабочих напряжений
ны ещё не столь подробно, как для этих ИС адаптирован с учётом автомобиль
HBMмодели. Существующие ныне реко ных бортовых напряжений 12 В, 24 В или
мендации различаются не только методами 42 В. Автомобильные силовые ИС представ
заряда испытуемых устройств, но и в отно ляют собой целый большой класс приборов,
шении других параметров, таких как вели куда входят как простые МОП/ДМОПком
чина пикового тока разряда или методы ка поненты, так и нижние» и верхние ключи и
либровки. Компания Infineon придержива мостовые переключатели со встроенными
ется разработанных JEDEC нормативов со защитными и диагностическими функция
гласно JESD22C101A. ми, линейные и ключевые (импульсные)
Значительно лучшую воспроизводи стабилизаторы напряжения, коммуникаци
мость результатов испытаний обеспечивает онные ИС и даже специализированные ин
модель съёмного устройства (SDM), когда тегральные схемы высокой степени интегра
испытуемая ИС вставлена в панельку, а раз ции (ASIC/ПЛИС), предназначенные для
ряд осуществляется через реле. Однако при выполнения таких прикладных задач, как
этом электростатически заряжается не реализация систем ABS или управление по
только сама ИС, но и панелька и вся уста душками безопасности. Совершенствова
новка для испытаний. Поскольку такая ус ние ИС направлено, в том числе, и на сни
тановка обладает большей ёмкостью, чем жение излучаемых ими электромагнитных
при испытаниях по модели CDM, при том помех до минимально возможного уровня, а
же зарядном напряжении величина «запа также на обеспечение наилучшей внутрен
сённого» заряда оказывается больше, соот ней устойчивости ИС к воздействию вне
ветственно, увеличивается и разрядный шних электромагнитных помех. При этом
ток. Таким образом, испытания по модели требования по электромагнитной совмести
SDM являются более критичными к пара мости, относящиеся к системе в целом, сле
метрам испытуемой ИС, чем при использо дует применять и к входящим в её состав
вании модели CDM. Кроме того, вслед ИС, чтобы те или иные меры по улучшению
ствие большой величины зарядной ёмкос EMCхарактеристик интегральных схем
ти, она не зависит от типа корпуса ИС. оказывали как можно меньшее влияние на
Стандарты SDMиспытаний в настоящее внешние схемы. Для определения характе
время только разрабатываются (например, ристик автомобильных силовых ИС с точки
этим занимаются в МЭК), поэтому в качес зрения их соответствия стандартам EMC ис
INFSEMI_2Text.fm, стр. 481 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.2. Электромагнитная совместимость автомобильных силовых ИС „ 481

пользуются следующие методики: метод В фазе заряда конденсатора подкачки CCP


прямого соединения 1 Ом/150 Ом (согласно ключи S2 и S3 замкнуты. После того как клю
стандарту IEC 619674) и метод прямого вве чи S2 и S3 размыкаются, замыкается ключ S1,
дения мощности (согласно стандарту и заряд, накопленный в CCP, через диод D1
IEC 621324). перетекает в разделительный конденсатор
CGS. Размеры кристалла ИС ограничены, по
13.2.1. Мощные ключевые ИС этому ёмкость интегрированных в него кон
Силовые ключевые ИС (к ним относятся денсаторов не может составлять более не
ИС верхних и нижних ключей, а также мос скольких пикофарад. Следовательно, для то
товые ИС) используются в электронных го, чтобы обеспечить достаточно быстрый
блоках управления как для коммутации ис (за несколько миллисекунд) заряд раздели
точников питания постоянного тока, так и тельного конденсатора CGS (этот конденса
во всё большей степени для реализации тор подключается к затвору мощного сило
систем питания с ШИМрегулированием. вого транзистора, а его ёмкость обычно со
В процессе работы силовые ключи могут ге ставляет несколько нанофарад), ключи
нерировать как узкополосные, так и широ должны работать в мегагерцовом диапазоне.
кополосные электромагнитные помехи, ко Таким образом, в ходе циклов зарядки/раз
торые распространяются по шинам пита рядки конденсаторов в цепи источника пи
ния или через выходные цепи. В режиме тания периодически протекают нерегулируе
постоянного тока (DC) гармоники, генери мые токи; кроме того, существует проблема,
руемые при работе внутренних схем под связанная с протеканием сквозных токов че
качки заряда, формируют узкополосный рез ключи S1 и S2. Всё это вызывает появле
спектр помех, в то время как в режиме ши ние нежелательных высокочастотных токов
ротноимпульсной модуляции (ШИМ) к помехи на выводах питания и земли ИС. На
нему добавляются широкополосные со Рис. 13.26 приведён типичный спектр узко
ставляющие, возникающие при переключе полосной помехи на выходе генератора под
нии токовой нагрузки с частотой ШИМ. качки заряда, состоящий из гармоник часто
Спектр сигналов помех простирается дале ты переключения 700 кГц. Уменьшить воз
ко в мегагерцовый диапазон, что может действие этих помех на внешние устройства
оказывать нежелательное влияние на ра можно было бы такой простой мерой, как
диосвязь и качество приёма радиосигналов. сдвиг рабочей частоты ИС в диапазон, в ко
тором отсутствуют сигналы радиостанций.
Излучение помех, вызванных работой Однако такой вариант исключается, пос
генераторов подкачки заряда в мощных кольку существуют ещё и специальные ра
ключевых ИС диодиапазоны и различные региональные
требования. Другой мерой по снижению
Генераторы подкачки заряда, которые уровня помех является управление ключами
используются в интегральных схемах для S1 и S2, позволяющее избежать появления
получения напряжений, превышающих сквозных токов и уменьшить мощность ге
поступающее напряжение питания, явля нератора подкачки заряда за счёт снижения
ются источниками узкополосных помех. потерь при переключении. Более сложным
Упрощённая схема генератора подкачки за решением является реализация новой кон
ряда приведена на Рис. 13.25. цепции построения источников питания,
которая позволяет исключить прохождение
VBB
токов помехи по шинам питания. В этом
случае, как показано на Рис. 13.27, генера
S3 тор подкачки заряда подключается через
S1 CCP D1 CGS фильтрующую и тококомпенсирующую схе
му, благодаря чему уровень электромагнит
ного излучения снижается на 20…30 дБ
S2 (Рис. 13.28). Другие концепции связаны с
GND «разбросом» рабочей частоты генератора
подкачки заряда в диапазоне f, что позволя
Рис. 13.25. Упрощённая схема генератора ет распределить энергию электромагнитных
подкачки заряда. помех между несколькими гармониками.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 482 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

482 „ 13. Электромагнитная совместимость

Уровень помех [дБмкВ] Внешние цепи, предназначенные для


120 снижения уровня узкополосных кондук
110 тивных помех, распространяющихся по
100
90
шине питания, могут включать в себя филь
80 трующие конденсаторы или RC&фильтры.
70 Рекомендуемая схема включения этих
60 фильтров приведена на Рис. 13.29.
50 Между шиной питания и земляным вы
40
водом ИС следует включить керамический
30
20
конденсатор (CEMI) ёмкостью приблизи
10 тельно 10 нФ, а между земляным выводом
0 ИС и опорной землёй схемы — резистор со
0.1 1 10 100 1000 противлением 150 Ом. Помимо ограниче
Частота [МГц] ния тока ВЧ помехи, добавление этого ре
зистора повышает защищённость ИС от
Рис. 13.26. Спектр электромагнитных помех,
воздействия ISOимпульсов. В случаях,
излучаемых генератором подкачки заряда.
когда использовать этот резистор не пред
ставляется возможным, следует увеличить
S3 Vbb ёмкость конденсатора до 1…10 мкФ, чтобы
получить тот же фильтрующий эффект
Компенсирую*

S1 CCP D1 CGS
щий фильтр

(Рис. 13.30).

S2 Уровень помех [дБмкВ]


120
IGND = const. 110
100
90
Рис. 13.27. Схема генератора подкачки заряда 80
с внутренним фильтром. 70
60
Уровень помех [дБмкВ] 50
120 40
110 30
100 20
90 10
80 0
0.1 1 10 100 1000
70
Частота [МГц]
60
50
Рис. 13.30. Спектр электромагнитных помех,
40
30 излучаемых ИС BTS736L2 при работе в режи
20 ме постоянного тока с внешним фильтром.
10
0 Электромагнитные помехи, излучаемые
0.1 1 10 100 1000
Частота [МГц] мощными ключевыми ИС в режиме
ШИМ
Рис. 13.28. Спектр электромагнитных помех,
излучаемых генератором подкачки заряда При работе в режиме ШИМ силовые
с внутренним фильтром. ключи генерируют широкополосные поме
хи, которые могут быть измерены, если час
тота переключения ниже верхней гранич
Vbb Вход Выход ной частоты измерений тестового приёмни
Верхний ключ ка. Эти электромагнитные помехи распро
Нагрузка страняются от ключа по входным и выход
CEMI ным линиям ИС в соединительные
RGND
GND кабельные жгуты. Особенно высокий уро
вень энергии данных помех сосредоточен в
Рис. 13.29. Внешние цепи подавления помех, нижней и средней областях частотного
создаваемых генератором подкачки заряда.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 483 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.2. Электромагнитная совместимость автомобильных силовых ИС „ 483

спектра. Характеристики источников по В области перехода от статического к дина


добных помех определяются формой сигна мическому режиму затем происходит сгла
лов тока и напряжения, их амплитудой, живание фронтов. При более высоких час
временем переключения и длительностью тотах переключения ШИМ и более крутых
периода этих сигналов. При использова фронтах сигнала переключения требуется
нии ИС в конкретном устройстве частота использование внешних компонентов
переключения и ток нагрузки обычно зада фильтра для того, чтобы уровень излучае
ны заранее. Поэтому минимизация помех мых помех не превышал заданных значе
возможна лишь путём управления време ний. Одна из форм выходного сигнала, под
нем переключения ИС или оптимизации (с ходящая для реализации в мощной ИС, по
точки зрения электромагнитной совмести казана на Рис. 13.33, а соответствующее ей
мости) формы фронта сигнала переключе снижение уровня помех — на Рис. 13.34. По
ния. Большее время переключения означа сравнению с аналогичной ИС, в которой
ет меньший уровень излучаемых помех, од режим сглаживания фронтов сигналов не
нако это и б=ольшие потери мощности при реализован, достигнуто снижение уровня
переключении, связанные со снижением излучаемых помех на 15 дБ (за счёт того, что
крутизны фронта сигнала переключения. переключение происходит в области более
Другой путь снижения ШИМпомех заклю низких частот), при этом общие потери
чается в проектировании ИС таким обра мощности возрастают несущественно.
зом, чтобы при переключении сигналов в
их спектре не появлялись высокочастотные
5
гармоники. Это достигается путём селек
тивной коррекции формы фронта сигнала 4
переключения тока или напряжения. Иде
альный с точки зрения EMC процесс ком 3
мутации сигналов означает максимальную
скорость переключения и низкие потери 2
при переключении, при этом не должны 1
превышаться заданные значения уровня из 0.002505
0.002495
лучаемых помех.
0.00249 0.00251
–2
10
Рис. 13.32. Реальная и идеальная формы
10–4 фронта сигнала при переключении.

10–6 Напряжение сток—исток [В]


13.097

10–8 8.6969
10 100 1000 10000 d/dt1=6.4286e+05
4.2969

Рис. 13.31. Идеальный спектр ВЧ шумов. –0.10313


Ток стока [А]
4.9213
На Рис. 13.31 показан идеальный спектр
помех, генерируемых силовой ИС в режиме d/dt1=–1.9048e+05
3.2679

ШИМ. Зная, что мощность ИС в режиме 1.6146


ШИМ составляет, например, 60 Вт при на –0.03875
пряжении питания 12 В, можно рассчитать Рассеиваемая мощность [Вт]
21.927
параметры идеального процесса переклю
чения. В данном случае, в диапазоне свыше 14.449
int1=0.00056191
150 кГц все частотные составляющие сигна 6.9707
ла помех не превышают значений, задан
–0.5075
ных стандартом CISPR 25. Время переклю BTS 443P t = 10 мкс/дел
чения, соответствующее теоретически до
стижимому пределу минимизации уровня Рис. 13.33. Сглаживание фронтов сигналов.
излучаемых помех, составляет около 10 мкс
(Рис. 13.32), а частота ШИМ — около 1 кГц.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 484 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

484 „ 13. Электромагнитная совместимость

Уровень помех [дБмкВ] ключение. По отношению к излучаемым


100 электромагнитным помехам, которые в
90 данном случае распространяются по цепи
80
питания и через выходные соединители, это
означает, что основную роль играют узко
70 полосные помехи с высокой энергией,
60 спектр которых простирается далеко в об
50 ласть частот 100 МГц и выше. В специфика
циях на DC/DCпреобразователи содер
40
жатся типовые схемы их включения
30 (Рис. 13.35).
20
10 D100

C2 D101 C1
0
VBatt
0.1 1 10 100 1000
Частота [МГц] 10 мкФ 36 В 200 нФ
VS
Рис. 13.34. Спектр излучения при сглажива 8
нии фронтов сигналов и без него.
Смещение BDS C4
В зависимости от тока нагрузки и време и VREF 6
1000
нФ
ни переключения, для снижения уровня
BUC
помех в цепях питания, вызванных процес 3
Понижающий
R1 47к

преобразователь BUO
сами переключения при работе ИС в
ШИМрежиме, могут быть использованы Vinternal 7
C3
такие внешние компоненты фильтров, как
TLE 6365 G
накопительные конденсаторы, подключае 470 нФ
мые между выводами питания и опорной R Генератор Генератор
и форми* сигнала
землёй, LC или Jфильтры. Одновременно 1
R2 100к

рователь сброса при


эти фильтры подавляют и узкополосные опорного пониженном
помехи (например, подобные рассмотрен тока напряжении
ным в предыдущем подразделе). 4 2 5
GND RO VCC
13.2.2. Помехи, создаваемые
DC/DC>преобразователями 100 мкФ C5 L1
200 мкГн

