Insulated Gate Bipolar Transistor

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi

What is an Isolated Gate Bipolar Transistor?

Apa itu Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi?
Before the development of the IGBT, power electronics engineers had two types of device
available for higher frequency switching – the Bipolar Junction Transistor (BJT) and the
Metal Oxide Field Effect Transistor (MOSFET). Both devices could switch at higher
frequencies than Thyristors (or SCRs) but each had some limitation. MOSFETS offered high
switching speeds, but high voltage and high current designs were relatively costly, whereas
BJTs were available in high voltage and high current configurations, but offered somewhat
lower switching speeds.
Sebelum pengembangan IGBT, insinyur elektronika daya memiliki dua jenis perangkat yang
tersedia untuk switching frekuensi yang lebih tinggi - Bipolar Junction Transistor (BJT) dan
Metal Effect Oxide Field Transistor (MOSFET). Kedua perangkat dapat beralih pada
frekuensi yang lebih tinggi daripada Thyristor (atau SCR) tetapi masing-masing memiliki
beberapa batasan. MOSFET menawarkan kecepatan switching yang tinggi, tetapi desain
tegangan tinggi dan arus tinggi relatif mahal, sedangkan BJT tersedia dalam konfigurasi
tegangan tinggi dan arus tinggi, tetapi menawarkan kecepatan switching yang lebih rendah.

Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are three terminal switching devices, which could
effectively be considered to consist of an insulated gate N-channel MOSFET combined with
a PNP Bipolar Junction Transistor. The IGBT combines the high voltage and current
capability of the BJT with the voltage control characteristics of a MOSFET, allowing higher
frequency switching.
Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT) adalah tiga perangkat terminal switching, yang
secara efektif dapat dianggap terdiri dari gerbang terisolasi N-channel MOSFET yang
dikombinasikan dengan PNP Bipolar Junction Transistor. IGBT menggabungkan tegangan
tinggi dan kemampuan saat ini dari BJT dengan karakteristik kontrol tegangan MOSFET,
memungkinkan perpindahan frekuensi yang lebih tinggi.
How do IGBTs work?
Bagaimana cara kerja IGBT?
The IGBT has three connections, Collector, Emitter, and Gate. The conductance path is
through the Collector and Emitter. Similar to a Thyristor, the IGBT allows current to pass
when a signal is received at the Gate. A thyristor is “current controlled” and switches “ON”
when a pulse is provided to the Gate. The IGBT is voltage controlled, allowing conduction
when a positive voltage is present on the Gate, and only switching “OFF” when the voltage is
reduced to zero, or ideally, driven negative.
IGBT memiliki tiga koneksi, Kolektor, Emitor, dan Gerbang. Jalur konduktansi adalah melalui
Kolektor dan Emitor. Mirip dengan Thyristor, IGBT memungkinkan arus untuk lewat ketika
sinyal diterima di Gerbang. Seorang thyristor adalah "dikendalikan saat ini" dan beralih "ON"
ketika pulsa diberikan ke Gerbang. IGBT dikendalikan oleh tegangan, memungkinkan
konduksi ketika ada tegangan positif pada Gate, dan hanya beralih "OFF" ketika tegangan
dikurangi menjadi nol, atau idealnya, didorong negatif.

The output current and voltage characteristics are similar to the BJT, but driving the device
using the voltage control of the MOSFET simplifies the switching. Another important
advantage over standard MOSFET operation is a lower on-state voltage. The resistance
offered by the conducting channel in an IGBT is very much smaller, leading to much higher
current ratings than for an equivalent power MOSFET.
Karakteristik arus dan tegangan keluaran mirip dengan BJT, tetapi menggerakkan perangkat
menggunakan kontrol tegangan MOSFET menyederhanakan perpindahan. Keuntungan
penting lainnya dari operasi MOSFET standar adalah tegangan on-state yang lebih rendah.
Perlawanan yang ditawarkan oleh saluran penghantar dalam IGBT sangat jauh lebih kecil,
yang mengarah ke peringkat saat ini yang jauh lebih tinggi daripada untuk MOSFET daya
yang setara.
What are IGBTs used for?
IGBTs are the ideal choice for switching current on and off in high power applications. IGBTs
are designed for use in power applications above 1kW, the point at which BJTs and standard
MOSFETs reach their limits, switching at frequencies between 1 kHz and 20 kHz. Low
voltage applications (<600V) tend to be high volume consumer oriented, for example to
control motor drives for washing machines. Key applications include automotive (electric
vehicles), rail traction equipment and industrial motor drives, where operating voltages are
higher – 1200V or 1700V are typical of the standard ranges available.
Untuk apa IGBT?
IGBT adalah pilihan ideal untuk menghidupkan dan mematikan saat ini dalam aplikasi daya
tinggi. IGBT dirancang untuk digunakan dalam aplikasi daya di atas 1kW, titik di mana BJT
dan MOSFET standar mencapai batasnya, beralih pada frekuensi antara 1 kHz dan 20 kHz.
Aplikasi bertegangan rendah (<600V) cenderung berorientasi konsumen volume tinggi,
misalnya untuk mengendalikan drive motor untuk mesin cuci. Aplikasi utama termasuk
otomotif (kendaraan listrik), peralatan traksi rel dan penggerak motor industri, di mana
tegangan operasi lebih tinggi - 1200V atau 1700V adalah tipikal dari rentang standar yang
tersedia.

