Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Афанасьев
КУРСОВОЕ
ПРОЕКТИРОВАНИЕ
КАСКАДОВ ГЛАВНОГО
ТРАКТА ПРИЁМА
РАДИОСИГНАЛОВ
Ульяновск 2006
Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Ульяновский государственный технический университет
Г.Ф. Афанасьев
Учебное пособие
Ульяновск 2006
УДК 621.73.96.62 (075)
ББК 32.849 К17
Рецензенты:
Ульяновский филиал института радиэлектроники Академии наук РФ (директор д-
р техн. наук В.А. Сергеев); канд. техн. наук, доцент А.С. Лушников
Афанасьев, Г.Ф.
Курсовое проектирование каскадов главного тракта приёма радиосигналов :
К17 учебное пособие / Г. Ф. Афанасьев. - Ульяновск; УлГТУ, 2006. - 193 с.
О Афанасьев Г.Ф.
О Оформление. УлГТУ, 2006
ВВЕДЕНИЕ
3
При выборе и обосновании структурной схемы устройства, необходимо
хорошо представлять взаимосвязь технических характеристик отдельных
каскадов или блоков с общими характеристиками устройства.
Некоторые из требований, необходимые для расчета, могут быть опущены
в задании. Они должны быть дополнены студентом самостоятельно, на
основании соответствующих ГОСТов. В связи с этим целесообразно расчет
разделить на две части: предварительный (эскизный) и окончательный.
Предварительный расчет выполняется с целью определить состав
структурной схемы, параметры отдельных каскадов, необходимость
применения автоматических регулировок. Результаты этого расчета следует
считать ориентировочными, и некоторые принятые решения при
окончательном расчете могут быть пересмотрены.
В окончательный расчет входит полный расчет электрического режима
работы либо всех каскадов, либо тех, которые оговорены в техническом
задании и их элементов. По полученным результатам составляется полная
принципиальная схема спроектированного устройства.
При проектировании следует максимально использовать унифицированные
узлы и детали.
4
1. ОБЪЕМ РАБОТЫ И ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ВЫПОЛНЕНИЯ
ПРОЕКТА
5
1.3 Подробный расчет УПиОС
6
В проектируемых радиоприемных устройствах с автоматической
подстройкой частоты расчет системы АПЧ можно производить по методике,
изложенной в [2-10].
Календарный график работы над курсовым проектом приведен в
Приложении 1.
7
Расчеты следует излагать следующим образом: сначала записывается
расчетная формула и ее расшифровка, а затем следует числовая подстановка.
Результаты итоговых расчетов следует выписывать в виде отдельных равенств.
В тех случаях, когда по ходу расчета несколько раз определяются одни и те же
величины, результаты следует свести в таблицу. Сам расчет при этом не
следует производить.
Графический материал, относящийся к расчету каскада, можно выполнить
на кальке или миллиметровой бумаге и вклеить в текст.
При построении амплитудно-частотных и фазовых характеристик следует
пользоваться логарифмическим масштабом.
Иллюстрации в технической документации независимо от их содержания
(схемы, графики и пр.) согласно ЕСКД называются чертежами и рисунками.
При ссылке следует писать сокращенно рис. Ссылаясь на таблицы, надо писать
табл., а на страницы - стр.
Никакие сокращения слов и названий, как правило, не допускаются, за
исключением общепринятых сокращений - мер (только после количественных
величин), физических и математических величин.
Знаки №, %, sin, ∑, ln и др. применять только в сопровождении цифровых
или буквенных знаков. Все таблицы оформляются согласно требований ЕСКД
(ГОСТ 2.105-68).
Формулы в тексте пронумеровать. Номер формулы проставляется в правом
краю страницы в круглых скобках. В многострочной формуле номер формулы
ставится против последней строки. Нумерацию формул рекомендуется делать
по системе, аналогичной системе нумерации разделов. Ссылки на номера
формул в тексте следует заключать в круглые скобки.
Ссылки на литературные источники даются указанием порядкового номера
в прямоугольных скобках.
8
Структурная или функциональная схемы выполняются на листе формата
22.
Представление на защиту функциональной схемы более предпочтительно,
так как она позволяет полнее проиллюстрировать принцип работы приемника,
обладает большой информативностью по сравнению со структурной схемой и
служит основным документом, по которому студентом строится доклад.
9
на резисторах, напряжение на конденсаторах, требования к стабильности
параметров, размеры и стоимость.
Использование устаревших типов деталей (резисторы типа СС, ТО, ТВО,
ВС, конденсаторы типа КОС, КБ, МКВ) не допускается.
В качестве постоянных резисторов рекомендуется применять
непроволочные резисторы типа МЛТ, ММЛТ, УЛМ. В качества переменных -
непроволочные резисторы типа СП, СПО, ТК и др.
Выбор типов резисторов должен быть обоснован расчетом их
рассеиваемой мощности
Рекомендации по выбору классов резисторов различных цепей приемников
в условиях серийного и массового производства приведены в Приложении 4
(Таблица п.4.1).
Шкала номинальных значений постоянных непроволочных резисторов с
допусками отклонений от номинала представлена в Приложении 4 (Таблица
п.4.1).
Выбор конденсаторов постоянной и переменной емкости для приемника
зависит от цепи, в которую они входят (колебательные контуры, фильтры,
делители напряжения и т.д.).
При разработке высокочастотных каскадов приемников необходимо
учитывать, что конденсаторы, особенно электролитические, обладают
некоторой индуктивностью (у ЭТО она небольшая), которая увеличивает их
сопротивление в области высоких частот. Поэтому электролитические
конденсаторы, стоящие в высокочастотных цепях и даже в фильтрах цепей
питания, необходимо шунтировать конденсаторами небольшой емкости с
минимальной собственной индуктивностью (КСО, КТ, КМ и др.).
Для высокочастотных контуров рекомендуется выбирать конденсаторы с
малыми потерями и высокой температурной стабильностью (керамические
конденсаторы группы ТКЕ: М, Д и др., а также стеклоэмалевые).
В качестве сопрягаемых емкостей используются керамические и иногда
слюдяные (группа ТКГ: Г). В качестве конденсаторов связи в ВЧ каскадах
можно использовать слюдяные, керамические (группа ТКЕ: М, Р и др.) и
стеклоэмалевые конденсаторы.
Рекомендации по выбору конденсаторов по классам точности приведены в
Приложении 4 (Таблица п.4.2).
В качестве подстроечных конденсаторов рекомендуется применять
конденсаторы типа КПК, КПК-М, КПКТ (Приложение 4, таблица п.4.3).
Ряды номинальных емкостей конденсаторов приведены в Приложении 4
(Таблица п.4.5, п.4.6, п.4.7).
Разрабатывая нестандартные моточные элементы (дроссели, контурные
катушки), рекомендуется применять стандартные сердечники и
унифицированные каскады.
В Приложении 4 даны значения и условные обозначения конденсаторов
(Таблица п.4.8, п.4.9), основные параметры некоторых широко применяемых в
радиотехническом производстве металлов и сплавов (Таблица п.4.10),
10
высокочастотных диэлектриков (Таблица п.4.11). Диаметры одножильных
медных проводов в [мм] приведены в Таблице п.4.12. Данные высокочастотных
обмоточных проводов и основные электромагнитные параметры
высокочастотных магнитных материалов приведены в таблицах п.4.13, п.4.14,
п.4.15. В таблице п.4.16 приведены основные типы транзисторов, диодов и
интегральных микросхем, применяемых в радиовещательных приемниках.
Параметры транзисторов приведены в Приложении 5.
11
полупроводниковые диодные детекторы и т. д. При конструировании
анализируются взаимозаменяемость узлов и деталей, влияние возможных
решений на массу и габаритные размеры изделий, на требуемые материалы и
технологию.
12
2. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО СОСТАВЛЕНИЮ СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ
ЛИНЕЙНОГО ТРАКТА ПРИЕМНИКА
13
коэффициент передачи меньше единицы для диодных смесителей, и может
быть больше единицы, если применить схему на транзисторе или ИМС.
Затем рассчитывается число каскадов УПЧ. Исходя из заданного
динамического диапазона определяется необходимость применения системы
автоматической регулировки усиления (АРУ).
Если при рассчитанном коэффициенте усиления и наличии на входе сигнала,
соответствующего максимальному уровню динамического диапазона,
напряжение на входе детектора будет выше допустимого, следует
предусмотреть систему АРУ, после чего составляется полная структурная
схема линейного тракта.
При выборе схемы линейного тракта следует учитывать необходимую
полосу пропускания, которая существенно влияет на показатели всех каскадов
и элементов приемника.
Таблица 2.1
Относительная нестабильность
Тип гетеродина частот в диапазоне
ниже 30 МГц выше З0 МГц
Однокаскадн
Транзисторный
14
Относительную нестабильность частоты гетеродина δfг/fг можно
определить по данным табл. 2.1. При этом надо учесть, что транзисторные
однокаскадные гетеродины с кварцевой стабилизацией можно применять на
частотах не выше 10 МГц, а без кварцевой стабилизации — на частотах не
выше 500 МГц; транзисторные многокаскадные гетеродины с умножением
частоты и кварцевой стабилизацией — на частотах до 10 ГГц; гетеродины с
туннельными диодами — на частотах от 0,5 до 100 ГГц.
Полоса спектра частот сигнала Пс определяется по формулам: для АМ
сигнала Пс=2Fв; для ЧМ сигнала Пс=2∆fm+2 Fв, где Fв – верхняя частота
модуляции и ∆fm – девиация частоты.
При подробном расчете каскадов линейного тракта недостающие
параметры можно взять по таблицам 2.2 – 2.5.
Таблица 2.2.
Параметры приёмных антенн [5].
Тип антенны hдм LA, мкГн CA, пФ RA, Ом
Г-образная горизонтальная h 20 150 ÷ 300 25 ÷ 400
Наклонный луч h (0,5 ÷ 1,0)l (4 ÷ 8)l* 25
Метёлочная (0,6 ÷ 0,7)h (0,5 ÷ 1,0)l (4 ÷ 8)l* 25
Штырь (h < λ/4) (0,5 ÷ 0,6)h - 10h(5 ÷ 10) -
Таблица 2.4.
Основные параметры детекторов [5]
Напряжение на входе Uвх.дет.,
Тип детектора Коэффициент передачи Кд
В
Диодный (квадратичный) 0,1 ÷ 0,2 0,2 ÷ 0,3
Диодный (линейный) 0,2 ÷ 0,5 0,3 ÷ 0,6
Транзисторный 0,1 ÷ 0,3 5÷8
ЧД с ограничителем 0,5 ÷ 1,0 0,6 ÷ 0,8
Детектор отношений 0,1 ÷ 0,5 0,6 ÷ 0,8
Видеодетектор 0,2 ÷ 0,3 0,1 ÷ 0,3
15
Таблица 2.5.
Коэффициенты передачи входной цепи [5]
Диапазон волн ДВ СВ КВ УКВ
Добротность 10 ÷ 25 50 ÷ 70 100 ÷ 120 10 ÷ 20
контура
Коэффициент 2÷3 4÷6 5÷8 2÷3
передачи Квц
16
3. ПРИМЕНЕНИЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КАТУШЕК
ИНДУКТИВНОСТИ В КОЛЕБАТЕЛЬНОМ КОНТУРЕ
Рис. 3.1. Общая схема частотно-избирательной цепи при смешанной связи с нагрузкой (по
входу - трансформаторная, по выходу - емкостная)
17
6) сопротивление Rн и емкость Сн нагрузки;
7) условия эксплуатации.
18
10. Определяются емкости конденсаторов С1 и С2:
С
С1 = , (3.1.10)
1 − p2
С
С2 = − CН . (3.1.11)
p2
11. Рассчитывается индуктивность катушки L1:
L1 = p1 L . (3.1.12)
12. Далее рассчитываются относительная производственная погрешность δ (∆F )
и температурный коэффициент α∆F ,T полосы пропускания ∆F частотно-
избирательной цепи. Для проведения расчетов запишем формулу (3.1.3)
относительно ∆F :
f0
∆F = . (3.1.13)
QЭ
Подставляя в формулу (3.1.13) значения соответствующих величин из
выражений (3.1.4)-(3.1.8), получим:
ρ ρ r
∆F = p12 + p 22 + f 0 , (3.1.14)
RГ RH ρ
L
где p = - волновое сопротивление контура.
C К .Э
Заменяя в уравнении (4.1.14) величину р ее значением, получим окончательный
вид выражения для полосы пропускания цепи:
2 L 1 L 1 C К .Э
∆F = p1 + p2 + r f0 .
2
(3.1.15)
C К .Э R Г C К .Э R Н L
При использовании метода наихудшего случая выражение для относительной
производственной погрешности δ (∆F ) имеет вид:
δ(∆F ) = ВС δ.С К .Э + В L δ.L + B R δ.R Г + B R δ.R H ,
К .Э
(3.1.16) Г H
∆R Г ∆R H
δ .R Г = RГ
≈ 0,3 , δ .R H = RH
≈ 0,3 – относительные отклонения значимых
изменения параметров C К .Э , L, R Г , RH
По аналогичной схеме рассчитывается и температурный коэффициент полосы
пропускания:
α ∆F ,T = BC αC ,T + BL α L ,T + B R α R T + B R α R ,T ,
К .Э К .Э
(3.1.17) Г Г H H
α R ,T = 3 ⋅ 10
H
−3
– температурные коэффициенты сопротивления генератора и
нагрузки соответственно, К-1.
Значения коэффициентов влияния рассчитываются по следующим формулам:
19
r
∂ (∆F ) C 1 ρ
BC = =− + f0 ; (3.1.18)
∂C ∆F 2 ∆F
r
∂ (∆F ) L 1 ρ
BL = = − f0 ; (3.1.19)
∂L ∆F 2 ∆F
p1 ( r R )
2
∂ (∆F ) R Г
B = =− Г
f0 ; (3.1.20)
RГ ∂R Г ∆F ∆F
p2 ( r R )
2
∂ (∆F ) RH
B = =− H
f0 . (3.1.21)
RH ∂RH ∆F ∆F
20
Полагая, что вносимые сопротивления контура R1 = R2 = ∞ , необходимо
вычислить по заданной полосе пропускания контура ∆F на уровне 0,7
коэффициенты включения р1 и р2, а также рассчитать производственную
погрешность δ (∆F ) .
В качестве исходных данных для расчета схемы (рис. 3.2) служат сле-
дующие:
1) средняя частота полосы пропускания f 0 ± δ . f ,МГц;
2) полоса пропускания ∆F ± δ (∆F ) , МГц;
M
3) коэффициент β = QЭ , где М- взаимная индуктивность между
L1 L2
катушками L1 и L2; Qэ - эквивалентная добротность контура;
4) волновое сопротивление контура р, Ом;
5) конструктивная добротность контура, QK;
6) внутреннее сопротивление R Г ± δ .R Г и емкость С Г ± δ .С Г ;
7) сопротивление RН ± δ .RН и емкость С Н ± δ .С Н нагрузки;
8) условия эксплуатации.
Расчет цепи производится в следующем порядке.
1. Определяются индуктивности контурных катушек L = L1 =L2, мкГн:
ρ
L= , (3.2.1)
2.π f 0
где р выражается в Ом, f 0 - в МГц.
2. Рассчитывается эквивалентная емкость контура, пФ:
25300 6
С К .Э = 10 , (3.2.2)
f0 L
где f 0 выражается в кГц, L - в мкГн, Ск.э, - в пФ.
3. Рассчитывается эквивалентная добротность контура:
f0
QЭ = . (3.2.3)
0,71∆F
4. Определяется сопротивление потерь r в катушке индуктивности L, Ом:
ρ
r= . (3.2.4)
Qk
5. Рассчитывается коэффициент расширения полосы:
Qk
γ = . (3.2.5)
QЭ
6. Определяется сопротивление параллельных потерь RK, Ом, в контуре:
ρ2
RК = . (3.2.6)
r
7. Рассчитывается коэффициент включения катушки к источнику сигнала:
γ − 1 RГ
p1 = . (3.2.7)
2 RK
21
8. Рассчитывается коэффициент включения катушки к нагрузке:
γ − 1 RH
p2 = . (3.2.8)
2 RK
9. Рассчитывается эквивалентная емкость С1 со стороны входа, пФ:
C1 = С К .Э − С пост − p12 С Г , (3.2.9)
где Спост = (CL + См) - составляющая емкости сигнальных контуров,
определяемая суммой емкости монтажа CM, межэлектродных емкостей
транзисторов, собственной емкости контурной катушки СL, средней емкости
подстроечного конденсатора, включаемого в контур для выравнивания его
начальной эквивалентной емкости Ск.э.
10. Рассчитывается эквивалентная емкость С2 со стороны выхода, пФ:
C 2 = С К .Э − С пост − p 22 С Н . (3.2.10)
В формулах (3.2.9), (3.2.10) значения Cпост приведены в табл. 5.1.
11. Определяется коэффициент связи kсв между катушками L1 и L2:
M β
k CB = = . (3.2.11)
L QЭ
12. Далее рассчитываются относительная производственная погрешность
δ (∆F ) и температурный коэффициент α ∆F ,T полосы пропускания ∆F частотно-
избирательной цепи. Для проведения расчетов запишем формулу (3.2.3)
относительно ∆F :
f0
∆F = . (3.2.12)
0,71QЭ
Подставляя в формулу (3.2.12) значения соответствующих величин из
выражений (3.2.4)-(3.2.8), получим:
ρ ρ r f
∆F = p12 + p 22 + 0 , (3.2.13)
RГ RH ρ 0,71
L
где p = – волновое сопротивление контура.
C К .Э
Заменяя в выражении (3.2.13) величину р ее значением, получим окон-
чательный вид выражения для полосы пропускания цепи:
2 L 1 L 1 C К .Э f
∆F = p1 + p2 + r 0 ,
2
0,71
(3.2.14)
C К .Э R Г C К .Э R Н L
При использовании метода наихудшего случая выражение для относительной
производственной погрешности δ (∆F ) имеет вид:
δ (∆F ) = В СК .Э
δ .С К .Э + В L
δ .L + BR δ .R Г + BR δ .R H , (3.2.15)
Г H
22
относительного изменения параметров C К .Э , L, R Г , RH .
По аналогичной схеме рассчитывается и температурный коэффициент
полосы пропускания:
α ∆F ,T = B α + B Lα L ,T + B α T + B α ,T , (3.2.16)
,T C К .Э C К .Э RГ RГ RH RH
где αC К .Э
T
= α C ,T , α L ,T – температурные коэффициенты емкости контурных
αR H
,T
= 3 ⋅ 10 −3
– температурные коэффициенты сопротивления генератора и
нагрузки соответственно, К-1.
Значения коэффициентов влияния рассчитываются в результате диффе-
ренцирования (3.2.14) по следующим формулам:
r
∂ (∆F ) C 1 ρ
BC = =− + f0 ; (3.2.17)
∂C ∆F 2 ∆F
r
∂ (∆F ) L 1 ρ
BL = = − f0 ; (3.2.18)
∂L ∆F 2 ∆F
p1 ( r R )
2
∂ (∆F ) Г
R
B = =− Г
f0 ; (3.2.19)
RГ ∂R Г ∆F ∆F
p2 ( r R )
2
∂ (∆F ) H
R
B = =− H
f0 ; (3.2.20)
RH ∂RH ∆F ∆F
23
имеющим сопротивление Rг реализована с помощью емкостного делителя на
конденсаторах С1 и С2, а связь с нагрузкой RH – с помощью делителя на
конденсаторах С6 и С7, представлена на рис. 3.3.
Коэффициент включения катушки индуктивности L1 по входу обозначен
через р1, коэффициент включения катушки индуктивности L2 по выходу - через
p2. В схеме, изображенной на рис. 3.3, отсутствует электромагнитная связь
между индуктивностями L1 и L2 за счет их экранирования.
Полагая, что вносимые сопротивления контура R1 = R2 = ∞ – необходимо
вычислить по заданной полосе пропускания контура ∆F на уровне 0,7 ко-
эффициенты включения р1 и p2, рассчитать емкости конденсаторов С1-С7, а
также рассчитать производственную погрешность δ (∆F ) .
В качестве исходных данных для расчета схемы (рис. 3.3) служат сле-
дующие:
1) средняя частота полосы пропускания f 0 ± δ f , МГц;
2) полоса пропускания ∆F ± δ (∆F ) , МГц;
3) волновое сопротивление контура ρ , Ом;
4) конструктивная добротность контура QK ;
5) внутреннее сопротивление R Г ± δ .R Г и емкость С Г ± δ .С Г ;
6) сопротивление RН ± δ .RН и емкость С Н ± δ .С Н нагрузки
7) условия эксплуатации
24
4. Вычисляется значение емкости связи С4 (рис.3.3)
С К .Э
С 4 = С СВ = . (3.3.4)
QЭ − 2
5. Определяется сопротивление потерь r в катушке индуктивности L, Ом:
ρ
r= . (3.3.5)
Qk
6. Рассчитывается коэффициент расширения полосы:
Qk
γ = . (3.3.6)
QЭ
7. Определяется сопротивление параллельных потерь RK, Ом, в контуре:
ρ2
RК = . (3.3.7)
r
8. Рассчитывается коэффициент включения катушки к источнику сигнала:
γ − 1 RГ
p1 = . (3.3.8)
2 RK
9. Рассчитывается коэффициент включения катушки к нагрузке:
γ − 1 RH
p2 = . (3.3.9)
2 RK
10. Рассчитываются значения емкостей С1 и С2 емкостного делителя на
входе частотно-избирательной цепи:
С
С1 = , (3.3.10)
1 − p1
C
C2 = − CГ , (3.3.10а)
p1
где С = СК.Э – (CL + СМ – С3) – эквивалентная емкость со стороны входа, пФ; См
– емкость монтажа; CL – емкость контурной катушки; С3 - средняя емкость
подстроенного конденсатора, причем См + СL + С3 = Спост.
Значения Спост и С3 приведены в табл. 5.1 и 5.2.
11. Рассчитываются значения емкостей С6 и С7 емкостного делителя на
выходе частотно-избирательной цепи:
С'
С6 = , (3.3.11)
1 − p2
C'
C7 = − CH , (3.3.11а)
p2
где С' = Скэ - (CL + CM + C5) - эквивалентная емкость со стороны выхода,
пФ; С5 – средняя емкость подстроенного конденсатора.
Очевидно, См + CL + С5 = Спост. Значения Спост и С5 приведены в табл. 5.1 и
5.2.
12. Далее по методике, изложенной выше, рассчитываются относительная
производственная погрешность δ (∆F ) и температурный коэффициент α ∆F ,T
полосы пропускания ∆F частотно-избирательной цепи.
25
4. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
КАТУШЕК ИНДУКТИВНОСТИ
Рис.4.1.
L р = Lн / µ отн , (4.1.1)
Расчетная
схема катушки где µ отн – относительная магнитная проницаемость сердечника.
с магнитным Составляются отношения DК / DС и l К / DС ; относительная
сердечником
типа СЦР (с магнитная про проницаемость цилиндрического сердечника
резьбой) рассчитывается по формуле
µ отн = µ н κ µ κ′ , (4.1.2)
где коэффициенты κ µ = f ( DК / DС ) и κ = f (l К / DС ) определяются с помощью гра-
фиков (рис. 4.2).
26
Рис. 4.2. Графики для расчета цилиндрических сердечников а -
график значений коэффициента κ µ ; б - график значений
27
1
L0 = . (4.1.5)
0,1[(l K / D K ) + 0,45]
Оптимальными в этом случае являются отношения l K / DK = 0,6... 1,0, а
диаметр катушки - 1...2 см. При расчете диаметр катушки DK принимается
равным диаметру каркаса D0 .
