Вы находитесь на странице: 1из 8

Силовая Электроника, № 3’2012 Силовая элементная база

Продолжение. Начало в №1’2012

Диоды и тиристоры —
это очень просто
Часть 3. Защита выпрямителей

Арендт Винтрич Снабберная схема разом: ILM = (Vv × √2)/R, хотя его реальное значение
(Arendt Wintrich) с дополнительным диодным мостом всегда будет меньше благодаря наличию активного
и индуктивного сопротивления цепи.
Ульрих Николаи Для защиты трехфазных схем чаще всего исполь- В большинстве случаев дополнительный выпря-
(Ulrich Nicolai) зуется одиночная RC-цепь, подключаемая через до- митель строится на основе маломощных диодов или
полнительный диодный мост (пример такого реше- моста с ударным током 150–300 А (в течение 10 мс),
Вернер Турски ния показан на рис. 1). Номиналы R и C могут быть радиатор при этом не требуется, поскольку в продол-
(Werner Tursky) определены с помощью приведенных ниже выраже- жительном режиме мощность практически не рас-
ний для снабберных цепей, размещаемых по входу сеивается.
Тобиас Райманн выпрямителя. Мощность резистора в такой схеме,
(Tobias Reimann) как правило, не превышает 2 Вт. Диод D7 исполь-
Выпрямители без
зуется в некоторых случаях для снижения нагрузки
гальванической развязки
Перевод и комментарии: на снаббер, вызванной протеканием гармонических
Андрей Колпаков токов, что актуально при фазовом управлении ти- Во многих практических применениях выпря-
ристорным мостом. Резистор R1 нужен для быстрого мители подключаются к питающей сети через ав-
Andrey.Kolpakov@semikron.com разряда конденсатора после выключения устройства, тотрансформаторы или дроссели. Кроме обеспечи-
его номинал и мощность рассеяния Pv определяются ваемой трансформатором гальванической изоляции,
следующим образом: использование этих элементов позволяет ограни-
чить токи короткого замыкания, устранить провалы
R1 ≈ 107/(C × f), питающего напряжения, снизить уровень перена-
пряжений и ограничить скорость их нарастания.
Pv = 2Vv2/R1. Для решения данных задач индуктивность дроссе-
ля L должна быть достаточно большой, обеспечива-
Максимально допустимое значение тока дополни- ющей напряжение КЗ не менее 4% от величины Vv:
тельных диодов D1–D7 (время проводимости t = RC)
должно в два раза превышать предельный ток на- L ≥ 0,004 × Vv/(2πf × Iv),
грузки ILM, протекающий через конденсатор С при
включении. Для наихудшего случая (запуск при пи- где Iv — эффективное значение фазного тока.
ковом напряжении) он определяется следующим об- Если в схеме есть автотрансформатор, то уста-
новка дросселей не требуется, однако предельное
положение движка должно быть ограничено таким
образом, чтобы между сетью и выпрямителем всегда
оставалась определенная индуктивность.
АС-снабберы в бестрансформаторных схемах нор-
мируются по тем же правилам, выходная мощность
PT рассчитывается на основе значений фазного тока
и напряжения Vv и Iv для «воображаемого» транс-
форматора, таким же образом определяется и зна-
чение тока намагничивания ε.

Снабберные цепи
для регуляторов тока (схема W1C)
Схема регулятора тока (АС-контроллера) W1C
содержит два антипараллельных тиристора. Ячейка
Рис. 1. АСснаббер с дополнительным диодным W1C всегда работает совместно со снаббером, в про-
мостом стейшем случае это RC-цепь (рис. 2), причем емкость
с номиналом более 1 мкФ следует подключать через

