Институт ИРЭ
Кафедра ФОРС
Научный
руководитель канд. техн. наук профессор БЕЛОВ Л.А.
уч. степень должность подпись фамилия и инициалы
Консультант
уч. степень должность подпись фамилия и инициалы
Дата
Москва, 2020
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
федеральное государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего образования
«Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Институт ИРЭ
Кафедра ФОРС
ЗАДАНИЕ
НА ВЫПУСКНУЮ КВАЛИФИКАЦИОННУЮ
БАКАЛАВРСКУЮ РАБОТУ
Научный
руководитель канд. техн. наук профессор БЕЛОВ Л.А.
2
СОДЕРЖАНИЕ РАЗДЕЛОВ ЗАДАНИЯ И ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
Выполнить обзор литературных источников по вопросам расчѐта и
проектирования усилителей модулированных сигналов СВЧ-диапазона со
средней частотой до 12 ГГц, полосой пропускания до 500 МГц, выходной
мощностью до 30 Вт, усилением до 12 дБ и уровнем внеполосных
интермодуляционных искажений до -25 дБ на основе нитрид-галлиевых
транзисторов для использования в составе бортовой спутниковой аппаратуры
связи.
Создать имитационные модели компонентов транзисторного усилителя
мощности (ТУМ): 1) активного элемента; 2) источника входного сигнала
(монохроматического, двухчастотного и модулированного); 3) входных и
выходных цепей согласования ТУМ с сосредоточенными и с
распределѐнными параметрами; 4) средств управления и измерения
энергетических, спектральных и интермодуляционных характеристик.
Провести имитационные испытания модели ТУМ и его лабораторного
макета.
Подготовить участие и выступить с докладом на МНТК студентов и
аспирантов «РЭЭ-2020» в МЭИ в марте 2020 года.
Разработать электрическую и топологическую схему лабораторного
макета ТУМ с использованием элементной базы преимущественно
отечественного производства.
Выполнить на модели измерения амплитудных, энергетических,
импедансных, шумовых, спектральных и интермодуляционных
характеристик ТУМ для типовых сочетаний параметров окружающей среды
и входных сигналов.
ПЕРЕЧЕНЬ ГРАФИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА
Выпускная работа представляется в виде расчѐтно-пояснительной записки по
требованиям ГОСТ 7.32-2001
Количество листов до 60
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Спутниковая связь и вещание, под ред. Л.Я. Кантора, 3-е изд. -Москва, Радио и
связь, 1997. -528 с.
2. Сечи Ф., Буджатти М. Мощные твѐрдотельные СВЧ-усилители / пер. с англ. / -
Москва: Техносфера, 2015. -416 с.
3. Браннинг Д., Рейит Р. Проектирование широкополосного высокоэффективного
высокочастотного усилителя мощности на основе нитрида галлия / СВЧ-электроника,
2018, № 3 . С. 30 – 36 (www. microwave-e.ru)
Примечания:
1. Задание брошюруется вместе с выпускной работой после титульного листа (страницы
задания имеют номера 2, 3).
2. Отзыв руководителя, рецензия(и), отчет о проверке на объем заимствований и согласие
студента на размещение работы в открытом доступе вкладываются в конверт
(файловую папку) под обложкой работы.
3
Аннотация
В работе рассмотрены литературные источники по возможностям
применения широкополосного транзисторного усилителя мощности (ТУМ) в
составе бортовой спутниковой аппаратуры. С помощью программного пакета
системы автоматизированного проектирования (САПР) Keysight Advanced
Design System произведено имитационное моделирование ТУМ и получена
топология оконечного каскада на нитрид-галлиевом транзисторе серийного
производства. Установлены температурные зависимости работы ТУМ,
получены количественные оценки энергетических, шумовых и
интермодуляционных характеристик.
