Вы находитесь на странице: 1из 14

30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.

Усилители мощности высоких частот


R5AM, Александр Ящук, Москва, 2014 г.

На главную

Iulian Rosu, YO3DAC / VA3IUL, http://www.qsl.net/va3iul


Перевод: Александр Ящук, R5AM

Усилители мощности (УМ) высоких частот (ВЧ) используются в самых разнообразных приложениях, включая беспроводную связь, телевизионное вещание,
радиолокацию и радиочастотный нагрев.

В качестве основных способов усиления мощности ВЧ могут использоваться классы усиления A, B, C, D, E, и F для частот в диапазоне от ОНЧ (очень
низкие частоты) до микроволновых частот.

ВЧ выходная мощность может быть в пределах от нескольких милливатт до мегаватт, в зависимости от задач. Внедрение твердотельных ВЧ устройств
позволяет использовать более низкие напряжения, более высокие токи, а также сравнительно низкое сопротивление нагрузок.

Наиболее важные параметры, которые характеризуют ВЧ усилитель мощности:

1. Выходная мощность
2. Коэффициент усиления
3. Линейность
4. Устойчивость
5. Напряжение питания постоянного тока
6. КПД
7. Прочность

Выбором точек смещения ВЧ усилителя мощности можно определить уровень производительности, который в конечном счете возможен для данного УМ.
Путём сравнения различных смещений УМ, можно оценить компромис между выходной мощностью, КПД, линейностью или другими параметрами для
различных применений.

Класс усиления определяется типом смещения, приложенного к мощному ВЧ транзистору.


КПД усилителя мощности является мерой его способности преобразовывать энергию источника питания постоянного тока в мощность сигнала,
поступающего на нагрузку. КПД может быть представлен в форме уравнения:

or Power Added Efficiency: или PAE:


Мощность, которая не преобразуется в полезный сигнал рассеивается в виде тепла. Усилители мощности с низким КПД имеют высокий уровень
рассеивания тепла, что может быть ограничивающим фактором в конкретной конструкции.
В дополнение к классу усиления, общий КПД усилителя мощности зависит от таких факторов, как диэлектрические потери и потери в проводниках.
Сначала учитывают любые потери в схеме, затем стараются их свести к минимуму и, наконец, убеждаются, что конструкция механически и по
температуре адекватна при любых условиях.

Классы усиления
Класс А
Этот класс усиления получается когда смещение выбрано так, что выходной ток протекает всё время и уровень входного сигнала сохраняется достаточно
малым, чтобы избежать ввода транзистора в режим отсечки. Иными словами угол открытого состояния транзистора составляет 360 градусов и транзистор
открыт весь период входного сигнала. Это делает класс А наиболее линейным из всех типов усиления, где линейность просто означает насколько точно
выходной сигнал усилителя соответствует входному сигналу.

Всегда нужно помнить это:


Нет идеально линейных транзисторов, поэтому выходной сигнал усилителя никогда не бывает точной копией входного сигнала.
Линейное усиление требуется, когда сигнал содержит AM - Амплитудную модуляцию или комбинацию обоих, амплитудной и фазовой модуляции (SSB,
телевизионная видеонесущая, QPSK, QAM, OFDM).
Такие сигналы как CW, ЧМ или ФМ имеют постоянную амплитуду и, следовательно, не требуют линейного усиления.
Потребляемая мощность от источника питания постоянна и КПД идеального УМ класса А составляет 50% в PEP (PEP - Peak Envelope Power, пиковая
мощность огибающей).
Потребляемая мощность усилителя класса А от источника постоянного тока не зависит от амплитуды выходного сигнала.

Процесс усиления для класса А по своей сути линеен, поэтому при увеличении тока покоя или уменьшении уровня входного сигнала монотонно убывает
IMD (InterModulation Distortion, интермодуляционные искажения) и уровень гармоник.
Поскольку и положительная и отрицательная полуволны драйвера обеспечивают выходной ток каскада класса А, то он имеет самое высокое усиление
среди всех УМ.
Отсутствие гармоник в процессе усиления, позволяет использовать класс А на частотах, близких к максимально допустимой (Fmax) транзистора. Однако
КПД низкий. Поэтому УМ класса А обычно используется в условиях, требующих низкой мощности, высокой линейности, высокого коэффициента
https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 1/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.
усиления, широкополосности или высокочастотности.
КПД реальных УМ класса A ограничивается сопротивлением в открытом состоянии или напряжением насыщения транзистора. Он также ограничивается
при наличии реактивности нагрузки, которая по сути требует от УМ генерировать более высокое выходное напряжение или ток, чтобы обеспечить ту же
самую мощность на нагрузке.

Следует упомянуть одну важную вещь: S-параметры для малых сигналов могут быть использованы при моделировании работы усилителя класса А и для
высоких уровней сигнала.

Класс B
Это усилитель, в котором угол открытого состояния транзистора приблизительно равен 180 градусов.

