Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
В.Н.Глазков
Москва
2016
В данном пособии представлены материалы к лекции по теме «Электроны в магнитном
поле» из курса «Квантовая макрофизика», преподаваемого на кафедре общей физики МФТИ.
Пособие не претендует на полноту изложения материала и в основном является авторскими
заметками к лекциям, оно содержит основные сведения по этой теме курса. Для подробного
изучения тем студентам рекомендуется обратиться к классическому курсу Ч.Киттеля
«Введение в физику твёрдого тела» [1] и другим источникам.
Основной материал содержится в главах 8, 10, и приложении G книги Киттеля [1], вопросы
магнитных свойств электронного газа и эффекта де Гааза-ван Альфена разобраны также в
главе 10 книги Абрикосова [2].
стр. 2 из 27 17.04.2016
Оглавление
Парамагнетизм Паули........................................................................................................................4
Электроны в неквантующих магнитных полях...............................................................................5
Уравнение динамики для электрона в кристалле в магнитном поле........................................5
Траектория электрона в металле в магнитном поле...................................................................6
Циклотронный резонанс в металлах............................................................................................9
Классический эффект Холла. Тензор сопротивления и тензор проводимости......................11
Электроны в квантующем магнитном поле...................................................................................15
Уровни Ландау..............................................................................................................................15
Плотность состояний с учётом квантования уровней Ландау.................................................16
Спиновое расщепление уровней Ландау...................................................................................17
Диамагнетизм Ландау..................................................................................................................18
Осцилляции проводимости и намагниченности.......................................................................20
Эффект Шубникова-де Гааза..................................................................................................20
Эффект де Гааза- ван Альфена..............................................................................................24
Список литературы
1: Ч.Киттель, Введение в физику твёрдого тела.,
2: А.А.Абрикосов, Основы теории металлов, 2010
3: Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц, Теоретическая физика, том 2: Теория поля, 1988
4: T.Terashima, C.Terakura, S.Uji, H.Aoki, Y.Echizen and T.Takabatake, Resistivity, Hall effect and
Shubnikov-de Haas oscillations in CeNiSn ,arXiv:cond-mat,0207379(2002)
5: Shubnikov-de Haas Effect , http://www.lanl.gov/orgs/mpa/nhmfl/users/pages/Shubnikov.htm
6: De Haas-van Alphen oscillations in the underdoped cuprate YBa2Cu3O6.5 ,
http://www.toulouse.lncmi.cnrs.fr/spip.php?rubrique69&lang=en
7: Cyril Jaudet, David Vignolles, Alain Audouard, Julien Levallois, D. LeBoeuf, Nicolas Doiron-
Leyraud, B. Vignolle, M. Nardone, A. Zitouni, Ruixing Liang, D. A. Bonn, W. N. Hardy, Louis
Taillefer, and Cyril Proust, de Haas–van Alphen Oscillations in the Underdoped High-Temperature
Superconductor YBa2Cu3O6.5 ,Phys. Rev. Lett.,100, 187005(2008)
8: Ilya Sheikin, Pierre Rodiere, Rikio Settai, Yoshichika Onuki, High-Field de Haas-van AlphenEect
in non-centrosymmetric CeCoGe3 and LaCoGe3. ,Journal of the Physical Society ofJapan,80,
SA020(2011)
9: C.Martin, C.C.Agosta, S.W.Tozer, H.A.Radovan, Tatsue Kinoshota, and M.Tokumoto, Critical
field and Shubnikov-de Haas oscillations of κ-(BEDT-TTF)2Cu(NCS)2 under pressure ,arXiv:cond-
mat,0303315(2003)
стр. 3 из 27 17.04.2016
Парамагнетизм Паули.
Рассмотрим вырожденный (для определённости — электронный) ферми-газ в слабом по
сравнению с энергией Ферми магнитном поле. В отсутствие поля каждое состояние
занимают два электрона, отличающиеся проекцией спина на выбранное направление,
энергия определяется только кинетической энергией (импульсом) и не зависит от проекции
спина.
Если приложить к этой системе магнитное поле, то одно из состояний (с магнитным
моментом1, направленным по полю) становится энергетически более выгодным и электронов
в этом состоянии должно стать больше.