Электромагнитные помехи, излучаемые


при работе DC/DCпреобразователей, как
и помехи, излучаемые при работе силовых C6
220 нФ
ключей, возникают как следствие быстрых
переключений токов и напряжений. Одна VCC
Выход сигнала сброса
ко, в отличие от силовых ключей, выходные
каскады DC/DCпреобразователей работа Рис. 13.35. Схема DC/DCпреобразователя.
ют при значительно более высоких частотах
переключения. Это связано с тем, что в це Особенно большое значение для обеспе
лях снижения стоимости и габаритов чения электромагнитной совместимости
DC/DCпреобразователей все пассивные имеет разводка печатной платы устройств.
накопители энергии (дроссели сглаживаю Рекомендуется производить её таким обра
щих фильтров, входные и выходные кон зом, чтобы обеспечить минимальную пара
денсаторы) стараются выбирать как можно зитную индуктивность в цепи питания, ми
меньшими. Таким образом, наиболее пред нимизировать площадь токоведущих доро
почтительными являются частоты пере жек, предназначенных для сигналов пере
ключения в диапазоне 100…500 кГц. Можно менного напряжения (dv/dt), реализовать
сказать, что работа DC/DCпреобразовате заземление в виде отдельного слоя печат
лей на высоких частотах переключения поз ной платы (этот слой будет также использо
воляет снизить потери мощности на пере
INFSEMI_2Text.fm, стр. 485 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

13.2. Электромагнитная совместимость автомобильных силовых ИС „ 485

ваться в качестве экранирующего), а также Лишь дополнив схему дросселем и кон


обеспечить оптимальный способ подклю денсатором, которые в совокупности с раз
чения фильтров к земле. Дополнительные делительным конденсатором образуют так
меры, снижающие потери мощности и по называемый Jфильтр, можно надёжно га
вышающие эффективность системы, пре рантировать, что уровень помех останется в
дусматривают подключение к затвору до пределах, рекомендованных стандартом
полнительных резисторов (gate dropping CISPR 25 (Рис. 13.38).
resistors), конденсаторов между затвором и
стоком и RC&демпферов, включаемых па Уровень помех [дБмкВ]
100
раллельно с защитными (обратными) дио 90
Шумы

дами. На Рис. 13.36 приведён пример такой 80


оптимизированной печатной платы. 70
60
50
40
30
20
10
0
–10
–20
0.1 1 10 100 1000
Частота [МГц]

Рис. 13.38. Спектр помех, излучаемых


DC/DCпреобразователем с дополнитель
ным Jфильтром.

13.2.3. Помехи, создаваемые


коммуникационными ИС
Рис. 13.36. Оптимизированная с точки зрения (CAN>трансиверами)
электромагнитной совместимости разводка
печатной платы. Помехи, излучаемые CANтрансивера
ми, возникают вследствие того, что данные
Если не принимать дополнительных мер передаются по коммуникационным линиям
по фильтрации помех, то уровень электро на высокой частоте. Существуют высоко
магнитных излучений, генерируемых скоростные (High Speed — HS) CANтран
DC/DCпреобразователем, превысит гра сиверы (скорость передачи данных до
ницы допустимого (Рис. 13.37). 1 Мбод) и низкоскоростные (Low Speed —
LS) CANтрансиверы (скорость передачи
Уровень помех [дБмкВ] данных до 120 Кбод). В обоих вариантах для
100 Шумы передачи данных используются две линии.
90
80 В состоянии ожидания (idle) напряжение на
70 них составляет 2.5 В; в активном режиме
60 путём переключения соответствующих
50 транзисторов драйвера HSCAN напряже
40 ние на линии CAN High устанавливается в
30
20
5 В, а на линии CAN Low — в 0 В. Следова
10 тельно, изменение сигнала в каждой из ли
0 ний составляет 2.5 В. Аналогичным обра
–10 зом работает и шина LSCAN, но здесь ли
–20 ния CAN High переключается из 0 В в 5 В, а
0.1 1 10 100 1000
линия CAN Low — из 5 В в 0 В. Теоретичес
Частота [МГц]
ки, если сигналы на выходах транзисторов
Рис. 13.37. Спектр помех, излучаемых драйвера CAN идентичны по форме, то
DC/DCпреобразователем без дополнитель протекающие в линиях токи (противофаз
ного Jфильтра. ные друг другу) и вызванные ими помехи
INFSEMI_2Text.fm, стр. 486 из 590 (September 6, 2010, 19:30)

486 „ 13. Электромагнитная совместимость

должны взаимно компенсироваться. На ими электромагнитных помех. Необходи


практике, возможности ИС ограничены ха мость обеспечить высокую скорость пере
рактеристиками переключения, которые дачи данных означает, что для низкоско
могут быть обеспечены соответствующей ростной шины LSCAN, в зависимости от
полупроводниковой технологией. На требуемой функциональности и уровня
Рис. 13.39 показаны сигналы в коммуника максимальной загрузки шины, следует ог
ционных линиях и суммарный сигнал для раничиться применением таких компонен
трансивера LSCAN. Видно, что по форме тов, как конденсаторы ёмкостью
сигналы не совпадают друг с другом, и эта 150…330 пФ. Кроме того, используются
асимметрия вызывает появление синфаз синфазные дроссели индуктивностью
ной излучаемой помехи (Рис. 13.40). Уро 51 мкГн, которые предотвращают распро
вень этой помехи может быть измерен ме странение синфазной помехи в обоих на
тодом 150омного пробника, подключаемо правлениях. Уровень синфазных помех мо
го по синфазной схеме. жет быть снижен за счёт использования ви
тых пар или экранированных кабелей, од
VCAN_H, CAN_L [В] VCAN_H + CAN_L [В] нако из соображений экономии такие кабе
10 6
ли редко используются в автомобильных
9 5.75 системах.
8 5.5
7 5.25 13.2.4. Помехоустойчивость
6 5 автомобильных мощных
5 4.75 ключевых ИС
4 4.5
Мощные ключевые ИС, работающие в
3 4.25
качестве верхних или нижних ключей в схе
2 4
мах автомобильных устройств, часто пита
1 3.75
ются непосредственно от бортового напря
0 3.5
0 10 20 30 40 50
жения питания. Следовательно, они под
t [мкс]
вержены воздействию ISOимпульсов, ко
торые проникают в ИС через внешние со
Рис. 13.39. Сигналы на низкоскоростной единения и вызывают перенапряжения,
шине LSCAN. превышающие номинальное рабочее на
пряжение ИС (Рис. 13.41). Это, в свою оче
Уровень помех [дБмкВ] редь, вынуждает при разработке ИС предус
80 матривать встроенные схемы защиты, кото
70
Шумы рые отключают ИС от внешних цепей и ог
раничивают ток или напряжение.
60

50

40

30

20

10

0
0.1 1 10 100 1000
Частота [МГц]

Рис. 13.40. Спектр помех, излучаемых низко


скоростной шиной LSCAN.
Рис. 13.41. Ввод импульсов по стандарту ISO.
Принцип работы CANтрансиверов ис
ключает возможность системного исполь Высокочастотные электромагнитные по
зования внешних устройств, предназначен мехи проникают в ИС тем же путём, через
ных для ограничения уровня излучаемых соединительные кабели, которые работают
INFSEMI_2Text.fm, стр. 487 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.2. Электромагнитная совместимость автомобильных силовых ИС „ 487

как антенны. Для оценки устойчивости ИС ковой структуры ИС. На уровне проек
к высокочастотным излучениям применя тирования ИС проблема решается путём
ется метод прямого введения мощности; ВЧ реализации встроенных схем защиты от
мощность инжектируется непосредственно перенапряжений, перегрузок по току и
в заданный вывод ИС во время её обычной перегрева. В качестве внешних защит
работы (пример получаемого при этом ных устройств могут применяться диоды
спектра приведён на Рис. 13.42). На выводы и ограничители пиковых напряжений.
ИС, которые соединены с печатной платой  Воздействие отрицательного напряже
короткими проводниками, подаётся испы ния — если импульсное отрицательное
тательная прямая ВЧ мощность 50 мВт напряжение превышает величину паде
(17 дБм), а выводы ИС, к которым подклю ния напряжения на диоде, то, в зависи
чены длинные соединительные проводни мости от полупроводниковой техноло
ки, идущие к внешним устройствам, под гии ИС, через транзисторы выходных
вергаются воздействию ВЧ излучения мощ каскадов начинает протекать обратный
ностью 5 Вт (37 дБм). ток неосновных носителей заряда. Что
бы обезопасить ИС от такой ситуации,
Уровень помех [дБм] следует встроить в неё защитные струк
40
туры, которые способны выборочно
35 шунтировать путь протекания этого то
ка, подключая к нему канал с малым
30 омическим сопротивлением. Внешняя
25
защита может осуществляться с помо
щью обратновключённых диодов.
20 Ослабление влияния ВЧ помех в ИС до
стигается путём использования фильтров,
15
встроенных в её внутреннюю структуру и
10 направляющих ВЧ энергию помех в опор
ную землю или отражающих её в обратном
5 направлении. В зависимости от концепции
0
построения ИС, эти фильтры могут рабо
1 10 100 1000 тать с большими ВЧ токами или высокими
Частота [МГц] ВЧ напряжениями и могут быть как актив
ными, так и пассивными. Чем выше допус
Рис. 13.42. Помехоустойчивость силовой ИС. тимый рабочий ток ИС, тем выше её поме
хоустойчивость. В качестве внешней защи
Есть немало различных методов повы ты могут использоваться фильтрующие
шения внутренней устойчивости ИС к воз конденсаторы, а в некоторых случаях –
действию электромагнитных помех им дроссели.
пульсного или высокочастотного проис
хождения и различной мощности. Эффек 13.2.5. Помехоустойчивость
тивность этих мер зависит от применяемой коммуникационных ИС
схемотехники, качества монтажа элемен (CAN>трансиверов)
тов и полупроводниковой технологии, по
которой выполнена та или иная ИС. Исследования устойчивости CANтран
При оценке воздействия ISOимпульсов на сиверов к воздействию электромагнитных
ИС можно выделить три основных категории: помех сконцентрированы, как и в случае с
 Динамическое воздействие — определяет определением уровня их электромагнитно
ся скоростью нарастания напряжения в го излучения, на обеспечении помехоустой
импульсе (dv/dt). Снизить его можно за чивости при передаче сигналов по линиям
счёт повышения рабочего тока ИС и ми CANHigh и CANLow. ВЧ энергия помех
нимизации внутренних паразитных ём воздействует на выводы ИС непосредствен
костей. Кроме того, можно использо но, по линиям передачи данных, которые
вать внешние конденсаторы. работают как приёмные антенны. Указан
 Воздействие энергии импульса — может ный эффект может быть смоделирован с
привести к разрушению полупроводни помощью метода прямого введения мощ
INFSEMI_2Text.fm, стр. 488 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

488 „ 13. Электромагнитная совместимость

ности (DPI) в соответствии со стандартом ВЧ сигнала среднеквадратичное значение


IEC 621324. В ходе этой процедуры имити напряжения помехи, измеряемое на выхо
рующий синфазную помеху испытательный дах ИС, уменьшается (что и показывает
ВЧ сигнал прямой мощностью 4 Вт нижний график на Рис. 13.44). С помощью
(36 дБм) накладывается на полезный сиг этого графика можно получить информа
нал, проходящий по линиям CAN цию о характеристиках импеданса ИС в
(Рис. 13.43), при этом производится конт данном диапазоне частот. Для того чтобы
роль работы ИС трансивера, т.е. отслежива достичь высокой устойчивости к воздей
ются ошибки приёма или передачи данных. ствию синфазной помехи, следует уделить
Типичная частотная характеристика, полу особое внимание обеспечению симметрич
ченная при оценке помехоустойчивости ности входных импедансов. Использова
высокоскоростного CANтрансивера, при ние внешних фильтров зависит от обстоя
ведена на Рис. 13.44. тельств; ограничения на их применение бы
ли упомянуты выше (см. подраздел 13.2.3).
Поскольку CANтрансиверы работают в
качестве драйверов линий, они часто разме
щаются непосредственно (и без защитных
схем) на разъёмах устройств управления
(блоков управления) и, следовательно, мо
гут подвергаться воздействию электроста
тических разрядов. Типичные трансиверы
характеризуются пробивным ESDнапря
жением 4 кВ по линии CANHigh и 8 кВ
по линии CANLow (при испытаниях с по
мощью HBMмодели, соответствующей
Рис. 13.43. Наложение ВЧ сигнала помехи на стандарту IEC 100046, и параметрах
полезный сигнал. R = 330 Ом, C = 150 пФ).

