Вы находитесь на странице: 1из 7

ФИЗИКА

ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ

С. С. ЕЛОВИКОВ
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

ВВЕДЕНИЕ
AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY Для исследования твердых тел используется множество
различных методов, позволяющих получать исчерпы-
S. S. ELOVIKOV
вающую информацию о химическом составе, кристал-
Auger electron spectroscopy is one of the most лической структуре, распределении примесей и многих
других свойствах, представляющих как чисто научный,
widely used modern techniques of the surface
так и практический интерес. В настоящее время особое
analysis of solids. The underlying physical prin-
значение придается методам анализа поверхности (под
ciples of the technique are presented in a clear
поверхностью подразумевается граница раздела фаз,
form, along with possible application areas and
см. [1]). Когда говорят о поверхности твердого тела, то
future trends. чаще всего имеется в виду граница раздела между газо-
образной и твердой фазами. Столь пристальное вни-
В статье даны представления об одной из мание к поверхности связано с ее уникальными свой-
самых распространенных методик иссле- ствами, которые, с одной стороны, в сильной степени
дования поверхности твердых тел – оже- влияют на характеристики самого твердого тела, а с
электронной спектроскопии. В доступной другой – могут быть использованы для создания при-
форме изложены физические основы мето- боров и устройств нового поколения.
да, показаны возможные области примене-
В подавляющем большинстве методов анализа по-
ния и перспективы развития.
верхности используются различного рода явления, про-
исходящие при воздействии на нее корпускулярных ча-
стиц и электромагнитных излучений. Если такого рода
воздействия приводят, например, к испусканию элек-
тронов, а информацию о свойствах поверхности полу-
чают при анализе электронных спектров, то говорят о
методах электронной спектроскопии. В отличие от дру-
гих частиц электроны не изменяют состава остаточной
атмосферы сверхвысоковакуумных камер, в которых
проводятся исследования, легко регистрируются и под-
даются счету. Последнее обстоятельство позволяет до-
статочно просто проводить количественный анализ
© Еловиков С.С., 2001

поверхности, то есть получать, например, данные о


концентрациях атомов различных элементов.
Среди всех электронно-спектроскопических мето-
дик особое место занимает оже-электронная спектро-
www.issep.rssi.ru скопия (ОЭС), которая, пожалуй, является самой рас-
пространенной методикой.