B=0 B=0
1 Строго говоря, из-за отрицательности заряда электрона его магнитный момент направлен противоположно к
спиновому моменту. Однако во многих задачах физики твёрдого тела (там, где для ответа важна энергия
намагничивающейся системы) можно для удобства считать их сонаправленными — это соглашение ничего
не меняет в окончательных ответах.
стр. 4 из 27 17.04.2016
выгодной и невыгодной поляризаций
√
n0
3
k ± = 6 π2
2 ( )
±δ n (обратите внимание, что под
корнем 6 π2 , а не 3 π2 , так как сейчас мы считаем ферми радиусы без спинового
вырождения). Вспоминая, что средняя кинетическая энергия вырожденного ферми-газа есть
3
E , можно выписать полную энергию, которую затем минимизировать по δ n :
5 F
3 ℏ2 2 3 ℏ2 2
E полн =n+ k + +n − k −2 δ n μ B B (g-фактор считаем равным 2).
5 2m 5 2m −
Вычисления можно существенно упростить, используя понятие плотности состояний.
Действительно, если μ B B≪ E F (что для металлов верно во всех разумных полях), то
перераспределение электронов произойдёт только вблизи поверхности Ферми. Плотность
состояний (число состояний в единичном интервале энергии) на поверхности Ферми для
3n
вырожденного ферми-газа D( E F )= , где n — полная концентрация электронов.
2 EF
Эта плотность состояний полная, учитывающая обе поляризации, для каждой из поляризаций
число состояний вдвое меньше. При включении поля энергия электронов изменится на
±μ B B , соответственно, и концентрации электронов соответствующих поляризаций
D
изменились на ± μ B B . Откуда незамедлительно находим полный магнитный момент
2
единицы объёма M =D μ 2B B и, окончательно, восприимчивость единицы объёма
3 nμ 2B mμ 2B 3 3 n
χ para =Dμ = 2
B
2 EF
= 2
ℏ √π4
Получающийся магнитный момент парамагнитен (направлен вдоль приложенного поля), не
зависит от температуры (при T ≪ E F ). Этот эффект называют парамагнетизмом Паули.
Обратите внимание, что входящая в парамагнитную восприимчивость масса — это
эффективная масса электрона (в плотность состояний на ферми-поверхности входит именно
эффективная масса).
стр. 5 из 27 17.04.2016
d ⃗k ⃗ .
ℏ =−e E
dt
Как описать движение электрона в магнитном поле? Можно воспользоваться известным
утверждением теории поля [3]: если в исходной системе отсчёта было магнитное поле 2 ⃗
B ,
⃗
а электрического не было, то в системе координат, движущейся со скоростью V ( V ≪c )
1 ⃗ ⃗
появится электрическое поле ⃗ E= [V × B ] . Пересядем в систему отсчёта, движущуюся с
c
групповой скоростью рассматриваемого электрона (представляемого в виде волнового
пакета). В этой системе отсчёта электрон покоится (в этот момент мы и отбрасываем
квантовые эффекты, оговорённые выше) и на него действует только электрическое поле,
действие которого мы описывать умеем. Возвращаемся обратно в лабораторную систему
отсчёта нерелятивистским ( V ≪c ) преобразованием Галлилея и получаем
d⃗
k e
ℏ =− [ ⃗v гр × ⃗
B] .
dt c
dε 1 ⃗ ⃗ ε - градиент
Вспоминая определение групповой скорости ⃗ = ∇ ε( ⃗k ) , где
v гр= ∇
d ⃗p ℏ k k
2 Мы для простоты везде считаем, что магнитный момент среды мал, поэтому все граничные условия
несущественно меняют картину поля в образце и различие между векторами индукции и напряжённости
поля (в системе СГС) несущественно.
3 Мы специально упрощаем рассмотрение. В реальных металлах (например меди) геометрия ферми-
поверхности более сложная. Разные сечения ферми-поверхности меди (представляющей собой соединённые
перетяжками сферы) имеют геометрию электронного или дырочного типа.
4 Открытые ферми-поверхности в простейшем случае это «трубки» в k-пространстве (бесконечные в
стр. 6 из 27 17.04.2016
Рассмотрим перпендикулярные магнитному полю сечения ферми-поверхностей электронного
и дырочного типа (рисунок 2). На этих поверхностях различаются направления групповой
d⃗
k
скорости для электрона и, следовательно, различаются направления вектора . То есть,
dt
направления движения электрона в импульсном пространстве оказываются различными. Это
принципиально отличается от случая электрического поля, где все электроны одинаково
смещаются вдоль поля.