Измерение методом DPI на шине 13.2.6. Меры по обеспечению


CAN в высокоскоростном режиме электромагнитной
Уровень помех [дБм] [В (rms)] совместимости ИС в прикладных
40 100
схемах с использованием
35 внешних компонентов
Выполнение требований EMC для элект
30 10
ронных устройств или систем не ограничи
25 вается лишь EMCхарактеристиками ИС
как источников или приёмников помех.
20 1 Данная проблема должна рассматриваться с
системной точки зрения, с учётом требова
15 ний, предъявляемых к конкретному уст
ройству, и его электромагнитного окруже
10 0.1
ния. В зависимости от параметров того или
1 10 100 1000
иного приложения, меры по обеспечению
Частота [МГц]
EMC могут включать в себя рекомендации
Рис. 13.44. Ограничение помехоустойчивос по разводке соединений и расчёт фильтров
ти CANтрансивера. с использованием внешних конденсаторов
и катушек индуктивности. Необходимо
Как видно из рисунка, в области частот подчеркнуть, что любой компонент филь
около 1 МГц наблюдаются ошибки при пе тра обладает паразитными свойствами, ко
редаче данных. Поскольку указанный диа торые проявляются, как правило, с увели
пазон частот слишком близок к частотному чением рабочей частоты. Стоит также ска
диапазону передачи данных по шине CAN, зать, что на EMCхарактеристики устрой
фильтрация помех здесь вряд ли возможна. ства оказывают влияние как тип фильтрую
С возрастанием частоты испытательного щего компонента, так и способ его
INFSEMI_2Text.fm, стр. 489 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров „ 489

размещения на печатной плате. Например, ИС. В зависимости от требований, предъ


конденсаторы способны сохранять ёмкость являемых к конкретному устройству, эти
лишь при работе в определённом частотном конденсаторы могут быть учтены при раз
диапазоне. Верхняя граничная частота за водке монтажа.
висит от типа конденсатора (электролити
ческий, керамический, металлоплёноч 13.3. Электромагнитная
ный) и его внутренней структуры и вычис совместимость
ляется по формуле: микроконтроллеров
1 13.3.1. Автомобильные
fg = .
2π L ⋅C микроконтроллерные системы
и тенденции развития их
Граничная частота конденсатора опреде технологий
ляется его ёмкостью и собственной индук
тивностью. На частотах выше граничной Диапазон применения микроконтролле
основной вклад в импеданс конденсатора ров в автомобильной электронике очень
начинает вносить не ёмкостная, а индук широк и включает в себя простые устрой
тивная составляющая. Следует также учи ства управления, например стеклоподъём
тывать ненулевое омическое сопротивле никами или осветительными приборами,
ние контактов и сопротивление утечки. более сложные модули, реализующие функ
Схожие соображения применимы и к ции безопасности (например, управление
дросселям фильтров. Паразитные межоб подушками безопасности) и, наконец, сис
моточные ёмкости дросселей ограничивают темы комплексного регулирования таких
индуктивную составляющую импеданса так функций, как впрыск топлива, управление
же, как собственная индуктивность ограни зажиганием или управление торможением.
чивает ёмкостную составляющую импедан Многоплановость требований к вычисли
са конденсаторов. Эквивалентная схема тельной мощности микроконтроллера и
включает в себя активное (омическое) со поддержке таких периферийных функций,
противление обмоток, индуктивность и как таймеры, последовательные и парал
включённые параллельно с ней паразитные лельные интерфейсы передачи данных,
межобмоточные ёмкости. Значения этих CANконтроллеры и быстрые обработчики
паразитных элементов определяются ис прерываний, является причиной постоян
полнением дросселя. Паразитные ёмкости ного усложнения микроконтроллерной ар
выходных (нагрузочных) и сглаживающих хитектуры. Современные микроконтролле
дросселей могут составлять 10 пФ…1 нФ. ры высшего класса сложности с 32битной
У предназначенных для подавления сим архитектурой содержат более 10 миллионов
метричных электромагнитных помех высо транзисторов. Параллельно растут требова
кочастотных дросселей со стержневым сер ния и к величинам рабочего тока микро
дечником и многосекционными обмотками контроллеров, что выражается не только в
величина паразитной ёмкости не превыша повышении нагрузочной способности ста
ет 2 пФ. Примерно такую же паразитную билизаторов напряжения, но также и в уве
ёмкость имеют и тококомпенсирующие личении уровня помех, генерируемых ис
дроссели, использующиеся для ослабления точником питания (вследствие возраста
синфазной помехи. ния коммутируемых токов). Поэтому требо
Проблема повышения устойчивости ИС вания, относящиеся к разработке опти
к высокочастотным помехам, проникаю мальной концепции подавления высоко
щим по цепи питания или по выходным со частотных электромагнитных помех, также
единительным линиям, как правило, реша неуклонно возрастают. К сожалению, по
ется путём использования низкоиндуктив вышение производительности ИС не спо
ного керамического конденсатора ёмкос собствует хорошей электромагнитной сов
тью 10…100 нФ, который включается между местимости. На Рис. 13.45 показано, как
защищаемым выводом ИС и землёй. При улучшение некоторых важных, с технологи
менение конденсаторов подобного типа не ческой точки зрения, параметров микро
только улучшает помехоустойчивость, но и контроллеров соотносится с характеристи
снижает уровень помех, излучаемых самой ками EMC.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 490 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

490 „ 13. Электромагнитная совместимость

EMI ≈ IC = C*(ΔVC/Δt) EMS ≈ 1/VDD


[МГц]
Рабочая частота Млн. шт. Количество мкм Длина канала (для В Напряжение
транзисторов в ИС МОП*транзисторов) питания
500 50 1.0 5
400 40 0.8 4
300 30 0.6 3
200 20 0.4 2
100 10 0.2 1
Год Год Год Год
1995 2000 2005 1995 2000 2005 1995 2000 2005 1995 2000 2005

ΔVC/Δt C ΔVC/Δt 1/VDD


Меньшее Больше узлов могут Выше Ниже
время заряда быть заряжены быстродействие напряжение
транзисторов питания

Рис. 13.45. Развитие полупроводниковых технологий и их влияние на характеристики EMC.

В результате развития технологий произ электромагнитного излучения и минималь


водства и продолжающейся дальнейшей ми ной чувствительности (восприимчивости) к
ниатюризации интегральных транзисторов, воздействию электромагнитных помех или,
на одном полупроводниковом кристалле другими словами, максимальной помехоус
может размещаться всё большее количество тойчивости. По способу своего распростра
транзисторов. Например, в настоящее вре нения, ВЧ помехи подразделяются на наве
мя на кремниевом кристалле площадью ме дённые (кондуктивные) и излучаемые. Ха
нее 100 мм2 может быть размещено более рактерная длина выводов в микросхемах
20 млн транзисторов. В связи с этим можно микроконтроллеров такова, что на частотах
ожидать постоянного повышения токов пе ниже 1 ГГц они вряд ли способны излучать
реключения в ИС и, следовательно, возрас помехи непосредственно в эфир, однако ге
тания уровня излучаемых помех. нерируемая ими электромагнитная энергия
Это, в свою очередь, снижает помехоус может возбуждать подключённые к выво
тойчивость сложных электронных схем, дам ИС структуры на печатной плате (на
поскольку помехи, вызываемые токами пе пример, шины питания или соединитель
реключения (так называемый шум одновре ные токопроводящие дорожки), которые
менного переключения, Sumultineos Switch имеют достаточно большие геометричес
ing Noise — SSN), становятся сравнимы по кие размеры и могут действовать как пере
амплитуде с полезным сигналом (т.е. отно дающие антенны. Длина таких «антенных»
шение сигнал/шум оказывается недопусти структур определяется как l > 6/20, что со
мо малым). Поэтому необходимо прини ответствует 15 см на частоте 100 МГц и
мать меры по снижению фонового уровня 15 мм на частоте 1 ГГц.
SSN в источниках помех, чтобы не только Архитектура микроконтроллерных сис
уменьшить уровень излучаемых помех, но и тем такова, что практически все подключе
повысить помехоустойчивость. Помимо ния к выводам микроконтроллера являются
мер, связанных с улучшением электромаг внутренними (пути прохождения сигналов
нитной совместимости на уровне печатной локализованы в пределах печатной платы).
платы, не меньшее значение имеет оптими Линии связи с внешними устройствами не
зация EMCхарактеристик на уровне ИС. подключаются напрямую к выводам микро
Таким образом, оптимизированные с точки контроллера. Существует, однако, одно ис
зрения электромагнитной совместимости ключение из этого правила. Напряжение
схемотехнические решения в настоящее питания поступает в микроконтроллер от
время играют ключевую роль в сфере разра бортовой сети автомобиля через ИС стаби
ботки систем обеспечения безопасности, лизатора напряжения, который не блокиру
особенно в области автомобильной элект ет высокие частоты. Поэтому ВЧ помехи,
роники. которые генерируются в микроконтролле
Чем большее количество электронных ре и вследствие неоптимальной развязки
систем размещается в автомобиле, тем вы распространяются по его цепи питания, че
ше оказываются требования к каждой из рез стабилизатор напряжения проникают в
этих систем с точки зрения минимизации бортовую электрическую сеть автомобиля.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 491 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров „ 491

Результатом этого является появление по приходить одновременно (насколько это


мех в бортовой сети питания, которые мо возможно) во все точки печатной платы.
гут проникать в другие устройства, подклю Поэтому в системе будут иметь место очень
чённые к этой сети, или воздействовать на короткие и крутые импульсы тока с высо
окружение таких электронных систем, как, кой скоростью нарастания di/dt, достигаю
например, автомобильное радио. щей 100 мА/нс. Для того чтобы сгенериро
Итак, электромагнитные ВЧ помехи сле вать импульсы тактовой частоты прямо
дует подавлять в их источнике (на уровне угольной формы (на практике эти импуль
полупроводникового компонента), пос сы имеют трапецеидальную форму с макси
кольку в противном случае придётся при мально крутыми нарастающими и
нимать меры по их ослаблению либо на спадающими фронтами), требуются высо
схемном уровне, либо в том оконечном уст кие токи перезаряда. Указанное требование
ройстве, которое подвергается воздей применимо ко всем транзисторам, которые
ствию этих помех. Только стоить это будет должны переключаться одновременно.
уже гораздо дороже. Хотя проектирование Вследствие протекания больших токов пе
ИС с учётом концепции встроенного реключения генерируется высокочастотное
(onchip) подавления помех требует опреде электромагнитное излучение, которое тем
лённых затрат, такое решение всегда эф больше, чем больше энергия, потребляемая
фективнее любых экстренных мер по защи системой от внешнего источника питания.
те внешних устройств от помех. Подытожи Следует напомнить, что высокочастотная
вая всё вышесказанное, следует подчерк составляющая этой энергии рассеивается в
нуть, что оптимизация параметров EMC окружающее пространство, при этом роль
для микроконтроллерных систем должна передающих антенн играют токопроводя
проводиться как на уровне микросхемы, щие дорожки и другие элементы печатной
так и на уровне печатной платы. платы. Поэтому очень важно, чтобы источ
Прежде чем приступать к оптимизации ник большого зарядного тока, способный
EMCхарактеристик автомобильных элект обеспечить требуемую скорость переключе
ронных систем, необходимо провести целый ния импульсов тактовой частоты микро
ряд испытаний на уровне конкретных ИС, контроллера, располагался как можно бли
отдельных модулей и систем автомобиля, же к источнику излучения, т.е. к микрокон
принимая во внимание следующие факторы: троллеру. Тогда энергия, излучаемая струк
 уровень электромагнитных помех, гене турными элементами печатной платы, бу
рируемых интегральными схемами; дет ниже, чем в ситуации, когда
 помехоустойчивость на уровне компо источником энергии «переключения» явля
нентов (интегральных схем); ется расположенный на определённом рас
 уровень помех, генерируемых отдельны стоянии от микроконтроллера стабилиза
ми системами и устройствами; тор напряжения. В последнем случае, ВЧ
 помехоустойчивость на системном помеха распространяется по следующему
уровне; пути: внутренняя шина питания ИС — кор
 уровень помех, генерируемых при работе пус ИС — шина питания на печатной плате
автомобильной электроники; (Рис. 13.46).
 помехоустойчивость всего электрообору
дования автомобиля в целом. Система
синхрони* Буферный
Система зации ИС конденсатор
13.3.2. Проектирование печатной платы, питания ИС
оптимизированной с точки
зрения электромагнитной
лизатор
Стаби*

Корпус
совместимости ИС

Современные микроконтроллерные ар


Шина питания
хитектуры используют синхронное такти на печатной плате кабель
рование. Это означает, что активный фронт Электрический
импульса системной тактовой частоты, по
которому происходит переключение логи Рис. 13.46. Пути распространения помех
ческих схем микроконтроллера, должен в синхронизированных системах.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 492 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

492 „ 13. Электромагнитная совместимость

По этой причине между шинами пита положительного питающего напряжения


ния и земли в непосредственной близости (VDD) и VSS следует прокладывать как мож
от микроконтроллера на печатной плате но ближе друг к другу или одну над другой,
обычно размещают большое количество бу чтобы минимизировать путь протекания
ферных конденсаторов, которые обеспечи возвратного тока и, следовательно, умень
вают необходимый ток переключения. шить уровень синфазных помех
В промежутке времени между двумя актив (Рис. 13.47).
ными фронтами тактовых импульсов кон
денсаторы перезаряжаются. К сожалению,
использование на печатной плате дискрет

Шина питания
Шина питания
МК МК
ных конденсаторов имеет тот недостаток,
что они обладают ненулевыми контактной

(VDD)

(VDD)
Печатная Печатная
индуктивностью (ESL — эквивалентная плата плата
последовательная индуктивность) и кон Шина земли Шина земли
тактным сопротивлением (ESR — эквива Разъём Разъём
лентное последовательное сопротивление). Плохо спроектированный Хорошо спроектированный
Их значения (составляющие приблизитель путь протекания путь протекания
возвратного тока возвратного тока
но 2 нГн и 30 мОм) достаточно велики для
того, чтобы на наиболее высоких частотах Рис. 13.47. Разводка напряжения питания
конденсатор практически терял свои ём на двухслойной печатной плате.
костные свойства. Напротив, контактная
индуктивность встроенного конденсатора, При проектировании многослойных пе
размещённого в непосредственной близос чатных плат необходимо предусмотреть два
ти от внутренней шины питания ИС, ока раздельных слоя, выделенных исключи
зывается пренебрежимо малой. Следова тельно под шины напряжения питания
тельно, чем большее количество таких (VDD и VSS). Любые другие питающие на
внутренних конденсаторов может быть ин пряжения в схеме должны подводиться к
тегрировано непосредственно в микросхе «островам», расположенным непосред
му, тем выше будет эффект подавления ВЧ ственно под теми модулями, которые ис
излучения. пользуют эти напряжения питания. В целях
Снижение уровня электромагнитных из минимизации уровня излучаемых электро
лучаемых помех также может быть достиг магнитных высокочастотных помех, жела
нуто путём использования соответствую тельно обеспечить как можно большую ве
щих схемотехнических и конструктивных личину паразитной ёмкости между слоями
решений при разработке печатной платы. питания. Этого можно достичь, располагая
К их числу можно отнести: применение ин внутренние слои печатной платы непо
дуктивных фильтров (например, дросселей средственно один над другим (Рис. 13.48).
и ферритовых бусин), работающих как
фильтры нижних частот; выполнение пе Небольшое расстояние между
чатной платы с дополнительным заземлён слоями земли (GND) и питания (VDD)
ным слоем без сквозных отверстий в нём;
выполнение подводок ВЧ сигнала в виде Сигнал Сигнал
полосковых линий; использование допол
GND GND
нительных конденсаторов и электромаг
нитных экранов. Однако все эти добавоч VDD VDD
ные элементы повышают стоимость элект Сигнал Сигнал
ронных устройств, что весьма существенно, GND
особенно если речь идёт о массовом произ
водстве. Сигнал
Если, по соображениям экономии 4>слойная 6>слойная
печатная плата печатная плата
средств, решено использовать печатную
плату лишь с двумя слоями, то один из этих
слоёв должен (насколько это возможно) Рис. 13.48. Распределение слоёв в многослой
быть выделен под землю (GND и VSS). Если ной печатной плате.
это не представляется возможным, то шины
INFSEMI_2Text.fm, стр. 493 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров „ 493