82 С О Р О С О В С К И Й О Б РА З О В АТ Е Л Ь Н Ы Й Ж У Р Н А Л , Т О М 7 , № 2 , 2 0 0 1
ФИЗИКА
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ Если обозначить оже-процесс обычным образом
ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ через последовательность уровней, принимающих в
нем участие, КL1L2 , то в первом приближении энергия
Эффект Оже оже-электронов Е(КL1L2) определяется формулой
Эффект, на котором основана ОЭС, был открыт в Е(КL1L2) = E(K ) − E(L1) − E(L2), (1)
1925 году французским физиком Пьером Оже (P. Auger)
где Е(K ), E(L1) и E(L2) – энергии связи электронов на
(отсюда и название метода). Суть его состоит в следу-
уровнях К, L1 , L2 .
ющем.
При более строгом подходе для энергии оже-элек-
На рис. 1 показан фрагмент электронной структуры
тронов вводят поправку ∆Е, связанную с тем, что после
атома, в состав которого входят три электронных уров-
оже-процесса в атоме образуются две дырки. Сущест-
ня, частично или полностью занятые электронами (на
вуют различные способы определения ∆Е. Самым про-
рис. 1 они обозначены как К, L1 , L2). Если атом обстре-
стым является способ, при котором наличие дырок
ливается ускоренными электронами е, энергия кото-
учитывается привлечением данных для соседнего эле-
рых выше потенциала ионизации уровня К, то сущест-
мента с более высоким атомным номером. Тогда в об-
вует вероятность ионизации этого уровня, в результате
щем случае для любого оже-процесса АВС, происходя-
чего на нем образуется вакансия (обозначена светлым
щего в атоме с порядковым номером Z, можно записать
кружком). Такое состояние энергетически невыгодно
для атома, поэтому через некоторое время вакансия за- E Z(ABC ) = E(A )Z − E(B )Z − E(C )Z + 1, (2)
полняется за счет перехода электрона с вышележащего
где через А, В и С по-прежнему обозначены уровни,
уровня L1 (переход обозначен стрелкой 1 ). При этом
участвующие в процессе.
выделяется энергия, равная разности энергий связи
электрона на уровнях К и L1 . В дальнейшем процесс В твердых телах наличие двух дырок приводит к пе-
может идти двумя путями: либо будет испущен рентге- рераспределению зарядов и возникающая при этом по-
новский фотон, либо эта энергия безызлучательным ляризация увеличивает энергию эмитируемых элек-
способом будет передана другому электрону, находя- тронов по сравнению со свободными атомами. Этот
щемуся, например, на уровне L2 . Если этой энергии бу- сдвиг в некоторых случаях может достигать 10–20 эВ.
дет достаточно, то произойдет ионизация уровня L2 , в
Глубина выхода оже-электронов
результате чего будет испущен электрон (стрелка 2 на
рис. 1). Реализация второй возможности и есть собст- Главным преимуществом ОЭС по сравнению с многи-
венно оже-процесс, а эмитируемый электрон называ- ми другими методами является очень малая глубина
ют оже-электроном. анализа, что делает эту методику пригодной для иссле-
Оказывается, что, измерив энергию такого элек- дования поверхности. В свою очередь, глубина анализа
трона, можно определить, какому элементу Периодиче- определяется длиной свободного пробега электронов в
ской таблицы Менделеева соответствуют обстреливае- твердом теле в смысле неупругих взаимодействий. По-
мые электронным пучком атомы. Такая возможность нятно, почему это так. Если зародившийся в твердом
объясняется тем, что энергия оже-электронов не зави- теле оже-электрон при движении к поверхности испы-
сит от энергии бомбардирующих электронов, а опреде- тает хоть одно неупругое взаимодействие (например,
ляется только электронной структурой атомов, которая совершит ионизацию атома), то он потеряет часть энер-
хорошо известна. гии и не будет зарегистрирован в интересующем нас
месте энергетического спектра вторичных электронов,
который формируется при бомбардировке твердого те-
ла ускоренными электронами. То есть оже-электроны,
2 рожденные на глубине большей, чем длина свободного
L2 пробега, не будут нести информацию о нахождении
атомов данного сорта. Длина свободного пробега в
сильной степени зависит от скорости движения, а сле-
L1 довательно, и от энергии электронов. Обычно исследу-
e 1 ются оже-электроны с энергиями от нескольких десят-
ков электронвольт до нескольких килоэлектронвольт.
K Во всех материалах длина свободного пробега (а следо-
вательно, и глубина анализа) таких электронов не пре-
Рис. 1. Схематическое изображение оже-процесса вышает 2–3 нм, то есть величины, сопоставимой с пе-
в атоме риодом кристаллической решетки твердого тела. При

