Вы находитесь на странице: 1из 35

На 

правах рукописи 

САЛИХОВ Ренат Баязитович 

ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ 
НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛИМЕРНЫХ 
МАТЕРИАЛОВ 

01.04.07 ­ физика конденсированного состояния 

Автореферат 
диссертации на соискание ученой степени 
доктора физико­математических наук 

Уфа­2011 
Работа выполнена в Башкирском государственном педагогическом универси­
тете им. МАшуллы. 
Научный консультант:  доктор физико­математических наук, профессор 
Лачинов Алексей Николаевич 
Официальные оппоненты:  доктор физико­математических наук,  профессор 
Бычков Игорь Валерьевич 
доктор физико­математических наук, профессор 
Вахитов Роберт Минисламович 

доктор физико­математических наук, профессор 
Югай Климентий Николаевич 

Ведущая организация:  Институт проблем химической физики РАН 

Защита состоится  18 марта 2011 г. в 14 часов на заседании диссертационного 
совета Д 212.296.03 при Челябинском государственном университете по адре­
су: 454001, г. Челябинск, ул. Бр. Кашириных, 129. 

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Челябинского  государст­
венного университета. 

Автореферат разослан «/С& »  %Нй>&Р%.  2011 г. 

Ученый секретарь 
диссертационного совета, 
д. ф.­м. н., профессор  Г
<Р~ 
/^  &А. Беленков 
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ 
Актуальность темы. Актуальность  исследования транспортных  свойств 
полимерных пленок во многом связана с быстрым и все ускоряющимся пере­
ходом органической электроники из сферы исключительно фундаментальных 
и  прикладных  исследований  в область  коммерческих  применений. В  подав­
ляющем большинстве  случаев внимание исследователей и разработчиков на­
правлено  на использование  органических  соединений  с сопряженной  систе­
мой л­электронов.  Следует,  однако, заметить,  что в  последнее  время  в этой 
области  наметились  непреодолимые  проблемы, связанные  с низкой подвиж­
ностью носителей заряда и их невысокой концентрацией. Кроме того, исполь­
зуемые органические  кристаллы  и полимеры, как правило, обладают  слабой 
устойчивостью  к внешним  условиям  и плотностям  токов,  необходимым для 
практических применений. 
Перед  исследователями  поставлена  задача  поиска  новых  физических 
явлений и новых органических соединений, позволяющих достичь как резко­
го улучшения электрофизических  (транспортных) параметров, так и стабиль­
ных эксплуатационных свойств. 
Одним из перспективных объектов исследований является новый класс 
полимеров ­  полиариленфталиды. Эти полимеры по всем признакам являются 
диэлектрическими материалами, обладая несопряженной системой валентных 
л­электронов.  Однако  в тонких  субмикронных  пленках  их  отличают  нети­
пичные  электрофизические  характеристики,  приводящие  к  возникновению 
высокой металлоподобной проводимости без использования методов химиче­
ского  допирования.  Переключение  в  высокопроводящее  состояние  (ВПС) 
можно рассматривать  как электронный  фазовый  переход, в результате кото­
рого  осуществляется  переход  от  изотропной  полимерной  диэлектрической 
матрицы  к  анизотропной  электропроводящей  структуре,  в  которой  высоко­
проводящие  наноразмерные  каналы  окружены  диэлектрической  средой. 
Предполагается, что ВПС характеризуется когерентным транспортом носите­
лей  заряда  по  узкой  зоне  электронных  состояний.  При  этом  до  настоящего 
времени практически отсутствует информация о тех электронных состояниях 
в  запрещенной  зоне  полимерного  материала,  которые  ответственны  за воз­
никновение высокой проводимости. 
Поскольку ВПС наблюдается  в тонкопленочных  полимерных образцах 
с толщиной меньше некоторой критической, то следует ожидать влияния по­
верхностных  эффектов  на  процессы  переключения  и  параметры  транспорта 
заряда.  Также  очевидно,  что  это  влияние  самым  существенным  образом 
должно сказываться на роли границ раздела: металл ­ полимер, полимер ­ по­
лупроводник  и полимер  ­ полимер  и зависеть  от параметров  потенциальных 
барьеров  на этих  границах.  Однако этот  важный  вопрос до  сих  пор  не был 
изучен. Также  остается  непонятным  физический  смысл  пороговой толщины 
полимерной пленки ­ толщины, при превышении которой эффекты электрон­
ного переключения исчезают, а высокая электропроводность не возникает. 

з 
В  связи  с  этим,  проведение  комплексного  исследования  электронных 
транспортных свойств широкозонных органических диэлектриков в виде тон­
ких пленок  полиариленфталидов  является  весьма актуальным. Для понима­
ния процессов электронного переключения  в ВПС необходимо разносторон­
нее исследование транспорта заряда в полимерных пленках в предпереходной 
области, т.е. в условиях, когда переключение в ВПС еще не произошло. Кро­
ме  того,  требуется  тщательное  изучение  проблемы, связанной  с условиями 
формирования узкой зоны электронных состояний внутри запрещенной зоны. 
В  рамках  молекулярной  модели  транспорта  носителей заряда  через много­
слойную гетероструктуру типа металл ­ полимер ­ металл с учетом размерных 
эффектов возникает вопрос о применимости подобных представлений к лате­
ральному  транспорту  вдоль  органического  слоя. И  главное,  существует  ли 
возможность практической реализации  такого транспорта? Решение послед­
ней  задачи  является частью  общей  проблемы  исследования  высокой прово­
димости интерфейсов диэлектрических материалов. 

Цель работы 
Исследование  электрофизических  (транспортных)  свойств широкозон­
ных органических диэлектриков в виде тонких пленок полиариленфталидов в 
Области, предшествующей их электронному переключению. 
Для осуществления указанной цели ставились следующие задачи: 
1.  Изучение  влияния  избыточного  одноосного  механического  давления  на 
дрейфовую  подвижность  носителей заряда в пленках полидифениленфта­
лида в предпороговой области. 
2.  Экспериментальное  исследование  механизмов переноса носителей заряда 
в структурах: металл­ полимер ­металл, металл ­ полимер ­полупроводник. 
3.  Выяснение  энергетического  распределения  электронных  состояний  в  за­
прещенной зоне полимера. 
4.  Определение  основных  электронных  характеристик  транспортного  слоя, 
образованного вдоль интерфейса двух полимерных пленок. 
5.  Исследование полевого эффекта на интерфейсе полимер ­ полимер и изу­
чение сенсорных свойств этого интерфейса. 

Научная новизна 
Все полученные в диссертационной работе результаты являются новы­
ми. В работе впервые: 
Экспериментально  показано, что в  пленочных образцах полидифени­
ленфталида,  имеющих толщину меньше пороговой, происходит смена носи­
телей заряда, и основными носителями становятся электроны. 
Установлено, что перенос заряда через границу металл ­ широкозонный 
полимер  характеризуется  высотой  барьера,  определяемой  разностью  работ 
выхода электрона из металла и полимера. 
Разработан  метод  создания  органических  полимерных  пленочных 
структур с электронным типом проводимости. 

Экспериментально доказано, что  ЕДОЛЬ границы раздела двух полимер­
ных пленок формируется кзазидвумерный слой, обладающий повышенной по 
сравнению с объемной подвижностью электронов. 
Установлено, что транспортом носителей заряда вдоль границы раздела 
двух паенок полимера  можно управлять электрическим полем и изменением 
условий окружающей среды. 
Новое научное направление 
Транспорт  носителей  заряда  в  тонких  пленках  неупорядоченных  органиче­
ских широкозонных материалов. 

Практическая ценность 
Предложен  метод  создания  нового  класса  пленочных  структур  на 
основе широкозонных полимерных материалов с электронным типом про­
водимости. 
Аномально  высокая  селективность  и  чувствительность  проводимости 
вдоль интерфейса двух  полимерных  пленок  к  внешюш  условиям  и разным 
веществам позволяет создавать  наноразмерные датчики физических величин, 
химические и биологические сенсоры. 
Обнаруженные высокие подвижности электронов в исследованных по­
лимерных пленочных структурах предполагают возможность создания поле­
вых транзисторов с улучшенными частотными характеристиками. 
Использованные  в работе физические подходы и модели для описания 
транспорта  носителей  заряда  в  исследованных  полимерах  носят достаточно 
общий характер, поэтому  полученные результаты  могут быть использованы 
для построения общей теории переноса заряда в тонких пленках неупорядо­
ченных органических диэлектриков. 

Защищаемые положения 
1.  В предпороговой области переключения по давлению происходит измене­
ние условий инжекции носителей зарядов, приводящее к увеличению кон­
центрации и подвижности электронов и к смене основного типа носителей 
заряда. 
2.  Основным механизмом переноса заряда через интерфейс металл ­ полимер 
является термоэлектронная  эмиссия Шоттки, которая лимитируется вели­
чиной потенциального  барьера, определяемого  как  разница работ выхода 
электрона из металла и полимера. 
3.  За транспорт носителей заряда в исследованных структурах ответственны 
глубокие электронные состояния, расположенные  в запрещенной зоне по­
лимера вблизи уровня Ферми. 
4.  Вдоль границы раздела  двух полимерных  пленок формируется хвазидву­
мерный  слой,  обладающий  повышенной  по  сравнению  с  объемной  под­
вижностью электронов. 