Таким образом, транзистор открыт лишь половину времени, в одну положительную или отрицательную половину периода входного сигнала.
Так же как и в классе А, смещение постоянного тока, подаваемое на транзистор, определяет работу в классе B.
Усилители класса B являются более эффективными, чем усилители класса A. Мгновенный КПД УМ класса B зависит от выходного напряжения и для
идеального УМ достигает π/4 (78,5%) при PEP. Однако они гораздо менее линейные. Типичный усилитель класса B будет создавать совсем немного
гармонических искажений, которые должны быть отфильтрованы из усиленного сигнала.

Типичной схемой усилителя класса B является двухтактный усилитель. В этой схеме один транзистор открыт в течение положительных полупериодов
входного сигнала, а второй - в течение отрицательных. Таким образом, весь входной сигнал повторяется выходным.

В схеме класса B можно использовать и один транзистор. Единственным требованием в этом случае является размещение резонансного контура в выходной
цепи транзистора для того, чтобы воспроизвести вторую половину входного сигнала.

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 2/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.
На практике, ток покоя составляет порядка 10% от максимального тока коллектора и подбирается по минимизации перекрёстных искажений, вызванных
нелинейностью транзистора при низких уровнях выходного сигнала.
Теоретически требуется на 6 дБ и даже больше мощности раскачки для достижения класса B по сравнению с классом А. Практически же это снижение
на 6 дБ в коэффициенте усиления мощности ещё хуже. И для биполярных транзисторов хуже, чем для полевых примерно на 2 дБ.
КПД двухтактного усилителя мощности то же самое, что и у однотранзисторного усилителя мощности с тем же углом отсечки, а выходная мощностиь
двухтактного усилителя вдвое больше, чем усилителя с однополярным питанием (на 3 дБ выше).
В двухтактном усилителе выходные компоненты постоянного тока и четные гармоники подавляются, но нечетные гармоники увеличиваются, тем самым
на выходе имеем только основной сигнал. Следует отметить, что подавление нечетных гармоник действительно только если не "разгонять" усилитель.

Класс АB
Этот усилитель является компромиссом между классом А и классом B с точки зрения КПД и линейности.

Транзистор обычно смещен до такой точки покоя, которая находится где-то в район между точкой отсечки и точкой смещения класса А, от 10 до 15
процентов от ICmax (максимального тока коллектора). В этом случае транзистор будет открыт более половины периода входного сигнала, но менее всего
перида.

Угол открытого состояния транзистора в классе АВ находится между 180° и 360° и КПД составляет от 50% до 78,5%.
Класс AB имеет более высокий КПД, чем класс А за счёт ухудшения линейности.
Класс AB - это нелинейный усилитель. Сигнал с амплитудно-модулированной огибающей будет значительно искажен на уровнях пиковой мощности.
Причина в том, что в классе AB угол открытого состояния является функцией от уровня возбуждения.

Экспериментально было установлено, что класс AB часто предлагает более широкий динамический диапазон, чем позволяют класс А или класс B. Это, в
отличие от класса А, обусловлено уменьшением усиления в классе АВ и другими дополнительными причинами. Эффекты насыщения вызваны в первую

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 3/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.
очередь отсечением ВЧ напряжения на шинах питания.

Получение линейного отклика усилителя мощности на биполярных транзисторах в классе АВ включает в себя использование специальных очень низких
сопротивлений для источников питания смещений в цепях баз. Это сильно отличает схемотехнику цепей смещения по сравнению с простыми цепями
смещения, используемыми в усилителях на биполярных транзисторах с малым сигналом или простыми высокоомными цепями смещения,
используемыми в УМ на полевых транзисторах.
Запуск УМ в режиме "среднего-AB" класса позволит получить на 3 дБ больше коэффициент усиления мощности, чем в классе В.
Типичная работа класса AB привносит нечетные гармоники по мере повышения КПД. Теоретически при увеличении КПД вплоть до 78.5%, устройство
должно генерировать гармоники только четного порядка. Такое устройство не будет создавать нежелательные интермодуляционные искажение вблизи
несущей.

Класс C
Это такой усилитель, где угол открытого состояния транзистора значительно меньше 180°.

Транзистор смещен таким образом, что в состоянии покоя нет тока коллектора.
Транзистор на холостом ходу находится в состоянии отсечки.

Линейность усилителя класса C является самой низкой из всех классов усилителей.


КПД УМ класса C может достигать 85%, что намного лучше усилителей класса B или класса А
Для того, чтобы ввести транзистор в режим работы класса C, необходимо обратное смещение перехода база-эмиттер. Внешнее смещение как правило не
требуется, поскольку транзистов можно ввести в режим автосмещением, с помощью ВЧ дросселя с базы на землю.

Одна из основных проблем с использованием класса С в твердотельных применениях является большая отрицательная амплитуда входного напряжения,
которая совпадает с пиком выходного напряжения коллектора/стока. По этой причине настоящий режим класса С не часто используют в твердотельном
исполнении в верхней части ВЧ и СВЧ частот.

Для того чтобы выжить, работая в классе C, транзистор должен иметь напряжение пробоя коллектора по крайней мере в три раза выше, чем напряжение
своего источника питания постоянного тока. Причина - усилители класса C имеют низкую среднюю мощность (так как транзистор открыт только в течение
коротких, пульсирующих периодов), но нуждаются в очень высоком уровне входного сигнала. Таким образом, недостатком основного режима класса С для
транзистора является низкое значение собственного обратного напряжения пробоя активного элемента, которое к сожалению усугубляется отрицательным
напряжением входного ВЧ сигнала как раз тогда, когда напряжение коллектора транзистора достигает своего положительного пика. Это особенно
проблематично и опасно, если нагрузка отклоняется от расчётных значений, как это происходит, если система работает на поврежденную или отсутствующую
антенну или фидер.