www.powere.ru 5
Силовая Электроника, № 3’2012 Силовая элементная база

защита одиночных ключей, то DC- и АС-снаб-


беры могут использоваться совместно. В этом
случае защита работает как емкостная нагруз-
ка, обеспечивая тиристорам надежный запуск
при любых условиях эксплуатации.
Наилучший эффект от использования
снабберов достигается при выполнении сле-
дующих соотношений:
а б
R+RL = 2√(LL/C)
Рис. 2. АСконтроллер: а) с RCснаббером,
б) с индивидуальным снаббером (см. рис. 18 в предыдущей части статьи: если
и предохранителем R = RL, то С = LL/RL2), где LL — индуктивность
нагрузки (мкГн); RL — активное сопротивление
нагрузки (Ом); С — снабберный конденсатор
дополнительный диод. Если каждый тири- (мкФ); R — демпфирующий резистор (Ом). Рис. 3. Импульсная вольтамперная
стор имеет свой предохранитель, расчетные Во многих случаях можно использовать характеристика ZnO варистора
значения номиналов снаббера необходимо конденсатор меньшей емкости, при этом R
разделить на два. следует пересчитать в соответствии с при-
Для расчета номиналов R и C можно ис- веденной формулой. Мощность рассеяния ствующее значение предельного напряже-
пользовать следующие формулы: определяется следующим образом: ния при определенном пиковом токе. Выбор
и нормирование параметров варистора долж-
C ≈ 700 × Iv/Vv2, R ≈ 9000/(C × Vv). ны производиться в следующей последова-
тельности:
Мощность, рассеиваемая резистором: • Выбор компонента с соответствующим ра-
бочим напряжением (определенным про-
Р ≈ 3 × 10–6 × С × Vv2 × f. изводителем как эффективное значение):
где VALT — эффективное значение пульсаций амплитуда сигнала несинусоидальной фор-
напряжения в цепи постоянного тока, а fALT — мы не должна превышать заданное в до-
частота пульсаций. Для нахождения номинала кументации эффективное значение сину-
Снабберы в цепи постоянного тока
разрядного резистора R1 (Ом) и мощности рас- соидального напряжения. Это относится
Диодные и тиристорные сборки сеяния используются следующие формулы: и к импульсам постоянного тока, а макси-
Как уже было отмечено, для защиты диод- мальное значение DC-сигнала определяется
ных выпрямителей от перенапряжений до- R1 ≈ 107/C × f, в документации отдельно.
статочно использовать снаббер по DC-выходу • Нахождение напряжения ограничения
(в случае, если сборка не подключена к низ- PV(R1) = VD2/R1, по вольт-амперной характеристике вари-
коиндуктивному звену постоянного тока). стора, для чего необходимо определить
Параметры резисторов и конденсаторов нор- где f — рабочая частота, VD — напряжение пиковое значение ударной нагрузки. Для
мируются в соответствии с указаниями, при- DC-шины. трансформаторов это ток намагничивания,
веденными выше и в настоящем разделе, в за- пересчитанный с учетом коэффициента
висимости от того, в какой цепи (АС или DC) Варисторы трансформации; для индуктивностей —
необходимо подавить всплески напряжения. При производстве варисторов порошко- ток непосредственно перед разрывом цепи.
Если мост может быть отключен от нагрузки, вый полупроводниковый материал подобно Допустимая величина периодически повто-
то по соображениям безопасности следует керамике прессуется и затем спекается в виде ряемого обратного напряжения защищае-
установить разрядный резистор. твердого диска. Нелинейность характеристики мого элемента должна быть выше уровня
Когда диодный выпрямитель имеет по- достигается за счет наличия большого количе- ограничения, найденного по приведенной
стоянную емкостную нагрузку, ее можно ства хаотично расположенных p-n-переходов методике.
рассматривать как снаббер, и никаких допол- в контактных зонах между зернистыми эле- • Определение мощности рассеяния и сравне-
нительных защитных цепей в этом случае ментами структуры. Как правило, варисторы ние с допустимым значением, указываемым
не требуется. Однако если между выходом производятся из оксида цинка ZnO, поэтому в документации при заданной температуре
моста и емкостью установлен сглаживающий их часто называют металл-оксидными, или окружающей среды. Для металл-оксидных
дроссель или предохранитель, то установка MOV (Metal-Oxide Varistors). варисторов потерями мощности на сетевой
снабберной схемы необходима. Нелинейное сопротивление варистора сни- частоте, как правило, можно пренебречь.
Для выпрямителей со средней точкой жается с ростом сигнала, поэтому в сочета- Варисторы не способны снижать скорость
рекомендовано применение АС-снаббера нии с постоянным последовательным рези- нарастания сигнала, поэтому параллельно ти-
с дополнительным мостом, первая половина стором он образует делитель, коэффициент ристорам с низким допустимым значением
которого уже образована плечом основного ослабления которого увеличивается про- dv/dt следует устанавливать RC-снабберы.
выпрямителя. Вторая половина состоит из до- порционально приложенному напряжению.
полнительных маломощных диодов, параме- Для подавления коротких всплесков сигнала Лавинные диоды
тры которых (так же, как и номиналы R, C) вместо сопротивления можно применить Кремниевые лавинные диоды отличают-
нормируются по правилам, установленным индуктивность, в том числе индуктивность ся от выпрямительных тем, что резкое на-
для цепи переменного тока. рассеяния обмотки трансформатора или ре- растание обратного тока при превышении
Как правило, для ограничения перенапря- актора входного фильтра (при прямом под- напряжением определенного уровня (VBR)
жений в тиристорных выпрямителях исполь- ключении к сети). Варисторы используются у них обусловлено не пробоем по поверх-
зуются снабберы, устанавливаемые парал- для подавления сетевых помех, перенапряже- ности кремниевого кристалла, а лавинным
лельно одиночным ключам и в АС-линиях. ний в DC-цепях и даже в качестве одиночных эффектом всей области пространственного
В отдельных случаях может появиться не- снабберов. заряда p-n-перехода. Импульсы обратного
обходимость в установке защитной схемы Типовая характеристика MOV приведена тока малой плотности и длительности могут
в цепи постоянного тока, а когда не требуется на рис. 3, с ее помощью находится соответ- разрушить обычный диод, что вызвано кон-

6 www.powere.ru
Силовая Электроника, № 3’2012 Силовая элементная база

а б
Рис. 4. Схемные обозначения: а) лавинных
диодов; б) двунаправленных супрессоров

