Вы находитесь на странице: 1из 13

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ДОНЕЦКОЙ НАРОДНОЙ

РЕСПУБЛИКИ
УЧРЕЖДЕНИЕ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«ДОНЕЦКАЯ РЕСПУБЛИКАНСКАЯ МАЛАЯ АКАДЕМИЯ НАУК


УЧАЩЕЙСЯ МОЛОДЕЖИ»
ОЧНО-ЗАОЧНАЯ ШКОЛА

РАССМОТРЕНО УТВЕРЖДАЮ
на заседании методического совета Директор «ДОНМАН»
«ДОНМАН» _________В.А. Зубков
протокол №__ от ________2019 г. _____________2019 г.

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ
ПО ПРОГРАММЕ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«ОСНОВЫ РАДИОКОНСТРУИРОВАНИЯ И БПТС»
СРОК РЕАЛИЗАЦИИ – 3 ГОДА

Составитель
Петров Павел Александрович
педагог дополнительного
образования

Донецк 2019
Предисловие.
Электроника является универсальным и эффективным средством для решения самых
различных проблем в области сбора и обработки информации, автоматического
управления и преобразования энергии. Знания в области электроники становятся
необходимыми все более широкому кругу специалистов.
Сфера применения электроники постоянно расширяется. Практически каждая достаточно
сложная техническая система оснащается электронными устройствами. Трудно назвать
технологический процесс, управление которого осуществлялось бы без использования
электроники. Функции устройств электроники становятся все более разнообразными.
Электроника опирается на многие разделы физики – электродинамику, классическую и
квантовую механику, физику твердого тела, оптику, термодинамику, а также на химию,
металлургию, кристаллографию и другие науки. Используя результаты этих и ряда других
областей знаний, электроника, с одной стороны, ставит перед другими науками новые
задачи, чем стимулирует их дальнейшее развитие, с другой – создает новые электронные
приборы и устройства и тем самым вооружает науки качественно новыми средствами и
методами исследования.
Практические задачи электроники:
· разработка электронных приборов и устройств, выполняющих различные функции
в системах преобразования и передачи информации в системах управления, в
вычислительной технике, а также в энергетических устройствах;
· разработка научных основ технологии производства электронных приборов и
технологии, использующей электронные и ионные процессы и приборы для
различных областей науки и техники.
Электроника играет ведущую роль в научно-технической революции. Внедрение
электронных приборов в различные сферы человеческой деятельности в значительной
мере (зачастую решающей) способствует успешной разработке сложнейших научно-
технических проблем, повышению производительности физического и умственного труда,
улучшению экономических и экологических показателей производства. На основе
достижений электроники развивается промышленность, выпускающая электронную
аппаратуру для различных видов связи, автоматики, телевидения, радиолокации,
вычислительной техники, систем управления технологическими процессами,
приборостроения, а также аппаратуру светотехники, инфракрасной техники,
рентгенотехники и др.