Значения коэффициента L0 для многослойных катушек находятся из
графиков, представленных на рис. 4.4. Для многослойных катушек
L0 = f (l / DK , t / DK ) , где t - глубина обмотки катушки; DK = D0 + 2t - внешний
диаметр катушки.
По ориентировочным значениям l , Dср , t определяется величина параметра
L0 и рассчитывается число витков N.
t= , (4.1.11)
l
где α1 = 1,05...1,3 — коэффициент неплотности укладки провода обмотки, и
находят фактическое значение наружного диаметра катушки: Dκ = D0 + 2t .
5. Добротность спроектированной катушки на частоте f , Гц, определяется по
формуле:
2 πfLн
Q= , (4.1.12)
R м + RcL + Rµ + Rэ
где Lн — индуктивность катушки, Гн; Rм — сопротивление провода току высокой
частоты, Ом; Rc - сопротивление потерь в собственной емкости катушки, Ом;
L
30
Рис. 4.8. Графики значений: а - функций Бесселя F(z) и G(z); б – коэффициента
к=J[l/D) для расчета сопротивления катушек
31
где D — диаметр катушки, см; d 0 — диаметр провода без изоляции, см; f –
частота, МГц.
Величина сопротивления потерь в собственной емкости RcL Ом, опре-
деляется по формуле:
Rc = ω 3 L2 C L tgδ из ,
L
(4.1.19)
где tgδ из — тангенс угла диэлектрических потерь изоляции провода и каркаса
катушки.
Значение сопротивления потерь Rµ , вносимого сердечником катушки,
можно рассчитать, воспользовавшись соотношением:
Rµ = 2πfL н tgδ µ , (4.1.20)
где значение тангенса угла магнитных потерь tgδ µ является справочной
величиной.
Потери, вносимые экраном, рассчитываются по формуле:
3
D 2 Dκ
R Э = 1,05η κ N f ⋅ 10 − 3 , (4.1.21)
Dэ lэ
где Dэ - диаметр экрана, см; l э - длина экрана, см; f - частота, МГц; параметр
η = f (l / Dκ ) определяется по графику (рис. 4.3).
Если расчетная величина добротности оказалась ниже указанной в ТЗ на
разработку катушки, следует изменить размеры катушки, диаметр провода или
выбрать другой материал сердечника.
5. Для расчета производственного отклонения индуктивности катушки
δLн и расчета ТКИ, α L ,T воспользуемся вероятностно-статистическим методом
анализа точности параметров радиокомпонентов.
При расчете производственного отклонения индуктивности катушки
воспользуемся формулой (4.1.1) для индуктивности катушки с цилиндрическим
сердечником, мкГн:
Lн = µ отн L p = µ отн L0 N 2 Dκ ⋅10 −3 . (4.1.22)
Из выражения (4.1.22) следует, что относительное среднеквадратическое
отклонение индуктивности:
ν L = ν µ2 + ν 2L + 4ν 2N + ν 2D .
н отн 0 K
(4.1.23)
Из формулы (4.1.23) следует, что относительное среднеквадратическое
отклонение индуктивности катушки ν L зависит от нескольких факторов:
н
32
производственного отклонения индуктивности катушки получим следующее
выражение, %:
δLН = ±3ν L . Н
(4.1.24)
Полагая, что число витков катушки N и отношение l / Dκ слабо зависят от
изменения температуры, выражение для температурного коэффициента
индуктивности катушки (ТКИ), 1/К:
α L ,T = α µ ,T + α D ,T .
κ
(4.1.25)
Следовательно, величина ТКИ катушки с цилиндрическим сердечником
определяется значением температурного коэффициента магнитной прони-
цаемости ТК µ магнитного сердечника и ТКЛР материала каркаса катушки.
В качестве материала для каркаса высокочастотных катушек выбираются
установочная керамика, полистирол, фенопласты, пресс-материал АГ-4С. Эти
материалы отвечают предъявляемым требованиям: дешевы, отличаются
высокой механической прочностью, вносят малые диэлектрические потери,
обладают необходимой теплостойкостью и небольшим коэффициентом
линейного расширения, хорошей влагостойкостью, допускают применение
прогрессивных технологических методов изготовления, таких как штамповка,
горячее литье, прессование. Выводы катушки должны иметь надежное
соединение с обмоткой и с каркасом. Пример конструкции катушки с
цилиндрическим сердечником приведен на рис. 4.9, а
33
между экраном и катушкой помещен дополнительный трубчатый ферритовый
экран 8.
Фиксация положения цилиндрического сердечника 3 типа СЦГ относи-
тельно каркаса катушки осуществляется с помощью буксы 4. Прокладка 9
служит для фиксации катушки относительно экрана. Закрепление катушки на
печатной плате и заземление экрана осуществляется посредством двух выводов
экрана 7. Намотку провода на каркас цилиндрической катушки производят на
специальном оборудовании, позволяющем регулировать натяжение провода и
устанавливать необходимый шаг намотки.
34
Как видно из рис. 4.10, быстрый рост kСВ наблюдается вплоть до значений
l / D = 0,7 . При дальнейшем увеличении этого отношения до значения l / D = 1...2
коэффициент связи остается примерно постоянным и возрастает всего на 3,5 %.
Зависимость коэффициента связи между двумя смежными цилиндриче-
скими катушками одинаковой длины l и диаметра Dk от расстояния m между
ними показана на рис. 4.11. Ограничений на соотношение между числами
витков в обмотках катушек нет.
Рис. 4.10. Зависимость коэффици- Рис. 4.11. Зависимость коэффициента связи £С11 от
ента связи кси коаксиальных ци- размеров одинаковых смежных цилиндрических
линдрических катушек без сер- катушек без сердечника и расстояния т между ними
дечника от соотношения между их
геометрическими размерами
35
5. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРОЕКТИРОВАНИЮ ЧАСТОТНО-
ИЗБИРАТЕЛЬНЫХ ЦЕПЕЙ РАДИОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
36
катушки, средней емкости подстроенного конденсатора, включаемого в
контуры для выравнивания их начальных эквивалентных емкостей Cэ min
Диапазоны возможных значений Спост приведены в табл. 5.1
Таблица 5.1
Диапазоны значений Спост
Диапазон волн Километровые Гектометровые Декаметровые Метровые
Длины волн 10...1 км 1000...100 м 100...10м 10...1 м
Диапазон
частот, МГц 0,03...0,3 0,3...3 3...30 30...300
Спост, пФ 60...90 40...60 30...45 25...35
37
При использовании в качестве элемента перестройки катушки с
переменной индуктивностью (максимальной Lmax и минимальной Lmin
индуктивностью), максимально возможный коэффициент перекрытия
поддиапазона рассчитывается по формуле:
Lmax
k пд (L) = . (5.1.3)
Lmin
Разбивка на поддиапазоны общего диапазона рабочих частот требуется,
если выполняется неравенство
f max
> k пд max . (5.1.4)
f min
При разбивке диапазона рабочих частот на поддиапазоны используются
следующие способы:
• разбивка с постоянным коэффициентом перекрытия всех
поддиапазонов;
• разбивка с постоянным частотным интервалом;
• комбинация этих способов.
При разбивке на поддиапазоны с постоянным коэффициентом
перекрытия, коэффициенты перекрытия во всех поддиапазонах одинаковы:
f 0i max
k пд = = const. (5.1.5)
f 0i min
где f0imax и f0imin - соответственно, максимальные и минимальные частотные
границы поддиапазонов.
Несмотря на то, что при разбивке на поддиапазоны с постоянным kпд на
низкочастотных поддиапазонах получается относительно малая плотность
настройки, этот метод имеет широкое распространение из-за простой схемы
контуров входной цепи, облегчающей налаживание приемника при его
изготовлении. Он особенно часто применяется при проектировании радио-
вещательных приемников в диапазоне гектометровых и декаметровых волн,
когда можно брать kпд близким к kпд max.
Необходимое число поддиапазонов N с постоянным kпд рассчитывается по
формуле:
f max
lg
f min
N≥ , (5.1.6)
lg 0,94k ПД max
где fmax и fmin - максимальная и минимальная частоты принимаемого сигнала;
коэффициент 0,94 учитывает необходимость 3 % перекрытия по частоте на
стыках соседних поддиапазонов.
В качестве N берется ближайшее целое число.
Затем определяется значение коэффициента поддиапазона, необходимое
при N поддиапазонах:
f max
k пд = 1,06 N . (5.1.7)
f min
38
После этого определяются граничные частоты каждого частотного под-
диапазона:
f1min = 0,97 fmin;
f1max = kпд fmin;
fnmin = 0,94 f(N-1)max;
f2max = kпдf2min; (5.1.8)
……………………….
f2min = 0,94 f(N-1)max;
fNmax = kпд fNmin .
При разбивке диапазона с постоянным частотным интервалом разность
максимальной и минимальной частот у всех поддиапазонов одинакова:
f0imax - f0imin = ∆ fпд = const. (5.1.9)
В данном методе разбивки на поддиапазоны наибольший коэффициент
поддиапазона получится для первого (самого низкочастотного) поддиапазона.
Достоинством указанного способа разбивки на поддиапазоны является
одинаковая плотность настройки на всех поддиапазонах, что позволяет
использовать единую шкалу точной настройки. Недостаток способа - большое
число поддиапазонов. Используется он в профессиональных радиоприемниках.
Необходимое число поддиапазонов с постоянным ∆ fпд рассчитывается по
формуле:
f max − f min
N≥ , (5.1.10)
′ max
0,94∆f ПД
где значение максимально допустимой величины интервала частот
поддиапазона ∆ f’пд определяется из выражения
∆ f’пд = fmin (kпд max – 1), (5.1.11)
в котором fmin - минимальная частота из диапазона принимаемых частот.
В формуле (5.1.10) выбирается ближайшее большее целое число N и по его
значению находятся действительные интервалы частот поддиапазонов:
f max − f min
∆f ПД = . (5.1.12)
0,94 N
Коэффициент перекрытия i-го поддиапазона рассчитывается по формуле:
f 0i max ∆f
k iпд = = 1 + ПД . (5.1.13)
f 0i min f 0i min
После этого окончательно определяются граничные частоты поддиапа-
зонов:
f1min = 0,97 fmin;
f1max = f1min + ∆ fпд;
f2min = 0,94 f1max;
f2max = f2min + ∆ fпд; (5.1.14)
………………….
fN min = 0,94 f(N-1) max;
fN max = fN min + ∆ fпд.
39
Комбинированный метод разбивки на поддиапазоны применяют, если при
первом методе разбивки на поддиапазоны для последних поддиапазонов
получаются очень большие интервалы частот, а при втором методе разбивки на
поддиапазоны для низкочастотного поддиапазона требуется k пд > k пд max.
Для получения минимально возможного числа поддиапазонов в этом
случае весь диапазон рабочих частот разбивают на две части. Для первой
(низкочастотной) применяют метод с постоянным k пд, а для второго - с
постоянным интервалом частот. Подбором указанных частот диапазона
достигают минимального числа поддиапазонов.
При использовании в качестве элемента перестройки КПЕ начальная
емкость Сmin дискретного конденсатора зависит от паразитных емкостей ветвей
в схеме коммутации и емкости монтажных соединений. Значение Cmin = 20...30
пФ. Величина Спост выбирается по табл.5.1.
Для оценки Сmax следует выбрать число ветвей дискретного конденсатора п
= 5…7 и рассчитать число дискретных частот S в поддиапазоне по формуле:
S = 10 lg 2 = 2 n .
n
(5.1.15)
При разбивке на дискретные частоты по способу с постоянным коэф-
фициентом перекрытия (равных относительных расстроек) коэффициент
поддиапазона рассчитывается по формуле:
kпд = (1 + 2β)S. (5.1.16)
При разбивке на дискретные частоты по способу с постоянным частотным
интервалом (равных частотных интервалов, ∆ f = const)
kпд = 2βS + 1. (5.1.17)
В формулах (5.1.16), (5.1.17) коэффициент β определяется из выражения:
∆f 1
β= = , (5.1.18)
f0 2Q
где Q ≈ 100 – добротность колебательного контура; f0 – частота сигнала; ∆ f –
ширина полосы пропускания контура.
Число поддиапазонов N определяется по формуле (5.1.6).
40
двухдиапазонного входного устройства, в которой используется емкостная
связь с антенной и перестройка поддиапазонов с помощью ферровариометра.
Выбором конденсатора Ссв можно изменять значение коэффициента связи с
антенной. Недостатком этого входного устройства является резкое изменение
коэффициента передачи в диапазоне частот.
Открытые ненастроенные ненаправленные антенны используются в ра-
диовещательных приемниках в диапазоне низких, средних и высоких частот
(километровых, гектометровых и декаметровых волн соответственно).
Приемная антенна может быть представлена эквивалентным генератором
напряжения с внутренней ЭДС Еа и внутренним комплексным сопротивлением:
Za = Ra + jXa , (5.2.1)
где Ra – активное сопротивление антенны; Xa – реактивное сопротивление
антенны.
41
Рис 5.3. Двухдиапазонная входная цепь с перестройкой ДКПЕ
42
Собственная частота f0a эквивалента антенны:
1
f 0a = = 1780 кГц. (5.2.2)
2π La C a
Следует обратить внимание на особенности входных устройств с
трансформаторной и емкостной связью с антенной.
В трансформаторной схеме (рис.5.1-5.3) можно настройку входной цепи и
значение коэффициента связи с антенной выбирать независимо друг от друга. В
пределах поддиапазона можно придавать коэффициенту передачи желаемый
характер изменения, в широких пределах изменять связь с колебательным
контуром. Изменяя индуктивность катушки связи можно понижать или
повышать собственную частоту f0а.ц антенной цепи. Поэтому для схемы с
трансформаторной связью с антенной возможны два режима работы: режим
удлинения (понижения частоты) и режим укорочения (повышения частоты).
В режиме удлинения, когда резонансная частота антенной цепи выбрана
ниже минимальной частоты поддиапазона f0а.ц < fпд min, можно получить
высокую равномерность коэффициента передачи по напряжению в пределах
поддиапазона.
В режиме укорочения (f0а.ц > fпд max) возрастает неравномерность коэф-
фициента передачи в пределах поддиапазона и увеличивается его значение.
В большинстве современных приемников находит применение входное
устройство с удлиненной антенной цепью.
Входное устройство с емкостной связью с антенной (рис. 5.4) отличается
простотой выполнения. Выбором конденсатора Ссв можно изменять значение
коэффициента связи с антенной в процессе работы, что позволяет применять
его с различными антеннами, имеющими большой разброс параметров. Как уже
отмечалось, недостатком этого входного устройства является резкое изменение
коэффициента передачи в диапазоне частот.
В общем случае схема колебательного контура при перестройке пере-
менным конденсатором имеет вид рис. 5.6.
Рис.5.6. Общая схема колебательного контура входной цепи при перестройке переменным
конденсатором
43
Для однослойных катушек с шагом СL = 1...2 пФ, без шага 2...6 пФ, для
катушек с перекрестной универсальной намоткой 5...10 пФ, для простой
универсальной намотки 15...30 пФ, для рядовой многослойной 50 пФ и выше.
Значение емкости конденсатора рассчитывается по формуле:
С1 = С1 э – См – СL . (5.2.4)
Подстроечный конденсатор С3 со средней емкостью Сп.ср служит для
выравнивания начальной эквивалентной емкости контура. Значение Сп.ср
рассчитывается по формуле:
С П max + C П min
C 3 = C П .ср = , (5.2.5)
2
где Cп min и Cп max - соответственно, минимальная и максимальная емкости
подстроечного конденсатора. Их значения берутся из табл. 5.2.
В практических расчетах величину емкости С3 часто оценивают по
формуле С3 ≥ (0,3...0,5)Cmin, где Сmin - минимальная емкость переменного
конденсатора.
Значение емкости С2 рассчитывается по формуле:
( )
3
С3 2 k ПД
2
(k ПД − 1) + (k ПД
2
− 1) 2 + 4 (k ПД − 1)1 − ) k ПД H C − 1
Сv HC
C 2 = Cv , (5.2.6)
( )
3
k ПД
2 1− ) k ПД H C − 1
HC
где Cv = Cmax – Cmin - переменная часть емкости конденсатора переменной
емкости; kпд - коэффициент перекрытия поддиапазона (см. формулу (5.1.1)).
Коэффициент НС представляет отношение производных от емкости на-
строечного конденсатора переменной емкости С по управляющему параметру x
при минимальной fmin и максимальной fmax частотах поддиапазона:
(dC / dx) f = f i min
HC =
(dC / dx) f = f i max . (5.2.7)
44
dC 2C min (k f −1 )
= .
dϕ ϕ max k f k f −1
3
1 − ϕ
ϕ k
max f
Следовательно,
1
HC = 3
= k 3f . (5.2.8)
k f − 1
1 −
k
f
Пример 5.2. Функциональная характеристика кремниевого варикапа
выражается соотношением
C = K (0,7 + U ) .
−0 , 5
где a = (k ПД
2
− 1)(С 2 + С 3 ) ;
45
b = (k ПД
2
− 1)[C 3 (2С 2 + С v ) + C 2 (С 2 + С v )] ;
d = C 22 C v − (k ПД
2
− 1)C 2 C 3 (C 2 + C v ) .
ad
Если 4 ≤ 0,1 , то вместо формулы (5.2.11) удобно пользоваться
b2
приближенной формулой:
d
C1э = − C min . (5.2.12)
b
Наконец, если емкость С2 в схеме отсутствует (С2 = ∞ ), как, например, в
схеме на рис.5.2 (при варикапной перестройке контура), то нужное значение
коэффициента перекрытия поддиапазона kпд обеспечивается выбором:
C max − k ПД
2
C min
C1э = . (5.2.13)
2
k ПД −1
46
1. Определение параметров контура входного устройства. Индуктивность
контуров Lэi на максимальной частоте поддиапазона fi max мкГн, рассчитывается
по формуле:
25300
L эi = , (5.2.15)
f i 2max C э min
1 +
ωS
ωβ
1−
ωS
C11 = −C K 2
. (5.2.19а)
ω
1 +
ωS
В выражениях (5.2.19), (5.2.19а) проводимость g11 является низкочас-
тотным параметром транзистора. В справочниках обычно приводятся значения
h11э – параметра транзистора, который связан с g11 – параметром следующим
соотношением:
47
1
g11 = . (5.2.20)
h11э
Значение параметра h11э можно определить по графику входной харак-
теристики транзистора Iб = f(Uбэ), как это показано в 5.5.
Кроме того, в выражениях (5.2.19), (5.2.19а): Ск - емкость перехода
коллектор-база транзистора; ω = 2πf , где f - текущая частота сигнала; ω S = 2πf S ,
rЭ
где f S = f T - частота, при которой крутизна характеристики усилителя,
rб′
включенного по схеме с ОЭ уменьшается на 3 дБ; fт - предельная частота, при
которой коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ равен единице (|h21э| = 1);
определить частоту fт можно из выражения fт = |h21э|fизм , где fизм - частота, на
ϕТ
которой определяется модуль |h21э|, rЭ = - сопротивление эмиттера ( ϕ т =
IЭ
0,026 В, Iэ - ток эмиттера); rб′ = h11э − rэ (1 + h21E ) ; ω β = 2πf β = 2πf h , где f β -
21 E
48
Расчет емкости контура при перестройке варикапами. На схеме, при-
веденной на рис.5.2, использовано так называемое встречно-последовательное
включение варикапов, которое применяется для ослабления влияния
нелинейности характеристик варикапов. При встречном включении варикапов
и при надлежащей симметрии их характеристик четные гармоники напряжения
будут иметь противоположные напряжения и взаимно компенсируются. При
неполной симметрии характеристик варикапов ослабленное напряжение
четных гармоник появится на катушке индуктивности.
При встречном включении суммарная емкость Сс однотипных варикапов
определяется по формуле:
C1в С 2в С
Cс = = в , (5.2.26)
C1в + С 2в 2
где С1в = С2в = Св - емкости переходов первого и второго варикапов.
Суммарная емкость Сс рассчитывается, соответственно, для минимального
Cc min и максимального Сс mах значения емкостей варикапов. Максимальное
значение барьерной емкости варикапа Св mах при минимальном постоянном
обратном напряжении U1, равном 4 В или 1 В является справочной величиной
(например, см. табл.5.3).
Значение барьерной емкости при максимальном значении обратного
напряжения |U2|>|U1|, пФ, рассчитывается из выражения:
U 1 + 0,7
C (U 2 ) = C (U 1 ) . (5.2.27)
U 2 + 0,7
Минимальная эквивалентная емкость контура с варикапами при С2 =
∞ (рис.3.6) определяется по формуле:
C э min = C c min + C1э + C П .СР + p 22 C вх . (5.2.28)
В этом случае величина емкости С1э рассчитывается из выражения:
nC в max − k C nC в min
C1э = , (5.2.29)
kC − 1
где п - количество пар варикапов, включенных встречно-последовательно; kС -
коэффициент перекрытия по емкости варикапа, рассчитывается из выражения:
2
nC в max + C 0 min f ПД max
kC = = k ПД
2
= . (5.2.30)
nC в min + C 0 min f
ПД min
Максимальная эквивалентная емкость контура с варикапами
рассчитывается по формуле (5.2.24), а максимальная емкость варикапа – по
формуле (5.2.25).
Расчет элементов контура при перестройке ДКПЕ осуществляется по
формулам (5.2.15) – (5.2.25).
2. На втором этапе производится выбор режима работы входного уст-
ройства с трансформаторной связью с антенной. Сначала выбирается режим
работы входной цепи.
Значению f0а.ц < fi min соответствует наиболее часто используемый режим
удлинения, характеризующийся понижением собственной частоты антенной
49
цепи. В этом случае задаются величиной коэффициента удлинения входного
устройства:
f i min
ν= = 1,3...3,0 , (5.2.31)
f 0 а.ц
где fi min - минимальная частота поддиапазона.
При этом собственная частота антенной цепи понизится и составит
f i min
f 0 а .ц = .
ν
Значению f0а.ц > fi max соответствует режим укорочения, приводящий к
повышению собственной частоты антенной цепи. При выборе режима
укорочения задаются величиной коэффициента укорочения входного устрой-
ства:
f 0 а.ц
ν= = 1,3...3,0 , (5.2.32)
f i max
где fi max - максимальная частота поддиапазона.
В этом случае собственная частота антенной цепи возрастает и составит
f 0 а.ц = νf i max .
При выборе величины коэффициента v следует учитывать, что при
меньших значениях увеличивается коэффициент передачи напряжения входной
цепи и одновременно увеличивается его непостоянство при настройке на
разные частоты поддиапазона.
3. Определяются или выбираются коэффициенты разброса параметров
антенны qR, qC и qL. Их значения следует выбирать в пределах 1,2...2,0. Чем
ниже рабочая частота, тем меньше необходимо брать q.
4. Определяется индуктивность катушки связи Lсв из условия обеспечения
резонанса антенной цепи на выбранной частоте f0а.ц. Для режима удлинения
f 0 а.ц = f i min / ν и, учитывая вероятный разброс параметров антенны, получим:
v 2 q L qC
Lсв ≤ , (5.2.33)
4π 2 f i 2min C а
50
rсв = 2πf i min Lсв d св , (5.2.34)
где fi min выражается в МГц, Lсв - в мкГн.
Активное сопротивление антенной цепи rа.ц рассчитывается из выражения:
rа.ц = ( Ra + rсв )q R , (5.2.35)
где для стандартного, эквивалента антенны Ra = 400 Ом, qR = 1,2...2,0.
Затухание антенной цепи рассчитывается по формуле:
rа.ц q L
d а.ц = , (5.2.36)
2πf i min ( Lсв + La )
где fi min берется в МГц, Lсв - в мкГн, rа.ц - в Ом.