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 4/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.

Класс D
Усилитель класса D определяется как ключевая схема, в результате генерируются наполовину синусоидальная волна тока и прямоугольное напряжение. УМ
класс D использует два или более транзисторов как переключатели для генерирования стокового напряжения прямоугольной формы. Последовательно
настроенный выходной фильтр пропускает только компоненту основной частоты к нагрузке.

Усилители класса D страдают от ряда проблем, которые делают их трудно реализуемыми, особенно на высоких частотах. Во-первых, доступность подходящих
устройств для верхнего по схеме ключа ограничена. Во-вторых, паразитные реактивности устройства, такие как ёмкость сток-исток и индуктивности выводов
приводят к потерям в каждом периоде. Если УМ реализуем, (это характерно для низких радиочастот и аудиочастот), то КПД усилителя класса D теоретически
может достигать 100%, так как нет моментов в течение периода, где напряжение и ток перекрываются (ток течёт только через транзистор, который открыт).

Никакой реальный усилитель не может быть настоящим усилителем класса D из-за ненулевых сопротивлений ключей, ёмкостных и также индуктивных
паразитных реактивностей, искажающих форму напряжения стока.
Уникальной особенностью класса D (с бесконечно быстрым переключением) является то, что КПД не падает при наличии реактивности в нагрузке.

Класс E
Класс E использует единственный транзистор, который работает как ключ. Форма напряжение на коллекторе/стоке является результатом суммы постоянного
и ВЧ токов зарядки шунтирующей сток емкости Cp, которая параллельна внутренней емкости транзисторным cо. В оптимальном классе Е напряжение стока
падает до нуля и имеет нулевой наклон в тот же момент, когда включается транзистор.

Результатом является идеальный КПД в 100%, устранения потерь, связанных с зарядкой ёмкости стока в классе D, снижения потерь ключевания и хорошая
переносимость разброса параметров компонентов.

Усилитель класса E будет демонстрировать верхний по частоте предел своей работы на основе выходной емкости, необходимой для выходной
согласующей цепи, которая формирует выходной сигнал как описано и показано выше.
В частности, усилитель класса Е требует для оптимального КПД верхний предел ёмкости Cs.
Индуктивность радиочастотного дросселя (RFC) большая, в результате чего через него протекает только постоянный ток Idc.
Добростность Q выходной цепи, состоящей из Ls и Cs, достаточно высока, так что выходной ток io и выходное напряжение vo состоят только из
компоненты основной частоты. То есть, все гармоники удаляются этим фильтром.
Транзистор ведет себя как идеальный ключ. Когда он включен, напряжение коллектора/стока равно нулю, а когда он выключен ток коллектора равна
нулю.
Выходная ёмкость транзистора со, и Cp не зависят от напряжения.
Если данный транзистор имеет внутреннюю емкость со больше, чем Cp_max, то он неприменим на требуемой частоте. Из этого следуют требования к Cs -
для высокой мощности на высокой частоте требуются более высокие плотности тока, так как площадь поперечного сечения ключа точно соответствует
внутренней емкости прибора.

Класс F
Класс F повышает как КПД, так и выходной уровень с помощью гармонических резонаторов на выходе схемы, которая формирует выходной сигнал. Форма
напряжения включает одну или несколько нечётных гармоники и приближается к прямоугольной форме, в то время как ток включает чётные гармоники и

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 5/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.
похож на половину синусоиды. Альтернативно ("обратный класс F") напряжение можно приблизить к половине синусоиды, а ток к прямоугольной форме.

Требуемые гармоники могут быть в принципе получены путем работы транзистора источником тока. Однако на практике транзистор загоняется в
насыщение на время одной части ВЧ цикла и гармоники производятся саморегулируемым механизмом, аналогичным насыщению в классе C.
Использование гармонического напряжения требует создания высокого сопротивление (от 3 до 10 раз больше сопротивления нагрузки) на коллекторе/
стоке, в то время как использование гармонического тока требует низкого сопротивления (от 3 до 10 раз меньше, чем сопротивление нагрузки). В то
время как класс F требует более сложного выходного фильтра, чем другие УМ, сопротивления возможно скоректировать только на нескольких
определенных частотах. Используются трапы на сосредоточенных элементах при более низких частотах и длинные линии в диапазоне сверхвысоких
частот. Как правило, короткозамкнутый шлейф располагают на расстоянии четверти или половины длины волны от коллектора/стока.
Усилитель класса F конструируют со специальными квадратурами напряжения сигнала через управление гармоническими составляющими выходного
сигнала. Это достигается путем реализации согласования выходной цепи, которая обеспечивает высокое сопротивление "холостого хода" для нечётных
гармоник и низкое сопротивление "короткого замыкания" для чётных гармоник. Это приводит к почти квадратной (хотя для класса F, действительно
квадратной) форме напряжения сигнала. Только третья гармоника достигает своего максимума.
Усилители класса F способны на высокий КПД (88,4% для традиционно определяемого класса F, или 100% если используется бесконечная настройка на
гармоники).
Конструирование усилителя класса F затруднительно в основном из-за сложной конструкци выходной согласующей цепи.

