Использование компьютерного

моделирования в производстве
силовых полупроводниковых
приборов
А. А. Писарев (ЗАО «Протон-Электротекс»),
С. И. Матюхин (Государственный университет-учебно-научно-
производственный комплекс)
 Силовые полупроводниковые приборы

1.1 Актуальность внедрения компьютерного моделирования при

производстве силовых полупроводниковых приборов.

Производство силовых полупроводниковых приборов (СПП) в настоящее

время является одним из наиболее динамично развивающихся направле-
ний мировой электроники. При производстве СПП во внимание должны быть
приняты многие жёсткие и конкретные требования.
Производство СПП является не столь масштабным, как например, произ-
водство микроэлектроники, хотя номенклатура достаточно широкая. Боль-
шое количество приборов производится небольшими партиями с особыми
требованиями конкретных заказчиков.
Для обеспечения этих требований необходимо развитие гибкой систе-
мы производства, т.е. производства, адаптированного к быстрой поставке
специальных заказов в больших или малых количествах. Такая гибкая си-
стема производства успешно внедрена в компании «Протон-Электротекс»
[1, подробнее – в статье Александра Ставцева «Modern Production of Power
Semiconductor Devices – Flexible Production», Bodos Power Systems, Febru-
ary-2012].
В связи с этим возникают следующие вопросы:
- обеспечение производства необходимыми материалами;
- получение характеристик приборов, отвечающих специальным требова-
ниям заказчика.
Если производство является гибким и адаптированным под конкретного
заказчика, это не означает, что приобретение материалов и производство
начинаются лишь после получения заказов, ведь это приведёт к существен-
ному увеличению полного цикла производства. Для оптимизации времени
производства «Протон-Электротекс» изучает спрос на приборы, планируя
под них необходимые марки кремния, проводит стандартизацию номина-
лов кремния, разрабатывает прогноз продаж. Всё это позволяет иметь все
необходимые материалы на складах и полуфабрикаты на производстве и
выполнять заказы в самые короткие сроки. Кроме того, успешно внедрена
ERP-система учёта и планирования производства [2, подробнее – в статье
Петра Семенова «Practical Experience of ERP-System Implementation in Power
Semiconductor Manufacturing», Bodos Power Systems, July-2011].
Однако открытым остаётся вопрос обеспечения необходимых электриче-
ских, тепловых, механических и надежностных характеристик СПП. Техни-
ческими специалистами компании «Протон-Электротекс» и другими специ-
алистами, занимающимися проблемами силовой полупроводниковой элек-
троники накоплено достаточно много теоретических данных, аналитических
зависимостей, характерных особенностей, полученных при изготовлении
СПП. Тем не менее, в настоящее время очевидно, что всех этих знаний не-
достаточно для быстрого и эффективного реагирования на постоянно расту-
щие запросы реального производства.
Зачастую либо не существует методик анализа зависимостей параметров
готовых приборов от технологических особенностей их изготовления и от-
клонений от устоявшегося технологического процесса, либо они не дают
результата, соответствующего действительности.

www.proton-electrotex.com
 Силовые полупроводниковые приборы

Из-за этого приходится при изготовлении приборов под конкретные требо-

вания заказчика либо опираться на аналитические зависимости, либо изго-
тавливать опытные партии. Однако изготовление опытных партий приводит
к существенному увеличению сроков поставки готовых приборов, и в ряде
случаев это невозможно. Использование каких-либо аналитических зави-
симостей при решении данного вопроса может приводить к неожиданным
результатам. При налаживании гибкого производства, адаптированного под
конкретные требования заказчика, данные факторы должны быть полно-
стью исключены.
Поэтому на определённом этапе развития производства силовой полупро-
водниковой электроники возникла потребность в дополнительном инстру-
менте, с помощью которого стало возможным:
- относительно быстро и эффективно анализировать зависимости характе-
ристик приборов от технологических особенностей их изготовления, откло-
нений от технологического процесса, режимов работы;
- получать представление о физических процессах, происходящих в по-
лупроводниковой структуре и изменении основных физических величин во
времени.
В настоящее время такой инструмент – это компьютерное приборно-техно-
логическое моделирование, которое стало повсеместно доступным за счёт
бурного развития компьютерной техники.

