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TP3: Caractéristique courant-tension d’une jonction PN

Le but de la manipulation
L’objectif essentiel de ce TP est d’étudier l’influence de la polarisation directe et inverse sur le
courant d’une diode à jonction PN et aussi de relever la caractéristique courant tension d’une diode
dans le sens direct et inverse.

Rappel théorique
La diode est un élément actif comportant deux
électrodes désignées généralement par anode et
cathode. Une diode est constituée par l’association de
semi-conducteurs (silicium ou germanium dopés) de
type P du côté de l’anode et de type N du côté de la
cathode. A cause des propriétés particulières des
semi-conducteurs, la circulation du courant à travers
la jonction ne peut s’exécuter que dans le sens
P → N.
Figure:1Constitution et symbole d’une diode à
jonction PN.

La polarisation de la diode
On constate que le courant obéit à la tension appliquée selon la loi exponentielle suivante:

 Le courant Is est appelé courant inverse de saturation. C’est la valeur asymptotique du


courant traversant la jonction en polarisation inverse.
 VT est la tension thermodynamique

 q : charge de l’électron (1.6 *10-19 C).


 K : constant de boltzman (1.3806488*10-23 J/°C).
 T : la température absolue en Kelvin.
 n : est le coefficient d’émission. Il dépend du matériau, voisin de 1 dans les diodes au
germanium, et compris entre 1 et 2 dans les diodes au silicium.

Soit un circuit contenant une source de tension variable et une résistance avec une diode en
série. La diode peut être polarisée en deux manières :

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1) la polarisation en sens direct (sens passant) :

Figure 2 : Polarisation direct (passant)


de la diode.

Lorsque l’anode est reliée au côté plus (+) de l’alimentation (générateur de tension), et la cathode au
côté moins (-), on dit que la diode est polarisée en direct (figure. 2). Un courant parcourt le circuit dès
que la tension aux bornes de la diode est supérieure à la tension de seuil V0 (V0 = 0.5 Volt pour une diode
à base de silicium, et V0 = 0.3 Volt pour une diode au germanium).
Ce courant croit très rapidement avec V et se trouve limité pratiquement par la résistance mise en série
avec la diode. On voit que le courant I traversant la diode est lié à la tension V qui lui appliquée par
l’équation (1).
Dans le cas de la figure 2, la diode est polarisée dans le sens passant donc :

2) la polarisation en sens inverse(sens bloqué)

Figure 3 : Polarisation inverse (bloqué) de la diode.

Lorsque l’anode est reliée au côté moins (-) de l’alimentation, et la cathode au côté plus (+), on dit que
la diode est polarisée en inverse.
Dans le cas de la figure .3, la diode est polarisée en sens bloqué et Id = Ii ; Vd = Vi de
ce fait l’équation (1) devient :

On voit que :

La caractéristique courant – tension I = f(V)

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TP3: Caractéristique courant-tension d’une jonction PN

Figure. 4. Caractéristique de la diode.

 La tension de seuil V0 est la tension à partir de laquelle la diode conduit.

Manipulation
 Polarisation directe (passant)
1. Réaliser et dessiner le montage de la figure. 5.

Figure5

2. En faisant varier le générateur de tension V, relever pour chaque valeur la chute


de tension VR aux bornes de la résistance R et le courant IR qui la traverse et porter
ces valeurs dans le tableau de mesures.
3. En faisant varier le générateur de tension V, relever pour chaque valeur la chute
de tension Vd aux bornes de la diode et le courant Id qui la traverse et porter ces
valeurs dans le tableau de mesures.
 Polarisation inverse (bloqué)

Figure 6

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TP3: Caractéristique courant-tension d’une jonction PN

1. Réaliser et dessiner le montage de la figure. 6.


2. En faisant varier le générateur de tension V, relever pour chaque valeur la chute de tension
Vi aux bornes de la diode et le courant Ii qui la traverse et porter ces valeurs dans le tableau
de mesures.

