Вы находитесь на странице: 1из 27

Московский физико-технический институт

Кафедра общей физики

Дополнительные материалы к лекции 12

ЭЛЕКТРОНЫ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ

заметки к лекциям по общей физике

В.Н.Глазков

Москва
2016
В данном пособии представлены материалы к лекции по теме «Электроны в магнитном
поле» из курса «Квантовая макрофизика», преподаваемого на кафедре общей физики МФТИ.
Пособие не претендует на полноту изложения материала и в основном является авторскими
заметками к лекциям, оно содержит основные сведения по этой теме курса. Для подробного
изучения тем студентам рекомендуется обратиться к классическому курсу Ч.Киттеля
«Введение в физику твёрдого тела» [1] и другим источникам.
Основной материал содержится в главах 8, 10, и приложении G книги Киттеля [1], вопросы
магнитных свойств электронного газа и эффекта де Гааза-ван Альфена разобраны также в
главе 10 книги Абрикосова [2].

Основное на этой лекции:


• Парамагнетизм Паули
• Квантование движения электрона в магнитном поле: уровни Ландау
• Диамагнетизм Ландау
• Электрон в кристалле в магнитном поле
• Циклотронный резонанс, осцилляции проводимости и намагниченности

стр. 2 из 27 17.04.2016
Оглавление
Парамагнетизм Паули........................................................................................................................4
Электроны в неквантующих магнитных полях...............................................................................5
Уравнение динамики для электрона в кристалле в магнитном поле........................................5
Траектория электрона в металле в магнитном поле...................................................................6
Циклотронный резонанс в металлах............................................................................................9
Классический эффект Холла. Тензор сопротивления и тензор проводимости......................11
Электроны в квантующем магнитном поле...................................................................................15
Уровни Ландау..............................................................................................................................15
Плотность состояний с учётом квантования уровней Ландау.................................................16
Спиновое расщепление уровней Ландау...................................................................................17
Диамагнетизм Ландау..................................................................................................................18
Осцилляции проводимости и намагниченности.......................................................................20
Эффект Шубникова-де Гааза..................................................................................................20
Эффект де Гааза- ван Альфена..............................................................................................24
Список литературы
1: Ч.Киттель, Введение в физику твёрдого тела.,
2: А.А.Абрикосов, Основы теории металлов, 2010
3: Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц, Теоретическая физика, том 2: Теория поля, 1988
4: T.Terashima, C.Terakura, S.Uji, H.Aoki, Y.Echizen and T.Takabatake, Resistivity, Hall effect and
Shubnikov-de Haas oscillations in CeNiSn ,arXiv:cond-mat,0207379(2002)
5: Shubnikov-de Haas Effect , http://www.lanl.gov/orgs/mpa/nhmfl/users/pages/Shubnikov.htm
6: De Haas-van Alphen oscillations in the underdoped cuprate YBa2Cu3O6.5 ,
http://www.toulouse.lncmi.cnrs.fr/spip.php?rubrique69&lang=en
7: Cyril Jaudet, David Vignolles, Alain Audouard, Julien Levallois, D. LeBoeuf, Nicolas Doiron-
Leyraud, B. Vignolle, M. Nardone, A. Zitouni, Ruixing Liang, D. A. Bonn, W. N. Hardy, Louis
Taillefer, and Cyril Proust, de Haas–van Alphen Oscillations in the Underdoped High-Temperature
Superconductor YBa2Cu3O6.5 ,Phys. Rev. Lett.,100, 187005(2008)
8: Ilya Sheikin, Pierre Rodiere, Rikio Settai, Yoshichika Onuki, High-Field de Haas-van AlphenEect
in non-centrosymmetric CeCoGe3 and LaCoGe3. ,Journal of the Physical Society ofJapan,80,
SA020(2011)
9: C.Martin, C.C.Agosta, S.W.Tozer, H.A.Radovan, Tatsue Kinoshota, and M.Tokumoto, Critical
field and Shubnikov-de Haas oscillations of κ-(BEDT-TTF)2Cu(NCS)2 under pressure ,arXiv:cond-
mat,0303315(2003)

стр. 3 из 27 17.04.2016
Парамагнетизм Паули.
Рассмотрим вырожденный (для определённости — электронный) ферми-газ в слабом по
сравнению с энергией Ферми магнитном поле. В отсутствие поля каждое состояние
занимают два электрона, отличающиеся проекцией спина на выбранное направление,
энергия определяется только кинетической энергией (импульсом) и не зависит от проекции
спина.
Если приложить к этой системе магнитное поле, то одно из состояний (с магнитным
моментом1, направленным по полю) становится энергетически более выгодным и электронов
в этом состоянии должно стать больше.

B=0 B=0

Рисунок 1: Изменение распределения электронов по импульсам при включении поля. Слева: в


отсутствие поля ферми-сферы для электронов с разным направлением спина имеют
одинаковый радиус. Справа: при включении поля число электронов с энергетически выгодной
поляризацией увеличивается, число электронов с невыгодной поляризацией уменьшается.
Таким образом, для нахождения равновесной конфигурации нам нужно минимизировать
сумму кинетической энергии электронов двух поляризаций и зеемановской энергии при
учёте постоянства полного числа электронов. Если n 0 – полная концентрация электронов,
n
n ±= 0 ±δ n – концентрации выгодной и невыгодной поляризаций (такое обозначение
2
автоматически сохраняет полное число электронов), то радиусы ферми-сфер для электронов

1 Строго говоря, из-за отрицательности заряда электрона его магнитный момент направлен противоположно к
спиновому моменту. Однако во многих задачах физики твёрдого тела (там, где для ответа важна энергия
намагничивающейся системы) можно для удобства считать их сонаправленными — это соглашение ничего
не меняет в окончательных ответах.