4
Содержание
ВВЕДЕНИЕ. ЦЕЛЬ РАБОТЫ.................................................................................................................... 6
1 ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ ДЛЯ СПУТНИКОВОГО РЕТРАНСЛЯТОРА ............. 9
1.1 ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БОРТОВОГО УСТРОЙСТВА ......................................................................... 9
1.2 БОРТОВОЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ ......................................................................... 10
1.3 ОБЗОР СХЕМ ТУМ НА ОСНОВЕ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ИЗ НИТРИДА-ГАЛЛИЯ .......................................... 13
1.4 НИТРИД-ГАЛЛИЕВАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ................................................................... 16
1.5 ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 1 ...................................................................................................................... 19
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ..................................................................................................................................... 52
Список использованных источников ........................................................................................... 54
Список сокращений ....................................................................................................................... 56
Список обозначений ...................................................................................................................... 56
ПРИЛОЖЕНИЯ .................................................................................................................................... 58
ПРИЛОЖЕНИЕ А – ПАСПОРТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА.................................................................... 58
5
ВВЕДЕНИЕ. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Усилители мощности используются как для гражданского, так и для
военного применения. Ввиду стремительного развития новых технологий
предъявляются новые требования к современной сверхвысокочастотной
(СВЧ) технике. К усилителям мощности всегда предъявляются типовые
технические требования: высокие значения выходной мощности в
необходимом диапазоне частот, энергетической эффективности -
коэффициента полезного действия (КПД) и коэффициента усиления,
широкая информационная полоса частот, низкая стоимость [1].
Для усилителей мощности в составе бортовой спутниковой
аппаратуры особую актуальность приобретают вопросы:
а) организации теплоотвода, поскольку в состоянии невесомости
отсутствует эффект конвекции;
б) уменьшения массы, габаритных размеров и энергопотребления,
включая источники электропитания;
в) снижения напряжения электропитания для избежания
возникновения электрического пробоя;
г) надѐжности и стойкости к специфическим факторам окружающей
среды – вибрации и перегрузки при выводе на орбиту спутника Земли и
влияния проникающей радиации и космических лучей в процессе длительной
эксплуатации в автоматическом режиме;
д) допустимого уровня интермодуляционных искажений усиливаемых
сигналов и внеполосных мешающих электромагнитных излучений,
нарушающих требования электромагнитной совместимости (ЭМС).
В бортовой спутниковой аппаратуре нашли применение вакуумные
усилители мощности на лампе с бегущей волной (УЛБВ) и транзисторные
усилители мощности (ТУМ) [2] Твердотельные ТУМ имеют определѐнные
преимущества перед вакуумными ввиду их малой массы и габаритных
6
размеров выходного каскада, а также использования низковольтного
источника электропитания. Однако известны и их недостатки: ограничение
частотного диапазона одиночных полупроводниковых активных элементов
высокой мощности; повышенная чувствительность к проникающим
космическим излучениям; ограничение на коэффициент усиления
одиночного выходного каскада значениями 10 -15 децибел [дБ] по сравнению
с 50 дБ для вакуумных УЛБВ.
Для типовых требований основной тенденцией является повышение
мощности и рабочей частоты. Для достижения данной цели существует два
основных пути: разработка методов эффективного суммирования мощности
и повышение мощности активных приборов. В большинстве случаев
разработчики прибегают к методам суммирования мощности отдельных
активных приборов [1]. Считается, что можно разработать усилитель с
малыми потерями за счет более эффективного распределения рассеиваемой
мощности. Однако на практике возможность построения мощного сумматора
с низким уровнем потерь накладывает ограничения на повышение
максимальной несущей частоты и расширение информационной полосы
частот. Работа ТУМ в составе бортового ретранслятора подразумевает
достижения широкой полосы рабочих частот, а значит, методы сложения
мощности существенно затрудняют задачу разработки широкополосных
усилителей.
Чтобы избежать негативных эффектов при построении схемы
сложения мощностей можно увеличивать мощность активных элементов.
Для такой задачи хорошо подойдут гетероструктурные транзисторы с
высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) на основе полупроводниковых
соединений арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN). Эти
технологические решения представляют интерес для их использования в
СВЧ-технике ввиду выявленных возможностей улучшения параметров по
сравнению с полевыми транзисторами с барьером Шоттки (ПТШ).
7
Работа по созданию современных усилителей мощности невозможна
без современных средств автоматизированного проектирования (САПР), а
также компактных моделей транзисторов, которые описывают поведение
транзистора в требуемых диапазонах частот и мощностей.