1.2 Обзор видов математических моделей силовых полупроводни-

ковых приборов при компьютерном моделировании.

При использовании компьютерного моделирования математические моде-

ли должны удовлетворять определенным требованиям:
­­­­- отображать с необходимой точностью характеристики СПП в широком
диапазоне напряжений, токов, температур;
- правильно отражать связь между характеристиками и физическими про-
цессами (или параметрами технологических режимов);
- учитывать для СПП, имеющих большую площадь, статический разброс
электрофизических параметров по площади структуры и неодномерные яв-
ления.
Модели СПП можно подразделить на технологические, физико-топологиче-
ские и электрические.
Для технологической модели исходными являются параметры диффузион-
ных процессов и их режимы (температура и время диффузии, концентрация
диффузанта и т.д.). Выходными параметрами технологической модели явля-
ются электрофизические параметры полупроводниковой структуры, такие,
как глубина залегания p-n-перехода, поверхностная концентрация, времена
жизни дырок и электронов после диффузионных процессов. Технологиче-
ские модели используются как для оптимизации технологического процесса,
так и для получения исходных данных, необходимых при создании физико-
топологической модели СПП.

www.proton-electrotex.com
 Силовые полупроводниковые приборы

Физико-топологическая модель является основной для автоматизирован-

ного проектирования СПП, т.к. она описывает прямую зависимость электро-
физических параметров полупроводниковой структуры от технологических
особенностей ее изготовления. Исходными здесь являются геометрические
размеры областей СПП, физические характеристики p-n-переходов и сло-
ев (концентрации примеси и ее профиль, время жизни неосновных носите-
лей заряда, подвижность носителей заряда и др.). Геометрические размеры
определяются топологией фотошаблона, профилем фаски полупроводнико-
вой структуры, толщиной пластины и глубиной залегания p-n-переходов.
Выходными являются электрические и эксплуатационные характеристики,
такие, как напряжение пробоя p-n-переходов, токи утечки, вольт-амперные
характеристики (ВАХ), допустимые токи в проводящем состоянии и др.
Электрическая модель используется для автоматизированного проектиро-
вания схем преобразователей. Исходными параметрами этой модели явля-
ются выходные параметры физико-топологической модели. Электрические
модели строятся на основе более простых физических представлений, чем
физико-топологические модели.
Исходя из этого, можно сделать вывод, что в производстве СПП могут быть
использованы технологическая или физико-топологическая модели.
Однако, т.к. на конкретном производстве СПП имеются определенные осо-
бенности, связанные с производственной культурой, оборудованием, микро-
климатом, то расчётные выходные параметры технологической модели могут
не совпадать с опытными выходными параметрами. Поэтому, использование
технологической модели является ограниченным.
Физико-топологическая модель в качестве входных параметров может ис-
пользовать не расчётные электрофизические параметры, а эксперименталь-
ные значения с производства, имеющего определенные технологические
условия.
Использование физико-топологической модели является наиболее целесо-
образным для применения на производстве СПП.
Физико-топологическая модель тиристора используется для анализа и син-
теза полупроводниковой структуры.
Анализ – это расчет электрических и эксплуатационных характеристик.
К ним относятся напряжение пробоя p-n-переходов, напряжение переклю-
чения, ВАХ, времена включения и выключения и другие параметры и ха-
рактеристики. Весьма важными являются расчеты температуры перегрева
в различных режимах, которые позволяют определять допустимые потери
мощности, ударный ток, di/dt-стойкость.
Синтез полупроводниковой структуры сводится к расчету и оптимизации
по заданным техническим требованиям основных структурных параметров
(геометрических размеров и физических характеристик кремниевой струк-
туры, конструкции управляющего электрода). Эти результаты используются
для получения топологических чертежей или фотошаблонов. [3]
В настоящее время не существует пакетов приборно-технологического
компьютерного моделирования, которые решают задачи синтеза СПП.

www.proton-electrotex.com
 Силовые полупроводниковые приборы

1.3 Виды физико-топологических моделей силовых тиристоров.