стр. 4 из 27 17.04.2016
выгодной и невыгодной поляризаций

n0
3
k ± = 6 π2
2 ( )
±δ n (обратите внимание, что под
корнем 6 π2 , а не 3 π2 , так как сейчас мы считаем ферми радиусы без спинового
вырождения). Вспоминая, что средняя кинетическая энергия вырожденного ферми-газа есть
3
E , можно выписать полную энергию, которую затем минимизировать по δ n :
5 F
3 ℏ2 2 3 ℏ2 2
E полн =n+ k + +n − k −2 δ n μ B B (g-фактор считаем равным 2).
5 2m 5 2m −
Вычисления можно существенно упростить, используя понятие плотности состояний.
Действительно, если μ B B≪ E F (что для металлов верно во всех разумных полях), то
перераспределение электронов произойдёт только вблизи поверхности Ферми. Плотность
состояний (число состояний в единичном интервале энергии) на поверхности Ферми для
3n
вырожденного ферми-газа D( E F )= , где n — полная концентрация электронов.
2 EF
Эта плотность состояний полная, учитывающая обе поляризации, для каждой из поляризаций
число состояний вдвое меньше. При включении поля энергия электронов изменится на
±μ B B , соответственно, и концентрации электронов соответствующих поляризаций
D
изменились на ± μ B B . Откуда незамедлительно находим полный магнитный момент
2
единицы объёма M =D μ 2B B и, окончательно, восприимчивость единицы объёма
3 nμ 2B mμ 2B 3 3 n
χ para =Dμ = 2
B
2 EF
= 2
ℏ √π4
Получающийся магнитный момент парамагнитен (направлен вдоль приложенного поля), не
зависит от температуры (при T ≪ E F ). Этот эффект называют парамагнетизмом Паули.
Обратите внимание, что входящая в парамагнитную восприимчивость масса — это
эффективная масса электрона (в плотность состояний на ферми-поверхности входит именно
эффективная масса).

Электроны в неквантующих магнитных полях.

Уравнение динамики для электрона в кристалле в магнитном


поле.
Рассмотрим электроны в кристалле в достаточно слабых магнитных полях (или при
достаточно высокой температуре). Критерий слабости будет определён далее, на
качественном уровне отметим, что так как в магнитном поле движение свободного электрона
становится финитным (движение по окружности), то такое движение по общим правилам
квантовой механики квантуется. Сейчас мы пренебрегаем эти квантованием, что
соответствует тому, что температура больше расстояния между уровнями и тепловые
флуктуации «замывают» квантовую картину. При этом часть квантовых явлений: вырождение
электронного ферми газа в металле, особенности зонной структуры для электрона в
кристалле сохраняется и существенно определяет свойства рассматриваемой системы.
Мы уже рассмотрели влияние электрического поля на электрон и показали, что квазиимпульс
электрона подчиняется уравнению типа второго закона Ньютона:

стр. 5 из 27 17.04.2016
d ⃗k ⃗ .
ℏ =−e E
dt
Как описать движение электрона в магнитном поле? Можно воспользоваться известным
утверждением теории поля [3]: если в исходной системе отсчёта было магнитное поле 2 ⃗
B ,

а электрического не было, то в системе координат, движущейся со скоростью V ( V ≪c )
1 ⃗ ⃗
появится электрическое поле ⃗ E= [V × B ] . Пересядем в систему отсчёта, движущуюся с
c
групповой скоростью рассматриваемого электрона (представляемого в виде волнового
пакета). В этой системе отсчёта электрон покоится (в этот момент мы и отбрасываем
квантовые эффекты, оговорённые выше) и на него действует только электрическое поле,
действие которого мы описывать умеем. Возвращаемся обратно в лабораторную систему
отсчёта нерелятивистским ( V ≪c ) преобразованием Галлилея и получаем
d⃗
k e
ℏ =− [ ⃗v гр × ⃗
B] .
dt c
dε 1 ⃗ ⃗ ε - градиент
Вспоминая определение групповой скорости ⃗ = ∇ ε( ⃗k ) , где
v гр= ∇
d ⃗p ℏ k k

от энергии в k-пространстве, получаем окончательно


d ⃗k e ⃗
=− 2 [ ∇ k ε× B ] .

dt ℏ c
Получившееся уравнение аналогично уравнению для свободного электрона, но вместо
импульса стоит квазиимпульс, а вместо скорости — групповая скорость.

Траектория электрона в металле в магнитном поле.


Из свойств векторного произведения следует, что в импульсном пространстве электрон
движется перпендикулярно к градиенту энергии — то есть по поверхности постоянной
энергии. Будет изменяться только компонента волнового вектора, перпендикулярная
магнитному полю ⃗ B , компонента волнового вектора электрона, параллельная магнитному
полю, не изменяется.
В металле электронный газ вырожден и основную роль играют электроны на ферми-
поверхности. Траектория движения этих электронов в импульсном пространстве,
отвечающая перечисленным ограничениям (постоянство энергии и неизменность
составляющей волнового вектора, параллельной магнитному полю), будет, очевидно,
сечением ферми-поверхности плоскостью, перпендикулярной к магнитному полю.
При этом оказывается принципиальной топология ферми-поверхности. Напомним, что
самыми простыми3 типами ферми-поверхности в металлах являются (причём иногда оба
типа ферми-поверхностей присутствуют одновременно) ферми-поверхности электронного
типа («капли» в k-пространстве, состояния внутри которых заполнены), дырочного типа
(«пузыри» в k-пространстве, состояния вне которых заполнены), а также открытые ферми-
поверхности, которые мы специально рассматривать не будем4.

2 Мы для простоты везде считаем, что магнитный момент среды мал, поэтому все граничные условия
несущественно меняют картину поля в образце и различие между векторами индукции и напряжённости
поля (в системе СГС) несущественно.
3 Мы специально упрощаем рассмотрение. В реальных металлах (например меди) геометрия ферми-
поверхности более сложная. Разные сечения ферми-поверхности меди (представляющей собой соединённые
перетяжками сферы) имеют геометрию электронного или дырочного типа.
4 Открытые ферми-поверхности в простейшем случае это «трубки» в k-пространстве (бесконечные в

стр. 6 из 27 17.04.2016
Рассмотрим перпендикулярные магнитному полю сечения ферми-поверхностей электронного
и дырочного типа (рисунок 2). На этих поверхностях различаются направления групповой
d⃗
k
скорости для электрона и, следовательно, различаются направления вектора . То есть,
dt
направления движения электрона в импульсном пространстве оказываются различными. Это
принципиально отличается от случая электрического поля, где все электроны одинаково
смещаются вдоль поля.
B

dk/dt
а) ddk б)

ddk
dk/dt

Рисунок 2: Определение направления движения электрона в магнитном поле на электронной


(а) и дырочной (б) ферми-поверхности. Магнитное поле направлено из плоскости рисунка,
синяя заливка показывает занятые состояния.
Формально, то что для частиц с одинаковыми значениями начального волнового вектора
отличаются направления движения можно описать как различие знаков электрических
зарядов частиц. Электрон на ферми поверхности дырочного типа с этой точки зрения
движется как если бы у него был положительный заряд.
Найдём период вращения электрона по данному сечению ферми-поверхности. Определим
вектор ⃗ k ⊥ как проекцию волнового вектора на плоскость, перпендикулярную полю. За

время δ t этот вектор заметает площадь δ ⃗


1
S = ⃗k ⊥ ×
2
d⃗
k
dt [ ]
δ t Подстановкой уравнения
динамики и применением формулы для двойного векторного произведения (пользуясь тем,
что ⃗k ⊥ ⊥ ⃗
B ) получаем
e ⃗ ⃗
2 ( ⊥
δ⃗
S= k ⋅∇ k ε) ⃗
Bδt
2ℏ c
Интегрируя по периоду, находим период
δ⃗
2
T=
2ℏ c
eB ∣
∮ S

( k⃗ ⊥⋅∇⃗ k ε )

представлении периодической зонной схемы), которые могут быть как электронными (заполнены состояния
внутри трубок), так и дырочными (заполнены состояния вне трубок). С открытыми ферми-поверхностями
связаны также интересные явления, рассказ о которых не укладывается в рамки нашего курса.
Интересующиеся могут обратиться к литературе, например [1].