Например, в 6слойной печатной плате При использовании буферных конденса


второй слой может быть отведён под сиг торов следует размещать их на печатной пла
нальную землю, что обеспечит заданное те таким образом, чтобы обеспечиваемый
значение импеданса по отношению к вы ими ток переключения поступал в ИС по
сокочастотному сигналу данных. Здесь, как кратчайшему пути. В этом случае ток от ис
и в случае с разводкой шин питания, следу точника питания (по шинам VDD или VSS, в
ет обратить внимание на то, чтобы пути зависимости от схемы включения ИС) физи
протекания возвратных токов были как чески протекает через конденсатор в ИС.
можно короче. Особенно надо избегать В качестве иллюстрации этого, на Рис. 13.51
электрического контакта земляного слоя с показаны примеры правильного и непра
соседними слоями через сквозные отверс вильного подключения буферных конденса
тия (Рис. 13.49). торов к выводам питания микроконтролле
ра. Две верхние схемы на Рис. 13.51 относят
Сквозное ся к случаю размещения компонентов на од
отверстие ной стороне платы, а две нижние — к слу
Слой
земли чаю, когда микроконтроллер и конденсатор
размещаются на лицевой и обратной сторо
нах 4слойной печатной платы (PCB).

Путь протекания Путь протекания Путь протекания Микрокон* Микрокон*


возвратного тока возвратного тока возвратного тока троллер троллер
Наихудший путь Наилучший путь Оптимальный GND* VCC*
протекания протекания путь протекания Via Via Cdec
возвратного тока возвратного тока возвратного тока
Cdec Печатная GND* VCC*
Рис. 13.49. Оптимизация путей протекания плата Via Via
возвратных токов для ВЧ сигналов на печат Cdec
ной плате. Сигнал
Печатная GND
плата VCC
(4 слоя)
Сигнал
Самое пристальное внимание следует Микроконтроллер
уделить размещению на печатной плате не Ток поступает в микрокон* Ток поступает
скольких ИС. В первую очередь, необходи троллер непосредственно в микроконтроллер
из слоя питания через конденсатор
мо провести шины питания от стабилизато
а) б)
ра напряжения. Напряжение к быстродей
ствующим логическим схемам, «медлен Рис. 13.51. Неправильное (а) и правильное (б)
ным» логическим схемам и чувствительным размещение буферного конденсатора.
аналоговым каскадам должно подаваться
раздельно, чтобы минимизировать взаим При подключении к встроенному в мик
ное влияние этих схем. Соответствующие роконтроллер генератору керамического или
линии (дорожки) питания должны соеди кварцевого резонатора следует обратить осо
няться по схеме «звезда» в одной точке в бое внимание на то, чтобы непосредственно
стабилизаторе напряжения (Рис. 13.50). под местом размещения основного вывода
резонатора на печатной плате была создана
Область VDD проводящая область («остров»), соединён
Область VDD для ная с выводом VSS (землёй) микроконтрол
для стабилизатора лера. Это единственный способ избежать
быстродей* напряжения Область VDD протекания возвратного тока по поверхнос
ствующей ИС для ИС
памяти ти земляного слоя печатной платы.
Точка
Помимо концепции использования бу
соеди* ферных конденсаторов, огромное значе
Область VDD нения Область VDD ние, с точки зрения снижения уровня ВЧ
для для
аналоговой микрокон* излучений и обеспечения целостности по
ИС Печатная троллера лезного сигнала, имеет «канализирование»
плата
при передаче высокочастотных полезных
Рис. 13.50. Разводка шин питания ИС различ сигналов по шинам данных. Излучение или
ных типов по схеме «звезда». проникновение ВЧ помех, например, в
INFSEMI_2Text.fm, стр. 494 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

494 „ 13. Электромагнитная совместимость

цепь питания можно эффективно предот для цифровых схем переключения, которые
вратить путём экранирования сигнальных описывают характеристики переключения
проводников. При этом формируется мик для всех драйверов, входящих в состав дан
рополосковая линия (в случае использова ной ИС. Структурные элементы печатной
ния однослойного экранирования) или платы могут быть описаны в рамках так на
полная полосковая линия (в случае исполь зываемой модели линии передачи
зования двухслойного экранирования). (Transmission Line Model — TLM) или с ис
В обоих вариантах полосковые линии могут пользованием двух или трёхмерных (в за
быть спроектированы с заданным импедан висимости от вида конкретной печатной
сом, что позволяет согласовывать их с вы платы) стандартных элементов, которые
ходным импедансом драйвера сигналов. На позволяют моделировать различные гео
Рис. 13.52 приведены примеры таких линий метрические формы. Чем неудачнее спро
с различными импедансами. ектирована печатная плата, тем тщательнее
должен быть проведён процесс моделиро
0.15 мм вания её самой и её окружения, и тем боль
0.15 мм 0.25 мм ше оказывается объём обрабатываемых
Сигнал данных и требуемые вычислительные ре
сурсы. Моделируемые параметры записы
εr = 4.5 0.3 мм 0.2 εr = 4.5 0.3
εr = 4.5 мм ваются в виде сложных так называемых
мм
GND
RLCGматриц, для решения которых ис
пользуются программы анализа электро
Z0 = 88 Ом Z0 = 75 Ом Z0 = 73 Ом магнитных полей. С помощью этих про
грамм можно производить вычисления как
Рис. 13.52. Характеристические сигнальные на уровне проводников, так и на уровне по
импедансы микрополосковых линий. лей. Примеры такого анализа в частотной и
временной областях приведены на
Согласование импедансов линии и драй Рис. 13.53.
вера позволяет как улучшить целостность
сигнала при передаче его по линии, так и
снизить уровень излучаемых помех. Напро
Амплитуда
Целостность

тив, рассогласование импедансов приводит


сигнала

к отражению сигналов из линии в драйвер,


что вызывает искажения фронтов сигналов
(выбросы) или даже генерацию паразитных
ВЧ колебаний («звон») в момент их пере Время
ключения. Более подробно этот эффект
характеристики
Передаточные

Затухание

рассмотрен в разделе 13.4.


Компьютерное моделирование
и симуляция характеристик EMC
Компьютерная симуляция может прово Частота
Распределение тока

диться во временной или в частотной об


ласти. Картина, полученная во временной
области, позволяет оценить целостность
сигналов, т.е. крутизну фронтов, наличие
выбросов/провалов или «звона» при пере
даче сигналов. Результаты компьютерного
моделирования помогают выявить «сверх
габаритные» драйверы, чересчур длинные
Рис. 13.53. Компьютерный анализ целостнос
соединительные проводники и несогласо
ти сигнала во временной области (верхний
ванность импедансов. Производители ИС
график), коэффициента передачи S21 в час
для обеспечения технической поддержки
тотной области (центральный график) и ло
своей продукции обычно предоставляют
кального распределения тока на печатной
так называемые компьютерные IBISмоде
плате (нижний график).
ли (спецификации буфера ввода/вывода)
INFSEMI_2Text.fm, стр. 495 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров „ 495

13.3.3. Измерение уровня помех, контроллера размещается на экранирован


излучаемых ной обратной стороне платы, а периферий
микроконтроллерами ные устройства (память, тактовый генера
тор, внешние порты ввода/вывода) — на
При оценке уровня помех, излучаемых лицевой стороне. Эта же плата совместно со
микроконтроллерами, за основу принята сканером ближнего поля может быть ис
методика проведения измерений, соответ пользована и при проведении измерений
ствующая стандарту IEC 61967. Данный распределения электромагнитных полей
стандарт описывает 5 различных методов вдоль поверхности испытуемой ИС. Такой
измерений как кондуктивных (IEC 619674, тест полезен для определения критических,
бывший стандарт VDE 767.13), так и излу с точки зрения излучения помех, выводов
чаемых помех (IEC 619672, бывший стан микроконтроллера.
дарт SAE 1752/3). Кроме того, в ряд нацио В типичном спектре помех, излучаемых
нальных стандартов дополнительно входят микроконтроллером, резко выделяются по
различные измерительные методики, пред амплитуде гармоники системной тактовой
ложенные национальными комиссиями по частоты. При сравнении уровней излучае
проблеме EMC и по настоящее время сосу мых помех, полученных, например, на раз
ществующие со стандартом IEC 61967. ных этапах проектирования ИС, использу
Подробное описание стандартизирован ется огибающая спектрального сигнала. На
ных в соответствии с IEC 61967 методов из Рис. 13.55 показан типичный спектр по
мерения помех было дано в разделе 13.1.3. мех, излучаемых микроконтроллером, ко
Два из этих измерительных методов мо торый работает с тактовой частотой 40 МГц.
гут быть реализованы с помощью одной ис
пытательной платы (Рис. 13.54). Универ Уровень помех [дБмкВ]
сальная испытательная плата для измере 60
ний методом TEMкамеры конструктивно
50
представляет собой квадрат со стороной
4 дюйма (10.14 см). Испытуемая ИС микро 40

30

20

10

–10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
Частота [МГц]

Рис. 13.55. Спектр помех, излучаемых микро


контроллером, полученный при измерении
методом TEMкамеры в соответствии со
стандартом IEC 619672. Тактовая частота
микроконтроллера 40 МГц.

Источники помех и пути их


распространения
Микроконтроллер состоит из большого
количества функциональных модулей
(Рис. 13.56). В первую очередь, имеется
ЦПУ (центральное процессорное устрой
Рис. 13.54. Испытательная плата для измере ство), ответственное за вычисления и уп
ния уровня помех, излучаемых микроконт равление процессом передачи данных.
роллером. Вверху — верхняя сторона платы, К так называемым периферийным моду
ввнизу — нижняя сторона платы с испытуе лям, или проще «периферии», микроконт
мой ИС. роллера относятся модули памяти (ОЗУ,
INFSEMI_2Text.fm, стр. 496 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

496 „ 13. Электромагнитная совместимость

излучаются в окружающее пространство. Те


высокочастотные помехи, которые не уда
лось подавить схемотехническими метода
ми на уровне микросхемы (например, за
счёт применения интегрированных в крис
талл развязывающих конденсаторов), про
никают в окружающие микроконтроллер
системы через контактные площадки шины
питания. К числу внешних систем, подвер
гающихся воздействию помех, прежде всего
относится печатная плата, на которой раз
мещён микроконтроллер. Эта ВЧ помеха
может быть частично ослаблена дискретны
ми развязывающими конденсаторами, ко
торые следует располагать как можно ближе
к выводам питания микроконтроллера. Об
ладая неоптимальными характеристиками
Рис. 13.56. Расположение функциональных контактной индуктивности (ESL — эквива
модулей в корпусе микроконтроллера, ис лентная последовательная индуктивность,
пользующего систему централизованной составляющая приблизительно 2 нГн) и
синхронизации тактовыми импульсами. контактного сопротивления (ESR — экви
валентное последовательное сопротивле
ПЗУ, ЭППЗУ, флэшпамять), таймеры (на ние, составляющее приблизительно
пример таймеры захвата/сравнения), пос 30 мОм), эти конденсаторы способны эф
ледовательные и параллельные интерфейсы фективно подавлять помехи на относитель
передачи данных (ASC, SSC, SPI, парал но низких частотах, вплоть до 10 МГц. Бо
лельный порт), специальные модемы лее высокочастотные помехи не ослабляют
(CAN, J1850), контроллер прерываний и ся. По этой причине необходимо организо
интерфейс внешней памяти (EBU — модуль вать подавление электромагнитных ВЧ по
внешней шины). Для того чтобы обеспе мех в самой микросхеме, минимизируя их
чить максимальную вычислительную мощ источники и пути распространения.
ность микроконтроллера, шины передачи Система синхронизации тактовыми им
данных должны обладать максимально воз пульсами является главным источником уз
можной пропускной способностью и рабо кополосных высокочастотных электромаг
тать на возможно более высокой тактовой нитных помех. На них накладываются вто
частоте. Высокая тактовая частота передачи ричные тактовые импульсы и апериодичес
данных означает, что на обработку данных у кие сигналы, которые «ответственны» за
микроконтроллера имеется немного време появление в спектре помех широкополос
ни, поэтому длительность латентной фазы ной составляющей (см. Рис. 13.55). Совре
цикла передачи данных следует задавать как менные сложные и высокопроизводитель
можно большей. Соответственно, необхо ные микроконтроллерные системы исполь
димо обеспечить чрезвычайно крутые зуют импульсную синхронизацию для уп
фронты сигналов тактовой частоты, причём равления всеми логическими схемами, т.е.
эти сигналы должны поступать синхронно тактовые импульсные сигналы должны од
по всей системе. новременно поступать во все точки систе
Поскольку все транзисторы микроконт мы. В процессе одновременного переклю
роллера потребляют в процессе переключе чения сотен тысяч транзисторов в системе
ния ток, протекающий по внутренней шине питания микроконтроллера возникают им
питания, она представляет собой основной пульсы тока очень большой амплитуды (по
путь распространения ВЧ помех (подсчита рядка нескольких ампер). В идеале шина
но, что до 60% ВЧ помех проникают в окру имеет низкий импеданс, чтобы избежать
жающие системы по цепи питания микро больших падений напряжения на ней, поэ
контроллера). Ещё около 30% помех рас тому основной вклад в генерацию ВЧ помех
пространяются через порты ввода/вывода, вносит ток, протекающий по цепи питания.
и лишь оставшиеся 10% непосредственно В зависимости от того, как организована
INFSEMI_2Text.fm, стр. 497 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров „ 497