B
dk/dt
а) ddk б)
ddk
dk/dt
представлении периодической зонной схемы), которые могут быть как электронными (заполнены состояния
внутри трубок), так и дырочными (заполнены состояния вне трубок). С открытыми ферми-поверхностями
связаны также интересные явления, рассказ о которых не укладывается в рамки нашего курса.
Интересующиеся могут обратиться к литературе, например [1].
стр. 7 из 27 17.04.2016
он полностью определяется геометрией сечения ферми-поверхности 5. Конечно, мы здесь
считаем, что период движения электронов гораздо меньше времени свободного пробега, то
есть процессы рассеяния не учитываются.
ℏ2 k 2 2
⃗ ε )= ℏ ( ⃗k )2 , всякое
Для простого случая почти свободных электронов и (⃗
ε= k ⊥⋅∇ k
2m m ⊥
1 2 2 πmc
сечение ферми-поверхности будет окружностью и δ S = ( ⃗ k ⊥ ) δ ϕ , откуда T = .
2 eB
eB
Это движение электронов называют циклотронным, его частота ωc = называется
mc
циклотронной частотой. Для поля 10 Тл (т.е. 105 Гс ) циклотронная частота составляет (для
массы свободного электрона) 1.76⋅1012 1/сек (280 ГГц).
Для ферми-поверхности сложного вида из интегрирования выйдет постоянная с
размерностью массы, которую называют циклотронной массой, которая по определению
eB
связана с циклотронной частотой как ω= . Отметим, что циклотронная масса
mс c
совпадает с эффективной массой только для квадратичного закона дисперсии, в
произвольном случае она может отличаться от эффективной массы электрона.
В качестве простого примера несферической поверхности Ферми можно рассмотреть
ℏ2 2 2
модельный случай ферми-поверхности цилиндрической формы εF = ( k +k ) . Если
2m x y
поле приложено под углом Θ к оси Z, то сечение ферми-поверхности, перпендикулярное
полю, это эллипс площадью π k 2F / cos Θ . При заданном законе дисперсии групповая
скорость всегда лежит в плоскости XY, поэтому удобнее рассматривать проекцию вектора
⃗k ⊥ на направление групповой скорости, которая всегда равна k F . Отсюда после
2πmc 1
несложных преобразований T = . Период вращения начинает зависеть от
e B cos Θ
ориентации, что открывает возможность изучения геометрии ферми-поверхности.
Как будет двигаться наш электрон в реальном пространстве? Для ответа на этот вопрос в
общем случае надо проинтегрировать по времени групповую скорость
⃗r (t )= r⃗0 +∫ v⃗гр dt .
Для простого случая сферической поверхности Ферми, можно заметить, что групповая
5 Эта связь может быть выражена более наглядно, что однако не требуется в рамках курса, поэтому
δS
приводится здесь в ссылке. Рассмотрим подынтегральное выражение . Для приращения
( k⃗⊥⋅∇⃗ k ε)
1 2
площади можно записать δ S = k ⊥ (φ ) δ φ , где φ отсчитываемый в плоскости сечения
2
азимутальный угол. В знаменателе стоит произведение ⃗k ⊥ на проекцию градиента энергии на это
∂ε
направление, эта проекция как производная по направлению может быть записана в виде . Тогда
∂ k⊥
1 ∂k⊥ 1 ∂ δ S . Интегрирование тогда
подынтегральное выражение принимает вид k⊥ δ ϕ=
2 ∂ε 2 ∂ε
2
тривиально T=
ℏ c ∂S
[ ]
e B ∂ε ε=ε
. Получившаяся производная — это производная площади
F
стр. 8 из 27 17.04.2016
скорость параллельна волновому вектору в эту же точку ферми-поверхности. Тогда,
применяя полученные ранее результаты, получаем, что продольная к полю составляющая
скорости не меняется, а для поперечной получим известное из классической механики
d⃗v⊥ e
уравнение m∗ =− [ ⃗v ×B⃗ ] для случая электронной ферми-поверхности и с обратным
dt c ⊥
знаком для дырочной ферми поверхности. Это уравнение полностью аналогично уравнению
для движения свободного электрона в магнитном поле, ответ нам известен: частица движется
m∗ c v
по спирали вокруг силовых линий магнитного поля, радиус спирали r = v ⊥ = ω⊥c . Для
eB
электронов на ферми-поверхности этот радиус, называемый циклотронным радиусом, есть
ℏc
r= k , для лабораторного поля 10 Тл этот радиус оказывается порядка 0.5 мкм.