Усилитель класса F может быть построен с помощью четверьволновой линии, как показано ниже.

λ/4 линия передачи трансформирует разомкнутую цепь в замкнутую, а замкнутую в разомкнутую.


На центральной частоте колебательный контур (Lo и Co) являются разомкнутой цепью, но для всех других частот сопротивление близко к нулю. Таким
образом на основной частоте сопротивление в линии равно RL.
Для чётных гармоник λ/4 линия передачи остаётся короткозамкнутой.
Для нечётных гармоник короткое замыкание трансформируется в разомкнутую цепь. Это эквивалентно резонатору для всех нечётных гармоник, в
результате чего форма напряжения на коллекторе превращается в прямоугольную (нечётные гармоники должны иметь достаточный уровень).

Определение классов усиления

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 6/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.

Классическое определение классов усилителей мощности

Линейность усилителей мощности


Когда два или больше сигналов поступают одновременно на вход усилителя, то интермодуляционные компоненты второго, третьего и более высоких
порядков обусловлены суммарными и разностными продуктами каждого из основных входных сигналов и их гармоник.
Расчётной PEP (пиковая мощность огибающей) усилителя мощности является максимальная мощность огибающей двутонового сигнала, для которой
уровень интермодуляции составляет -30 дБн (дБ от уровня основного сигнала (несущей)).
Когда на вход любого нелинейного усилителя попадают два сигнала на частотах f1 и f2, то результатом становятся следующие выходные компоненты:
Основные: f1, f2
Второго порядка: 2f1, 2f2, f1+f2, f1-f2
Третьего порядка: 3f1, 3f2, 2f1±f2, 2f2±f1
Четвёртого порядка: 4f1, 4f2, 2f2±2f1
Пятого порядка: 5f1, 5f2, 3f1±2f2,3f2±2f1, + более высокого порядка
Интермодуляционные продукты нечётного порядка (2f1-f2, 2f2-f1, 3f1-2f2, 3f2-2f1 и так далее) близки к двум основным тональным частотам f1 и f2.

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 7/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.

Нелинейность усилителя мощности может быть определена на основе генерирумого спектра, как производного основных сигналов. Разница амплитуды
(в дБ) интермодуляционных компонент (IM) от уровня основных сигналов равна порядку нелинейности.
При увеличении уровня основных сигналов (f1 и f2) на 1дБ, уровень IM2 увеличится на 2дБ, уровень IM3 будет увеличиваться на 3дБ и так далее. Это
пресуще только усилителю без компрессии.
В отношении степени нелинейности (третьей, пятой и т.д) и сигналами боковых составляющих (таких как IM3, IM5 и т.д) можно отметить, что уровень
IM5 не зависит от нелинейности третьего порядка, но уровень IM3 является функциями как нелинейности третьего, так и нелинейности пятого порядков.
Это означает, что при малых амплитудах сигналов, когда искажениями пятого порядка можно пренебречь, уровни IM3 сигналов пропорциональны
третьей степени амплитуды входного сигнала.

При относительно большой амплитуде сигнала, на продукты пятого порядка (которые будут зависеть от пятой степени) начнут влиять IM3 составляющие. Как
результат больше не будет отношения амплитуд 3:1 .

Если фазы компонент третьего и пятого порядков равны, то компоненты пятого порядка будут увеличивать отклики IM3. Однако, если фазы
противоположны, то искажения IM3 будут локально уменьшены. Это объясняет, почему наблюдаются провалы в IM3 (и более высоких порядков)
боковых составляющих при определённой амплитуде выходного сигнала.

Зависимость IM(n) продуктов от входного уровня и Прирост гармоник от угла открытого состояния.

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 8/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.

Точки пересечения уровней входной и выходной мощностей составляющих второго и третьего порядков.
Так как количественно нелинейность устройства не может быть существенно изменена, то искажения можно наиболее эффективно минимизировать за
счёт оптимизации видимого искажениями сопротивления источников тока.
Во всех усилителях мощности уровень выходного сигнала "сжат" или "насыщен" фунцией уровня входного сигнала. Усиление усилителя мощности
приближается к нулю при наличии достаточно высоких входных уровней. В ВЧ цепях этот эффект количественно характеризуется "однодецибельной
точкой компрессии", которая определяется как уровень входного сигнала, при котором происходит малосигнальное снижение усиления на 1дБ. Оно
(усиление) может быть изображено в логарифмическом маштабе в зависимости от входного уровня.

Иногда этот график "Выходная Мощность от Входной Мощности" называется как AM-AM искажения (именно для мощностей!).
Асимметрия боковых составляющих интермодуляционных продуктов (IM) в двухтоновом тесте часто зависит от расстояния до несущей, но не
монотонно. Эффект может быть объяснён как взаимодействие между процессами АМ-АМ и АМ-АР (АМ-АР - это ФАХ, фазово-амплитудная
характеристика) искажений. С другой стороны, само присутствие обоих процессов не гарантирует того, что будет асимметрия.
Если при измерении есть временная задержка или фазовый сдвиг во временнОй области огибающей между АМ-АМ и АМ-АР откликами или их
отдельными частотными компонентами, то будет происходить IM асимметрия.