центрацией мощности в отдельных точках


на поверхности чипа. Лавинные диоды спо-
собны нормально работать в условиях обрат-
ных токовых импульсов, создающих потери
мощности в диапазоне до единиц киловатт. а б в
Благодаря высокой стойкости к пробою Рис. 5. а) Полууправляемый трехфазный выпрямитель с лавинными диодами; б) однофазный мост
лавинные диоды используются в качестве с двунаправленным супрессором в АСцепи; в) регулятор тока с двунаправленным супрессором
выпрямительных в широком диапазоне при-
менений без защитных снабберов. В высоко-
вольтных схемах они соединяются последова- Супрессоры (TVS) в основном применяют- сопоставляться с токовой характеристикой за-
тельно, при этом статическая и динамическая ся для защиты тиристоров и IGBT в высоко- щищаемого ключа. Следует учесть, что порог
балансировка не требуется. вольтных и мощных преобразователях, где срабатывания выключателя и время-токовая
Производители диодов определяют на- они предпочтительнее RC-цепей по габарит- характеристика предохранителя всегда нор-
пряжение пробоя VBR, а также максимальный ным показателям и потерям мощности. Они мируются для эффективных значений тока,
обратный ток и предельное значение рассеи- могут заменить пассивные снабберы и при в то время как предельные параметры полу-
ваемой мощности PRSM в зависимости от дли- последовательном соединении элементов, проводниковых ключей относятся к пиковой
тельности импульса. При выборе необходимо в этом случае супрессоры обеспечивают как величине полусинусоидального сигнала.
учесть, что величина VBR должна быть выше защитные функции, так и динамическую В течение всего возможного времени ава-
амплитуды рабочего напряжения во всех ре- токовую балансировку. Однако если необхо- рии порог срабатывания выключателя должен
жимах работы. Возникновение непериоди- димо ограничение скорости нарастания на- быть меньше допустимого тока перегрузки
ческих всплесков сигнала, ограничиваемых пряжения, то RC-цепь все равно должна быть выпрямителя. Если это требование выпол-
на уровне VBR, не должно приводить к рас- установлена. Без нее не обойтись и при на- нить невозможно, необходимо использо-
сеянию мощности, превышающему заданный личии очень мощных помех, возникающих, вать дополнительные защитные элементы,
предел для данной длительности импульса. например, при прерывании силового тока например полупроводниковые предохрани-
Напряжение пробоя имеет положительный в дросселе или обмотке трансформатора. тели, которые применяются в первую оче-
температурный коэффициент и увеличива- Кремниевые лавинные диоды не способны редь для прерывания короткого замыкания,
ется при нагреве: поглощать высокоэнергетические всплески но в некоторых случаях они могут обеспечи-
напряжения, однако их параллельная работа вать и защиту от перегрузки. Возможность
VBR1 = VBR0 × [1+1,2 × 10–3 × (T1–T0)], с RC-снаббером обеспечивает очень эффек- этого определяется путем сравнения время-
тивную защиту. токовой кривой предохранителя для опреде-
где VBR1 и VBR0 — уровень ограничения при ленной длительности аварийного состояния
температуре T1 и T0. и допустимого тока перегрузки защищаемого
Защита выпрямителей
Когда лавинные диоды используются для полупроводникового элемента.
от токовых и тепловых перегрузок
защиты других полупроводниковых компо- В управляемых преобразователях функции
нентов (тиристоры, IGBT, MOSFET), важно Защита по току защиты в большинстве случаев возлагаются
принять во внимание не только минималь- В этой главе мы рассмотрим вопросы защи- на драйвер, который блокирует контрольные
ное, но и максимальное значение VBR. Кроме ты полупроводникового выпрямителя от то- импульсы в случае возникновения аварии.
того, необходимо обеспечить определенную ковой перегрузки, которая может привести Некоторые схемы управления могут ограни-
скорость нарастания характеристики выклю- к его разрушению. Величина предельного чивать ток перегрузки на допустимом для дан-
чения в зоне пробоя. рабочего тока нормируется для конкретных ного режима работы уровне, который должен
Управляемые лавинные диоды существу- условий охлаждения. В отличие от почти выбираться так, чтобы не допустить перегрев
ют в различных вариантах, к которым, кроме мгновенного режима короткого замыкания кристаллов. Однако драйверы, как правило,
собственно лавинных, относятся ограничи- (КЗ), который будет рассмотрен далее, пере- не способны обеспечить защиту от тока КЗ,
вающие диоды (clamping diodes) и подавители грузка имеет конечное время нарастания. лавинообразно нарастающего в течение одно-
переходных перенапряжений, или супрессоры Аварийный режим может быть вызван го периода автоколебаний.
(TVS). В то время как первые могут исполь- не только увеличением нагрузки, но и пере-
зоваться для выпрямления и защиты, фикси- гревом, например при отказе вентилятора Тепловая и комбинированная защита
рующие диоды применяются только для огра- или насоса в жидкостной системе охлажде- В системах с принудительным воздушным
ничения обратного напряжения и не могут ния. Соответственно, существуют устройства, охлаждением используются датчики потока,
работать в прямом направлении. Для работы отключающие нежелательный выходной ток, формирующие сигнал неисправности при
в цепях переменного тока выпускаются двуна- следящие за нормальной работой охлаждаю- отказе вентилятора. Аналогичные сенсоры
правленные супрессоры (рис. 4б), состоящие щей системы, а также комбинированные. существуют и для контроля движения тосола
из двух элементов, включенных встречно- Для прерывания состояния перегрузки в жидкостных радиаторах.
параллельно. Если лавинные диоды работают чаще всего используются автоматические вы- Разрушение силовых полупроводников
в качестве выпрямительных, то необходимо ключатели, содержащие тепловые, магнитные в условиях перегрузки (мы не рассматриваем
учесть, что при нормировании допустимой и термомагнитные размыкатели. Как и у пре- перенапряжение) всегда является следстви-
обратной мощности из предельной величины дохранителей, время их отклика обратно про- ем перегрева, независимо от вызвавшей его
следует вычесть статические потери в прямом порционально протекающему току и не пре- причины, будь это всплеск тока или отказ
направлении. Примеры схем с использовани- вышает 1 с. Производители приводят это системы охлаждения. Поэтому наиболее эф-
ем лавинных диодов приведены на рис. 5. соотношение в виде кривой, которая должна фективными являются защитные устройства,