eB F
стр. 9 из 27 17.04.2016
B
стр. 10 из 27 17.04.2016
Рисунок 4: Циклотронный резонанс в калии. Частота СВЧ поля 68 ГГц, поле в плоскости
(110). По вертикальной оси отложена производная от потерь как функции магнитного поля
(измерения осуществлялись в схеме с модуляцией поля). Из книги [1].
стр. 11 из 27 17.04.2016
отклонение носителя заряда от направления тока уменьшает эффективную (транспортную)
длину свободного пробега (вместо движения вперёд электрон кружится по циклотронной
орбите). Точное рассмотрение гальваномагнитных (влияния магнитного поля на
электрические свойства) эффектов, однако достаточно сложно и зависит от геометрии ферми-
поверхности в металлах. Поэтому мы ограничимся простым случаем носителей заряда с
квадратичным спектром и некоторой эффективной массой.
Vy
Vx
7 Напомним, что для почти заполненной зоны (а именно это соответствует ферми-поверхности дырочного
типа с квадратичным спектром) групповая скорость электронов направлена противоположно к волновому
вектору.
стр. 12 из 27 17.04.2016
(
⃗ + 1 [V
V⃗ d =q E
c d
B] τ
⃗ ×⃗
m )
выражая отсюда дрейфовую скорость получаем для плотности тока
⃗ + q τ [⃗j× ⃗ qB
⃗j=n q V⃗ d =σ 0 E
2
mc
B ]=σ 0 ⃗
E+
( )
τ jy
mc − j x , где n — концентрация носителей, а
σ 0=n e τ /m - проводимость.
eB
Откуда, вводя циклотронную частоту ωc = ,
mc
( 1
sign(q) ωc τ 1 )
−sign(q)ω c τ ⃗ ⃗
j=σ 0 E
σ0
σ xx=σ yy =
1+ ( ωc τ) 2
σ ω τ .
σ xy =−σ yx =sign( q) 0 c 2
1+ (ωc τ)
Обратная связь напряжённости с плотностью тока задаётся тензором удельного
сопротивления ⃗ E =ρ̂ ⃗j . Взаимосвязь компонент этих тензоров может быть выражена
следующим образом:
ρ
σ xx = 2 xx 2
ρxx + ρ xy
ρ
σ xy =− 2 xy 2
ρxx+ ρ xy
Интересно, что при ρxy ≠0 обращение в ноль диагональной части тензора сопротивления
ведёт к одновременному обращению в ноль диагональной части тензора проводимости. В
этом нет никакого противоречия8, так как измерение тензора сопротивления и тензора
проводимости соответствует разной постановке эксперимента: либо создаётся и
поддерживается однородное электрическое поле и измеряется ток вдоль поля
(проводимость), либо создаётся и поддерживается ток и измеряется возникающее
электрическое поле (сопротивление). Одновременное зануление диагональных компонент
обоих тензоров просто соответствует тому, что созданы условия в которых ток течёт
перпендикулярно к электрическому полю.
Рассмотрим полученные результаты для компонент тензора проводимости подробнее. Для
продольных компонент в рамках нашей модели мы получим, что для тока текущего вдоль X
j x =σ0 E x , то есть продольная проводимость не меняется. Этот вывод не соответствует
эксперименту и причина этого расхождения нами уже названа: из-за искривления траекторий
электронов нужно учитывать не полную длину свободного пробега по всей траектории, а
транспортную длину — проекцию на направление движения. Соответственно, вместо σ 0 ,
включающей в себя время пробега электрона в отсутствие поля нужно использовать
стр. 13 из 27 17.04.2016
проводимость, в которой транспортное время пробега зависит от поля [2]. Для случая
сильного рассеяния (или слабого поля) ωc τ≪1 эта поправка легко ищется. Отклонение от
прямолинейного распространения (рисунок 6) приводит к замене
( )
2
(ω τ )
τ( B)=τ 0 cos ωc τ 0=τ 0 1− c 0 . Таким образом, мы получили уменьшение
2
проводимости (увеличение сопротивления), квадратичное по полю. Подчеркнём, что этот
простой результат получен в слабом поле и для квадратичного спектра (что также
подразумевает замкнутость ферми-поверхности). В сильных полях или при наличии
открытых ферми-поверхностей в магнетосопротивлении возникают дополнительные
эффекты, описанные в литературе [2].