Цель работы – создание имитационной модели ТУМ для бортового
применения с выходной мощностью 30 Вт в полосе частот 11,7 -12,2 ГГц на
основе разрешѐнного к применению транзистора из нитрида галлия и
исследование вариантов топологии цепи согласования, питания, его
регулировочных и амплитудных характеристик.
Для достижения цели необходимо решить следующие задачи:
1. выполнить обзор литературы по теме работы;
2. обосновать выбор вычислительного пакета САПР, в котором будет
производиться моделирование;
3. подобрать транзистор, подходящий для данной цели и найти его
компактную модель на сайте производителя, либо выбрать ее из
общедоступных библиотек САПР;
4. создать предварительную имитационную модель усилителя мощности;
5. наметить направления дальнейшей работы.
8
1. ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ ДЛЯ
СПУТНИКОВОГО РЕТРАНСЛЯТОРА
11
напряжение 28 В является напряжением питания транзисторов. Данные
напряжения подаются в ТУМ от отдельного блока питания.
Корпус усилителя выполняется из материалов обладающих высокой
теплопроводностью, чтобы эффективно передавать тепло на
теплоотводящую плиту. Внешний вид ТУМ в конечном исполнении без
крышки представлен на рисунке 1.2 взятом из [4].
12
3. Срок активного существования (САС) не менее 15 лет при вероятности
безотказной работы (ВБР) не менее 0,999 и общем сроке службы не
менее 19 лет.
4. Стойкость к радиационным воздействиям в течение всего САС.
5. Стойкость к механическим воздействиям (важна при запуске
космического аппарата).
6. Диапазон температур термостабилизированной плиты от –20 до +50 ℃.
7. Максимальный КПД.
8. Минимальные масса и габариты.
9. Средний тепловой поток через поверхность основания корпуса не
более 0,2 Вт/мм2.
В данном параграфе была рассмотрена работа усилителя мощности
в составе бортового спутникового ретранслятора и обозначены основные
требования, которые предъявляются к ТУМ. Далее следует обратить
внимание на особенности проектирования топологии ТУМ, обзор которых
приведен в следующем параграфе.
13
Рисунок 1.3 – Топология усилителя мощности на основе нитрид-галлиевого транзистора с
высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) от компании Selex Sistemi Intergrati [5]
14
Рисунок 1.4 – Топология усилителя мощности на основе нитрид-галлиевого транзистора [5]
15
присутствуют схемы деления и сложения мощности: на топологии из
рисунка 1.4 имеется всего одна ветвь деления и суммирования, а на
топологии из рисунка 1.3 их несколько. Общей чертой для рассматриваемых
усилителей является наличие определенных цепей согласования входных и
выходных импедансов транзисторов, например, на рисунке 1.4 они
образованы с помощью элементов А, Б, В, Г, Д и микрополосков основного
тракта к которым подключены эти элементы. Согласование может быть как с
входным или выходным портами усилителя, так и межкаскадное
согласование импедансов между двумя транзисторами. Работа транзистора
невозможна без цепей питания и смещения, поэтому в топологии
предусмотрены отдельные микрополосковые линии для решения данной
задачи.
16
Таблица 1.1 – Свойства полупроводниковых материалов [6]
17
Рисунок 1.5 – Частотно-мощностные параметры коммерческих технологий изготовления СВЧ
монолитных интегральных схем [5]
18
Отдельно следует выделить нитрид-галлиевые транзисторы с высокой
подвижностью электронов. Работа этих транзисторов основана на
использовании гетероструктур, получаемых путем согласования
кристаллических решеток разных полупроводниковых материалов,
например, кристаллических решеток нитрида-галлия (GaN) и нитрида
алюминия галлия (AlGaN)[1].
Выводы по главе 1
19
2 МОДЕЛИРОВАНИЕ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ
УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ
20
Программа AWRDE предназначена для проектирования
радиочастотных устройств и устройств СВЧ. Программа ADS является
системой автоматизированного проектирования для ВЧ, СВЧ и
высокоскоростных электронных устройств. Основное назначение программы
HFSS – трехмерное моделирование ВЧ и СВЧ электромагнитного поля,
следовательно, для выполнения задачи следует отдать предпочтение другим
программам. Функционал программ AWRDE и ADS очень схож и отвечает
требованиям к разработке ТУМ.