Апробация работы 
Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на: 
IX Всероссийской  конференции  "Структура  и динамика  молекулярных сис­
тем" (Яльчик, 2002), IV Международной конференции  по электронике орга­
нических материалов  (Львоа, Украина, 2002), IX Международной  конферен­
ции  по электрическим свойствам полимеров и другах органических твердых 
тел (Прага, Чехия, 2002), Международной  научно­технической  конференции 
«Пленки­2002»  (Москва,  МИРЗА),  IV  Уральской  региональной  научно­
практической  конференции  (Уфа,  2003),  Международной  конференции 
"EMRS Spring Meeting" (Страсбург, Франция, 2003), Международной конфе­
ренции  «Smart  and  Functional  Organic Materials»  (Бухарест, Румыния, 2003), 
XVII Менделеевском  съезде по  общей  и прикладной химии (Казань, 2003), 
Международной  научно­технической  конференции  «Полиматериалы­2003» 
(МИРЭА, Москва, 2003), X Международной  конференции  «Физика диэлек­
триков»  (Санкт­Петербург, 2004), V Меэкдународной конференции  по элек­
тронике органических материалов (Киев, 2004), XI Всероссийской конферен­
ции "Структура и динамика молекулярных систем" (Яльчик, 2004), Междуна­
родной  научной  конференции  «Тонкие  пленки  и  наноструктуры»  (Москва, 
МИРЭА. 2004), Международной конференции по структурированию полиме­
ров (Неаполь, Италия, 2004); Международной конференции по электрическим 
свойствам полимеров и других органических твердых тел (Каржез, Франция, 
2005);  Европейском  полимерном  конгрессе  (Москва, Россия, 2005); Между­
народной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры» (Москва, 
МИРЭА. 2005); XII Всероссийской конференции "Структура и динамика мо­
лекулярных  систем"  (Яльчик,  2005);  V  Уральской  региональной. научно­
практической  конференции  (Уфа,  2006);  Международной  конференции 
«Аморфные  и  микрокристаллические  полупроводники»  (Санкт­Петербург, 
2006); XIII  Всероссийской  конференции  «Структура и динамика молекуляр­
ных систем»  (Яльчик, 2006); Международной  конференции по модуляцион­
ной  спектроскопии  полупроводниковых  структур  (Вроцлав,  Польша, 2006); 
VI Международной  конференции  по электронике органических материалов 
(Гурзуф, Украина, 2006); XIV Всероссийской конференции «Структура и ди­
намика  молекулярных  систем»  (Яльчик, 2006); V Всероссийской  конферен­
ции по фундаментальным проблемам физики полупроводников и источников 
света  (Саранск,  2007); XI  Международной  конференции  по  физике диэлек­
триков (Санкт­Петербург,  2008); VI Международной  конференции «Аморф­
ные и микрокристаллические  полупроводники» (Санкт­Петербург, 2008); IV 
Международной  конференции  по  молекулярной  электронике  (Гренобль, 
Франция, 2008);  Международной научно­практической конференции «Нано­
технологии производству­2008» (Фрязино, 2008); Международной конферен­
ции  «Nanomeeting­2009»  (Минск,  Белоруссия,  2009); IX Российской  конфе­
ренции  по  физике  полупроводников  (Новосибирск­Томск,  2009); Междуна­
родной  конференции  по  функциональным  материалам  (Крым,  Украина, 
2009);  VII  Международной  конференции  «Аморфные  и  микрокрксталличе­


ские  полупроводники»  (Санкт­Петербург  2010);  Ѵ Ш Международной  кон­
ференции  по электронике  органических материалов  (Ивано­Франкозск, Ук­
раина,  2010); V Всероссийской  Каргинской  конференции  «Полимсры­2010» 
(Москва, 2010). 
Результаты  диссертации  успешно  применялись  для  анализа эксперимен­
тальных данных  и выполнения  научно­исследовательских  программ сотруд­
никами  Института  Физической  химии  и  Электрохимии  им.  А.Н.Фрумкина 
РАН и ИФМК УНЦ РАН. Исследования, представленные в диссертации, вы­
полнялись  при  поддержке  РФФИ  (проекты  №  05­03­34827­МФ_а,  09­03­
00616_а). 

Публикации 
По  теме  диссертации  опубликовано  45  работ.  Основные  результаты 
диссертации  содержатся  в  25  статьях  в  российских  и  зарубежных  рецензи­
руемых журналах. 

Личное участие автора в получении научных результатов 
состоит  в постановке задачи исследований, выборе объектов и методов 
их исследования, проведении экспериментов и обработке полученных резуль­
татов,  интерпретации  экспериментальных  данных,  обсуждении  полученных 
результатов и написании статей. 

Объём и структура диссертации 
Диссертация  состоит  из введения, семи  глав  и заключения, в котором 
сформулированы  основные  выводы  диссертации.  Список  литературы вклю­
чает 298 наименований. Общий объем диссертации составляет 263 страницы, 
включая 92 рисунка. 

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ 

Во  введении  дана  общая  характеристика  диссертационной  работы, 


обоснованы важность  и  актуальность  проведенного  исследования,  сформу­
лированы цель работы и решаемые в ней задачи, показаны научная новизна и 
практическая ценность результатов диссертации. 
В первой главе сделан литературный  обзор экспериментальных  и тео­
ретических работ, связанных с различными механизмами переноса носителей 
заряда  в  полимерах.  В  первом  разделе  обсуждаются  вопросы,  связанные  с 
проводимостью  неупорядоченных  систем.  Вначале  говорится  о  том,  что  в 
аморфных слоях органических материалов понятия: зона проводимости и ва­
лентная зона обычно заменяются терминами самой низкой незанятой молеку­
лярной орбитали (LUMO) и самой высокой заполненной молекулярной орби­
тали (HOMO), соответственно. Состояния носителей заряда (обычно ­ дырок 
или  электронов)  в  органическом  материале  являются  локализованными. 
Плотность состояний, в  основном, вполне хорошо описывается гауссовским 

распределением  локализованных  молекулярных  орбнталей  индивидуальных 
молекул [1]. Перенос носителей заряда в таких аморфных слоях, главным об­
разом, определен  прыжковым  процессом  между локализованными  молеку­
лярными  состояниями. Далее рассматриваются  общие вопросы, затрагиваю­
щие перенос носителя заряда между локализованными состояниями и модель 
Абрахамса­Миллера  [2]. Описаны  различные  распределения  плотности  со­
стояний в неупорядоченных твердых телах и температурная зависимость про­
водимости  на постоянном токе, зависящая от вида ШІОТНОСІИ состояний. 
Во  втором  разделе  представлены  различные  типы  прыжкового транс­
порта носителей заряда, начиная с проводимости путем прыжков на ближай­
шие  центры.  Показано,  что  с  понижением  температуры  осуществляегся 
прыжковая  проводимость  с  переменной  длиной  прыжка. Затем  прыжковый 
транспорт  рассматривается  в  рамках  приближения  эффективной  среды, ис­
пользованного  в неупорядоченных неорганических и органических полупро­
водниках  с локализованными  электронными  состояниями  [3]. В  самом про­
стом случае в этом приближении беспорядочная  система  моделируется в ви­
де кубической  изотропной решетки, состоящей  из точечных центров, беспо­
рядочно распределенных по  энергии и беспорядочно расположенных в узлах 
решетки. Прыжки со скоростью перескока  нетрадиционно рассматриваются 
только  между  самыми  близкими  соседними  прыжковыми  центрами.  Ско­
рость  перескока  Wy обычно описывается  формализмом  Миллера­Абрахамса 
(МА)  для  материалов  со  слабой  электронно­фононной  связью (однофо­
нонное  приближение)  или  скоростью  Маркуса,  когда  поляронные эффек­
ты важны (многофононное приближение). В этом разделе также представле­
ны основные результаты модели прыжкового транспорта по центрам с гаус­
совским распределением  энергетических уровней, детально развитой в рабо­
тах Басслера и его коллег [4­5]. 
В третьем разделе проанализированы различные модели переноса заря­
да с участием ловушек. Взаимодействие электрона с ионами кристаллической 
решетки является  электростатическим  взаимодействием  и вызывает локаль­
ную деформацию решетки. Эта деформация следует за электроном в его дви­
жении сквозь решетку. Комбинация из электрона и создаваемого им поля на­
пряжений  решетки  называется  поляроном.  Значение  поляронных  эффектов 
для переноса носителей заряда в органических неупорядоченных материалах 
активно  обсуждается, потому что чистая поляронная модель не в состоянии 
описать перенос заряда из­за слишком большой величины таких параметров, 
как энергия активации полярона Еа =Бр/2н  интеграл переноса  /[6]. Однако 
для некоторых  органических систем энергия деформации может быть сопос­
тавима с энергией беспорядка и поэтому описание переноса носителей заряда 
в таких  материалах  должна учитывать  суперпозицию  влияния  беспорядка  и 
поляронных эффектов. 
В этом разделе рассмотрен эффект. Пула­Френкеля (ПФ), представляю­
щий  собой  ускоренный  электрическим  полем  процесс  термовозбуждения 
электронов с ловушек в зону проводимости диэлектрика. Несмотря на сущест­

вуюідес мнение о невозможности реализации механизма ПФ в неупорядочен­
ных органических материалах нз­за отсутсірия в них замсишх коіщентраций 
заряженных трпрспортных  центров, з  большинстве экспериментов наблюда­
ется нелинейная зависимость проводимости от поля, похожая на эффект ПФ. 
Многочисленные  экспериментальные  данные  показывают,  что для полимер­
ных систем с недисперсионным транспортом зарядов суммарная зависимость 
подвижности ц  от напряженности поля Fa  температуры  Гхорошо описыва­
ется уравнением Гилла [7]: 

Если транспорт происходит, например, путем перескоков носителей по 
системе  относительно  мелких  ловушек,  а  скорость  выхода  носителей  из 
транспортных  центров  определяет  ігх  концентрацию  в  подвижном  «транс­
портном»  состоянии, то  говорят  о  модели  мелких  дипольных  ловушек  [8]. 
Показано, что в случае многократного захвата в ловушку, находящуюся в об­
ласти ловушек с экспоненциальным распределением по энергиям, реализует­
ся дисперсионный транспорт [9]. 
Четвертый  раздел посвящен переносу  носителей  заряда  через границу 
металлического электрода с полимерной пленкой  в рамках  модели туннели­
рования Фаулера­Нордгейма  и модели термоэлектронной эмиссии Ричардсо­
на­Шоттки. 
В пятом разделе описан перенос заряда по состояниям, распределенным 
вблизи середины запрещенной зоны полимера. Возникновение высокопрово­
дящего состояния в полимерных пленках связывается с формированием узкой 
проводящей зоны вблизи уровня Ферми. 
Наконец,  в  шестом  разделе  рассмотрены  случаи  проявления  высоко­
проводящих свойств интерфейса двух диэлектрических материалов, как неор­
ганических (LaA103/SrTi03), так и органических (TTF/TCNQ) [10­11]. Приве­
дены различные гипотезы с объяснением данного эффекта, существующие на 
сегодняшний день [12]. 
Во второй главе представлены основные характеристики объекта иссле­
дований, описаны технологии приготовления экспериментальных образцов и 
методики  проведения  измерений  различного  вида,  проведен  анализ  ошибок 
измерений и расчет возникающих погрешностей. 
В качестве основного объекта исследования в работе был использован 
полимер  класса  полиариленфталидов  ­  полидифеншіенфталид  (поли(3,3'­
фталидилиден­4,4'­бифенилилен)).  Строение  синтезированных  полимеров 
было установлено  комплексным  использованием  методов  структурного ана­
лиза  полимеров.  Полидифениленфталид  (ПДФ)  обладает  высокой  термо­ и 
химостойкостью и хорошими пленкообразующими свойствами. 
Полидифениленфталид  (рис.  1) является диэлектриком  и характеризу­
ется  следующими  параметрами:  ширина  запрещенной  зоны ~  4,3 эВ; элек­
тронная работа выхода ~ 4.2  эВ; электронное сродство ~ 2 эВ и первый по­
тенциал ионизации ~ 6.2 эВ. В отдельных экспериментах были использованы 

друпіе  полимеры  класса  полиарилелфталидов:  пояидифеншіекоксидфталид, 
полидифениленсульфядфталид,  политерфениленфталид  и  поли­Н­фенил­
дифенкленфталимид. 

ос>­
Рис. 1. Структурная формула полидифениленфталвда и его модельное 
трехмерное изображение. 

При  изготовлении  экспериментальных  образцов  использовались  сле­


дующие методики: метод центрифугирования для получения пленок полиме­
ра и метод вакуумного термодиффузионного осаждения для нанесения метал­
лических электродов. С целью изготовления пленок различной толщины бы­
ли  использованы  растворы  полимеров  в  циклогексаноне  определенной кон­
центрации (0,5­15  %). Образовавшаяся  на подложке полимерная пленка вы­
сушивалась  сначала  при  комнатной  температуре  в течение  30 минут, затем 
отжигалась в сушильном шкафу при температуре  150°С в течение 40 ­ 60 ми­
нут для удаления остатков растворителя. Для измерения спектров электропо­
глощения, температурных  зависимостей  проводимости,  подвижностей носи­
телей  зарядов  времяпролетным  методом  использовались  многослойные  об­
разцы со структурой типа "сэндвич" на различных подложках. 
Для измерений вольтамперных характеристик в предпороговой области 
в зависимости от механического давления была создана специальная установ­
ка, позволяющая  контролировать величину давления в интервале от 700 кііа 
до 1900 кПа с помощью тензодатчиков. 
Для времяпролетных измерений источником света служила Хе лампа с 
длительностью  импульса на полувысоте 20 не. Спектральный состав и мощ­
ность падающего на образец излучения подбирали с помощью светофильтров 
и нейтральных фильтров. Переходный ток регистрировали цифровым осцил­
лографом  Tektronix  TDS 3032В с  предусилителем. Экспериментальная уста­
новка была дополнена держателем  образца, который позволял прикладывать 
к поверхности образца механическое давление до 50 МПа. 
Для измерений спектров электропоглощения  была создана следующая 
установка. Образец, помещенный в экспериментальную ячейку, располагался 
на пути монохроматического пучка света, идущего от монохроматора к фото­
10 
катоду фотоэлектронного умножителя (ФЭУ). К электродам через балластное 
сопротивление подавалось переменное напряжение. Сигнал с ФЭУ подавался 
на схему двойной селекции, состоящей из селективного нановольтметра и се­
лективного  усилителя  с фазовым детектором. С  селективного усилителя де­
тектированный  сигнал  подавался  на самописец,  который  через блок механи­
ческой развертки был связан с монохроматором. Контроль состояния образца 
осуществлялся при помощи осциллографа. 
Температурные измерения проводились с помощью криостата на осно­
ве сосуда Дьюара. Температура  образца задавалась  его  положением  относи­
тельно поверхности жидкого азота и путем нагрева при помощи подогревате­
ля.  Для  измерения  температуры  использовался  термопарный  метод.  Элек­
трическое напряжение подавалось на образец при помощи управляемого ис­
точника питания АНТ­1533. Ток, протекающий через образец, оценивался по 
значению  падения  напряжения  на  эталонном  сопротивлении.  Падение  на­
пряжения измерялось при помощи управляемого осциллографа GDS­820C. 
Погрешность  при  определении  толщины  полимерной  пленки  с  помо­
щью микроинтерферометра  МИИ­4 не превышала 7%. Величины погрешно­
стей, вычисленные по приведенным в этой главе методикам,  в основных экс­
периментах  составили: при  измерениях  вольтамперных  характеристик  ­ 5%, 
при измерениях зависимостей тока, протекающего через образец, от темпера­
туры ­ 7% при доверительной вероятности а = 0,997. Ошибка при измерениях 
времяпролетным методом составляла не более 15%. 
В  третьей главе  исследованы электрофизические свойства полимерных 
пленок вблизи порога электронного переключения, индуцированного относи­
тельно малым одноосным механическим давлением. 
В разделе 3.1 описано определение основных параметров носителей за­
ряда вблизи порога переключения  при приложении  механического давления 
методом  вольтамперных  характеристик.  Переключение  образцов  в  высоко­
проводящее состояние происходит при достижении давлением определенной 
пороговой величины. 
На  рис.  2  представлены  типичные  вольтамперные  характеристики 
(ВАХ)  структуры  металл  ­  полимер  ­  металл. Для  интерпретации  ВАХ  ис­
пользовали  модель  токов,  ограниченных  объемным  зарядом  (ТООЗ), позво­
ляющую  получить  сведения  о локальных  состояниях  в  запрещенной  зоне и 
объяснить  форму  ВАХ.  Из  нее  следует,  что  в  области  малых  напряжений 
(рис. 2) ВАХ описывается  законом  Ома до значения  напряжения  U\, при ко­
тором концентрация термически генерируемых равновесных свободных заря­
дов становится сравнимой с концентрацией инжектируемых зарядов: 

J«en0fj—,  (2) 

где  /  ­  плотность  тока,  е  ­ заряд электрона,  п0 ­  концентрация  равновесных 


свободных  зарядов,  р  ­ эффективная  подвижность  носителей  заряда. Далее 
происходит переход к ловушечному квадратичному закону: 
П 
J­GSS^H­T­,  (3) 

где Е ­ относительная диэлектрическая  проницаемость, е0 ­ электрическая по­
стоянная,  Ѳ   ­  постоянная,  определяющая  степень  заполнения  ловушек.  За 
квадратичным  участком  ВАХ  (рис.  2)  следует  область  практически  верти­
кального участка на зависимости J(U), который интерпретируется как область 
напряжений, соответствующих предельному заполнению ловушек (ПЗЛ). При 
дальнейшем  повышении  напряжения ВАХ, как правило, описывается безло­
вушечным квадратичным законом. 

1  1 

­1 

­2 

­3 
—1  •—:  L I  і  1  Li  : — 1 ^  i  l _ 
0.5  1.0  1.5  2.0  2.5 
ІП(У,  В) 

Рис. 2. Вольтамперяые характеристики полимерной пленки, измеренные при 
различных давлениях. 

На  основе  проведенного  анализа  были  определены  следующие  основ­


ные  параметры  модели:  ц  ­  подвижности  электронов,  п0  ­  концентрации 
термически генерируемых равновесных электронов,  рі0  ­  концентрации ло­
вушечных уровней,  не занятых  электронами, величина  которых пропорцио­
нальна их общей концентрации Nh  в зависимости от величины приложенного 
одноосного давления. Значения  напряжений  Ut,  U2 (Uran) и основных пара­
метров модели представлены в табл. 1. 
Из данных, приведенных  на рис. 2 и в табл.1, следует, что повышение 
давления  приводит  к  следующим  изменениям  параметров  переноса  заряда. 
Уменьшается  концентрация  равновесных  носителей,  что, по­видимому,  свя­
зано  с  изменением  положения  квазиуровня  Ферми. Смещение  значения  на­
пряжения  Ui от 6,14 В до 5,22 В в сторону уменьшения с увеличением давле­
12 
ния подтверждает  наше предположение  о том, что основную роль начинают 
играть  глубокие  ловушечные  состояния,  причем,  смещение  Umn  в  область 
более высоких напряжений от 8,13 В до 10,68 В может свидетельствовать, что 
концентрация ловушечньк  состояний растет. Подвижность носителей заряда 
с повышением давления возрастает. 
Таблица 1. Влияние одноосного давления на 
некоторые параметры инжекционной модели. 
P­I0J  Па  ИгКР  и,  ипзл  РугЮ"  Ѳ  
м 2 /Вс  м­3  В  В  м"3 
780  1,39  3.68  6,14  8,13  1,37  0,36 
820  1.65  2,41  5,55  9,18  1,52  0,26 
860  1,77  2,18  5,22  10,68  1,79  0,25 

Увеличение одноосного давления в системе  металл ­ полимер ­ металл 
приводит  к  изменению  инжекции  носителей  заряда  в  полимерную  пленку. 
Возможно, этот процесс происходит в результате разрушения  соответствую­
щих  поверхностных  электронных  состояний,  что  приводит  к  повышению 
уровня инжекции. Концентрация  инжектированного  заряда также повышает­
ся с увеличением приложенного к образцу электрического поля, в результате 
удельная  проводимость  в  высокопроводящем  состоянии  возрастает.  Избы­
точный заряд при взаимодействии с макромолекулой может создавать глубо­
кие ловушечные состояния, в результате чего вблизи уровня Ферми образует­
ся узкая зона ловушечных состояний, перенос по которой приводит к значи­
тельному  увеличению  подвижности  носителей зарядов  и переходу полимер­
ной пленки в высокопроводящее состояние. 
В разделе  3.2  описаны  результаты  определения  параметров  носителей 
заряда вблизи порога переключения  по давлению времяпролетным  методом. 
Суть данного  метода  заключается  в  следующем:  к  образцу  прикладывается 
электрическое  поле,  после  чего  его  облучают  коротким  импульсом  света. 
Световой  импульс,  пройдя  через  полупрозрачный  электрод,  поглощается  в 
тонком  приповерхностном  слое, в котором происходит  фотогенерация  носи­
телей  заряда.  В  зависимости  от  направления  внешнего  поля  в  полимерную 
пленку инжектируется пакет дырок или электронов, который дрейфует к про­
тивоположному  электроду. Характерные  особенности  кинетики  переходного 
тока позволяют  определить время пролета  tT, требуемое на прохождение па­
кета носителей заряда через пленку известной толщины d под действием при­
ложенного  электрического  поля  с  напряженностью  F. Дрейфовую  подвиж­
ность носителей заряда //</ находят по формуле: 

Md= 
d(3<  h)  (4) 
Измерения времяпролетным методом без приложения одноосного меха­
нического давления  показали,  что  подвижность  дырок  гораздо  больше под­
вижности  электронов.  С  приложением  давления  подвижность  электронов 
13 
возрастаете  6­10  до 6,6­10"  см/В­с, тогда как подвижность дырок возрас­
тает с 1,6  ­10"5 до 3,9­  10"5 см2/В­с. Данный факт говорит о том, что при при­
ложении механического давления происходит смена основных носителей за­
ряда, и основными носителями при дальнейшем увеличении давления стано­
вятся электроны. 
Сопоставление  результатов,  полученных  из  времяпролетного  экспери­
мента  (метод  прямого  определения  подвижности),  с  результатами  анализа 
ВАХ  инжекционного  тока  (косвенный  метод)  подтверждает  существующие 
представления  о  возможностях  и  ограничениях  этих  методов.  Меньшее  на 
порядок  величины  значение  дрейфовой  подвижности  электронов  по сравне­
нию с подвижностью дырок при отсутствии избыточного давления означает, 
что  в  «невозбужденном»  состоянии  основными  носителями  служат  дырки, 
что типично для полимеров. Несмотря на разные условия проведения экспе­
риментов,  соответствующие  им модельные  представления  дают  одинаковые 
значения подвижности. 

10" 
­ • ­ 1  ­ D ­ 1 
~0  ­ о ­ 2  ­ о ­ 2  р 
:
1  см 


­ ­ о 

•  8=8=8=2 ^ ­
п 
п  п—11 J — О ­ " 
\S 

і 

500  1000  150 0  2000  25С 


О 

0  500  1000  1500  2000 


Р, кПа  Р, кПа 
Рис. 3. Зависимость электронной (1) и дырочной (2) дрейфовой подвижности от величи­
ны  избыточного  давления  на  образец  (толщина  полимерной  пленки:  слева  ­ 4,2  мкм, 
10
справа ­  2,7 мкм).  " 

В разделе 3.3 представлен сравнительный анализ параметров носителей 
заряда, измеренных по обе стороны от пороговой толщины полимерной плен­
ки. В предыдущем разделе проведена оценка подвижностей при толщинах, не 
превышающих пороговую. Поэтому здесь рассмотрено влияние избыточного 
давления  на  дрейфовую  подвижность  носителей  заряда  обоих  знаков  при 
толщине  полимерной  пленки  большей,  но  близкой  к  пороговой  величине. 
Сравнение кривых переходных токов для дырок и электронов показывает, что 
времена пролета для электронов примерно на порядок  превышают аналогич­
ный параметр для дырок и изменяются с приложением давления гораздо мед­
леннее.  В  пленочных  образцах,  имеющих  толщину  больше  пороговой,  при 
14 
приложении механического давления основными носителями заряда остаются 
дырки. В образцах, имеющих толщину меньше пороговой, происходит смена 
носителей, и основными носителями становятся электроны  (см. рис. 3). 
В  четвёртой  главе диссертации  рассмотрены  результаты  применения 
метода модуляционной спектроскопии  электропоглощения  с целью выявле­
ния и исследования особенностей оптического поглощения в видимой облас­
ти  спектра тонкой полимерной пленки, претерпевающей  переход из диэлек­
трического в высокопроводящее состояние. Обычно под электропоглощением 
понимают изменение оптического пропускания под действием электрическо­
го  поля.  В  нашем  случае  изменение  поглощения  происходит  в  результате 
протекания инжекционного тока при приложении электрического поля к об­
разцам в области их оптической прозрачности. 

0.7 
0.6 
0.5 
0.4 
0.3 
V  0.2 
8  о.і 
­Г  0.0 
­0.1 
­0.2 
­03 
J  L,  I.  .1  L. 
480  500  520  540  560  580  600  620  640 
А,  нм 
Рис. 4. Модуляционные спектры электропоглощешш при различных 
значениях приложенного напряжения. 

В разделе 4.1.  представлены модуляционные спектры электропоглоще­
яия пленок  полидифениленфталида (рис. 4), полученные при различных зна­
чениях  амплитуды  модулирующего  напряжения.  Установлено,  что  спектры 
состоят из двух полос. Например, при величине модулирующего напряжения 
0,5 В максимум красной полосы соответствует 590 нм (2,0 эВ), а максимум 
зеленой  ­  500  нм  (2,3  эВ). Увеличение  напряжения  приводит  к  изменению 
формы полос и положения их максимумов. Форма и интенсивность зеленой 
полосы  меняются  существенно,  появляются  дополнительные  сателлиты,  и 
происходит  смена полярности  сигнала. Последнее  свидетельствует  об изме­
нении  фазы  регистрируемого  сигнала.  Наличие  максимумов  поглощения  в 
15 
области запрещенных энергий может  свидетельствовать  об изменении ­элек­
тронной структуры полимерного материала. 
Для  анализа  характера  данного  изменения  были привлечены ВАХ ис­
следуемой  структуры в  диапазоне  напряжений,  используемых  в оптическом 
эксперименте. Интерпретация полученных ВАХ проводилась в рамках моде­
ли  инжекционных  токов,  ограниченных  объемным  зарядом.  Проведенный 
анализ ВАХ показал, что возбуждение  модуляционного  спектра происходит 
при  одновременном  протекании  инжекционного  тока  через  полимерную 
пленку. Величина этого тока периодически  меняется  синфазно с приложен­
ным  переменным  электрическим  полем. Если  учесть,  что  влияние  эффекта 
Франца­Келдыша  на оптические характеристики полимерного материала не­
велико, то оптическая модуляция обусловлена каким­то другим эффектом. 
Если предположить, что модуляция поглощения обусловлена наличием 
электронных состояний в щели по подвижности полимера (рис. 5), то эти же 
состояния  должны  участвовать  и  в транспорте  заряда,  инжектированного  в 
полимер из электродов. Модуляция оптического поглощения возникает в ре­
зультате  изменения  заселенности  состояний  узкой зоны  инжектированными 
носителями заряда 

JSC 

ІТО  ГЩФ  ІТО  ПДФ 


Рис. 5. Зоішая диаграмма границы раздела 1ТО ­ полимер: Ej, ­уровень Ферми полимера, 
Ее ­зона проводимости, Еѵ  ­ валентная зона, Еі ­ переход валентная зона ­ зона проводи­
мости, Ег ­ переход валентная зона ­ узкая зона транспортных состояний полимера; сле­
ва ­ в случае, когда состояния свободны, справа ­ заняты. 

В разделе 4.2 рассмотрено влияние примесей на модуляционный спектр 
пленки  ПДФ. Был  получен  модуляционный  спектр, максимумы двух  пиков 
которого соответствовали  500 и 590 нм. Введение примеси (флуоресцеина) в 
полимерную  пленку  позволило  провести  измерения  на более тонких образ­
цах. Правильный выбор концентрации примесных молекул не вносит допол­
16 
нительных  особенностей  самого  фдуоресцеина  в  модуляционный  спектр. 
Кроме  того,  использование  акцепторной  примеси  позволило  сохранить  ос­
новной механизм трансформации зонной структуры полимера. В связи с этим 
можно предположить, что результатом  протекания через образец электриче­
ского тока должно быть появление новых электронных (а не дырочных) со­
стояний.  Практическое  совпадение  положения  и  формы  модуляционных 
спектров  подтверждает  это  предположение,  в  противном  случае  спектры 
должны были бы существенно отличаться. 
Раздел 4.3 посвящен результатам исследования химической и электрон­
ной  етрукгуры  полидифеішленфталида  численными  методами  для  анализа 
возможности  трансформации  электронного  спектра  молекул  полимера  при 
инжекции  избыточного  заряда.  Исследование  геометрической  оптимизации 
показало,  что  в  ПДФ  могут  быть реализованы  две  разные  геометрические 
структуры, разделенные относительно малой разницей  в полной энергии ос­
новного  состояния. Форма с открытым  циклом  может  быть кандидатом  для 
объяснения электронного поведения ПДФ под действием внешних воздейст­
вий таких, как давление, электрическое поле, термический нагрев. Более того, 
я­допинг показал стабилизацию структуры в состоянии с белее высокой пол­
ной энергией. Подтверждение предсказанной геометрии должно найти отра­
жение в  фотоэлектронных  спектрах, как показало численное  моделирование 
таких спектров. Следует подчеркнуть, что во всех случаях торсионный угол 
между фенильными группами внутри мономера является  слишком большим 
для эффективной делокализации я­злектронов. 
Устойчивость  модельной  системы  с разорванной ­С­О­ связью возрас­
тает (локальный мшшмум по энерітга становится достаточно глубоким), если 
молекула  захватывает  электрон  и  становится  отрицательно  заряженным  ио­
ном.  В  этом  случае  расчет  предсказывает  возникновение  нового  глубокого 
электронного уровня в запрещенной  зоне.  Конформационный  анализ состоя­
ний с раскрытым лактонным циклом позволил выявить устойчивую геометри­
ческую  конфигурацию, характеризующую  захват избыточного электрона. Во 
всех случаях оптимизацию геометрии проводили по мономерному ззену, в то 
время как электронная структура определялась для периодических граничных 
условий с мономерным звеном. Исследования мономерных молекул в газовой 
фазе далеко не полным образом описывают поведение, структуру  и свойства 
полимера в конденсированном состоянии, однако позволяют оценить их меха­
низмы  и  тенденции  поведения.  В  частности,  межмолекулярные  эффекты, 
включая  диполь­дипольное  взаимодействие,  уменьшают  притяжение  между 
положительным  атомом  углерода  и  отрицательной  карбоксильной  группой и 
приводят к стабилизации химической структуры, т.е. поляризационные эффек­
ты окружения в полимерных цепях вносят существенные изменения в стаби­
лизацию  мономерных звеньев. 
В пятой главе рассмотрены особенности транспорта носителей заряда в 
полидифениленфталиде  в составе различных  гетероструктур: мегалл ­ поли­
мер ­ металл, полупроводник ­ полимер ­ металл. 
17 
В разделе SA для выяснения особенностей переноса заряда были прове­
дены  измерения  вольгамперных  характеристик  на  пленках,  находящихся  в 
непроводящем состоянии, в диапазоне температур от 100 до 300 К. Получен­
ные характеристики  имеют нелинейный характер, но при этом  зависимости 
проводимости пленки от обратной температуры  (MJ/U)  от 1000/7) оказыва­
ется  возможным  аппроксимировать  двумя  линейными  участками  (рис. 6), 
Исходя из экспоненциального  характера зависимостей  проводимости от об­
ратной температуры, по величине тангенса угла наклона линейных участков 
на графиках в координатах: In (I/U) ­  1000/Т можно рассчитать энергии акти­
вации Д, (0,29 эВ  и 0,008 эВ). 

4  6  5  6 , 7 
юоо/7; к"1  юоо/7; к­1 
Рис. 6. Зависимости проводимости полимерной пленки от обратной температуры (слева) 
и зависимости Iff  от 1000/Т (справа) при различных величинах электрического поля. 

По­видимому, при высоких температурах в качестве основной состав­
ляющей тока выступает ток, связанный с термоэлектронной эмиссией Шотт­
ки. Для подтверждения этого предположения были построены зависимости в 
координатах: ЩІЛ2)  ­  1000/Т (рис. 6) при различных напряжениях на образ­
це. Действительно, в этом случае: 
­а$>в­4еРІ*юя«) 
/=/f7*exp  (5) 
кТ 
где / ­  плотность тока, А* ­ постоянная Ричардсона, е ­ заряд электрона,  <рв­
высота барьера, F­ напряженность электрического поля, s  ­ диэлектрическая 
проницаемость образца, ес ­ электрическая постоянная, к­  постоянная Больц­
мана,  Г ­  температура.  Анализируя  полученные  данные,  можно  предполо­
жить, что в диапазоне температур 250­300 К доминирующим механизмом яв­
ляется термоэлектронная эмиссия Шоттки, которая определяет перенос носи­
телей заряда через границу раздела металл ­ полимер. 
18 
Раздел  5.2  посвящек  эхспсримсшадьному  изучению  механизмов  про­
водимости  в  тонких  пленках  широкозонных  полимеров,  входящих  в  состав 
ггтероструктур  ка  основе  кремния.  На  рис.  7  представлены  водьтамперные 
характеристики  образцов,  измеренные  при  различных  температурах  и  поляр­
ности  приложенного  напряжения.  В  работе  использовался  полупроводник 
кремния  /7­типа. В случае прямого включения  на металлический электрод по­
дается  отрицательный  потенциал  относительно  кремниевой  пластины,  а  при 
запивающем (обратном) включении ­ положительный. 
Таблица 2. 
Энергия активации при различных температурах и напряжении 0,8 В. 

Т(К)  300­160  300­130  160­90  130­80 


Обратный  ток  0,24  ­ 0,014  ­
Е № (эВ) 
Прямой ток  ­ 0,13  ­ 0,021 

На  основе  измеренных  вольтамперных  характеристик  были  построены 


зависимости  проводимости  полимерной  пленки  от  обратной  температуры  и 
величины  электрического  поля  для  прямых  и  обратных  токов.  Зависимости 
проводимости  от  обратной температуры  носят  экспоненциальный  характер  с 
разными  энергиями  активации  на  различных  участках,  причем,  эти  энергии 
различаются  при  прямом  и  обратном  токах.  Анализ  кривых  позволяет  пред­
положить,  что,  по  крайней  мере,  действуют  несколько  механизмов  переноса 
заряда,  которые  можно  обнаружить  в  соответствующих  интервалах  темпера­
тур с различными  энергиями  активации  (см. табл. 2). Значения  энергии  акти­
вации зависят также от величины электрического поля. 

Рис. 7. Вольтамперные характеристики гетеророструктуры кремний ­ полимер 
­  металл при различных температурах: слева в случае прямого включения  я 
справа ­ обратного включения. 

19 
Для выяснения  механизмов переноса носителей заряда построим зави­
симости величины тока в координатах ІІіоттки: JnfVf)  от 1000/Т для разных 
значений напряженности  электрического  поля (см. рис. 8). Эксперименталь­
ные точки, соответствующие прямым токам при температурах выше 160 К и 
обратным токам при температурах  выше 200 К, аппроксимируются прямыми 
в указанных координатах. Рассчитанные по этим графикам  величикы барье­
ров имеют следующие значения:  0,145 эВ и 0,135 эВ при напряжениях 0,6 В 
и 0,8 В соответственно для прямых токов. Для обратных токов высота барьера 
меняется от 0,32 эВ при напряжении 0,8 В до 0,35 эВ при напряжении 0,2 В. 
Видно, что значения  барьеров коррелируют  со значениями энергии актива­
ции, приведенными в табл. 2. 
Можно предположить, что для низких температур при напряжениях бо­
лее  1 В доминирующей  составляющей тока, по­видимому, является ток, обу­
словленный туннельной эмиссией, облегченной полем. Это видно из кривых, 
построенных в координатах Фаулера ­ Нордгейма:  1/lf  ­  1/U. Однако, если 
рассчитать высоту барьеров  из формулы, описывающей поведение туннель­
ного тока: 

J F
~ '*\  Id*  }  <6) 
где т*­ эффективная  масса носителя тока, h ­ постоянная Планка, F­  напря­
женность электрического поля, мы получим довольно низкие значения: 0,005 
эВ и 0,008 эВ соответственно для прямых и обратных токов. Низкие значения 
величин барьеров можно объяснить наличием микровыступов на поверхности 
границ раздела. 

•  ' •  '  • ' • ! • ' •  I  ­ 3 4 1  '  I  '  I  •  I  і  I  і  I  • 


2 4 6 6  10  12  14  3 4 5 6 7 8 9 
юоо/7; к'1  юоо/г.к"1 
Рис. 8. Зависимости I/fat  1000/Г  при различных напряжениях на образце: 
слева для прямых токов и справа ­ обратных токов. 

20 
Полевая  зависимость  проводимости  в  координатах  Пула­Френкеля: 
iv.(I/U) от  if'12  оказалась линейной в средней области значений напряженно­
сти  поля  в  соответствии  с  уравнением  Гилла  (1).  Согласно  модели  Пула­
Френкеля плотность тока определяется выражением: 
e<pB +  p p F l 
/ее  Fexp  (7) 
кТ 
где коэффициент fi№ рассчитывается  по формуле:  pPJ!  = {i  Inee^f11.  Для на­
ших  образцов  этот  коэффициент  составляет  величину  4Д7­10"4  эВ (см/В)"2. 
Значения  ppF, полученные  из  наших  графиков,  имеют  значения:  1,26  ­
1,74­Ю"4 эВ(см/В)1/2 для  обратных  токов  и  1,66  ­  2,56­іЬ"4  эВ  (см/В)ш  для 
прямых токов  в зависимости  от температуры. Для  объяснения данного рас­
хождения, учитывая, что  в  наших  образцах  отсутствуют  заметные  концен­
трации заряженных транспортных  центров, была привлечена  модель прыж­
кового транспорта по центрам с гауссовским распределением энергетических 
уровней. Согласно [4­5], прыжковый транспорт по ловушечным состояниям, 
как правило, приводит  к тому, что экспериментальные данные подчиняются 
уравнению Гилла. 

Рис. 9. Зонная диаграмма границы раздела металл ­ полимер: (рга ­  работа выхода 
электронов из металла, Ег­ уровень Ферми металла,  Д<р ­ высота барьера, %ѵ  ­ элек­
тронное сродство полимера, Eq, ­ зона проводимости и Е^­ валеятная зона полимера 

Основные результаты  приведенных  выше исследований  можно объяс­


нить, исходя из того факта, что в качестве транспортного  слоя исследуемых 
структур использовался  широкозонный  полимер, в котором  возможен пере­
21 
ход из диэлектрического в высокспроводяшее  состояние. Применение широ­
козонного полимера не позволяет объяснить рассчитанные значения энергий 
активации на основе соотношения между работой выхода металла и энергией 
электронного сродства полимера, так как высота барьера в этом случае долж­
на составлять 1­2  эВ. Скорее всего, барьеры формируется на границе металл­
полимер,  причем,  высота  барьеров  определяется  разницей  между  уровнем 
Ферми контактирующего электрода и положением ловушечных уровней, об­
разующихся вблизи середины запрещенной зоны полимера (рис. 9). 
В разделе 5.3  описаны результаты исследования  граничных явлений в 
тонких пленках различных несопряженных  широкозонных полимеров: поли­
N­фенилдифениленфталимида,  полидифениленоксидфталида,  полидифе­
ниленсульфидфталида,  политерфениленфталида.  Эти  полимеры  обладают 
схожими  структурными  единицами в виде боковых функциональных  групп. 
По  графикам,  построенным  в  координатах  1п(ІЛІ)  ­  1000/Т  и  1п(І/Т)  ­
1000/Т, были рассчитаны  энергии активаций Е„ и величины  барьеров Шотт­
ки Aq>. Сравнение величин  Ја  и  Л(р  (см. табл. 3) показывает, что последние 
несколько меньше. Если мы обратимся к формуле (5), то увидим, что наклон 
определяется не только величиной барьера  на границе, но и полевой добав­
кой. Расчет значений Лд> проводился без учета полевой добавки, а это приво­
дит к «искусственному» занижению барьеров Шоттки. 
Таблица 3. Значения энергий активаций и величины 
барьеров Шоттки для различных полимеров. 

Название полимеров  Б„эВ  4ft эВ 


поли­№фенилдифениленфталимид  0,25  0,22 
полидифениленоксидфталид  0,34  0,33 
полидифениленсульфидфталид  0,24  0,21 
полнтерфениленфталид  0,29  0,26 

Согласно проведенным измерениям, особенности переноса заряда через 
границу  металл  ­ полимер  можно охарактеризовать  в рамках модели термо­
электронной  эмиссии  Шоттки.  Показано,  что  термоэлектронная  эмиссия 
Шоттки через границу металл ­ полимер происходит во всех исследованных 
типах  полимеров. Перенос заряда через границу металл­полимер характери­
зуется высотой барьера, определяемой разностью работ выхода электрона из 
металла  и  полимера. Для  каждого  полимера  величина  барьера небольшая  и 
варьируется в интервале 0,22­0,33 эВ. Такое изменение высоты барьера обу­
словлено разными значениями ширины запрещенной зоны для разных типов 
использованных  полимеров,  а  значит,  и  разной  величиной  работы  выхода. 
Величина выходного тока через структуру металл ­ полимер ­ металл зависит 
от  высоты  потенциального  барьера  на границе электрод  ­ полимер, что  от­
крывает дополнительные возможности управления величиной тока по транс­
портному слою путем подбора материала, как электродов, так и полимерной 
пленки. 
22 
В  шестой главе представлены  исследования  по  формированию транс­
портного  слоя на границе двух  полимерных  пленок, обладающего  повышен­
ной электропроводностью. 

Попимѳ р 

Стеклянная подложка 

<  10""  ­

Стеклянная подложка 

Рис. 10.  Вольтамперные характеристики образцов: 1  ­ образец с одним слоем по­


лимера, 2 ­ образец с двумя слоями полимера, расстояние между электродами 60 
мкм, 3 ­ образец с двумя слоями полимера, расстояние между электродами 30 мкм. 

Целью раздела 6.1  явилось  изучение транспорта заряда  вдоль границы 


раздела двух органических материалов. Предполагалось, что изгиб энергети­
ческих уровней в этой области должен создать повышенную локальную кон­
центрацию  заряда,  что должно  было  отразиться  на транспортных  свойствах 
такой  двумерной  структуры.  На  рис.10  представлены  В АХ  для  образцов  с 
различным  количеством  полимерных слоев и различным расстоянием  между 
электродами.  Кривая  1 соответствует  образцу  с  одним  слоем  полимера,  на 
поверхности  которого  нанесены  медные  электроды.  Она  характеризует  по­
верхностную проводимость полимерной пленки, которая составляет величину 
порядка  1 пСм  при  50  В.  Поверхностная  проводимость,  по­видимому,  обу­
словлена  адсорбционным  слоем, так  как измерения  проводились  в условиях 
открытой атмосферы, и не предпринималось специальных мер по его контро­
лю. Следует  отметить, что при расположении  электродов  между  стеклянной 
подложкой  и полимерным  слоем  проводимость  становится  менее  1 фСм, ко­
торая  по  своему  значению  ближе  к объемной  проводимости  полимера. При 
наличии  второго полимерного  слоя  величина протекающих токов резко воз­
растает. Проводимость  становится  на несколько  порядков  выше  поверхност­
ной и достигает 2 нСм при тех же напряжениях и расстоянии между электро­
дами в 30 мкм (кривая 3). Увеличение  расстояния между электродами до 60 
мкм приводит к снижению проводимости до 0,3 нСм (кривая 2). 

23 
С целью исследования электрофизических свойств двухслойных образ­
цов были измерены ВАХ  этих образцов при разных температурах и построе­
ны зависимости проводимости полимерной пленки от обратной температуры. 
Эти зависимости можно разделить на две линейные области с разными угла­
ми наклона к оси абсцисс. Это может означать, что зависимость от темпера­
туры носит экспоненциальный характер с разными энергиями активации при 
разных температурах. Величина энергии активации равна  ~  0,31 эВ  в диапа­
зоне 300­180 К и ~ 0,005 эВ при низких температурах 180­90 К. Очевидно, что 
в транспорт заряда вносят свой вклад как явления на границе между полиме­
ром и металлическим электродом, так и в объеме полимерной пленки. Можно 
предположить,  что  при  высоких  температурах  ток  через  интерфейс  поли­
мер/металл  обусловлен  термоэлектронной  эмиссией  Шоттки.  При  низких 
температурах,  по­видимому,  реализуется  полевая  туннельная  эмиссия  через 
интерфейс с последующим прыжковым транспортом носителей заряда по ло­
вушечным состояниям вблизи уровня Ферми. 
Объяснить резкое увеличение проводимости (на два­три порядка) у об­
разцов  после нанесения  второго  полимерного  слоя можно следующим  обра­
зом. Можно предположить, что граница раздела полимерных пленок способ­
ствует  преимущественной  ориентации  боковых  фталидных  фрагментов,  об­
ладающих заметным дипольным  моментом  [13]. Такая ориентация  приводит 
к увеличению  локальной  «двумерной»  концентрации  электронных  ловушек, 
которыми  являются фталидные группировки, что не противоречит  результа­
там  работы  [14]. При этом  происходит  рост  плотности  локализованных  со­
стояний, по которым осуществляется  прыжковая  проводимость в транспорт­
ном слое. 
В  разделе  6.2  описаны  результаты  оценки  подвижности  носителей  в 
транспортном  слое. На основе  анализа  вольтамперных  характеристик  в рам­
ках инжекционной модели была оценена  подвижность электронов //  с помо­
щью соотношения: 

т 
М=
^Д­  (8) 

Плотность тока /оценивалась  исходя из значения тока и площади, через ко­
торую протекал ток, которая, в свою очередь, рассчитывалась исходя из ши­
рины электродов и толщины транспортного слоя d.  Напряжение  Ut, характе­
ризующее переход от ПЗЛ к безловушечному квадратичному закону, опреде­
лялось  из ВАХ.  Экспериментальная  оценка  толщины такого  слоя  составила 
около  12  нм  (см.  далее),  Подвижность  носителей  заряда,  рассчитанная  со­
гласно (8), оказалась равной 3,76­10'2см2/В­с, что является чрезвычайно высо­
ким для такого типа материалов. Например, объемная подвижность носителей 
заряда в  пленках ПДФ, находящихся  в непроводящем  состоянии, не  превы­
шает значения 10"6см2/В­с. 

24 
В  разделе  6.3  рассмотрены  отдельные  свойства  транспортного  слоя  и 
возможные  причины  возникновения  высокой  проводимости.  Кроме  того, 
описаны  результаты  визуализации  и изучения  структуры  транспортного  слоя. 
Создание транспортного  слоя  осуществлялось  в три этапа:  нанесение  нижней 
полимерной  пленки,  стравливание  этой  пленки  с поверхности  металлических 
электродов  и  нанесение  верхней  полимерной  пленки.  Контроль  толщины  и 
состояния  поверхности  пленок  на  каждом  из  этапов  осуществлялся  при  по­
мощи  атомно­силового  микроскопа.  Для  визуализации  внутреннего  строения 
полимерных  слоев  пленка  подвергалась  специальной  предварительной  про­
цедуре.  Эта  процедура  заключалась  в  использовании  метода  механического 
скола полимерной  пленки. Ожидалось,  что при этом  поверхность  скола  будет 
формироваться  по  неоднородным  или  напряженным  участкам  полимера,  к 
которым  следует отнести  границу  между  слоями  полимерной  пленки. 

­МбД run  $«<к»п Ь3$,і" c&etxe) 
(S27.S pm)" 
^ " ~ \  ­ V 
А ѵ .  \  / " 
•Ш$М nm 

{•85,13 pm) 

­S949  т  V / 
«МП 
5ИД?пт  <ВД7пга  (U,74nm)  ­0331*  Вдае 6?,?? nm 

Рис.  11. АСМ изображение границы раздела полимер­полимер: а ­ трехмерное пред­
ставление  интерфейса  (отмечена  область,  в которой  проводилось  сканирование  с 
более высоким разрешением); б ­ переходная область; в ­ профиль переходной об­
ласти. 
Более детальные  исследования  позволили  визуализировать  переходную 
область  от одного  слоя  к другому  (рис.  11). Эта переходная  область  отличает­
ся по структуре  от объема  пленки  и имеет  конечную  ширину  (рис.  11 б). Про­
филь  поверхности  (рис.  11 в) позволил  оценить толщину  переходного  слоя  на 
границе раздела двух  слоев  d~  12 нм. 

25 
Для  уточнения  величины  удельного  сопротивления  и определения  ха­
рактера  температурной  зависимости  был  использован  четырехзондовый  ме­
тод Ван дер Пау, исключающий влияние потенциальных барьеров на контак­
те металл ­ полимер. В результате было получено значение удельного сопро­
тивления  границы  раздела,  равное  6,3  Ом­см, и было показано, что электро­
проводность с увеличением температуры уменьшается, что может свидетель­
ствовать о металлоподобном  характере температурной зависимости проводи­
мости. 
В  седьмой главе описаны  эксперименты,  раскрывающие  возможности 
практического использования свойств транспортного слоя. 
В разделе 7.1 рассмотрена  возможность управления  величиной  выход­
ного тока на различных наноструктурных  гетеропереходах, созданных на ос­
нове кремния  и полимерных  пленок  полидифениленфталида.  Для  исследова­
ний были приготовлены многослойные структуры типа «сэндвич» с системой 
внутренних  электродов  между  двумя  полимерными  слоями  на подложке  Si­
SiC>2 с омическим электродом.  Был проведен анализ вольтамперных характе­
ристик, измеренных между внутренними электродами. Оказалось, что в зави­
симости от величины и знака потенциала, приложенного к  омическому элек­
троду кремниевой подложки относительно верхнего электрода, меняется про­
водимость  транспортного  слоя,  расположенного  между  внутренними  элек­
тродами. 

Рис. 12. Структура полимерного  пленочного  полевого транзистора  (слева) и его  переда­


точные характеристики, на вставке приведены  напряжения  сток ­  исток (справа). 

Раздел  7.2  посвящен  исследованию  влияния  электрического  поля  на 


транспорт носителей заряда вдоль границы раздела двух пленок несопряжен­
ного полимера в конфигурации  полевого транзистора. Показана возможность 
применения  одной  из пленок полимера в качестве  подзатворного  диэлектри­
ка, а границы полимер ­ полимер в качестве транспортного  слоя. Электриче­
26 
екие характеристики  полученной  структуры, были измерены при  комиатксй 
температуре  по  схеме  с  общим  истоком.  Полученные  характеристики  (рис. 
12) типичны для нормально открытого полевого транзистора, т.е. канал про­
водимости  сформирован  изначально  в  процессе  изготовление  образца.  Тот 
факт, что ток в цепи стока уменьшается  при отрицательном  напряжении  на 
затворе, говорит об электронном типе проводимости канала. 

­6,0 
­ ­ а ­ 1 
­6,5  ­ Д ­ 2  о 
­ о ­ З 
­7,0  ­ о ' 
­7.5 

?  Л / 
О" 8 ­ 0 

­9,0 

•  '  / " 

­9.5  Р­ПГ  . І . І . І . 
20  40  60  80  100 
а в 
Рис.  13. Вольтамперные  характеристики,  измеренные  в  различных  условиях:  1 ­
при относительной влажности 20%,  2 ­ в парах этилового  спирта, 3 ­ при относи­
тельной влажности 80%. 
В разделе 7.3 рассмотрено влияние допирования на проводимость вдоль 
границы раздела полимер  ­ полимер  и описаны  сенсорные  свойства  данной 
границы.  Одним  из  способов  управления  проводимостью  полидифенилен­
фталида является допирование. На рис. 13 представлены В АХ образца с алю­
миниевыми электродами, измеренные в различных  условиях. Кривая  1  соот­
ветствует  измерению  в  открытой  атмосфере  при  относительной  влажности 
20%. При увеличении относительной влажности до 80% (кривая 3) проводи­
мость увеличивалась на 3 порядка. Кривая 2 была получена  в парах этилово­
го спирта. В данном случае проводимость отличается на 2 порядка от перво­
начальной.  Для  существенного  изменения  проводимости  требуется,  чтобы 
вещество, содержащее щдроксильную группу (вода, спирт), проникло из ок­
ружающей среды в объем полимера в большом количестве (до 40%), что яв­
ляется маловероятным. Другим способом является создание локальной облас­
ти с высокой концентрацией потенциальных центров переноса зарядов, т.к. в 
этом  случае  не  потребуется  введения  большой  концентрации  допанта. По­
27 
следяий способ реализуется при формировании на границе раздела полимер ­
полимер ішотноупакованного слоя фталвдых группировок. Применение в ка­
честве  допантов  веществ,  молекулы  которых  не  содержа!  гидроксильную 
группу, показало, что в этом случае изменения проводимости не происходит. 
Тем самым  показана избирательность  границы раздела между полимерными 
пленками к веществам с гидроксильными группами. 

­і—•—і—>—г­
r —,  г—,—,_,­... 
• " •  ' • •  I  '  1 
ISO 

150 
у  • 
120  ­
п 


О  90  1  < 
0> 
60 

30  . 

— . — і — • — і —  J  1  1  1  • _ .  | _  0,1 
2D  30  4D  50  60  70  6  в  10  12  14 
<Р,%  рН 

Рис.14. Зависимость проводимости от величины  относительной влажности воз­
духа (слева) и зависимость тока от показателя кислотности среды рН (справа). 

В следующем разделе 7.4 показана возможность практического исполь­
зования свойств транспортного слоя для изготовления химических и биоло­
гических сенсоров, в которых размеры чувствительной части могут достигать 
десяти нанометров. В  ходе  осуществления  данной задачи была разработана 
уникальная  технология  получения  наноразмерного  самоорганизующегося 
транспортного  слоя  на  границе  раздела  двух  полимерных  пленок.  В  такой 
структуре  была  реализована  высокая  продольная  проводимость,  хорошо 
управляемая внешними воздействиями. На основе полученных структур был 
создан макет датчика относительной влажности воздуха, исследованы его ха­
рактеристики  и  построена  зависимость  электропроводимости  от  величины 
влажности, представленная на рис.  14. 
Используя  уникальную  чувствительность  транспортного  слоя к гидро­
ксильной группе, полученные экспериментальные образцы можно использо­
вать как многоразовые датчики для определения водородного показателя (рН­
метры), что было проверенно экспериментально. На образец последовательно 
накосились буферные растворы с известным значением рН. Затем измерялись 
вольтамперные характеристики. Полученные результаты изображены на рис. 
14 в виде зависимости тока при одном и том же фиксированном напряжении 
от значения кислотности среды рН. Исходя из вида графика, очевидно, что с 
уменьшением кислотности идет увеличение тока, протекающего через обра­
зец,  а значит, проводимости пленочной структуры. Применение  гетерострук­
28 
тур на основе исследованных широкозонных полимерных материалов откры­
вает  широкие возможности  по созданию  химически* ааноразмгрных  сенсо­
ров для различных веществ. 
3  з&ключении приведены основные результаты и сформулированы вы­
воды диссертационной работы. 

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИИ 
1.  Увеличение одноосного механического давления в системе металл ­ поли­
мер  ­  металл приводит  к  изменению  условий  инжекции  носителей  заряда  в 
полимерную пленку, в результате чего вблизи уровня Ферми образуется узкая 
зона электронных состояний, перенос электронов по которой приводит к зна­
чительному увеличению их подвижности. 
2.  В пленках полиариленфталидов, которые имеют толщину меньше порого­
вой,  с  повышением  давления  подвижность  электронов  увеличивается,  в ре­
зультате чего происходит смена носителей, и основными носителями заряда в 
полимерной пленке становятся электроны. 
3.  Методом модуляционной спектроскопии  электропоглощения установлено 
наличие глубоких электронных состояний, расположенных в запрещенной зо­
не полимера вблизи уровня  Ферми и ответственных  за транспорт носителей 
заряда. 
4.  Основными  механизмами  переноса  заряда  в  гетероструктурах  на  основе 
полиариленфталидов  в предпороговой области являются: прыжковый транс­
порт по ловушечным уровням, термоэлектронная  эмиссия Шоттки и полевая 
туннельная эмиссия. 
5.  Перенос заряда  через границу  металл  ­  полимер  во всех  исследованных 
широкозонных полимерах с разными функциональными группами характери­
зуется  высотой барьера, определяемой  разностью работ выхода электрона из 
металла и полимера. 
6.  Вдоль  границы  двух  полимерных  пленок  происходит  формирование 
транспортного слоя, обладающего повышенной подвижность носителей заря­
да (около 4­Ю"2 см2/В­с).  Выдвинута гипотеза о том, что транспортный слой 
на границе  раздела  двух  полимерных  пленок  представляет  собой  область  с 
плотной упаковкой фталидных группировок, в которой возможно формирова­
ние квазидвумерного электронного газа. 
7.  Транспортный  канал,  сформированный  вдоль  границы  раздела  двух ди­
электрических полимерных пленок, обладает электронным типом проводимо­
сти, величиной которой можно управлять внешним электрическим полем. 
8.  Управление  проводимостью  вдоль  границы  раздела  двух  полимерных 
пленок возможно путем изменения внешних условий, включая воздействие на 
образец различных химических веществ. 

29 
Цитированная литература 

1.  Schmechel  II.  and  Seggern  H.  Electronic  traps  in  organic transport  layers  // 
Phys. Stat. Soi. (a)­2004.­V.201.­P.1215­1235. 
2.  Miller A., Abrahams E. Impurity conduction at low concentrations // Phys. Rev. 
­1960. ­Ѵ .І20. ­  P.745­755. 
3.  B. Movagliar В., Grllnewald M., Ries В., Bassler H., Wurtz D.. Diffusion  and 
relaxation of energy in disordered orgamc and inorganic materials // Phys. Rev. В  ­
1986.­V.33.­P. 5545­5554. 
4.  Bassler H. Localized states and electronic transport in single component organic 
solids with diagonal disorder // Phys. Stat. Sol. (b) ­1981. ­V.107. ­  P. 9­54. 
5.  Pautmeier L., Richert R., Bassler H. Hopping in a Gaussian distribution of en­
ergy states: Transition  from  dispersive to non­dispersive transport // Philos. Mag. 
Lett. ­  1989.­V.59. ­  P. 325­331: 
6.  Kenkre V.M., Dunlap D.H. Charge transport in molecular solids: dynamic and 
static disorder // Philos. Mag. В ­1992. ­V.65. ­  P. 831­841. 
7.  Gill W.G. Drift  mobilities in amorphous charge­transfer  complexes of trinitro­
fluorenone  and роіу­л­vinylcarbazole // Appl. Phys.­1972.­V.43.­P.5033­5040. 
8.  Новиков С. В., Ванников А. В. Влияние электрического поля на подвиж­
ность зарядов в полимерах // Хим. физика. ­1991. ­ Т .  10. ­  С. 1692­1698. 
9.  Arkhipov V.I., Rudenko A.I. Drift and diffusion  in materials with traps II. Non­
equilibrium transport regime // Philos. Mag. В ­1982. ­V.45. ­  P. 189­207. 
lO.Ohtomo  A., Hwang H.Y. A high­mobility  electron gas at the LaAl03/SrTi03 
heterointerface // Nature. ­2004. ­V.427. ­P. 423­426. 
11, Alves H., Molinari A.S., Xie H., Morpurgo A. F. Metallic conduction at organic 
charge­transfer interfaces //Nature Mater. ­2008. ­V. 7. ­  P. 574­580. 
12.Никитенко  B.P.,  Тамеев  А.Р.,  Ванников  А.В.  Механизм  металлической 
проводимости  вдоль  границы  раздела  органических  диэлектриков  //  ФТП  ­
2010.­Т.44.­В.2.­С. 223­229. 
13.Scheffold  F,  Budkowski  A,  Steiner  U,  Eiser  E,  Klein  J,  Fetters  L.J  Surface 
phase behavior in binary polymer mixtures. II. Surface enrichment from  polyolefin 
blends//J. Chem.Phys.­ 1996.­V.104.­P. 8795(1­12). 
14. Duke  C.B. and  Fabish N.J. Charge­Induced  Relaxation  in  Polymers. // Phys. 
Rev. Lett. ­1976. ­V.37. ­P. 1075­1078. 

Основное содержание диссертации опубликовано в работах: 

1.  Бунаков  А.  А.,  Лачинов  А.  Н.,  Салихов  Р.  Б.  Исследование  вольт­
амперных  характеристик  тонких  пленок  полидифениленфталида  //  ЖТФ.  ­
2003.­Т.73.­В.5.­С.104­108. 
2.  Bunakov A.A., Lachinov A.N., Salikhov R.B. Current­voltags characteristics of 
thin  poly(bipbenyl­4­ylphthalide)  films  //  Macromolecular  Symposia. ­  2004.  ­
V.212.­Is.l.­P. 387­392. 

30 
3.  Lachinov A,N... Salikiiov  R.B., Bunakov  A.A.,  Tameev A.R.  Charge  carriers 
generation  in ihin polymer films by weak external  influences  // Nonlinear Optics, 
Quantum Optics. ­ 2004. ­V.32. ­ ? . 13­20. 
4.  Бунаков  А.А., Лачинов  А.Н.  Салихов  Р.Б.  Особенности  вольт­амперных 
характеристик тонких пленок полндифениленфталида // Химия и компьютер­
ное моделирование. Бутлеровские сообщения. ­  2002. ­  Т.З, №11.­ С. 64­67. 
5..  Тамеев  А.Р., Лачинов  А.Н.,  Салихов  Р.Б.,  Бунаков  А.А.,  Ванников А.В. 
Подвижность  носителей  заряда  в  тонких  пленках  полидяфениленфталида  // 
Журнал физической химии. ­  2005. ­  Т.79, №12. ­  С. 2266­2269. 
6.  Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Бунаков А.А. Перенос заряда в тонких поли­
мерных пленках полиариленфталидов  //  ФТТ. ­  2007. ­  Т.49. ­В.1. ­  С.179­
182. 
7.  Лачинов А.Н., Салихов Р.Б., Бунаков  А.А. Механизмы  переноса заряда в 
тонких  полимерных  пленках  //  Известия  РГПУ  им. А.ИТерцена.  ­  2005.  ­
№5(13).­С.80­91. 
8.  Saiikhov  R.B., Lachinov  A.N.,  Rakhmeyev  R.G.  Electrical  properties  of het­
erostructure Si/poly(diphenylenephthalide)/Cu  // J. Appl. Phys. ­  2007. ­  V.101.  ­
P. 053706 (5 pages). 
9.  Салихов Р.Б., Лачинов A.H., Рахмеев Р.Г. О механизмах  проводимости в 
гетепоструктурах кремний­ полимер­металл // ФТП. ­  2007. ­  Т.14. ­  В.10.  ­
С. 1182­1186. 
10. Saiikhov R.B., Lachinov A.N., Rakhmeyev R.G. Mechanisms of conductivity in 
metal­polymer­Si thin film  structures // Molecular Crystals and Liquid Crystals.  ­
2007. ­V.467,­ P. 85­92. 
П.Салихов  Р.Б., Лачинов АЛ., Рахмеев Р.Г. Транспортный слой на границе 
раздела двух полимерных пленок // Письма в ЖТФ. ­  2008. ­  Т.34. ­  В.11. ­  С. 
88­94. 
12. Салихов Р.Б., Лачинов  А.Н., Бунаков  А.А. Наноструктурные  гетеропере­
ходы на основе полимеров для управления током // Нанотехника. ­  2008. ­  № 
2(14).­С. 43­46. 
13.Салихов  Р.Б., Лачинов  А.Н. Нанообъекты  с узкой  проводящей  зоной  на 
основе  диэлектрических  пленок  полиариленфталидов  //  Нанотехнологаи: 
наука и производство. ­  2008. ­  №4. ­  С.61­75. 
14. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Корнилов В.М., Рахмеев Р.Г. Свойства транс­
портного слоя, сформированного  на границе  раздела двух полимерных пле­
нок//ЖТФ. ­ 2009.­Т.79. ­  В.4. ­  С. 131­135. 
15. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н.  Наноструктурированные пленки полиарилен­
фталидов и их применение // Нанотехника ­2009. ­ №  1(17).С. 35­39. 
16. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., Гадиев P.M., Юсупов А.Р., Са­
лазкин С.Н.  Химические сенсоры на основе нанополимерных пленок // Изме­
рительная техника. ­  2009. ­  №4. ­  С. 62­64. 
17. Юсупов А.Р., Лачинов  А.Н.,  Салихов  Р.Б.,  Рахмеев  Р.Г.,  Гадиев Р.М. О 
транзисторном эффекте в вертикальной структуре с несопряженным полиме­
ром в качестве транспортного слоя // ФТТ. ­2009.­ Т.51.­ В. 11.­ С.2265­2268. 
31 
!8.Салихоз Р.Е.. Лачинов А.Н.  К вопросу об узкой проводящей зоне в нано­
структурированных полимерных пленках // Нанотехника. ­  2009. ­  № 4(20).  ­
С. 24­30. 
19.Гадиев  P.M.,  Лачинов  А.Н., Корнилов  В.М.,  Салихов  Р.Б.,  Рахмеев Р.Г., 
Юсупов А.Р. Аномально  высокая  проводимость вдоль интерфейса двух по­
лимерных диэлектриков // Письма в ЖЭТФ.­ 2009­ Т.90.­ В.11­ С.821­825. 
20. Лачинов А.Н., Жданов Э.Р., Ря.хмеев Р.Г., Салихов Р.Б., Актипин В.А. Мо­
дуляция оптического поглощения  пленок полидифениленфтшшда  вблизи по­
рога переключения // ФТТ. ­  2010. ­Т.52. ­В.1. ­С.181­186. 
21.Тамеев  А.Р.,  Рахмеев  Р.Г.,  Никитенко  В.Р.,  Салихов  Р.Б.,  Бунаков  А.А., 
Лачинов А.Н., Ванников А.В. Транспорт носителей заряда в пленках полиди­
фениленфталида. Влияние избыточного давления // Нанотехнологии: наука и 
производство. ­  2010. ­  №1(6). ­  С. 15­20. 
22. Салихов Р.Б. Особенности переноса заряда в полимерных пленках // Нано­
технологии: наука и производство. ­  2010. ­ №1(6). ­  С.36­47. 
23.Рахмеев Р.Г., Лачинов А.Н., Гадиев Р.М., Салихов Р.Б., Юсупов АР., Га­
лиев  А.Ф.,  Гарифуллин  Н.М.  Полевой  эффект  на  интерфейсе  поли­
мер/полимер //Нанотехнологии: наука и производство.­2010.­№1(6).­С.48­52. 
24. Быковский Ю.А., Салихов Р.Б., Николаев Л.И., Воскрекасенко Л.С. СКа­
спектры и межатомная связь в углеродных пленках // Металлофизика. ­  1986. 
­Т.8,№5.­С.Ю7. 
25. Bskhtizin R.Z., Ratnikova E.K.,  Salikhov R.B. Auger­ and  SIM­spectroscopy 
of photosensitive  semiconductor  multi­point  arrays // Communication  of the De­
partment of Chemistry of the Bulgarian Academy of Sciences. ­  1989. ­  V. 22.  ­
N. 3/4.­P. 397­401. 
26. Быковский Ю.А., Дудоладов А.Г., Салихов Р.Б., Толстихина А.Л. Опреде­
ление  параметров  структуры  ближнего  атомного  порядка  алмазоподобных 
углеродных  пленок //  Поверхностные  и теплофизические  свойства алмазов: 
Сборник научных трудов. ­  Киев: ИСМ АН УССР, 1985.­ С. 32­34. 
27. Bunakov A.A., Lachinov A.N., Salikhov R.B. Current­voltage characteristics of 
thin polymer films // Electrical and Related Properties of Polymers and Other Or­
ganic  Solids: 9th International  Conference  ERPOS, Prague,  14­18 July,  2002.  ­
P.41. 
28. Lachinov  A.N., Salikhov R.B., Bunakov A.A., Tameev A. R. Charge carriers 
generation  in thin polymer films by weak external influences  // Smart and Func­
tional Organic Materials: NATO Advanced Research Workshop, Bucharest, Roma­
nia, 10­15 June, 2003. ­  P. 94­95. 
29. Lachinov  A.N.,  Salikhov  R.B.,  Bunakov  A.A.  Nanostructuring  Si­polymer­
metal  heterojunctions  for  current  control  //  Structuring  of Polymers: COST P12, 
First Workshop, Naples, Italy, 27­30 October, 2004. ­  P. 92. 
30. Salikhov R.B., Lachinov A.N., Bunakov A.A. Charge cariers  transport  in or­
ganic­inorganic multilayer thin films // Electrical and Related Properties of Organic 
Solids and Polymers: 10th International Conference ERPOS, Cargese, 10­15 July, 
2005.­P.B183. 
32 
31.Saiikhov R.B., Lachinov  A.N., Rakhmeycv R.G.  Mechanisms of conductivity 
in metal­polymcr­Si thin film structures // Electronic Processes in Organic and In­
organic Materials (ICEPOM­6): Absracts of 6th International Conference, Gurzuf, 
Crimea, Uicraine, September 25­29,2006. ­  P, 46­47. 
32. Лачинов А.Н., Салихов Р.Б., Бунаков А.А.  Механизмы переноса заряда в 
тонких  полимерных  пленках  //  Физика  диэлектриков  (Диэлектрики­2004): 
Материалы  X  Международной  конференции.  ­  СПб:  Изд­во  РГПУ  им, 
А.ИГерцена, 2004. ­  С. 33­35. 
33. Лачинов  А.Н.,  Салихов  Р.Б.,  Бунаков  А.А.  Особенности  вольтамперных 
характеристик тонких  пленок полидифениленфталида  в предперсходяой об­
ласти // Пленки­2002: Материалы Международной  научно­технической  кон­
ференции, 26­30 ноября 2002г., г. Москва. ­  М.: МИРЭА, 2002.­Ч.1.­ С.76­78. 
34. Лачинов А.Н.,  Салихов Р.Б., Бунаков  А.А.,  Пономарев  А.Ф. Релаксация 
заряда и механизмы его переноса в тонких полимерных пленках // Полимате­
риалы­2003: Материалы  Международной  научно­технической  конференции, 
25­29 ноября 2003 г., г. Москва. ­  М.: МИРЭА, 2003. ­  4.1. ­  С. 28­31. 
35. Лачинов А.Н.. Салихов Р.Б., Бунаков  АЛ.  Электрические  свойства гете­
ропереходов типа электроактивный полимер / кремний // Пленки­2004: Мате­
риалы Международной научной конференции, 7­10 сентября 2004 г., г. Моск­
ва.­М.: МИРЭА, 2004.­4.1.­С.151­152. 
36. Салихов.Р.Б.,  Лачинов А.Н., Бунаков А.А., Рахмеев Р.Г. Наностуктурные 
гетеропереходы  полимер/Si //  Пленки­2005: Материалы Международной  на­
учной  конференции, 22­26  ноября 2005 г.,  г.Москва. ­  М.: МИРЭА, 2005.  ­
4.2. ­  С. 82­84. 
37. Салихов  Р.Б.,  Лачинов  А.Н.  Исследование  свойств  тонких  полимерных 
пленок полидифениленфталида  // Аморфные и микрокристаллические  полу­
проводники: Сборник трудов V Международной конференции ­  СПб: Изд­во 
Политехнического университета, 2006. ­  С. 91­92. 
38. Салихов  Р.Б.,  Лачинов  А.Н.,  Рахмеев  Р.Г.,  Гадиев  P.M..  Транспортный 
слой на границе раздела полимерных пленок // Аморфные и микрокристалли­
ческие полупроводники: Сборник трудов VI Международной конференции  ­
СПб: Изд­во Политехнического университета, 2008. ­  С. 68­69. 
39.Gadiev R.M., Rakhmeev R.G., Yusupov A.R., Lachinov A.N., Salikhov R.B., 
Salazkin  S.N.  Molecular  alignment  layer  along  the  polymer/polymer  interface: 
Conductivity and sensor properties // EIecMol'08: Fourth International Meeting on 
Molecular Electronics. 08­12 December 2008, Grenoble, France.­P.119. 
40. Yusupov A.R., Salikhov R.B., Lachinov A.N., Rakhmeyev R.G. Vertical type 
of organic transistor based on poly(diphenylenephthalide) // Physics, Chemistry and 
Application  of  Nanostructures:  Proceedings  of  the  International  Conference  on 
Nanomeeting­2009, Minsk, Belarus, 26­29 May 2009.­ World Scientific Publish­
ing Co. Pte. Ltd., 2009.­ P. 570­572. 
41. Салихов Р.Б., Лачинов АЛ., Рахмеев Р.Г., Гадиев Р.М., Юсупов А.Р.. На­
ноструктурированные  полимерные  пленки  и  сенсоры  на их  основе // Нано­

33 
технологии  производству­2008:  Сборник  трудов  Международной  научно­
практической конференции. ­  М.: Изд­во «Янус­К», 2009. ­  С. 184­189. 
42.Lachinov  A.N.,  Kornilov  V.M., Rakhmeev  R.G.,  Gadiev R.M,  Salikhov R.B. 
Bio­chemical  sensory  based  on organic  structure with Q­2  electronic gas // Func­
tional Materials (ICFM­2009): Abstracts of International Conference, Ukraine, Cri­
mea, Partenit, 2009. ­  P. 405. 
43. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н.. Электронные явления в полиариленфталидах 
// Аморфные  и микрокристаллические  полупроводники:  Сборник трудов VII 
Международной конференции ­  СПб: Изд­во Политехнического  университе­
та, 2010. ­  С. 177­178. 
44. Salikhov R.B., Lachinov A.N., Rakhmeev R.G., Gadiev R.M. High conductiv­
ityof the interface  between two dielectric polymer films // Electronic Processes in 
Organic and Inorganic Materials  (ICEPOM­8): Absracts  of 8th International  Con­
ference, Ukraine, May 17­22,2010. ­  K.: Naukoviy svit, 2010. ­  P. 33­34. 
45. Салихов  Р.Б.,  Лачинов  А.Н.  Транспорт  носителей  заряда  в  полимерных 
пленках  //  Полимеры  2010:  Материалы  пятой  Всероссийской  Каргинской 
конференции. ­  М.: Изд­во МГУ, 2010. ­  С. 279. 

34 
Лиц. на издат. деят. Б848421 от 03.11.2000 г. Подписано в печать 17.01.2011. 
Формат 60X84/16. Компьютерный набор. Гарнитура Times New Roman. 
Отпечатано на ризографе. Усл. печ. л. ­ 1 , 7 . Уч.­изд. л. ­ 1 , 5 . 
Тираж 100 экз. Заказ № 155. 

ИПК БГПУ 450000, г.Уфа, ул. Октябрьской революции, За 

Вам также может понравиться