синхронизация внутренних логических Схемотехнические методы


схем, импульсы тока возникают один или по предотвращению излучения помех
два раза за период тактовой частоты. Они от микроконтроллеров
характеризуются очень крутым фронтом и
постепенно затухают по мере того, как так Чем ближе к источникам электромагнит
товый сигнал проходит через различные ных помех располагаются элементы, пред
каскады логических схем (Рис. 13.57). назначенные для подавления помех, тем
выше их эффективность. Улучшение
V
EMCхарактеристик электронных уст
ройств может быть достигнуто следующими
мерами: ограничением крутизны фронтов
импульсов при переключении транзисторов
t и логических схем (элементов), а также раз
I Период мещением дополнительных источников за
тактовых ряда (конденсаторов) в непосредственной
импульсов
близости от переключаемой логической
t
схемы. Уменьшать крутизну фронтов такто
вых импульсов можно лишь в тех случаях,
Δt (макс. изменение тока di/dt) когда это не противоречит требованиям к
производительности микроконтроллера.
Рис. 13.57. Форма тока и напряжения для так Транзисторы и логические элементы при
тового сигнала. совместной работе не должны формировать
импульсы с чересчур крутыми фронтами.
Токи переключения логических схем, В настоящее время во всём мире широко
расположенных на полупроводниковом распространение получили методы синтеза
кристалле микроконтроллера, в нормаль схем, когда выбор соответствующих компо
ном режиме поступают от внешнего источ нентов схемы осуществляется с применени
ника питания. Однако при этом неизбежно ем программных инструментов.
генерируются так называемые шумы одно Большинство производителей микро
временного переключения (SSN), вызван контроллеров интегрируют в микросхемы
ные высокой крутизной фронтов импуль конденсаторы, предназначенные для огра
сов тока (большой величиной di/dt) и нали ничения импульсов тока при переключени
чием паразитных сопротивлений и индук ях. Совместно со своим низкоомным пос
тивностей в цепи питания. Высокочастот ледовательным сопротивлением такой кон
ная составляющая этих шумов проникает в денсатор образует RC&фильтр нижних час
соседние электронные системы или излуча тот. Тем самым высокочастотная составля
ется в окружающее пространство. Поэтому ющая тока переключения не только
система питания микроконтроллеров вклю ослабляется внутри микросхемы, но и не
чает в себя развязывающие (буферные) пропускается наружу. Использование пос
конденсаторы, располагающиеся как мож ледовательных индуктивностей было бы
но ближе к потребителям тока, т.е. к интег более эффективным (поскольку они обла
ральным схемам. Это означает, что каждый дают меньшим последовательным сопро
микроконтроллер в идеале дополнен кон тивлением), однако для реализации интег
денсатором, размещённым непосредствен ральной индуктивности около 100 нГн тре
но на его выводах питания. Использование буется слишком большая площадь поверх
данных конденсаторов оказывается полез ности полупроводникового кристалла. Сис
ным с двух точек зрения: тематические исследования процесса
 вопервых, они служат локальными ис работы микроконтроллеров показывают,
точниками тока в момент переключения что их проектирование с учётом реализации
импульсов тактовой частоты; подобных RC&структур позволяет значи
 вовторых, они в определённой степени тельно уменьшить уровень излучаемых по
ограничивают распространение высоко мех. На Рис. 13.58, а, б в графическом виде
частотных помех от микроконтроллера в показаны результаты двух измерений уров
стабилизатор напряжения или аккумуля ня электромагнитных помех, излучаемых
торные батареи автомобиля. 16битным микроконтроллером. В первом
INFSEMI_2Text.fm, стр. 498 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

498 „ 13. Электромагнитная совместимость

а) 16*битный микроконтроллер в) 16*битный микроконтроллер


(системная тактовая частота 20 МГц). (системная тактовая частота 40 МГц).
Результат измерения излучаемой Спектр кондуктивных помех при
40 50

Уровень помех [дБмкВ]


помехи (встроенный EMI*фильтр
Уровень помех [дБмкВ]
крутых фронтах тактовых импульсов
низкого качества)
40
30
30
20 20

10
10
0
0 *10
0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600
Частота [МГц] Частота [МГц]
б) 16*битный микроконтроллер г) 16*битный микроконтроллер
50

Уровень помех [дБмкВ]


Уровень помех [дБмкВ]

40 (системная тактовая частота 20 МГц). (системная тактовая частота 40 МГц).


Результат измерения излучаемой 40 Спектр кондуктивных помех при
помехи при хорошем встроенном пологих фронтах тактовых импульсов
30
EMI*фильтре 30

20 20

10
10
0

0 *10
0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600

Частота [МГц] Частота [МГц]

Рис. 13.58. Снижение уровня излучаемых микроконтроллером электромагнитных помех схемо


техническими (onchip) методами. Слева — спектр излучаемых помех при отсутствии (а) и нали
чии (б) развязывающего конденсатора. Справа — спектр кондуктивных помех на выходе драйвера
порта ввода/вывода при крутых (в) и пологих (г) фронтах тактовых сигналов.

случае в микроконтроллере не предусмот сигнала). Поскольку параметры выходных


рено никаких мер, направленных на улуч транзисторов драйвера обычно выбирают
шение его EMCхарактеристик, а во втором ся с некоторым запасом (в расчёте на так
случае он спроектирован с применением называемые наихудшие условия работы),
концепции встроенных развязывающих как правило, имеется возможность исполь
конденсаторов. Видно, что уровень помех в зовать импульсы с менее крутыми фронта
критическом (используемом для FM веща ми. Особенно это относится к случаям, ког
ния) частотном диапазоне 100 МГц удаётся да драйвер работает на невысокой тактовой
снизить приблизительно на 10 дБ. частоте или на малую ёмкостную нагрузку.
Помехи, возникающие при переключе На Рис. 13.58, в, г в спектральном виде по
нии сигналов на выходе драйверов портов казаны результаты измерений кондуктив
ввода/вывода микроконтроллера, также ной помехи, генерируемой 16битным мик
вносят свой вклад в общий уровень помех, роконтроллером на выходе драйвера порта
генерируемых микроконтроллером. Сиг ввода/вывода. В первом случае, фронты
нальные линии на печатной плате, подклю тактовых импульсных сигналов имеют
чённые к выводам портов, представляют большую крутизну, а во втором случае их
собой (также как и рассмотренные выше крутизна снижена. Использование подоб
шины питания) очень эффективные антен ного метода позволяет уменьшить уровень
ны длиной до нескольких сантиметров. помех в диапазоне FM (100 МГц) приблизи
С целью минимизации помех, генерируе тельно на 6 дБ.
мых выходными каскадами (драйверами) Другой схемотехнический метод улучше
портов вода/вывода, следует предприни ния EMCхарактеристик микроконтрол
мать определённые схемотехнические ме лерных систем заключается в использова
ры. Наиболее распространёнными из них нии генераторов частотномодулированно
являются снижение выходной мощности го тактового сигнала, известных под общим
драйвера или сглаживание фронтов им названием «генератор с распределённым
пульсов (контроль скорости нарастания спектром». Даже при весьма ограниченном
INFSEMI_2Text.fm, стр. 499 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров „ 499

уровне модуляции (0.5…1%) удаётся замет


но снизить амплитуду узкополосных помех,
представляющих собой гармоники такто Компаунд
Золотая
вой частоты. В то же время, несколько уве Клей проволока
личивается уровень помех в боковой полосе Медная
частот. Хотя таким способом не удаётся рамка
уменьшить общую энергию излучений, бо Место посадки
лее равномерное её распределение по спек кристалла
а)
тру позволяет ограничить максимальную
амплитуду электромагнитной помехи.
Уровень помех, генерируемых микро Место посадки Золотая
контроллером, может быть снижен также кристалла прово*
путём соответствующих усовершенствова Кристалл лока
Слой
ний его корпусирования и схемы располо Компаунд металли*
жения выводов. В настоящее время широко зации
распространены корпуса ИС на основе так
называемой выводной рамки (leadframe, см. Шариковый
Рис. 13.59, а). В них сигнальные линии и контакт Опорная
шины питания, соединяющие полупровод Межсое* пластина
динение б)
никовый кристалл ИС с её внешними выво
дами, проведены в виде «паучьих ножек». Рис. 13.59. Вид сверху и изображение в попе
По такой технологии выполнены корпуса речном разрезе корпусов с выводной
типов DIL, PLCC, MQFP и TQFP. Чем рамкой (а) и типа BGA (б).
больше расстояние между полупроводни
ковой подложкой кристалла и внешним вы контакт между полупроводниковым крис
водом корпуса, тем выше контактная ин таллом ИС и соответствующими дорожка
дуктивность данного соединения. Она со ми опорной пластины осуществляется ли
стоит из индуктивности выводной рамки и бо проволочными соединениями, либо, в
индуктивности проволочного соединения, варианте «перевёрнутого» кристалла, не
которое обеспечивает электрический кон посредственно через так называемые стол
такт между кристаллом и выводной рамкой. биковые выводы.
При проектировании схемы расположения
выводов микроконтроллера особое внима Компьютерное моделирование
ние следует уделить разводке выводов пита и симуляция характеристик EMC
ния, которые всегда должны быть сгруппи Если при проектировании печатных плат
рованы попарно и располагаться как можно методы компьютерной симуляции их
ближе к середине соответствующей сторо EMCпараметров применяются уже до
ны корпуса. Такое их расположение позво вольно давно и широко, то методика моде
ляет минимизировать индуктивность внут лирования и программной симуляции
ренних соединений и создаёт оптимальные EMCхарактеристик микрокомпьютеров
условия для блокирования помех. пока ещё находится на начальном этапе
В то время как в корпусах с выводной своего развития. Основная причина этого
рамкой схема разводки сигнальных линий заключается в большой сложности микро
задаётся заранее и не может затем изме контроллера — программная симуляция его
няться, применение корпусов, выполнен работы на уровне, например, транзисторов
ных по технологии BGA (матрицы шарико требует обработки невероятно больших
вых выводов, см. Рис. 13.59, б), позволяет массивов данных и занимает много време
оптимизировать критические, с точки зре ни. Более реалистичным решением являет
ния EMC, сигнальные соединения и линии ся программная генерация эквивалентных
питания путём разработки соответствую источников тока, которые моделируют «по
щих трафаретов. Здесь выводы выполнены ведение» микроконтроллера в целом или
на нижней стороне корпуса в виде малень отдельных его модулей при переключении
ких шариков, которые методом точечной токов.
пайки припаиваются к контактным пло Для проведения системноориентиро
щадкам печатной платы. Электрический ванных компьютерных симуляций
INFSEMI_2Text.fm, стр. 500 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

500 „ 13. Электромагнитная совместимость

EMCпараметров микроконтроллеров раз питания до 1.5 В и ниже эта проблема при


работаны различные стандартные програм обретает актуальность. Оценка помехоус
мные модели. Но, например, модель IBIS тойчивости микроконтроллеров с помощью
описывает лишь характеристики портов соответствующих методов измерения (на
ввода/вывода. Так называемая модель пример, измерение ошибок при передаче
электромагнитного излучения интеграль сигналов) является чересчур дорогостоя
ной схемы (Integrated Circuits щей, поскольку предварительно требуется
Electromagnetic Emission Model — ICEM) идентифицировать те элементы схемы, ко
определяет эквивалентные источники то торые под воздействием помех могут рабо
ка, подключаемые к выводам питания ИС. тать с ошибками, и написать специализиро
Хотя уровень помех именно на этих выво ванную (заказную) программу для управле
дах микроконтроллера является определя ния процессом измерений. С тех пор как
ющим и подлежит оценке в первую оче были разработаны методы тестирования пе
редь, симуляционная модель должна также чатных плат, предпринимаются усилия по
содержать данные о типе корпуса и развод стандартизации на международном уровне
ке печатной платы в непосредственной методов измерения помехоустойчивости
близости от ИС (например, с учётом так на ИС. Они, главным образом, относятся к из
зываемой концепции блокировки). На лучаемым ВЧ полям и наведённым ВЧ то
уровне кристалла такая модель должна опи кам. Методы измерения помехоустойчивос
сывать эквивалентные источники тока, со ти, соответствующие нормам IEC 62132,
ответствующие функциональным модулям подробно рассмотрены в подразделе 13.1.3.
микроконтроллера и включать в себя пре В настоящее время продолжается работа
цизионную RLC&модель источника напря по созданию установок для испытаний ус
жения питания (Рис. 13.60). тойчивости ИС к воздействию импульсных
помех. Большое значение имеет и устойчи
вость микроконтроллеров к воздействию
электростатического разряда (ESD). В этой
связи стоит отметить, что обычно ни один
из выводов микроконтроллера (не считая
выводов питания) не связан непосредствен
но с разъёмами, которые предназначены
для внешних соединений, поэтому требова
Рис. 13.60. Моделирование сложной ИС ния к защищённости микроконтроллера от
с помощью эквивалентных источников тока внешних электростатических импульсов не
и выделения RLC&контуров. столь высоки, как для других ИС или систе
мы в целом.
Качество компьютерной модели напря Наибольшее воздействие на помехоус
мую зависит от того, сколь корректно с её тойчивость микроконтроллера оказывают
помощью можно вычислять динамические помехи, возникающие в цепи питания
токи переключения и какова точность вы вследствие протекания в ней больших им
деления паразитных RLC&контуров. Если пульсных токов переключения (так называ
модель используется лишь для качествен емые SSNшумы). Эти помехи вызваны как
ной оценки EMCхарактеристик, напри процессами в самом микроконтроллере, так
мер, при модернизации устройства, то её и влиянием внешних устройств, в особен
количественной точностью можно в опре ности мощных полупроводниковых компо
делённых пределах пожертвовать. нентов, и могут значительно ухудшить от
ношение сигнал/шум.
13.3.4. Помехоустойчивость
микроконтроллеров
13.4. Обеспечение EMC
Вплоть до настоящего времени проблема в проводных системах связи
помехоустойчивости микроконтроллеров не
привлекала особого внимания, поскольку Термин «проводные системы связи» мо
напряжения питания 3.3…5 В во много раз жет быть отнесён к широкому диапазону ус
превышают уровень внешних электромаг тройств и технологий. Сюда входят элемен
нитных помех; при понижении напряжения ты телекоммуникационных сетей, центры
INFSEMI_2Text.fm, стр. 501 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.4. Обеспечение EMC в проводных системах связи „ 501

коммутации и маршрутизаторы локальных Уровень [дБмкВ]


сетей (LAN), а также абонентские устрой 80
ства для частного пользования, например 70
телефоны, персональные компьютеры или 60
сетевые оконечные устройства. 50
Однако требования по обеспечению
40
EMC в области систем связи относятся к
системам в целом, а не к отдельным их ком 30

понентам. Из этого следует, что испытания 20


на электромагнитную совместимость долж 10
ны в основном проводиться на уровне 0
внешних интерфейсов: 10к 20к 40к 100к 200к 400к 1М 2М 3М 5М 10М 30М
 сигнальных линий (проверка величины Частота [Гц]
ВЧ напряжений и уровней тока); Вольт, на симм. сигн. линиях
 линий питания (проверка величины ВЧ Вольт, на симм. сигн. линиях

напряжений); Рис. 13.62. Спектр сигнала на линии ADSL.