стр. 7 из 27 17.04.2016
он полностью определяется геометрией сечения ферми-поверхности 5. Конечно, мы здесь
считаем, что период движения электронов гораздо меньше времени свободного пробега, то
есть процессы рассеяния не учитываются.
ℏ2 k 2 2
⃗ ε )= ℏ ( ⃗k )2 , всякое
Для простого случая почти свободных электронов и (⃗
ε= k ⊥⋅∇ k
2m m ⊥
1 2 2 πmc
сечение ферми-поверхности будет окружностью и δ S = ( ⃗ k ⊥ ) δ ϕ , откуда T = .
2 eB
eB
Это движение электронов называют циклотронным, его частота ωc = называется
mc
циклотронной частотой. Для поля 10 Тл (т.е. 105 Гс ) циклотронная частота составляет (для
массы свободного электрона) 1.76⋅1012 1/сек (280 ГГц).
Для ферми-поверхности сложного вида из интегрирования выйдет постоянная с
размерностью массы, которую называют циклотронной массой, которая по определению
eB
связана с циклотронной частотой как ω= . Отметим, что циклотронная масса
mс c
совпадает с эффективной массой только для квадратичного закона дисперсии, в
произвольном случае она может отличаться от эффективной массы электрона.
В качестве простого примера несферической поверхности Ферми можно рассмотреть
ℏ2 2 2
модельный случай ферми-поверхности цилиндрической формы εF = ( k +k ) . Если
2m x y
поле приложено под углом Θ к оси Z, то сечение ферми-поверхности, перпендикулярное
полю, это эллипс площадью π k 2F / cos Θ . При заданном законе дисперсии групповая
скорость всегда лежит в плоскости XY, поэтому удобнее рассматривать проекцию вектора
⃗k ⊥ на направление групповой скорости, которая всегда равна k F . Отсюда после
2πmc 1
несложных преобразований T = . Период вращения начинает зависеть от
e B cos Θ
ориентации, что открывает возможность изучения геометрии ферми-поверхности.
Как будет двигаться наш электрон в реальном пространстве? Для ответа на этот вопрос в
общем случае надо проинтегрировать по времени групповую скорость
⃗r (t )= r⃗0 +∫ v⃗гр dt .
Для простого случая сферической поверхности Ферми, можно заметить, что групповая

5 Эта связь может быть выражена более наглядно, что однако не требуется в рамках курса, поэтому
δS
приводится здесь в ссылке. Рассмотрим подынтегральное выражение . Для приращения
( k⃗⊥⋅∇⃗ k ε)
1 2
площади можно записать δ S = k ⊥ (φ ) δ φ , где φ отсчитываемый в плоскости сечения
2
азимутальный угол. В знаменателе стоит произведение ⃗k ⊥ на проекцию градиента энергии на это
∂ε
направление, эта проекция как производная по направлению может быть записана в виде . Тогда
∂ k⊥
1 ∂k⊥ 1 ∂ δ S . Интегрирование тогда
подынтегральное выражение принимает вид k⊥ δ ϕ=
2 ∂ε 2 ∂ε
2
тривиально T=
ℏ c ∂S
[ ]
e B ∂ε ε=ε
. Получившаяся производная — это производная площади
F

перпендикулярного полю сечения изоэнергетической поверхности по энергии.

стр. 8 из 27 17.04.2016
скорость параллельна волновому вектору в эту же точку ферми-поверхности. Тогда,
применяя полученные ранее результаты, получаем, что продольная к полю составляющая
скорости не меняется, а для поперечной получим известное из классической механики
d⃗v⊥ e
уравнение m∗ =− [ ⃗v ×B⃗ ] для случая электронной ферми-поверхности и с обратным
dt c ⊥
знаком для дырочной ферми поверхности. Это уравнение полностью аналогично уравнению
для движения свободного электрона в магнитном поле, ответ нам известен: частица движется
m∗ c v
по спирали вокруг силовых линий магнитного поля, радиус спирали r = v ⊥ = ω⊥c . Для
eB
электронов на ферми-поверхности этот радиус, называемый циклотронным радиусом, есть
ℏc
r= k , для лабораторного поля 10 Тл этот радиус оказывается порядка 0.5 мкм.
eB F

Циклотронный резонанс в металлах.


В магнитном поле около 0.1 Тл циклотронные частоты имеют порядок нескольких гигагерц, а
циклотронный радиус оказывается порядка 50 мкм. В то же время, глубина скин-слоя в
хороших проводниках на этой частоте оказывается порядка микрометра или даже меньше.
Это позволяет организовать следующий эксперимент. Приложим магнитное поле вдоль
поверхности проводника и будем освещать поверхность электромагнитными волнами
подходящей частоты. Так как циклотронный радиус гораздо больше глубины скин-слоя, то
электроны взаимодействуют с переменным электромагнитным полем только вблизи
поверхности и во время этого взаимодействия они ускоряются или замедляются
электрическим полем волны (рисунок 3).
Если период движения по циклотронной орбите окажется кратен периоду переменного СВЧ-
поля ωc =ω СВЧ /n ( n - целое), то однажды ускоренный полем электрон вернётся в скин
слой «в нужный момент», когда направление электрического поля опять ускоряющее. Если
длина пробега электрона больше длины циклотронной орбиты, то электрон будет
эффективно отбирать энергию у электромагнитной волны, которую потом отдаст при
столкновениях в глубине металла. С точки зрения экспериментатора это означает, что при
некоторых значениях магнитного поля (по техническим причинам удобнее поддерживать
частоту СВЧ неизменной) будет наблюдаться резонансное поглощение падающих
электромагнитных волн. Это явление называют циклотронным резонансом.
m c c ωСВЧ 1
Значения полей резонансного поглощения образуют серию Bn = , из анализа
e n
периодичности зависимости поглощения от обратного поля можно найти циклотронную
массу и из её анализа получить информацию о структуре ферми-поверхности. Пример таких
данных для калия приведён на рисунке 4. Для калия ферми-поверхность близка к сфере и это
подтверждается в этом эксперименте: наблюдаемая картина почти не меняется при
изменении ориентации магнитного поля. Определённая по этим данным циклотронная масса
составила 1.24 массы свободного электрона.