Историческая справка
Электроника зародилась в начале ХХ века после создания основ электродинамики
(1856-73 г.г.), исследования свойств термоэлектронной эмиссии (1882-1901 г.г.),
фотоэлектронной эмиссии (1887-1905 г.г.), рентгеновских лучей (1895-97 г.г.), открытия
электрона (Дж. Дж. Томсон, 1897 г.), создания электронной теории (1892-1909 г.г.).
Развитие электроники началось с изобретения лампового диода (Дж. А. Флеминг,
1904 г.); трехэлектродной лампы – триода (Л. Де Форест, 1906 г.); использования триода
для генерирования электрических колебаний (нем. инж. А. Мейснер, 1913 г.); разработки
мощных генераторных ламп с водяным охлаждением (М.А. Бонч-Бруевич, 1919-25 г.г.)
для радиопередатчиков, используемых в системах дальней радиосвязи и радиовещания.
В течение короткого времени были созданы основные электронные приборы.
Вакуумные фотоэлементы (экспериментальный образец создал А.Г. Столетов, 1888 г.,
пром. образец – нем. ученые Ю. Эльстер и Г. Хейтель, 1910 г.), фотоэлектронные
умножители – однокаскадные (П.В. Тимофеев, 1928 г.) и многокаскадные (Л.А. Кубецкий,
1930 г.) – позволили создать звуковое кино, послужили основой для разработки
передающих телевизионных трубок – видикона (идея предложена в 1925 г. А.А.
Чернышевым), иконоскопа (С.И. Катаев, независимо от него В.К. Зворыкин, 1931-32 г.),
супериконоскопа (П.В. Тимофеев, П.В. Шмаков, 1933 г.), суперортикона (двухсторонняя
мишень для такой трубки была предложена сов. ученым Г.В. Брауде в 1939 г., впервые
суперортикон описан амер. учеными А. Розе, П. Веймером и Х. Лоу в 1946 г.) и др.
Создание многорезонаторного магнетрона (Н.Ф. Алексеев и Д.Е. Маляров под рук.
М.А. Бонч-Бруевича, 1936-37 г.г.), отражательного клистрона (Н.Д. Девятков и др. и
независимо от них В.Ф. Коваленко, 1940 г.) послужило основой для развития
радиолокации в сантиметровом диапазоне волн. Пролетные клистроны (идея предложена
в 1932 г. Д.А. Рожанским, развита в 1935 г. А.Н. Арсеньевой и нем. физиком О. Хайлем,
реализована в 1938 г. амер. физиками Р. и З. Варианами и др.) и лампы бегущей волны
(амер. ученый Р. Компфнер, 1943 г.) обеспечили дальнейшее развитие систем
радиорелейной связи, ускорителей элементарных частиц и способствовали созданию
систем космической связи.
Одновременно с разработкой вакуумных электронных приборов создавались и
совершенствовались газоразрядные приборы (ионные приборы), например, ртутные
вентили, используемые главным образом для преобразования переменного тока в
постоянный в мощных промышленных установках, тиратроны для формирования мощных
импульсов электрического тока в устройствах импульсной техники, газоразрядные
источники света.
Использование кристаллических полупроводников в качестве детекторов для
радиоприемных устройств (1900-1905 г.г.), создание купроксных и селеновых
выпрямителей тока и фотоэлементов (1920-1926 г.г.), изобретение кристадина (О.В.
Лосев, 1922 г.), изобретение транзистора (У. Шокли, У. Браттейн, Дж. Бардин, 1948 г.)
определили становление и развитие полупроводниковой электротехники.
Разработка планарной технологии полупроводниковых структур (конец
50-х, начало 60-х г.г.) и методов интеграции многих элементарных приборов
(транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов) на одной монокристаллической
полупроводниковой пластине привело к созданию нового направления –
микроэлектроники. Основные разработки в области интегральной электроники
направлены на создание интегральных схем – микроминиатюрных электронных устройств
(усилителей, преобразователей, процессоров ЭВМ, электронных запоминающих
устройств и т. п.), состоящих из сотен и тысяч электронных элементов, размещаемых на
одном полупроводниковом кристалле площадью в несколько мм2.
Микроэлектроника открыла новые возможности для решения таких проблем, как
автоматизация управления технологическими процессами, переработка информации,
совершенствование вычислительной техники и других, выдвигаемых развитием
современного производства.
Создание квантовых генераторов (Н.Г. Басов, А.М. Прохоров и независимо от них Ч.
Таунс, 1955 г.) – приборов квантовой электроники – определило качественно новые
возможности электроники, связанные с использованием источников мощного
когерентного излучения оптического диапазона (лазеров) и построением сверхточных
квантовых стандартов частоты.
Фундаментальные исследования в области физики и технологии электронных
приборов выполнили М.А. Бонч-Бруевич, Л.И. Мандельштамм, Н.Д. Папалекси, С.А.
Векшинский, А.А. Чернышев, М.М. Богословский и многие другие.
По проблемам возбуждения и преобразования электрических колебаний, излучения,
распространения и приема радиоволн, их взаимодействия с носителями тока в вакууме,
газах и твердых телах работали Б.А. Введенский, В.Д. Калмыков, А.Л. Минц, А.А.
Расплетин, М.В. Шулейкин и др.
В области физики полупроводников – А.Ф.Иоффе, люминесценции и по др. pазделам
физической оптики – С.И. Вавилов, квантовой теории рассеяния света излучения,
фотоэффекта в металлах – И.Е. Тамм и многие другие.
Области, основные разделы и направления электроники
Электроника включает в себя три области исследований:
1. вакуумную электронику;
2. твердотельную электронику;
3. квантовую электронику.
Каждая область подразделяется на ряд разделов и ряд направлений.
Раздел объединяет комплексы однородных физико-химических явлений и процессов,
которые имеют фундаментальное значение для разработки многих классов электронных
приборов данной области.
Направление охватывает методы конструирования и расчетов электронных приборов,
родственных по принципам действия или по выполняемым ими функциям, а также
способы изготовления этих приборов.