 корпусов (проверка уровней напряжённос
ти электрического и магнитного полей). (EMI) с помощью стандартного контура
Скорости передачи данных в системах связи для телекоммуникационных линий.
связи становятся всё выше и выше. Следо Спектр сигнала ADSL простирается от
вательно, растёт и ширина полосы пропус 30 кГц до 1.1. МГц. На рисунке представле
кания аналоговых сигналов, отведённой но два графика. Первый из них выражает
для предоставления различных услуг. Так, измеренные пиковые значения (Pk), а вто
например, в настоящее время службы рой — средние значения (Avg) сигнала. Это
ADSL или VDSL используют тот же самый соответствует стандарту, который опреде
диапазон частот, что и проводное радио, ляет различные предельные значения для
которое должно быть защищено соответ каждого типа измерений.
ствующими нормативами EMC. Диапазоны Но вспомним теперь, что протокол DSL
частот, используемые различными служба является симметричным по отношению к
ми проводной связи, представлены на земле, поэтому при измерениях в синфаз
Рис. 13.61. ном режиме сигнал не должен появляться.
Причина того, что на графике он всётаки
заметен, заключается в некоторой асиммет
рии испытательной схемы. В спектре сигна
ла присутствует также узкополосная поме
ха, источником которой является преобра
POTS,ISDN

ADSL зователь напряжения на системной плате


SHDSL или импульсы тактовой частоты и их гармо
VDSL
ники. Ни в коем случае нельзя допускать,
чтобы эти помехи из системной платы про
0.138 1.1 Частота [МГц] 12 никали в линию ADSL.
Очевидно, что наличие подобной «сме
Рис. 13.61. Диапазоны частот, выделенные под
си» полезного сигнала и помехи создаёт оп
различные широкополосные услуги в провод
ределённые трудности при выборе наилуч
ных системах связи.
шей стратегии по достижению требуемого
уровня EMC. Рано или поздно, но стано
Удовлетворить требованиям EMC при
вится ясно, что наилучший путь решения
работе в данном диапазоне частот отнюдь
этой проблемы заключается в схемотехни
нелегко. Нельзя просто взять и дополнить
ческом усовершенствовании самой систе
интерфейс фильтром, поскольку в этом слу
мы, как на уровне печатной платы, так и на
чае пострадает и полезный сигнал, переда
уровне компонентов.
ваемый по линии связи. На Рис. 13.62 пока
Ниже мы рассмотрим ряд идей, посвя
зан типичный спектр сигнала на линии
щённых организации прохождения сигна
ADSL. Синфазное напряжение измерялось
лов внутри системы.
приёмником электромагнитных помех
INFSEMI_2Text.fm, стр. 502 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

502 „ 13. Электромагнитная совместимость

13.4.1. Системы, компоненты щью компьютерной симуляции, про


и основные понятия граммной эмуляции или путём тестиро
вания готовых прототипов;
Телекоммуникационные устройства в ос  проверка соответствия EMCхаракте
новном содержат следующие компоненты: ристик разрабатываемой продукции ус
 источник питания; тановленным нормам для всех возмож
 цифровые блоки предварительной обра ных областей применения;
ботки данных (Digital FrontEnd — DFE),  учёт EMCпараметров при контроле ка
например процессор цифровой обработ чества (QA).
ки сигналов (DSP) и микроконтроллер; На характеристики EMC оказывают вли
 аналоговые блоки предварительной об яние любые изменения, произведённые
работки данных (Analog FrontEnd — в модуле, например замена компонентов
AFE), например аналогоцифровые и или соединительных кабелей. Характе
цифроаналоговые преобразователи ристики EMC могут меняться даже в ре
(АЦП и ЦАП); зультате исправления ошибок в програм
 усилители —усилитель передатчика (ли мном обеспечении;
нейный драйвер) или усилитель приём  распространение продукции (разрабо
ника. танной системы) исключительно на том
Типичная структурная схема очень прос рынке, для которого она и была предна
той системы связи приведена на Рис. 13.63. значена;
 получение отчётов об отказах, связанных
«Внешний с проблемами EMC, и организация об
«Внутренняя структура» мир» ратной связи с пользователями, способ
Интерфейсы внешних устройств

ствующей процессу усовершенствова


Ц например,
Tx телекомму* ния продукции, как готовой, так и нахо
Быстро* А Rx никацион*
действую* ный кабель
дящейся в стадии разработки.
щий DSP*
процес* Цифровые 13.4.2. Проектирование печатных плат
сор входы/
выходы
для высокоскоростных систем
Управление и меры по обеспечению
целостности сигнала
Импульсный источник питания Питание
Как видно из Рис. 13.63, основную на
грузку по обработке сигналов в системе бе
Рис. 13.63. Типичная структурная схема рёт на себя процессор цифровой обработки
проводной системы связи. сигналов (DSP), длительность цикла такто
вой частоты которого обычно составляет
Каждая система связи должна удовлетво 10 нс или менее. Но можно ли говорить о
рять определённым требованиям EMC, том, что эти 10 нс и есть критерий действи
причём эти требования необходимо зада тельно высокой скорости работы?
вать ещё на этапе проектирования системы. Смысл термина «высокоскоростной» за
Узловыми пунктами здесь являются следу висит от контекста, в котором он употреб
ющие: ляется. Однако, коль скоро речь идёт о про
 определение характеристик EMC для но ектировании печатных плат, данный тер
вой продукции; мин может быть относительно чётко опре
 cистемное проектирование: разбиение делён с помощью формальных характерис
системы на небольшие функциональ тик сигнала. Ниже мы будем использовать
ные блоки (модули) в случае, если расчёт следующие обозначения: время нарастания
EMC на системном уровне оказывается tr, время затухания tf, длительность импуль
трудно выполнимым; са tp, в течение которого сигнал находится в
 модульное проектирование: прежде, чем ВЫСОКОМ логическом состоянии. Час
приступить к проектированию системы в тотный спектр такого сигнала можно легко
целом, следует определить EMCхарак вычислить с помощью преобразования
теристики отдельных модулей с помо Фурье (см. также подраздел 13.1.1):
INFSEMI_2Text.fm, стр. 503 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.4. Обеспечение EMC в проводных системах связи „ 503

c ⋅ π ⋅ t fr Таким образом, понятие целостности


λ= , сигнала относится к небольшой, но важной
εr области EMC, а именно к внутренней
1 , структуре проектируемой системы (см.
f highspeed = Рис. 13.63). В некотором смысле это более
π ⋅ t fr
абстрактное понятие, чем законы электро
где tfr = min (tr, tf), c — скорость света в ваку динамики. С увеличением быстродействия
уме,
— относительная диэлектрическая ИС инженеры вынуждены уделять всё
проницаемость печатной платы. больше внимания проблемам электромаг
Если длина проводящей дорожки печат нитной совместимости. Однако разработ
ной платы ltrack сопоставима с длиной волны чики цифровых устройств, как правило, не
сигнала 6 (например, превышает величину особенно сведущи в аналоговых или высо
6/20), то можно считать, что сигнал являет кочастотных технологиях, и обычно им не
ся высокоскоростным. В этой связи необхо требуется обременять себя изучением фун
димо заметить, что спектр цифровых сигна даментальных законов электродинамики.
лов с высокой крутизной фронтов включает Для обеспечения целостности сигнала
в себя составляющие очень высокой часто следует уделить особое внимание следую
ты даже при низкой частоте тактового сиг щим факторам:
нала. Это означает, что импульсный сигнал,  перекрёстные помехи;
характеризующийся временем нарастания  затухающие колебания («звон»);
500 пс, следует считать высокоскоростным,  нестабильность земли;
если длина соответствующей проводящей  шумы источника питания.
дорожки печатной платы превышает Ниже в данном разделе подробно описы
11.75 мм. С одной стороны, это хорошо: до вается, как при разработке обеспечить хо
статочно сделать дорожку короче 11.75 мм, рошую целостность сигнала, которая, в
и проходящий по ней сигнал перестаёт быть свою очередь, является основой для хоро
высокоскоростным. Но, к сожалению, есть шей EMC.
и оборотная сторона медали — при проекти
ровании печатной платы далеко не всегда Перекрёстные помехи
удаётся «удержать» длину всех дорожек в Перекрёстная помеха — это электромаг
желаемых пределах. В этом случае особенно нитная взаимосвязь сигнальных проводни
важно учитывать требования EMC и обеспе ков, находящихся внутри полупроводнико
чения целостности сигнала. вой схемы, на печатной плате или в много
Что же такое «целостность сигнала»? На жильном телефонном кабеле.
сайте компании Signal Consulting Inc. Перекрёстная помеха в электротехнике
(http://signalintegrity.com) можно найти сле рассматривается как нежелательное, но не
дующее определение этого понятия: «…это избежное явление. С другой стороны, она
область исследований, занимающая проме может «удерживаться» в определённых гра
жуточное положение между цифровым ницах, что позволяет исключить её влияние
проектированием и теорией построения на производительность системы.
аналоговых схем. Здесь рассматриваются Проводящие дорожки печатной платы
паразитные затухающие колебания или телефонные линии представляют собой
(«звон»), перекрёстные помехи, нестабиль так называемые распределённые элементы
ность земли и шумы источника питания. и их характеристики не могут быть опреде
Здесь изучается, как построить действи лены с помощью формул, предназначенных
тельно быстродействующее цифровое обо для описания элементов с сосредоточенны
рудование, которое реально работает. Здесь ми параметрами (резисторов, конденсато
вырабатываются практические, примени ров, катушек индуктивности и трансформа
мые в реальном мире решения проблем торов). Тем не менее, в электротехнике
проектирования высокоскоростных сис обычно применяется метод, при котором
тем». Целостность сигнала связана с обес для представления распределённых элемен
печением «…максимальной производитель тов используются цепи элементов с сосре
ности и минимальной стоимости техноло доточенными параметрами. Такой подход
гий межсоединений, применяемых в высо допустим потому, что проводящая дорожка
коскоростных цифровых устройствах». длиной ltrack и цепочка из n проводников
INFSEMI_2Text.fm, стр. 504 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

504 „ 13. Электромагнитная совместимость

длиной по dz = ltrack/n всегда могут рассмат ются элементы cm (ёмкостная связь) и lm


риваться как идентичные друг другу. Если (индуктивная связь).
длина «элементарного» проводника z до Решение системы частных дифференци
статочно мала, то, как уже упоминалось вы альных уравнений для этой модели описы
ше, проходящий по нему сигнал уже не мо вает волну, распространяющуюся в прямом
жет рассматриваться как высокоскорост и обратном направлениях:
ной. Элементарный проводник dz может
ui(z, t) = Aiui(z + vit) + Biui(z – vit) для i = 1, 2.
быть представлен в виде эквивалентных ему
элементов с сосредоточенными параметра Данное решение может быть получено
ми (резисторов, конденсаторов, дросселей методами линейной алгебры, с помощью
и трансформаторов). диагонализирующей матрицы. Для того
чтобы упростить объяснения, в нижеприве
z z + dz дённых схемах типы перекрёстной помехи
c1 dz
представлены по отдельности.
u1(z) i1(z) l1dz i1(z + dz) u (z + dz)
1
Индуктивная перекрёстная помеха
lmdz cmdz На Рис. 13.65, который поясняет эффект
l2dz
прямой и обратной перекрёстной помехи,
u2(z) i2(z) i2(z + dz) u (z + dz) изображён проводник, «разбитый» на n эле
2

c2 dz
ментарных ячеек. Каждый из них может
быть представлен в виде трансформатора и
элемента задержки = dz/v. Эта дискретная
Рис. 13.64. Простая модель перекрёстной по модель упрощает описание перекрёстной
мехи с использованием двух проводников без помехи, которая подразделяется на прямую
потерь (длина проводника dz). и обратную.
Амплитуда импульса прямой перекрёст
Подобная модель показана на Рис. 13.64, ной помехи увеличивается с увеличением
где изображены два так называемых про параметра z, и эти импульсы инвертирова
водника без потерь (lossfree). В качестве ны по отношению к проводнику«агрессо
модели первого из них используется цепоч ру». Допустим, измерения производятся в
ка c1–l1, а в качестве модели второго — це проводнике«жертве» в точке z = 1dz. Ре
почка c2–l2. Для представления перекрёст зультатом измерения, соответствующим
ной связи между проводниками использу моменту времени t = 1 , будет маленький
отрицательный импульс. Однако измерение

0 dz 2dz 3dz n dz
Агрессор
τ

1. 2. 3. n.
u1(0) i1(0)
τ τ τ τ
Элемен*
тарная
i2(0) ячейка
u2(0) τ τ τ τ

Жертва
Обратная пере*
крёстная помеха t
Прямая пере*
крёстная помеха

τ 2τ 3τ

Рис. 13.65. Индуктивная перекрёстная помеха.