стр. 9 из 27 17.04.2016
B

Рисунок 3: Схема траектории электрона в опытах по циклотронному резонансу. СВЧ


излучение падает сверху, пунктирная линия условно показывает границу скин-слоя. Сверху:
стационарная циклотронная орбита. Снизу: "скачущая" циклотронная орбита при упругом
рассеянии на границе, стрелкой показано направление дрейфа ведущего центра.
Отметим, что если ферми поверхность устроена сложно, то циклотронная масса окажется
разной для разных сечений ферми-поверхности плоскостями, перпендикулярными к
магнитному полю. Так как каждой циклотронной массе соответствует свой период вращения
по орбите, то на эксперименте будут наиболее весомы состояния в которых много сечений
имеет близкие циклотронные массы. Конкретный выбор этих сечений достаточно сложная
задача, зависящая от геометрии ферми-поверхности. Такие сечения называют
экстремальными, для не слишком изощрённой геометрии ферми-поверхности они
соответствуют сечениям ферми-поверхности плоскостями, перпендикулярными к полю,
минимальной и максимальной площади6. В наблюдаемой картине периодических
максимумов поглощения возникнут биения, описываемые несколькими гармониками.

6 Вблизи от этих сечений сечения ферми-поверхности меняются слабо и, следовательно, и циклотронные


массы будут сконцентрированы вблизи значений для экстремальных сечений.

стр. 10 из 27 17.04.2016
Рисунок 4: Циклотронный резонанс в калии. Частота СВЧ поля 68 ГГц, поле в плоскости
(110). По вертикальной оси отложена производная от потерь как функции магнитного поля
(измерения осуществлялись в схеме с модуляцией поля). Из книги [1].

Наконец, отметим ещё одну интересную особенность циклотронных траекторий вблизи от


границы образца. Если циклотронная орбита не выходит за границу образца (рисунок 4,
сверху), то её центр (движущий центр орбиты) покоится или движется вдоль стационарного
поля. Если же траектория пересекает границу и рассеяние на границе упругое (рисунок 4,
снизу), то возникает дрейф движущего центра поперёк направления поля. С аналогом этого
эффекта мы встретимся позже при рассмотрении квантового эффекта Холла.

Классический эффект Холла. Тензор сопротивления и тензор


проводимости.
Рассмотрим следующий опыт. Пусть через образец в форме бруска пропускается
электрический ток в направлении X и кроме этого приложено магнитное поле в направлении
Z (рисунок 5). Нас будут интересовать падения напряжения на образце вдоль направления
распространения тока и в поперечном направлении.
Эта задача для свободных частиц известна из курса электричества. Напомним результат: под
действием магнитного поля движущиеся заряженные частицы отклоняются вдоль оси Y, на
границах образца накапливается избыточный заряд, электрическое поле которого в
равновесии компенсирует силу Лоренца, и возникает поперечное (холловское) напряжение.
Также, используя ранее полученные результаты мы можем на качественном уровне
утверждать, что в магнитном поле будет увеличиваться сопротивление проводника:

стр. 11 из 27 17.04.2016
отклонение носителя заряда от направления тока уменьшает эффективную (транспортную)
длину свободного пробега (вместо движения вперёд электрон кружится по циклотронной
орбите). Точное рассмотрение гальваномагнитных (влияния магнитного поля на
электрические свойства) эффектов, однако достаточно сложно и зависит от геометрии ферми-
поверхности в металлах. Поэтому мы ограничимся простым случаем носителей заряда с
квадратичным спектром и некоторой эффективной массой.

Vy

Vx

Рисунок 5: Схема опыта по измерению эффекта Холла.

Объединяя уравнения динамики в электрическом и магнитном полях получаем:


d ⃗v q
m =q ⃗
E+ ⃗v ×⃗
B
dt c
здесь ⃗v — групповая скорость, q – заряд носителя заряда. Это уравнение верно и для
электронов и для дырок (для металлов — для электронов на ферми-поверхности дырочного
типа7).
Вводя понятие характерного времени пробега, можно записать для дрейфовой скорости

7 Напомним, что для почти заполненной зоны (а именно это соответствует ферми-поверхности дырочного
типа с квадратичным спектром) групповая скорость электронов направлена противоположно к волновому
вектору.

стр. 12 из 27 17.04.2016
(
⃗ + 1 [V
V⃗ d =q E
c d
B] τ
⃗ ×⃗
m )
выражая отсюда дрейфовую скорость получаем для плотности тока

⃗ + q τ [⃗j× ⃗ qB
⃗j=n q V⃗ d =σ 0 E

2
mc
B ]=σ 0 ⃗
E+
( )
τ jy
mc − j x , где n — концентрация носителей, а

σ 0=n e τ /m - проводимость.
eB
Откуда, вводя циклотронную частоту ωc = ,
mc

( 1
sign(q) ωc τ 1 )
−sign(q)ω c τ ⃗ ⃗
j=σ 0 E

Плотность тока оказывается связана с напряжённостью поля матричным уравнением


⃗j=σ̂ E ̂
⃗ , где тензор проводимости σ=
(
σ xx σ xy
σ yx σ yy )
, а его компоненты

σ0
σ xx=σ yy =
1+ ( ωc τ) 2
σ ω τ .
σ xy =−σ yx =sign( q) 0 c 2
1+ (ωc τ)
Обратная связь напряжённости с плотностью тока задаётся тензором удельного
сопротивления ⃗ E =ρ̂ ⃗j . Взаимосвязь компонент этих тензоров может быть выражена
следующим образом:
ρ
σ xx = 2 xx 2
ρxx + ρ xy
ρ
σ xy =− 2 xy 2
ρxx+ ρ xy
Интересно, что при ρxy ≠0 обращение в ноль диагональной части тензора сопротивления
ведёт к одновременному обращению в ноль диагональной части тензора проводимости. В
этом нет никакого противоречия8, так как измерение тензора сопротивления и тензора
проводимости соответствует разной постановке эксперимента: либо создаётся и
поддерживается однородное электрическое поле и измеряется ток вдоль поля
(проводимость), либо создаётся и поддерживается ток и измеряется возникающее
электрическое поле (сопротивление). Одновременное зануление диагональных компонент
обоих тензоров просто соответствует тому, что созданы условия в которых ток течёт
перпендикулярно к электрическому полю.
Рассмотрим полученные результаты для компонент тензора проводимости подробнее. Для
продольных компонент в рамках нашей модели мы получим, что для тока текущего вдоль X
j x =σ0 E x , то есть продольная проводимость не меняется. Этот вывод не соответствует
эксперименту и причина этого расхождения нами уже названа: из-за искривления траекторий
электронов нужно учитывать не полную длину свободного пробега по всей траектории, а
транспортную длину — проекцию на направление движения. Соответственно, вместо σ 0 ,
включающей в себя время пробега электрона в отсутствие поля нужно использовать

8 Наивно, нулевая проводимость соответствует бесконечно большому сопротивлению, но такое рассуждение


справедливо только для скалярных проводимости или сопротивления.

стр. 13 из 27 17.04.2016
проводимость, в которой транспортное время пробега зависит от поля [2]. Для случая
сильного рассеяния (или слабого поля) ωc τ≪1 эта поправка легко ищется. Отклонение от
прямолинейного распространения (рисунок 6) приводит к замене

( )
2
(ω τ )
τ( B)=τ 0 cos ωc τ 0=τ 0 1− c 0 . Таким образом, мы получили уменьшение
2
проводимости (увеличение сопротивления), квадратичное по полю. Подчеркнём, что этот
простой результат получен в слабом поле и для квадратичного спектра (что также
подразумевает замкнутость ферми-поверхности). В сильных полях или при наличии
открытых ферми-поверхностей в магнетосопротивлении возникают дополнительные
эффекты, описанные в литературе [2].
lтр=l cos  Поперечное электрическое поле
τ B
E y =sign( q)ω c σ j x = j возникает уже в
l=vF 0 nqc x
нашей модели. Во-первых, отметим, что
направление электрического поля зависит от знака
носителя заряда. Это позволяет при помощи
эффекта Холла определить электроны или дырки
являются основными носителями заряда. Кроме
того, в ответ не входят время релаксации и
=c
эффективная масса, что позволяет также
определить и концентрацию носителей заряда.
Измерение эффекта Холла является одним из
основных способов определения типа
проводимости и концентрации носителей заряда в
полупроводниках. Величину эффекта удобно
характеризовать константой Холла
Рисунок 6: К вычислению транспортной Ey 1
RH= =
длины пробега в слабом поле. B jx n qc
Пропорциональность холловского напряжения полю позволяет использовать работающие на
этом принципе датчики (холловские датчики) для измерения магнитного поля.

стр. 14 из 27 17.04.2016
Электроны в квантующем магнитном поле.

Уровни Ландау.
Как уже отмечалось, так как движение по циклотронным орбитам финитно, то в
соответствии с общими правилами квантовой физики оно должно квантоваться.
Качественно результат квантования можно получить пользуясь правилом Бора-
Зоммерфельда. При движении по циклотронной орбите p⋅2 π r=2 π m ωc r 2 =n ℏ . Откуда

радиус квантованной орбиты r n=

p2n 2 2
n ℏ eH ℏ ωc
nℏ

2 π m ωc
= n
cℏ
eB √
, а энергия квантованного движения

E n= = 2
=n ℏ =n . Этот ответ даёт представление об эффекте по порядку
2 m 2 mr n 2 mc 2
величины, но как мы увидим далее отличается от точного в два раза9.
Точное решение этой задачи требует решения уравнения Шредингера в магнитном поле.
Будем считать электроны невзаимодействующими, тогда получим простую одночастичную
задачу.
Воспользуемся тем, что в магнитном поле импульс частицы перенормируется
e
⃗p → ⃗p − ⃗A
c
где ⃗ ⃗
A - вектор-потенциал магнитного поля ( B=rot ⃗ ), который для этой задачи удобно
A

выбрать в виде A=(0, Bx , 0) (поле направлено вдоль Z).
Уравнение Шредингера для свободного электрона имеет вид:

( ( ) )
2
1 e
̂ 2x + p̂ y − B ̂x + ̂p 2z Ψ( x , y , z )=E Ψ (x , y , z )
p
2m c
ищем решение в виде Ψ(x , y , z)=e ik y e i k z ψ( x) . Переменная
y z
z сразу отделяется и даёт
ℏ2 k 2z
просто свободное движение вдоль оси Z с вкладом в энергию . Для движения в
2m
плоскости подстановкой получаем

1
2m ( ( e e2
))
−ℏ 2 ψ' ' + ℏ 2 k 2y −2k y ℏ B x + 2 B 2 x 2 ψ =W ψ
c c
2


ℏ2
2m
ψ' ' +
e2 B 2
2mc 2
x−(ℏ c ky
eB ) ψ=W ψ

Уравнение совпадает с уравнением гармонического осциллятора с положением равновесия в


ℏ c ky
точке x 0= , называемой положением ведущего центра. «Жёсткость» осциллятора
eB
2 2
e B
равна κ= , соответственно характерная частота, определяющая квант энергии
mc2
e B m 0 2μ B B
осциллятора ωс = κ =
√ =
m mc m ℏ
, что совпадает с классической циклотронной

9 Более строгое рассмотрение [2] с учётом перенормировки импульса в магнитном поле устраняет это
расхожднение.

стр. 15 из 27 17.04.2016
частотой ( m0 — входящая в магнетон Бора масса свободного электрона). Энергия n-ого
1 ℏ 2 k 2z
уровня равна W n=ℏ ωс (n+ ) , полная энергия E (n , k z )=ℏ ω c ( n+ 1 )+ .
2 2 2m

Введём магнитную длину


ℏ c 10
l B=
eB √
, с учётом этого обозначения x 0=l 2B k y . Магнитная
длина задаёт характерный масштаб на который электрон удаляется от ведущего центра, она
может быть истолкована в квазиклассическом подходе как величина порядка радиуса
циклотронной орбиты для первого уровня Ландау. В поле 10 Тл магнитная длина равна
−6
0.81⋅10 см . Магнитный поток, пронизывающий циклотронную орбиту,
2 πℏc −7 2
Φ 0=π l B B= =2.05⋅10 Э⋅см называют квантом потока11.
e
Найденные уровни энергии — это уровни Ландау электронов во внешнем магнитном поле.
Заметим, что энергия уровней с различной координатой ведущего центра совпадает, Y-
компонента волнового вектора входит лишь в в координату ведущего центра.

Плотность состояний с учётом квантования уровней Ландау.