Résultats obtenue :

A. diode sans contactes


Polarisation direct

 Tableau 1 :

Vsource(v) 0,2 0,4 0,6 0,8 1 2 3 5 8 10 11 21


Vd(v) 0.2 0.4 0.5 0.6 0.65 0.67 0.67 0.68 0.69 0.7 0.76 0.8

Id(mA) 0 0 0 0.8 1 1.5 2 2.5 3 3.8 4.2 6

la courbe de 𝑰𝒅 = 𝒇(𝑽𝒅) :

Polarisation inverse
 Tableau 2:

Vsource(V) -10 -20 -50 -70 -80 -100 -120 -130 -140 -150

Vd (v) -10 -20 -25 -72 -79 -100 -120 -130 -140 -150

Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

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La courbe 𝑰𝒅 = 𝒇(𝑽𝒅 ) :

 la tension seuil pour laquelle I augment rapidement (le montage 1 polarisation directe) :
Vs=0.6v (Vd=0.5 v)
 On peut dire pour le cas de la polarisation inverse Id est nulle c-a-dire le courant pour inversée
de la polarisation n’est influent pas

B . Face contacte en AL :
Polarisation direct
Tableau1

Vsourse(V) 1.1 1.0 1.0 1.8 2 1 3 5 8 21 22 21


Vd(V) 0.2 0.4 0.6 0.8 0.9 1.5 1.6 1.7 1.9 1.7 1.8 2

Id(mA) 0 0 0 0 0 0.2 0.4 0.5 2.6 4.2 4.6 5.2

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la courbe Id(mA)=fd(V)

Polarisation inverse
Tableau 2:

Vsource(v) -10 -20 -50 -70 -80 -100 -120 -130 -140 -150
Vd(v) -10 -20 -50 -70 -80 -100 -120 -130 -140 -150
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

 la tension seuil pour laquelle I augment rapidement (le montage 1 polarisation directe) : Vs=1v
(Vd=0.9 v)

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 On peut dire pour le cas de la polarisation inverse Id est nulle c-a-dire le courant pour inversée de
la polarisation n’est influent pas.

Contacte avec AL/or :


Polarisation directe
Tableau I

Vsource(v) 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3 5 8 10 11 12


Vd(v) 0.2 0.4 0.45 0.5 0.55 0.55 0.55 0.6 0.6 0.65 0.65 0.7
Id(mA) 0 0 0 0.2 0.4 0.8 1.2 2.2 3.8 4.6 5.5 5.6

Polarisation inverse
Tableau II :

Vsource(v) -10 -20 -50 -70 -80 -100 -120 -130 -140 -150
Vd(v) -10 -20 -50 -70 -80 -100 -120 -130 -140 -150
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

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la courbe :

 la tension seuil pour laquelle I augment rapidement (le montage 1 polarisation directe) :
Vs=0.6v (Vd=0.45 v).
 On peut dire pour le cas de la polarisation inverse Id est nulle c-a-dire le courant pour inversée
de la polarisation n’est influent pas .

C: diode commerciale :

Polarisation directe
Tableau I

Vsource(v) 0.2 0.4 0.6 0.8 1 2 3 5 8 10 11 12


Vd(v) 0.2 0.4 0.5 0.5 0.55 0.59 0.6 0.7 0.68 0.7 0.75 0.8
Id(mA) 0 0 0 0.2 0.3 0.8 1.3 2.2 3.7 4.6 5.1 7

La courbe :

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Polarisation inverse :
Tableau II :

Vsource(v) -10 -20 -50 -70 -80 -100 -120 -130 -140 -150
Vd(v) -10 -20 -50 -70 -80 -100 -120 -130 -140 -150
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

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 la tension seuil pour laquelle I augment rapidement (le montage 1 polarisation directe) : (Vs
=0.6v) (Vd=0.5 v)

 pour le cas de la polarisation inverse Id est nul c-q-dire le courant pour inverse n est influent pas.

Les graphes (Cas directs) :

Les graphes (Cas Inverses) :

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Comparaison:
les deux résultats du jonction brute et diode commerciale est approche approximation est égaux
c-a-dire Vd(V) en jonction est pratiquement égale Vd(V) dans la diode commercial c’est la même pour
Id (mA) (direct on inverse ) .

Conclusion :
- peut-on dire sur le principe de la jonction pour Vsource leur même les résultantes est sommable
quelque soir le diode est le wafer.

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