www.powere.ru 7
Силовая Электроника, № 3’2012 Силовая элементная база

В мостовых схемах каждые два полупрово-


дниковых ключа имеют общий АС-терминал,
поэтому для их защиты достаточно установки
одного «фазного» предохранителя в питаю-
щей линии (рис. 7в, г). Преимущество этого
решения состоит еще и в том, что всплеск на-
пряжения, образующийся при его сгорании,
не воздействует ни на один из выпрямитель-
ных элементов. Однако при работе диодов
а б в и тиристоров с большими токами и напря-
жениями одновременно бывает достаточно
Рис. 6. Биметаллические предохранители для подключения к радиатору: а) с НЗК в исходном трудно найти предохранитель с нужными
положении; б) он же после повышения температуры до порогового значения — центральный диск номинальными характеристиками (эффек-
поднимается, размыкая контакт; в) с НРК, после достижения температурой порогового значения тивный фазный ток в √2 раз выше, чем в от-
центральный диск поднимается, замыкая контакт дельном плече) и подходящий по параметру
i2t. В этом случае приходится защищать каж-
дый ключ отдельно (рис. 7а, б). Отметим, что
способные непосредственно контролировать ние. Они способны находиться в таком состо- для регуляторов тока общего предохранителя,
температуру радиатора, корпуса модуля или янии в течение 6–10 мкс, после чего аварийное как правило, бывает достаточно (рис. 7г).
полупроводниковых кристаллов. состояние необходимо прервать. В качестве При соединении диодов или тиристоров
Биметаллические предохранители (термо- критерия опасной токовой перегрузки IGBT/ в параллель для повышения тока каждый
статы) содержат две пластины с разным ко- MOSFET удобнее всего использовать напряже- из полупроводниковых компонентов должен
эффициентом теплового расширения. При ние насыщения (VCE_sat/VDS_on), что и делается иметь свой предохранитель. В этом случае,
повышении температуры до определенного большинством схем управления. В отличие если один из силовых ключей или элементов
уровня биметаллический элемент перемеща- от этих силовых ключей, диоды и тиристоры защиты неожиданно выходит из строя, вы-
ется из одного положения в другое, замыкая не имеют свойства самоограничения, поэтому прямитель продолжает функционировать
или размыкая контакт (рис. 6). Обычно та- для обнаружения состояния КЗ необходимо (при пониженной мощности). Кроме того,
кие устройства устанавливаются на радиатор применять внешние датчики. наличие активного сопротивления предохра-
с помощью резьбового соединения, причем Кремниевые чипы тиристоров и диодов нителей в какой-то степени компенсирует раз-
размещать их нужно максимально близко имеют очень низкую теплоемкость, поэто- брос характеристик диодов/тиристоров, что
к полупроводниковому модулю. Если пре- му мощные и быстрые броски тока могут способствует лучшему выравниванию токов,
образователь содержит несколько ключей разрушить их в течение нескольких милли- особенно в режиме перегрузки.
на разных теплоотводах, то термостаты сле- секунд. Обычные низковольтные предохра- Предполагается, что короткое замыкание
дует устанавливать на каждом из них, соеди- нители, в том числе быстродействующие, является очень редким событием, однако
нив выходы последовательно или параллель- не способны обеспечить защиту выпрями- в некоторых применениях оно может проис-
но в зависимости от типа контакта (НЗК или телей в таком режиме. Для этой цели пред- ходить достаточно часто. В этом случае в до-
НРК). В системах жидкостного охлаждения назначены специализированные сверхбы- полнение к плавким предохранителям необ-
целесообразно использовать дополнитель- стрые (super-fast) и ультрабыстрые (ultra- ходимо использовать быстродействующий
ный биметаллический предохранитель, от- fast) плавкие, а также полупроводниковые автомат защиты в силовой DC-цепи, а также
ключающий систему циркуляции воды, пока предохранители. устройство, блокирующее управление тири-
не достигнута заданная температура радиа- Как правило, причиной возникновения сторов при обнаружении аварии.
тора. Это позволяет исключить образование аварийного состояния является КЗ нагрузки, Преобразователь должен проектироваться
конденсата на изолированных частях сило- пробой одного из ключей моста или ошибка таким образом, чтобы в случае КЗ полупро-
вых модулей. в схеме управления. Если полупроводниковый водниковые модули были способны выдер-
Достоинством терморезисторов является элемент защиты установлен последовательно живать токовую перегрузку до срабатывания
быстрая реакция на изменение температуры, с каждым диодом и тиристором, то их отказ автомата защиты. Для блокировки сигнала
что позволяет уменьшить разницу рабоче- исключен во всех упомянутых выше случаях. драйвера необходимо обеспечить управляе-
го тока и порогового значения в аварийном Одновременно оказываются в безопасном мость тиристора на максимально возможное
режиме. Однако при этом требуется допол- состоянии и все остальные элементы схемы, время, вплоть до момента перехода тока через
нительная электронная схема, отключающая поскольку реакторы, трансформаторы, рези- ноль. Очевидно, что быстродействие схемы
выпрямитель при соответствующем изме- сторы и т. д. гораздо в меньшей степени чув- защиты должно быть выше скорости комму-
нении сопротивления, например состоящая ствительны к перегрузке по току. тации силовых ключей.
из резистивного моста и компаратора.
Термодатчики часто входят в состав си-
ловых модулей; как правило, чип-резистор
с положительным (РТС) или отрицатель-
ным (NTC) температурным коэффициентом
напаивается на изолирующую подложку.
Интегральные сенсоры гораздо чувствитель-
нее и быстрее предохранителей, устанавливае-
мых на радиаторе и не способных отреагиро-
вать, например, на перегрев чипов, вызван-
ный кратковременным броском тока.