lтр=l cos Поперечное электрическое поле
τ B
E y =sign( q)ω c σ j x = j возникает уже в
l=vF 0 nqc x
нашей модели. Во-первых, отметим, что
направление электрического поля зависит от знака
носителя заряда. Это позволяет при помощи
эффекта Холла определить электроны или дырки
являются основными носителями заряда. Кроме
того, в ответ не входят время релаксации и
=c
эффективная масса, что позволяет также
определить и концентрацию носителей заряда.
Измерение эффекта Холла является одним из
основных способов определения типа
проводимости и концентрации носителей заряда в
полупроводниках. Величину эффекта удобно
характеризовать константой Холла
Рисунок 6: К вычислению транспортной Ey 1
RH= =
длины пробега в слабом поле. B jx n qc
Пропорциональность холловского напряжения полю позволяет использовать работающие на
этом принципе датчики (холловские датчики) для измерения магнитного поля.
стр. 14 из 27 17.04.2016
Электроны в квантующем магнитном поле.
Уровни Ландау.
Как уже отмечалось, так как движение по циклотронным орбитам финитно, то в
соответствии с общими правилами квантовой физики оно должно квантоваться.
Качественно результат квантования можно получить пользуясь правилом Бора-
Зоммерфельда. При движении по циклотронной орбите p⋅2 π r=2 π m ωc r 2 =n ℏ . Откуда
p2n 2 2
n ℏ eH ℏ ωc
nℏ
√
2 π m ωc
= n
cℏ
eB √
, а энергия квантованного движения
E n= = 2
=n ℏ =n . Этот ответ даёт представление об эффекте по порядку
2 m 2 mr n 2 mc 2
величины, но как мы увидим далее отличается от точного в два раза9.
Точное решение этой задачи требует решения уравнения Шредингера в магнитном поле.
Будем считать электроны невзаимодействующими, тогда получим простую одночастичную
задачу.
Воспользуемся тем, что в магнитном поле импульс частицы перенормируется
e
⃗p → ⃗p − ⃗A
c
где ⃗ ⃗
A - вектор-потенциал магнитного поля ( B=rot ⃗ ), который для этой задачи удобно
A
⃗
выбрать в виде A=(0, Bx , 0) (поле направлено вдоль Z).
Уравнение Шредингера для свободного электрона имеет вид:
( ( ) )
2
1 e
̂ 2x + p̂ y − B ̂x + ̂p 2z Ψ( x , y , z )=E Ψ (x , y , z )
p
2m c
ищем решение в виде Ψ(x , y , z)=e ik y e i k z ψ( x) . Переменная
y z
z сразу отделяется и даёт
ℏ2 k 2z
просто свободное движение вдоль оси Z с вкладом в энергию . Для движения в
2m
плоскости подстановкой получаем
1
2m ( ( e e2
))
−ℏ 2 ψ' ' + ℏ 2 k 2y −2k y ℏ B x + 2 B 2 x 2 ψ =W ψ
c c
2
−
ℏ2
2m
ψ' ' +
e2 B 2
2mc 2
x−(ℏ c ky
eB ) ψ=W ψ
9 Более строгое рассмотрение [2] с учётом перенормировки импульса в магнитном поле устраняет это
расхожднение.
стр. 15 из 27 17.04.2016
частотой ( m0 — входящая в магнетон Бора масса свободного электрона). Энергия n-ого
1 ℏ 2 k 2z
уровня равна W n=ℏ ωс (n+ ) , полная энергия E (n , k z )=ℏ ω c ( n+ 1 )+ .
2 2 2m
( x−x 0 )2
10 С обозначениями x0 и l B уравнение Шредингера принимает вид −ψ ' ' + ψ=w ψ , где
l 4B
2mW
w=
ℏ2
11 В литературе есть разные традиции обозначения кванта потока. Здесь мы следуем Абрикосову [2], в книге
Киттеля [1] используется вдвое большее значение.