Величина добротности антенной цепи Qа.ц = 1/ dа.ц .
5. Определяется минимальное значение коэффициента связи контура kсв с
антенной цепью, которое обеспечивает оптимальную связь, соответствующую
согласованию по мощности:
Qа.ц f 0 а.ц
2
k св min = 1 − , (5.2.37)
Qэ f i min
где Qэ - эквивалентная добротность контура.
Для каскада, выполненного на биполярном транзисторе с учетом вносимых
потерь со стороны его входной проводимости, Qэ = Qн , где
1
Qн = ; (5.2.38)
ρ э Gн
Gн = G0 + p 22 Gвх ; (5.2.39)
1
ρ э = 2πf i min Lэ min = ; (5.2.40)
2πf i min C э max
1
G0 = , (5.2.41)
ρ э Qк
Qк - собственная (конструктивная) добротность контура, указанная в ТЗ.
В формуле (5.2.39) входная проводимость первого каскада Gвх для схемы с
общим эмиттером определяется из выражения:
Gвх = G11 − G12 K 0 . (5.2.42)
В формуле (5.2.42)
2
ω ω
1+ S
ωβ ωS
G11 = g11 2
; (5.2.43а)
ω
1 +
ωS
ω ωβ
2
g 12 − ω S C K 1 −
ω S ω S ;
G12 = 2
(5.2.43б)
ω
1 +
ωS
51
1 h
В формулах (5.2.43а, б) g11 = ; g12 = 12 э - низкочастотные проводимости;
h11э h11э
r (1 + h21E ) 1 + h21E
h11э = rб′ + rэ (1 + h21Е ) ; h21э = э - h-параметры; rк = - сопротивление
rк h22 э
коллектора транзистора.
ωS
В формуле (5.2.43а) величину можно рассчитать из выражения
ωβ
(5.2.22).
Коэффициент усиления каскада К0 принимается равным 2...3.
Коэффициент трансформации р2 выбирают исходя из выполнения условия
допустимого увеличения затухания контура входного устройства:
G0
p 2 ≤ α вх , (5.2.44)
Gвх
∆d вх
где α вх = - допустимое относительное изменение затухания входного
d
контура за счет влияния входной проводимости первого каскада; ∆ dвх = d – dн ;
d = ρ эG0 ; dн = ρ эGн.
Подставляя в выражение для α вх значения d и dн , получим, что
G н − G0
d вх = . (5.2.45)
G0
Следовательно, значение коэффициента трансформации р2 можно рас-
считать по формуле:
G н − G0 Gн
p2 ≤ = −1 . (5.2.46)
G0 G0
При выборе режима укорочения минимальное значение оптимального
коэффициента связи, соответствующего режиму согласования, рассчитывается
из соотношения:
Qа.ц f 0 а.ц
2
k св min = − 1 . (5.2.47)
Qэ f i max
В соотношении (5.2.47) величины Qа.ц и Qэ определяются по формулам
(5.2.36) и (5.2.38)-(5.2.44) на максимальной частоте поддиапазона fi max.
6. Находится значение коэффициента связи kсв1 , при котором затухание
контура увеличится за счет реакции входной цепи не больше, чем на 25 %, а
коэффициент передачи напряжения уменьшится не больше, чем на 25 % по
сравнению с коэффициентом при оптимальной связи:
k св1 = 0,5k св min . (5.2.48)
7. Определяется значение коэффициента связи kсв2, допустимое по со-
ображениям расстройки входного контура. Для режима удлинения и режима
укорочения:
52
2 β (ν 2 − 1)[ν 2 qC2 q L2 (k ПД
2
− 1)]
k св 2 = , (5.2.49)
ν q C2 q L2 k ПД
2
−1
Рис.5.7 Общая схема колебательного контура входной цепи при перестройке переменной
катушкой индуктивности
53
C1' = C э.к − C L − C м − C П .СР − p 22 C вх .
(5.2.53)
Величины CL, См, Сп.ср, Свх, р2 выбираются или рассчитываются так же, как
и при расчете входной цепи с трансформаторной связью с антенной.
Параллельная емкость С1э включенная в контур, рассчитывается по
формуле:
C1э = C L + C м + C1' . (5.2.54)
Минимальная индуктивность контура Lэ min определяется по формуле:
Lэ max
Lэ min = 2
. (5.2.55)
k ПД
Значения емкостей С2 и С4 (рис.5.7) рассчитываются из соотношений:
C2C4
C1′ =
C 2 +C 4
(5.2.56)
C4
= p2 .
C2
Из совместного решения уравнений (5.2.56) следует, что
p2 + 1
C 2 = C1′ (5.2.57а)
p2
C 4 = C1′ ( p 2 + 1) . (5.2.57б)
b. Расчет емкости связи Ссв производится на максимальной частоте
поддиапазона. Вычисляется значение емкости связи, обусловливающее
относительную расстройку входного контура не более чем на половину полосы
пропускания, то есть на величину β = ∆f f 0 = 1 2Q :
10 3 2 βC a qC
C св ≤ . (5.2.58)
2πf i max Lэ min qC − 1
d
где ∆C = 3 ⋅ 10 4 3
. (5.2.60)
f i max Lэ min Rэ q R
54
где Gн определяется по формуле (5.2.39).
Из двух полученных значений емкости связи берут наименьшую.
55
Рис.5.8.(б). Схема двухдиапазонного гетеродина с перестройкой варикапами
56
емкости подстроечного конденсатора С3г рассчитывается по формуле,
аналогичной (5.2.5):
С п max + С п min
C 3г = C П .СР = , (5.3.5)
2
где Cп min и Сп mах - соответственно, минимальная и максимальная емкости
подстроечного конденсатора. Их значения берутся из табл. 5.2.
В практических расчетах величину емкости С3г часто оценивают по
формуле С3г ≥ (0,3…0,5)Cв min, где Cв min - минимальная емкость варикапа.
Если контур преселектора построен по схеме с дополнительным после-
довательным конденсатором, то контур гетеродина строится по такой же схеме,
как это изображено на рис.5.10. В этом случае
C1э.г . = С1э , (5.3.6)
C2г = С2 , (5.3.7)
′ ,
C 3г = C к .г min − C min (5.3.8)
′ − C min
C max ′
где C к .г min = , (5.3.9)
k пд.г − 1
2
(C + C max )C 2
′
C max = 1э , (5.3.10)
C1э + C max + C 2
(C + C min )C 2
′
C min = 1э , (5.3.11)
C1э + C min + C 2
Cmin и Cmax - минимальная и максимальная емкости КПЕ.
f i 2 = f i min k ПД
0 ,852
. (5.3.13)
Для выполнения расчета контура гетеродина из ТЗ на проектирование
должны быть известны следующие общие исходные данные:
1)граничные частоты i-го поддиапазона fi min и fi max;
2)промежуточная частота приемника fi ;
3)минимальная и максимальная емкости КПЕ или варикапа Cmin и Cmax;
57
4)тип усилительного устройства, схема его включения, значения h21Е, Iкб.о,
Iк max, Uкэ max, Pк max для выбранного типа транзистора;
5)собственная добротность QK или затухание ненагруженного контура.
Расчет контура гетеродина производится в следующем порядке.
1. Разбивка общего диапазона рабочих частот на поддиапазоны
осуществляется по формулам (5.1.1)-(5.1.14) раздела 5.1. Определяется коэффи-
циент перекрытия поддиапазона kпд входного контура.
По полученным значениям граничных частот поддиапазонов рассчиты-
ваются граничные частоты поддиапазонов контуров гетеродина по формулам:
f i min г = f i min + f пр ; (5.3.14)
где fi г max выражается в МГц; Ci к.г min - в пФ, рассчитывается по формуле (5.3.9).
5. Рассчитывается допустимый коэффициент включения p2г контура в
коллекторную цепь усилительного прибора:
U тк max
p2г = , (5.3.17)
I тк min kU rэ.к
58
Значение kU находится из следующего выражения:
∆I ∆I k пд.г 1− b
kU = 1,11 + Э + Э , (5.3.18)
I Э α I Э T 1 − ∆I Э 1 − k пд.г b
I
Э α
∆I Э
где - относительное отклонение тока эмиттера вследствие отклонения
IЭ
α
коэффициента усиления тока эмиттера α = h21б от среднего значения до
∆I Э
максимального; - относительное отклонение тока эмиттера вследствие
IЭ T
повышения температуры окружающей среды от 20 °С до наибольшего значения
o
Tmax ; b ≤ 0,1...0,15 - параметр стабилизации эмиттерного тока; kпд.г -
коэффициент перекрытия поддиапазона контура гетеродина.
∆I Э ∆I Э
Величины и рассчитываются по формулам:
IЭ α IЭ T
∆I Э R1 R2 1
= ; (5.3.19)
IЭ α ( R1 + R2 ) R3 2(1 + h21E )
∆T
−1
∆I Э τ
R1 R2 2
= 0,0256 + I кб .о . (5.3.20)
IЭ T ( R1 + R2 ) I э Rэ
где R1 и R2 - сопротивления делителя, включенного в цепь базы транзистора; Rэ
- сопротивления нагрузки в цепи эмиттера; Iэ ≈ 1...10 мА - постоянная
составляющая тока эмиттера при отсутствии генерации, среднем значении h21б
и комнатной температуре; ∆T = Tmax
o
− 20 0 C - температура перегрева транзистора;
τ = 7 для кремниевых транзисторов, τ = 10 для германиевых транзисторов.
Величина тока эмиттера Iэ, А, задается соотношением
Pвых (1 + h21E )
Iэ = , (5.3.21)
h21EU кэ. р
где U кэ. р = (U П − 1) / 2 - среднее напряжение на переходе коллектор-эмиттер,
определяющее рабочую точку транзистора, В; Рвых = (0,5...0,7)Рк max - величина
выходной мощности, рассеиваемой в нагрузке, Вт; Uп - напряжение источника
питания, В, которое определяется из выражения
U П = (0,6...0,8)U кэ max .
Выбирается ближайшее стандартное значение Uп из ряда: 5,0; 6,0; 9,0; 12,6;
15; 24; 27 В.
Исходя из полученного значения Iэ, величину сопротивления Rэ в цепи
эмиттера можно рассчитать по формуле:
U тэ min
b= , (5.3.22)
Rэ I э
где b = 0,1...0,15; Uтэ min = 0,05...0,10 В - минимальное значение амплитуды
напряжения эмиттер-база транзистора.
59
Из (5.3.22) следует, что
50...100
Rэ = , (5.3.23)
(0,1...0,15) I э
где Iэ выражается в мА; Rэ - сопротивление в цепи эмиттера, Ом.
Значение сопротивления делителя R2, Ом, можно оценить по формуле:
0,5 + I э R э
R2 = , (5.3.24)
8I б. р
где номинальное значение тока базы Iб.р оценивается из соотношения:
I э − (1 + h21E ) I кб .о
I б. р ≈ .
h21E
Величина сопротивления резистора R1, Ом, рассчитывается по формуле:
UП
R1 = − R2 . (5.3.25)
8I б. р
Значение максимального значения амплитуды напряжения на коллекторе
транзистора Uтэ max, В, рассчитывается по формуле:
U тк max = 0,9(U П − I э max Rэ − 0,5) . (5.3.26)
Величина Iэ max рассчитывается из выражения:
∆I ∆I U тэ min kU
I э max = I э 1 + Э + Э + . (5.3.27)
I Э α I Э T Rэ
Значение Iтк min рассчитывается по формуле:
∆I U тэ min
I тк min = 1,6 I э 1 − Э + . (5.3.28)
I Э α Rэ
Величина сопротивления эквивалентного колебательного контура rэ.к, Ом,
рассчитывается по формуле:
rэ.к = 2πf iг min Lк .г Qэ , (5.3.29)
где Lк.г - индуктивность катушки контура гетеродина, мкГн; fi г min выражается в
МГц; Qэ - добротность эквивалентного контура. Величина Qэ рассчитывается
из выражения:
U
Qэ = Qк 1 − тэ min kU , (5.3.30)
U тк max
где Qк - конструктивная добротность контура (заданная в ТЗ).
6. Вычисляется величина индуктивности L2г, подключаемой к коллек-
торной цепи транзистора:
p 22г
L 2 г = Lк . г , (5.3.31)
k св2
где kсв ≈ 0,9 - коэффициент связи между катушкой L2г и всей катушкой контура
(кроме L1г).
7. Рассчитывается коэффициент включения контура в цепь эмиттер-база p2г
необходимый для получения выбранного значения Uтэ min (в пределах 0,05...0,10
мВ):
60
U тэ min
p1г = p 2 г kU . (5.3.32)
U тк max
где Iтк min выражается в мА, Uтэ min - в мВ, fiг min - в МГц.
10. Рассчитывается емкость блокировочного конденсатора Сбл:
С рг
C бл ≥ . (5.3.35)
1 + h21E
11. Рассчитывается емкость Срк, пФ, (рис.5.8):
1
C рк ≥ 10 3 , (5.3.36)
(10...20)πf iг min
где fiг min выражается в МГц.
12. Расчет повторяется для остальных поддиапазонов контура гетеродина.
13. Исходя из расчетных данных формулируется ЧТЗ на проектирование
катушек индуктивности и выполняется их конструктивный расчет.
61
6. РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЕЙ РАДИОЧАСТОТЫ И ПРОМЕЖУТОЧНОЙ
ЧАСТОТЫ
62
Рис . 6.2 УРЧ трансформаторной связью
63
Для получения устойчивого усиления без применения нейтрализации была
предложена каскодная схема, представляющая собой сочетание схемы с
общим эмиттером и схемы с общей базой. Однако при использовании
современных высокочастотных транзисторов на частотах, далеко отстоящих
от граничной, отпала необходимость в нейтрализации внутренней обратной
связи. Кроме того, применение фильтров сосредоточенной селекции (ФСС) в
нагрузке преобразователя частоты для обеспечения избирательных свойств
всего приемника позволило использовать для получения необходимого усиле-
ния на промежуточной частоте апериодические усилители (рис. 6.5).
Апериодический транзисторный каскад имеет устойчивость не хуже
каскодной схемы, дает большее усиление и проще в настройке. В связи с
этим каскодная схема в промышленных транзисторных приемниках
распространения не получила. В настоящее время преимущественное
распространение имеет блок-схема преобразователь — ФСС —
апериодический усилитель (приемники: «Атмосфера-2М», «Алмаз», «Юпитер»
и т.д.).
64
1 1 1 1
= − + , (6.2)
Rк Rэ Rвх R22
где Rвх — входное сопротивление последующего каскада; R22 — выходное
сопротивление транзистора усилителя. Принимается ближайшее меньшее
номинальное значение для резистора Rк.
3. Определяется реальное эквивалентное сопротивление нагрузки каскада:
1 1 1 1
= + + . (6.3)
Rэ′ Rк Rвх R22
4. Реальный коэффициент усиления каскада :
K 0 = S ( мА / В ) Rэ′( кОм ) . (6.4)
5. Задаваясь коэффициентом нестабильности V и величиной напряжения
E'э определяются величины резисторов термокомпенсации R1, R2, R3 и
емкости С3 по формулам (3.54) —(3.57) [5].
6. Величина разделительной емкости:
1÷ 2
Cp ≥ , тыс.пФ. , (6.5)
′ Rвх
f min
где fmin — минимальная рабочая частота, Мгц; Rвх — входное сопротивление
усилителя, кОм, равное:
1 1 1 1
= + + . (6.6)
Rвх R11 R1 R2
Пример 6.1.А. Рассчитать апериодический усилитель на транзисторе П402
(рис. 6.5).
Исходные данные
Рабочая частота: f 'min = 245 кГц .
Параметры транзистора П402: Iс = 1 мА; R11 = 1,67 кОм; S = 33 мА/В;
R22 = 106 кОм; Сс = 15 пФ; Ес = 9 В.
Коэффициент нестабильности схемы: V = 4.
Требуется определить
Сопротивление нагрузки в цепи коллектора: Rк.
Коэффициент усиления каскада К0.
Величина деталей термокомпенсации: R1, R2, R3, С3.
Величину разделительной емкости Ср.
Расчет
1. Определяем максимальный коэффициент усиления:
S 33
K max = K у = 6,3 = 6,3 ≈ 19 .
′ Cc
f max 0,245 ⋅ 15
2. Эквивалентное сопротивление нагрузки [ф-ла (6.1)] :
K max 19
Rэ ≤ = ≈ 0,57 кОм .
S 33
65
3. Величина резистора в цепи коллектора [ф-ла (6.2)] :
1 1 1 1 1 1 1
= − + = − + ≈ 1,14 ⋅10 −3 Сим ,
Rк Rэ Rвх R22 0,57 1,67 103
1
Rк = = 0,88кОм .
1,14
Принимаем ближайшее меньшее номинальное значение резистора типа
МЛТ-0,25 0,82 кОм.
4. Реальное эквивалентное сопротивление [ф-ла (6.3)] :
1 1 1 1 1 1 1
= + + = + + ≈ 1,83 ⋅10 −3 Сим ,
′
Rэ Rк Rвх R22 0,82 1,67 106
1
Rэ′ = ≈ 0,55кОм .
1,83
5. Коэффициент усиления [ф-ла (6.4)] :
K 0 = SRэ′ = 33 ⋅ 0,55 = 18,2 .
6. Задавшись величиной напряжения Eс=1,5 В, по ф-ле (3.54) определяем
сопротивление термокомпенсации [5]:
Ee′ 1,5
R3 = = = 1,5кОм .
Ic 1
Принимаем R3 = 1,5 кОм типа МЛТ-0,25. По ф-ле (3.55) определяем [5] :
Ec 9
R2 = (V − 1) R3 = (4 − 1) ⋅1,5 = 27 кОм .
Ee′ 1,5
Принимаем R2 = 27 кОм типа МЛТ-0,25. По ф-ле (3.56) находим [5] :
R2 27
R1 = = = 5,4кОм .
Ec 9
−1 −1
Ee′ 1,5
Принимаем R1 = 5,6 кОм типа МЛТ-0,25.
7. Емкость в цепи эмиттера [ф-ла (3.57)] [5] :
15 ÷ 30 20
С3 ≥ = = 54тыс.пФ .
′ R3 0,245 ⋅1,5
f max
66
6.3. Усилитель радиочастоты с автотрансформаторным
включением контура
где
Qэ min
ψ min = .
Qк
R22 — выходное сопротивление транзистора, кОм;
Qк — конструктивная добротность контура.
4. Возможны следующие варианты решения:
а) если my ≥ 1 и mопт ≤ 1, то принимается m1 = 1 и делается полное
включение контура;
б) если my < 1 или mопт < 1 (или my ≥ 1 и mопт < 1), то для m1 принимается
меньшее значение.
67
5. Определяется коэффициент включения контура со стороны
последующего каскада на минимальной частоте поддиапазона:
а) при m1 = 1 или m1 = my
(1 − ψ min ) Rвх 2 R
m2 = − m12 вх 2 ; (6.10)
ρ min Qэ min R22
б) при m1 = mопт
(1 − ψ min ) Rвх 2
m2 = . (6.11)
2 ρ min Qэ min
В формулах (6.9) — (6.11):
Ψmin = Qэ min/Qк — коэффициент шунтирования контура транзисторами;
R22 — выходное сопротивление транзистора, кОм;
Rвх2 — входное сопротивление последующего каскада, кОм;
Qэ min — эквивалентная добротность контура;
ρmin — характеристическое сопротивление, кОм.
Все значения величин определяются на частоте f´ тin
6. Коэффициент усиления усилителя на крайних точках поддиапазона
K 0 = m1m2 SρQэ (6.12)
где S — крутизна характеристики транзистора на рабочей частоте, мА/В;
ρ — характеристическое сопротивление контура на рабочей частоте, кОм;
QЭ — эквивалентная добротность контура на рабочей частоте.
Если К0 max ≤ Ку, а К0 min > Ктр, то расчет произведен правильно.
7. Расчет на других поддиапазонах данного усилителя (после расчета на
самом высокочастотном поддиапазоне) производится по п. 1. Затем
определяется коэффициент включения контура со стороны коллектора my. Для
сохранения постоянства среднего усиления на всех поддиапазонах его
определяют из выражения:
K 0 max
my = , (6.13)
mвх Sρ max Qэ max
где К0max — коэффициент усиления на максимальной частоте самого
высокочастотного поддиапазона;
Qэ max, mвх, S(мА/В), ρmax(ном) — параметры на максимальной частоте
рассчитываемого поддиапазона.
Дальнейший расчет ведется по пп. 3, 4, 5, 6.
8. Величины термокомпенсирующих деталей R1, R2, R3, С3 определяются по
формулам (3.54) — (3.57), разделительного конденсатора Ср — по (6.5).
9. Величины деталей контура определяются при электрическом расчете
входной цепи.
10. Емкость блокировочного конденсатора определяется по формуле (6.5),
так как Сб ≥ Ср.
68
6.4. Усилитель радиочастоты с трансформаторным включением контура
69
ψ 1
δк = ; δэ = . (6.18)
Qэ Qэ
3. Определяется характеристическое сопротивление контура, принимая
коэффициент включения в цепь коллектора m1 = 1 (полное включение):
1
ρ = R22 (δ э − δ к ) . (6.19)
2
4. Эквивалентная емкость контура
159
Cэ ≥ , пФ , (6.20)
f пр ρ
где fпр — в МГц; ρ — в кОм.
5. Определяется коэффициент включения контура со стороны
последующего каскада
Rвх 2 (δ э − δ к )
m2 = . (6.21)
2ρ
6. Общая величина емкости емкостного делителя :
Cд = C э − m12 C 22 , (6.22)
где C22 — выходная емкость транзистора.
7. Величины емкостей делителя:
Cд
C2 ≥ − C11 ; (6.23)
m2
(C + C11 )Cд
C1 ≥ 2 , (6.24)
C 2 + C11 − Cд
где C11 — входная емкость транзистора.
8. Эквивалентная емкость контура :
(C 2 + C11 )C1
C э′ = С 22 m12 + , (6.25)
C1 + C 2 + C11
если C´э > Cэ, расчет произведен правильно.
9. Определяется индуктивность контура:
2,53 ⋅10 4
L= , (6.26)
f пр2 C э′
где fпр — в МГц; C´э — в пФ.
10. Характеристическое сопротивление контура после выбора емкостей:
159
ρ′ = , кОм , (6.27)
f пр C э′
где fпр — в МГц; C´э — в пФ.
11. резонансный коэффициент усиления :
K 0 = Sρ ′Qэ m2 m1 , (6.28)
где S в мА/В; ρ´ — в кОм.
12. Определяется величина емкости развязывающего фильтра, задавшись
его сопротивлением Rф = (0,2÷1) кОм:
1÷ 2
Cф ≥ , тыс.пФ , (6.29)
f пр Rф
70
где fпр — в МГц; Rф — в кОм.
Пример 6.3б. Рассчитать транзисторный усилитель промежуточной
частоты с одиночным контуром и емкостной связью с последующим каскадом
(рис. 6.1).
Исходные данные
Промежуточная частота: fпр = 465 кГц.
Коэффициент усиления: Kтр = 12.
Максимальный коэффициент устойчивого усиления: Kу = 14,4.
Входное сопротивление следующего каскада: Rвх2 = 1,6 кОм.
Транзистор П402 с параметрами: Eс = 9 В; Iс = 1 мА; S = 24 мА/В; Cс = 10
пФ; Rвх2 = R11 = 1,6 кОм; C11 = 47 пФ; C22 = 20 пФ; R22 = 45 кОм.
Эквивалентное качество контура: Qэ = 42.
Требуется определить
— Параметры включения контура m1 и m2.