Защита от короткого замыкания а б в г


При коротком замыкании нагрузки IGBT/
MOSFET-структуры переходят в линейный ре- Рис. 7. Возможные схемы подключения полупроводниковых предохранителей: а, в) в мостовых
жим, ограничивая ток КЗ на уровне, в шесть- выпрямителях; б, г) в регуляторах тока
десять раз превышающем номинальное значе-

8 www.powere.ru
Силовая Электроника, № 3’2012 Силовая элементная база

• Преддуговая i2t характеристика (i2t)ра — ин-


теграл от квадрата ожидаемого тока за пред-
дуговое время:

Зависит от начальной температуры и ожи-


даемого тока КЗ и не является времязависи-
мой при tpa< 10 мс.
• Характеристика i2t гашения дуги (i2t)а — ин-
теграл от квадрата ожидаемого тока за вре-
мя горения:
ta

(i t) = ∫ I
2
a
2
p dt .
t pa

Зависит от напряжения восстановления,


ожидаемого тока и коэффициента мощности.
Рис. 8. Конструкция полупроводникового предохранителя • Рабочая i2t характеристика (i2t)ор — сумма
предыдущих двух значений.
• Виртуальное время tvрa, tva, tvoр — результат
Полупроводниковые предохранители: • Ожидаемый ток IР — теоретическое значе- от деления соответствующей величины i2t
конструкция (рис. 8), термины ние тока при замене предохранителя пере- на квадрат ожидаемого тока, например:
и методика нормирования параметров мычкой с нулевым сопротивлением (пун-
• Номинальное напряжение VN — макси- ктирная линия на рис. 9). tva = (i2t)a/I2p.
мально допустимое рабочее напряжение • Ожидаемый ток КЗ IРS — эффективный
(постоянное или эффективное частотой ожидаемый ток в условиях КЗ, происходя- • Напряжение переключения VаМ — пиковое
50–60 Гц), допускается его кратковремен- щего непосредственно за предохранителем. напряжение на выводах при срабатывании
ное превышение на 10%. При несинусои- Эта величина необходима для определения предохранителя, зависит от рабочего напря-
дальной форме сигнала ни его амплитуда, значения I2t. жения и коэффициента мощности схемы.
ни эффективное значение не должны быть • Преддуговое время tpa — время между нарас- Чем быстрее выключается предохранитель,
больше VN или его квадратного корня. танием тока до величины сгорания плавкой тем выше величина VаМ.
• Номинальный ток IN — максимально до- вставки и началом дугообразования (рис. 9). • Напряжение восстановления VWRMS — на-
пустимый продолжительный рабочий ток, • Время дугообразования ta — время горения пряжение на выводах предохранителя после
не приводящий к срабатыванию предохра- дуги. прерывания тока.
нителя. • Время срабатывания tор — сумма преддуго- Протекание тока короткого замыкания
• Номинальный ток срабатывания IPM — мак- вого времени и времени горения дуги. приводит к срабатыванию предохранителя
симальный ожидаемый ток, при котором • Время-токовая характеристика — зави- в случае, если величина ILT меньше пиково-
предохранитель может сработать в опреде- симость виртуального преддугового вре- го значения ожидаемого тока КЗ I PS (при-
ленных условиях. мени или времени срабатывания от эф- мер на рис. 9). Когда это произойдет, зави-
• Ток пропускания (предохранителя) ILT — мак- фективного значения ожидаемого тока сит не только от свойств предохранителя,
симальный пиковый ток, достигаемый в про- в определенных условиях. Как правило, но и от режима перегрузки и рабочей часто-
цессе срабатывания предохранителя и предот- нормируется при начальной температуре ты fmain. При малом значении IPS преддуговое
вращающий достижение значения IPM (рис. 9). +20 °С. время превышает четверть периода fmain, то же
Примечание: это значение никак не связано • i2t (интеграл Джоуля) — интеграл квадрата самое наблюдается на частотах выше 100 Гц,
с прямым током диода или тиристора! тока за определенный период времени. при этом отключения тока не происходит.
При нормировании параметров полупро-
водниковых предохранителей следует учиты-
вать следующие факторы:
• номинальный ток;
• номинальное напряжение;
• рабочее значение i2t;
• напряжение переключения.
Предохранитель должен сохранять целост-
ность при длительном протекании номиналь-
ного тока в определенных условиях, к которым
относится, например, температура окружаю-
щего воздуха +20 °С (при его беспрепятствен-
ной циркуляции) и максимальная плотность
тока 1,6 А/мм2. При повышении температуры
или удельной нагрузки величина допустимого
тока снижается в большинстве случаев до 90%
от номинального значения. Некоторые про-
изводители приводят в спецификациях соот-
ветствующие формулы или графики.
Чтобы убедиться в том, что предохранитель
Рис. 9. Токовая характеристика аварийного срабатывания полупроводникового предохранителя не будет перегружен в конкретных условиях
с фиксацией тока (пропускаемый ток ILT меньше ожидаемой величины отключения); преддуговое время работы, производители рекомендуют измерить
+ время дугообразования = время срабатывания напряжение на нем под полной нагрузкой спу-
стя 5 с после включения (V5s) и еще раз через