INFSEMI_2Text.fm, стр. 505 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

13.4. Обеспечение EMC в проводных системах связи „ 505

0 dz 2dz 3dz n dz
Агрессор
τ

1. 2. 3. n.
u1(0) i1(0)
τ τ τ τ
Элемен*
тарная
i2(0) ячейка
u2(0) τ τ τ τ

Жертва

При dz ← 0 можно качественно оценить величину обратной перекрёстной помехи следующим образом:

Агрессор t
Жертва, z = 0 t
Жертва, z = 1/2 t
Жертва, z ← 1 t

Рис. 13.66. Индуктивная обратная перекрёстная помеха.

в точке z = 2dz покажет импульс удвоенной На Рис. 13.66 приведены качественные


амплитуды, соответствующий моменту вре зависимости величины обратной перекрёс
мени t = 2 . Это удвоение связано с нало тной помехи в различных точках проводни
жением импульса, преобразованного в ка (параметр z) от времени t.
«элементарной ячейке №2», и импульса,
распространяющегося по проводнику Ёмкостная перекрёстная помеха
«жертве» от точки z = 1dz до точки z = ndz. Модель, приведённая на Рис. 13.67,
Длительность (ширина) импульса обрат очень похожа на рассмотренную выше мо
ной перекрёстной помехи возрастает при дель для индуктивной перекрёстной помехи,
уменьшении параметра z, но амплитуда им но в данном случае индуктивный трансфор
пульса остаётся неизменной, и он не инвер матор заменён на ёмкостный (т.е. реализует
тирован по отношению к проводнику«агрес ся ёмкостная связь между проводниками).
сору». Вновь предположим, что измерения Амплитуда импульсов прямой пере
сигнала проводятся в различных точках вдоль крёстной помехи увеличивается с увеличе
проводника. Измерение в точке z = (n – 1)dz нием параметра z, и эти импульсы не ин
показывает маленький положительный оди вертированы по отношению к проводнику
ночный импульс, появляющийся в момент «агрессору». Допустим, измерения произво
времени t = (n – 1) и распространяющийся в дятся в проводнике«жертве» в точке
обратном направлении по проводнику в сто z = 1dz. Результатом измерения, соответс
рону точки z = 0. В точке z = (n – 2)dz будут твующим моменту времени t = 1 , будет не
отмечены два импульса: первый — в момент большой положительный импульс. Однако
времени t = (n – 2) и второй — в момент вре измерение в точке z = 2dz покажет импульс
мени t = n . Этот дополнительный импульс удвоенной амплитуды, появляющийся в
представляет собой движущийся в обратном момент времени t = 2 . Это удвоение связа
направлении импульс, который возник в точ но с наложением импульсов — преобразо
ке z = (n – 1)dz и спустя время задержки ванного ёмкостным трансформатором
«прибыл» в точку z = (n – 2)dz. В точке z = 0 «элементарной ячейки №2» и распростра
будут отмечены n импульсов, каждый из ко няющегося вдоль проводника«жертвы» от
торых будет иметь время задержки 2 вслед точки z = 1dz до точки z = ndz.
ствие задержек как в проводнике«агрессо Длительность (ширина) импульса обрат
ре», так и в проводнике«жертве». При dzE0 ной перекрёстной помехи возрастает при
импульсы становятся неразделимы между со уменьшении параметра z, но амплитуда им
бой и сливаются в один длинный импульс с пульса (не инвертированного по отноше
небольшой амплитудой.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 506 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

506 „ 13. Электромагнитная совместимость

0 dz 2dz 3dz n dz
Агрессор
τ

1. 2. 3. n.
u1(0) i1(0)
τ τ τ τ
Элемен*
тарная
i2(0) ячейка
u2(0) τ τ τ τ

Жертва

Обратная пере*
крёстная помеха t
Прямая пере* τ 2τ 3τ
крёстная помеха

Рис. 13.67. Ёмкостная перекрёстная помеха.

нию к проводнику«агрессору») не изменя то величина прямой перекрёстной помехи


ется. Вновь предположим, что измерения оказывается близкой к нулю. В случае, ког
сигнала проводятся в различных точках да проводящие дорожки внешнего сигналь
вдоль проводника. Измерение в точке ного слоя печатной платы экранированы
z = (n – 1)dz показывает небольшой поло слоем земли только с одной, нижней сторо
жительный одиночный импульс, возника ны (т.е. представляют собой микрополоско
ющий в момент времени t = (n – 1) и рас вые линии), ёмкостная связь оказывается
пространяющийся в обратном направлении слабее, чем индуктивная, и в проводнике
по проводнику в сторону точки z = 0. В точ «жертве» появляется прямая перекрёстная
ке z = (n – 2)dz будут отмечены два импуль помеха, инвертированная по отношению к
са: первый — в момент времени t = (n – 2) проводнику«агрессору». Причина ослабле
и второй — в момент времени t = n . Этот ния ёмкостной связи состоит в том, что
дополнительный импульс представляет большинство силовых линий электрическо
собой движущийся в обратном направле го поля замыкается через воздух, а не через
нии импульс, который возник в точке диэлектрик, из которого в основном сдела
z = (n – 1)dz и спустя время задержки на печатная плата.
«прибыл» в точку z = (n – 2)dz. В точке z = 0 Обратная перекрёстная помеха всегда
будут отмечены n импульсов, каждый из ко является неинвертированной по отноше
торых задержан на время 2 вследствие за нию к проводнику«агрессору», и её вели
держек как в проводнике«агрессоре», так и чина не зависит от того, по какой геомет
в проводнике«жертве». При dzE0 импуль рии выполнены сигнальные проводники
сы становятся неразделимы между собой и печатной платы — в виде микрополосковых
сливаются в один длинный импульс с не (несимметричных) или полосковых линий.
большой амплитудой. Разницу между этими двумя вариантами
иллюстрирует Рис. 13.68.
Сочетание индуктивной и ёмкостной пере На основании всего вышеизложенного
крёстных помех можно сформулировать следующие правила,
Если ёмкостная и индуктивная пере которыми следует руководствоваться с це
крёстные помехи хорошо сбалансированы, лью снижения уровня перекрёстных помех:
как, например, в случае, когда сигнальные  Ограничивайте крутизну фронтов им
проводники на печатной плате экранирова пульсов сигналов (т.е. надо увеличивать
ны слоями питания или земли (т.е. выпол время нарастания/спада и снижать вели
нены в виде «полных» полосковых линий), чину dv/dt).
INFSEMI_2Text.fm, стр. 507 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

13.4. Обеспечение EMC в проводных системах связи „ 507

w – при использовании полосковых ли


Дорожка печатной платы
ний величины cm и lm сбалансированы,
Микропо* поэтому прямая перекрёстная помеха
εr
h t

лосковая
линия очень мала;
– при использовании микрополосковых
w Слой земли линий силовые линии электрического
Полосковая поля проходят, главным образом, че
εr линия
рез воздух, а не через диэлектрик (в от
b

Дорожка личие от полосковой линии), поэтому


t

печатной
ёмкостная связь оказывается меньше,
h1

Слой земли платы


чем индуктивная.
Рис. 13.68. Сравнение конструкций микропо Уровень перекрёстных помех возрастает
лосковой линии и «полной» полосковой линии. в тех случаях, когда происходит отражение
сигнала на концах проводника. Ниже мы
 Производите разводку печатной платы рассмотрим способы уменьшения этих от
надлежащим образом (особое внимание ражений.
следует обратить на геометрию проводя
щих дорожек): Затухающие колебания («звон»)
– используйте дорожки минимально Так называемый звон, пример которого
возможной длины; показан на Рис. 13.69, представляет собой
– обеспечьте как можно больший зазор паразитные колебания, которые часто воз
между дорожками; никают при передаче цифровых высоко
– не располагайте линии передачи чув скоростных сигналов.
ствительных к наводкам сигналов па
раллельно дорожкам, сигналы в кото
рых характеризуются высокой крутиз 5
ной фронтов;
– линии передачи дифференциальных y [t]
сигналов располагайте параллельно
0
друг другу и с как можно меньшим за
зором. Это следует делать затем, чтобы 0 5·10–9 1·10–8 1.5·10–8 2·10–8 2.5·10–8
на каждый из проводников дифферен
циальной линии воздействовала одна Рис. 13.69. Пример затухающих колебаний
и та же помеха, что обеспечит их вза («звона»), возникающих при передаче цифро
имную компенсацию в дифференци вого сигнала.
альном сигнале.
 Добавляйте слои земли таким образом, Причиной данных колебаний является
чтобы избежать образования земляных несогласованность импедансов источника
островков. Используйте земляные ост и приёмника сигналов. Вследствие этого
ровки лишь в том случае, когда уверены, часть энергии сигнала (или даже вся эта
что дорожки, выделенные под передачу энергия) отражается обратно в линию. Ам
высокоскоростных сигналов, не пересе плитуда «звона» определяется коэффици
кают земляных островков. ентом отражения, а частота этих паразит
 Земляной островок, расположенный под ных колебаний зависит от длины проводни
проводящей дорожкой, по которой пере ка ltrack (Рис. 13.70).
даётся высокоскоростной сигнал, не
позволяет возвратному сигнальному то ltrack
ку протекать по кратчайшему пути, т.е. Z0
ZS ZL
величина lm всё равно увеличивается.
VS
 Внешние сигнальные слои с точки зре Hx
ния помехозащищённости хуже, чем
внутренние: ρS ρL
– полосковые линии эффективнее мик
рополосковых;
Рис. 13.70. Модель отражения сигналов.
INFSEMI_2Text.fm, стр. 508 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

508 „ 13. Электромагнитная совместимость

Здесь применимы следующие выражения. нию критической длительности фронта


Частота паразитных колебаний рассчи сигнала.
тывается по формуле: С учётом этих граничных условий сни
зить уровень «звона» можно, руководству
c
f ring = , ясь следующими правилами:
2 ⋅ ε r ⋅ l track  Найдите критический (т.е. наиболее вы
коэффициент отражения со стороны источ сокоскоростной) сигнал в системе.
ника сигнала  Длина проводящих дорожек печатной
платы, предназначенных для передачи
ZS − Z 0 высокоскоростных сигналов, должна
ρS = , быть минимальной (короче, чем 6/20 для
ZS + Z 0
граничной частоты, соответствующей
а коэффициент отражения со стороны при наибольшей крутизне фронта импуль
ёмника сигнала сов).
 Импедансы проводящих дорожек долж
ZL − Z0 ны быть согласованы.
ρL = .
ZL + Z0  Используйте непрерывные слои земли (а
не отдельные земляные «островки»).
Поскольку ширина полосы пропускания  Располагайте последовательный согласу
цифровых высокоскоростных систем пере ющий резистор как можно ближе к ис
дачи должна быть достаточно большой, ко точнику сигнала (т.е. к драйверу линии).
эффициент отражения невозможно пони  Располагайте нагрузочный согласую
зить до нуля. Однако существует ряд других щий резистор как можно ближе к приём
способов уменьшения паразитных колеба нику сигнала (к нагрузке).
ний до уровня, удовлетворяющего систем  Согласующая нагрузка предназначена
ным требованиям (Рис. 13.71). для согласования импедансов по пере
менному току, т.е. через неё не должен
Согласование протекать постоянный ток (в противном
источника =
последователь* Согласо* случае, это приведёт к повышенным по
ный согласую* ванная терям мощности при передаче сигнала).
ZS щий резистор нагрузка ZL
Перекрёстные помехи и паразитные ко
VS лебания («звон») оказывают непосред
RS Z0
? ственное влияние на передаваемые сигна
ρL ρS лы. Однако при проектировании систем
следует принимать во внимание и другие
аспекты EMC, например, связанные с орга
CL Приводит
к увеличению низацией надлежащих земляных слоёв или
RL ? RL рассеиваемой с правильным выбором источника питания
мощности
системы.
Рис. 13.71. Рекомендуемая схема подключения Нестабильность земли
согласующего резистора при передаче цифро
вых сигналов. Нестабильность земли — это нежела
тельное падение напряжения сигнала на
Расчёт значений соответствующих ре проводниках, соединяющихся с землёй.
зисторов и конденсаторов рекомендуется Это явление может возникать как на уровне
производить по следующим формулам: печатной платы, так и внутри самой микро
схемы (Рис. 13.72). Как правило, в цифро
RS = |Z0| – |Z0| (обычно |Z0| > |Z0|); вых высокоскоростных системах соотноше
RL = |Z0| ; ние di/dt очень велико, что связано с очень
|CL| >> |Z0–1| , где  = j2Jffr; малыми значениями dt (время переключе
1 t ния сигнала из ВЫСОКОГО уровня в НИЗ
CL ≈ 10 ⋅ = 5 ⋅ fr , КИЙ, и наоборот). Наиболее критическим
2π ⋅ f fr ⋅ Z 0 Z0 фактором здесь является величина паразит
где tfr = min(tf, tr), т.е. соответствует значе ной индуктивности проводника, соединяю
щего микросхему с землёй. Вследствие вы
INFSEMI_2Text.fm, стр. 509 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