Существуют следующие виды физико-топологических моделей СПП:

1. Двумерная физико-топологическая модель. Для ее создания строит-
ся двумерная модель с уменьшенными размерами и полученные значения
электрофизических величин уменьшенной модели умножаются на размер-
ный коэффициент.
2. Квазитрёхмерная физико-топологическая модель. Для ее создания стро-
ится разрез двумерной модели либо в натуральную величину либо с умень-
шенными размерами и происходит её трансляция вокруг оси симметрии.
3. Физико-топологическая модель, состоящая из участка, включающего
один или несколько элементов технологической шунтировки.
Двухмерная физико-топологическая модель искажает топологию металлизи-
рованных электродов, не позволяет учитывать технологическую шунтировку.
Такая модель для компьютерного моделирования тиристоров не употребима,
т.к. не позволяет достоверно моделировать процессы включения, получать
ВАХ в открытом и закрытом состояниях, динамику выключения и другие эф-
фекты, связанные с распространением включенного состояния и рекомбина-
цией носителей заряда обратного восстановления (см. рисунок 1).

Рисунок 1. Использование двумерной физико-топологической модели

­

www.proton-electrotex.com
 Силовые полупроводниковые приборы

Квазитрёхмерная физико-топологическая модель с последующей трансля-

цией вокруг оси симметрии позволяет задавать правильную геометрию ме-
таллизированных электродов в случаях, если управляющий электрод и ре-
генеративная область силового тиристора являются кольцевыми. Однако, в
пределах этой модели также невозможен учёт технологической шунтировки.
Это не позволяет исследовать температурную стабильность напряжения пе-
реключения в закрытом состоянии при прямом смещении, du/dt-стойкость,
влияние различных технологических параметров на время выключения
(см. рисунок 2).

Рисунок 2. Использование квазитрёхмерной физико-топологической

модели

Частично эти проблемы решает физико-топологическая модель, состоящая

из участка, включающего один шунт. Этот шунт воздействует только на вы-
деленный участок полупроводниковой структуры, а на остальные аналогич-
ные участки структуры воздействуют другие шунты. Выделенный участок
полупроводниковой структуры можно рассматривать как самостоятельную

www.proton-electrotex.com
 Силовые полупроводниковые приборы

p-n-p-n- структуру с одним шунтом. Поведение этого участка при различных

воздействиях совпадает с поведением остальных участков и, следовательно,
всей структуры в целом (см. рисунок 3).

Рисунок 3. Использование физико-топологической модели, состоящей из

участка, включающего один элемент технологической шунтировки

В этом случае шунт такой полупроводниковой структуры является ло-

кальным управляющим электродом, через который возможно осуществлять
включение тиристора. Это позволяет анализировать ВАХ при обратном сме-
щении, ВАХ при прямом смещении в закрытом и открытом состояниях, ис-
следовать процессы включения и выключения в пределах этой локальной
структуры. Однако ввиду того, что в модели отсутствуют управляющий элек-
трод и регенеративная область, то исследование влияния геометрии этих
электродов на динамические характеристики является невозможным. А этот
вопрос является актуальным для современного производства силовых ти-
ристоров. Также ввиду того, что все локальные области с одним шунтом
являются эквивалентными между собой, то невозможно исследование влия-
ния размерных эффектов на параметры силовых тиристоров, а это является

www.proton-electrotex.com
 Силовые полупроводниковые приборы

актуальным вопросом в связи с постоянно растущим диаметром полупрово-

дниковых структур.
Выходом из данной ситуации является использование трехмерных физико-
топологических моделей СПП (см. рисунок 4).