Выбор САПР на практике зачастую определяется тем, какую
информацию об активном элементе предоставляет производитель. Данная
информация может быть в виде файла линейных S – параметров, файла
нелинейных S – параметров или в виде зашифрованного файла нелинейной
модели транзистора описывающего его работу при большом сигнале. Файл
нелинейной модели можно импортировать только в тот САПР, который
определил производитель [10].
При разработке может возникнуть необходимость использования
дополнительных программных средств, для решения промежуточных задач.
Выбор таких вспомогательных программ осуществляется по необходимости
в ходе разработки.
Для разработки ТУМ выбрана программа ADS. Выбор САПР
производился исходя из практических соображений, ввиду того, что
производитель транзистора предоставляет нелинейную модель активного
элемента для программы ADS. Все приведенные далее зависимости
получены в программе ADS.
21
характеристик по предъявляемым требованиям был выбран транзистор
фирмы Cree [11]. Название транзистора CGHV1J070D, основные
характеристики транзистора приведены в приложении А, чертеж транзистора
изображен на рисунке 2.1
Рисунок 2.1 – Черте полевого транзистора CGHV1J070D фирмы Cree. Все размеры указаны в
микрометрах. Drain – сток, Gate – затвор
22
Данная схема состоит из следующих элементов:
X1 – полевой нитрид-галлиевый транзистор
SRC1 – источник постоянного напряжения подключенный к
затвору
SRC2 – источник постоянного напряжения подключенный к
стоку
IDS – средство измерения тока на стоке транзистора
VAR1 – контроллер переменных
DC1 – контроллер анализа постоянного напряжения
Sweep1 – котроллер многовариантного анализа
С помощью схемы на рисунке 2.2 произведено моделирование,
результатами которого стали вольт-амперные характеристики активного
элемента, представленные на рисунке 2.3.
23
2.3.2 Согласование активного элемента
24
Рисунок 2.4 – Трехмерная модель соединения с помощью контактных проволочек транзистора с
цепями согласования [12]
(2.1)
√
(2.2)
Параметры подложки:
Н – толщина подложки, мм;
26
– относительная диэлектрическая проницаемость;
Mur – относительная магнитная проницаемость (значение 1
соответствует золоту);
Cond – электропроводность проводника ;
Hu – расстояние от микрополосковой линии до верхней крышки, мм;
– толщина микрополосков, мм;
TanD – тангенс угла диэлектрических потерь.
В процессе синтеза схем радиочастотных усилителей в программах
САПР принято пользоваться представлением устройств в виде
четырехполюсника и описывать их работу с точки зрения падающих и
отраженных волн с помощью S-параметров:
S21 – прямой коэффициент передачи от входа к выходу;
S11 – коэффициент отражения от входа, при условии согласования
на выходе;
S22 – коэффициент отражения от выхода при условии
согласования на входе;
S12 – коэффициент обратной передачи от выхода к входу.
Согласование импедансов производилось с помощью алгоритмов
оптимизации Random и Gradient встроенных в контроллер Optim.
Цели оптимизации: значение коэффициента передачи S21 > 10 дБ, S21 <
11 дБ в требуемой полосе частот. Ограничение S21 < 11 дБ необходимо для
получения плоской вершины коэффициента передачи. Коэффициент
отражения от входа S11 < 8 дБ в требуемой полосе частот.
Критерием окончания процесса оптимизации служило достижение
заданных целей. Следует отметить, что процесс согласования производился
не по отдельности для входной и выходной цепи, а для схемы усилителя в
целом.
Итоговый вид входной и выходной микрополосковых цепей
согласования показан на рисунке 2.7 и 2.8 соответственно.