ЕЛОВИКОВ С.С. ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ 83


ФИЗИКА
этом львиная доля информации поступает с глубины Чтобы понять, как была решена эта задача, обра-
0,5–1,0 нм, что и делает ОЭС уникальным методом ис- тимся к рис. 2, а, на котором изображен участок энер-
следования поверхности. гетического спектра (N – число электронов, Е – их
энергия) вторичных электронов, в который попадают и
РЕАЛИЗАЦИЯ МЕТОДА оже-электроны с энергией Е1 .
Как видно из рис. 2, а, оже-электроны образуют
Регистрация оже-электронов однополярный пик очень малой интенсивности, кото-
Если оже-эффект был открыт в 1925 году, то первые рый накладывается на большой фоновой ток неупруго-
приборы, в которых он был использован для исследо- рассеянных электронов, при этом последний относи-
вания поверхности, появились лишь в 60-х годах XX ве- тельно слабо зависит от энергии. Харрис предложил
ка. Для того чтобы объяснить такую большую задержку продифференцировать спектр N(Е ), то есть превратить
во времени, нам придется узнать, что представляет со- его в dN / dE, в результате чего фон практически исчеза-
бой спектр вторичных электронов, образующихся при ет, а на месте слабого оже-сигнала колоколообразной
бомбардировке твердого тела ускоренными электрона- формы появляется интенсивный двухполярный пик с
ми. Оказывается, что в области энергий, в которой нахо- амплитудой А (рис. 2, б ), который легко может быть за-
дятся оже-электроны, существует большое количество регистрирован. При этом дифференцирование осуще-
неупругорассеянных первичных электронов, которые ствляется электрическими методами непосредственно
образуют сплошной спектр, являющийся фоном, на в процессе записи спектра.
котором приходится выделять оже-электроны. Ток не-
упругорассеянных электронов на несколько порядков Получение энергетического спектра
превышает ток оже-электронов, поэтому возникает Для обнаружения оже-электронов необходимо уметь
обычная труднорешаемая задача выделения полезного выделять электроны, находящиеся в очень узком ин-
сигнала на уровне большого фона. Эта задача впервые тервале энергий. Для этих целей используют специаль-
была решена в 1962 году Л.А. Харрисом, после чего на- ные устройства, называемые энергоанализаторами. В
чался период бурного развития оже-электронной спек- оже-спектроскопии чаще всего используют электро-
троскопии. статические анализаторы, и в частности анализаторы
типа “цилиндрическое зеркало”. На рис. 3 приведено
а
схематическое изображение такого анализатора, поз-
воляющее понять принцип его действия.
N Оже-сигнал
Одновременно с этим показан образец 1, бомбар-
дируемый ускоренными электронами, который в дан-
ном случае является источником вторичных электро-
нов, в том числе и оже-электронов.
Основными элементами анализатора служат два
Фон

металлических коаксиальных цилиндра 2 и 3 с радиуса-


ми r1 и r2 . Внутренний цилиндр обычно заземляют, а на

0 E1 E −U
б
dN
dE
e
r2

4 5

E1
А

0 1
r1

E
2

3 6

Рис. 3. Схематическое изображение энергоанали-


Рис. 2. Участок энергетического спектра вторичных затора типа “цилиндрическое зеркало”: 1 – образец,
электронов: а – до дифференцирования, N(E), б – 2 – внутренний цилиндр, 3 – внешний цилиндр, 4 –
dN
после дифференцирования, ----- ( E ) окна для входа и выхода электронов, 5 – коллектор,
dE 6 – магнитный экран