Снижение АМ-АР в конструкции УМ облегчило бы проблему IM асимметрии.

Для мощных ВЧ транзисторов основной причиной АМ-АР эффектов является динамическая расстройка во входных цепях согласования. Некоторая
преднамеренная расстройка, при высокой добротности входных согласующих цепей мощных ВЧ транзисторов, может окупиться лучшей АМ-АР
эффективностью за счёт потери на один или два децибела в усилении.
Нелинейные усилители мощности могут привести к сигналам, которые будут распространяться в смежных каналах, что может привести к перекрёстной
модуляции. Это основано на тех же явлениях, что и интермодуляционные искажения третьего порядка в нелинейных усилителях при двухтоновом
входном сигнале.
Было замечено, что уровень гармоник и интермодуляционных продуктов уменьшается сильнее, чем основной сигнал при уменьшении входной
мощности. Это приводится, как простой метод для повышения линейности, называемый "Оптимизация линейности уменьшением мощности".
Увеличение соотношения резервов в пользу линейности увеличивают размеры УМ и расходы на КПД.

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 9/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.

Эффект Памяти
Если амплитуда и/или фаза IM-сигналов подвержены изменениям тона при двухтоновом или мультитоновом IMD-тесте, то усилитель проявляет эффект
памяти.
Память вызвана накоплением энергии, которая должна быть заряжена или разряжена.
Эффект Памяти может быть объяснён временным лагом между AM-AM и AM-AP откликами усилителя. Электрический Эффект Памяти обусловлен
обеднением переходов затвор/база и сток/коллектор на низких частотах, вызывающий искажение тока огибающей, которое приводит к асимметрии IMD.
Под низкими частотами имеюся в виду частоты основного диапазона / видеочастот или разнос между двумя тонами. Наиболее значительный Эффект
Памяти проявляется в усилителях Класса АВ с ограниченным углом проводимости, когда напряжение стока/коллектора изменяется с выходной
мощностью. В усилителях класса А Эффект Памяти ослабляется.
Мягкие Эффекты Памяти в большинстве случаев не вредят линейности самого УМ. Поворот фазы от 10° до 20° или изменение амплитуды менее чем на
0.5дБ, в зависимости от частоты модуляции, незначительно влияет на линейность устройства.
Есть два Эффекта Памяти: электрический и тепловой.

Электрический Эффект Памяти проявляется непостоянным узлом импеданса внутри частотного диапазона как постоянный ток, несущая и гармоники.
Большинство из этих эффектов порождаются зависимостью полного импеданса от частоты, причём внутри диапазона постоянного тока они являются
наиболее вредными, потому что изменения импеданса сильно зависят от частоты.
Тепловые эффекты памяти создаются температурой перехода, которая модулируется приложенным сигналом.
Тепловой эффект будет гораздо более заметным при медленной развертке, или в пошаговом СW испытании.
Анализ и моделирование показывают, что снижение утечки полного импеданса является самым важным фактором для уменьшения эффекта памяти и
нелинейности. Предлагаются новые топологии для минимизации утечки полного импеданса затвора. Соответствующие топологии состоят из серий LC
контуров для замыкания по низкой частоте при сохранении подходящего импеданса на рабочей частоте. Цепи подключены к выводам затвора и стока, а
не к линиям смещения, поскольку схема может иметь очень низкий импеданс, не ограничиваемый четвертьволновой линией смещения. Усилитель с
уменьшенным полным импедансом
Одновременная модуляция амплитуды и фазовой задержки создаёт несимметричные боковые полосы.

Согласование входа/выхода и линия нагрузки


Согласование входа, включая схему смещения, оказывает важное влияние на эксплуатацию ВЧ усилителей мощности.
Согласование входа будет иметь различные оптимальные параметры для максимального усиления, лучшей линейности, наивысшего КПД. Оптимизация
КПД может приводить к значительному уменьшению усиления по мощности.
Корректная обработка гармоник - это необходимое свойство как согласования входа, так и согласования выхода. Прибору, используемому на частотах
значительно ниже частоты среза, могут потребоваться на входе специальные схемные решения для подавления гармоник.
КПД выходной согласующей цепи имеет решающее значение для УМ. В УМ импеданса отвечает за то, сколько мощности поступит на выход, какое будет
усиление и сколько получим шумов в процессе. Поэтому цепи согласования имеют критическое значение для максимизации результата.
Иногда упускается из виду один аспект - мощность рассеивания выходной согласующей цепи. Эта мощность теряется в конденсаторах, катушках
индуктивности и других пассивных элементах согласующей цепи. Эти потери тепла ухудшают КПД усилителя и потенциальную выходную мощность.
Различные реализации выходных согласующих цепей имеют разные потери и как всегда есть значительные конструктивные компромиссы между
пропускной способностью и потерями на тепло. Для УМ потери в выходных согласующих цепях всегда является проблемой из-за высоких уровней
мощности.
Добротность конденсатора обратнопропорциональна его ёмкости. Чтобы минимизировать тепловые потери в выходных цепях согласования, реализуют
эти цепи с минимально возможными значениями ёмкости конденсаторов. Это компромис между пропускной способностью и тепловыми потерями.
Различные технологии изготовления конденсаторов определяют различные потери при их использовании в выходных согласующих цепях.
Один из способов понимания процессов потерь в выходных согласующих цепях и дифференциации потерь согласования и тепловых потерь является
симуляция согласования на компонентах с малыми потерями, а затем ввести все потери за раз в один компонент.
Потери согласования:
Mismatch Loss [dB] = 10 * LOG (1-Г2),
где Г = (VSWR-1) / (VSWR+1) - коэффициент отражения.
Так как тепловые потери не зависят от импеданса источника, то можно при моделировании цепей использовать S21 для нахождения правильных потерь
рассеивания. Процедура включает использование комлексного сопряжения моделируемой линии нагрузки и импеданса источника.
Работа с низким КПД не только сокращае время разговора на портативном устройстве, но и создает значительные проблемы с охлаждением и
надежностью.
Линия нагрузки выбирается исходя из требуемой выходной мощности УМ и доступного напряжения питания. Например, для низкого напряжения
усилителей мощности (~3.5 Вольт для мобильных устройств) диапазон линий нагрузки находится от 1 до 5 Ом.
RL = Vmax / Imax

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 10/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.
Согласование для максимального усиления имеет место тогда, когда усилитель абсолютно стабилен и импеданс нагрузки равен комплексно
сопряжённому импедансу источника (оптимальное согласование). Комплексное сопряжение просто означает комплексное сопротивление, имеющее
такую же реальную часть, но с противоположной реактивностью. Например, если импеданс источника Zs=R+jX, то комплексно сопряжённое к нему
Zs*=R-jX

Если согласовано: Zin = Zo , Гs = S11*, и Zout = Zo , ГL = S22*

Согласование для максимизации выходной мощности достигается когда оптимальное сопротивление нагрузки (RL) равно внутреннему сопротивлению
источника (Rgen). Для получения максимальной выходной мощности, как правило, усилитель согласовывается неоптимально. Зато нагрузка реализована
таким образом, чтобы усилитель имел корректные напряжение и ток для обеспечения необходимой мощности.
Если к работам по оптимизации мощности добавить и оптимизацию КПД, то оптимальная настройка будет около 1...3 дБ от максимальной мощности.
Усиление уменьшается (для малых Pin) обычно незначительно.
Входные и выходные импедансы транзисторов также будут уменьшаться с увеличением частоты, что ещё более усложняет проектирование согласующих
цепей УМ, тем более что эти импедансы могут быть очень низкими, достигать 0.5 Ом. Таким образом при согласовании дискретного драйвера со своим
УМ с максимальным КПД мы обычно хотим реализовать прямое согласование реального выходного сопротивления драйвера с реальным входным
сопротивлением УМ, вместо того, чтобы сначала формировать 50-ти оммное согласование с выходом драйвера, а затем ещё и 50-ти оммное согласование
с входом усилителя мощности, потому что это приводит к ненужному преобразованию импедансов от низкого до высокого, а затем обратно от высокого к
низкому.
Путём выбора транзистора с высоким допустимым напряжением коллектора, можно увеличить его выходное сопротивление по сравнению с
транзистором с более низким напряжением коллектора.
Выходная согласующая цепь для большинства мощных усилителей как правило должна быть Т-типа, а не П-типа. Согласующие цепи П-типа для
мощных усилителей зачастую приводят к нереалистичным значениям компонентов при согласовании на высоких частотах с 50-ти оммной нагрузкой.
Дествительно, Т-тип цепи позволяет работать на более высоких частотах, прежде чем это станет серьезной проблемой. Можно использовать оба типа и
T, и П, только если выходное сопротивление транзистора выше, чем его нагрузка.
Это позволяет увеличить широкополосность при использовании согласующих цепей более высокого порядка. Например, вместо L-цепи может
использоваться двойная L-цепь для преобразования сначала к промежуточному импедансу, а затем к конечному значению.

Диаграмма Смита по согласованию для максимального усиления и мощности.

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 11/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.

Нагрузочные линии для различных слассов усилителей.

Оптимальное сопротивление нагрузки


При отсутствии справочной информации о коллекторной нагрузке приходится делать простой расчёт по определению оптимального сопротивления
нагрузки для транзистора.

Значение сопротивления нагрузки зависит от требуемого уровня мощности и определяется по формуле:

где:
Vcc - напряжение питания,
Vsat - напряжение насыщения транзистора,
P - требуемый уровень выходной мощности в Ваттах

Отметим, что это уравнение содержит только сопротивление нагрузки, тогда как обычно в даташитах производителей для мощный ВЧ транзисторов
указываются значения шунтирующей выходной емкости в зависимости от частоты.