Advantages and disadvantages of IGBT

The term IGBT full form is Insulated Gate Bipolar Transister. IGBT has been developed by
combining best qualities of both BJT and PMOSFET. Thus IGBT process is high input
impedance like PMOSFET and has low on state power loss as in a BJT. All these merits
have made it IGBT very popular among power electronics engineers. This article give the
information about some advantages and disadvantages of IGBT to know more details about
IGBT.
Keuntungan dan kerugian IGBT
Istilah bentuk lengkap IGBT adalah Insulated Gate Bipolar Transister. IGBT telah
dikembangkan dengan menggabungkan kualitas terbaik dari BJT dan PMOSFET. Dengan
demikian proses IGBT adalah impedansi input tinggi seperti PMOSFET dan memiliki rugi
daya negara yang rendah seperti pada BJT. Semua kelebihan ini membuatnya IGBT sangat
populer di kalangan insinyur elektronik daya. Artikel ini memberikan informasi tentang
beberapa kelebihan dan kekurangan IGBT untuk mengetahui lebih detail tentang IGBT.

Advantages of IGBT :
Keuntungan IGBT:
- Simple drive circuit
Sirkuit drive sederhana
- Low on resistnce
Rendah pada tahanan
- High voltage capacity
Kapasitas tegangan tinggi
- Fast switching speed
Kecepatan switching cepat
- Easy of drive
 Mudah dikerjakan
- Low switching loss
Kehilangan switching yang rendah
- Low on stage power dissipation
Disipasi daya panggung rendah
- Low gate drive requirement
Persyaratan drive gerbang rendah
- High switching speed
Kecepatan switching tinggi
- High input impedance
Impedansi input tinggi
- Voltage control device
Perangkat kontrol tegangan
- Smaller sunbber circuit requirement
Persyaratan sirkuit sunbber yang lebih kecil
- It has Superior current conduction capability
Memiliki kemampuan konduksi superior saat ini
- It is easy to turn ON and OFF
Sangat mudah untuk menghidupkan dan mematikan
- It has excellent forward and reverse blocking capabilities
Ini memiliki kemampuan memblokir maju dan mundur yang sangat baik
- Switching frequency is higher than the BJT
Frekuensi switching lebih tinggi dari BJT
- Enhanced conduction due to bipolar nature
Peningkatan konduksi karena sifat bipolar
- IGBT has a very low on-state voltage drop due to superior on-state current density
and conductivity modulation. So the cost can be reduced and smaller chip size is
possible.
IGBT memiliki drop tegangan on-state yang sangat rendah karena densitas arus dan
modulasi konduktivitas superior. Sehingga biaya dapat dikurangi dan ukuran chip
yang lebih kecil dimungkinkan.

Disadvantages of IGBT :
Kerugian IGBT:
- Latching up problem
Mengatasi masalah
- It can't block high reverse voltage
Tidak dapat memblokir tegangan balik tinggi
- High turn off time
Waktu mematikan tinggi
- Cost is high
Biaya tinggi
- The speed of the switching is lower to a power MOSFET and higher to a BJT. So the
collector current following due to the minority charge carriers roots the turnoff speed
to be very slow. There is a chance of latch up due to the internal structure of PNPN
thyristor device.
Kecepatan switching lebih rendah ke MOSFET daya dan lebih tinggi ke BJT. Jadi
arus kolektor mengikuti karena pembawa muatan minoritas membasmi kecepatan
belokan menjadi sangat lambat. Ada kemungkinan kait karena struktur internal
perangkat PNPN thyristor

---------------------------------------- ooooo Selamat Belajar ooooo -------------------------------------