Circuito de Emisor Común

Con Polarización en Emisor Con Desvió

Objetivo:

Analizar, comprobar y simular el comportamiento de la ganancia de voltaje del

transistor a frecuencia baja, media y alta.

Objetivo Especifico:

Obtención de la gráfica de bode del circuito para analizar su respuesta en

frecuencia.

Marco teórico :

Transistor

El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de
uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos
de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes
de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades
específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e
inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse
mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función

amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de
base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a
tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones
de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se
grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas
básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector
común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,

MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta o reja de control y gradúa la conductancia del
canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de
salida en la carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la
Tensión presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es
análogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta,
Drenador y Fuente son Reja, Placa y Cátodo.

Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a
gran escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y
en varias capas superpuestas.

Circuito y recta de carga

Para que una señal esa amplificada tenga que ser una señal de corriente alterna.

No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, porque ésta no lleva
ninguna información.

En un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de

corrientes (alterna y continua).

La señal alterna es la señal a amplificar y la continua

sirve para establecer el punto de operación del
amplificador.

Este punto de operación permitirá que la señal

amplificada no sea distorsionada.
En el diagrama se ve que la base del transistor está conectada a dos resistores
(R1 y R2).

Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que permite tener en la base
del transistor un voltaje necesario para establecer la corriente de polarización
de la base.

- La ganancia de voltaje es:

ΔV - Vout / Vin =  - Rc / Zin.
(El signo menos indica que Vout está 180° fuera de fase con al entrada Vin)

- La ganancia de corriente es:

ΔI = (Vout x Zin) / (Vin x Rc) = ganancia de voltaje x Zin / Rc

- La ganancia de potencia es = ganancia de voltaje x ganancia de corriente

=
ΔP = ΔV x ΔI

- Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que normalmente no es un valor

alto (contrario a lo deseado)
- Zo (impedancia de salida) =  Rc
- La salida está 180° desfasada con respecto a la entrada (es invertida)

Notas:
 - β = hfe  son parámetros propios de cada transistor
- hie = impedancia de entrada del transistor dada por el fabricante.

Amplificadores Como Transistor

El amplificador es un circuito que recibe una señal eléctrica y entrega una señal de
mayor amplitud, pueden ser amplificadores de voltaje o de corriente. La estructura
es la siguiente:

Los circuitos de acoplamiento son:

DIRECTO         POR CONDENSADOR              POR TRANSFORMADOR

El más usado es el acople por condensador, y lo que se busca es que el

condensador se comporte como corto circuito a la frecuencia de trabajo esto
significa en la práctica hacer:
Xc < (1/10)(ZOA + ZiB )

Donde:

ZOA = Impedancia de salida del circuito A

ZiB = Impedancia de entrada del circuito B

Para establecer una teoría sobre el comportamiento de un transistor amplificado

con señal AC, se han realizado mediciones a cada
transistor y se han establecido unas curvas estándares
que se llaman las características de entrada y salida de
transistor, a continuación hay un ejemplo de las curvas
para la llamada configuración de emisor común.

Las curvas características han llevado a un modelo

matemático del circuito de un transistor

Los modelos indicados son para el modelo por r e (resistencia dinámica de emisor),
existe también el modelo por parámetros híbridos. Al modelo se analiza cuando
está conectado a las resistencias de polarización, los condensadores se
consideran corto circuito y las fuentes DC se hacen cero por aplicación del
principio de superposición.

El modelo de resistencia dinámica de emisor nos planteo que el diodo BE se

comporta una resistencia re, que no es de valor fijo sino depende de la corriente
que esté pasando por del diodo, en general se aproxima r e por la siguiente
relación: re = 26mv / IE

IE es la corriente de emisor calculada en la polarización DC del transistor.

 Características De Un Amplificador

Todos los amplificadores electrónicos tienen cuatro características principales; que

relacionan las variables presentes en los terminales del amplificador:

Vi, ii : Voltaje y corriente de entrada

Vo,io : Voltaje y corriente de salida

Las características son:

o Zi = Vi / ii :Impedancia de entrada, es una medida de

cómo el amplificador carga el circuito que le entrega energía.
o Zo = Vo / io |vi=0 : Impedancia de salida es una medida
de que tan bueno es el amplificador como fuente de energía frente al
circuito al cual entrega energía.
o Av = Vo /Vi :Ganancia de voltaje sin carga, es una
medida de cuanto amplifica el voltaje Vi generando un voltaje Vo.
o Ai = io /ii :Ganancia de corriente sin carga, es una
medida de la amplificación de la corriente.