Вакуумная электроника содержит следующие разделы:


1. эмиссионная электроника, охватывающая вопросы термоэмиссии, вторичной
электронной эмиссии, туннельной эмиссии, исследование катодов и
антиэмиссионных покрытий;
2. формирование потоков электронов и потоков ионов, управление этими потоками;
3. формирование электромагнитных полей с помощью резонаторов, систем
резонаторов, замедляющих систем, устройств ввода и вывода энергии;
4. электронная люминесценция (катодолюминесценция);
5. физика и техника высокого вакуума (его получение, сохранение и контроль);
6. теплофизические процессы (испарение в вакууме, формоизменение деталей при
циклическом нагреве, разрушение поверхности металлов при импульсном нагреве,
отвод тепла от элементов приборов);
7. поверхностные явления (образование пленок на электродах и изоляторах,
неоднородностей на поверхностях электрода);
8. технология обработки поверхностей, в т. ч. Электронная, ионная и лазерная
обработка;
9. газовые среды – раздел, включающий вопросы получения и поддержания
оптимального состава и давления газа в газоразрядных приборах.
Основные направления вакуумной электроники охватывают вопросы создания
электровакуумных приборов (ЭВП) следующих видов:
· электронных ламп (диодов, триодов, тетродов, пентодов и т. д.);
· ЭВП СВЧ (магнетронов, клистронов и т. п.);
· фотоэлектронных приборов (фотоэлементов, фотоэлектронных умножителей),
рентгеновских трубок;
· газоразрядных приборов (мощных преобразователей тока, источников света,
индикаторов).

Твердотельная электроника содержит следующие разделы, связанные в основном с


полупроводниковой электроникой:
1. изучение свойств полупроводниковых материалов, влияние примесей на эти
свойства;
2. создание в кристалле областей с различной проводимостью методами
эпитаксиального выращивания, диффузии, ионного внедрения (имплантации),
воздействием радиации на полупроводниковые структуры;
3. нанесение диэлектрических и металлических пленок на полупроводниковые
материалы, разработка технологии создания пленок с необходимыми свойствами и
конфигурацией;
4. исследование физических и химических процессов на поверхности
полупроводников;
5. разработка способов и средств получения и измерения элементов приборов
микронных и субмикронных размеров (нанотехнология).
Основные направления полупроводниковой электроники связаны с разработкой и
изготовлением различных видов полупроводниковых приборов:
· полупроводниковых диодов (выпрямительных, смесительных, параметрических,
стабилитронов); усилительных и генераторных диодов (туннельных, лавинно-
пролетных, диодов Ганна); транзисторов (биполярных и униполярных), тиристоров,
оптоэлектронных приборов (светоизлучающих диодов, фотодиодов, фототранзисторов,
оптронов, светодиодных и фотодиодных матриц), интегральных схем;
· диэлектрическая электроника, изучающая электронные процессы в диэлектриках (в
частности, в тонких диэлектрических пленках) и их использование, например, для
создания диэлектрических диодов, конденсаторов;
· магнитоэлектроника, использующая магнитные свойства вещества для управления
потоками электромагнитной энергии с помощью ферритовых вентилей, циркуляторов,
фазовращателей и т. д., и для создания запоминающих устройств, в т. ч. на магнитных
доменах;
· акустоэлектроника и пьезоэлектроника, рассматривающие вопросы распространения
поверхностных и объемных акустических волн и создаваемых ими переменных
электрических полей в кристаллических материалах и взаимодействия этих полей с
электронами в приборах с полупроводниково-пьезоэлектрической структурой
(кварцевых стабилизаторах частоты, пьезоэлектрических фильтрах, ультразвуковых
линиях задержки, акустических усилителях и т. д.);
· криоэлектроника, исследующая изменения свойств твердого тела при глубоком
охлаждении для построения малошумящих усилителей и генераторов СВЧ,
сверхбыстродействующих вычислительных и запоминающих устройств;
· разработка и изготовление резисторов.
Наиболее важные направления квантовой электроники – создание лазеров и мазеров.
На основе приборов квантовой электроники строятся устройства для точного
измерения расстояний (дальномеры), квантовые стандарты частоты, квантовые
гироскопы, системы оптической многоканальной связи, дальней космической связи,
радиоастрономии. Энергетическое воздействие лазерного концентрированного излучения
на вещество используется в промышленной технологии. Лазеры находят различное
применение в биологии и медицине.