— Резонансный коэффициент усиления K0.
— Величины всех деталей каскада.
Расчет
1. По формуле (6.17) определяем коэффициент шунтирования контура,
допустимый из условий устойчивости:
2K y 2 ⋅14,4
ψ ≥ 1− = 1− = 0,857 .
S Rвх 2 К 22 24 1,6 ⋅ 45
2. Необходимые конструктивное и эквивалентное затухания контура
[формула (6.18)]:
ψ 0,857
δк = = = 0,0204 ,
Qэ 42
что вполне выполнимо;
1 1
δэ = = = 0,0238 .
Qэ 42
3. Характеристическое сопротивление контура при m1=1 [формула (6.19)] :
1 1
ρ = R22 (δ э − δ к ) = 45(0,0238 − 0,0204) = 77 Ом .
2 2
4. Эквивалентная емкость контура [формула (6.20)] :
159 159
Cэ ≥ = = 4550 пФ .
f пр ρ 0,465 ⋅ 0,077
5. Коэффициент включения контура со стороны последующего каскада
[формула (6.21)]
Rвх 2 (δ э − δ к ) 1,6(0,0238 − 0,0204)
m2 = = = 0,188 .
2ρ 2 ⋅ 0,077
6. Общая величина емкости делителя [формула (6.22)] :
Cд = C э − m12 C 22 = 4550 − 20 = 4530 .
71
7. Величины емкостей делителя:
по формуле (6.23):
Cд 4530
C2 ≥ − C11 = − 47 ≈ 24000 пФ.
m2 0,188
Принимаем C2 = 0,025 мкФ типа ПО.
По формуле (6.24):
(C 2 + C11 )Cд 25000 ⋅ 4530
C1 ≥ = = 5550 пФ.
C 2 + C11 − Cд 25000 − 4530
Принимаем C1 = 5600 пФ типа ПМ-1.
8. Действительная эквивалентная емкость контура [формула (6.25)] :
(C 2 + C11 )C1 25000 ⋅ 5600
C э′ = C 22 m12 + = 20 + = 4560 пФ.
C1 + C 2 + C11 25000 + 5600
Так как Cэ = 4560 пФ > Cэ = 4550 пФ, расчет произведен правильно.
9. Индуктивность контура [формула (6.26)] :
2,53 ⋅10 4 2,53 ⋅10 4
L= = = 25,7 мкГн.
f пр2 C э′ 0,465 2 ⋅ 4560
10. Характеристическое сопротивление контура после выбора емкостей
[формула (6.27)] :
159 159
ρ′ = = = 0,075 кОм .
f пр C э′ 0,465 ⋅ 4560
11. резонансный коэффициент усиления [формула (6.28)] :
K 0 = Sρ ′Qэ m2 m1 = 24 ⋅ 0,075 ⋅ 42 ⋅ 0,188 ⋅1 = 12,3 .
Так как K0 = 12,3 > Kтр = 12 и K0 = 12,3 < Kу = 14,4, расчет произведен
правильно.
12. Задаемся сопротивлением развязки Rф = 510 Ом и определяем емкость
фильтра развязки по формуле (6.29):
1÷ 2 1,5
Cф ≥ = ≈ 6,35 , тыс.пФ .
f пр Rф 0,465 ⋅ 0,510
Принимаем Cф = 0,01 мкФ типа БМ.
Величины остальных деталей (Cр, R1, R2, R3, C3) определяются так же, как и
в примере 6.1.
72
Рис. 6.6 Каскад УПЧ с ФСС
73
1
C3 = C 2 − m12 C 22 пФ ; (6.37)
2
1
C 4 = C 2 − m22 Cвх пФ , (6.38)
2
где fпр — в МГц; R — в кОм; Пp — расчетная полоса пропускания, кГц; Cвх —
входная емкость следующего каскада, пФ.
4. Индуктивности звеньев фильтра:
П pR
L1 = мкГн ; (6.39)
4πf пр2
L2 = 2L1 мкГн , (6.40)
где Пр — в кГц; fпр — в МГц; R — в кОм.
74
QЭ1 = QЭ2 = QЭ, но настроены на разные частоты f01≠ f02 ≠ f0 причем f01⋅f02 =f02
(вариант 2).
3. Оба контура имеют различные эквивалентные добротности
QЭ1≠QЭ2 ≠QЭ ( Qэ = Qэ1 ⋅ Qэ 2 ), но настроены на частоту f0 = f01 = f02 (вариант 3).
a)
б)
75
k СВ QЭ , для варианта 1,
2
f 02 − f 01
β = QЭ k СВ +
2
, для варианта 2, (6.45)
f 0
k С QЭ1QЭ 2 ; для варианта 3;
y0 – параметр, определяемый соотношением:
2; для варианта 1,
f − f
y 0 = 01 02
; для варианта 2, (6.46)
f 01 f 02
Q + Q
Э1 Э2
. для варианта 3;
QЭ1QЭ 2
у — относительная расстройка; kCB — коэффициент связи контуров
полосового фильтра;
M
LL ; при трансформаторной связи ,
1 2
k СВ = (6.47)
C СВ
. при внешнеемкостной связи.
(C СВ + C Э1 )(C СВ + C Э 2 )
Коэффициент усиления каскада на частоте f0(у = 0):
mТР1mТР 2 βS RЭ1 RЭ 2
K 01 = . (6.48)
1+ β 2
Уравнение резонансной кривой:
K1 1+ β 2
P1 = = . (6.49)
K 01 (1 + β 2
)
− y 2QЭ2 + y 2 y03QЭ2
В случае многокаскадного УПЧ:
n
mТР1 mТР 2 β S RЭ1 RЭ 2
K 0n = K n
= ; (6.50)
01
1+ β 2
n
1+ β 2
Pn = P1n = . (6.51)
( )
1 + β 2 − y 2 QЭ2 + y 2 y03QЭ2
Форма резонансной кривой определяется величиной обобщенного
коэффициента связи. Если β=<βкР , где
у02
β КР = −1 , (6.52)
2
то резонансная кривая имеет одногорбый вид.
При β=βкР (критическая связь) резонансная кривая приобретает
максимально плоскую вершину.
Уравнение резонансной кривой для критической связи :
76
n
2
Pn = . (6.53)
4
y
y 4Q 4 − 0
Э
4
Критическая связь обеспечивается, если
1; для варианта 1,
1 f f
β КР = 01 + 02 ; для варианта 2, (6.54)
2 f 02 f 01
1 QЭ1 + QЭ 2 . для варианта 3;
2Q
Э 2 QЭ1
1
; для варианта 1,
QЭ
f 01 + f 02
2 2
( f 02 − f 01 )2
k КР = 2
− ; для варианта 2, (6.55)
2 f f Q
01 02 Э f f
01 02
1 QЭ1 + QЭ 2 . для варианта 3;
2 QЭ 2 QЭ1
В случае β>βкР (сильная связь) резонансная кривая становится двухгорбой с
провалом на частоте f0 и двумя максимумами:
n
1+ β 2
PnM = , (6.56)
4
y
y 1+ β 2 − 0
0
4
на частотах
β 2 − β КР
2
f M 1, 2 = f 0 1 + . (6.57)
2QЭ
Относительный подъем максимумов будет не выше уровня σ при β= βм, где
2
y02 2 n 2 y2
βМ = σ +
n
σ − 1 + 0 − 1.
2
(6.58)
4 4
При σ = 2 :
y02 2 n 2
y2
βМ = 2+ n
2 − 1 + 0 − 1.
4 4
Полоса пропускания УПЧ и коэффициент прямоугольности резонансной
кривой
f0
Пn = ; (6.59)
QЭψ i (n)
77
ψ i ( n)
KП = ; (6.60)
ψ σ ( n)
1
ψ σ ( n) = (6.61)
) + (1 + β ) ( )
,
β −β
2 2
КР + (β 2
−β 2 2
КР
2 2 n
σ −1
2
n
2
1 f 02 − f 01
k СВ 0 = 2
− ; для варианта 2, (6.68)
Q Э f 0
1
. для варианта 3.
QЭ1QЭ 2
78
Сравнение величин коэффициентов связи, соответствующих критической
kKp и оптимальной kCВ O связи контуров полосовых фильтров, дает kKР = kCB 0 —
вариант 1; kKp > kСВ О — варианты 2 и 3.
2. Резонансный коэффициент усиления /С01 (6.65) принимает максимальное
значение при равных эквивалентных добротностях колебательных контуров:
Q
K 01 = K П 1 − Э . (6.69)
QК
В теории двухконтурных УПЧ на электронных лампах показано, что за
счет выбора разных величин эквивалентных добротностей контуров (вариант 3)
возможно получение выигрыша в усилении. Это свойство в транзисторных
УПЧ не имеет места. Более того, при различных эквивалентных добротностях
контуров УПЧ обладает худшей стабильностью, чем при одинаковых. Поэтому
применение варианта 3 нецелесообразно.
3. Резонансный коэффициент усиления K01 не зависит от величин
собственных емкостей колебательных контуров Ск1 и Ск2. В этом отношении
двухконтурный УПЧ аналогичен одноконтурному.
В узкополосных УПЧ емкости Ск1 и Ск2 целесообразно выбирать из
условий (6.20) и (6.21), что обеспечивает получение выигрыша в усилении.
В широкополосных УПЧ обычно QЭ1/ QК<< 1 QЭ2/ QК << 1.
Поэтому емкости Ск1 и Ск2 целесообразно выбирать из условия
обеспечения полного включения контуров. Полагая mтр 1 = 1 и mтр 2 = 1, из
уравнений (6.63) и (6.64) находим:
1
СК1 = СК МАКС 1 = − C ВЫХ ,
2а1 RВЫХ
(6.70)
1
СК 2 = СК = − С ВХ .
МАКС 2
2а 2 RВХ
При этом отпадает необходимость делать у контурных индуктивностей
отводы, улучшается технология изготовления УПЧ. Условие mTP 2 = 1
(СК 2 = СК МАКС 2) удается выполнить не во всех случаях. При небольших
значениях сопротивления RBХ величина СК МАКС 2 может быть чрезмерно
большой. Это может привести к конструктивным затруднениям при
выполнении контурной индуктивности второго контура полосового фильтра.
4. Формула (6.69) совпадает с аналогичным соотношением (6.11) каскада
одноконтурного УПЧ для режима максимального усиления при заданной
полосе пропускания. По-этому режим работы двухконтурного УПЧ,
описываемый выражениями (6.63)—(6.69), по аналогии с одноконтурными в
дальнейшем называется режимом максимального усиления при заданной
полосе пропускания.
5. Вариант 2 по сравнению с вариантом 1 требует более сложной
настройки. Кроме этого, коэффициент качества усиления
D = К01 ⋅Пп
будет выше у варианта 1, так как максимальное усиление у него достигается
при критической связи контуров, а у варианта 2 — при связи, меньшей
79
критической. Полоса пропускания у варианта 1 при этом будет больше, чем у
варианта 2. Это позволяет сделать вывод о преимущественном применении
варианта 1.
Выражение для резонансного коэффициента усиления УПЧ, состоящего
из п идентичных каскадов [(6.50), вариант 1], нетрудно преобразовать к виду
K Пn−1 K ПД
K 0n = , (6.71)
χ i ( n, p )
где Кпд — усилительный потенциал последнего каскада, определяемый
формулой (6.13).
6. Критерием практической реализуемости режима максимального
усиления при заданной полосе пропускания может служить условие (6.18), в
котором в качестве Пмакс берется меньшее из двух значений:
f 0 f 01 f
П МАКС1 = + 0 ;
2πRВЫХ (C ВЫХ + C МИН 1 ) QК
f 0 f 02 f
П МАКС 2 = + 0 , (6.72)
2πRВХ (C ВХ + C МИН 2 ) QК
где Смин 1 Смин 2 — минимальные значения собственных емкостей контуров
полосового фильтра.
Возможны три случая неудовлетворения условию (6.18).
Случай 1. ПМАКС 1 <Пп ψi (n)=<ПМАКС 2. Выходного сопротивления транзистора
RВых недостаточно для шунтирования контура, включенного в коллекторную
цепь.
К контуру должен быть подключен шунт
RВЫХ
RШ 1 = . (6.73)
Пn
ψ i ( n) − 1
П МАКС1
Случай 2. ПМАКС 1 >=Пп ψi (n)>ПМАКС 2. Входного сопротивления RBX
следующего каскада (чаще всего детектора) недостаточно для шунтирования
второго контура полосового фильтра.
К контуру подключается шунт
RВХ
RШ 2 = .
Пn
ψ i ( n) − 1
П МАКС 2
Случай 3. Пп ψi (n)>= ПМАКС 1, ПМАКС 2.Этот случай объединяет оба предыдущие.
К контурам полосового фильтра подключаются шунты Rш1 и Rш2.
Включение шунтов во всех трех случаях приводит к уменьшению
собственных добротностей контуров QK, что, как видно из (6.66),
сопровождается уменьшением максимального коэффициента усиления каскада.
Режим максимального усиления при этом вырождается в режим согласования, а
свойства транзисторного УПЧ будут аналогичны свойствам двухконтурных
ламповых усилителей.
Коэффициент усиления многокаскадного усилителя
80
K en
K 0n = , (6.74)
ϕ i ( n)
где Kе — единичное усиление
П МАКС1
; для случая 1,
П n
П МАКС 2
K e = 2K П ; для случая 2,
П n
П МАКС1 П МАКС 2 . для случая 3;
Пn
n
2
ψ i ( n)
1 + β 2 ; для случаев 1 и 2,
ϕ i (n) = µ
β 1 − ψ (n)
i
[ψ (n)]n . для случая 3,
i
7. Стабильная работа двухконтурного УПЧ обеспечивается при
выполнении двух условий:
∆С Э1 П ∆С Э 2 П
≤ δ МАКС n , ≤ δ МАКС n , (6.75)
С Э1 f0 СЭ 2 f0
где ∆СЭ1 , ∆СЭ2 — максимальные отклонения полных емкостей контуров от
номинальных значений СЭ1 , СЭ2 при воздействии всех дестабилизирующих
факторов:
∆СЭ 1 =m2ТР 1 ∆СВЫХ;
∆СЭ 2 =m2ТР 2 ∆СВХ ; (6.76)
δМАКС = 0.8-1,0 .
Комбинируя соотношения (6.63), (6.64), (6.75) и (6.76), получаем неравенства:
∆С ВХ δ П ∆С ВЫХ δ П
τ ВХ ≤ МАКС n , τ ВЫХ ≤ МАКС n . (6.77)
С ВХ 2a 2 f 0 С ВЫХ 2a1 f 0
независящие от величины собственных емкостей контуров СК1 и СК2. Таким
образом, стабильность УПЧ не может быть улучшена за счет увеличения
собственных емкостей контуров полосовых фильтров. Подбирая
соответствующим образом величину и знак ТКЕ емкостей СК1 и СК2, можно
скомпенсировать только температурные изменения емкостей СВХ и СВЫХ.
Влияние разброса величин Свх и Свых и их нестабильность при использовании
нестабильных источников питания могут быть уменьшены за счет раздельной
компенсации путем включения конденсаторов Сб и Ск (рис. 6.9)
по аналогии с одноконтурными УПЧ. Емкости этих конденсаторов
вычисляются по формулам:
2a f τ ∆С ВХ
Сб ≥ С ВХ 2 0 ВХ − 1,
δ МАКС П n С ВХ
81
2a f τ ∆С ВЫХ
С К ≥ С ВЫХ 1 0 ВЫХ − 1. (6.78)
δ МАКС П n С ВЫХ
Включение конденсаторов Сб и Ск целесообразно, если:
∆С ВХ δ МАКС П n
> ,
С ВХ 2a2 f 0τ ВХ
∆С ВЫХ δ П
> МАКС n . (6.79)
С ВЫХ 2a1 f 0τ ВЫХ
При C1=CMАKC 1 (С2=Смакс2) конденсатор Ск(Сб) в схему не включается. При
включенных конденсаторах Сб и Ск во все полученные ранее формулы вместо
емкостей Свх и СВЫХ следует поставлять Свх + Сб; Свых + Ск.
82
Рис. 6.10. Упрощенная схема каскада двухконтурного УПЧ с включенными
сопротивлениями Rб и RK.
83
QК*
2
QМАКС ;
C *
=C *
= C0 1 + 1 − (6.85)
QК*
К1 К2
QМАКС
— путем шунтирования контуров сопротивлениями
RК 1 RК 2
RШ 1 = ; RШ 2 = ; (6.86)
QК QК
−1 −1
Q* Q*
— путем использования для намотки контурных индуктивностей проводов
с большим удельным сопротивлением и металлических сердечников.
84
d 2 = (1 + β 2 ) − 2h 2 (1 + β 2 ) + h 2 y02 ;
2
d 4 = 2(1 + β 2 ) − y02 − h 2 .
На частоте fo(y = 0):
β
K 02 = mТР1mТР 2 mТР 01mТР 02 S 2 RЭ RЭ1 RЭ 2 . (6.92)
1+ β 2
yM 2 = 0 ,
и минимумы при расстройках:
y m1, 2 = m
1
QЭ
1
3
(
d 4 − d 42 − 3d 2 . ) (6.95)
Подставляя эти значения уM и уm в уравнение (6.93) и полагая
Р2 (уМ1) = Р2(yМ2) = P2 (yМЗ) = 1 и Р2 (уm1) = Р2(ym2) = 1 , нетрудно получить
условие симметричности резонансной кривой
h = у0. (6.96)
При этом уравнение резонансной кривой принимает вид:
P2 =
(
y0 1 + β 2 ) . (6.97)
(
y 6 QЭ6 − 2 y 4 QЭ4 1 + β 2 − y 02 ) + y Q (1 + β
2 2
Э
2
− y 02 ) 2
(
+ y 02 1 + β 2 )
2
85
3
; для варианта 1,
QЭ
1 ( f 01 + f 02 )2 ( f 02 − f 01 )2
k КР = − 1 − ; для варианта 2, (6.100)
QЭ2 f 01 f 02 f 01 f 02
2
Qэ1 + Qэ 2 1
− . для варианта 3;
Qэ1Qэ 2 Qэ1Qэ 2
при
y m1, 2 = m
1
QЭ
1 2
3
(
β − β КР
2
. )
Относительный провал резонансной кривой не опускается ниже уровня σ
при β = βм, которое является положительным вещественным корнем уравнения:
β M6 − 3β M4
y 02
4
(9 σ n 4
) y2
(
− 5 − 1 − 3β M2 0 9n σ 4 − 5 − 1 − y 04 − )
2 , (6.102)
( )
2
y n 4
−3 9 σ − 5 + 1 + 3 y 02 − y 06 = 0.
0
4
Провал не опускается ниже уровня 3 дб при
β M6 − 3β M4
y 02
4
(9 n
) y2
(
8 − 5 − 1 − 3β M2 0 9 n 8 − 5 − 1 − y 04 − )
2 (6.103)
( )
2
y n
−3 9 8 − 5 + 1 + 3 y 02 − y 06 = 0,
0
4
где n — число каскадов усилителя.
Полоса пропускания и коэффициент прямоугольности резонансной кривой:
f0 ψ i ( n)
Пn = ; KП = , (6.104)
QЭψ i (n) ψ σ ( n)
где ψσ(n) максимальный положительный вещественный корень уравнения
1
−
(
2 β 2 − β КР
2
+
) (
2 β 2 − β КР
2
) 2
(
+ y02 1 + β 2 )(
2
n )
σ n4 − 1 = 0, (6.105)
ψ σ6 (n) ψ σ4 (n) ψ σ2 (n)
ψi(n)= ψσ(n) при σn= 2 .
При критической связи контуров полосовых фильтров (β=βкр)
86
1
6 ; для варианта 1,
2 n σ n −1
4
ψ σ ( n) =
1
; для вариантов 2 и 3;
1 − β КР σ n4 − 1
2 6 n
1
6n ; для варианта 1,
2 8 −1
ψ i ( n) = (6.106)
1
; для вариантов 2 и 3;
1− β 2 6 n 8 −1
КР
n
σ 4
−1
KП = 6 n n
. для всех вариантов.
8 −1
Необходимые значения эквивалентных добротностей контуров:
— у двухконтурных каскадов
f0
QЭ = , (6.107)
П nψ i (n)
— у одноконтурных каскадов
QЭ
QЭ 0 = , (6.108)
Q0
обеспечиваются за счет соответствующего выбора коэффициентов
трансформации mтр1, mтр2 в двухконтурных и mтр01, mтр02 в одноконтурных
каскадах. Подставляя значения mтр1 и mтр2 из (6.63) и (6.64) в уравнение (6.92),
получаем следующее выражение для коэффициента усиления пары каскадов в
режиме максимального усиления при заданной полосе пропускания:
2β Q QЭ1 QЭ 2
K 02 = K П2 1 − Э
2
1 − 1 − , (6.109)
1 + β y 0 QК QК QК
где Кп — усилительный потенциал каскада.
Коэффициент усиления принимает максимальное значение при
оптимальной связи контуров полосового фильтра β = 1. В этом случае значения
коэффициента связи будут определяться формулой (6.68).
Сравнение значений коэффициентов связи, соответствующих критической
kкр (6.100) и оптимальной kсв 0 (6.68) связи, дает:
87
k СВ 0 3 ; для варианта 1,
1 f 2 f 2
k КР = 01 + 0 − k СВ
2
2
0 ; для варианта 2,
Э 0 01
Q f f
1 1
2
2 + 2 − k СВ 2
0 . для варианта 3.
Э1
Q Q Э2
Для всех вариантов kкр > kCB0, т. е. максимальное усиление достигается при
связи контуров полосовых фильтров, меньшей критической.
88
Рис. 6.12. Схема двухконтурного узкополосного УПЧ
1
С к 2 = С к max 2 = − C11 . (6.9.4а)
2a 2 z11
ωβ ωβ
1− h21э
g 11 ωS ωS
С11 = ; C 22 = C кб 1 + 2
;
ωβ ω
2
ω
1 + 1+
ω
ωS S
89
1 + h21E 1 1 fТ ωβ rб′
rк = ; ωк = ; g11 = ; fβ = ; ≈ ; Cкб – емкость
h22 э rк С кб h11э 1 + h21E ω S h11э − rб′
перехода коллектор-база.
5. Рассчитывается оптимальное значение емкости контурного конден-
сатора, пФ:
10 6
C к .о = , (6.9.5)
2πf 0 ρ
C к .о
p2 = . (6.9.6а)
C к max 2
25300 6
Lк 2 = 10 . (6.9.8а)
f 02 C э 2
90
ωβ
1−
ωS
где C12 = −C кб 2
; z12 = rэ
ω
1 +
ωS
91
Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;
Uкэ нас - постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера в
режиме насыщения.
Расчет усилительного каскада производится в следующем порядке.
1. При выборе транзистора в общем случае руководствуются двумя
показателями: усиливаемой мощностью Рвык, выделяемой на нагрузке Rн и
верхней граничной частотой fв усилителя.
Мощность, выделяемая на нагрузке, оценивается из соотношения:
2
U вых
Pвых = , (6.10.1)
Rн
92
строится вспомогательная линия максимальной мощности Pк max, рассеиваемой
на коллекторе транзистора. Эта линия имеет вид параболы, ограничивающей
сверху рабочую область режимов транзистора.
Для построения вспомогательной линии минимальной мощности Pк max
рекомендуется заполнить табл. 6.1.
Таблица 6.1
Зависимость Iк max = f(Uкэ) для транзистора типа ...; Pк max = ….
Uкэ, B 1 5 10 15 20 25 30 35 40
Iк max, А
93
U П −1
U тк max = . (6.10.7)
2
Полученное значение Uтк max выбирается в качестве рабочего напряжения
коллектор-эмиттер Uкэ.р; Uкэ.р = Uтк max. При этом значение Uтк max не должно
быть менее величины Uвых - амплитуды напряжения на выходе усилителя и на
нагрузке.