Уровни Ландау описывают квантованное движение в плоскости, перпендикулярной полю.
Для физических применений существенно проверить, как будет меняться плотность
состояний из-за возникновения этого квантования.
Для нахождения условий квантования рассмотрим образец в форме прямоугольного
параллелепипеда с рёбрами L x , L y и L z , все длины считаем много больше
магнитной длины. Координаты ведущего центра зависят от k y . В то же время сам центр
должен лежать в пределах от 0 до L x - иначе из-за быстрого убывания волновой функции
осциллятора вероятность обнаружения такого состояния в образце будет стремиться к нулю.
Следовательно 0< l 2B k y < L x . Накладывая периодические граничные условия вдоль Y и Z,
получим обычное условие, что на одно состояние приходится элемент фазового объёма k-

пространства . Следовательно всего в плоскости XY для каждого значения k z
Ly ,z
1 Lx Ly
имеется 2 состояний на каждом уровне Ландау. А в интервале dk z на каждом
lB 2π
V 1
уровне Ландау будет dN = d k z состояний.
(2 π)2 l 2B

( x−x 0 )2
10 С обозначениями x0 и l B уравнение Шредингера принимает вид −ψ ' ' + ψ=w ψ , где
l 4B
2mW
w=
ℏ2
11 В литературе есть разные традиции обозначения кванта потока. Здесь мы следуем Абрикосову [2], в книге
Киттеля [1] используется вдвое большее значение.

стр. 16 из 27 17.04.2016
Рисунок 7: Схематическое изображение плотности состояний в трёхмерном ферми-газе с
учётом квантования уровней Ландау. Пунктир - плотность состояний в отсутствие поля.

Для нахождения плотности состояний как функции энергии рассмотрим n-ый уровень
2 2
Ландау, энергия электронов на этом уровне 1 ℏ kz имеет
E ( n , k z )=ℏ ωc (n+ )+
2 2m
1
минимальное значение ℏ ω c ( n+ ) , каждое значение двукратно вырождено по
2
направлению k z и двукратно вырождено по спину (взаимодействием спинового момента с
полем пренебрегаем, рассматривая чисто орбитальное движение электрона). Откуда вклад
этого уровня в плотность состояний:
V 1 d ∣k z∣ V 1 √2 m 1
Dn (ε)=4 =4
( 2 π)2 l 2B ℏ
2 2
(2 π) l B d ε 1 ,



2 ε−ℏ ωc (n+ )
2

полная плотность состояний D(ε)=∑ D n (ε) (рисунок 7).


n=0

Таким образом, вместо монотонной зависимости плотности состояний от энергии в ней


появляются периодические острые максимумы. Как мы помним, многие свойства металла
зависят от плотности состояний на уровне Ферми — следовательно можно ожидать, что эти
свойства будут резко меняться в зависимости от того попадает ли положение уровня ферми
на пик плотности состояний или на один из минимумов.

Спиновое расщепление уровней Ландау.


Наличие у электрона спина приведёт к расщеплению уровня Ландау на два спиновых

стр. 17 из 27 17.04.2016
подуровня. Если движение по циклотронной орбите независимо от спиновой степени
g
свободы, то это приведёт просто к смещению спиновых подуровней на ± μ B B от
2
положения нерасщеплённого уровня, где g — электронный g-фактор.
Для свободных электронов g=2 и m=m0 , что привело бы к тому, что зеемановское
расщепление Δ E Zeeman= g μ B B совпадало бы с циклотронным Δ E c =ℏ ωc =2 μ B B . В
результате энергия подуровня n-ого уровня Ландау с зеемановской добавкой +μ B B и
подуровня (n+1)-го уровня Ландау с зеемановской добавкой (−μ B B) совпали бы.
Необходимо однако иметь в виду, что мы говорим не о свободном электроне, а о
квазичастице в твёрдом теле. Для таких квазичастиц циклотронное расщепление
m
определяется эффективной массой ℏ ω с = 0 2μ B B , а g-фактор может также довольно
m
сильно изменяться (в задачах задания встречаются примеры со значениями g-фактора
электрона от ≈1 до ≈60 ) . Поэтому соотношение между циклотронным и
зеемановским расщеплениями может меняться в довольно произвольных пределах и общего
подхода к построению структуры уровней электрона в магнитном поле с учётом спиновых
подуровней невозможно. В литературе под термином «уровень Ландау» может пониматься
как задача без учёта спинового расщепления, рассмотренная нами, так и спиновый
подуровень с определённым значением S z .

Диамагнетизм Ландау.
Отметим на качественном уровне, что при орбитальном движении электронов по
циклотронной орбите каждый электрон создаёт магнитное поле направленное против
внешнего. То есть, орбитальное движение по циклотронным орбитам должно приводить к
диамагнитному отклику системы электронов — то есть эффекту противоположному по знаку
рассмотренному выше паулиевскому парамагнетизму.
Для нахождения эффекта нужно вычислить полную энергию. Рассмотрим случай низкой
температуры и слабого поля μ B B≪T ≪εF . Малость температуры позволяет заменить
фермиевское распределение ступенькой, малость температуры и поля позволяют пренебречь
изменением энергии Ферми, малость поля по сравнению с температурой «размывает»
тепловыми флуктуациями нерегулярности на зависимости плотности состояний от энергии и
позволяет считать плотность состояний гладкой функцией. Спиновым расщеплением
пренебрегаем.
1
Введём для компактности обозначение εn=ℏ ωc (n+ ) . Тогда энергия
2
εF εF

E=∫ (ε−εF ) D(ε)d ε=∫ ∑ (ε−ε F ) D n (ε) d ε , для удобства последующих вычислений
0 0 n
вычтена энергия Ферми, что не важно так как нас интересует поправка, зависящая от поля. С
учётом допустимых значений интегрирование каждого слагаемого должно вестись от εn и
суммирование ограничивается сверху условием εn< ε F .
Интегрируем по частям:
εF εF

f (n)=∫ (ε−ε F ) Dn (ε) d ε= 2 2 √ (ε−ε F )d √ ε−εn =− 2 2 √


V 2m 2V 2m
ε π lB ℏ ∫
ε 3π lB ℏ
(εF −ε n)3 /2
n n

В малом поле максимальное значение n велико. Для большого n можно заменить

стр. 18 из 27 17.04.2016
суммирование интегрированием используя разновидность формулы Эйлера-Маклорена 12:
nmax nmax + 1 /2

∑ f ( n)= ∫
n=0 −1 /2
f ( n)dn−
1
24 [ 1 1
f ' (n max + )− f ' (− )
2 2 ] .

Далее замечаем, что при интегрировании нужно будет делать замену переменной от d n к
d εn и в результате интеграл от поля зависеть не будет 13 — следовательно он даст (всю или
частично) полную энергию ферми-газа в отсутствие поля, которая нас не интересует.
d f d f d εn
= 2 2√
2V 2m 3
Производная = ⋅
d n d εn dn 3 π l B ℏ 2 F n c
√ ε −ε ℏ ω , ε−1/ 2=0 , а εn max + 1/ 2 ≈ε F .

Таким образом, для зависящей от поля части энергии:


2
E=E 0 +
1 V eB
k ℏ
eB
24 π2 ℏ c F m c
=E 0 +
V e2 3 2
24 π2 m c 2
V mμ B 3 3 n 2
√ 3 π n⋅B =E 0 + 6 2
2

ℏ π4
B .