Перспективы развития электроники


Одна из основных проблем, стоящих перед электроникой, связана с требованием
увеличения количества обрабатываемой информации вычислительными и управляющими
электронными системами с одновременным уменьшением их габаритов и потребляемой
энергии.
Эта проблема решается путем:
· создания полупроводниковых интегральных схем, обеспечивающих время
переключения до 10-11 сек;
· увеличения степени интеграции на одном кристалле до миллиона и более
транзисторов размером менее 1-2 мкм на основе использования нанотехнологий и
в перспективе – молекулярной электроники;
· использования в интегральных схемах устройств оптической связи и
оптоэлектронных преобразователей, сверхпроводников;
· разработки запоминающих устройств емкостью несколько гигабайт на одном
кристалле;
· применения лазерной и электронно-лучевой коммутации;
· расширения функциональных возможностей интегральных схем (например,
переход от микропроцессора к мини-ЭВМ на одном кристалле);
· перехода от двумерной (планарной) технологии интегральных схем к трехмерной
(объемной) и использования сочетания различных свойств твердого тела в одном
устройстве;
· разработки и реализации принципов и средств стереоскопического телевидения,
обладающего большей информативностью по сравнению с обычном;
· создания электронных приборов, работающих в диапазоне миллиметровых и
субмиллиметровых волн, для широкополосных (более эффективных) систем
передачи информации, а также приборов для линий оптической связи;
· разработки мощных, с высоким к.п.д., приборов СВЧ и лазеров для
энергетического воздействия на вещество и направленной передачи энергии
(например, из космоса).

Одна из тенденций развития электроники – проникновение ее методов и средств в


биологию (для изучения клеток и структуры живого организма и воздействия на него) и
медицину (для диагностики, терапии, хирургии).

Глава 1. Электротехника.
Теоретическая часть. Строение атома. Валентность. Проводники, диэлектрики,
полупроводники. Электрические заряды. Закон Кулона. Электрическое поле. Принцип
суперпозиции. Электролизация тел. Взаимодействие заряженных тел. Электрическое поле.
Проводники и диэлектрики в электрическом поле. Работа по перемещению заряда в
электрическом поле. Напряжение и потенциал электрического поля. Энергия
электрического поля. Электрическая емкость. Конденсаторы. Соединение конденсаторов.
Виды электрического тока, их характерные признаки. Постоянный электрический ток.
Источники электрического тока. Электрическая цепь. Сила электрического тока.
Электродвижущая сила. Электрическое сопротивление. Резисторы. Соединение
резисторов: последовательное, параллельное, смешанное. Реостат. Законы электрического
тока: закон Ома, законы Кирхгофа. Работа и мощность электрического тока. Тепловое
действие электрического тока. Химическое действие электрического тока.
Электролитические конденсаторы. Химические источники электрического тока.
Аккумуляторы. Соединение источников тока. Постоянные магниты. Магнитное поле.
Магнитное поле вокруг проводника с током. Магнитная индукция. Явление
электромагнитной индукции. Электродвижущая сила электромагнитной индукции.
Самоиндукция. Взаимоиндукция. Электромагнит.
Тема 1. Строение атома.
Занятие 1.
Все вещества, простые, так и сложные, состоят из молекул, а молекулы из атомов.
Наименьшая частица вещества, которая еще сохраняет его свойства, называется
молекулой. Молекула - это химическая комбинация двух или более атомов. Атом - это
наименьшая частица элемента, которая сохраняет химические характеристики элемента.
Химический элемент - составная часть вещества, построенная из одинаковых атомов.
Простые вещества - медь, алюминий, цинк, свинец и др. - состоят из одинаковых атомов
данного вещества. Молекулы сложных веществ могут состоять из нескольких атомов
различных химических элементов. Например, поваренная соль (хлористый натрий)
состоит из атомов хлора и атомов натрия. Молекулы воды содержат атомы водорода и
атомы кислорода.
Физическая комбинация элементов и соединений называется смесью. Примерами смесей
является воздух, который состоит из кислорода, азота, углекислого газа и других газов, и
соленая вода, которая состоит из соли и воды.