2.6. Задается величина выходной мощности, рассеиваемой в нагрузке, Вт:
Pвых = (0,5…0,7)Pк max . (6.10.8)
2.7. Рассчитывается максимальное амплитудное значение коллекторного
тока, А:
Pвых
I тк = . (6.10.9)
U тк max
94
где h21E = h21E min h21E max ; h21E min; h21E max – предельные значения коэффициента
усиления тока базы, являющиеся справочными.
3.5. Рассчитывается сумма сопротивлений делителя Rl + R2:
UП
R1 + R 2 = , (6.10.14)
IД
95
Допустимое температурное отклонение ∆ I к.доп тока коллектора Iк.р от его
значения в рабочей точке А оценивается по формуле:
∆ I к.доп ≤ (0,1...0,2)Iк,р. (6.10.22)
Полное приращение тока коллектора определяется приращением тока базы
∆ Iб, обратного теплового тока коллектора ∆ Iбк.о и коэффициента передачи тока
базы ∆ h21э в соответствии с выражением:
dI к dI к dI к
dI к = dI б + dh21E + dI кб .о . (6.10.23)
dI б dh21E dI кб .о
96
Рис. 6.15. Приведенная схема включения транзистора с ОЭ по Тевенину
97
Рис. 6. 16. Иллюстрация действий при определении параметров h11э и h12э
∆U бэ U ( D) − U бэ ( A) 0,78 − 0,63
h12 э = = бэ = ≈ 0,015 . (6.10.39)
∆I кэ |I э = const U кэ′′ − U кэ′ 10 − 0
∆I к I ( E ) − I к ( D) 25 − 18
h22 э = = к = ≈ 0,37 . (6.10.41)
∆U кэ |I к =const U кэ ( E ) − U кэ ( D) 20 − 1
98
Рис. 6.17. Иллюстрация действий при определении параметров h21э и h22э
99
7. ДЕТЕКТОРЫ И ОГРАНИЧИТЕЛИ АМПЛИТУД ПРИЕМНИКОВ
Рис. 7.1. Последовательная (а) и параллельная (о) схемы амплитудного диодного детектора.
(рис. 7.1 а), так и параллельные схемы включения (рис. 7.1, б).
Предпочтительны последовательные детекторы, имеющие относительно
большое входное сопротивление. Параллельные детекторы применяют лишь
тогда, когда контур последнего каскада УПЧ находится под напряжением
питания и сигнал на детектор передается через разделительный конденсатор.
Обычно диодные полупроводниковые детекторы работают в режиме линейного
детектирования при входном напряжении сигналов UД ВХ = 0,5.. 1 В. Здесь
рассмотрим именно такой режим.
100
RВХД ≥ 1/[(d Э / d ) − 1]GП ,
(7.1)
где dЭ — затухание последнего контура УПЧ с учетом RВХ Д; d— затухание того
же контура без учета действия детектора. В узкополосных УПЧ надо брать dЭ/d
≤ 1, 2; в широкополосных УПЧ dЭ должно удовлетворять требования
обеспечения полосы пропускания последнего каскада УПЧ.
Подсчитывают сопротивление нагрузки:
RН ≈ 3RВХ Д (7.2)
- параллельного детектора и
RН ≈ 2RВХ Д (7.3)
- последовательного детектора или
RН = 2RВХ Д /(1-3RВХ Д/RОБР) (7.4)
с учетом обратного сопротивления диода. Заметим, что формулы (9.2) — (9.4)
справедливы при RH > Ri. Если согласно (9,4) получают RН< 200 кОм, то надо
взять RН = 200 кОм и выбрать автотрансформаторное подключение детектора к
контуру с коэффициентом включения:
m Д = 0,2G П RВХ Д
. (7 5)
Рассчитывают эквивалентную емкость нагрузки детектора из условий
отсутствия нелинейных искажении
С Н = 1 − mmax
2
/(2πFmax RH mmax )
, (7.6)
101
R1 = RH— R2. (7.9)
Определяют емкости конденсаторов:
С2 = [(3...5)/ (2πfПR1)] — СM2, (7.10)
где СM2 = 15...20 пФ — емкость монтажа входной цепи УНЧ,
С1 = СH— (3...5)/ 2πfПR1 ; (7.11)
Сб ≥ 1/ 2π Fmin Rб M H − 1 .
2
(7.12)
Находят коэффициент фильтрации напряжения промежуточной частоты для
последовательного детектора:
kФ ≈ (С Д + СМ 1 ) /(C1 + C Д + СМ 1 )[1 + 2π f П (С1 + CМ 2 ) R1 ] ; (7.13)
и для параллельного детектора:
kФ ≈ C1 /(С1 + С Д + СМ 1 )[1 + 2π f П (С1 + СМ 2 ) R1 ] , (7.14)
где См1 = 2...5 пФ — емкость монтажа; Сд — емкость диода.
В переносных и карманных радиовещательных приемниках возможно
применение квадратичного детектирования с UВХ Д ≥ (60...80) мВ, при которых
нелинейные искажения не превышают допустимых величин. При квадратичном
детектировании :
КД = aU2ВХ Д , (7.15)
и при UВХ Д =60…80 мВ обычно КД ≈ 0,15.
102
CK ≤ 159 M B − 1 / Fmax RЭ , (7.18)
где Fmax и Rэ выражены в килогерцах и килоомах соответственно.
Находят входные сопротивление [к0м] и емкость [пФ] детектора:
Rвхд = аRвх /[1 + ( f п вC вх / 159) 2 аRвх rб ]; (7.19)
Cвхд = вСвх /[1 + ( f п вС вх rб / 159) 2 ], (7.20)
где fп в мегагерцах; Rвх и rб, в килоомах; Свх, в пикофарадах;
коэффициенты а = 3...4, в == 0,25...0,33 при Uд вх, = 0,1...0,15 В, причем с
уменьшением Uд вх — а увеличивается, в — уменьшается.
Выбирают сопротивление R1 == 0,5...1 к0м.
Рассчитывают сопротивление:
R2=R1[(10…20)Eп-1], (7.21)
где Еп — напряжение питания, В.
Находят значение емкости, шунтирующей R1:
С1≥800/FminR1, (7.22)
где Fmin в герцах; R1 в килоомах.
Исходные данные
Из расчета определяем:
—коэффициент передачи детектора по напряжению;
—входное сопротивление детектора;
—параметры нагрузки детектора.
103
Порядок расчета с использованием характеристик выпрямления
104
µД
RiД = .
SД
Из характеристики имеем µд≈1; Riд≈100 Ом; Sд≈10-2мА/В.
5. Вычисляем вспомогательные величины:
R2 RвхУНЧ 2,5 ⋅ 10 3 ⋅ 10 4
RНΩ = = = 2 ⋅ 10 3 Ом ;
R2 + RвхУНЧ 2,5 ⋅ 10 3 + 10 4
RiД RНΩ 100 ⋅ 2 ⋅ 10 3
R0 = = = 95Ом .
RiД + RНΩ 100 + 2 ⋅ 10 3
6. Из условия отсутствия нелинейных искажений и допустимых
частотных искажений на высших частотах модуляции находим допустимую
величину емкости конденсатора С1, шунтирующего нагрузку детектора R2:
1 − m2 1 − 0,8 2
C1 ДОП = − С вхУНЧ = − 10 −9 = 19 ⋅ 10 −9 = 19 ⋅ 10 3 пФ ;
2πFВ RНΩ m 2π ⋅ 3 ⋅ 10 3 ⋅ 2 ⋅ 10 3 ⋅ 0,8
Mв −1 1,2 2 − 1
C '1 ДОП = − СвхУНЧ = − 10 −9 ≈ 3,7 ⋅ 10 −7 = 370 ⋅ 103 пф .
2πFВ R0 2π ⋅ 3 ⋅ 10 ⋅ 95
3
7. 1. 4. Транзисторные детекторы
105
Основным преимуществом транзисторных детекторов по сравнению с
диодными является возможность получения усиления при детектировании. К
недостаткам следует отнести сравнительно низкую величину входного
сопротивления. Транзисторы могут использоваться в схемах детекторов
в различном включении.
Схемы детекторных каскадов по существу не отличаются от схем усилителей
низкой частоты и могут быть выполнены в реостатном и трансформаторном
вариантах. Основное отличие заключается в выборе режима транзистора,
который для получения эффективного детектирования должен быть
резко нелинейным.
Типичные схемы детекторов с транзистором, включенным с общим
эмиттером, приведены на рис. 7.6 (реостатный вариант) и на рис. 7.7
(трансформаторный вариант).
106
Исходные данные
107
Величина емкости С1 определяется по формуле:
5
С1 ≥ .
2πFН R1
На этом расчет детектора заканчивается.
Порядок расчета
T 10 ⋅10 −4
С мин = 10 = = 5000пФ,
R∑ 2 ⋅10 5
1 − m2 1 − 0,32
С макс = = = 1700пФ
2πmFВ R∑ 2π ⋅ 0,3 ⋅ 3 ⋅10 3 ⋅ 2 ⋅10 5
Емкость С выбирается из соотношения Смин =< С =< Смакс. Так как в
рассматриваемом примере это условие не выполняется, то в первую очередь
108
стараемся обеспечить выполнение условия безинерционности, т.е выбираем С =
1700 пФ.
4. Задавшись величиной n = 0,9, определяем величину сопротивления R2:
Rобр (1 − n) 4 RвхУНЧ 4 ⋅ 10 5 (1 − 0.9) 4 ⋅ 10 4
R2 = 1 + 1 + = 1 + 1 + =
2 Rобр (1 − n) 2 4 ⋅ 10 5 (1 − 0.9)
= 4.82 ⋅ 10 4 Ом ≈ 50кОм
5. Вычисляем величину R1:
R1 = R — R2 = 400 — 50 = 350 кОм.
6. Входное сопротивление детектора находим из выражения;
0,5 R∑ Rобр
RвхД = ≅ 0.2 Rобр = 0,2 ⋅ 4 ⋅ 10 5 = 80кОм
Rобр + 0,5 R∑
7. Вычисляем требуемый коэффициент включения детектора
в колебательный контур mвк:
mвк = 2λf 0 RвхД C к (d эу − d к ) = 2π ⋅ 10 7 ⋅ 8 ⋅ 10 4 ⋅ 10 −10 (0,022 − 0,01) = 2,45 .
1 1
Z= = = 16кОм .
2πf 0 C k d к 2π ⋅ 10 ⋅ 10 −10 ⋅ 0,01
7
= 2,8 ⋅10 −5 Ф
Величина Ср выбирается больше наибольшей из вспомогательных величин и в
рассматриваемом случае принимается равной 30 мкФ.
10. Определяем величину коэффициента р:
109
1 1
p= = = 0,024 .
R1 ( R2 + RвхУНЧ ) 3 ,5 ⋅ 10 5
(5 ⋅ 10 4
+ 10 4
)
1+ 1+
R2 RвхУНЧ 5 ⋅ 10 4 ⋅ 10 4
11. Вычисляем величину
τR∑ 5 ⋅ 10 −6 ⋅ 2 ⋅ 105
= = 250
TRiд 10 −4 ⋅ 40
и по графику на рис. 7.9 определяем величину cos θу ≈0,95.
12. Вычисляем коэффициент передачи пикового детектора:
K Д = mвк cos Θ y p = 1 ⋅ 0,95 ⋅ 0,024 = 0,023 .
В заключение параграфа необходимо отметить следующее. При пиковом
детектировании радиоимпульсов наряду с рассмотренным однотактным
пиковым детектором могут быть использованы и двухтактные пиковые
детекторы (рис. 7.8). В течение одного полу периода высокочастотного
заполнения ток в нагрузку поступает через один диод, в течение другого —
через второй.
Rн
Рис. 7.9. График зависимости cos θy от величины отношения .
Riд
110
7.1.6. Исходные данные и порядок расчета пикового детектора
видеоимпульсов
Исходные данные
1. Амплитуда видеоимпульсов на входе транзистора UBX П = 50 мВ.
2. Коэффициент глубины модуляции видеоимпульсов т = 0,3..
3. Максимальная частота модуляции FB = 3 кГц.
4. Длительность импульсов τ = 5 мксек.
5. Период следования импульсов Т = 100 мксек.
6. Параметры нагрузки детектора RBX УНЧ = 10 кОм, Свх УНЧ = 1000 пФ.
111
T = 10 −4 > 2 Rобр (Cвых + C м ) = 1.6 ⋅ 10 −5 , (7.24)
что говорит о правильном выборе величины RK.
В случае невыполнения неравенства (7.24), величину RK целесообразно брать
несколько большей значения, полученного в результате вычисления по
формуле.
R ⋅R
Rк = вых х . (7,25)
Rвых + Rх
6. Вычисляем величину
Rвых Rк 1,2 ⋅ 10 4 ⋅ 1,2 ⋅ 10 4
R' x = = = 6 ⋅ 10 3 Ом .
Rвых + Rк 1,2 ⋅ 10 + 1,2 ⋅ 10
4 4
112
Смин =< С1 =< Смакс. Выбираем С2 = 680 пФ.
Если эти условия не выполняются, целесообразно взять
С1 ≈ Смакс.
11. Величина коэффициента передачи усилитель — детектор зависит от выбора
емкости С1. Если условия в п. 10 удовлетворены полностью, то
Y21 R ' x 5 ⋅ 10 −2 ⋅ 6 ⋅ 103
K уд = Y21 R x K Д = = −4
≈ 190 .
1+
2TR ' x 2 ⋅ 10 ⋅ 6 ⋅ 10 3
1+
τRобр 5 ⋅ 10 −6 ⋅ 4 ⋅ 105
Если же С1 < Смин, то может быть использовано выражение (7.29). В этом
случае можно воспользоваться графиками на рис. 7.10, где в качестве
параметра используется величина Кд, определяемая выражением (7.26), по оси
ординат отложено отношение вычисляемого Куд к величине, определяемой
выражением (7.27), а по оси абсцисс отложена величина RΣ C1/T.
12. Определяем амплитуду напряжения на входе УНЧ:
Uвх УНЧ = Kуд m Uвх п = 190.0,3-5.10 -2 = 2,85 В.
R∑ RвхУНЧ KД
≥ − 1, (7.26)
R ( R∑ + RвхУНЧ ) 1 − m
где Kд = 1/ (1 + T Rx/ τRΣ ) - коэффициент передачи детектора;
Т — период следования импульсов.
При Kд < 1 — m может использоваться любая величина сопротивления
RВХ УНЧ .
Величина емкости С1 выбирается из условий обеспечения безынерционности
детектора при сохранении достаточно большой величины постоянной времени
разряда емкости.
В зависимости от выбора С1 коэффициент передачи системы определяется
одним из следующих выражений:
U
K уд = вхУНЧ = Y21 R х K Д (7.27)
U вхП m
или
τ T
− − − −
1 exp R C 1 exp R C
R∑ C1 x 1
∑ 1
K уд = Y21 R x × , (7.28)
T τ T
1 − exp − +
x 1
R C R C
∑ 1
где UBХ П - амплитуда видеоимпульсов на входе транзистора при отсутствии
модуляции.
Величину Куд можно определить по графикам (рис 7.11).
113
K уд RΣ C1
Рис. 7.11 Графики зависимостей от величины отношения .
K уд1 T
114
Рис. 7.12. Типовая схема детектора отношений.
Исходные данные
Исходные данные
f0 = 8,4МГ; ∆fмакс = 75 кГц; FB = 10 кГц; L1 = L2 = 2 мкГн;
параметры транзистора Т1: Свых = 10 пФ; RBЫX = 800 Ом; | Y21| = 30 мА/В
параметры диода Д2Е: Sd = 5 мА/В Сд = 1 пФ;
параметры УНЧ: RBX УНЧ = 10 кОм; СВХ УНЧ = 3000 пФ.
Порядок расчета
1. Задаемся величинами (см. рис. 7.12): QK = 150; QЭ = 60;
Q3 = 50; R1 = R2 =RПT = 6,2 кОм; R5 = 10 кОм R3 = R4=RВХ УНЧ=10 кОм;
U1 = 100 мВ CM = 5 пФ; τп = 75 мксек.
2. Определяем индуктивность катушки L3:
L3 = 0,4* L1= 0,4*2 = 0,8 мкГн.
3. Находим конструктивные коэффициенты связи между индуктивностями L1
и L2, а также L1 и L3:
0 .5 0 .5
k св12 = = = 0.0083,
Qэ 60
0,4 0.4
k св13 = = = 0.008.
Q3 50
4. Вычисляем собственное резонансное сопротивление первичного контура:
RК = 2πf 0 L1QК = 2π ⋅ 8,4 ⋅ 10 6 ⋅ 2 ⋅ 10 −6 ⋅ 150 = 15,5кОм .
5. Рассчитываем коэффициент включения первичного контура
в коллекторную цепь транзистора Т1:
Rвых QК 0.8 150
mвк = ( − 1) = ( − 1) = 0.28 .
R К Qэ 15.5 60
6. Находим емкости конденсаторов контуров:
2,53 ⋅ 10 4 2.53 ⋅ 10 4
С к1 = − mвк2 C вых − С М = − 0,28 2 ⋅ 10 − 5 = 175пФ;
2
f 0 L1 8,4 ⋅ 2
2
115
2,53 ⋅ 10 4 2.53 ⋅ 10 4
Ск2 = − Cд − С М = − 1 − 5 = 174пФ.
2
f 0 L1 8,4 2 ⋅ 2
7. Определяем величины емкостей нагрузки диодов:
4,5 ⋅ 10 5 4.5 ⋅ 10 5
С1 = С 2 = С 4 = = = 7300пФ. .
Fв Rпт 10 ⋅ 6.2
8. Находим емкость электролитического конденсатора С5:
0,2 ⋅ 10 3 0.2 ⋅ 10 3
С5 = = ≈ 32 мкФ .
R ПТ 6 .2
9. Вычисляем емкость конденсатора С3 низкочастотного фильтра
предыскажений:
τП 6 ⋅ 7,5 ⋅ 10 −5
С 3 = 0,4(6 − С вхУНЧ ) = 0,4( 4
− 3 ⋅ 10 −9 ) ≈ 0,02 мкФ .
RвхУНЧ 10
10. Максимальное изменение постоянной времени цепи коррекции
предыскажений при движении потенциометра R4 определяем следующим
образом:
RвхУНЧ (C3 − 2CвхУНЧ ) 10 4 (2 ⋅ 10 −8 − 2 ⋅ 3 ⋅ 10 −9 )
∆τ П = = = 23 мксек .
6 6
11. Рассчитываем величину Ud0:
U д 0 = 0,25U 12 + 0,25U 12 = 0.5 ⋅ 10 −1 = 0.071В .
12. Определяем угол отсечки токов диодов в режиме отсутствия ЧМ:
3π 3π
Θ0 ≈ 3 =3 = 0,675 рад .
S д RПТ 5 ⋅ 6,2
13. Определяем величину напряжений Uo на конденсаторе С5:
U 0 = 2U д 0 cos Θ 0 = 2 ⋅ 0.071 cos 0.675 = 0.11В .
14. Находим величину параметра А :
2∆f макс Qэ 2 ⋅ 0,075 ⋅ 60
А= = = 1,07 .
f0 8,4
15. Вычисляем максимальное значение Ud 1 макс:
U1 А 0,1 1,07
U д1макс = 1+ = 1+ = 0,094 В .
2 1+ А 2
2 1 + 1,07 2
16. Определяем θ1мин :
3π 3π
Θ1 мин ≈ ξ Θ 3 = ξΘ 3 = ξ Θ ⋅ 0.435 рад .
S д (0.5 RПТ + R3 + R4 ) 5(0.5 ⋅ 6.2 + 10 + 10)
116
18.Рассчитываем напряжение на входе транзистора T1:
Qк U 1 150 ⋅ 0,1
U вн = = ≈ 3,8 мВ
mвк Y21 Rк k св12 0,28 ⋅ 3 ⋅ 10 ⋅ 1,55 ⋅ 10 4 ⋅ 8 ⋅ 10 −3
−2
117
8. СОПРЯЖЕНИЕ НАСТРОЙКИ КОНТУРОВ
СУПЕРГЕТЕРОДИННОГО ПРИЕМНИКА
118
гетеродина ставятся дополнительные емкости. Точное сопряжение
осуществляется на частоте fI подбором (подстройкой) индуктивности контура
гетеродина L5, на частоте f2 — последовательной емкости С7 и на частоте f3 —
параллельной емкости С9 (рис. 8.1a и 8.1 б). Аналитический метод расчета
сложен и громоздок, поэтому на практике широкое применение нашел
графический метод с помощью номограмм (рис. 8.3 — 8.6). Порядок расчета
приведен в примере 8.1А.
119
Требуется определить Резонансный коэффициент усиления Ко
Данные деталей контуров и каскада.
Расчет смесительной части
1. Определяем параметры транзистора в режиме преобразования частоты по
ф-лам
Snp = 0,3S = 0,3 · 26 = 8 мА/В;
Rвх np = 2R11 =2 · 2,2 = 4,4 кОм;
Rвых np = 2R22 =115 · 2 = 230 кОм;
Cвыхnp = С22 =13 пФ; CBxnp = C11 — 21 пФ.
2. Выбираем схему преобразователя частоты с общим эмиттером и
отдельным гетеродином. Так как диапазон частот узкий (К’пд = 1,12], то
применим схему гетеродина с емкостной связью (рис. 8.2).
3. Согласование транзистора смесителя с фильтром осуществляем через
широкополосный контур. Определяем коэффициент шунтирования контура
входным сопротивлением фильтра и выходным сопротивлением транзистора,
допустимый из условий обеспечения требуемого коэффициента усиления:
2 K T σ вн 2⋅2⋅4
ψ y ≥1− =1− = 0,91 . (8.4)
S пр Rвыхпр Rвх 8 230 ⋅ 2
4. Определяем конструктивное и эквивалентное затухания широкополосного
контура:
Ψ 0,91
δк = = = 0,0505;
Οэ 18
1 1
δэ = = = 0,0556.
Ο эш 18
5. Определяем характеристическое сопротивление контура по ф-ле,
принимая коэффициент включения в цепи коллектора т1 = 1:
1 1
ρ= Rвыхпр (δ э − δ к ) = 230(0,0556 − 0,0505) = 0585кОм .
2 2
6. Определяем коэффициент включения контура со стороны фильтра
Rвхф (δ э − δ к ) 2(0,0556 − 0,0505)
m2 = = ≈ 0,1
2ρ 2 ⋅ 0,587
7. Эквивалентная емкость схемы
159 159
Сэ ≥ = = 583пФ. .
f ср ρ 0,465 ⋅ 0,587
8. Емкость контура
С 2 = С э − Свыхпр = 583 − 13 = 570 пФ.
Принимаем С2 = 560 пФ.
9. Определяем действительную эквивалентную емкость схемы:
С ' э = С 2 + С выхпр = 560 + 13 = 573пФ .
10. Индуктивность контура:
120
2,53 ⋅ 10 4 2.53 ⋅ 10 4
L4 = = = 204 мкГн ,
f 2 пр С ' э 0.465 2 ⋅ 576
11. Действительное характеристическое сопротивление контура:
159 159
ρ '≥ = .
f пр С ' э 0,465 ⋅ 573
12. Резонансный коэффициент усиления преобразователя:
S пр ρ ' Ο э m2 8 ⋅ 0.594 ⋅ 18 ⋅ 0.1
K0 = = = 2.13 . (8.5)
σ вн 4
Так как Кт = 2 < Ко = 2,13 < Ку = 5, то расчет произведен правильно.
13. Индуктивность катушки связи с фильтром, приняв Ксв = 0,4:
m22 0,12
L5 = L4 2 = 204 = 12,7 мкГн .
k св 0,4 2
14. Величины деталей, определяющих режим транзисторов, фильтров в цепях
питания и элементов связи, определяют так же, как в примере 11.1. [5]
15. Частоту гетеродина принимаем выше частоты сигнала. Так как диапазон
узкий (К'пд = 1,12), сопряжение контуров будем производить только в одной
точке, на средней частоте поддиапазона
f' +f 2
min 3,8 + 3,4
f ср = max = = 3,6 МГц. .
2 2
16. Эквивалентная емкость переменного конденсатора на fср:
С э max + C э min 39 + 31
C эср = = = 25пФ .
2 2
17. Индуктивность контура гетеродина
2,53 ⋅ 10 4 2.53 ⋅ 10 4
L2 = = = 44 мкГн ,
f 2 Гср С эср 4,06 2 ⋅ 35
где fгср =fср +fпр = 3,6 + 0,465 ≈ 4,06 МГц.
18. Величина сопротивления, стабилизирующего эмиттерный ток, принимая
Ume min = 60 мВ и Iнач = 1 мА
U me min 60
R7 = Rc ≥ = ≈ 400Ом .
0.15I енаг 0,15 ⋅ 1
Принимаем R7 = 1 ком.
19. Полное сопротивление контура гетеродина при резонансе на
максимальной частоте:
Ο k ⋅ 10 3 100 ⋅ 10 3
Rос max = = = 135кОм . (8.6)
2πf ' max( Мгц ) ⋅С э min( пф ) 2π ⋅ 3,8 ⋅ 31
20. Принимая коэффициент обратной связи kсв = 0,4, определяем
коэффициент связи транзистора с колебательным контуром:
121
(1 + k cв ) 2 (1 + 0,4) 2
m= = = 0,0374. (8.7)
k 0,4
k св Rос ( ком ) S ма (1 − св ) 0,4 ⋅ 135 ⋅ 26(1 − )
(
в
) h21е 60
21. Определяем величины емкостей контура на максимальной частоте
поддиапазона:
а) вспомогательные емкости:
С1 = С y = 7 пФ;
С э min (1 + k св ) 31(1 + 0,4) (8.8)
С2 = = = 1160пФ;
m 0,0374
С (1 + k св ) 31(1 + 0,4)
С 3 = э min = = 2900пФ; (8.9)
mk св 0,0374 ⋅ 0,4
C 2 C3 1160 ⋅ 2900
С '1 = = = 830пФ; (8.10)
C 2 + C 3 1160 + 2900
б) действительные емкости контура
С 9 = С 2 − С 22 = 1160 − 13 ≈ 1150пФ ; (8.11)
С10 = С 3 − С11 = 2900 − 21 ≈ 2880пФ ; (8.12)
C1C '1 7.0 ⋅ 830
С11 = = ≈ 7.1пФ ;
C '1 −C1 830 + 7.0
в) проверим правильность вычислений:
C 1160
k 'св = 2 = = 0.4 ; (8.13)
C3 2900
C 31
m' = э min = 0.0374 . (8.14)
C '1 830
Так как к'cв = kсв и m' = m (п. 19), емкости вычислены правильно.
122
9. МЕТОДИКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСЛА РЕГУЛИРУЕМЫХ
КАСКАДОВ
123
Исходные данные
Изменение входного напряжения: α = 40 дБ (100 раз).
Изменение выходного напряжения: р = 12 дБ (4 раза).
Расчет
1. Принимаем степень изменения коэффициента усиления одного
регулируемого каскада под действием АРУ [ф-ла 9.1)] :
Л1=10раз.
2. Требуемое изменение коэффициента усиления приемника под действием
АРУ[ф-ла 9.2] :
ЛТ = α /р= 100/4 =25 раз.
3. Необходимое число регулируемых каскадов [ф-ла 9.3)] :
lg Л Т 1,4
N АРУ = = = 1,4 .
lg Л 1 1
Округляем до большей целой величины, получаем — необходимо иметь два
регулируемых каскада.
Пример 8.1Б. Определить необходимое число регулируемых каскадов
системы АРУ спортивного приемника для соревнований «Охота на лис».
Исходные данные
Изменение входного напряжения: α =100 дБ (105 раз). Изменение выходного
напряжения: р = 6 дБ(2 раза).
Расчет
1. Так как обеспечить пределы регулирования АРУ на 100 дБ чень сложно, то
применим систему «ближний поиск» с пределом регулировки не хуже α1= 40
дб, включаемую при подходе к «лисе». Тогда предел изменения входного
напряжения, который должна обеспечить система АРУ, будет
α 2 = α – α1 = 100-40-60 дБ(1000 раз).
2. Принимаем степень изменения коэффициента усиления одного каскада
под действием системы АРУ [ф-ла (9.1)] :
Л1 = 10 раз.
3. Требуемое изменение коэффициента усиления приемника под действием
АРУ [ф-ла 9,2)] :
Лт = α /р = 1000/2 = 500 раз.
4. Необходимое число регулируемых каскадов [ф-ла (7.3)1 :
lg Л Т lg 500 2.7
N АРУ = = = = 2.7 .
lg Л 1 lg10 1
Округляем до большей целой величины, получаем — необходимо иметь три
регулируемых каскада.
124
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1
КАЛЕНДАРНЫЙ ГРАФИК РАБОТЫ
над курсовым проектом по устройствам приёма и обработки сигналов.
Общий объём самостоятельной работы 40 часов в течение 10 недель из
расчёта в среднем 4 часа в неделю.
Содержание работы. Выпол. % № нед.
Ознакомление с заданием.
Выбор недостающих данных. 10 1
Подбор литературы.
Изучение литератур, опре-
деление полосы пропуска-
ния, коэффициента усиления
2,3
приемника, составление 20
проверка на 3 нед
структурной схемы, выбор
промежуточной частоты, на-
писание обзорной части.
Составление принципиаль-
ной схемы, выбор усили-
тельных элементов, опреде-
20 4,5 проверка на 5 нед.
ление требований на каждый
каскад, выбор элементов
к4оммутации и перестройки.
Расчет элементов принци-
пиальной схемы.
Расчет результирующих
характеристик отдельных
30 6,7,8 проверка на 7 нед.
каскадов и приемника в це-
лом, проверка возможностей
реализации приемника.
Корректировка схемы.
Разработка конструкции.
Оформление рисунков, пояс-
нительной записки и графи- 20 6,7,8 проверка на 7 нед.
ческой части, проверка про-
екта.
Сдача проекта на проверку.
100 11 нед.
Защита проекта.
125
Приложение 2
Ульяновский Государственный Технический Университет
Кафедра «Радиотехника»
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ
ПО КУРСУ «УСТРОЙСТВА ПРИЁМА И ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ»
Руководитель проекта:
Ульяновск 2006 г.
126
Приложение 3
УЛЬЯНОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра_____________________________________________________________
По дисциплине___________________________________________________________________
Студенту____________________________ группы ____________________________________
Технические условия:
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
Объем работы:
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
127
Приложение 4
Таблица П.4.1
Классы резисторов в цепях приёмников
№ Классы точности
Место включения резистора в схеме приемника
п/п 1 2 3
Цепи, определяющие частотную характеристику, корректи-
1 + + -
рующие цепи и цепи обратной связи
Цепи автосмещения, термостабилизации, делители напря-
2 + + -
жения
3 Развязывающие фильтры цепей питания. - + +
Таблица П.4.2
Классы точности конденсаторов
Классы точности конденсато-
№
Место включения конденсатора в схеме приемника ров
п/п
00 и 0 1 2 3
1 Разделительные - - + +
2 В цепях коррекции частотной характеристики - + - -
3 Контурные - + - -
Сопряжение контуров
ДВ и СВ + + - -
4
КВ - + + -
СВЧ - - + -
5 Емкостные делители - + + -
6 Блокировочные - - - +
Таблица П.4.3а
Конденсаторы переменные, массового производства
ТИП конденсатора Cmin/Cmax пФ
Конденсаторы керамические (подстроенные)
КГЖ-1 2/7,4/15,6/25,8/30,6/60
КПК-2 6/60, 10/100, 25/150, 75/200, 125/250
КПК-7 1/10,2/15,2/20,2/25
Таблица П.4.3б
Блоки конденсаторов переменной ёмкости КПЕ
КПЕ с воз- КПЕ с твер-
С С С С
душным ди- к min, пФ к max, пФ дым диэлек- к min, пФ к max, пФ
электриком триком
КПЕ 12 495 КПЕ-3 7 210
КПЕ-3 10 430 КПЕ-5 5 240
КПЕ 10 365 КПТМ 4 220
КПЕ-2 9 280 КПЕ-2 3 150
128
Таблица П.4.4
Конструктивные добротности контуров [5].
Таблица П.4.5
Основные типы транзисторов, диодов и интегральных схем, применяемых в ра-
диовещательных приёмниках.
Интегральные схе-
Каскад Тракт Транзисторы и диоды
мы
АМ ГТ322, 11423, КТ315 К2ЖА371, К2ЖА242
Усилители сигналь- КП303
ной частоты ЧМ ГТ313,ГТ322, ГТ328 К2ЖА375
КТ315
ГТ322, П423, КТ315 К2ЖА372, К2ЖА371
АМ КТ339, ГТ309:кольцевой К2ЖА242
Преобразователи смеситель Д20. Д9В
(смесители) ЧМ ГТ313, КТ339 К2ЖА375, К2ЖА371
К2ЖА241
129
Таблица П.4.6
Минимально-допустимые напряжения на входе. АМ и ЧД − Uд.вх.,В
ЧД на п/п приборах
Класс приёмника АМ детектор на п/п
приборах Дробный детектор ЧД с ограничителем
Высший 0,5÷1 0,03÷0,1 1÷2
1,2 0,1÷0,5 0,01÷0,03 0,5÷1
3,4 0,05÷0,2 0,01 -
Таблица П.4.7
Значение функции сужения полосы в зависимости от количества каскадов на-
страиваемого усилителя
n 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Φ1n) 1 0,64 0,51 0,44 0,39 0,35 0,32 0,3 0,28 0,27 0,26 0,25
Таблица П.4.8
Значение функции сужения полосы в зависимости от количества пар расстро-
енных каскадов усилителя
n 1 2 3 4 5 6
Φ2(n) 0,91 0,77 0,68 0,64 0,61 0,58
Таблица П.4.9
Основные параметры детекторов [5]
Тип детектора Напряжение на входе Uвх. дет., В Коэффициент передачи Кд
Диодный (квадратичный) 0,1÷0,2 0,2÷0,3
Диодный (линейный) 0,2÷0,3 0,3÷0,6
Транзисторный 0,1÷0,3 5,0÷8,0
ЧД с ограничителем 0,5÷1,0 0,6÷0,8
Детектор отношений 0,1÷0,5 0,6÷0,8
Видеодетектор 0,2÷0,3 0,1÷0,3
Таблица П.4.10
Коэффициенты передачи входной цепи [5]
Диапазон волн ДВ СВ КВ УКВ
Добротность
10÷25 50÷70 100÷120 10÷20
контура
Коэффициент
2÷3 4÷6 5÷8 2÷3
передачи Квц
Таблица П.4.11
Параметры приёмных антенн [5]
1 2 3 4 5
Тип антенны hдм LA, мкГн СА, пФ RA, Ом
130
Продолжение табл. П.4.11
1 2 3 4 5
Г-образная горизонтальная h 20 150÷300 25÷400
Наклонный луч h (0,5÷1,0)l (4,0÷8,0) l* 25
Метёлочная (0,6÷0,7) h (0,5÷1,0)l (4,0÷8,0) l* 25
Штырь (h<λ/4) (0,5÷0,6) h - 10 h (5,0÷10,0) -
Таблица П.4.13
Шкала номинальных значений емкостей постоянных конденсаторов (кроме
электролитических) массового производства (мкФ)
1 2 3 4
0,01* од 1,0 10
131
Продолжение табл. П.4.13
1 2 3 4
0,12 - - -
0,015* 0,15 1,5 15
0,018 - - -
0,022* 0,22 2,2 22
0,027 _ -
0,033* 0,33 3,3 33
0,039 - - -
0,047* 0,47 4,7 47
0,056 - - -
0,068* 0,68 6,8 68
0,082 - - -
Примечания:
1. Конденсаторы, номиналы которых отмечены в графе 1 звездочкой, выпускаются с
допуском 20%, 10%, 5%, а остальные - с допуском 10%, 5%.
2. Конденсаторы, номиналы которых отмечены в графах 2,3,4, выпускаются с допус-
ком 20%, 10%, 5%.
Таблица П.4.14
Ряды номинальных ёмкостей конденсаторов [9]
Е6 Е12 Е24 Е48 Е6 Е12 Е24 Е48
1,0 1,0 1,0 100 316
105 3,3 3,3 3,3 -
1,1 ПО 348
115 365
1,2 1,2 121 3,9 3,9 383*
127 402
1,3 133 4,3 422
140 442
1,5 1,5 1,5 147 4,7 4,7 4,7 464
154 -
1,6 162 5,1 511
169 536
1,8 1,8 178 5,6 5,6 562
187 590
2,0 - 6,2 619
205 649
2,2 2,2 2,2 215 6,8 6,8 6,8 681
- -
2,4 237 7,5 750
249 787
261 8,2 8,2 825
2,7 2,7 274 866
287 9,1 909
3,0 301 953
132
Для конденсаторов с номинальным напряжением до 10 кВ номинальные
напряжения устанавливаются из ряда в соответствии с ГОСТ 9665-77:
1 – 1,6 – 2,5 – 3,2 – 4 – 6,3 – 10 – 16 – 20 – 25 – 32 – 40 – 50 – 63 – 80 – 100 – 125
– 160 – 200 – 250 – 315 – 350 – 400 – 450 – 500 – 630 – 800 – 1000 – 1600 – 2000
– 2500 – 3000 – 4000 – 5000 – 6300 – 8000 – 10000 В.
Таблица П.4.15
Ряды номинальных сопротивлений резисторов
Е6 Е12 Е24 Е48 Е6 Е12 Е24 Е48
1,0 1,0 1,0 100 316
105 3,3 3,3 3,3 332
1,1 ПО 348
115 3,6 365
1,2 1,2 121 3,9 3,9 383
127 402
1,3 133 4,3 422
140 442
1,5 1,5 1,5 147 4,7 4,7 4,7 464
154 487
1,6 162 5,1 511
169 536
1,8 1,8 178 5,6 5,6 562
187 590
2,0 196 619
205 649
2,2 2,2 2,2 215 6,8 6,8 6,8 681
226 715
2,4 237 7,5 750
249 787
261 8,2 8,2 825
2,7 2,7 274 866
287 9,1 909
3,0 301 953
133
Продолжение табл. П.4.16
1 2 3 4 5
ПЗЗ N +33 Серый Серый
МП0 С 0 Черный Голубой + черная точка
МЗЗ Н -33 Коричневый Голубой + коричневая точка
М47 M -47 Голубой + красный Голубой
М75 L -75 Красный Голубой + красная точка
М150 Р -150 Оранжевый Красный + оранжевая точка
М220 R -220 Желтый Красный + желтая точка
МЗЗ0 S -330 Зеленый Красный + зеленая точка
М470 Т -470 Голубой Красный + синяя точка
М750 U -750 Фиолетовый Красный
(М700) (-700) - -
Оранжевый + оранже-
Ml500 V -1500 Зеленый
вый
(Ml300) (-1300) - -
М2200 К -2200 Желтый + оранжевый Зеленый + желтая точка
МЗЗ00 Y -3300 Зеленый Зеленый
134
Таблица П.4.18
Основные параметры металлов и сплавов
Температурный коэф- Коэффициент
Плотность, Удельное электросо-
фициент электросо- линейного
Материал d·10-3, противление, ρ·10-6,
3 противления α ρ,T ·10-4, расширения,
кг/м Ом·м
К-1 α ρ,T ·10-6, К-1
1 2 3 4 5
Медь 8,9 0,0172 43 22,3
Серебро 10,5 0,016 40 19,7
Золото 19,3 0,024 38 14
Алюминий 2,7 0,0283 41 22,5
Молибден 10,2 0,05 43 5,3
Рутений 12,4 0,075 45 9,1
Латунь Л62 8,43 0,074 10 19,9
Бронза фосфористая 8,8 0,176 7,3 17,5
Пермаллой 50Н 8,20 0,45 - 9,4
Таблица П.4.19
Основные данные некоторых высокочастотных диэлектриков
при f ≥ 104 Гц
γ·106, кг/м3
Eпр, MB/м
αε·106, К-1
α·106, К-1
ρv, Ом·м
tg δ ·104
Tmax, °С
B, %
Диэлектрик ε
Воздух су-
1,006 -1,87 0,01 0,32 1016 - - - -
хой
Стекло 5,5…8 - 30…50 10 1014 600 0,04 1,05 до 100
1000…
Полистирол 2,6…2,7 3…7 30 1014 65 0,04 1,04…1,06 80
…3000
Полиэтилен
2,4 - 2…5 40 1015 100 0,03 1,02…1,2 -20
НД
Фторо-
1,9…2,1 - 2…3 26 1015 260 0 2,1…2,2 80…250
пласт-4
Пластмасса
7…10 - 120…500 13 1010 200 0,2 1,7…1,9 5…12
АГ-4С
Пластмасса
7 - 100…150 15 1012 115 0,06 1,9 20…50
ЭЗ-34О-65
Текстолит 6,5…7 - 200…400 7 107 90 0,2…0,5 1,3…1,4 40
Гетинакс В 7…8 - 400…500 2,3 108 120 до 100 0,9…1,3 -
Керамика
группы В 6,5…7 60…100 6…7 25 1012 400 0 2,6…2,8 6…7
класс VII
135
тура; B - водопоптощение; γ - плотность; α - температурный коэффициент ли-
нейного расширения (ТКЛР).
Воздух сухой применяется для диэлектриков воздушных конденсаторов.
Стекло электроизоляционное используется для изготовления проходных изоля-
торов в различных герметичных конструкциях. Полистирол, полиэтилен, фто-
ропласт-4 используются для изготовления изоляторов и каркасов катушек ин-
дуктивности, отвечающих высоким требованиям. Ударопрочный прессматери-
ал АГ-4С, фенопласт электроизоляционный с наполнителем из молотой слюды
и кварцевой муки марки ЭЗ-340-65 используются в качестве различных изоля-
торов, каркасов катушек индуктивности, отвечающих умеренным требованиям.
Текстолит и гетинакс используются для изготовления различных установочных
деталей, печатных плат. Стеатитовая керамика группы В класс VII применяется
для изготовления деталей с рабочей температурой до 300…400 °С.
Таблица П.4.20
Диаметры одножильных медных проводов, мм [9]
0, мм ПЭВ-1 ПЭВ-2 ПЭЛШКО ПЭЛО, ПЭШО
0,032 0,045 - - -
0,040 0,055 - - -
0,050 0,070 0,080 - 0,14
0,063 0,085 0,090 - 0,16
0,071 0,095 0,1 - 0,16
0,080 0,105 0,11 - 0,17
0,090 0,125 0,12 - 0,18
0,100 0,125 0,13 0,18 0,19
0,125 0,150 0,155 0,21 0,22
0,140 0,165 0,170 0,22 0,23
0,160 0,190 0,200 0,24 0,25
0,180 0,210 0,220 0,26 0,27
0,200 0,230 0,240 0,29 0,30
0,224 0,260 0,270 0,32 0,33
0,250 0,290 0,300 0,35 0,35
0,280 0,320 0,330 0,40 0,40
0,315 0,355 0,365 0,43 0,44
0,355 0,395 0,415 0,47 0,48
0,36 0,40 0,42 - -
0,40 0,440 0,460 0,52 0,52
0,450 0,490 0,510 0,58 0,59
0,500 0,550 0,570 0,63 0,63
0,560 0,610 0,630 0,69 0,69
0,630 0,680 0,700 0,76 0,76
0,710 0,76 0,79 0,85 0,85
0,750 0,81 0,84 0,90 0,90
0,80 0,86 0,89 0,95 0,95
0,85 0,91 0,94 1,0 1,0
0,90 0,96 0,99 1,05 1,05
0,95 1,01 1,04 1,10 1,10
1,00 1,07 1,10 1,16 1,16
136
Продолжение табл. П. 4.20
1,06 1,13 1,16 1,22 1,22
1,12 1,19 1,22 1,28 1,28
1,18 1,26 1,28 1,34 1,34
1,25 1,33 1,35 1,41 1,41
Примечание. Провод ПЭВ-1 - медный с высокопрочной (винифлекс) изоляцией; ПЭВ-2
- то же с утолщенной изоляцией; ПЭЛШКО - медный с изоляцией на основе полимеризован-
ных растительных масел, обмотанный одним слоем капрона; ПЭЛО - то же, обмотанный од-
ним слоем лавсана; ПЭШО - то же, обмотанный натуральным шелком.
Таблица П.4.21
Данные высокочастотных обмоточных проводов
Максимальный внешний диаметр проводов
d, Число про- S, R,
ЛЭШО, ЛЭШД,
мм волок мм2 Ом/км ЛЭЛ ЛЭП
ЛЭЛО ЛЭЛД
0,063 3 0,0093 2,07 - - - 0,19
0,071 3 0,0119 1,61 - - - 0,21
0,063 5 0,0156 1,24 - - - 0,24
0,05 10 0,0196 0,972 0,25 0,32 0,38 -
0,071 7 0,0277* 0,692 0,26 0,36 - -
0,071 8 0,0317 0,606 0,30 - 0,43 0,33
0,05 16 0,0314 0,608 0,31 0,38 0,44 -
0,071 10 0,0396 0,484 0,33 0,40 0,46 0,36
0,05 20 0,0392 0,486 0,34 0,41 0,47 -
0,071 12 0,0475 0,404 - 0,42 0,49 0,39
0,071 16 0,0633 0,303 - 0,47 0,55 0,45
0,10 9 0,0707 0,265 0,44 0,51 0,58 0,48
0,071 20 0,0791 0,242 - 0,52 0,59 0,50
0,10 12 0,0942 0,198 0,50 0,57 0,64 0,54
0,05 50 0,0980 0,200 - - 0,71 -
0,071 27 0,1068 0,185 0,58 0,66 -
0,10 14 0,110 0,170 0,54 0,61 0,68 0,58
0,071 32 0,123 0,156 - 0,63 0,70 _
0,10 16 0,126 0,149 0,57 0,64 0,71 0,61
0,10 19 0,149 0,125 0,60 0,67 0,74 -
0,10 21 0,165 0,113 0,64 0,71 0,78 0,69
0,10 24 0,188 0,099 0,68 0,75 0,82 0,74
0,071 50 0,198 0,0998 - 0,82 0,89 -
0,10 28 0,220 0,0876 0,74 0,81 0,88 0,80
0,20 7 0,220 0,0825 0,68 0,75 0,82 0,72
0,071 60 0,237 0,0832 - 0,91 0,99 -
0,10 32 0,251 0,0766 0,79 0,86 0,93 0,86
0,10 35 0,275 0,0700 0,83 0,90 0,97 0,90
Примечание. Жилы проводов ЛЭЛ, ЛЭШО, ЛЭЛО, ЛЭШД, ЛЭЛД скручивают из эма-
лированных проводов марки ПЭЛ или на основе синтетических нагревостойких проводов (не
ниже класса А); жилы проводов ЛЭП - из проводов марок ПЭТВЛ-1 и ПЭТВЛ-2 с самооб-
служивающейся изоляцией; провод ЛЭЛД обматывают двумя слоями, а провод ЛЭЛО - од-
ним слоем лавсановых нитей; провод ЛЭШД обматывают двумя слоями, а провод ЛЭШО -
одним слоем натурального шелка.