84 С О Р О С О В С К И Й О Б РА З О В АТ Е Л Ь Н Ы Й Ж У Р Н А Л , Т О М 7 , № 2 , 2 0 0 1
ФИЗИКА
внешний подается отрицательный (относительно зем- формулы для его определения не существует. Чаще всего
ли) потенциал, который может быть изменен в доста- пользуются полуэмпирическими формулами, которые
точно широких пределах. Таким образом, между цилин- хорошо согласуются с экспериментальными данными.
драми формируется анализирующее поле. Вторичные Согласно этим выражениям существует энергетический
электроны через специальные входные окна во внут- порог, совпадающий с энергией связи электрона Е(А)
реннем цилиндре попадают в это поле и при своем дви- на уровне А. При энергии первичного электрона ЕР ,
жении отклоняются к оси цилиндра. При некотором равной (3–4)Е(А), характерен максимум, после кото-
значении потенциала U на внешнем цилиндре только рого наблюдается медленный спад. Из такого упро-
электроны с энергией Е проходят в выходные окна во щенного описания уже можно сделать вывод о том, что
внутреннем цилиндре и попадают на коллектор. Изме- максимальное число оже-электронов, а следовательно,
нение потенциала U приведет к тому, что на коллекторе и максимальная чувствительность метода реализуется в
будут собираться электроны с другим значением энер- случае, когда EP = (3–4) ⋅ E(А).
гии. Если осуществить медленную развертку напряже-
ния между цилиндрами, то будет записан непрерывный Вероятность оже-процесса
спектр вторичных электронов. Это сильно упрощенное
описание принципа работы анализатора. На самом де- Следующий этап – сам оже-процесс, характеризуемый
ле движение электронов происходит по достаточно вероятностью γ, от которой также зависит количество
сложным траекториям, а регистрируются электроны не образующихся оже-электронов. Вспомним, что конку-
с фиксированной энергией (даже при U = const), а в рирующим процессом после ионизации уровня является
некотором интервале энергий, который определяется излучение фотона (флуоресценция). Оказывается, что
конструкцией анализатора, качеством его изготовле- гораздо проще определить выход флуоресценции ω, чем
ния и другими факторами. Этот интервал определяет величину γ. Поэтому для описания вероятности оже-
энергетическое разрешение анализатора, то есть мини- процесса пользуются величиной 1 − ω. Надо заметить,
мальное расстояние между двумя близко лежащими что для большинства оже-переходов ω близок к нулю.
пиками в спектре, которые еще могут быть различимы.
Глубина выхода оже-электронов
На точность измерений энергий влияют внешние
магнитные поля (в том числе и магнитное поле Земли). Количество оже-электронов зависит также от того, с
Это связано с тем, что легкие электроны сильно откло- какой глубины они выходят. Образовавшийся на ка-
няются даже в слабых магнитных полях. Для защиты от кой-то глубине оже-электрон при движении к поверх-
них используется специальный магнитный экран 6 (см. ности может испытать неупругое столкновение и поте-
рис. 3). рять часть своей энергии. Такие электроны выпадают
из рассмотрения, поэтому часто за глубину выхода
КОЛИЧЕСТВЕННАЯ ОЖЕ-СПЕКТРОСКОПИЯ оже-электрона принимают среднюю длину пробега для
неупругих столкновений λ, зависящую от Е(АВС). Глу-
Основной задачей количественной ОЭС является оп- бина выхода, пожалуй, наименее изученный параметр,
ределение концентраций атомов, входящих в состав используемый в количественном оже-анализе.
многокомпонентных образцов. Понятно, что интен-
сивность оже-сигналов (ток электронов, появляющих-
Коэффициент обратного рассеяния
ся в результате оже-процесса АВС в атомах какого-либо
сорта) и концентрация атомов взаимосвязаны. Для то- Ионизация атомов в зоне выхода оже-электронов мо-
го чтобы установить эту связь, коротко рассмотрим ос- жет осуществляться не только электронами первично-
новные факторы, влияющие на величину этого тока. го пучка, но и частью обратнорассеянных электронов,
имеющих достаточно большую энергию. Это приводит
Сечение ионизации к увеличению выхода оже-электронов, что может быть
учтено введением коэффициента обратного рассеяния
Первым и необходимым этапом любого оже-процесса R, который определяется как теоретически, так и экс-
является ионизация внутреннего уровня первичным периментально. Однако для многокомпонентных объ-
электроном. В качестве характеристики эффективнос- ектов это далеко не всегда просто сделать.
ти ионизации используют величину сечения иониза-
ции σ, которая зависит как от глубины залегания уров-
Основное уравнение оже-спектроскопии
ня, так и от энергии первичного электрона. Сечение
ионизации есть не что иное, как вероятность иониза- Обсудив различные факторы, влияющие на выход оже-
ции в расчете на один атом. Зависимость σ от энергии электронов, можно записать выражение, связывающее
имеет достаточно сложный характер, и универсальной ток Ii оже-электронов, эмитируемых твердым телом