Атом состоит из протонов, нейтронов и электронов. Протоны и нейтроны сгруппированы


в центре атома и образуют ядро. Протоны заряжены положительно, а нейтроны не имеют
электрического заряда. Электроны расположены на оболочках на различных расстояниях
от ядра.
Атомы различных элементов отличаются друг от друга. Поскольку существует свыше 100
различных элементов, то существует и свыше 100 различных атомов.
Количество протонов в ядре атома называется атомным номером элемента, т.е. номером
элемента в периодической таблице Д. И. Менделеева. Атомные номера позволяют
отличить один элемент от другого.
Каждый элемент имеет также атомную массу. Атомная масса определяется общим
числом протонов и нейтронов в ядре. Электроны почти не дают вклада в общую массу
атома; масса электрона составляет только 1/1836 часть от массы протона, и этого
недостаточно, чтобы ее учитывать.
Электроны вращаются вокруг ядра по замкнутым орбитам. Каждая орбита называется
оболочкой. Оболочки обозначаются буквами К, L, М, N и т. д.
Оболочки заполняются постепенно, по мере увеличения атомного номера элемента, в
следующей последовательности: сначала заполняется оболочка К, затем L, М, N и т.д. В
некоторых случаях этот порядок нарушается: например, оболочка N начинает заполняться
при не полностью заполненной оболочке М. Максимальное количество электронов,
которое может разместиться на каждой оболочке, показано в табл. 1.1.

В качестве примера рассмотрим строение атома алюминия, имеющего № 13 в таблице


Менделеева и атомную массу 27 (рис. 1.1).
Ядро атома алюминия содержит 13 протонов и 14 нейтронов (13 + 14 = 27). Тринадцать
электронов атома алюминия размещены на трех электронных оболочках: на оболочке К -2
электрона, на оболочке L - 8 электронов и на наиболее удаленной от ядра внешней
оболочке М - 3 электрона. Внешняя оболочка называется валентной и количество
электронов, которое она содержит, называется валентностъю. Чем дальше от ядра
валентная оболочка, тем меньшее притяжение со стороны ядра испытывает каждый
валентный электрон. Таким образом, потенциальная возможность атома присоединять или
терять электроны увеличивается, если валентная оболочка не заполнена и расположена
достаточно далеко от ядра. Электроны валентной оболочки могут получать энергию.
Если эти электроны получат достаточно энергии от внешних сил, то они могут покинуть
атом и стать свободными электронами, произвольно перемещаясь от атома к атому.
Материалы, который содержат большое количество свободных носителей заряда,
называются проводниками. Проводниками являются все металлы, растворы
электролитов, расплавы многих веществ и ионизированные газы. Самой высокой
проводимостью среди металлов обладает серебро; далее в порядке убывания
проводимости идут медь, золото и алюминий. И серебро, и медь, и золото имеют
валентность, равную единице. Однако серебро является лучшим проводником, поскольку
его свободные электроны более слабо связаны.
Диэлектрики (изоляторы) в противоположность проводникам препятствуют протеканию
электричества. В диэлектриках свободные электроны отсутствуют благодаря тому, что
валентные электроны одних атомов присоединяются к другим атомам, заполняя их
валентные оболочки и препятствуя, таким образом, образованию свободных электронов.
Диэлектриками являются различные пластмассы, слюда, фарфор, стекло, мрамор, резина,
различные смолы, лаки и другие материалы.
Промежуточное положение между проводниками и изоляторами занимают
полупроводники. Полупроводники не являются ни хорошими проводниками, ни хорошими
изоляторами, но они играют важную роль в электронике, потому что их проводимость
можно изменять от проводника до изолятора. Кремний и германий являются
полупроводниковыми материалами.
Об атоме, который имеет одинаковое число электронов и протонов, говорят, что он
электрически нейтрален. Атом, получивший один или более электронов, не является
электрически нейтральным. Он становится отрицательно заряженным и называется
отрицательным ионом. Если атом терцет один или более электронов, то он становится
положительно заряженным и называется положителъным ионом. Процесс
присоединения или потерн электронов называется ионизацией. Ионизация играет
большую роль в протекании электрического тока.