Cuando se conocen estos valores se establece un circuito equivalente en el que el

amplificador se comporta como una resistencia en los terminales de entrada y un
circuito Thevenin o Norton a la salida.

Aplicaciones del transistor

Una vez polarizado en DC un transistor se le agregan voltajes a través de fuertes

variables y otros elementos de circuito y el transistor entrega energía a otros
circuitos, en algunos casos se adicionan al circuito condensadores, bobinas,
transformadores que hacen que los transistores tengan miles de aplicaciones, las
más usuales son amplificadores, filtros activos, osciladores, atenuadores,
moduladores, operaciones lógicas, etc.

Las aplicaciones más útiles que usen más de un transistor se han convertido en
circuitos integrados, donde se tiene más facilidad y seguridad en la polarización y
hay mayor versatilidad en las aplicaciones. Según el estado de funcionamiento de
los transistores se tienen dos grandes familias de integrados que son: lineales y
digitales.

La ganancia total del amplificador en cascada se obtiene del producto de las

ganancias de la etapa Av1 y Av2

Metodología :

1. Analizar el circuito.

2. Obtener el circuito equivalente para CD

3. Obtener el circuito para CA y analizarlo.

4. Obtener el Análisis para Baja frecuencia

5. Obtener el análisis para Alta frecuencia

6. Obtener Zo1, Zo2, Zi1, Zi2, AV1,AV2,AVT

7. Convertir AV1 y AVT a dB

8. Simular el circuito.

-Realizar el análisis en frecuencia.

-Análisis de la grafica de bode.

Circuito Original
Análisis

Cálculos para CD

Para analizar el circuito utilizamos el teorema de superposición, analizando

primero para CD y luego para CA.
Análisis de la Malla 1

Análisis para AC

Modelo hibrido para CA

Para la primera etapa:

Para la segunda etapa:

Ganancia total
Análisis a Baja Frecuencia

Circuito de ca baja frecuencia

Primera etapa
Segunda etapa
ALTA FRECUENCIA

Modelo equivalente para alta frecuencia

OBTENCION DE FHi (ETAPA 1)

 Ri = Zi =
RTh1 = Rs ll756.77 Ω
=
R1 llll Ri
Rs 599.2
R1 = Ω=
RTh1 = 339.42
Ci1 = Cwi1 + Cbe1 + (1-Av) Cbc1 = 7pF + 20pF + (1-(-79.7
Ci1 = 511.32 pF
FHi +
= 930.75K
=
1 Hz
OBTENCION DE FH01

RTH2 = Rc1 ll R’1 ll Ri2

Rc1
RT ll R’1 = = 2.98 kΩ
h2 = 502.41 Ω
Co1 = =Cwo1 + Cce1 + Cmo1
Co1 = 11pF + 10pF + (1) 6pF
- = 27.07 pF
fHo1 = = = 11.70 KHz
OBTENCION DE FHi (ETAPA 2)

FH01 = FHi2 = 11.70 KHZ

OBTENCION DE FH0 (ETAPA 2)
 fHo2 = =
1.83 kΩ
RTh2 = Rc2 ll Rc =
Av2 = -241.57

Co = Cwo
) 6pF
2
+ Cce
= 27.02
2 pF2 + Cmo2

Co2= 11pF + 10pF + (1- = 8.07mHz

fHo2 =

Resultados obtenidos en la simulación

Circuito Original
Forma de onda de entrada

FORMA DE ONDA a 1 khz

For
ma de onda a 1mhz

Forma de onda de salida de la segunda etapa

Forma de onda a 1 khz

F
orma de onda a 1 MHz

GRAFICA DE BODE
Simulación
 Tablas-resumen de los datos obtenidos.

Valor VE IB IE
[V] [A] [A]
Medido(simulación 3.787 V 33.21 uA 4.161 mA
)
Calculado 3.156 V 34. 347 uA 3.469 mA

Vi Vo
Vpp 50mV 7.867mV
Vp 25mV 3.933mV
Vrms 17.66mV 3.75 V

TABLA COMPARATIVA TABLA COMPARATIVA BAJA FRECUENCIA

ALTA FRECUENCIA
FLs 117.30 Hz
FHI1 930.75KHz
FLc 43.2360 Hz

FLE1 = FLE2 1.75 KHz

FHO1 11.70KHz

FLc2 20.6694 Hz

FHI2 11.70KHz

FHO2 8.07MHz
FRECUENCIA VOLTAJE DE SALIDA (Vp)
1KHz 3.175 V
10KHz 776.1mV
100KHz 1.241 V
1MHz 809.5mV
10MHz 467.8mV
100MHz 2.591V