www.powere.ru 9
Силовая Электроника, № 3’2012 Силовая элементная база

гаемся направо по горизонтали до пересече-


ния с графиком для IN = 400 A и далее по вер-
тикали до пересечения с кривой IG/IN = 0,4.
Соответствующая точке пересечения коорди-
ната «х» дает требуемый результат: допустимое
значение тока перегрузки IOV = 1,75IN.
При коэффициенте Kovl, превышающем 2,5,
необходимо различать редкие и периодические
(частые) изменения тока. В первом случае доста-
точно использовать преддуговые характеристи-
ки (учитывая, что они относятся к ta = +20 °C),
чтобы определить, приведет ли перегрузка
к срабатыванию предохранителя.
При нормировании параметров предохра-
нителя следует одновременно учитывать воз-
можное изменение температуры и пиковый
уровень тока. При периодических или частых
перегрузках с коэффициентом более 2,5 необ-
ходимо проводить специальные испытания,
подтверждающие надежность работы элемен-
та защиты в таких условиях.
Как правило, полупроводниковые предохра-
Рис. 10. Номограмма для определения допустимой перегрузки полупроводниковых предохранителей нители используются в сетях переменного тока,
в прерывистом режиме работы (с базовой нагрузкой или без нее) и под номинальным напряжением понимается его
эффективное значение при синусоидальной фор-
ме сигнала на частоте 50–60 Гц. В DC-цепи их на-
2 ч (V2h). Очень важно, чтобы при всех изме- (при наличии постоянной нагрузки или без нее) хождение под номинальным напряжением до-
рениях ток был одинаков. Поскольку активное режимов работы. Если длительность рабоче- пустимо только в течение 50–80% (в зависимости
сопротивление предохранителя зависит от на- го цикла ts (сумма интервалов проводимости от типа) от общего времени работы. Доступные
грева, величины V5s и V2h дают информацию t1+t2+… и пауз между ними) меньше 1 мин., на рынке предохранители имеют значение VN
об изменении его температуры в процессе ра- а коэффициент перегрузки Kovl не превышает до 2000 В, есть специальные исполнения на 3000 В,
боты. Защитный элемент не будет перегружен 2,5, то можно пользоваться среднеквадратичной допускается последовательное включение при вы-
при выполнении следующего условия: величиной IRMS из следующего соотношения: полнении следующих условий:
• в состоянии КЗ преддуговое время должно
V5s/V2h × (1+0,004 × Ta)/1,14 ≤ N, IRMS = (IRMS1 × t1+IRMS2 × t2+…)/ts. быть меньше 10 мс;
• коэффициент использования напряжения
где Ta — температура окружающего воздуха Однако если ts >1 мин., то данный режим должен быть не более 90%;
в °С, а N — константа, определяемая произ- следует рассматривать как непрерывный, в за- • предохранители следует подбирать по вели-
водителем. висимости от мощности предохранителя это чине активного сопротивления, при выходе
Как было отмечено выше, под номинальным относится к интервалам проводимости дли- одного из них из строя следует заменять все
током понимается эффективное значение сину- тельностью до 10–20 мин. На рис. 10 показана последовательные элементы, независимо
соидального сигнала. В реальных применениях номограмма, позволяющая графическим ме- от их состояния.
форма тока отличается от синусоидальной, одна- тодом определить величину тока перегрузки Рабочая характеристика i2t предохраните-
ко использование справочных норм, как прави- для прерывистого режима работы. ля нормируется при начальной температуре
ло, при этом допустимо. В отдельных специфи- Пример: t on = 10%, t s = 10 c, I N = 400 A, +20 °С в зависимости от напряжения восста-
ческих случаях величину допустимой нагрузки IG = 0,4IN (базовый ток нагрузки). новления VWRMS для определенных условий
необходимо согласовывать с производителем. Начинаем от точки пересечения кривых для КЗ и коэффициента мощности (рис. 11). Она
Полупроводниковые предохранители рассчи- ts = 10 c и ton = 10% на левой диаграмме и дви- достигает максимума при напряжении вос-
таны на работу с токами до 630 А, существуют
версии, допускающие нагрузку до 1600 А. В бо-
лее мощных устройствах они могут соединяться
параллельно, при этом следует отбирать предо-
хранители по величине сопротивления или сни-
жать ток до 80% от номинального значения. При
подключении слотов необходимо использовать
провода одного типа и равной длины. Следует
также учесть, что при параллельном соединении
удваивается не только номинальная нагрузочная
способность, но и величина тока ILT, приводя-
щего к срабатыванию предохранителя в течение
определенного времени. Соответственно i2t воз-
растает в четыре раза, что относится как к пред-
дуговому, так и к рабочему значению.
Номинальный ток предохранителя нормиру- а б
ется для сетевой частоты в диапазоне 40–60 Гц, Рис. 11. а) Рабочая i2t характеристика (i2t)op, деленная на коэффициент k, в зависимости
при ее уменьшении необходимо снижать и ве- от отношения ожидаемого тока КЗ IPS к номинальному значению IN для предохранителей на 35–200 А;
личину допустимой нагрузки. Действительно б) коэффициент k в зависимости от напряжения восстановления VWRMS. Кривые, показанные
сложной задачей является определение параме- на рисунке, справедливы при cos ϕ = 0,15
тров для кратковременного или периодического