Занятие 2. Электрические заряды. Закон Кулона. Электрическое поле. Принцип


суперпозиции.
Еще в глубокой древности было известно, что янтарь, потертый о шерсть, приобретает
способность притягивать легкие предметы. Позже было установлено, что аналогичным
свойством обладают многие другие вещества. Тела, способные, подобно янтарю, после
натирания притягивать легкие предметы, называют наэлектризованными. Теперь мы
говорим, что на телах в таком состоянии имеются электрические заряды, а сами тела
называем заряженными.
В природе существуют только два вида зарядов - положительные и отрицательные.
Заряды одного знака (одноименные заряды) отталкиваются, заряды разных знаков
(разноименные заряды) притягиваются. Наименьшим (элементарным) зарядом обладают
элементарные частицы. Например, протон и позитрон заряжены положительно, электрон
и антипротон - отрицательно. Элементарный отрицательный заряд по величине равен
элементарному положительному заряду. В системе СИ заряд измеряется в кулонах (Кл).
Величина элементарного заряда е= 1,6-10Кл.
В природе нигде и никогда не возникает и не исчезает электрический заряд одного знака.
Появление положительного электрического заряда +q всегда сопровождается появлением
равного по абсолютной величине отрицательного электрического заряда -q. Ни
положительный, ни отрицательный заряды не могут исчезнуть по отдельности один от
другого, они могут взаимно нейтрализовать друг друга, если равны по абсолютной
величине.
Этот экспериментально установленный факт называется законом сохранения
электрического заряда, который формулируется следующим образом:
в электрически изолированной системе алгебраическая сумма зарядов остается
постоянной:

Изолированной называется система, не обменивающаяся зарядами с внешней средой.

В 1785 г. Шарль Кулон (1736-1806) экспериментально, с помощью крутильных весов,


установил закон взаимодействия двух точечных зарядов, т.е. таких заряженных тел,
размерами которых в данной задаче можно пренебречь. Этот закон гласит: сила
взаимодействия двух точечных зарядов прямо пропорциональна произведению этих
зарядов, обратно пропорциональна квадрату расстояния между ними и направлена по
линии, соединяющей эти заряды. Для вакуума этот закон имеет вид:

где е = F/ F'> 1- диэлектрическая проницаемость диэлектрика. Она показывает, во


сколько раз сила кулоновского взаимодействия зарядов в диэлектрике меньше, чем в
вакууме.
Взаимодействие между зарядами на расстоянии осуществляется через электрическое поле.
Электрическое поле - это одна из форм материи. Оно обладает свойством действовать на
внесенные в него заряды с некоторой силой. Электрическое поле является составной
частью электромагнитного поля. Поле, окружающее неподвижные заряды, называется
электростатическим.
Представление об электрическом поле было введено в науку в 30-х г.г. XIX в. Майклом
Фарадеем (1791-1867). Согласно Фарадею, каждый электрический заряд окружен
созданным им электрическим полем. Заряд, с помощью которого исследуют это
электрическое поле, называют пробным зарядом.

Пусть заряд q создает электрическое поле. Будем помещать в точку М электрического


поля различные пробные заряды qпр,(рис. 1.2).

На каждый из них электрическое поле действует с различными силами. Но если величину


каждой силы разделить на соответствующий ей пробный заряд, то получим одно и то же
значение, характерное для точки М этого поля. Таким образом, величина, равная силе,
действующей на единичный пробный заряд в точке М, может служить силовой
характеристикой электрического поля. Она называется напряженностью электрического
поля:

Напряженность электрического поля - векторная величина. Направление вектора Е


совпадает с направлением вектора силы F, действующей на положительный пробный
заряд, помещенный в данную точку поля. Напряженность не зависит от наличия или
отсутствия в данном поле пробных зарядов. Она зависит от свойств самого поля, которые
определяются зарядом-источником, расстоянием от него до точки поля, в которой
измеряется напряженность и средой, в которой создано поле. В системе СИ
напряженность электрического поля измеряется в вольтах на метр (В/м).
Пусть имеется положительный точечный заряд источник поля Q , Поместим в некоторую
точку поля М этого заряда положительный пробный заряд Ящ,. На этот заряд будет
действовать сила qпр

Тогда напряженность поля, создаваемого точечным зарядом Q в точке М,


Если заряд Q окружает среда с диэлектрической проницаемостью е, то напряженность
создаваемого им поля

Графически электрическое поле изображают силовыми линиями. Силовые линии


начинаются на положительных зарядах и заканчиваются на отрицательных или уходят в
есконечность. На рис. 1.3 изображены линии напряженности полей положительного (а),
отрицательного (б) и системы из положительного и отрицательного зарядов (в).