ЕЛОВИКОВ С.С. ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ 85


ФИЗИКА
под углом θ к его поверхности, и концентрацию атомов a⋅I
в твердом теле Ni (i – индекс элемента). N i = -----------i . (5)
Si
Ii = const ⋅ IP ⋅ Gi ⋅ Ni ⋅ σi ⋅ (1 − ωi) ⋅ Ri ⋅ λi ⋅ secθ, (3) Здесь а – некоторая константа, Ii – соответствующий
где Gi – величина, учитывающая эффективность сбора ток оже-электронов, а Si – фактор элементной чувстви-
электронов, зависящая от типа анализатора. тельности, который показывает, во сколько раз величи-
Эта формула дает полный оже-ток для всех воз- на оже-сигнала от образца, состоящего исключительно
можных оже-переходов, возникающих при ионизации из атомов i-го сорта, отличается от той же величины для
уровня ЕА . Если измеряется конкретный оже-пик, в некоторого стандарта (в качестве стандарта обычно вы-
формулу (3) необходимо добавить множитель, учиты- бирается чистое серебро). При этом соответственно
вающий относительную вероятность оже-перехода. подразумевается, что все измерения сделаны при оди-
наковых условиях. Величина Si либо берется из таблиц,
На самом деле при расчете концентрации атомов
либо определяется непосредственно в эксперименте.
формулой (3) пользуются достаточно редко. Это связа-
Тогда для полной концентрации N всех атомов, входя-
но с тем, что, как уже указывалось, величины λ и R
щих в состав образца, можно записать:
сильно зависят от матрицы, в которой находятся атомы
с неизвестной концентрацией. На практике чаще всего n
a ⋅ Ii
применяют метод с использованием эталонов и метод,
учитывающий факторы элементной чувствительности.
N= ∑ ----------
S
-.
i
(6)
i=1

Метод эталонов Из (5) и (6) легко определяется относительная


атомная концентрация Сх (выраженная в долях едини-
Для реализации метода эталонов необходим кон-
цы) для атомов любого сорта:
трольный образец с идентичной матрицей и известной
концентрацией атомов исследуемого элемента. Тогда n

∑ ---S- .
трудноопределимые величины λ и R приблизительно N I Ii
C x = ------x = ----x (7)
одинаковы. При этом условия эксперимента в обоих N Sx i
i=1
случаях должны быть строго одинаковыми, то есть не-
обходимо постоянство IP , Gi и θ. Если для обозначения Для иллюстрации метода приведем один пример.
эталона ввести индекс “э” и для образца с неизвестной На рис. 4 показан спектр оже-электронов (в дифферен-
концентрацией атомов индекс “х”, то, применяя урав- цированном виде), полученный от поверхности образ-
нение (3) для исследуемого объекта и эталона и деля ца из нержавеющей стали, в состав которой входят Fe,
одно выражение на другое, получим Ni и Cr. Из рисунка видно, что у хрома имеются два, а у
железа три оже-пика. Для расчета были использованы
N iэ ⋅ I ix наиболее интенсивные линии железа и хрома и одна-
N ix = ----------------
-. (4)
I iэ единственная линия никеля (эти линии на рисунке отме-
чены звездочками). В результате расчета получены сле-
Основной проблемой (порой неразрешимой) в
дующие концентрации компонентов в относительных
этом методе является изготовление эталонных образ-
единицах: Fe 0,68(0,702), Ni 0,09(0,093), Сr 0,22(0,205).
цов, поэтому на практике чаще используют второй из
упомянутых выше методов.