Схемотехника цепей смещения усилителей мощности


Существует множество различных способов смещения в УМ, которые зависят от температурной стабильности, КПД, стоимости устройства, выходной
мощности, линейности и так далее.
Смещение мощного биполярного транзистора:
Требуется выставлять постоянные (усреднённые) значения Vcc и Ic в желаемых рамках и сохранять их постоянными, используя обратные связи.
Используется ли диодное или транзисторное смещение, требуется тепловой контакт этих компонентов с самим ВЧ транзистором. Это позволяет
полупроводниковым элементам смещения отслеживать изменение температуры усилителя мощности.
Также возможно уменьшить уровень входного сигнала при увеличении температуры, например, использованием диода во входной цепи,
использованием токового зеркала или с помощью более сложного расположения термодатчиков и запрещённой зоны цепей смещения.

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 12/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.

В приведённом выше примере все диоды и транзисторы предполагаются при одной температуре. Когда поднимается темпаратура, VD падает,
уменьшается VBE и удерживает постоянным ток I.
Смещение мощного полевого FET транзистора:
Цепь смещения затвора имеет несколько функций:
Поддержание постоянного напряжения затвор-исток, Vgs.
Обеспечение положительного и отрицательного токов затвора, Igs
Защита затвора оганичением Igs когда прибор уходит в пробой (сток-затвор или затвор-исток) или когда переход затвор-исток смещён
положительным напряжением. Эти ненормальные условия эксплуатации прибора могут возникнуть из-за ошибки оператора, некой перегрузки,
проблем в системе или ESDs (электростатических пробоев).
Стабилизация прибора в случае возникновения отрицательного сопротивления в затворе на любой частоте, где прибор обладает положительным
усилением.
Фильтрация сигнала, продуктов и гармоник, генерируемых входным устройством от низких до высоких частот, без воздействия на входные цепи
согласования прибора.
Изоляция затвора от любого сигнала, поступающего со стока через цепи смещения.
Смещение мощного полевого LDMOS транзистора:
Главной целью сещения мощного LDMOS транзистора является достижение линейности.
Это достигается смещением постоянным током LDMOS транзистора для оптимального тока стока для заданной выходной мощности.
Это смещение должно быть стабильным по температуре и во времени. Как правило требуется стабильность тока смещения ±5%, но ±3% гораздо
желательнее для высокопроизводительной конструкции.
Для LDMOS усилителя постоянный ток смещения устанавливается путём подачи постоянного напряжения к затвору (Vgs) и контроля тока стока
(Idd).
В идеале этот ток Idd должен быть неизменным в диапазоне температур, но так как (Vgs) у LDMOS усилительных приборов изменяется с
температурой, то требуются некие меры температурной компенсации. Для оптимальной температурной компенсации во внутрисхемной
регулировке должны быть сделаны обе температурные компенсации - как для источника, так и для самого смещения Vgs.

Вопросы проектирования усилителей мощности


Отражённая мошность, обусловленная высоким КСВ между УМ и его нагрузкой, сама по себе не вызывает разрушение или повреждение транзистора.
Скорее УМ может быть повреждён или уничтожен при высоком КСВ просто потому, что немедленно возникает совершенно отличающийся импеданс
нагрузки от того, который принимался при проектировании.
Затем высокомощный прибор создаёт перегрев и/или чрезмерно высокое напряжение.
Несколько из постоянных напряжений питания смещения окажутся напрасными, если сопротивления дросселей не будут достаточно велики. Также
очень высокое сопротивление на ВЧ должны обеспечивать коллекторные дроссели. Если эти сопротивления будут недостаточно велики, то некоторая
часть ценной выходной мощности, генерируемая УМ, будет потрачена впустую.
Используйте в блоках питания УМ конденсаторы с низкими ESR (активные потери в цепи переменного тока, ЭПС - эквивалентное последовательное
сопротивление), так как этот тип конденсаторов позволяет немедленно предоставить требуемый для каскада ток без просаживания всей системы питания
в момент критического переходного времени включения.
Если УМ в насыщении и усиление УМ нелинейно, то от отражений собственных гармоник обратно на выход наиболее страдают PAE (Power Added
Efficiency - КПД добавленной мощности) и линейность. Эти отражения вызваны последующими каскадами, которые обычно являются полосовыми
фильтрами или ФНЧ, а также антенной.
Неустойчивость в УМ может принимать форму генерации практически на любых частотах и может привести к повреждению и разрушению транзистора.
Эти паразитные колебания будут возникать на определённой частоте или очень широком диапазоне частот, при определённых смещении, уровне
раскачки, температуре или сопротивлении нагрузки.
Проблемы радиочастотных колебаний в УМ можно разделить на два вида: колебания смещения и ВЧ колебания.
Колебания смещения происходят в области низких частот в диапазоне от единиц МГц до УКВ и вызваны неправильным включением или
неумышленным прерыванием работы на этих частотах в цепях смещения, подобно таким, как добавление разделительных конденсаторов слишком
большой ёмкости. Колебания имеют мало общего с ВЧ цепями согласования, где ВЧ блокировки и развязывающие конденсаторы становятся
открытыми контурами блокирующих цепей на низких частотах.
С другой стороны ВЧ колебания, как правило, происходят в диапазоне или часто за диапазоном, но всё же близко к требуемой пололосе частот,
ближе к её низкочостотной стороне.