Видим, что энергия действительно растёт с полем, то есть имеется диамагнитный вклад. Этот
вклад называют диамагнетизмом Ландау. Двойным дифференцированием по полю находим
диамагнитную восприимчивость единицы объёма:
2
χ dia =−
1 mμ B 3 3 n
3 ℏ π
4
√ 1
=− χ para
3
Таким образом, диамагнитный вклад втрое меньше парамагнитного.
Из нашего вывода казалось бы следует, что всякий электронный газ должен быть
парамагнитен. Однако из эксперимента известно, что некоторые металлы (медь, золото)

b b
B


12 Формула Эйлера-Маклорена ∑ f (n)=∫ f ( x) dx+ ∑ k !k f (k−1) ( x ) , где B k — ряд
a≤ n< b a k=1 a
1 1 1
чисел Бернулли (для n={0,1,2 ,3 ,4 ,5} B k ={1,− , , 0,− ,0} ) с точностью до
2 6 30
b
линейных производных ∑ f (n)≈∫ f ( x)dx − 12 ( f (b)− f (a))+ 121
( f ' (b)− f ' (a ) ) .
a≤ n< b a
Добавляем слева и справа f (b) , чтобы суммирование включало верхний предел и расширяем
интегрирование на интервал
1
a− ,b+
2
1
2 ( )
, а для компенсации этого вычитаем интеграл,

вычисленный в линейном разложении. Например, на нижнем пределе подставляем


1 1 1
f ( x )= f (a− )+ f ' (a− ) x−(a− )
2 2 2 ( ) и с этой же точностью разлагаем разлагаем

1
f (a ) во втором слагаемом и считаем f ' (a)= f ' (a− ) в третьем. Тогда поправка к
2
1 1 1 1
интегралу f ( a− )− f ' (a− ) ,
− из второго слагаемого имеем
2 2 8 2
1 1 1 1 1 1
f (a− )+ f ' (a− ) , из третьего − f ' (a− ) , Суммируя видим, что сама
2 2 4 2 12 2
1 1
функция сокращается, а члены с производной дают f ' (a− ) . Аналогично на верхнем
24 2
пределе.

2
13 Из l B поле попадает в числитель интегрируемого выражения, откуда оно «забирается» при компоновке
циклотронной частоты для замены переменной.

стр. 19 из 27 17.04.2016
диамагнитны. Одной из причин для диамагнетизма металла является то, что, вообще говоря,
для металла со сложной поверхностью Ферми и не квадратичным спектром эффективные
массы при вычислении парамагнитной восприимчивости («динамическая» эффективная
масса на поверхности Ферми) и диамагнитной восприимчивости (циклотронная масса) могут
заметно различаться как в одну, так и в другую сторону.

Осцилляции проводимости и намагниченности.


Для металлов всегда выполнено условие εF ≫ℏ ω c , это означает, что для металлов всегда
заполнено большое количество уровней Ландау. При изменении поля меняется расстояние
1
между этими уровнями и при выполнении условия εF =ℏ ω c (n+ ) Очередной уровень
2
Ландау пересекает поверхность Ферми. В силу большого числа заполненных уровней
ситуация когда под поверхностью Ферми находится n≫1 или (n−1)≫1 уровней почти
не отличаются — важно только расположение поверхности Ферми относительно ближайшего
уровня Ландау. Следовательно, мы можем ожидать возникновения некоторых осцилляций
свойств металла при прохождении очередного уровня Ландау через поверхность Ферми.
Необходимым условием для наблюдения таких осцилляций является малость температуры по
сравнению с циклотронным расщеплением уровней — для наблюдения осцилляционных
эффектов требуется T ≪ℏ ωc . До развития современных методик, таких как APRES,
осцилляционные эффекты наряду с циклотронным резонансом были основными методами
изучения ферми-поверхностей [1]. Сейчас они используются для изучения свойств
экзотических проводников [4] благодаря технической простоте их реализации и возможности
помещения образца в условия сверхнизких температур, сильных магнитных полей [5], [6],
[7], [8] или высоких давлений [9].

Эффект Шубникова-де Гааза.


Осцилляции проводимости, связанные с прохождением уровней Ландау через поверхность
Ферми называют эффектом Шубникова- де Гааза. Это явление было открыто в 1930 году на
висмуте совместно работающими советским физиком Л.В.Шубниковым 14 и голландским
физиком В. де Гаазом15 в Лейдене. Физическая причина очевидна: проводимость металла
1 2 2
σ= e ( v τ D(ε) )μ определяется в том числе и плотностью состояний на ферми-
3
поверхности. Поэтому периодическое изменение плотности состояний (рисунок 7) при
пересечении уровнем Ландау поверхности Ферми будет приводить к осцилляции
сопротивления.
Максимумы проводимости наблюдаются при условии совпадения энергии Ферми с
очередным экстремумом на зависимости D(ε) (рисунок 7).
1 eB 1
εF =ℏ ω c ( n+ )=ℏ (n+ )
2 mc 2
То есть, экспериментально измеренная зависимость σ( B) должна иметь регулярные

14 Одной из трагических страниц советской науки является то, что Л.В.Шубников был репрессирован в 1937
году и расстрелян, в 1956 году реабилитирован.
15 Wander Johannes de Haas Этот же физик является соавтором эффекта Эйнштейна-де Гааза (наблдение связи
между механическим и магнитным моментом) и эффекта де Гааза- ван Альфена (обсудим далее). Иногда его
фамилию пишут в русской транскрипции как де Хааз, оба написания приемлемы.

стр. 20 из 27 17.04.2016
1 16
равноотстоящие максимумы будучи построенной как функция обратного поля .
B
Осцилляции в координатах обратного поля традиционно характеризуют «частотой»
ε mc
F= F , измеряемой в единицах напряжённости магнитного поля (тесла). При наличии
ℏe
нескольких циклотронных масс будет наблюдаться несколько «частот» и «биения» на
графике σ( 1/ B) .
Пример таких данных, измеренных на соединении из класса «тяжёлых фермионов» показан
на рисунке 8. Измерения проведены в полях до 20 Тл при температурах до 35 мК. Видно, что
на фоне общего (монотонного вплоть до почти максимального поля) роста сопротивления с
полем возникают осцилляции сопротивления с амплитудой около 1%. Рост амплитуды
осцилляций с полем связан с тем, что с ростом поля растёт расстояние между уровнями
Ландау и тепловые флуктуации оказывают всё меньший эффект. По той же причине
амплитуда осцилляций растёт при понижении температуры. Таким образом, анализ
температурной зависимости амплитуды осцилляций (для этого разработана теория Лифшица-
Косевича) позволяет извлечь информацию о величине расщепления уровней Ландау — то
есть о циклотронной массе. Наблюдаемые осцилляции соответствуют эффективной массе
электрона около 13 масс свободного электрона.
Пример наблюдения шубниковских осцилляций в полях до 60 Тл (импульсное магнитное
поле в Национальной лаборатории высоких магнитных полей в Талахаси, Флорида, США) и
при высоких давлениях более 10000 атмосфер, наблюдаемых в родственных квазидвумерных
металлорганических проводниках показаны на рисунках 9, 10.