стр. 16 из 27 17.04.2016
Рисунок 7: Схематическое изображение плотности состояний в трёхмерном ферми-газе с
учётом квантования уровней Ландау. Пунктир - плотность состояний в отсутствие поля.
Для нахождения плотности состояний как функции энергии рассмотрим n-ый уровень
2 2
Ландау, энергия электронов на этом уровне 1 ℏ kz имеет
E ( n , k z )=ℏ ωc (n+ )+
2 2m
1
минимальное значение ℏ ω c ( n+ ) , каждое значение двукратно вырождено по
2
направлению k z и двукратно вырождено по спину (взаимодействием спинового момента с
полем пренебрегаем, рассматривая чисто орбитальное движение электрона). Откуда вклад
этого уровня в плотность состояний:
V 1 d ∣k z∣ V 1 √2 m 1
Dn (ε)=4 =4
( 2 π)2 l 2B ℏ
2 2
(2 π) l B d ε 1 ,
∞
√
2 ε−ℏ ωc (n+ )
2
стр. 17 из 27 17.04.2016
подуровня. Если движение по циклотронной орбите независимо от спиновой степени
g
свободы, то это приведёт просто к смещению спиновых подуровней на ± μ B B от
2
положения нерасщеплённого уровня, где g — электронный g-фактор.
Для свободных электронов g=2 и m=m0 , что привело бы к тому, что зеемановское
расщепление Δ E Zeeman= g μ B B совпадало бы с циклотронным Δ E c =ℏ ωc =2 μ B B . В
результате энергия подуровня n-ого уровня Ландау с зеемановской добавкой +μ B B и
подуровня (n+1)-го уровня Ландау с зеемановской добавкой (−μ B B) совпали бы.
Необходимо однако иметь в виду, что мы говорим не о свободном электроне, а о
квазичастице в твёрдом теле. Для таких квазичастиц циклотронное расщепление
m
определяется эффективной массой ℏ ω с = 0 2μ B B , а g-фактор может также довольно
m
сильно изменяться (в задачах задания встречаются примеры со значениями g-фактора
электрона от ≈1 до ≈60 ) . Поэтому соотношение между циклотронным и
зеемановским расщеплениями может меняться в довольно произвольных пределах и общего
подхода к построению структуры уровней электрона в магнитном поле с учётом спиновых
подуровней невозможно. В литературе под термином «уровень Ландау» может пониматься
как задача без учёта спинового расщепления, рассмотренная нами, так и спиновый
подуровень с определённым значением S z .
Диамагнетизм Ландау.
Отметим на качественном уровне, что при орбитальном движении электронов по
циклотронной орбите каждый электрон создаёт магнитное поле направленное против
внешнего. То есть, орбитальное движение по циклотронным орбитам должно приводить к
диамагнитному отклику системы электронов — то есть эффекту противоположному по знаку
рассмотренному выше паулиевскому парамагнетизму.
Для нахождения эффекта нужно вычислить полную энергию. Рассмотрим случай низкой
температуры и слабого поля μ B B≪T ≪εF . Малость температуры позволяет заменить
фермиевское распределение ступенькой, малость температуры и поля позволяют пренебречь
изменением энергии Ферми, малость поля по сравнению с температурой «размывает»
тепловыми флуктуациями нерегулярности на зависимости плотности состояний от энергии и
позволяет считать плотность состояний гладкой функцией. Спиновым расщеплением
пренебрегаем.
1
Введём для компактности обозначение εn=ℏ ωc (n+ ) . Тогда энергия
2
εF εF
E=∫ (ε−εF ) D(ε)d ε=∫ ∑ (ε−ε F ) D n (ε) d ε , для удобства последующих вычислений
0 0 n
вычтена энергия Ферми, что не важно так как нас интересует поправка, зависящая от поля. С
учётом допустимых значений интегрирование каждого слагаемого должно вестись от εn и
суммирование ограничивается сверху условием εn< ε F .
Интегрируем по частям:
εF εF
стр. 18 из 27 17.04.2016
суммирование интегрированием используя разновидность формулы Эйлера-Маклорена 12:
nmax nmax + 1 /2
∑ f ( n)= ∫
n=0 −1 /2
f ( n)dn−
1
24 [ 1 1
f ' (n max + )− f ' (− )
2 2 ] .