13.4. Обеспечение EMC в проводных системах связи „ 509

сокой скорости переключения сигналов, тор с большим номинальным значением


индуктивная составляющая полного импе ёмкости обладает худшими ёмкостными
данса проводника существенно превышает характеристиками на высоких частотах и
его резистивную составляющую. Это озна может даже вести себя подобно индук
чает, что амплитуда тока в проводнике не тивности.
очень велика.  Разработчикам ИС рекомендуется реа
лизовывать в них шины считывания для
Корпус ИС
внутреннего обращения; поскольку ток,
протекающий по этим линиям, очень
мал, их добавление не приведёт к возрас
ZS ZL
танию эффекта нестабильности земли.
i По периметру полупроводникового
VS кристалла ИС следует расположить мно
гочисленные внутренние выводы зазем
ления.
Внутренний вывод
заземления Шумы источника питания
LWB Индуктивность
проводника Помехи от источника питания системы
VGND2 = VGND1 = LGND · di/dt
могут возникать по нескольким причинам:
= LWB · di/dt вследствие процессов переключения токов
в различных её компонентах или как ре
LGND зультат проникновения в цепь питания шу
мов DC/DCпреобразователя, работающего
Рис. 13.72. Схема, поясняющая эффект неста в ключевом режиме. В процессе работы
бильности земли. DC/DCпреобразователей всегда генериру
ются импульсы большой амплитуды и с вы
Чтобы уменьшить эффект нестабильнос сокой скоростью нарастания (di/dt). Основ
ти земли, следует соблюдать следующие ная проблема состоит в том, что шумы, рас
правила: пространяющиеся по цепи питания, ухуд
 Снижать крутизну фронтов сигнала (т.е. шают эффективность работы аналоговых
увеличивать время нарастания и спада схем (например, АЦП, ЦАП или операци
импульсов). онных усилителей), поскольку значение ко
 В качестве заземляющих применять со эффициента ослабления помех источника
единительные проводники низкоиндук питания (PSRR) этих схем не может быть
тивных типов. Предпочтительно также в бесконечно большим. Следовательно, шум,
качестве земли использовать целый про проникающий через цепь источника пита
водящий слой (или слои) печатной пла ния, вызывает появление шумов на анало
ты, а не отдельные области или участки говых выходах ИС; степень ослабления
на какомто одном из слоёв (поскольку этих шумов зависит от значения PSRR.
возвратный ток стремится протекать по Шумы подобного типа могут быть
пути с наименьшим импедансом). уменьшены за счёт применения следующих
 Использовать большое количество до мер:
полнительных развязывающих конден  Использовать для шин питания проводя
саторов, каждый из которых должен щие дорожки с низким импедансом (на
быть размещён в непосредственной бли пример, проводящие дорожки можно
зости от соответствующего питающего сделать пошире или, ещё лучше, исполь
или земляного вывода ИС. зовать земляной слой). Это позволит ми
 Применять способ параллельного соеди нимизировать падение напряжения в
нения нескольких конденсаторов с раз шине питания.
ными номиналами ёмкости (например,  Использовать для снижения помех в ши
10 пФ, 1 нФ и 100 нФ), чтобы надёжнее нах питания ферритовые бусины или ре
«перекрыть» весь диапазон частот пере зисторы. Выбирайте их параметры (Imax,
ключения, которые могут быть задей f20dB, RDC и т.д.) в соответствии с задан
ствованы в системе. Обратите внима ным рабочим диапазоном. Конечно, сле
ние, что в реальных условиях конденса дует применять и локальные накопители
INFSEMI_2Text.fm, стр. 510 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

510 „ 13. Электромагнитная совместимость

энергии (конденсаторы), которые долж  Используйте отдельные слои многослой


ны размещаться как можно ближе к ком ной печатной платы для разводки шин
понентам, потребляющим большой ток. питания и земли; следует избегать появ
 Размещать развязывающие конденсато ления на этих слоях изолированных об
ры в непосредственной близости от вы ластей.
водов питания и земли ИС:  Для разводки шин питания и земли ис
– следует принимать во внимание тот пользуйте соседние слои, поскольку
факт, что реальные конденсаторы со вместе они образуют распределённый
держат паразитные элементы, такие конденсатор.
как эквивалентное последовательное  Располагайте развязывающие конденса
сопротивление (ESR) и эквивалентная торы в непосредственной близости от
последовательная индуктивность выводов питания/земли ИС.
(ESL). Эти элементы сильно влияют на  Сверьтесь со справочными данными раз
эффективность работы развязывающе вязывающих конденсаторов. Их паразит
го конденсатора. ные параметры (ESR, ESL, резонансная
 Тщательно выбирать параметры источ частота) должны быть учтены при проек
ника питания, т.е. выбирать такую рабо тировании высокоскоростных систем.
чую частоту DC/DCпреобразователя,  В целях минимизации отражений сигна
чтобы: ла соответствующие импедансы необхо
– удовлетворить требованиям к произво димо согласовывать.
дительности и уровню шума ИС (отме  Используйте надлежащим образом по
тим, что коэффициент PSRR умень добранные резисторы для согласования
шается с увеличением рабочей часто нагрузки высокоскоростных сигнальных
ты), или линий (проводящих дорожек печатной
– выбранная рабочая частота платы).
DC/DCпреобразователя лежала вне  Убедитесь, что путь протекания возврат
частотного диапазона, используемого ного тока для каждого из сигналов мини
системой для передачи данных, или мален. Уровень возвратного ВЧ тока на
– использовать, если это возможно, ли много ниже, чем уровень тока в сигналь
нейный источник питания. ной линии (контур с наименьшим импе
Многие из рекомендаций по оптималь дансом обладает наименьшей индуктив
ному, с точки зрения EMC и обеспечения ностью на высоких частотах).
целостности сигнала, проектированию пе  Длина контуров, в которых протекают
чатных плат вполне применимы и при раз импульсные токи с высокой скоростью
работке ИС на уровне кристалла. Они отно нарастания (di/dt), должна быть как
сятся не только к «чисто полупроводнико можно меньшей. Так можно снизить
вой» схемотехнике, но и учитывают при уровень перекрёстных помех, а также
кладные аспекты (например, как правильно электромагнитных излучений и других
назначить выводы ИС, выбрать параметры помех, связанных с EMC.
синхронизации, и т.п.). Разработка микро  При проектировании печатной платы
схем, удовлетворяющих требованиям по располагайте дорожки высокоскорост
функциональности и EMC, — недостаточ ных цифровых сигналов в отдалении от
ное условие для разработки целых систем, дорожек, по которым проходят сигналы
удовлетворяющих этим требованиям. Ре чувствительных аналоговых устройств.
шение подобной задачи предполагает тес  Параллельное расположение дорожек
ное сотрудничество между разработчиками печатной платы может иметь как поло
ИС, системными разработчиками и пользо жительный, так и отрицательный эф
вателями. С учётом всего вышеизложенно фект:
го, можно предложить следующие рекомен – избегайте параллельного расположе
дации по разработке систем: ния дорожек, если необходимо полу
 Делайте проводящие дорожки на печат чить минимальный уровень перекрёст
ной плате как можно короче (в первую ных помех;
очередь, это относится к высокоскорост – для передачи дифференциальных сиг
ным сигналам). налов, наоборот, следует использовать
INFSEMI_2Text.fm, стр. 511 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

13.5. Защита компонентов от электростатических разрядов „ 511

параллельные и как можно более близ образом, усложняет реализацию таких тре
ко расположенные дорожки. бований к ИС, как минимальный ток утеч
 Увеличивайте промежуток между теми ки, малый размер кристалла ИС или высо
дорожками, взаимное влияние сигналов кая рабочая частота, на которой проявляет
в которых нежелательно. ся деструктивный эффект паразитных эле
 Разводку дорожек для наиболее высо ментов схем защиты от ESD. По этой при
коскоростных сигналов следует прово чине при проектировании встроенных в
дить на внутренних слоях многослойной кристалл схем защиты от ESD приходится
печатной платы. идти на определённый компромисс между
 Работу по проектированию системы сле производительностью устройств и их устой
дует проводить в тесной кооперации чивостью к воздействию ESD. Следователь
между инженерамиразработчиками ИС, но, встроенная защита полупроводнико
системными разработчиками и разработ вых устройств от электростатических разря
чиками печатных плат. дов оказывается недостаточно эффектив
ной в случае небрежного обращения с ни
13.5. Защита компонентов ми.
от электростатических Необходимо также предусмотреть меры
разрядов по снижению воздействия электростати
ческих разрядов на ИС в процессе их про
Электростатический разряд (ESD) может изводства и подготовки к работе. Для этого
стать причиной серьёзных повреждений используются специальные меры и защит
полупроводниковых устройств. Поэтому в ные материалы. Указанные меры должны
настоящее время большинство полупровод удовлетворять следующим требованиям:
никовых компонентов (ИС) разрабатыва  Предотвращать возможность «перетека
ются с учётом требований по их защищён ния» большого электрического заряда на
ности от ESD (Рис. 13.73). Встроенные в объекты, соприкасающиеся с защищае
кристалл схемы защиты обеспечивают путь, мым устройством.
при протекании по которому ток, возника  Ограничивать, за счёт создания большо
ющий в результате воздействия на ИС элек го электрического сопротивления, про
тростатического разряда, не повреждает са текание неконтролируемых разрядных
му ИС. Дополнительной функцией этих за токов, возникающих при контакте с вы
щитных структур является ограничение то водами заряженного устройства.
ков и напряжений, которые воздействуют По этой причине производство и испы
на чувствительные схемы внутри самой ИС. тания ИС, чувствительных к воздействию
электростатических разрядов, обычно осу
VDD ществляется в так называемых антистати
ческих помещениях (ESDзащищённых зо
нах, см. Рис. 13.74), где всё оборудование
выполнено из антистатических материа
I O лов. Поэтому в таком антистатическом по
мещении риск повреждения устройства при
воздействии на него ESD оказывается ми
нимальным. Если необходимо использо
вать ESDчувствительные устройства или
компоненты вне антистатического помеще
Вход VSS Выходной драйвер ния, то для снижения риска их поврежде
Внутренняя схема ния при транспортировке следует приме
нять специальную защитную упаковку.
Рис. 13.73. Типичный пример организации Для оптимального выбора материалов и
встроенной защиты от ESD. оборудования для антистатических поме
щений, а также соответствующих упаковоч
Однако защитные схемы рассматривае ных материалов следует руководствоваться
мого типа могут оказывать отрицательное стандартами EN 6134051 (или соответ
влияние на функциональные характеристи ствующим ему стандартом IEC 6134051) и
ки защищаемого устройства. Это, главным ANSI ESD S20.20. Они не только определя
INFSEMI_2Text.fm, стр. 512 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

512 „ 13. Электромагнитная совместимость

устройствами, каждый работник должен


17
носить на руке антистатический заземлён
ный браслет либо иметь проводящую обувь,
19 обеспечивающую электрический контакт с
12
заземлённым полом. Как показывают соот
4 20 ветствующие исследования, при обеспече
3 18
13
нии надлежащего заземления электростати
16
ческий потенциал человеческого тела не
13 16
7
2 превышает 100 В, что не создаёт опасности
14
10 повреждения электронных устройств.
9 Существует также риск возникновения
6 ESD при контактах ИС с производственным
5 11
оборудованием. Незаземлённые узлы ма
8 шин и оборудования могут в процессе рабо
15 1
ты приобрести электрический заряд, что
1— Заземлённые роликовые колёса
приведёт к возникновению электростати
2— Заземлённая поверхность ческого разряда через электронный компо
3— Тестер антистатического браслета нент или модуль. Поэтому необходимо регу
4— Тестер антистатической обуви
5— Площадка тестера антистатичной обуви лярно проверять качество заземления всех
6— Заземление антистатического браслета (особенно, движущихся) частей машин.
7— Кабельные розетки с заземлением
8— Земля
9— Точка подключения заземления 13.5.2. Защитные меры
10 — Точка заземления передвижной тележки по предотвращению
11 — Ножной заземлённый антистатический браслет
12 — Ионизатор воздуха электростатического заряда ИС
13 — Рабочая поверхность в процессе их производства
14 — Заземлённое кресло
15 — Пол Помимо контактов с объектами, рас
16 — Одежда
17 — Стойка с заземлёнными полками смотренными выше, опасность представля
18 — Заземлённые контейнеры ет случай, когда заряженные ИС или печат
19 — Плакат «Помещение с ESD*защитой»
20 — Прибор ные платы разряжаются через внешние объ
екты с очень высокой электропровод
Рис. 13.74. Пример идеального помещения ностью. Защитные меры против ESD по
с ESDзащитой, удовлетворяющего стандарту добного типа могут состоять в том, чтобы
IEC 6134051. снизить электростатический заряд этих уст
ройств или исключить возможность любых
ют требования к методам защиты от ESD, разрядов. Поэтому всё оборудование произ
но и являются основой для разработки та водственного помещения, такое как рабо
ких методов. чие столы, стулья, стойки и т.п., должно
быть выполнено из ESDзащищённых ма
13.5.1. Меры по защите ИС при контакте териалов и заземлено. В процессе произ
с электрически заряженными водства ИС, в результате явления электро
объектами статической индукции, заряд может наво
Наибольшую опасность для электрон диться с одних устройств на другие, сосед
ных устройств представляют внешние объ ние устройства или печатные платы. Если
екты, которые обладают электрическим за по тем или иным причинам использование
рядом (например, полученным в процессе ESDзащищённых материалов недопусти
их производства) и могут разряжаться через мо, то следует либо нейтрализовать этот за
электронные устройства или их печатные ряд с помощью ионизаторов воздуха, либо
платы. Первым в списке подобных «объек исключить любую возможность контактно
тов» следует назвать человека. Для того что го разряда. Таким образом, решение про
бы предотвратить возникновение неконт блемы защиты от ESD невозможно без де
ролируемых электростатических разрядов тального анализа всех этапов конкретного
при контакте персонала с электронными технологического процесса.

Оценить