137
Таблица П.4.22
Основные электромагнитные параметры высокочастотных магнитных материалов
Марка магнитно- /пах,
Мпок tgS-106 <vio6, к-.
го материала МГц
Карбонильное железо (порошок)
Р-10 10…11 - 7000 150…250 10
Р-20 10…11 - 5000 80…150 20
Р-100 9…10 - 3000 150…125 100
Ферриты (сердечник)
+400
2000НМ 2000 −200 7000 200000 6000…18000 0,5
2000НН +500 3500 30000 -4000…+9000 0,1
2000 −300
700НМ 700±150 2000 42000 -1400…+840 5,0
+200
600НН 600 −100 1600 15000 3600…9000 1,2
100НН 100±20 1700 12500 500…4500 30
+8
20ВЧ 20 −2 50 5000 ±200 100
10ВЧ1 +4 40 13500 1200 250
10 −1,5
5ВЧ 5±0,5 - 6250 300 300
Таблица П.4.23
Марганец-цинковые ферриты
6000НМ
3000НМ
1500НМ
2000НМ
1000НМ
4000НМ
700НМ
Марка
20ВЧ
феррита
Началь-
ная маг-
нитная 6000 300 ± 500 200 ± 500 1500 ± 200
1000 ± 200 700 ± 200 1500
4000 ± 800 300 300
прони- 500
цаемость
Таблица П.4.24
Параметры ферритов. Никель-цинковые ферриты
2000НН
600НН
1000НН
200НН
400НН
150ВЧ
50ВЧ2
30ВЧ2
10ВЧ1
20ВЧ
Марка
феррита
Началь-
ная маг-
нитная 2000 ± 200
400 1000 600 ± 120
100 400 ± 100
500 200 ± 50
70 150 150 ± 5
10
30 20 ± 8
2 10
прони-
цаемость
138
Приложение 5
Таблица П.5.1
Y-параметры транзисторов, измеренные на частоте 465 кГц
Тран- 0,3fY21,
|Y21Э|,
мкСм
мА/В
мкСм
МГц
МГц
мСм
IКБ 0,
мкА
NШ,
h21Э
C11,
C22,
C12,
g11,
пФ
пФ
пФ
зи-с-
дБ
g22,
g12,
fГР,
торы
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Таблица П.5.2
Характеристики полупроводниковых диодов
Тип дио- Rобр, fmax, МГц
Uпр, В Iпр, мА Ri, Ом Uобр max, В Iобр, мкА Сд, пФ не более
да МОм
Д2Б 0,9 5,5 160 40 100 0,1 1 150
Д2В 0,9 8 120 30 250 0,12 1 150
Д9Б 0,9 90 10 10 250 0,4 1-2 40
Д10Б 0,9 20 45 10 100 0,1 <1 150
Таблица П.5.3
Параметры полевых транзисторов
Режим измерения
Тип g22и, S, С22и, С12и, IЗИ О,
С11и, UСИ, fC нач,
транзистора мСм мА/В пФ пФ мкА f , МГц
пФ В мА
КП301А 0,15 1 3,5 3,5 0,7 0,5 15 5 10
КП302А - 5 ≤20 ≤10 ≤8 1 10 3 10
КП303 - 0,5-4,5 4,5-7 - 1,3-3 - - - -
КП350А 0,25 ≥6 6 6 0,07 - 10 10 10
139
Таблица П.5.4
Параметры биполярных транзисторов ВЧ и СВЧ при t=20o C
Режим измерения
Транзи- СК,
PK max,
fГР, IКЭ,
мВт
h21Э r’бСК UКЭ, f,
сторы МГц пФ мкА К,
В мГц
мА
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ГТ308Б 120 50—120 400 8 2 5 5 5 -
ГТ310Д 80 20—70 500 5 5 5 5 5 -
ГТ311И 450 100— 75 2,5 0,5 5 5 5 150
КТ312Б 120 300
25—100 400 5 10 10 5 5 225
ГТ313Л 450— 20—250 >40 2 0,3 5 5 5 100
КТ315В 1000
250 20—90 500 7 1 10 5 5 -
КТ319В 75 40 - - 10 5 3 - -
КТ324Д 600 20—80 180 2,5 0,5 2 5 10 -
ГТЗЗОД 1600 20—300 30 2 5 10 5 10 -
КГ339В 450 25 50 0,9 1 10 7 5 -
КТ331Г 300 40—120 120 5 0,2 - - - 15
КТ332Г 400 40-120 300 5 0,2 - - - 15
КТ336Е 450 20—120 - 5 - - - - 50
КТ343Б 300 20—80 - 6 1 - - - 150
ГТ341А 2000 15—100 - 1 - - - 0,25 30
ГТ346 800 10 - 0,4 - - - 0,25 50
140
Приложение 6
П.6.1. Классификация транзисторов.
Классификация транзисторов отражена в их условном обозначении и со-
держит определённую информацию об их свойствах. В зависимости от назна-
чения и используемого при изготовлении транзистора полупроводникового ма-
териала в его обозначении указывается соответствующая буква или цифра –
первый элемент. Второй элемент обозначения (буква Т или П) определяет при-
надлежность транзистора соответственно к биполярным или полевым прибо-
рам. Третий элемент обозначения определяет назначение транзистора с точки
зрения частотных и мощностных свойств. Четвёртый и пятый элементы обо-
значения указывают на порядковый номер разработки данного типа транзисто-
ра и обозначаются цифрами от 01 до 99. Шестой элемент обозначения (буквы
от А до Я) показывает разделение транзисторов данного типа на группы (под-
типы) по классификационным параметрам.
П.6.2. Характеристики биполярных транзисторов.
Таблица П.6.1
Система условных обозначений биполярных транзисторов
Обозна- Термины Обозначе- Термины
чения ния
1 2 3 4
Граничное напряжение бипо-
Iкб.о Обратный ток коллектора Uкэ.о.гр
лярного транзистора
Максимально допустимое зна-
Iэб.о Обратный ток эмиттера Uкб.max чение напряжения коллектор-
база
Максимально допустимое об-
Напряжение насыщения коллек-
Uкэ.нас Uбэ.max ратное напряжение база-
тор-эмиттер
эмиттер
Максимально допустимое зна-
Напряжение насыщения база-
Uбэ.нас Uкэ.max чение напряжения коллектор-
эмиттер
эмиттер
Входное сопротивление бипо-
Статический коэффициент пе-
лярного транзистора при вклю-
h11э h21э редачи тока биполярного тран-
чении по схеме с ОЭ в режиме
зистора в схеме с ОЭ
малого сигнала
Выходная полная проводи-
Модуль коэффициента передачи
мость биполярного транзисто-
тока транзистора, включенного
|h21э| h22э ра в схеме с ОЭ в режиме ма-
по схеме с ОЭ, в режиме малого
лого сигнала при холостом хо-
сигнала на высокой частоте
де
Максимально допустимое значе- Максимально допустимое зна-
Iк max Θпер. max
ние постоянного тока коллектора чение температуры перехода
Максимально допустимое значе-
Тепловое сопротивление пере-
Pк max ние постоянной рассеиваемой Rпер.окр
ход-окружающая среда
мощности коллектора
141
Продолжение табл. П.6.1
1 2 3 4
Постоянная времени цепи об-
Ск = Скб Ёмкость коллекторного перехода τк = Скrб ратной связи на высокой час-
тоте
142
Продолжение табл. П.6.2
1 2 3 4 5
h22э, мкСм UКЭ=10 В; IЭ=5 мА; ≤ 0,3 ≤ 0,3 ≤ 0,3
h11э, Ом UКб=10 В; Iб=1 мА; ≤ 40 ≤ 40 ≤ 40
UКб=10 В;
Θокр=25 оС ≤1 ≤1 ≤1
Iкб.о, мкА
Θокр=100 оС ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
Θокр≤100 оС 25 40 40
Uкб.max, В
20 35 35
Θокр≤100 оС
Uбэ.max, В 6 6 6
Θокр≤100 оС 25 40 40
Uкэ.max, В
40 35 35
Θокр≤100 оС
Iк max, мА 100 100 100
Θокр≤20 оС
Pк max, мВт 150 150 150
Θокр≤20 оС
Θпер. max, °С 120 120 120
Rпер.окр,
– 0,67 0,67 0,67
°С/мВт
143
Рис. П.6.2.2.Характеристики транзисторов КТ315(А – И).
144
Продолжение табл. П.6.3
1 2 3 4 5
Uкб=-5 В; IЭ=10 мА;
|h21э| ≥4 ≥6 ≥8
f=20 МГц
Uкб=-5 В; Θокр≤20 оС ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
Uкб=-5 В; Θокр≤70 оС ≤ 90 ≤ 90 ≤ 90
Iкб.о, мкА
Uкб=-5 В; Θокр≤-55 оС ≤6 ≥6 ≥6
Uэб.о.max, В Θокр≤45 оС −3 −3 −3
Uкэ.о.max, В Θокр≤45 оС − 20 − 20 − 20
Uкб.о.max, В Θокр≤45 оС − 20 − 20 − 20
145
Рис. П.6.2.4. Характеристики транзисторов ГТ320(А-В).
Электрические параметры
146
1Т313А – 1Т313В 12 В
ГТ313А – ГТ313В 15 В
• Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rб/Rэ для 1Т313А, 1Т313Б,
1Т313В:
при Т≤318 К 12 В
при Т=343 К 7В
• Постоянное напряжение эмиттер-база 0,7 В
• Постоянный ток коллектора 1Т313А – 1Т313В 50 мА
147
Электрические параметры
148
ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В
Электрические параметры.
149
Рис. П.6.2.10. Характеристики транзисторов ГТ322(А-В).
Электрические параметры
150
при Т=233 К:
ГТ328А 5 – 200
ГТ328Б 10 – 200
ГТ328В 3 – 50
КТ339А
Электрические параметры
151
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при
Uкб=10 В 25
• Модуль коэффициента передачи тока на f= 100 МГц при Uкб=10 В, Iэ=5 мА не
менее 3
• Постоянная времени цепи обратной связи на f=5 МГц при Uкб=10 В, Iэ=7 мА
не более 25нс
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб=5 В не более 2пФ
152
Электрические параметры
153
Рис. П.6.2.17. Общий вид транзисторов 2Т363, КТ363.
Электрические параметры
154
2Т368А, 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б
Электрические параметры
155
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е
Электрические параметры
• Модуль коэффициента передачи тока при Uкб=5 В, Iэ=10 мА f=100 МГц не
менее:
КТ3102А-КТ3102В, КТ3102Д 1,5
КТ3102Г, КТ3102Е 3,0
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при
Uкб=5 В, Iэ=2 мА при Т=233К:
КТ3102А 25 − 250
КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д 50 − 500
КТ3102Г, КТ3102Е 100 − 1000
156
Приложение 7
Формулы пересчёта параметров транзисторов
Способы включения транзисторов
Параметры
ОЭ ОБ ОЭ-ОБ ОЭ-ОЭ
Входное сопро- r11
тивление RВХ r11 r11 r11
1+ r11 S
S
Входная емкость 2πf S
C11 − 2
+ C11 C11 C11
C BX f
1 + 0
fS
Выходное со-
r22 r22 r22 r22
противление RBX
Выходная ем-
C 22 C 22 C 22 C 22
кость C BX
S2
Крутизна S S S S
Y + Y11
Обратная про- 2 2
Y22 Y12 Y Y12
ходная проводи- Y12 Y12 1 + 1 + 22
мость Y12 Y12 S Y12 Y + Y11
Активность A2 S S
2 2
S Y12 Y12 S
Y12 Y22 Y22 Y12
1+ 1+
Y12 Y12
Примечания:
1. r11 , r22 , C11 , C22 – входные и выходные сопротивления и емкости, изме-
ренные в схеме ОЭ.
+ (2πf 0 C12 ) ; Y23 =
1 1 1
2. Y12 = + fω 0 C 22 ; Y11 = + fω 0 C11
2
2
r12 r23 r11
3. Y - проводимость нагрузки в цепи коллектора первого транзистора схемы
ОЭ-ОЭ.
157
Приложение 8
Таблица П.8.1
Формулы для вычисления Y- параметров транзистора в схеме с общим эмитте-
ром
Но- Формулы при применении h-
мер Единица из- параметров для схемы Смешанные
Параметр
фор- мерения с общим формулы
с общей базой
мулы эмиттером
1 2 3 4 5 6 7
мксим ≈ h22b
(1 − h21b ) ⋅10 h12e ⋅ 10 6
(3.16) Y12 e g обр h12b
h22b −
h11b h11e
158
Таблица П. 8. 2. Таблица П. 8. 3
Y-параметры в схемах включения
метры Каскодные соединения
пара-
метры
транзистора
пара-
Y-
Y-
ОЭ ОБ ОК ОЭ – ОЭ ОЭ – ОБ
Y11Э + Y12 Э + Y12 ЭY21Э
Y11 Y11Э Y11Э Y11Э −
+ Y21Э + Y22 Э Y11 Y11Э + Y22 Э Y11Э
Y12 ЭY21Э
Y11Э + Y12 Э + Y22 Э −
Y22 Y22 Э Y22 Э Y22 Y11Э + Y22 Y21Э
+ Y21Э + Y22 Э
1 + x 22
а на частотах f<<fY21 − по формулам
159
g110 = (1 / k1 )rб ; (
С110 = С11Э 1 1 + x12 ; )
g 210 = Y21Э 1
1 + x12 ; C 210 = g 210 / ω S ; (П. 8.2)
(
g 22 Э 1 1 + x12 ) C 220 = C 22 Э
1 + x12
g 220 = ; ,
1 + k1 x12 1 + k 3 x12
где
x1 = f1 / fY 21; x 2 = f 2 / f Y 21 ; k1 =
(1 − q q )(q q
1
2
2 3 − q2 )
4
.
q (q1 − 1)(1 − q 2 q 3 q 4 )
3
2
160
[fY21]Ik2 = 17,3·5/6 = 14,5 МГц;
[Y21Э]Ik2 = 104·6/5 = 125 мСм;
[Y21Э ]I K 2 = 902 + 522 = 104 мСм согласно (8.3).
Величины g12 и b12 можно определить по формулам [3]
g12 = (0,15…0,2)g22; (П.8.4)
b12 = (0,2…0,3)b22, (П.8.5)
если они не даны в графиках.
При температурах ниже 50—60° С целесообразно применять германиевые транзисторы,
при более высоких — кремниевые.
161
Приложение 9
Исходные данные
1. Средняя частота полосы пропускания f0 = 465 кГц.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кn=1500—2000.
3. Полоса пропускания Пn=8 кГц.
162
4. Допустимое изменение полосы пропускания ∆П/П=0,2.
5. Коэффициент прямоугольности резонансной кривой
КП 0,1 ≤ 1,9; КП 0,01 ≤ 3.
6. Собственные добротности контуров QK=100 при Со=1680 пФ.
7. Резонансная кривая УПЧ должна быть одногорбой.
6. Нагрузкой УПЧ служит детектор RВХД=1,8 кОм; СВХД=1 пФ.
Расчет
Для УПЧ выбираем транзисторы П414. Принимаем схему включения тран-
зисторов во всех каскадах с ОЭ. Параметры транзисторов в этом случае:
r11=800 Ом; С11=120 пФ; r22=15 кОм, С22=30 пФ;
r12 = 40 кОм; С12 = 8 пФ; S = 50 мА/В; |Y11|= 3,4⋅10-5 Ом-1,
fг > 60 МГц; β0 ≥ 50; r׳бСk = 800 мксек; rЭ = 10 Ом;
r׳б= 100 Ом; γ= 1,2.
1. Предельная частота крутизны транзистора:
rэ
f = f2
30rб Ck 2 30•800 10
s s γβ 1+ β 0 , = 60 1,2•50 1+50100 = 8,6 МГц.
0 rб
Условие fS ≥ (0,3–0,6) f0 удовлетворяется с запасом.
2. Усилительные потенциалы:
– промежуточных каскадов
1 1
К = S r11⋅r22 = • 50 0.8•15 = 86 ;
П 2 2
– выходного каскада
1 1
К = S Rвхд ⋅r22 = • 50 1.8•15 = 130 .
Пд 2 2
3. Постоянные времени, активность и устойчивость коэффициента усиле-
ния.
τ = r C = 800 • 120 • 10−12 = 9.6 • 10−8 сек. ;
вх 11 11
τ = r C = 15 • 103 • 30 • 10−12 = 4,5 • 10−7 сек. ;
вых 22 22
τ =R С = 1,8 • 103 • 10−12 = 1,8 • 10−9 сек. ;
вхд вхд вхд
S 50•10 −3
А= = = 38.4 ;
Y12 3.4•10−5
K = (0,31÷0,43)А = (0,31÷0,43)38,4 = 12 ÷ 16,5 .
0у
4. Усилителю предъявлено сравнительно высокое требование к избира-
тельности. Из рассмотрения численных значений коэффициентов прямоуголь-
ности KП 0,1 и КП 0,01 УПЧ различных типов следует, что заданной избиратель-
ности удовлетворяет двухконтурный усилитель типа 6 при числе полосовых
фильтров, равном трем. Учитывая входной полосовой фильтр, принимаем чис-
ло каскадов УПЧ n=2.
163
5. Эквивалентная добротность контуров:
f0 465
Q = = = 59,3 .
э П ϕ (п) 8•0,98
п в
6. Коэффициенты усиления каскадов и усилителя для первого каскада
Q 59,3
К = К 1− э = 861− = 35 ;
011 П Q 100
к
для второго каскада
Qэ
К =К 1− = 1301− 59,3 = 52,8 .
012 Пд Q 100
к
164
Ск 2 1680
m = = = 0,16 ;
тр 2 Скмах 2 3
62*10
Ск 2 1680
m = = = 0,25 .
тр 2 Скмахд2 27,7*103
10. Полные емкости контуров:
С + m2 С = 1680 + 0,712 * 30 ≅ 1700 пФ;
=С
э1 тр1 22
к1
С = С + m 2 С = 1680 + 0,162 *120 ≅ 1700 пФ;
э2 к2 тр 2 22
С = С + m2 С = 1680 + 0,252 *1 ≅ 1680 пФ.
эд2 к2 трд2 вх
Практически для всех контуров можно считать полную емкость равной
1700 пФ.
11. Индуктивности контуров:
2.53*1010 2,53*1010
L =L = = = 68,5 мкГн.
1 2
f 02Cэ 4652 *1700
12. Коэффициенты связи контуров и их взаимоиндукции:
β 1
k = = = 0,0169 ;
св Qэ 59,3
М =k L1L2 = 0.0169 * 68.5 = 1.16 мкГн.
св
13. Емкости конденсаторов коррекции при обратном автотрансформатор-
ном включении первых контуров полосовых фильтров в коллекторные цепи
ттр1 1 0.71 1
C = С + = *8 + ≅ 20 пФ.
кор 1− ттр1 12 2πf s r12 1−0.71 6
6.28*8.6*10 *40*103
165
Значения сопротивлений R1 — R4 и конденсаторов С3 — С8 рассчитывают-
ся так же, как в каскадах трансформаторных усилителей напряжения низкой
частоты.
Исходные данные
1. Средняя частота полосы пропускания f0 = 60 МГц.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кn = 500 – 600.
3. Полоса пропускания Пn = 20 МГц.
4. Допустимое изменение полосы пропускания ∆П/П ≤ 0,2.
5. Допустимый перекос вершины резонансной кривой ∆Р/Р ≤ 0,1.
6. Собственные добротности контурных индуктивностей QK = 10.
7. Резонансная кривая не должна иметь провалов вершины.
8. Нагрузкой усилителя служит коаксиальный кабель с волновым сопро-
тивлением ρ = 75 Ом.
Расчет
Для УПЧ выбираем транзисторы типа 1Т313В. Принимаем схему включе-
ния ОЭ — ОБ. Параметры транзисторов в схеме включения с ОЭ на частоте 60
МГц:
r11 = 100 Ом; С11 = 15 пФ; r22 =1 ком, С22 = 5 пФ;
S=30 мА/в; |Y12|= 4,1⋅10-4 ом-1, r12 = 6 ком;
С12 = 1 пФ; fг ≥ 1000 МГц; r׳бСk = 100 мксек;
rЭ=5Ом; r׳б=100Ом; β0 = 120; γ= 1,2.
1. Предельная частота крутизны транзистора:
rэ
f = f2
30rб Ck 2 30•100 5
s s γβ 1+ β 0 , = 1000 1,2•120 1+120 50 = 270 МГц.
0 rб
2. Вспомогательный параметр:
∆Р
1+
ε= Р = 1+ 0,1 = 1,22 .
∆Р 1−0,1
1−
Р
3. Необходимые значения частоты fS при ориентировочном n = 6:
fS1 ≥ (0,3 – 0,6) fо = (0,3 – 0,6) 60 = (18 – 36) МГц,
п
Пп ε 2 +1 6
20* 1,222 +1
f ≥ f −1 = 60 −1 = 125 МГц.
s1 0 п 2 6 2
f 0 ε −1 60* 1,22 −1
Условие fSl, fS2 < fS удовлетворяется.
166
4. Усилительные потенциалы:
- промежуточных каскадов
1 1
К = S r11⋅r22 = • 30 0,1•6 = 11,6 ;
П 2 2
- выходного каскада
1 1
К = S Rвхд ⋅r22 = • 30 0,075•6 = 10,2 .
Пд 2 2
5. Постоянные времени, активность и устойчивость коэффициента усиле-
ния:
τВХ =r11 С11 = 100 • 15• 10 -12 = 1,5• 10-9 сек;
τВЫХ =r12 С12 = 6 • 103•1•10-12 = 6•10-9 сек;
2
1 1
[ ]
2
− + [2πf 0 (C22 − C12 )]2 1
3−
1
+ 6.28 * 60 *106 (5 − 1)10−12
2
3
Y22 r22 r12 10 6 * 10
1+ = = = 4.2 ;
Y12 Y12 4.1 *10− 4
S 1 30 * 10−3 1
A= = = 35.7 ;
Y12 Y22 4.1 *10 − 4 4.2
1+
Y12
К0y = (0,42 – 0,43) A = (0,42 – 0,43) 35,7 ≅ 15.
Поскольку КП,КП Д < КОу то влиянием внутренней обратной связи транзи-
сторов на работу УПЧ можно пренебречь.
6. Особые требования к избирательности и стабильности УПЧ не предъяв-
лены, что позволяет использовать одноконтурные каскады в режиме макси-
мального усиления.
Выбор типа УПЧ может быть сделан в следующей последовательности:
— задаемся распределенной паразитной емкостью контуров Сп = 1 пФ;
— предельная полоса промежуточных каскадов
1 f0 1
П мах = + = + 6 = 29,6 МГц ;
π (τ вх + τ выхС П r12 ) Qк 3,14(1,5 + 6 + 6 ) * 10− 9
— предельная полоса выходного каскада
1 f 1
П мах = + 0 = + 6 = 32,5 МГц ;
π (τ вых + СП r12 ) Qк 3,14(6 + 6 ) *10− 9
— параметр µ
f0 60
µ= = = 0,3 ;
ПпQк 20*10
— отношение полос пропускания
П мах 29,6÷32,5
= = 1,48 ÷ 1,62 .
Пп 20
Сравнивая значения ПМАКС/Пn , нетрудно видеть, что УПЧ типа 1при n>1
не может быть реализовав. Усилитель типа 2 реализуется при числе каскадов
n≤10, что практически достаточно.
167
Число каскадов УПЧ находим методом последовательных проб по форму-
ле:
п −1
К мах К махд
К0п =
χ 2 (п, µ )
.