Далее замечаем, что при интегрировании нужно будет делать замену переменной от d n к
d εn и в результате интеграл от поля зависеть не будет 13 — следовательно он даст (всю или
частично) полную энергию ферми-газа в отсутствие поля, которая нас не интересует.
d f d f d εn
= 2 2√
2V 2m 3
Производная = ⋅
d n d εn dn 3 π l B ℏ 2 F n c
√ ε −ε ℏ ω , ε−1/ 2=0 , а εn max + 1/ 2 ≈ε F .
ℏ π4
B .
√
Видим, что энергия действительно растёт с полем, то есть имеется диамагнитный вклад. Этот
вклад называют диамагнетизмом Ландау. Двойным дифференцированием по полю находим
диамагнитную восприимчивость единицы объёма:
2
χ dia =−
1 mμ B 3 3 n
3 ℏ π
4
√ 1
=− χ para
3
Таким образом, диамагнитный вклад втрое меньше парамагнитного.
Из нашего вывода казалось бы следует, что всякий электронный газ должен быть
парамагнитен. Однако из эксперимента известно, что некоторые металлы (медь, золото)
b b
B
∣
∞
12 Формула Эйлера-Маклорена ∑ f (n)=∫ f ( x) dx+ ∑ k !k f (k−1) ( x ) , где B k — ряд
a≤ n< b a k=1 a
1 1 1
чисел Бернулли (для n={0,1,2 ,3 ,4 ,5} B k ={1,− , , 0,− ,0} ) с точностью до
2 6 30
b
линейных производных ∑ f (n)≈∫ f ( x)dx − 12 ( f (b)− f (a))+ 121
( f ' (b)− f ' (a ) ) .
a≤ n< b a
Добавляем слева и справа f (b) , чтобы суммирование включало верхний предел и расширяем
интегрирование на интервал
1
a− ,b+
2
1
2 ( )
, а для компенсации этого вычитаем интеграл,
1
f (a ) во втором слагаемом и считаем f ' (a)= f ' (a− ) в третьем. Тогда поправка к
2
1 1 1 1
интегралу f ( a− )− f ' (a− ) ,
− из второго слагаемого имеем
2 2 8 2
1 1 1 1 1 1
f (a− )+ f ' (a− ) , из третьего − f ' (a− ) , Суммируя видим, что сама
2 2 4 2 12 2
1 1
функция сокращается, а члены с производной дают f ' (a− ) . Аналогично на верхнем
24 2
пределе.
2
13 Из l B поле попадает в числитель интегрируемого выражения, откуда оно «забирается» при компоновке
циклотронной частоты для замены переменной.
стр. 19 из 27 17.04.2016
диамагнитны. Одной из причин для диамагнетизма металла является то, что, вообще говоря,
для металла со сложной поверхностью Ферми и не квадратичным спектром эффективные
массы при вычислении парамагнитной восприимчивости («динамическая» эффективная
масса на поверхности Ферми) и диамагнитной восприимчивости (циклотронная масса) могут
заметно различаться как в одну, так и в другую сторону.
14 Одной из трагических страниц советской науки является то, что Л.В.Шубников был репрессирован в 1937
году и расстрелян, в 1956 году реабилитирован.
15 Wander Johannes de Haas Этот же физик является соавтором эффекта Эйнштейна-де Гааза (наблдение связи
между механическим и магнитным моментом) и эффекта де Гааза- ван Альфена (обсудим далее). Иногда его
фамилию пишут в русской транскрипции как де Хааз, оба написания приемлемы.
стр. 20 из 27 17.04.2016
1 16
равноотстоящие максимумы будучи построенной как функция обратного поля .
B
Осцилляции в координатах обратного поля традиционно характеризуют «частотой»
ε mc
F= F , измеряемой в единицах напряжённости магнитного поля (тесла). При наличии
ℏe
нескольких циклотронных масс будет наблюдаться несколько «частот» и «биения» на
графике σ( 1/ B) .
Пример таких данных, измеренных на соединении из класса «тяжёлых фермионов» показан
на рисунке 8. Измерения проведены в полях до 20 Тл при температурах до 35 мК. Видно, что
на фоне общего (монотонного вплоть до почти максимального поля) роста сопротивления с
полем возникают осцилляции сопротивления с амплитудой около 1%. Рост амплитуды
осцилляций с полем связан с тем, что с ростом поля растёт расстояние между уровнями
Ландау и тепловые флуктуации оказывают всё меньший эффект. По той же причине
амплитуда осцилляций растёт при понижении температуры. Таким образом, анализ
температурной зависимости амплитуды осцилляций (для этого разработана теория Лифшица-
Косевича) позволяет извлечь информацию о величине расщепления уровней Ландау — то
есть о циклотронной массе. Наблюдаемые осцилляции соответствуют эффективной массе
электрона около 13 масс свободного электрона.