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 13/14
30.01.2021 Усилители мощности высоких частот.
Уменьшайте усиление на низких частотах в каскадах УМ, что естествено будет способствовать стабильности усилителя в целом, на более высоком
уровне.
Отсутствие достаточного земляного слоя или слишком большое сегментирование этого земляного слоя может создавать в УМ неконтроллируемую
нестабильность.

Высокочастотные УМ для широкополосной модуляции


Высокочастотные усилители мощности для широкополосной модуляции, таких как CDMA или WCDMA, которые работают в линейной области, не
очень эффективны. Только часть постоянного тока используется для генерации ВЧ мощности, гораздо большая часть переходит в тепло.

LDMOS и GaN (нитрид галлия) приборы лучше всего подходят для выходных и драйверных каскадов из-за более высокого коэффициента усиления,
повышенной линейности и очень низким сопротивлением включения. Высокий коэффициент усиления позволяет уменьшить количество каскадов,
необходимых в УМ для достижения такой же выходной мощности, как и в системах предыдущего поколения, построенных с помощью биполярных
транзисторов.

В многокаскадном линейном усилителе существуют различные факторы, которые необходимо учитывать при выборе правильного транзистора для
каждого из каскадов усилителя.

Предварительный драйвер использует класс А для обеспечения постоянства КПД для минимального влияния на линейность устройства вследствие
малых изменений напряжения смещения. КПД стока не такая большая проблема для предварительного драйвера, как для последнего каскада усилителя.
Драйвер и выходной каскад для такой системы, как правило, работают в классе AB для достижения наилучшего компромисса между линейностью и КПД
усилителя.
Наиболее распространенный метод, используемый для определения линейности транзистора, это определить интермодуляционные искажения (ИМД,
IMD), измеренных с помощью двух разнесенных тонов. Как правило, при настройке усилителей для широкополосной модуляции должно быть
использовано разнесение частот до 20 МГц.
Когда транзисторы используются при мощностях значительно ниже своих пиковых уровней мощности, тем более необходимо учитывать IMD
характеристики транзистора при низких уровнях выходной мощности. График IMD от Pout для хорошего транзистора должен иметь большой
положительный скат даже при достижении такого пика мощности для максимизации коэффициента мощности в соседнем канале (ACPR - Adjacent
Channel Power Ratio).
Транзистор, используемый в драйверном каскаде имеет аналогичные требования к линейности как и в выходном каскаде. Учитывая ACPR, он должен
эксплуатироваться при такой выходной мощности, которая даёт запас не менее 4 дБ от максимально допустимого значения для выходного каскада. Кроме
того, он должен иметь полосу пропускания по входу примерно в 2-2,5 раза больше ширины полосы модулирующего сигнала, для того чтобы
поддерживать постоянную групповую задержку и ровномерное усиление.
Одним из основных факторов, определяющих КПД мощного транзистора при работе с широкополосной модуляцией, является равномерность усиления.
Транзистор должен иметь равномерное усиление во всём диапазоне его использования в качестве усилителя множества каналов. Очень плоская
характеристика усиления существенно упрощает проектирование схем линеаризации в системах.
Быстрое снижение усиления на краях диапазона приводит к ухудшению производительности в плане ACPR.
Для достижения внутриприборной линейности полоса по уровню 3 дБ на краю сетки должна быть как минимум в два раза шире полосы модуляции.
Для достижения наилучшего ACPR отклика необходимо иметь отличную цепь развязки на стоке транзистора, вплоть до самых низких частот модуляции.
Это может быть достигнуто с помощью высококачественного шунтирующего конденсатора. Этот метод помогает в достижении максимальной
равномерности усиления, что очень важно для широкополосных применений.
Желательно избегать ферритовых компонентов в цепях смещения и использовать дополнительный резистор в цепях смещения затвора для
предотвращения нестабильности. Чтобы добиться равномерного усиления во всей полосе, следует избегать традиционного индуктивного питания и для
затвора, и для стока. Вместо этого четвертьволновая линия на интересующей частоте, грамотная развязка на чип-конденсаторе, как было показано,
обеспечат очень равномерное усиление во всей полосе частот.

Ссылки:

1. RF Circuit Design - C. Bowick


2. RF Power Amplifiers for Wireless Communications - S. Cripps
3. Advanced Techniques in RF Power Amplifier Design - S. Cripps
4. Distortion in RF Power Amplifiers - J. Vuolevi
5. Circuit Design for RF Transceivers - D. Leenaerts, J. Tang, C. Vaucher
6. Radio Frequency Transistors - N. Dye, H. Granberg
7. High Frequency Current Mode Class-D Amplifiers - A. L. Long
8. Complete Wireless Design - C. Sayre
9. Feedforward linear power amplifiers - N. Pothecary
10. Radio Frequency Integrated Circuit Design - Rogers, Plett
11. RF CMOS Power Amplifiers - Theory design and implementation - Hella, Ismail
12. Microwave Journal Magazine; 1996 - 2005
13. Portable Design Magazine; 2002 - 2005
14. High Frequency Electronics Magazine; 2002 - 2007

На главную
К началу страницы

https://r5am.ru/content/Radio/translations/RF_Power_Amplifiers/RF_Power_Amplifiers.html 14/14