10 www.powere.ru
Силовая Электроника, № 3’2012 Силовая элементная база

становления, равном максимальному номи- важно, чтобы полупроводниковые компо-


нальному значению VN. При использовании ненты были выбраны с учетом возможных
предохранителя в цепи постоянного тока перегрузок; необходимо также убедиться,
текущее значение (i2t)ор также зависит от по- что они способны выдержать напряжение
стоянной времени τ = L/R цепи КЗ. выключения двойной амплитуды.
Пример: IN = 125 A, IPS = 20IN, VWRMS = 410 B. Пример ситуации, возникающей при отказе
По кривой рис. 11а определяем, что (i2t)/k = тиристора № 2, показан на рис. 14 (в момент
1 × 104 A2c, по кривой рис. 11б находим k = 0,8. аварии ключи 1 и 5 находятся в проводящем
Следовательно, (i2t)op = 0,8 × 104 = 8000 A2c, состоянии). При установке предохранителей
что является требуемым значением параметра а б последовательно с каждым компонентом (а)
i2t предохранителя. к тиристору 4 будет приложена сумма комму-
Рабочая характеристика i 2 t полупрово- Рис. 13. Цепь КЗ при потере блокирующей тационных напряжений от предохранителей
дникового предохранителя при его выборе способности тиристора в трехфазном мосте: 1 и 2; а к тиристорам 3 и 6 — только сигнал
не менее важна, чем номинальный ток и на- а) с элементными предохранителями; от предохранителя 2. При использовании фаз-
пряжение; в конкретных условиях работы б) с фазными предохранителями. В обоих ных элементов защиты (б) коммутационные
эта величина должна быть меньше, чем зна- случаях два элемента защиты соединены всплески замыкаются через проводящий ключ
чение i 2t защищаемого выпрямителя. Как последовательно в цепи КЗ 1 и замкнутый ключ 2, на остальных тиристо-
правило, для проверки достаточно сравнить рах перенапряжение отсутствует.
интеграл Джоуля «холодного» предохрани-
теля (при +20 °С) и «холодного» полупро- ля (рис. 13). В этом случае VWRMS составляет
водникового элемента (при T j = +25 °С), только 50% напряжения, прикладываемого
поскольку i 2t предохранителей снижается к цепи короткого замыкания, однако с учетом
с ростом нагрузки быстрее, чем у диодов неравномерного распределения сигналов ре-
и тиристоров. комендуется нормировать параметры для 60%
В области режимов короткого замыкания от номинальных значений.
(например, при десятикратном превышении Поскольку рабочая величина i2t зависит
номинального тока) время срабатывания от отношения VWRMS/VN, ее существенное
предохранителей составляет 5–10 мс, а ха- снижение может быть обеспечено (для опре- а б
рактеристика i2t выпрямителей нормируется деленного номинального тока) при использо-
для периода времени 8–10 мс. Если элемент вании предохранителя с бóльшим значением Рис. 14. Напряжение коммутации
защиты включается быстрее, чем за 8 мс, VN, чем это нужно в схеме. Напряжение вос- на выключенных предохранителях при КЗ
то рекомендуется снизить величину i2t полу- становления составляет только часть от но- вследствие отказа тиристора 2:
проводникового ключа на 10–20%. Рабочее минального значения, поэтому и уровень i2t а) схема с элементной защитой;
значение этого параметра для предохрани- получается низким. Однако при увеличении б) схема с фазной защитой
теля не является времязависимым в данных номинального напряжения предохранителя
условиях, однако необходимо учесть сильную величина VаМ также растет.
зависимость интеграла Джоуля от коэффи- Если неисправность конвертера вызвана Перенапряжения, возникающие в мостовых
циента мощности цепи КЗ (типовой график ошибкой в схеме управления, входной и вы- схемах на фазных предохранителях (рис. 14б),
показан на рис. 12). Цепь короткого замыка- ходной сигналы могут сложиться. В этом слу- не прикладываются к полупроводниковым
ния в конвертере, как правило, имеет cos ϕ чае напряжение на участке КЗ составит при- элементам, в то время как при срабатывании
в диапазоне 0,3–0,35. Если рабочее значение мерно 1,8 от рабочего напряжения перемен- предохранителей в схеме рис. 14а на работаю-
i2t предохранителя определено для cos ϕ ≥ ного тока, что необходимо учитывать при щие диоды и тиристоры попадает напряжение
0,2, то приведенная кривая применима почти выборе основных параметров предохраните- переключения двух последовательных эле-
к каждой практической схеме. лей: VN и VWRMS. ментов защиты. В этом случае силовые клю-
Как было сказано выше, рабочая характери- Если в схеме с параллельным соединением чи (и их снабберы, не показанные на рис. 14),
стика i2t зависит от напряжения восстановле- выпрямителей единственной задачей элемен- должны иметь соответствующую блокирую-
ния VWRMS (рис. 11). Необходимо учесть, что та защиты является исключение неожиданно щую способность.
на практике в линии КЗ, как правило, нахо- отказавшего диода или тиристора, то величи-
дятся два последовательных предохраните- на i2t предохранителя может быть больше, чем
у полупроводникового компонента. Однако
она все равно должна быть как можно ниже,
чтобы предотвратить его «внешнее» разру-
шение слишком большим током КЗ, который
может стать источником дугового разряда,
распространяющегося по расположенным
рядом деталям.
При срабатывании предохранителя на нем
возникает всплеск сигнала, называемый на-
пряжением переключения (VaM), уровень ко-
торого зависит от величины VWRMS и коэф-
фициента мощности (пример на рис. 15). Как
показано в примере на рис. 14, в одной схеме
перенапряжение от сработавшего элемента
защиты прикладывается к отдельным диодам Рис. 15. Пиковое значение напряжения
Рис. 12. Рабочая i2t характеристика или тиристорам, в то время как в другой схе- переключения VaM 500В полупроводникового
предохранителя в отношении ме этого не происходит. Если два предохра- предохранителя в зависимости от напряжения
к ее значению при cos ϕ = 0,15 нителя в цепи КЗ соединены последователь- восстановления (эффективное значение)
в зависимости от коэффициента мощности но, то в худшем случае коммутационные на- VWRMS
пряжения на них могут сложиться. Поэтому