16 Поле наблюдения очередного максимума проводимости


B(max)
n ∝
1
n+
1
2
1
n ( )
1
≈ +O 2
n

стр. 21 из 27 17.04.2016
Рисунок 8: Пример наблюдения шубниковских осцилляций сопротивления в
тяжелофермионном соединении CeNiSn.. (a) Сопротивление как функция обратного поля
при температуре 35мК. Представлены данные измерений на двух образцах (сплошная и
пунктирная линии). Также показана выделенная на фоне монотонного роста сопротивления
в поле осциллирующая часть. (b) Преобразование Фурье от измеренной при разных
температурах зависимости сопротивления. На вставке — зависимость амплитуды
осцилляций от температуры. Из статьи [4].

стр. 22 из 27 17.04.2016
Рисунок 9: Осцилляции сопротивления в квазидвумерном проводнике κ-(BEDT-
TTF)2Cu[N(CN)2]Br в высоких магнитных полях до 60 Тл. На вставке — фурье-
преобразование от наблюдаемых осцилляций. С сайта [5].

Рисунок 10: Осцилляции сопротивления в κ-(BEDT-TTF)2Cu(NCS)2, измеренные при давлении


1.67 кбар и температуре 90 мК в поле до 20 Тл. На вставке — фурье-преобразование
осцилляций. Измерения проводились бесконтактным методом по изменению поверхностного
высокочастотного импеданса. По вертикальной оси отложена частота высокочастотной
колебательной системы. Из работы [9].

стр. 23 из 27 17.04.2016
Эффект де Гааза- ван Альфена.

Рисунок 11: Осцилляции де Гааза-ван Альфена в золоте. Измеряется производная от


восприимчивости по полю. Сверху: B∥[ 110] и осцилляции обусловлены движением по
одному типу дырочных траекторий (траектория типа «собачья кость» по перетяжкам
между ферми-сферами. Снизу: B∥[111] и наблюдается наложение осцилляций с разным
периодом от носителей с разной циклотронной массой (осцилляции с малым периодом
соответствуют большим сечениям «шара» ферми-поверхности, осцилляции с малым
периодом — сечениям перетяжек между ферми-сферами). T =1.2 К Из книги [1].
При выводе диамагнитного отклика ферми-газа мы предполагали температуру большой по
сравнению с полем, что позволяло считать плотность состояний размытой тепловыми
флуктуациями до гладкости и использовать приближённую формулу для суммирования при
вычислении энергии. В условиях, когда циклотронное расщепление превышает температуру
так делать нельзя, точные вычисления достаточно громоздки и мы их приводить не будем [2].
Укажем лишь, что в рамках наших вычислений небольшие осцилляции энергии возникнут
при учёте отличия положения последнего уровня Ландау от энергии Ферми: в предыдущем
расчёте мы положили εn + 1/ 2≈ε F , что полностью занулило одно из слагаемых. Небольшие
max

осцилляции энергии после дифференцирования могут превратиться в заметные осцилляции


намагниченности. Периодичность этих осцилляций определяется также как и для
рассмотренных выше осцилляций сопротивления.
Для экспериментатора этот метод представляет интерес ввиду даже большей простоты
измерения, чем сопротивление — при измерении в экстремальных условиях не надо

стр. 24 из 27 17.04.2016
подводить к образцу провода. Пример экспериментальной ячейки для измерений в высоких
магнитных полях представлен на рисунке 12: образец крепится к гибкой консоли, смещение
которой детектируется либо чувствительным тензодатчиком либо по изменению ёмкости
конденсатора, одна из пластин которого связана с консолью. При помещении в градиент
магнитного поля изгиб консоли оказывается пропорционален намагниченности образца.
Пример исторических измерений осцилляций де Гааза-ван Альфена на золоте представлен на
рисунке 11. В эксперименте использовалась модуляция поля для повышения
чувствительности, поэтому наблюдаемый сигнал пропорционален производной магнитной
восприимчивости 17. Ферми-поверхность золота состоит из сфер, соединённых перетяжками
на границах первой зоны Бриллюэна. Поэтому в различных ориентациях магнитного поля
вклад в циклотронную массу дают различные экстремальные сечения ферми-поверхности. В
одном из случаев наблюдается наложение двух частот осцилляций (нижняя панель на
рисунке 11).
Примеры измерений эффекта де Гааза-ван Альфена в более экзотических системах показаны
на рисунках 12, 13. Не вдаваясь в подробности анализа отметим, что этот метод позволяет
обнаружить наличие особенностей ферми-поверхности и наличие носителей с различными
эффективными массами, определить эффективную (циклотронную) массу носителей и их
концентрацию.

17 Такая модуляция является стандартной экспериментальной техникой. Если измеряется величина A как
функция некоторого воздействия X , A( X ) , то при включении слабой модуляции воздействия
X (t)= X 0+ x cos Ωt наблюдаемый сигнал есть

A(t )=A( X 0+ x cos Ω t)= A( X 0 )+


dA
dX ∣ ⋅x cos Ω t . При детектировании только переменной
X =X0
составляющей сигнала (измерения на переменном токе всегда предпочтительнее экспериментально)
наблюдается сигнал, пропорциональный производной от измеряемой величины по воздействию (полю).

стр. 25 из 27 17.04.2016
Рисунок 12: Слева: Образец сверхпроводящего купрата YBa2Cu3O6.5 на консоли
магнетометра, размер образца 140×140×40 мкм3. Справа: осцилляции намагниченности в
поле до 67 Тл и зависимость приведённой амплитуды осцилляций от поля. Чёрные кривые на
левой панели — модельный расчёт в теории Лифшица-Косевича. С сайта [6] и из статьи
[7].

стр. 26 из 27 17.04.2016
Рисунок 13: Осцилляции намагниченности в тяжелофермионном соединении CeCoGe3.
Сверху: экспериментальные данные. Снизу: фурье-преобразование экспериментальных
данных, показывающее наличие нескольких типов носителей заряда. T=60 мК, поле
приложено под углом 90 от оси [100] к оси [110]. Из статьи [8].

стр. 27 из 27 17.04.2016