Метод, учитывающий факторы Cr Fe Ni


элементной чувствительности
Сразу заметим, что в методе не учитывается тот факт,
dN
что атомы элемента, концентрацию которых мы хотим dE
определить, внедрены в некоторую матрицу, которая, ∗
Fe
как вы уже знаете, в сильной степени влияет на λ и R. ∗
По этой причине он, строго говоря, не является коли-
чественным (ошибка может достигать 30%) и служит ∗
лишь для оценочных расчетов. 0 200 400 600 800 1000
Идея метода чрезвычайно проста. Атомная кон- E, эВ
центрация какого-либо сорта атомов Ni в многокомпо-
нентном образце, содержащем n сортов атомов, может Рис. 4. Спектр оже-электронов от поверхности не-
быть выражена следующим образом: ржавеющей стали

86 С О Р О С О В С К И Й О Б РА З О В АТ Е Л Ь Н Ы Й Ж У Р Н А Л , Т О М 7 , № 2 , 2 0 0 1
ФИЗИКА
В скобках указаны истинные концентрации компонен- Такой прибор позволяет получить картину, отражаю-
тов нержавеющей стали. Приведенный пример нагляд- щую эмиссионные свойства объекта (более подробно о
но свидетельствует о том, что с помощью метода ОЭС сканирующей микроскопии можно узнать в [2]). При
достаточно быстро и с хорошей точностью может быть этом сказать что-либо об элементном составе оказыва-
проведен элементный анализ приповерхностных слоев ется непростой задачей.
твердых тел.
Несколько слов следует сказать об абсолютной Если наряду с коллектором, служащим для сбора
чувствительности метода ОЭС. Если говорить о мини- вторичных электронов, установить энергоанализатор,
мально регистрируемой объемной концентрации ато- то получится прибор, на котором можно получать изо-
мов (∼10−19 см−3), то ОЭС по этому параметру сильно ус- бражение поверхности не только во вторичных элек-
тупает другим методикам. Главное преимущество оже- тронах, но и в оже-электронах. Для этого энергоанали-
электронной спектроскопии заключается в другом – в затор необходимо настроить на энергию интересующих
возможности обнаружения малых примесей на поверх-
нас оже-электронов, а на экране мы увидим распреде-
ности (точнее, в слое толщиной ∼0,5–1,0 нм). В массо-
ление соответствующего элемента на поверхности. Ес-
вом измерении чувствительность метода составляет
<10−14 г. Если распределить столь малое количество ве- ли мы хотим получить информацию о распределении
щества на поверхности в один слой атомов, то оно бу- всех примесей, надо поочередно настраиваться на дру-
дет соответствовать всего лишь 10−3 монослоя. гие энергии оже-электронов. На рис. 5 приведено уп-
рощенное схематическое изображение такого комбайна.
РАСТРОВАЯ ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ
Существенным отличием сканирующего оже-спек-
СПЕКТРОСКОПИЯ
трометра от обычного РЭМа является конструкция ва-
Оже-электронная спектроскопия дает нам информа-
куумной системы, позволяющая достигать давлений
цию об элементном составе участка поверхности тела,
р < 10−8 Па (в обычных РЭМах р ∼ 10−3–10−4 Па). Такой
размеры которого в первом приближении определяют-
ся размерами самого электронного зонда (пучка пер- сверхвысокий вакуум необходим по той причине, что
вичных электронов). Перемещая электронный зонд по глубина выхода оже-электронов составляет (0,5–1) нм
поверхности, можно получить данные о распределении и любые загрязнения, в том числе и адсорбированные
элементов на ней в разных точках. В оже-спектромет- из остаточной атмосферы аналитической камеры час-
рах первого поколения диаметр электронного пучка тицы, приводят к сильному искажению результатов.
составлял десятые (в лучшем случае сотые) доли мил-
лиметра. Поэтому и пространственное разрешение бы-
ло того же порядка. 2 3
e
В настоящее время выпускаются так называемые
7
сканирующие оже-спектрометры, в которых два при- 4
бора объединены вместе. Основой такого комплекса
является сканирующий (растровый) электронный мик- 1 6
роскоп (РЭМ), в котором электронный пучок очень 5 8
малого диаметра (несколько нанометров) передвигает-
9
ся в двух перпендикулярных направлениях, засвечивая
определенный участок поверхности (точно так же, как
Рис. 5. Схематическое изображение растрового
в обычной телевизионной трубке). Величина возника- оже-спектрометра: 1 – образец, 2 – коллектор для
ющего при этом тока вторичных электронов зависит от сбора вторичных электронов, 3 – энергоанализа-
различных свойств поверхности. Таким образом, в тор электронов, 4 – детектор энергоанализатора,
5 – электронно-лучевая трубка, 6 – катод электрон-
каждый момент времени вторичные электроны несут ной пушки, 7 – модулятор электронной пушки, 8 – от-
информацию с участка, определяемого размерами элек- клоняющие пластины электронно-лучевой трубки,
тронного пучка. Визуализация картины осуществляется служащие для получения растра, 9 – экран элек-
с помощью электронно-лучевой трубки (подобной теле- тронно-лучевой трубки
визионной), в которой синхронно с электронным зон-
дом движется свой электронный пучок. Если сигнал, ПРИМЕНЕНИЕ ОЭС
пропорциональный току вторичных электронов, по- Традиционные области применения ОЭС – изучение
дать на модулирующий электрод электронной пушки процессов адсорбции и десорбции на поверхностях
трубки, то на экране мы увидим изображение поверхно- твердых тел, коррозии, явлений, происходящих при
сти в так называемом режиме вторичных электронов. поверхностном гетерогенном катализе, контроль за

ЕЛОВИКОВ С.С. ОЖЕ-ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ 87


ФИЗИКА
чистотой поверхности в различных технологических явилась возможность проводить трехмерный анализ
процессах. состава объектов. Следует отметить, что в настоящее
С появлением сканирующих оже-спектрометров время удается получать недифференцированные оже-
ОЭС широко используется и в микроэлектронике, в спектры, что существенно упрощает изучение тонкой
том числе для выявления причин отказа различных структуры самих оже-линий, которая связана с нали-
элементов микросхем. чием химических связей. Таким образом, ОЭС в перс-
Этот список применений можно продолжать сколь- пективе может превратиться из метода анализа эле-
ко угодно, поскольку буквально с каждым днем у этой ментного состава в количественный метод анализа
уникальной методики открываются новые возможности. химического состава поверхности, что сделает его еще
более универсальным инструментом.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В статье сделана попытка в доступной и наглядной ЛИТЕРАТУРА
форме рассказать об одной из основных методик иссле- 1. Еловиков С.С. Разрушение поверхности твердого тела мед-
дования поверхностей твердых тел – оже-электронной ленными электронами // Соросовский Образовательный
спектроскопии. Кратко описаны физические явления, Журнал. 1999. № 10. С. 100–107.
лежащие в основе метода, показано, каким образом из- 2. Петров В.И. Катодолюминесценция полупроводников в уз-
влекается информация о составе поверхности и как ких электронных пучках в сканирующем электронном мик-
проводить количественный анализ. Также указаны ос- роскопе // Там же. 1997. № 10. С. 126–132.
новные области применения ОЭС, которые непрерывно
расширяются по мере совершенствования самого мето- Рецензент статьи В.И. Петров
да. Примером этого может служить появление скани-
рующей оже-спектроскопии, позволяющей получать
***
карты распределения различных элементов с разреше-
нием в несколько десятков нанометров, в результате Сергей Сергеевич Еловиков, кандидат физико-мате-
чего стало возможно использовать ОЭС в микроэлек- матических наук, доцент МГУ. Область научных интере-
тронике. Современные приборы дополнительно снаб- сов – тонкие пленки, электронная спектроскопия, вза-
жены источниками ускоренных ионов, которые могут имодействие электронов с веществом. Соавтор более
послойно стравливать образцы. Благодаря этому по- 100 научных публикаций и двух учебных пособий.

88 С О Р О С О В С К И Й О Б РА З О В АТ Е Л Ь Н Ы Й Ж У Р Н А Л , Т О М 7 , № 2 , 2 0 0 1