27
Рисунок 2.7 – Схема входной цепи согласования. MLIN – элементы, обозначающие микрополосковую линию, где W – ширина микрополоска в мм, L – длина
микрополоска в мм. MSTEP – элементы, не имеющие физической реализации, но необходимые для правильной работы программы, являются переходными
элементами между микрополосками, в параметрах указывается ширина W соединяемых микрополосковых линий. MTEE_ADS – тройник, присоединяет под
углом 90 градусов третий микрополосок. P1, P2, P3 – порты, служат для включения схемы к другим составным частям модели усилителя
Рисунок 2.8 – Схема выходной цепи согласования. MLIN – элементы, обозначающие микрополосковую линию, где W – ширина микрополоска в мм, L –
длина микрополоска в мм. MSTEP – элементы, не имеющие физической реализации, но необходимые для правильной работы программы, являются
переходными элементами между микрополосками, в параметрах указывается ширина W соединяемых микрополосковых линий. MTEE_ADS – тройник,
присоединяет под углом 90 градусов третий микрополосок. P1, P2, P3 – порты, служат для включения схемы к другим составным частям модели усилителя
28
Из представленных рисунков видно, что каждая из ЦС имеет три
порта P1, Р2, Р3. Порты Р1 и Р3 служат для включения в основной тракт
усиления, а порты Р2 необходимы для включения цепей питания и смещения.
На рисунке 2.9 представлены задаваемые в программе ADS
физические размеры микрополосков для ЦС и всей модели усилителя в
целом.
29
Рисунок 2.10 – Схема модели транзисторного усилителя мощности
30
Пояснение элементов схемы на рисунке 2.10
X1 – активный элемент; L1, L2 – индуктивности контактных
проволочек; X2, X3 – входная и выходная микрополосковые ЦС в сжатом
виде. Полное представление ЦС приведено на рисунках 2.7 и 2.8
соответственно.
С1, С2 – блокировочные конденсаторы номиналом по 4 пФ.
Номиналы конденсаторов выбраны исходя из условия, что сопротивление
конденсатора на частоте меньше волнового сопротивления
микрополосковой линии Z0 в 20 раз:
. (2.3)
С3, С4, С5, С6, C7, C8 ,C9, C10 – семейства конденсаторов для
отвода высокочастотной составляющей тока от элементов
смещения и питания;
V_DC SRC1, SRC2 – элементы смещения и питания
соответственно.
Рабочая точка задавалась исходя из целей линейности амплитудной
характеристики и достижения наилучшего КПД.
Отдельного внимания заслуживают микрополосковые линии MLIN
TL15, TL16. Их особенность заключается в том, что они выполняют роль
дросселей и обеспечивают режим холостого хода по переменному току,
предотвращая протекание переменного СВЧ сигнала к источникам питания и
смещения. Соответственно длина этих микрополосков должна равняться
четверти длины волны в микрополосковой линии ( ). По информации из
[14] длину волны в микрополосковой линии можно определить из
следующих формул:
31
(2.4)
√
(( ) ( ) ) (2.5)
32
Рисунок 2.11– Частотные характеристики транзисторного усилителя мощности
33
Из рисунка 2.12 видно, что фазовый сдвиг усилителя изменяется в
угловых градусах в пределах 360 градусов. В пределах полосы пропускания
изменение фазового сдвига не имеет резких скачков и составляет 224
градуса.
34
Рисунок 2.13 – К-фактор устойчивости усилителя
35
Рисунок 2.14 – Топология широкополосного транзисторного усилителя мощности
36
2.8 Выводы по главе 2
37
3 ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК МОДЕЛИ
УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ
38
Рисунок 3.1– Схема для получения зависимости
39
Рисунок 3.2 – Зависимость при входном воздействии на частоте 12 ГГц
40
Рисунок 3.3 – Зависимость при входном воздействии на частотах от 11,7 ГГц до 12,2
ГГц с шагом 0,1 ГГц
41
Наименьшая выходная мощность в точке компрессии 1дБ в пределах
полосы усиления равна и достигается при
уровне входной мощности . Минимальный
коэффициент полезного действия равен . Таким образом, можно
сделать вывод о достижении требуемых значений выходной мощности и
коэффициента полезного действия.
42
Рисунок 3.4 – Интермодуляционные искажения 3-го и 5-го порядков
Рисунок 3.5 – Входное и выходное напряжение усилителя в момент начала подачи сигнала
( ) ( ) (3.3)
⁄ (3.2)
47
3.6 Температурные характеристики
48
Основная задача усилителя – добиться заданного уровня мощности,
которую необходимо передать в антенну. Поэтому немаловажной
характеристикой является зависимость выходной мощности усилителя от
температуры.
49
Рисунок 3.14 – Зависимость коэффициента шума усилителя при различной температуре
окружающей среды от -65℃ до 150℃
50
3.7 Выводы по главе 3
51
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В связи с быстрым развитием спутниковой связи и ростом объема
информации существует спрос на разработки радиотехнических устройств,
служащих для приема и передачи информации на больших расстояниях. В
связи с этим работа по созданию ТУМ на GaN транзисторе с высокой
выходной мощностью и большой рабочей частотой отвечает последним
требованиям в области спутниковых радиосистем.
Для разработки ТУМ решен ряд задач связанных с определенными
ограничениями, которые возникают из-за высоких требований к
характеристикам прибора. С помощью алгоритмов оптимизации выполнено
широкополосное согласование мощного транзистора с входным и выходным
трактами усилителя, при этом учтено влияние важных аспектов, таких как,
наличие индуктивности, дополнительно вносимой контактными
проволочками; расстояние от микрополосковых линий до верхней крышки
корпуса. Результатом согласования стала топология ТУМ. Получены
температурные зависимости основных характеристик усилителя и сделан
вывод о допустимом диапазоне температур, в пределах которых активный
элемент находится в работоспособном состоянии, а выходная мощность
находится выше требуемых значений. На имитационной модели с помощью
расчета К-фактора продемонстрирована устойчивость усилителя.
Полученные характеристики усилителя:
1) Полоса рабочих частот – ;
2) Выходная мощность при температуре T < 85℃;
3) Коэффициент усиления по мощности Кp > 10 дБ;
4) Коэффициент полезного действия КПД > 50 %
5) Габаритные размеры топологии: ширина – 33,2 мм, длина – 72,3 мм,
высота – 1,017 мм;
52
6) Падение уровня внеполосных интермодуляционных искажений 3-го
порядка относительно уровня мощности выходных колебаний внутри
полосы более 21 дБ;
7) Коэффициент шума NF = 6,9 дБ; фактор шума .
Полученные итоговые характеристики не далеки от предварительных
результатов проектирования изложенных на 26-ой научно-технической
конференции студентов и аспирантов РЭЭ-2020 в марте 2020 года [21].
В качестве дальнейшей работы можно выделить применение метода
предыскажения сигналов для получения лучшей линейности в области
больших значений входной мощности. Это позволит увеличить значение
выходной мощности и снизить уровень интермодуляционных искажений.
Полученная имитационная модель может быть реализована в виде макета для
проверки и корректировки характеристик мощного усилителя. При условии
выполнения требований ТЗ на реальном макете транзисторный усилитель
мощности может быть реализован в виде действующей бортовой аппаратуры.
53
Список использованных источников
54
11. Компания Cree – поставщик полупроводниковых материалов // режим
доступа: www.cree.com – (21.02.2020)
55
Список сокращений
Список обозначений
Фаза
Электропроводность проводника
Расстояние между проволочками
Фактор шума
Толщина подложки
Расстояние от микрополосковой линии до верхней
крышки
Фактор устойчивости
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по напряжению
Общая индуктивность соединительных проволочек
Погонная индуктивность соединительных проволочек
Относительная магнитная проницаемость
56
Количество соединительных проволочек
Коэффициент шума
Выходная мощность в точке компрессии 1 дБ
Входная мощность
Выходная мощность
Коэффициент отражения от входа при условии
согласования на выходе
Коэффициент обратной передачи от выхода к входу
Прямой коэффициент передачи от входа к выходу
Коэффициент отражения от выхода при условии
согласования на входе
Температура
Время задержки
Тангенс угла диэлектрических потерь
Толщина микрополоска
Входное напряжение
Выходное напряжение
Ширина микрополоска
Длина соединительных проволочек
Емкостное сопротивление конденсатора
Характеристическое сопротивление
Центральная частота
Несущая частота в АМ сигнале
Частота полезного сигнала
Высота проволочек над поверхностью заземления
Коэффициент модуляции
Полоса частот
Эффективная диэлектрическая проницаемость
Относительная диэлектрическая проницаемость
Длина волны
Длина волны в микрополоске
Постоянная времени
57
ПРИЛОЖЕНИЯ
58
59
60
61
62