168
—для каскадов, настроенных на частоту fp2
СЭ = СК + СП + С12 + m2ТР2 С11 = 2+1 + 1+0.132⋅15 ≅ 4 пФ.
13. Индуктивности контуров:
— для каскадов, настроенных на частоту fР 1
2.53*1010 2,53*1010
L = = = 1,68 мкГн ;
2
f р1Cэ 2 6
51 *10 *6
—для каскадов, настроенных на частоту fр2,
2.53*1010 2,53*1010
L = = = 1,32 мкГн .
2
f р 2Cэ 2
69 *4*10 6
169
170
П.9.1.3. Пример расчета LC-фильтров сосредоточенной селекции
Рис. П.9.4
171
Порядок расчета
1. Задаются числом фильтров сосредоточенной селекции
(ФСС).
Рекомендуется начинать со значения nпр = 1, но не более nпр = 3.
2. Определяются ослабление на краях полосы пропускания σфп и
избирательность по соседнему каналу σфс, которые должен обеспечить один ФСС:
σп
σ фп = , дБ , (П.9.3)
nпр
σс
σ фс = , дБ . (П.9.3)
nпр
3. Задаются величиной относительной расстройки αп на границе поло-
сы пропускания. При σфп ≥ 8 дБ и σфс ≤ 26 дБ можно принять αп = 1. В осталь-
ных случаях рекомендуется принимать расчетную полосу шире заданной на
10—20%, т.е. тогда берется расчетная величина коэффициента αn = 0,8 ÷ 0,9.
4. Определяется ширина расчетной полосы пропускания ФСС:
П
Пр = , (П.9.5)
αп
где П — ширина полосы пропускания приемника, кГц.
5. Определяется необходимая добротность контуров ФСС:
2 2 f пр
Qн = , (П.9.6)
Пр
где fпр — промежуточная частота, кГц;
Пр — расчетная полоса ФСС, кГц.
Если QH < QK то при заданных исходных условиях можно применить ФСС,
т. е. продолжать расчет.
Если QH > QK, то использование многозвенных ФСС при заданных QK, fпр,
и П нецелесообразно.
В этом случае для применения ФСС необходимо увеличить QK.
Если сделать QK > QH конструктивно невозможно, то определяют необхо-
димую расчетную полосу ФСС при максимальном QK:
2 2 f пр
Пр = (П.9.7)
Qк max
и расчет продолжается при полученном Пр.
Если при этом получится Пр > ∆fс, то применение ФСС при данной fпр не-
целесообразно. Для применения ФСС необходимо при проектировании выби-
рать меньшую промежуточную частоту.
6. Определяется величина относительной расстройки:
а) на краях полосы пропускания УПЧ
П
αп = , (П.9.8)
Пр
где П — полоса пропускания УПЧ;
б) для соседнего канала
172
2∆f с
αс = , (П.9.9)
Пр
где ∆fс — расстройка, при которой задана избирательность по соседнему кана-
лу.
7. Определяется величина обобщенного затухания
2 f пр
β= . (П.9.10)
Пр
Для дальнейших расчетов по графикам рис.П.9.4 принимается кри-
вая со значением β, равным полученным по формуле (П.9.10) или меньшим их.
8. По кривой рис.П.9.4 при значении β, принятом в П. 7, и по определен-
ным в п. 6 αп и αс определяются ослабление на краях полосы пропускания σп1 и
избирательность по соседнему каналу σс1 обеспечиваемые одним звеном ФСС.
9. Определяется число звеньев одного ФСС, необходимое для обеспечения
избирательности по соседнему каналу на один фильтр
σ фс (дБ )
nu = . (П.9.11)
σ с1 (дБ )
Полученное значение округляется до большего целого числа.
Если nи > 6, то необходимо увеличить качество контуров или число фильт-
ров и повторить пп. 2—9 расчета. Если nи ≤ 1, то целесообразно перейти на
двухконтурные полосовые фильтры или одиночные контуры. Если 1 < nи < 6, то
расчет можно продолжить.
10. Определяется число звеньев одного ФСС, обеспечивающее заданное
ослабление на краях полосы пропускания на один фильтр:
σ фп (дБ )
nn = (П.9.12)
σ n1 (дБ )
Если nп > nи (округленного до большего целого числа), то расчет правиль-
ный и можно принять число звеньев одного ФСС nф = nи и число ФСС nпр.
Если nп » nи, то необходимо увеличить αп.
Если nп < nи, то необходимо задаться меньшей величиной αп, или увели-
чить конструктивную добротность Qк контуров, или выбрать меньшую проме-
жуточную частоту и повторить расчет при новых данных.
11. Определяются ослабление на краях полосы пропускания УПЧ:
σ n = nпр nфσ n1 (П.9.13)
и избирательность по соседнему каналу
σ с = nпр nфσ с1 . (п.9.14)
Для дальнейших расчетов принимается число фильтров nпр с числом звеньев
nф и значением β, полученным в П. 7.
Пример п.9.1.3.1 основные параметры ФСС транзисторного спортивного
КВ приемника.
173
Исходные данные
Промежуточная частота: fпр = 465 кГц.
Полоса пропускания: П = 6 кГц.
Ослабление на краях полосы: σп ≤ 6 дБ.
Избирательность по соседнему каналу: σс ≥ 60 дБ.
Расстройка, при которой задана избирательность: ∆fc = 10 кГц:
Конструктивная добротность контуров QK = 200.
Требуется определить
Число ФСС nпр.
Число звеньев ФСС nф.
Величину обобщенной расстройки β.
Избирательность по соседнему каналу σс.
Ослабление на краях полосы σп.
Расчет
1. Задаемся числом ФСС nпр = 1, при этом σфп = σп = 6 дБ; σфс = σс = 60дБ;
формулы (П.9.3), (П.9.4)].
2. Так как σфп < 8 дБ и σфс > 26 дБ, то задаемся величиной αп = 0,9.
3. Определяем ширину расчетной полосы ФСС [формула (П.9.5)]:
П 6
Пр = = = 6,7 кГц.
αп 0,9
4. По формуле (п.9.6) определяем необходимую добротность контуров:
2 2 f пр 2 2 ⋅ 465
Qн = = = 196 .
Пр 6,7
Так как Qн = 196 < Qк = 200, то расчет можно продолжить.
5. Определяем величину относительной расстройки:
а) на краях полосы пропускания УПЧ [формула (П.9.8)]
П 6
αп = = = 0,9 ;
П р 6,7
б) для соседнего канала [формула (п.9.9)]
2∆f с 20
αс = = = 3.
Пр 6,7
6. По формуле (П.9.10) определяем величину обобщенного затухания:
2 f пр 2 ⋅ 465
β= = ≈ 0,7 .
Qк П р 200 ⋅ 6,7
Принимаем β = 0,7.
7. По кривой на рис. 5.6 при β = 0,7 отыскиваем точку 7, лежащую на ее
пересечении с вертикальной линией на уровне αс = 3, и отсчитываем
соответствующее этой точке ослабление на одно звено фильтра σс1 = 12,3 дБ.
По этой же кривой отыскиваем точку 4, лежащую на ее пересечении с вер-
тикальной линией на уровне αп = 0,9, и отсчитываем соответствующее этой
точке ослабление σп1 = 2 дБ.
174
8. Число звеньев ФСС, необходимое для обеспечения избирательности
по соседнему каналу [по формуле (П.9.11)] :
σ фс (дб ) 60
nn = = = 4,9
σ с1 (дб ) 12,3
округляем до большого, целого числа и принимаем nи = 5; так как nи 5, расчет
можно продолжать.
9. По формуле (П.9.12) определяем число звеньев ФСС, обеспечивающее
заданное ослабление на краях полосы:
σ фп (дБ ) 6
nn = = =3
σ n1 (дБ ) 2
Так как nи = 3 < nи = 5, то задаемся меньшей величиной относительной
расстройки и увеличиваем конструктивную добротность контуров; принимаем
αп = 0,8 и Qк = 250.
10. Определяем ширину расчетной полосы ФСС по формуле (П.9.5)
11. По формуле (П.9.6) определяем необходимую добротность контуров
ФСС:
2 2 f пр 2 2 ⋅ 465
Qн = = = 176 .
Пр 7,5
12. Величина относительной расстройки для соседнего канала [формула
(П.9.9)]:
2∆f с 20
αс = = = 2,67 .
Пр 7,5
13. Величина обобщенного затухания [формула (П.9.10)] :
2 f пр 2 ⋅ 465
β= = ≈ 0,5 .
Qк П р 250 ⋅ 7,5
Принимаем β = 0,5.
14. Аналогично п. 7 при β = 0,5, αп = 0,8 и αс = 2,67 определяем σп1 = 1,0 дБ
и σс1 = 12 дБ (точки 6 и 8 соответственно).
15. По формуле (П.9.11) определяем число звеньев ФСС, необходимое для
обеспечения избирательности по соседнему каналу:
σ фс (дБ ) 60
nи = = = 5,0 .
σ с1 (дБ ) 12
Так как nи = 5, расчет можно продолжать.
16. Определяем число звеньев ФСС, обеспечивающее заданное ослабление
на краях полосы пропускания [формула (П.9.12)]:
σ фп (дБ ) 6
nп = = =6.
σ п1 (дБ ) 1,0
Так как nп = 6 > nи = 5, то расчет произведен правильно и можно принять
nф = nи = 5 с β = 0,5.
17. Определяем ослабление на краях полосы пропускания УПЧ по формуле
(П.9.13):
σ п = nфσ п1 = 5 ⋅1,0 = 5 дБ
175
Избирательность по соседнему каналу [формула (П.9.14)]:
σ с = nфσ c1 = 5 ⋅12 = 60 дБ.
Исходные данные выполнены.
176
При индуктивной связи ФСИ с коллекторной или базовой цепью рассчи-
тывают индуктивности катушек связи :
Lсв = L1{mтр/kСВ)2 , (П.9.19)
где mтр — соответствующий коэффициент трансформации; значением ко-
эффициента связи kCB задаются в пределах 0,7...0,9.
Определяют коэффициент передачи Кпф по графикам Рис. 9.6.
Рассчитывают коэффициент усиления каскада, нагруженного на ФСИ:
КОФ = 0,5m1 m2 | Y21| W0Kп ф. (П.9.20)
Если ФСИ является нагрузкой преобразователя частоты, то выражения
(П.9.15), (П.9.16) вместо g22 подставляют g22 пч ,а в (П.9.20) - вместо |Y21|-|Y21пч|.
При составлении принципиальной схемы ФСИ следует помнить, что число
звеньев п равно числу емкостей С1 и на единицу меньше числа параллельных
контуров.
177
11.Вычисляем коэффициенты трансформации по формулам (П.9.15):
W0g22=20·0,085=1,7>1,m1=1/√1.7=0.77,W0g11=20·1,4=28>1, m2 = 1/ 28 = 0.19 .
12. Согласно (П.9.18.) рассчитываем элементы ФСИ:
106 106
C1 = = 17, 2пФ , С2 = − 2 ⋅17, 2 = 1156пФ ,
6, 28 ⋅ 20 ⋅ 465 3,14 ⋅ 20 ⋅13,3
С3=1156·0,5—0,6·15=569 пФ, С4=1156·0,5—0,036·116=574 пФ,
20 ⋅13,3 ⋅106
L2 = = 98 мкГ ; L1=2·98=196 мкГ.
4 ⋅ 3,14 ⋅ 4652
13. По графикам рис. П.9.6. определяем коэффициент передачи ФСИ
для n=5 и η=0,28: Kпф=0,46.
14. Рассчитываем коэффициент усиления каскада с ФСИ (П.9.20.):
К0Ф=0,5·0,77·0,19·84·20·0,46=56
Расчет
1. Проверка целесообразности применения ФСС
f 465
Q = 2,82 0 = 2,82 = 130 < Q = 230 .
кр Пп 10 к
Таким образом, применение многозвенного ФСС целесообразно.
2. Определяем вспомогательные величины:
∆f c 10
γ 2 = 2 = 2,
1 П 10
п
2 f0 2* 465
β= = = 0,4 .
QП п 230*10
3. По графику на рис. П.9.4 находим затухание, вносимое одним звеном,
σ1 = -9,8 дБ.
4. Необходимое число звеньев фильтра:
σ − 35
п= = = 3,6 , принимаем n=4.
σ 1 − 9,8
5. Принимаем характеристическое сопротивление фильтра ρ = 20кОм.
178
6. Вычисляем значения элементов фильтра и коэффициенты трансформа-
ции:
Rвыхмс 12
m = = = 0,77 ;
тр1 ρ 20
Rвх 0,5
m = = = 0,16 ;
тр 2 ρ 20
10 6 10 6
С = = = 17 пФ;
1 2πf ρ 6.28* 465* 20
0
10 6 10 6
С = = = 1600 пФ;
2 πП ρ 3,14*10* 20
п
С 1600
С = 2 − m2 С = − 0,77 2 * 20 ≅ 800 пФ;
3 2 тр1 выхсм 2
С 1600
С = 2 − m2 С = − 0,16 2 * 100 ≅ 800 пФ;
4 2 тр 2 вх 2
П ρ10 6
10* 20*10 6
L = п = 73.5 мкГн;
1
4πf 2 4*3.14* 465 2
0
L = 2 L = 2 * 73.5 = 147 мкГн;
2 1
2
m тр1 0,77
2
L =L = 147 = 109 мкГн.
3 2 k 0,9
св
179
Приложение 10
180
Поле II — внизу справа от графиков рис. П.10.1.
Пример П.10.1. Рассчитать амплитудный полупроводниковый последова-
тельный диодный детектор транзисторного карманного приемника (рис. 7.1).
Исходные данные
Промежуточная частота: fпр = 465 кГц.
Входное сопротивление детектора: Rвх = 4,6 кОм.
Входное сопротивление каскада УНЧ: Rвх.н = 2,4 кОм.
Диапазон звуковых частот: F = 150 ÷ 4000 Гц.
Диод — типа 9ДБ.
Коэффициент передачи напряжений: Кд = 0,3.
Входное напряжение детектора: Uд вх = 0,2 В.
Требуется определить
Величины сопротивлений нагрузки R1 и R2 .
Величины емкостей C1 и С2.
Расчет
1. Определяем сопротивление нагрузки детектора по формуле (П.10.8),
учитывая, что для диода Д9Б Ro6p » Rпр
Rн = 2 K д Rвх = 2 ⋅ 0,3 ⋅ 4,6 = 2,76 кОм
2. Так как сопротивление нагрузки
детектора одного порядка с вход-
ным сопротивлением УНЧ, величины
сопротивлений делителя R1 и R2 опре-
деляются по номограмме (рис. П.10.1).
Откладываем на графике значение
Rн = 2,76 кОм и проводим из этой точки
вертикальную линию до пересечения с
графиком для Rвх н = 2,4 кОм. Получаем
R2 = 1,4 кОм.
Принимаем R2 = 1,2 кОм типа СПО.
По формуле (П.10.5) определяем:
R1 = Rн − R2 = 2,76 − 1,2 = 1,56 кОм.
Рис. П.10.1
Принимаем R1 = 1,5 кОм типа МЛТ-0,25.
3. Общее сопротивление нагрузки переменному току [формула (П.10.5)]:
R2 Rвх.н 1,2 ⋅ 2,4
Rн~ = R1 + 1,5 + = 2,3 кОм. (П.10.8)
R2 + Rвх.н 1,2 + 2,4
4. Сопротивление нагрузки постоянному току [формула (П.10.5)]:
Rн = R1 + R2 = 1,5 + 1,2 = 2,7 кОм.
Так как RН~/RН= = 2,3/2,7 = 0,85 > 0,8 [формула (П.10.3)], то нелинейные ис-
кажения не будут превышать нормы.
5. Величина эквивалентной емкости, шунтирующей нагрузку детектора:
181
240 ⋅103 240 ⋅103
Cэ ≤ = = 14,8 ⋅103 пФ. (П.10.9)
Fв ( кГц ) R=( кОм ) 4 ⋅ 2,7
6. Величина емкости С2 обеспечивающая фильтрацию на промежуточной
частоте:
(0,5 ÷ 0,8) ⋅103 0,8 ⋅103
C2 ≥ = = 1,43 ⋅103 пФ. (П.10.10)
f пр ( МГц ) R2( кОМ ) 0,465 ⋅1,2
Принимаем С2 = 6800 пФ.
7. Проверяем величину эквивалентной емкости:
Cэ′ = C1 + C2 = 6800 + 6800 = 13600 пФ. (П.10.11)
Так как С´э = 13600 < Сэ = 14800 пФ, то расчет произведен правильно.
182
αRвх
Rвх.д = 2
, кОм ; (П.10.18)
F C
1 + пр.в вх αRвх rв
159
βCвх
Свх.д = 2
, пФ , (П.10.19)
f пр.вCвх rв
1 +
159
где Rпр — промежуточная частота, МГц;
Rвх — входное сопротивление транзистора, кОм
rв — распределенное сопротивление базы, кОм
Свх — входная емкость транзистора, пФ;
a = 3 ÷ 4 ; b = 0,25 ÷ 0,33 .
Коэффициенты а и b получены экспериментально и справедливы при Um вх
≥ (0,1 ÷ 0,15) В.
С уменьшением Um вх коэффициент а увеличивается, a b уменьшается.
8. Определяются сопротивления R1 и R2 в цепи делителя. Задаются
сопротивлением R1 = 0,5 ÷ 1 кОм, тогда
R1 ( Eс − U в 0 )
R2 = , (П.10.20)
U в0
при этом для транзисторного детектора рекомендуется принимать напряже-
ние на базе в рабочей точке:
U в 0 = (0,05 ÷ 0,1) В.
9. Емкость, шунтирующая сопротивление R1:
800
C1 ≥ , мкФ, (П.10.21)
Fн R1
где Fн — нижняя частота модуляции, Гц; R1 — в кОм.
183
2. Эквивалентные добротности контуров C1L1 и C2L2 выбираются Qэ = 50÷
75, при этом для хорошего подавления амплитудной модуляции и малых нели-
нейных искажений необходимо, чтобы конструктивная их добротность
Qк = (2÷3) Qэ. Величины деталей контура (C1L1 и C2L2) принимаются такими же,
как и в УПЧ.
3. Добротность и индуктивность катушки L3 выбираются так:
L3 = (0,25 ÷ 0,5) L1 ; Q3 = 40 ÷ 60 , (П.10.23)
4. Конструктивные коэффициенты связи между индуктивностями L1 и L2, a
также L1 и L3:
0,5 0,35 ÷ 0,45
kсв12 = ; kсв13 = . (П.10.24)
Qэ Qэ
5. Коэффициент включения первичного контура C1L1 в цепь транзистора
последнего каскада УПЧ
R22 Qк
m1 = − 1 , (П.10.25)
Rое Qэ
где Roe — резонансное сопротивление контура;
Qн — конструктивная добротность контура;
R22 — выходное сопротивление транзистора УПЧ.
Если окажется, что m1 > 1, то принимают m1 = 1, а параллельно контуру
подключается шунтирующее сопротивление:
Rое
Rш = . (П.10.26)
Qк Rое
− −1
Qэ R22
6. Емкость электролитического конденсатора:
0,1 ÷ 0,25 3
C6 = ⋅10 , мФ , (П.10.27)
R1
где R1 — в кОм.
Пример П.10.3. Рассчитать частотный полупроводниковый детектор тран-
зисторного приемника (детектор отношений, рис. 7.12).
Исходные данные
Промежуточная частота: fпр = 6,5 МГц.
Девиация частоты: ∆fmax = 75 кГц.
Верхняя частота модуляции: Fв = 12 кГц.
Параметры контура: L1 = L2 = 2 мкГн.
Параметры УНЧ: RВХ УНЧ = 10 кОм; Свх УНЧ = 3 тыс. пФ.
Параметры транзистора ГТ310Б: С22 = 11,8 пФ; R22 = 110 кОм; S = 26 мА/В.
Параметры диода Д2Е: Sд = 5 мА/В; Сд = 1 пФ.
184
Требуется определить
Коэффициент передачи детектора Кд;
Величины всех деталей схемы.
Расчет
1. В соответствии с пп. 1—3 задаемся величинами (рис. 13.6): R1 = R2 = 6,2
кОм; R3 = R4 = Rвх УНЧ = 10 кОм; Qэ = 60; Qк = 160; Qз = 50.
2. Индуктивность катушки [формула (П.10.23)]:
L3 = 0,4 L1 = 0,4 ⋅ 2 = 0,8 , мкГн.
3. Конструктивные коэффициенты связи:
между индуктивностями L1 и L2 [формула (П.10.24)] -
0,5 0,5
kсв12 = = = 0,0083 ,
Qэ 60
между индуктивностями L1 и L3 [формула (П.10.25)] -
0,4 0,4
kсв13 = = = 0,008 .
Q3 50
4. Собственное резонансное сопротивление контура:
Rое = 2πf пр L1Qк ⋅10−3 = 2π ⋅ 6,5 ⋅ 2 ⋅150 ⋅10−3 = 12,3 кОм, (П.10.28)
где fпр — в МГц; L1 — в мкГн.
5. Коэффициент включения контура C1L1 в коллекторную цепь транзистора
[формула (П.10.25)]:
R22 Qк 110 150
m1 = − 1 = − 1 ≈ 3,6 .
Rое Qэ 12,3 60
Так как m1 > 1, то принимаем m1 = 1 и параллельно контуру подключаем
шунтирующее сопротивление (или применяем контуры с меньшей добротно-
стью Qк) [формула (П.10.26)]:
Rое 12,3
Rш = = = 8,8 кОм.
Qк Rое 150 12,3
− −1 − −1
Qэ R22 60 110
6. Емкости нагрузок диодов [формула (П.10.22)] :
4,5 ⋅105
C3 = C4 = C7 = ≈ 6 ⋅103 пФ.
12 ⋅ 6,2
7. Емкость электролитического конденсатора [формула (П.10.27)]:
0,2 ⋅103
C6 = ≈ 32 мФ.
6,2
185
Список литературы
186
Cтандарты
187
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ ………………………………………………………………………. 3
188
6.1.Общие соображения, выбор схемы……………………………………………62
6.2.Апериодический усилитель……………………………………………………64
6.3.Усилитель радиочастоты с автотрансформаторным включением контура...67
6.4.Усилитель радиочастоты с транформаторным включением контура………69
6.5.Усилитель промежуточной частоты с одиночным контуром с ёмкостной
связью с последующим каскадом …………………………………………...69
6.6.Усилитель промежуточной частоты с фильтром сосредоточенной
селекции (ФСС)………………………………………………………………...72
6.7.Основные расчётные соотношения двухконтурных УПЧ …………………. 74
6.8.Основные расчётные соотношения УПЧ с одноконтурными и
двухконтурными каскадами…………………………………………………...84
6.9.Проектирование двухконтурного усилителя промежуточной частоты….....88
6.10.Расчёт цепей питания усилительного каскада……………………………. .91
189
Пример расчёта LC-фильтров сосредоточенной селекции…………………….171
Примеры расчёта элементов звеньев и параметров каскада с ФСИ……… . 176
Исходные данные и пример расчёта УПЧ с многозвеньевым
LC-фильтром сосредоточенной селекции……………………………………... 178
Приложение 10.
Пример расчёта амплитудного полупроводникового диодного детектора… 180
Пример расчёта транзисторного детектора…………………………………… 182
Пример расчёта частотного детектора…………………………………………..183
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ……………………………………………………...186
СТАНДАРТЫ…………………………………………………………………….187
СОДЕРЖАНИЕ…………………………………………………………………..188
190
Учебное издание АФАНАСЬЕВ
Геннадий Фёдорович
Учебное пособие