Пример наблюдения шубниковских осцилляций в полях до 60 Тл (импульсное магнитное
поле в Национальной лаборатории высоких магнитных полей в Талахаси, Флорида, США) и
при высоких давлениях более 10000 атмосфер, наблюдаемых в родственных квазидвумерных
металлорганических проводниках показаны на рисунках 9, 10.
стр. 21 из 27 17.04.2016
Рисунок 8: Пример наблюдения шубниковских осцилляций сопротивления в
тяжелофермионном соединении CeNiSn.. (a) Сопротивление как функция обратного поля
при температуре 35мК. Представлены данные измерений на двух образцах (сплошная и
пунктирная линии). Также показана выделенная на фоне монотонного роста сопротивления
в поле осциллирующая часть. (b) Преобразование Фурье от измеренной при разных
температурах зависимости сопротивления. На вставке — зависимость амплитуды
осцилляций от температуры. Из статьи [4].
стр. 22 из 27 17.04.2016
Рисунок 9: Осцилляции сопротивления в квазидвумерном проводнике κ-(BEDT-
TTF)2Cu[N(CN)2]Br в высоких магнитных полях до 60 Тл. На вставке — фурье-
преобразование от наблюдаемых осцилляций. С сайта [5].
стр. 23 из 27 17.04.2016
Эффект де Гааза- ван Альфена.
стр. 24 из 27 17.04.2016
подводить к образцу провода. Пример экспериментальной ячейки для измерений в высоких
магнитных полях представлен на рисунке 12: образец крепится к гибкой консоли, смещение
которой детектируется либо чувствительным тензодатчиком либо по изменению ёмкости
конденсатора, одна из пластин которого связана с консолью. При помещении в градиент
магнитного поля изгиб консоли оказывается пропорционален намагниченности образца.
Пример исторических измерений осцилляций де Гааза-ван Альфена на золоте представлен на
рисунке 11. В эксперименте использовалась модуляция поля для повышения
чувствительности, поэтому наблюдаемый сигнал пропорционален производной магнитной
восприимчивости 17. Ферми-поверхность золота состоит из сфер, соединённых перетяжками
на границах первой зоны Бриллюэна. Поэтому в различных ориентациях магнитного поля
вклад в циклотронную массу дают различные экстремальные сечения ферми-поверхности. В
одном из случаев наблюдается наложение двух частот осцилляций (нижняя панель на
рисунке 11).
Примеры измерений эффекта де Гааза-ван Альфена в более экзотических системах показаны
на рисунках 12, 13. Не вдаваясь в подробности анализа отметим, что этот метод позволяет
обнаружить наличие особенностей ферми-поверхности и наличие носителей с различными
эффективными массами, определить эффективную (циклотронную) массу носителей и их
концентрацию.
17 Такая модуляция является стандартной экспериментальной техникой. Если измеряется величина A как
функция некоторого воздействия X , A( X ) , то при включении слабой модуляции воздействия
X (t)= X 0+ x cos Ωt наблюдаемый сигнал есть
стр. 25 из 27 17.04.2016
Рисунок 12: Слева: Образец сверхпроводящего купрата YBa2Cu3O6.5 на консоли
магнетометра, размер образца 140×140×40 мкм3. Справа: осцилляции намагниченности в
поле до 67 Тл и зависимость приведённой амплитуды осцилляций от поля. Чёрные кривые на
левой панели — модельный расчёт в теории Лифшица-Косевича. С сайта [6] и из статьи
[7].
стр. 26 из 27 17.04.2016
Рисунок 13: Осцилляции намагниченности в тяжелофермионном соединении CeCoGe3.
Сверху: экспериментальные данные. Снизу: фурье-преобразование экспериментальных
данных, показывающее наличие нескольких типов носителей заряда. T=60 мК, поле
приложено под углом 90 от оси [100] к оси [110]. Из статьи [8].
стр. 27 из 27 17.04.2016