О величине напряженности поля судят по густоте линий. Чем гуще расположены линии,
тем больше величина напряженности. Густота линий - это число линий, пронизывающих
единичную площадку, перпендикулярную линиям. Вектор напряженности ноля является
касательным к силовым линиям в каждой точке поля.
Электрическое поле, напряженность которого в каждой точке одинакова по величине и
направлению, называется однородным. Силовыми линиями однородного поля являются
параллельные прямые, расположенные на одинаковом расстоянии друг от друга. Из рис.
1.3 видно, что электрическое поле точечного заряда является неоднородным. Опыт
показывает, что если на электрический заряд q одновременно действуют электрические
поля нескольких зарядов, то результирующая сила оказывается равней геометрической
сумме сил, действующих со стороны каждого поля в отдельности. Это означает, что
электрические поля подчиняются принципу суперпозиции : если в данной точке
пространства различные заряда создают электрические поля с напряженностями Ё^,Ё^ и т.
д., то вектор напряженности электрического поля в этой точке равен сумме векторов
напряженностей всех электрических полей (рис. 1.4):

Занятие 3. Проводники и диэлектрики в электрическом поле.


Как уже говорилось, по электрическим свойствам тела можно разделить на проводники и
диэлектрики и полупроводники. Проводники содержат электрические заряды, которые
могут свободно перемещаться внутри этих тел. При внесении металлического проводника
в электростатическое поле его свободные электроны перемещаются под действием
кулоновских сил в направлении, противоположном направлению вектора напряженности
этого поля, и скапливаются на поверхности проводника. В результате на поверхностях
проводника, перпендикулярных силовым линиям, появятся заряды противоположного
знака. Их называют индуцированными.
Явление возникновения на поверхностях проводника, внесенного в электрическое поле,
поверхностных зарядов противоположных знаков называется электростатической
индукцией.
Электрическое поле поверхностных зарядов Е' будет численно равно внешнему полю , но
направлено противоположно ему. Поэтому результирующее поле внутри проводника Е
будет равно нулю:

Диэлектриками называют вещества, в которых отсутствуют свободные заряды. Заряды в


диэлектриках могут смещаться из своих положений равновесия лишь на малые
расстояния, порядка атомных. Диэлектрики по типу распределения зарядов разделяются
на два типа: полярные и неполярные. У неполярных диэлектриков центр распределения
положительного заряда в атоме совпадает с центром распределения отрицательного
заряда (например, атом водорода). Если же центры распределения положи тельных и
отрицательных зарядов не совпадают, то диэлектрики называются полярными (например,
хлористый натрий). Молекулы таких диэлектриков представляют собой два точечных
заряда, равных по величине, противоположных по знаку и расположенных на малом
расстоянии друг от друга. Такую систему зарядов называют электрическим диполем.
Молекулы полярных диэлектриков, помещенных во внешнее электрическое поле,
получают преимущественную ориентацию, располагаясь таким образом, чтобы оси всех
диполей оказались параллельными линиям напряженности внешнего поля. Тепловое
движение расстраивает ориентацию диполей, поэтому диполи получают частичную
ориентацию, тем большую, чем больше напряженность внешнего поля (рис. 1.6, а, б).

В неполярных молекулах внешнее поле разделяет центры распределения положительных


и отрицательных зарядов, образуя диполи, которые, как и в случае полярных молекул,
принимают преимущественную ориентацию.
Смещение связанных электрических зарядов под действием внешнего электрического
поля называется поляризацией диэлектрика. При поляризации на поверхностях
диэлектрика, _____
Электрическое поле Е, которое направленно противоположно внешнему полю Е. Поэтому
поле внутри диэлектрика Е меньше чем в вакууме.

Величина, показывающая во сколько раз напряженность электрического поля в вакууме


больше, чем в диэлектрике, называется диэлектрической проницаемостью этого
диэлектрика: