Вы находитесь на странице: 1из 62

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

федеральное государственное бюджетное образовательное


учреждение высшего образования
«Национальный исследовательский университет «МЭИ»

Институт ИРЭ
Кафедра ФОРС

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА


(бакалаврская работа)

Направление 11.03.01 – Радиотехника


(код и наименование)

Направленность (профиль) Радиотехнические средства передачи,

приема и обработки сигналов

Форма обучения очная


(очная/очно-заочная/заочная)

Тема: ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ ДЛЯ

БОРТОВОГО СПУТНИКОВОГО РЕТРАНСЛЯТОРА

Студент группы ЭР-11-16 ЕПИФАНОВ А.А.


группа подпись фамилия и инициалы

Научный
руководитель канд. техн. наук профессор БЕЛОВ Л.А.
уч. степень должность подпись фамилия и инициалы

Консультант Инженер-исследователь АО «РКС» ТИХОНОВ В.В.


уч. степень должность подпись фамилия и инициалы

Консультант
уч. степень должность подпись фамилия и инициалы

«Работа допущена к защите»

Зав. кафедрой канд. техн. наук доцент САФИН А.Р.


уч. степень звание подпись фамилия и инициалы

Дата

Москва, 2020
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
федеральное государственное бюджетное образовательное
учреждение высшего образования
«Национальный исследовательский университет «МЭИ»

Институт ИРЭ
Кафедра ФОРС

ЗАДАНИЕ
НА ВЫПУСКНУЮ КВАЛИФИКАЦИОННУЮ
БАКАЛАВРСКУЮ РАБОТУ

Направление 11.03.01 – Радиотехника

Направленность (профиль) Радиотехнические средства передачи,


приема и обработки сигналов

Форма обучения очная

Тема: ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ ДЛЯ

БОРТОВОГО СПУТНИКОВОГО РЕТРАНСЛЯТОРА

Студент группы ЭР-11-16 ЕПИФАНОВ А.А.

Научный
руководитель канд. техн. наук профессор БЕЛОВ Л.А.

Консультант Инженер-исследователь АО «РКС» ТИХОНОВ В.В.

Зав. кафедрой канд. техн. наук доцент САФИН А.Р.

Место выполнения работы Кафедра формирования и обработки


радиосигналов НИУ «МЭИ»

Москва 03 февраля 2020 года

2
СОДЕРЖАНИЕ РАЗДЕЛОВ ЗАДАНИЯ И ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ
Выполнить обзор литературных источников по вопросам расчѐта и
проектирования усилителей модулированных сигналов СВЧ-диапазона со
средней частотой до 12 ГГц, полосой пропускания до 500 МГц, выходной
мощностью до 30 Вт, усилением до 12 дБ и уровнем внеполосных
интермодуляционных искажений до -25 дБ на основе нитрид-галлиевых
транзисторов для использования в составе бортовой спутниковой аппаратуры
связи.
Создать имитационные модели компонентов транзисторного усилителя
мощности (ТУМ): 1) активного элемента; 2) источника входного сигнала
(монохроматического, двухчастотного и модулированного); 3) входных и
выходных цепей согласования ТУМ с сосредоточенными и с
распределѐнными параметрами; 4) средств управления и измерения
энергетических, спектральных и интермодуляционных характеристик.
Провести имитационные испытания модели ТУМ и его лабораторного
макета.
Подготовить участие и выступить с докладом на МНТК студентов и
аспирантов «РЭЭ-2020» в МЭИ в марте 2020 года.
Разработать электрическую и топологическую схему лабораторного
макета ТУМ с использованием элементной базы преимущественно
отечественного производства.
Выполнить на модели измерения амплитудных, энергетических,
импедансных, шумовых, спектральных и интермодуляционных
характеристик ТУМ для типовых сочетаний параметров окружающей среды
и входных сигналов.
ПЕРЕЧЕНЬ ГРАФИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА
Выпускная работа представляется в виде расчѐтно-пояснительной записки по
требованиям ГОСТ 7.32-2001
Количество листов до 60

Количество слайдов в презентации до 20

РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Спутниковая связь и вещание, под ред. Л.Я. Кантора, 3-е изд. -Москва, Радио и
связь, 1997. -528 с.
2. Сечи Ф., Буджатти М. Мощные твѐрдотельные СВЧ-усилители / пер. с англ. / -
Москва: Техносфера, 2015. -416 с.
3. Браннинг Д., Рейит Р. Проектирование широкополосного высокоэффективного
высокочастотного усилителя мощности на основе нитрида галлия / СВЧ-электроника,
2018, № 3 . С. 30 – 36 (www. microwave-e.ru)
Примечания:
1. Задание брошюруется вместе с выпускной работой после титульного листа (страницы
задания имеют номера 2, 3).
2. Отзыв руководителя, рецензия(и), отчет о проверке на объем заимствований и согласие
студента на размещение работы в открытом доступе вкладываются в конверт
(файловую папку) под обложкой работы.
3
Аннотация
В работе рассмотрены литературные источники по возможностям
применения широкополосного транзисторного усилителя мощности (ТУМ) в
составе бортовой спутниковой аппаратуры. С помощью программного пакета
системы автоматизированного проектирования (САПР) Keysight Advanced
Design System произведено имитационное моделирование ТУМ и получена
топология оконечного каскада на нитрид-галлиевом транзисторе серийного
производства. Установлены температурные зависимости работы ТУМ,
получены количественные оценки энергетических, шумовых и
интермодуляционных характеристик.

4
Содержание
ВВЕДЕНИЕ. ЦЕЛЬ РАБОТЫ.................................................................................................................... 6
1 ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ ДЛЯ СПУТНИКОВОГО РЕТРАНСЛЯТОРА ............. 9
1.1 ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БОРТОВОГО УСТРОЙСТВА ......................................................................... 9
1.2 БОРТОВОЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ ......................................................................... 10
1.3 ОБЗОР СХЕМ ТУМ НА ОСНОВЕ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ИЗ НИТРИДА-ГАЛЛИЯ .......................................... 13
1.4 НИТРИД-ГАЛЛИЕВАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ................................................................... 16
1.5 ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 1 ...................................................................................................................... 19

2 МОДЕЛИРОВАНИЕ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ...................................... 20


2.1 ЗАДАНИЕ НА МОДЕЛИРОВАНИЕ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ ........................................................................... 20
2.2 ВЫБОР СРЕДСТВА МОДЕЛИРОВАНИЯ ................................................................................................. 20
2.3 ИМИТАЦИОННАЯ МОДЕЛЬ .............................................................................................................. 21
2.3.1 Модель активного элемента ..................................................................................... 21
2.3.2 Согласование активного элемента ........................................................................... 24
2.4 MОДЕЛЬ ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ .......................................................................... 29
2.5 ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ............................................. 32
2.6 УСТОЙЧИВОСТЬ ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ................................................................. 34
2.7 ТОПОЛОГИЯ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ..................................................................................................... 35
2.8 ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 2 ...................................................................................................................... 37

3 ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК МОДЕЛИ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ....................................... 38


3.1 ЦЕЛЬ ИЗМЕРЕНИЙ .......................................................................................................................... 38
3.2 ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ .................................................................................................. 38
3.3 ИНТЕРМОДУЛЯЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ....................................................................................... 42
3.4 ТЕСТИРОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЯ С РАЗНЫМИ ТИПАМИ ВХОДНОГО СИГНАЛА.................................................. 43
3.4.1 Монохроматический сигнал ....................................................................................... 43
3.4.2 Двухчастотный сигнал ............................................................................................... 45
3.4.3 Амплитудно-модулированный сигнал ....................................................................... 46
3.5 ШУМОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ........................................................................................................... 47
3.6 ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ .................................................................................................. 48
3.7 ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 3 ...................................................................................................................... 51

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ..................................................................................................................................... 52
Список использованных источников ........................................................................................... 54
Список сокращений ....................................................................................................................... 56
Список обозначений ...................................................................................................................... 56

ПРИЛОЖЕНИЯ .................................................................................................................................... 58
ПРИЛОЖЕНИЕ А – ПАСПОРТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА.................................................................... 58

5
ВВЕДЕНИЕ. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Усилители мощности используются как для гражданского, так и для
военного применения. Ввиду стремительного развития новых технологий
предъявляются новые требования к современной сверхвысокочастотной
(СВЧ) технике. К усилителям мощности всегда предъявляются типовые
технические требования: высокие значения выходной мощности в
необходимом диапазоне частот, энергетической эффективности -
коэффициента полезного действия (КПД) и коэффициента усиления,
широкая информационная полоса частот, низкая стоимость [1].
Для усилителей мощности в составе бортовой спутниковой
аппаратуры особую актуальность приобретают вопросы:
а) организации теплоотвода, поскольку в состоянии невесомости
отсутствует эффект конвекции;
б) уменьшения массы, габаритных размеров и энергопотребления,
включая источники электропитания;
в) снижения напряжения электропитания для избежания
возникновения электрического пробоя;
г) надѐжности и стойкости к специфическим факторам окружающей
среды – вибрации и перегрузки при выводе на орбиту спутника Земли и
влияния проникающей радиации и космических лучей в процессе длительной
эксплуатации в автоматическом режиме;
д) допустимого уровня интермодуляционных искажений усиливаемых
сигналов и внеполосных мешающих электромагнитных излучений,
нарушающих требования электромагнитной совместимости (ЭМС).
В бортовой спутниковой аппаратуре нашли применение вакуумные
усилители мощности на лампе с бегущей волной (УЛБВ) и транзисторные
усилители мощности (ТУМ) [2] Твердотельные ТУМ имеют определѐнные
преимущества перед вакуумными ввиду их малой массы и габаритных
6
размеров выходного каскада, а также использования низковольтного
источника электропитания. Однако известны и их недостатки: ограничение
частотного диапазона одиночных полупроводниковых активных элементов
высокой мощности; повышенная чувствительность к проникающим
космическим излучениям; ограничение на коэффициент усиления
одиночного выходного каскада значениями 10 -15 децибел [дБ] по сравнению
с 50 дБ для вакуумных УЛБВ.
Для типовых требований основной тенденцией является повышение
мощности и рабочей частоты. Для достижения данной цели существует два
основных пути: разработка методов эффективного суммирования мощности
и повышение мощности активных приборов. В большинстве случаев
разработчики прибегают к методам суммирования мощности отдельных
активных приборов [1]. Считается, что можно разработать усилитель с
малыми потерями за счет более эффективного распределения рассеиваемой
мощности. Однако на практике возможность построения мощного сумматора
с низким уровнем потерь накладывает ограничения на повышение
максимальной несущей частоты и расширение информационной полосы
частот. Работа ТУМ в составе бортового ретранслятора подразумевает
достижения широкой полосы рабочих частот, а значит, методы сложения
мощности существенно затрудняют задачу разработки широкополосных
усилителей.
Чтобы избежать негативных эффектов при построении схемы
сложения мощностей можно увеличивать мощность активных элементов.
Для такой задачи хорошо подойдут гетероструктурные транзисторы с
высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) на основе полупроводниковых
соединений арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN). Эти
технологические решения представляют интерес для их использования в
СВЧ-технике ввиду выявленных возможностей улучшения параметров по
сравнению с полевыми транзисторами с барьером Шоттки (ПТШ).

7
Работа по созданию современных усилителей мощности невозможна
без современных средств автоматизированного проектирования (САПР), а
также компактных моделей транзисторов, которые описывают поведение
транзистора в требуемых диапазонах частот и мощностей.
Цель работы – создание имитационной модели ТУМ для бортового
применения с выходной мощностью 30 Вт в полосе частот 11,7 -12,2 ГГц на
основе разрешѐнного к применению транзистора из нитрида галлия и
исследование вариантов топологии цепи согласования, питания, его
регулировочных и амплитудных характеристик.
Для достижения цели необходимо решить следующие задачи:
1. выполнить обзор литературы по теме работы;
2. обосновать выбор вычислительного пакета САПР, в котором будет
производиться моделирование;
3. подобрать транзистор, подходящий для данной цели и найти его
компактную модель на сайте производителя, либо выбрать ее из
общедоступных библиотек САПР;
4. создать предварительную имитационную модель усилителя мощности;
5. наметить направления дальнейшей работы.

8
1. ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ ДЛЯ
СПУТНИКОВОГО РЕТРАНСЛЯТОРА

Основные характеристики бортового устройства

Основные характеристики аппаратуры спутниковой связи изложены в


[2]. На спутнике Земли размещается бортовой ретрансляционный комплекс с
приемными и/или передающими антеннами и соответствующими антенно-
фидерными трактами. Типовая структурная схема бортового
радиопередающего устройства (далее, для краткости, передатчик) включает в
себя источник передаваемого модулированного сигнала с заданной
информационной полосой на заданной несущей частоте и усилитель
мощности. Диапазон значений центральной частоты f0 для систем
спутниковой ретрансляции в настоящее время выбирается от 1 до 35 ГГц,
средняя выходная мощность в рабочей полосе частот на входе антенны Рвых
от 5 до 40 Вт в непрерывном режиме, ширина основной полосы частот
передаваемого сигнала 1-3% от центральной частоты f0 [3]. В качестве
активного элемента выходного каскада усилителя мощности применяют либо
усилитель на лампе бегущей волны УЛБВ, либо твердотельный
транзисторный усилитель ТУМ. Коэффициент усиления по мощности Кp
достигает 50 дБ, в связи с чем УЛБВ выполняется на одном вакуумном
приборе, а ТУМ выполняют многокаскадными (от 3 до 5 каскадов) с
соответствующими межкаскадными однонаправленными узлами для
предотвращения самовозбуждения ТУМ [2].
Преимущества твердотельных передатчиков ТУМ по сравнению с
электровакуумными УЛБВ состоят в следующем:
1. низкие значения напряжения электропитания;
2. высокая долговечность;
3. возможность воспользоваться методами микроэлектроники, что
значительно уменьшает показатели по массе и габаритам бортового
ретрансляционного комплекса;
9
4. высокая оперативность управления достигается за счет того, что
полупроводниковые приборы не требуют предварительного прогрева в
отличие от УЛБВ;
Передатчики на основе ТУМ имеют следующие недостатки:
1. транзисторы очень чувствительны даже к кратковременным
отклонениям от допустимых рабочих режимов, что может привести к
полному отказу прибора;
2. выходная радиочастотная мощность ТУМ ограничена значением
центральной частоты: с повышением частоты выходная мощность
ТУМ падает, а известные схемы сложения мощностей имеют высокую
сложность, склонны к самовозбуждению и включают в себя источники
энергетических потерь в мостовых схемах разветвления и
суммирования каналов.

Бортовой транзисторный усилитель мощности

Основной задачей бортового ТУМ является поддержание амплитуды


и фазы в заданных пределах в течение заданного срока активного
использования на орбите в условиях открытого космоса [4].
На рисунке 1.1 заимствованном из [4], приведена схема усилителя
мощности.

Рисунок 1.1 – Схема усилителей СВЧ-мощности ФГУП “НПП Исток” [4]


10
Принцип действия ТУМ, согласно с [4], состоит в следующем:
входной СВЧ сигнал поступает на вход усилителя, который одновременно
является входом управляемого аттенюатора на p-i-n диодах, затем сигнал
проходит через предусилитель, далее поступает на вход оконечного каскада
мощного усилителя, где усиливается до требуемого в техническом задании
(ТЗ) уровня мощности. В схему ТУМ также входит вентиль и ответвитель.
Вентиль служит для передачи сигнала в одном направлении, поскольку
отраженный мощный СВЧ сигнал может серьезно нарушить работу
транзистора в оконечном каскаде. Ответвитель предназначен для передачи
уровня мощности к детектору. Выходная мощность детектируется диодным
детектором, а управляющее напряжение направляется в цепь
автоматического регулирования мощности (АРМ) представляющую из себя
совместную работу операционного усилителя и аттенюатора. На синфазный
вход операционного усилителя поступает сигнал, ответвленный от основного
тракта, а на другой вход подается опорное напряжение (+10 В). При
нормальной работе усилителя, когда на выходе мощность соответствует
требуемой, опорное напряжение и напряжение детектора равны. Если
мощность на выходе изменяется, появляется разность напряжений между
опорным напряжение и напряжением на выходе детектора. Эта разность
напряжений усиливается операционным усилителем; формируется
управляющий сигнал, который поступает на исполнительную часть цепи
АРМ – управляемый напряжением аттенюатор. В зависимости от величины и
знака управляющего напряжения аттенюатор начнет пропускать либо больше
мощности на вход предусилителя, либо меньше. Таким образом, мощность
на выходе усилителя поддерживается постоянной.
Также в схеме присутствует датчик температуры, от которого
передается сигнал, информирующий о температуре на корпусе ТУМ.
Напряжение -5 В является напряжением смещения транзисторов, а

11
напряжение 28 В является напряжением питания транзисторов. Данные
напряжения подаются в ТУМ от отдельного блока питания.
Корпус усилителя выполняется из материалов обладающих высокой
теплопроводностью, чтобы эффективно передавать тепло на
теплоотводящую плиту. Внешний вид ТУМ в конечном исполнении без
крышки представлен на рисунке 1.2 взятом из [4].

Рисунок 1.2 – Транзисторный усилитель СВЧ-мощности “НПП Исток” [4]

Источник вторичного электропитания (ИВЭП) подает на ТУМ


напряжения питания, смещения и опорное напряжение операционного
усилителя.
Основные требования, предъявляемые к бортовому ТУМ [11]:
1. Работа в заданном диапазоне частот.
2. Выходная мощность не менее заданной из ряда 5 - 40 Вт при входной
мощности 2 – 30 мВт.

12
3. Срок активного существования (САС) не менее 15 лет при вероятности
безотказной работы (ВБР) не менее 0,999 и общем сроке службы не
менее 19 лет.
4. Стойкость к радиационным воздействиям в течение всего САС.
5. Стойкость к механическим воздействиям (важна при запуске
космического аппарата).
6. Диапазон температур термостабилизированной плиты от –20 до +50 ℃.
7. Максимальный КПД.
8. Минимальные масса и габариты.
9. Средний тепловой поток через поверхность основания корпуса не
более 0,2 Вт/мм2.
В данном параграфе была рассмотрена работа усилителя мощности
в составе бортового спутникового ретранслятора и обозначены основные
требования, которые предъявляются к ТУМ. Далее следует обратить
внимание на особенности проектирования топологии ТУМ, обзор которых
приведен в следующем параграфе.

Обзор схем ТУМ на основе активного элемента из нитрида


галлия

В данном разделе приведены топологии транзисторных усилителей


разных коммерческих фирм выполненных на основе нитрид-галлиевых
транзисторов.
На рисунке 1.3 представлен внешний вид усилителя мощности с
диапазоном допустимых рабочих частот и с выходной
мощностью Рвых = 40 дБмВт [5].

13
Рисунок 1.3 – Топология усилителя мощности на основе нитрид-галлиевого транзистора с
высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) от компании Selex Sistemi Intergrati [5]

На рисунке 1.3 видно, что ТУМ состоит из нескольких каскадов.


Цифрами 1, 2, 3, 4, 5, 6 обозначены активные элементы. Причем, элементы 1
и 2 связаны с помощью схемы сложения мощности, которая обозначена
буквой А и указана стрелкой. Аналогично устроены каскады из активных
элементов под номерами 3 и 4; 5 и 6. Буквами Г, Д обозначены конденсаторы
и точки подключения источников питания. Из рамок под буквами Г, Д
исходят микрополосковые линии, они отвечают за подачу питания и
смещения к активным элементам.

На рисунке 1.4 представлена топология усилителя мощности с


диапазоном допустимых рабочих частот и выходной
мощностью Pвых = 0,5 Вт [5].

14
Рисунок 1.4 – Топология усилителя мощности на основе нитрид-галлиевого транзистора [5]

На рисунке 1.4 также видно каскадное соединение нескольких


активных элементов, они обозначены цифрами 1-4, однако схема сложения
мощности применяется только к оконечному каскаду усилителя. Также на
топологии можно заметить треугольные участки микрополосковых линий
обозначенные буквами алфавита А-Д, – это тоже микрополосковые линии.
Такие линии применяются в процессе проектирования, если разработчик
желает сократить длину микрополосков и выполнить при этом условия
согласования. Применяя микрополоски такой конфигурации можно
значительно уменьшить габариты конечного устройства. В схеме хорошо
видны блокировочные конденсаторы разделяющие по постоянному току
каскады усилителя, они обозначены как С1-С4. Элементы U1-U3 являются
местами подключения питания и задают напряжения на стоках транзисторов,
а элементы U4-U6 – места подключения источников смещения и задают
начальное смещение.
Рассмотренные топологии имеют различный вид, но в их основе
лежит единый принцип использования последовательно соединенных
активных элементов, которые образуют каскады. Также на топологиях

15
присутствуют схемы деления и сложения мощности: на топологии из
рисунка 1.4 имеется всего одна ветвь деления и суммирования, а на
топологии из рисунка 1.3 их несколько. Общей чертой для рассматриваемых
усилителей является наличие определенных цепей согласования входных и
выходных импедансов транзисторов, например, на рисунке 1.4 они
образованы с помощью элементов А, Б, В, Г, Д и микрополосков основного
тракта к которым подключены эти элементы. Согласование может быть как с
входным или выходным портами усилителя, так и межкаскадное
согласование импедансов между двумя транзисторами. Работа транзистора
невозможна без цепей питания и смещения, поэтому в топологии
предусмотрены отдельные микрополосковые линии для решения данной
задачи.

Нитрид-галлиевая полупроводниковая технология

Применение транзисторов, выполненных на основе технологии


нитрида галлия [1] позволяет заметно улучшить технические показатели
усилительных устройств, работающих в СВЧ-диапазоне. Такая возможность
связана с достижением более широкого диапазона частот, повышенной
выходной мощности по сравнению с приборами, выполненными на кремнии,
арсениде галлия и других полупроводниковых материалах. Большая ширина
запрещенной зоны обеспечивает увеличенную стабильность характеристик
при изменении температуры и воздействии радиации, что очень важно для
устройств, работающих в космосе. Хорошая теплопроводность кремниевой
подложки, на которой размещѐн нитрид-галлиевый транзистор увеличивает
продолжительность работы устройства и снижает требования к системе
охлаждения.
В таблице 1.1 взятой из [6] представлены свойства различных
полупроводниковых материалов.

16
Таблица 1.1 – Свойства полупроводниковых материалов [6]

Из рассмотрения таблицы 1.1 можно сделать следующие заключения:


нецелесообразно рассматривать алмаз как полупроводниковый материал для
коммерческого применения ввиду его дороговизны. Рассматривая
оставшиеся полупроводниковые материалы из таблицы 1.1 видно, что нитрид
галлия имеет преимущества перед арсенидом галлия в виде большей
напряженности электрического поля пробоя, большей ширины запрещенной
зоны и теплопроводности. При этом у полупроводников из карбида кремния
(6H-SiС и 4H-SiС) гораздо лучшая теплопроводность и сопоставимая с
нитридом-галлия скорость дрейфа электронов в режиме насыщения. Нитрид-
галлия уступает карбиду кремния и в напряженности электрического поля
пробоя. По имеющимся данным сложно судить о выборе активного элемента
для целей создания мощного усилителя с большой рабочей частотой,
поэтому рассмотрим полупроводниковые материалы с точки зрения
достижимых частот и мощностей.
На рисунке 1.5 показан заимствованный в [5] график результатов
сравнительного анализа частотно-мощностных параметров коммерческих
технологий изготовления монолитных интегральных схем (МИС) СВЧ-
диапазона частот по состоянию на 2011 г.

17
Рисунок 1.5 – Частотно-мощностные параметры коммерческих технологий изготовления СВЧ
монолитных интегральных схем [5]

Следует отметить, что данный график носит приблизительный


характер и приведен лишь для удобства графического представления.

По сведениям из [5], частотно-мощностные показатели нитрид-


галлиевой и арсенид-галлиевой технологии являются наиболее подходящими
для разработки на их основе мощного ТУМ, а сравнительный анализ
усилителей выполненных по данным технологиям говорит о следующем:
1. Устройства на основе нитрида-галлия обладают меньшими размерами
в сравнении с устройствами на арсениде-галлия при равной выходной
мощности и сопоставимыми рабочими частотами.
2. Схемотехника УМ на основе нитрид-галлиевых транзисторов более
простая, так как требует суммирования мощности меньшего числа
каскадов, что дает значительное преимущество за счет уменьшения
искажений сигнала.
3. Высокое напряжение питания стока нитрид-галлиевых транзисторов
(20-50 В), что при равных с арсенид-галлиевыми транзисторами
отдаваемых в нагрузку мощностях приводит к значительному
увеличению оптимального импеданса нагрузки стока и значительному
облегчению согласования транзистора с нагрузкой.

18
Отдельно следует выделить нитрид-галлиевые транзисторы с высокой
подвижностью электронов. Работа этих транзисторов основана на
использовании гетероструктур, получаемых путем согласования
кристаллических решеток разных полупроводниковых материалов,
например, кристаллических решеток нитрида-галлия (GaN) и нитрида
алюминия галлия (AlGaN)[1].

Выводы по главе 1

Основные результаты главы 1:


1) Изложены основные технические требования к бортовой
радиопередающей аппаратуре;
2) Проанализированы и сопоставлены примеры топологии серийного
многокаскадного транзисторного усилителя мощности российского
производства диапазона (2 – 6) ГГц и усилителя мощности зарубежного
производства для частоты до 80 ГГц на нитрид-галлиевых полевых
транзисторах с высокой подвижностью электронов;
3) Представлены особенности параметров твѐрдотельных усилителей по
перспективным вариантам полупроводниковой технологии.
Из полученных результатов можно сделать вывод, что создание ТУМ
на основе GaN транзистора высокой мощности представляет интерес как с
точки зрения новизны полупроводниковых технологий, так и с точки зрения
достижения высокой выходной мощности при больших рабочих частотах.

19
2 МОДЕЛИРОВАНИЕ И ПРОЕКТИРОВАНИЕ
УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ

2.1 Задание на моделирование и проектирование

Необходимо создать имитационную модель ТУМ для получения


конкретных мощностных характеристик и убедиться в возможности
практического исполнения усилителя. Требуемые характеристики ТУМ:
 Мощность на выходе усилителя
 Полоса рабочих частот = 11,7 – 12,2 ГГц
При разработке бортового усилителя мощности нужно
руководствоваться определенными общепринятыми и проверенными
методами, для этого следует провести обзор методов и средств, с помощью
которых возможно получить имитационную модель, которая будет
удовлетворять требуемым характеристикам.
Разработка усилителя мощности начинается с выбора активного
элемента, который должен удовлетворять требованиям по рабочей частоте и
выходной мощности.
Разработка ТУМ производится с использованием специальных
программ – средств автоматизированного проектирования (САПР).

2.2 Выбор средства моделирования

Для автоматизированного проектирования устройств СВЧ находят


применение несколько вариантов вычислительных пакетов, с помощью
которых можно решить задачу разработки ТУМ, основные из них приведены
ниже:
1. AWR Design Environment (AWRDE), от компании
National Instruments [7].
2. Advanced Design Systems (ADS) от компании Keysight [8].
3. High Frequency Structure Simulator (HFSS) от компании ANSYS [9].

20
Программа AWRDE предназначена для проектирования
радиочастотных устройств и устройств СВЧ. Программа ADS является
системой автоматизированного проектирования для ВЧ, СВЧ и
высокоскоростных электронных устройств. Основное назначение программы
HFSS – трехмерное моделирование ВЧ и СВЧ электромагнитного поля,
следовательно, для выполнения задачи следует отдать предпочтение другим
программам. Функционал программ AWRDE и ADS очень схож и отвечает
требованиям к разработке ТУМ.
Выбор САПР на практике зачастую определяется тем, какую
информацию об активном элементе предоставляет производитель. Данная
информация может быть в виде файла линейных S – параметров, файла
нелинейных S – параметров или в виде зашифрованного файла нелинейной
модели транзистора описывающего его работу при большом сигнале. Файл
нелинейной модели можно импортировать только в тот САПР, который
определил производитель [10].
При разработке может возникнуть необходимость использования
дополнительных программных средств, для решения промежуточных задач.
Выбор таких вспомогательных программ осуществляется по необходимости
в ходе разработки.
Для разработки ТУМ выбрана программа ADS. Выбор САПР
производился исходя из практических соображений, ввиду того, что
производитель транзистора предоставляет нелинейную модель активного
элемента для программы ADS. Все приведенные далее зависимости
получены в программе ADS.

2.3 Имитационная модель

2.3.1 Модель активного элемента

Для построения усилителя был произведен поиск и сравнение


транзисторов различных производителей. В результате сравнения

21
характеристик по предъявляемым требованиям был выбран транзистор
фирмы Cree [11]. Название транзистора CGHV1J070D, основные
характеристики транзистора приведены в приложении А, чертеж транзистора
изображен на рисунке 2.1

Рисунок 2.1 – Черте полевого транзистора CGHV1J070D фирмы Cree. Все размеры указаны в
микрометрах. Drain – сток, Gate – затвор

Полевой нитрид-галлиевый транзистор является бескорпусным и


состоит из 12 ячеек, каждая из которых имеет металлизированное заземление
для истока и две контактные площадки для затвора и стока.
На рисунке 2.2 представлена схема для моделирования вольт-
амперных характеристик (ВАХ) транзистора.

Рисунок 2.2 – Схема для моделирования вольт-амперных характеристик транзистора

22
Данная схема состоит из следующих элементов:
 X1 – полевой нитрид-галлиевый транзистор
 SRC1 – источник постоянного напряжения подключенный к
затвору
 SRC2 – источник постоянного напряжения подключенный к
стоку
 IDS – средство измерения тока на стоке транзистора
 VAR1 – контроллер переменных
 DC1 – контроллер анализа постоянного напряжения
 Sweep1 – котроллер многовариантного анализа
С помощью схемы на рисунке 2.2 произведено моделирование,
результатами которого стали вольт-амперные характеристики активного
элемента, представленные на рисунке 2.3.

Рисунок 2.3 – а) проходная вольт-амперная характеристика, б) выходная вольт-амперная


характеристика транзистора

Из рассмотрения рисунка 2.3 видно, что активный элемент имеет


характерную для нитрид-галлиевого транзистора. Исходя из полученных
зависимостей, можно сделать вывод о работоспособности модели
активного элемента и продолжить моделирование полной схемы усилителя
мощности.

23
2.3.2 Согласование активного элемента

В процессе моделирования схемы широкополосного линейного СВЧ


усилителя мощности следует руководствоваться принятием всех разумных
мер, направленных одновременно и на повышение основных характеристик
устройства, и на возможность его физической реализации. Основной
создания имитационной модели служит активный элемент и его
характеристики. Исходя из полученных сведений от производителя
(приложение А) о достижимых частотных и энергетических характеристиках
транзистора, можно сделать вывод об ориентирах на желаемый результат, а
именно:
 Значение выходной мощности в насыщении до 70 Вт
 Коэффициент усиления по мощности 10 дБ при частоте 12 ГГц
 Коэффициент полезного действия 60%
Для получения требуемых характеристик необходимо произвести
согласование входного и выходного комплексного импеданса транзистора с
линией тракта имеющей сопротивление 50 Ом. Этой цели служат цепи
согласования (ЦС).
Согласование импедансов с использованием сосредоточенных
элементов имеет недостатки из-за нежелательных эффектов, которые
проявляются при работе на сверхвысоких частотах. Поэтому дальнейшее
моделирование производится на микрополосковых линиях с
распределенными параметрами.
Существенное влияние на согласование в СВЧ устройствах имеют
контактные проволочки, задача которых соединить микрополосковые ЦС с
контактными площадками на кристалле транзистора. На рисунке 2.4 в
качестве примера показана трехмерная модель такого соединения
заимствованная в [12].

24
Рисунок 2.4 – Трехмерная модель соединения с помощью контактных проволочек транзистора с
цепями согласования [12]

Из рассмотрения рисунка видно, что проволочки имеют несколько


изогнутую форму, а их количество определяется числом контактных
площадок транзистора. Иллюстрация приведена в качестве примера, поэтому
число проволочек равно 10, а не 12 как в выбранном активном элементе.
Ниже представлена методика расчета вносимой контактными
проволочками индуктивности и получены численные результаты.
Характеристический импеданс N проволочек можно оценить,
представив набор из N проволочек в виде полосы [1], тогда можно
воспользоваться уравнениями для расчета микрополосковых линий. Рисунок
2.5 иллюстрирует это допущение.

Рисунок 2.5 – Условное представление массива проволочек в качестве микрополоска [1]

Основные данные для расчета:


Расстояние между проволочками D = 0,36 мм;
Количество проволочек ;
Ширина условного микрополоска W = (N - 1) * D = 3,96 мм;
Высота проволочек над поверхностью заземления h = 1,25 мм;
25
Относительная диэлектрическая проницаемость ;
Длина соединительных проволочек .
Если то характеристический импеданс массива проволочек

можно найти как:

(2.1)

При условии, что длина проволочки много меньше длины волны


общая индуктивность 12-ти параллельных проволочек на единицу
длины будет равна:

(2.2)

Индуктивность в пересчете на длину проволочек составит


В качестве подложки выбран материал Rogers серии Ro3206 [13],
относительная диэлектрическая проницаемость материала = 6,6; тангенс
угла диэлектрических потерь TanD = 0,0027.
На рисунке 2.6 изображен контроллер подложки Msub и вид
микрополосковой линии на подложке.

Рисунок 2.6 – Подложка Rogers серии Ro3206, источник – программа ADS

Параметры подложки:
Н – толщина подложки, мм;
26
– относительная диэлектрическая проницаемость;
Mur – относительная магнитная проницаемость (значение 1
соответствует золоту);
Cond – электропроводность проводника ;
Hu – расстояние от микрополосковой линии до верхней крышки, мм;
– толщина микрополосков, мм;
TanD – тангенс угла диэлектрических потерь.
В процессе синтеза схем радиочастотных усилителей в программах
САПР принято пользоваться представлением устройств в виде
четырехполюсника и описывать их работу с точки зрения падающих и
отраженных волн с помощью S-параметров:
 S21 – прямой коэффициент передачи от входа к выходу;
 S11 – коэффициент отражения от входа, при условии согласования
на выходе;
 S22 – коэффициент отражения от выхода при условии
согласования на входе;
 S12 – коэффициент обратной передачи от выхода к входу.
Согласование импедансов производилось с помощью алгоритмов
оптимизации Random и Gradient встроенных в контроллер Optim.
Цели оптимизации: значение коэффициента передачи S21 > 10 дБ, S21 <
11 дБ в требуемой полосе частот. Ограничение S21 < 11 дБ необходимо для
получения плоской вершины коэффициента передачи. Коэффициент
отражения от входа S11 < 8 дБ в требуемой полосе частот.
Критерием окончания процесса оптимизации служило достижение
заданных целей. Следует отметить, что процесс согласования производился
не по отдельности для входной и выходной цепи, а для схемы усилителя в
целом.
Итоговый вид входной и выходной микрополосковых цепей
согласования показан на рисунке 2.7 и 2.8 соответственно.

27
Рисунок 2.7 – Схема входной цепи согласования. MLIN – элементы, обозначающие микрополосковую линию, где W – ширина микрополоска в мм, L – длина
микрополоска в мм. MSTEP – элементы, не имеющие физической реализации, но необходимые для правильной работы программы, являются переходными
элементами между микрополосками, в параметрах указывается ширина W соединяемых микрополосковых линий. MTEE_ADS – тройник, присоединяет под
углом 90 градусов третий микрополосок. P1, P2, P3 – порты, служат для включения схемы к другим составным частям модели усилителя

Рисунок 2.8 – Схема выходной цепи согласования. MLIN – элементы, обозначающие микрополосковую линию, где W – ширина микрополоска в мм, L –
длина микрополоска в мм. MSTEP – элементы, не имеющие физической реализации, но необходимые для правильной работы программы, являются
переходными элементами между микрополосками, в параметрах указывается ширина W соединяемых микрополосковых линий. MTEE_ADS – тройник,
присоединяет под углом 90 градусов третий микрополосок. P1, P2, P3 – порты, служат для включения схемы к другим составным частям модели усилителя

28
Из представленных рисунков видно, что каждая из ЦС имеет три
порта P1, Р2, Р3. Порты Р1 и Р3 служат для включения в основной тракт
усиления, а порты Р2 необходимы для включения цепей питания и смещения.
На рисунке 2.9 представлены задаваемые в программе ADS
физические размеры микрополосков для ЦС и всей модели усилителя в
целом.

Рисунок 2.9 – Физические размеры микрополосковых линий


Включение ЦС в состав полной схемы модели транзисторного
усилителя мощности нагляднее рассмотрено в пункте 2.4 данной главы.

2.4 Модель транзисторного усилителя мощности

В данном пункте рассматриваются аспекты проектирования,


связанные с работой отдельных элементов в составе полной схемы модели.
Особое внимание уделяется соединению активного элемента с цепями
согласования и влиянию вносимой соединительными элементами
индуктивности на согласование транзистора. Для наглядного представления
устройства усилителя мощности полная схема приведена на рисунке 2.10.

29
Рисунок 2.10 – Схема модели транзисторного усилителя мощности

30
Пояснение элементов схемы на рисунке 2.10
X1 – активный элемент; L1, L2 – индуктивности контактных
проволочек; X2, X3 – входная и выходная микрополосковые ЦС в сжатом
виде. Полное представление ЦС приведено на рисунках 2.7 и 2.8
соответственно.
С1, С2 – блокировочные конденсаторы номиналом по 4 пФ.
Номиналы конденсаторов выбраны исходя из условия, что сопротивление
конденсатора на частоте меньше волнового сопротивления
микрополосковой линии Z0 в 20 раз:
. (2.3)

 MLIN TL13, TL14 – микрополосковые линии;


 Term1, Term2 – входной и выходной порты;

 MLIN TL15, TL16 – микрополоски длиной ;

 С3, С4, С5, С6, C7, C8 ,C9, C10 – семейства конденсаторов для
отвода высокочастотной составляющей тока от элементов
смещения и питания;
 V_DC SRC1, SRC2 – элементы смещения и питания
соответственно.
Рабочая точка задавалась исходя из целей линейности амплитудной
характеристики и достижения наилучшего КПД.
Отдельного внимания заслуживают микрополосковые линии MLIN
TL15, TL16. Их особенность заключается в том, что они выполняют роль
дросселей и обеспечивают режим холостого хода по переменному току,
предотвращая протекание переменного СВЧ сигнала к источникам питания и
смещения. Соответственно длина этих микрополосков должна равняться
четверти длины волны в микрополосковой линии ( ). По информации из
[14] длину волны в микрополосковой линии можно определить из
следующих формул:

31
(2.4)

(( ) ( ) ) (2.5)

Формула для справедлива, если выполняется условие

– эффективная диэлектрическая проницаемость, характеризует


соотношение между энергиями поля, распределенными в воздухе и
диэлектрике. При микрополосковая линия близка по своим свойствам
к плоскому конденсатору, где почти вся энергия поля концентрируется в

диэлектрике под полоской, поэтому . Если энергия поля


распределяется поровну между воздушной средой и диэлектриком. В таком
случае эффективная диэлектрическая проницаемость близка к среднему
значению суммы диэлектрической проницаемости воздуха и диэлектрика
[14] . Если принять что ширина полоски , а толщина

диэлектрика подложки , то можно воспользоваться приведенными


формулами и вычислить длину волны в микрополосковой линии. Для
частоты 12 ГГц , соответственно длина микрополосков в

цепях питания и смещения равна .

2.5 Частотные характеристики транзисторного усилителя


мощности

Частотные характеристики синтезированной схемы в САПР ADS


рассматриваются как S-параметры. Оценка параметров производится в
полосе частот от 11 ГГц до 13 ГГц, результаты представлены на рисунке 2.11.

32
Рисунок 2.11– Частотные характеристики транзисторного усилителя мощности

В пределах требуемой полосы частот 11,7 – 12,2 ГГц значение


коэффициента передачи S21 не ниже 10,22 дБ, коэффициент отражения от
входа S11 не превышает -5,9 дБ. Исходя из полученных характеристик, можно
сделать вывод о достижении желаемых результатов коэффициента усиления
более 10 дБ. Кроме того удалось добиться уплощения коэффициента
усиления и в пределах полосы изменение коэффициента усиления не
превышает 0,64 дБ.
На рисунке 2.12 представлена фазочастотная характеристика
синтезированного усилителя.

Рисунок 2.12 – Фазочастотная характеристика транзисторного усилителя

33
Из рисунка 2.12 видно, что фазовый сдвиг усилителя изменяется в
угловых градусах в пределах 360 градусов. В пределах полосы пропускания
изменение фазового сдвига не имеет резких скачков и составляет 224
градуса.

2.6 Устойчивость транзисторного усилителя мощности

Анализируя схему усилителя как четырехполюсник с точки зрения


падающих и отраженных волн, можно допустить ситуацию, что некоторая
доля мощности будет поступать в усилитель не с входа, а с выхода,
отражаясь от элементов тракта стоящих после каскада усиления. Поскольку
S22 не равен нулю, можно утверждать, что для сигнала существует путь от
выхода к входу. При неидеальном согласовании это приведет к повторному
усилению отраженного от выхода сигнала и существует вероятность, что
коэффициенты отражения по входу и выходу будут больше единицы за счет
усиления. В терминах S параметров за оценку процесса передачи сигнала от
выхода к входу отвечает коэффициент S12.
Для оценки устойчивости транзисторного усилителя мощности
используется К-фактор [15], его можно вычислить по формуле:
| | | | | |
| |
(2.6)

Усилитель можно назвать стабильным при условии


и | | | | (2.7)
Для оценки К-фактора в программе ADS произведен расчет
стабильности, результаты которого изображены на рисунке 2.13.

34
Рисунок 2.13 – К-фактор устойчивости усилителя

К-фактор имеет минимальное значение К = 2,6 на всей полосе частот


и за ее пределами в границах проводимого моделирования. Величина | |
также стремится к минимальным значениям, которые находятся возле нуля.
По полученному графику, согласно информации из [15], можно сделать
однозначный вывод об устойчивости усилителя.

2.7 Топология усилителя мощности

По итогам согласования были получены конкретные численные


значения для каждого из микрополосков в схеме, изображенной на рисунке
2.10, что делает возможным получение топологии усилителя. Вид топологии
был получен с помощью встроенной в САПР ADS функции генерации
топологии (Layout/Generate). Результат генерации изображен на рисунке 2.14.

35
Рисунок 2.14 – Топология широкополосного транзисторного усилителя мощности

В центральной части красным цветом выделен активный элемент,


который соединяется с микрополосковой линией контактными проволочками
малой длины. Желтым цветом представлены микрополосковые линии, они
занимают самую большую площадь на всей топологии. Емкостные элементы
представлены схематично. Приблизительные итоговые размеры топологии:
ширина – 33,2 мм, длина – 72,3 мм, высота – 1,017 мм. Полученные размеры
являются физически реализуемыми и могут быть применены для создания
макета ТУМ. При выполнении усилителя в корпусе может потребоваться
удлинить цепи питания и смещения, для этого необходимо будет произвести
незначительную корректировку согласующих цепей и убедиться в
соответствии частотных и энергетических характеристик требуемым в
техническом задании (ТЗ). Учитывая, что активный элемент поставляемый
производителем не имеет корпуса, а его проектирование отдельно для
транзистора затруднительно, следует выполнять общий корпус усилителя в
герметичном виде.

36
2.8 Выводы по главе 2

1) Произведен обзор программных пакетов схемотехнического


моделирования и выбран активный элемент, характеристики которого
удовлетворяют требованиям технического задания;
2) Выполнено широкополосное согласование активного элемента и
спроектирована топологическая схема транзисторного усилителя
мощности. В ходе согласования проводилась оптимизация физических
размеров цепей согласования с целью достижения наилучших
частотных характеристик. Учтены особенности проектирования ТУМ
при бескорпусном исполнении активного элемента. Итоговые размеры
топологии: ширина – 33,2 мм, длина – 72,3 мм, высота – 1,017 мм;
3) Выполнен анализ устойчивости каскада на нитрид-галлиевом
транзисторе;
4) Показано, что частотные характеристики усилителя удовлетворяют
требованиям по полосе частот, а коэффициент усиления по мощности
достигает более 10 дБ, что соответствует данным из документации.
Требуемые значения выходной мощности будут подробно рассмотрены в
главе 3.

37
3 ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК МОДЕЛИ
УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ

3.1 Цель измерений

Транзисторный усилитель мощности является оконечным каскадом, а


значит, на нем достигаются самые большие значения выходной мощности. В
связи с этим к оконечному каскаду предъявляются повышенные требования
по энергетическим характеристикам. Кроме того, усилитель должен обладать
приемлемой электромагнитной совместимостью, следовательно, стоит
уделить внимание моделированию интермодуляционных искажений. Также в
данной главе производится моделирование работы усилителя при
воздействиях монохроматического, двухчастотного и амплитудно-
модулированного сигналов во временной области; моделирование
температурных зависимостей основных характеристик усилителя. Таким
образом, целью измерений является получение наиболее полного описания
работы транзисторного усилителя мощности. Средствами измерений
является внутренний функционал программы ADS.

3.2 Энергетические характеристики

Энергетические характеристики являются наиболее важными для


мощных СВЧ усилителей. В связи с этим особое внимание уделяется
значению выходной мощности в точке компрессии коэффициента усиления
1дБ. В предъявляемых требованиях выходная мощность в точке компрессии
должна быть не менее . Оценка уровня выходной мощности
производится с помощью встроенных функций гармонического баланса
(HARMONIC BALANCE) – приближенный метод исследования нелинейных
систем, которые описываются обыкновенными дифференциальными
уравнениями. На рисунке 3.1 изображен проект для получения нелинейной
зависимости выходной мощности от входной .

38
Рисунок 3.1– Схема для получения зависимости

Пояснение элементов проекта:


 X1 – усилитель представленный с вжатом виде;
 PORT1 – входной порт с волновым сопротивлением 50 Ом. Функция
dbmtow(Pin,0) преобразует значение входной мощности Pin в Ватты
для проведения вычислений, 0 означает начальную фазу входного
сигнала;
 Term2 – выходной порт с волновым сопротивлением 50 Ом;
 HB1 – контроллер гармонического баланса;
 VAR1 – обозначение переменной входной мощности
(начальное значение);
 vout – узел предназначенный для снятия выходной амплитуда
напряжения.
Итоговые результаты энергетических характеристик при работе
на частоте 12 ГГц представлены на рисунке 3.2.

39
Рисунок 3.2 – Зависимость при входном воздействии на частоте 12 ГГц

Из полученных зависимостей следует, что выходная мощность в точке


компрессии 1дБ (точка А) достигается при
уровне входной мощности , коэффициент
полезного действия при этом равен 50,4%.
Значительный недостаток заключается в том, что выходная мощность
и КПД в полосе усиления не одинаковы. Логично предположить, что
значения мощности на границах полосы будут самыми маленькими.
Требуемая выходная мощность должна достигаться на всей
полосе частот. На рисуноке 3.3 представлены графики зависимости выходной
мощности от входной, при подаче на вход мощности на различных частотах в
пределах полосы 11,7 – 12,2 ГГц с шагом 0,1 ГГц.

40
Рисунок 3.3 – Зависимость при входном воздействии на частотах от 11,7 ГГц до 12,2
ГГц с шагом 0,1 ГГц

Из рассмотрения рисунка 3.3 можно оценить величину разброса амплитудной


характеристики, в зависимости от входных частот, на которых
производилось моделирование. Численные результаты с метки m18 на
рисунке 3.3 представлены в таблице 3.1.

Таблица 3.1 Численные результаты, полученные с метки m18 рисунка 3.3

f, ГГц Pвх(Рвх), дБмВт Рвых(Рвх), дБмВт КПД, %


11,7 46,2 45,25 47
11,8 46,2 45,66 51
11,9 46,2 45,55 50
12,0 46,2 45,59 50
12,1 46,2 45,43 49
12,2 46,2 45,21 47

Полученные данные из таблицы 3.1 подтверждают предположения о


спаде выходной мощности и коэффициента полезного действия на концах
полосы усиления.

41
Наименьшая выходная мощность в точке компрессии 1дБ в пределах
полосы усиления равна и достигается при
уровне входной мощности . Минимальный
коэффициент полезного действия равен . Таким образом, можно
сделать вывод о достижении требуемых значений выходной мощности и
коэффициента полезного действия.

3.3 Интермодуляционные характеристики

Интермодуляционные характеристики широкополосного


транзисторного СВЧ усилителя мощности для бортового спутникового
ретранслятора являются особенно важными для электромагнитной
совместимости при работе различных устройств. Из-за ограниченности
частотного ресурса растет потребность в уплотнении сигналов в полосе
частот, что вызывает эффекты взаимного влияния устройств друг на друга.
Наиболее распространенным методом оценки интермодуляционных
характеристик является двухчастотный метод. Два монохроматических
сигнала подаются на усилительный каскад в пределах полосы пропускания,
при этом частоты сигналов находятся вблизи границ полосы. После
прохождения двумя сигналами нелинейного элемента, на выходном спектре
появляются паразитные составляющие на кратных частотах и
интермодуляционные составляющие как результат взаимодействия двух
сигналов.
На рисунке 3.4 производится оценка интермодуляционных искажений
с помощью двухчастотного метода. Частоты основных колебаний 11,75 ГГц
и 12,15 ГГц, уровень входной мощности на каждой из двух частот
.

42
Рисунок 3.4 – Интермодуляционные искажения 3-го и 5-го порядков

Падение уровня интермодуляционных искажений 3-го порядка


относительно уровня мощности входных колебаний составляет 20,5 дБ и 23
дБ.

3.4 Тестирование усилителя с разными типами входного сигнала

В данном параграфе производится анализ работы усилителя во


временной области для следующих типов входных воздействий: а)
монохроматического, б) двухчастотного в) амплитудно-модулированного.
Для получения временных зависимостей в программе ADS
используется контроллер Transient. Моделирование проводится во
временном отрезке до 100 нс.

3.4.1 Монохроматический сигнал

Источником входного сигнала служит источник синусоидального


напряжения, амплитуда входного сигнала составляет 500 мВ, частота
43
входного сигнала 12 ГГц. Зависимость напряжения на входе и выходе
усилителя представлена на рисунке 3.5 и 3.6

Рисунок 3.5 – Входное и выходное напряжение усилителя в момент начала подачи сигнала

Рисунок 3.6 – Выходное напряжение усилителя

После подачи входного сигнала амплитудой 500 мВ на частоте 12 ГГц


существует задержка перед откликом на выходе усилителя = 0,2 нс.

Коэффициент усиления по напряжению Постоянная

времени определяется как 2/3 от установившегося значения .


Длительность переходного процесса достаточно мала, что говорит о низкой
инерционности.
44
3.4.2 Двухчастотный сигнал

Модель формирования двухчастотного сигнала представлена двумя


источниками синусоидального напряжения и сумматором. Амплитуды
сигналов источников одинаковы и равны 250 мВ. Частота первого входного
сигнала , частота второго входного сигнала .

( ) ( ) (3.3)

На рисунках 3.7 и 3.8 изображены входной и выходной сигнал после


сумматора поступающий на усилитель.

Рисунок 3.7 – Эпюры двухчастотного сигнала на входе усилителя

Рисунок 3.8 – Эпюры двухчастотного сигнала на выходе усилителя

Коэффициент усиления по напряжению .


45
3.4.3 Амплитудно-модулированный сигнал

Модель формирования АМ сигнала представлена идеальным


модулятором и двумя источниками синусоидального напряжения. Несущая
частота . Частота полезного сигнала . Коэффициент
модуляции m=1. Результаты моделирования на входе и выходе усилителя
представлены на рисунках 3.9 и 3.10.

Рисунок 3.9 – Эпюры АМ сигнала на входе усилителя

Рисунок 3.10 – Эпюры АМ сигнала на выходе усилителя

Из рассмотрения рисунков 3.9 и 3.10 видно, что форма выходного


сигнала повторяет форму входного воздействия и является ожидаемой.
Однако на эпюрах выходного напряжения в области малых амплитуд видно
небольшое искажение, которое не соответствует коэффициенту модуляции m
= 1.
46
3.5 Шумовые характеристики

Моделирование шумовых характеристик заключается в определении


фактора шума F или коэффициента шума NF, эти величины связаны
следующим соотношением:
(3.1)

⁄ (3.2)

Результатом моделирования является зависимость коэффициента


шума от частоты, показанная на рисунке 3.11.

Рисунок 3.11 – Зависимость коэффициента шума от частоты

Максимальное значение коэффициента шума в полосе частот


составляет 6,9 дБ, что соответствует фактору шума . Это значит, что
отношение сигнал шум падает в 4,9 раз при прохождении сигнала через
усилитель.

47
3.6 Температурные характеристики

Аппаратура бортового спутникового ретранслятора сигналов крепится


к теплоотводящей плите, которая отвечает за температурную стабильность
работы приборов, это улучшает надежность и не допускает существенного
ухудшения характеристик и режимов работы. Однако влияние температуры
важно учитывать и на уровне отдельных устройств, в особенности, если речь
идет о конечном каскаде мощного усилителя.
Согласно информации из документации на транзистор (приложение
А), допустимая температура работы составляет от -65℃ до +150℃.
Имитационная модель, предоставленная производителем, позволяет увидеть
приблизительное изменение основных характеристик транзисторного
усилителя от температуры окружающей среды. В целях получения наиболее
полной информации о работе усилителя было произведено моделирование во
всем диапазоне допустимых температур активного элемента. На рисунке 3.12
представлен результат разброса коэффициента усиления по мощности от
температуры окружающей среды. Шаг изменения температуры составляет
15℃.

Рисунок 3.12 – Зависимость коэффициента усиления по мощности от температуры окружающей


среды от -65℃ до 150℃

С увеличением температуры коэффициент усиления падает и при


150℃ составляет 9 дБ (метка m4) в пределах требуемой полосы.

48
Основная задача усилителя – добиться заданного уровня мощности,
которую необходимо передать в антенну. Поэтому немаловажной
характеристикой является зависимость выходной мощности усилителя от
температуры.

Рисунок 3.13 – Зависимость выходной мощности от входной мощности при различной


температуре окружающей среды от -65℃ до 150℃, частота входного сигнала 12 ГГц

В худшем варианте при 150℃ мощность на выходе в точке


компрессии 1дБ составит всего 43,9дБмВт, что равно 24,5 Вт, а коэффициент
полезного действия менее 43%. Это не удовлетворительные результаты. Для
того чтобы выполнялись предъявляемые требования по выходной мощности
, температура окружающей среды не должна превышать 85℃.
Коэффициент полезного действия составит 47%, а коэффициент усиления по
мощности будет находиться в диапазоне 9,7дБ – 10,3дБ на всей полосе
усиления.
На рисунке 3.14 представлена зависимость коэффициента шума от
температуры окружающей среды.

49
Рисунок 3.14 – Зависимость коэффициента шума усилителя при различной температуре
окружающей среды от -65℃ до 150℃

Коэффициент шума увеличивается по мере роста температуры и в


худшем случае на частоте 11,7 ГГц и при температуре 150℃ составляет NF =
8 дБ. С ростом температуры возрастает уровень собственных шумов, что
оказывает отрицательное влияние – уменьшается динамический диапазон
усилителя. Полученные значения коэффициента шума можно считать
приемлемыми, поскольку производилось моделирование усилителя
мощности, а не малошумящего усилителя.
По результатам моделирования видно, что увеличение температуры
оказывает существенное влияние на характеристики ТУМ, падает
коэффициент усиления, как следствие уменьшается выходная мощность.
Предварительные результаты проектирования данного транзисторного
усилителя мощности были доложены на 26-ой научно-технической
конференции студентов и аспирантов РЭЭ-2020 в марте 2020 года [21].

50
3.7 Выводы по главе 3

Основные результаты главы 3:


1) Показано, что транзисторный усилитель способен работать при
требуемой выходной мощности более 30 Вт на всей полосе частот;
2) Выполнено измерение интермодуляционных искажений при высоком
уровне входной мощности, что особенно важно для выполнения
требований электромагнитной совместимости. Падение уровня
интермодуляционных искажений 3-го порядка относительно уровня
мощности входных колебаний составляет 20,5 дБ и 23 дБ при оценке
двухчастотным методом;
3) Произведен анализ работы усилителя во временной области при
различных входных сигналах;
4) Дана оценка шумовым характеристикам транзисторного усилителя
мощности;
5) Произведена оценка частотных, энергетических и шумовых
характеристик при различных температурах окружающей среды.
Установлено, что требуемая выходная мощность 30 Вт будет
достижима при работе усилителя в диапазоне температур вплоть до
85℃.

51
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В связи с быстрым развитием спутниковой связи и ростом объема
информации существует спрос на разработки радиотехнических устройств,
служащих для приема и передачи информации на больших расстояниях. В
связи с этим работа по созданию ТУМ на GaN транзисторе с высокой
выходной мощностью и большой рабочей частотой отвечает последним
требованиям в области спутниковых радиосистем.
Для разработки ТУМ решен ряд задач связанных с определенными
ограничениями, которые возникают из-за высоких требований к
характеристикам прибора. С помощью алгоритмов оптимизации выполнено
широкополосное согласование мощного транзистора с входным и выходным
трактами усилителя, при этом учтено влияние важных аспектов, таких как,
наличие индуктивности, дополнительно вносимой контактными
проволочками; расстояние от микрополосковых линий до верхней крышки
корпуса. Результатом согласования стала топология ТУМ. Получены
температурные зависимости основных характеристик усилителя и сделан
вывод о допустимом диапазоне температур, в пределах которых активный
элемент находится в работоспособном состоянии, а выходная мощность
находится выше требуемых значений. На имитационной модели с помощью
расчета К-фактора продемонстрирована устойчивость усилителя.
Полученные характеристики усилителя:
1) Полоса рабочих частот – ;
2) Выходная мощность при температуре T < 85℃;
3) Коэффициент усиления по мощности Кp > 10 дБ;
4) Коэффициент полезного действия КПД > 50 %
5) Габаритные размеры топологии: ширина – 33,2 мм, длина – 72,3 мм,
высота – 1,017 мм;

52
6) Падение уровня внеполосных интермодуляционных искажений 3-го
порядка относительно уровня мощности выходных колебаний внутри
полосы более 21 дБ;
7) Коэффициент шума NF = 6,9 дБ; фактор шума .
Полученные итоговые характеристики не далеки от предварительных
результатов проектирования изложенных на 26-ой научно-технической
конференции студентов и аспирантов РЭЭ-2020 в марте 2020 года [21].
В качестве дальнейшей работы можно выделить применение метода
предыскажения сигналов для получения лучшей линейности в области
больших значений входной мощности. Это позволит увеличить значение
выходной мощности и снизить уровень интермодуляционных искажений.
Полученная имитационная модель может быть реализована в виде макета для
проверки и корректировки характеристик мощного усилителя. При условии
выполнения требований ТЗ на реальном макете транзисторный усилитель
мощности может быть реализован в виде действующей бортовой аппаратуры.

53
Список использованных источников

1. Сечи Ф. Мощные твѐрдотельные СВЧ-усилители / пер. с англ. / Ф.


Сечи, М. Буджатти – Москва: Техносфера, 2015. -416 с. – ISBN 978-5-
94836-415-5

2. Спутниковая связь и вещание, под ред. Л.Я. Кантора, 3-е изд. -


Москва, Радио и связь, 1997. – 528 с. – ISBN 5-256-00809-9

3. Алыбин В. Бортовые твердотельные СВЧ-усилители мощности


будущего для командно-измерительных систем / В.Г. Алыбин, А.С.
Семочкин // Ракетно-космическое приборостроение и информационные
системы, том 3, выпуск 3, 2016 – с. 89 – 97 – ISSN 2587-9057

4. Былкин В. и др. Бортовые усилители мощности для аппаратуры


ГЛОНАСС Электронная техника / сер. 1 / СВЧ-техника / вып.3, 2013 –
с. 54 – 59

5. Колоколов А. Построение и характеристики СВЧ монолитных


усилителей / А.А. Колоколов, М.В. Черкашин // Доклады ТУСУРа
№2(24) ч.2, декабрь 2011– с. 17 – 23

6. Гольцова М. Мощные GaN транзисторы / Электроника, наука,


технология, бизнес / № 4(00118) 2012. с. 86 - 100 – ISSN 1992-4178

7. AWR Design Environment - платформа для разработки и


моделирования устройств РЧ и СВЧ диапазона. – режим доступа:
https://www.awr.com/ru – (05.02.2020)

8. Компания KEYSIGHT technologies ADS –поставляет программное


обеспечение для нужд разработки СВЧ приборов // режим доступа:
www.keysight.com/ru – (05.02.2020)

9. Ansys HFSS – поставщик программного обеспечения для трехмерного


моделирования ВЧ и СВЧ устройств. //режим доступа:
https://www.ansys.com/products/electronics/ansys-hfss – (05.02.2020)

10. Устройства СВЧ и антенны. Ч. 1 Проектирование, примеры


применения устройств СВЧ / Под ред. В. А. Неганова. – М.:
Книжный дом «Либроком», 2013. -608 с. ISBN 978-5-397-03971-9

54
11. Компания Cree – поставщик полупроводниковых материалов // режим
доступа: www.cree.com – (21.02.2020)

12. Electronix – сайт-форум по электронике. режим доступа:


https://electronix.ru – (12.05.2020)

13. Rogers corporation – поставщик печатных плат для ВЧ и СВЧ техники


режим доступа: https://www.rogerscorp.com – (03.03.2020)

14. Фуско В. СВЧ цепи. Анализ и автоматизированное проектирование. /


Москва “Радио и связь” 1990г. – с. 288 – ISBN 5-256-00663-0

15. White J. High frequency techniques: an introduction to RF and microwave


engineering. New Jersey: A John Wiley & Sons,Inc., 2004 – c. 409 – ISBN
0-471-4559-1

16. Малышев В., Никитин, А. Устройства формирования и


генерирования сигналов. Автоматизированное моделирование СВЧ-
устройств./ Москва: Юрайт, 2019 ISBN 978-5-534-03773-9

17. Браннинг Д., Рейит Р. Проектирование широкополосного


высокоэффективного высокочастотного усилителя мощности на основе
нитрида галлия / СВЧ-электроника, 2018, № 3 . С. 30 – 36 (www.
microwave-e.ru)

18. Калыгина Л. А., Меркутов А.С. Практикум по проектированию


входных устройств систем связи в среде САПР ADS / Владимир 2011г.

19. Шварц Н. З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах / Москва Радио


и связь, 1987. – 86 – 136.

20. Банков С. Е., Электродинамика для пользователей САПР СВЧ / С.Е.


Банков, А.А. Курушин. – Москва “СЛОН-Пресс”, 2017 – 315с. – ISBN
978-5-91359-236-1

21. Епифанов А.А., Характеристики транзисторного усилителя мощности


для спутникового ретранслятора / Радиоэлектроника, электротехника и
энергетика : тез. докл. XXVI международной науч.-техн. конф., М, 12-
13 мар. 2020 г. / МЭИ. – М, с. 28. / ISBN 978-5-907292-11-6

55
Список сокращений

4H-Sic Карбид кремния, 4H- политип кристалла


6H-Sic Карбид кремния, 6H- политип кристалла
ADS Advanced Design Systems
AlGaN Нитрид алюминия галлия
AWRDE Applied Wave Research Design Environment
GaAs Арсенид галлия
GaN Нитрид галлия
HFSS High Frequency Structure Simulator
АРМ Автоматическая регулировка мощности
ВАХ Вольт-амперные характеристики
ВБР Вероятность безотказной работы
ВЧ Высокая частота
ИВЭП Источник вторичного электропитания
КПД Коэффициент полезного действия
МИС Монолитная интегральная схема
ПТШ Полевой транзистор с барьером Шоттки
САПР Средство автоматизированного проектирования
САС Срок активного существования
СВЧ Сверхвысокие частоты
ТВПЭ Транзистор с высокой подвижностью электронов
ТЗ Техническое задание
ТУМ Транзисторный усилитель мощности
УЛБВ Усилитель мощности на лампе бегущей волны
ЦС Цепь согласования
ЭМС Электромагнитная совместимость

Список обозначений

Фаза
Электропроводность проводника
Расстояние между проволочками
Фактор шума
Толщина подложки
Расстояние от микрополосковой линии до верхней
крышки
Фактор устойчивости
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по напряжению
Общая индуктивность соединительных проволочек
Погонная индуктивность соединительных проволочек
Относительная магнитная проницаемость
56
Количество соединительных проволочек
Коэффициент шума
Выходная мощность в точке компрессии 1 дБ
Входная мощность
Выходная мощность
Коэффициент отражения от входа при условии
согласования на выходе
Коэффициент обратной передачи от выхода к входу
Прямой коэффициент передачи от входа к выходу
Коэффициент отражения от выхода при условии
согласования на входе
Температура
Время задержки
Тангенс угла диэлектрических потерь
Толщина микрополоска
Входное напряжение
Выходное напряжение
Ширина микрополоска
Длина соединительных проволочек
Емкостное сопротивление конденсатора
Характеристическое сопротивление
Центральная частота
Несущая частота в АМ сигнале
Частота полезного сигнала
Высота проволочек над поверхностью заземления
Коэффициент модуляции
Полоса частот
Эффективная диэлектрическая проницаемость
Относительная диэлектрическая проницаемость
Длина волны
Длина волны в микрополоске
Постоянная времени

57
ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение А – Паспортные характеристики транзистора

58
59
60
61
62