www.powere.ru 11
Силовая Электроника, № 3’2012 Силовая элементная база

Если короткое замыкание нагрузки выпря- ние токов, начиная с момента открывания напряжений на выключенных тиристорах с по-
мителя является достаточно частым событием, и в течение всего периода проводимости. мощью индивидуальных выравнивающих
рекомендуется применение быстродействую- Как было указано ранее, для этого необхо- резисторов и RC-цепочек. Ток, протекающий
щего автомата защиты в цепи постоянного дим мощный импульс управления с крутым через параллельные резисторы, должен в 5–10
тока по выходу моста. Кроме того, требуется фронтом (см. главу «Критическая скорость раз превышать ток утечки полупроводниково-
установка полупроводниковых предохрани- нарастания тока») и симметричный импеданс го ключа в «нагретом» состоянии. Как и в пред-
телей для дополнительной защиты на случай параллельных силовых цепей. Кроме того, ыдущем случае, следует использовать мощные
отказа диода или тиристора. Быстродействие рекомендуется подбирать ключи с низким импульсы управления с крутыми фронтами.
автомата защиты должно быть таким, чтобы разбросом по прямому напряжению. Чтобы Коэффициент использования напряжения для
при КЗ нагрузки он срабатывал раньше пре- учесть возможную асимметрию, коэффици- последовательных элементов должен быть
дохранителей. В нашем случае подобная из- ент использования тока для параллельных не более 90%. Все сказанное относится к вы-
бирательность обеспечивается в случае, если элементов должен быть не более 80%. В не- прямителям любого типа, кроме лавинных
время-токовая характеристика быстродей- которых случаях необходимо снижать ско- диодов, выравнивание напряжений для кото-
ствующего автомата опережает преддуговую рость нарастания тока, что достигается уста- рых, как правило, не требуется.
токовую характеристику предохранителей новкой дросселей в параллельных линиях. Все
во всем рабочем диапазоне. сказанное относится как к тиристорам, так В статье использованы материалы компа-
и к диодам. нии SEMIKRON International GmbH (Application
Последовательное и параллельное Последовательное соединение выпрямитель- Notes for Thyristors and Rectifier Diodes. 2010.
соединение диодов и тиристоров ных элементов используется для повышения http://www.semikron.com/skcompub/en/SID-
При параллельной работе тиристоров очень блокирующей способности. При этом необхо- 51214AA5-1EFC6598/section4_Application_Notes_
важно обеспечить равномерное распределе- димо обеспечить равномерное распределение for_Thyristors_and_Rectifier_Diodes.pdf).

12 www.powere.ru