Рисунок 4. Использование трёхмерной физико-топологической модели

www.proton-electrotex.com
 Силовые полупроводниковые приборы

1.4 Среда приборно-технологического компьютерного моделиро-

вания Sentaurus TCAD.

Среда приборно-технологического компьютерного моделирования Sentau-

rus TCAD (компания Synopsys) предоставляет возможность создания трёх-
мерных физико-топологических моделей СПП, на основе которых можно
рассчитывать электрические, тепловые, механические характеристики, ана-
лизировать процессы, происходящие в полупроводниковой структуре во
время эксплуатации в различных режимах и цепях.
Основные преимущества трехмерных физико-топологических моделей,
созданных в среде Sentaurus TCAD:
- модель создается при помощи скрипта на языке Scheme, что позволяет
гибко изменять технологические особенности изготовления силового тири-
стора;
- в модели без искажений учтены топологии технологической шунтировки
и металлизированных электродов силового тиристора, что позволяет иссле-
довать их влияние на его динамические характеристики;
- модель позволяет получать распределения физических величин в объёме
полупроводниковой структуры силового тиристора, что даёт возможность
изучения процессов, протекающих в ней при работе, а также исследовать
влияние размерных эффектов.
Структурная схема компьютерного моделирования в среде Sentaurus TCAD
представлена на рисунке 5.

Рисунок 5. Структурная схема компьютерного моделирования в среде

Sentaurus TCAD

www.proton-electrotex.com
 -полупроводниковой
- модель
модель позволяет
полупроводниковой позволяет структуры
структуры получать
получать силового силового
распределения
распределения
тиристора,тиристора, физических
что что
даёт даёт
физических возможность
величин
величин
возможность изучения
вв изучения
объёме
объёме
процессов,
полупроводниковой
полупроводниковой
процессов, протекающих протекающих
структуры
структуры в
в нейсиловогоней
силового при
при работе, работе,
тиристора,
тиристора,а такжечто а также
что исследовать
даёт возможность
даёт
исследовать возможность влияние размерных
изучения
изучения
влияние размерных
эффектов.
процессов,
процессов, протекающих в ней при работе,
эффектов. протекающих в ней при работе, а также исследовать влияние размерных а также исследовать влияние размерных
эффектов.
эффектов. Структурная
Структурная схемасхема компьютерного
компьютерного моделирования
моделирования в средев среде Sentaurus
Sentaurus TCAD TCAD
представлена
СиловыеСтруктурная
полупроводниковые
Структурная
представлена на рисункена рисунке
приборы
схема 5.
схема5.компьютерного
компьютерного моделирования моделирования вв среде среде Sentaurus
Sentaurus TCAD TCAD
представлена
представлена на рисунке 5. на рисунке 5. Файл
Файл «Рисунок 5» «Рисунок 5»
Рисунок
Рисунок 5 — Структурная схема5 — Структурная схема
Файл
Файл компьютерного
«Рисунок
«Рисунок
компьютерного моделирования
5»моделирования
5» в средев среде Sentaurus
Sentaurus
Рисунок55—
Рисунок —Структурная
Структурнаясхема схемакомпьютерного
компьютерного
TCAD TCAD моделирования моделированияввсреде средеSentaurus
Sentaurus
В среде Sentaurus TCAD заложен TCAD
TCAD микроскопический подход к моделиро-
ванию В среде В среде
СПП.Sentaurus Sentaurus
Этот подход TCAD
TCADоснован заложенна заложен микроскопический
численном
микроскопический решенииподход подход к моделированию
фундаментальных
к моделированию
СПП. СПП.
ВВЭтот
уравненийсреде
среде Этот подход подход
Sentaurus
– уравнения
Sentaurus основан
TCADна
TCAD
основан Пуассона на
заложен
заложен
численном численном
микроскопический
(формула
микроскопический
решении решении фундаментальных
подход ккнепрерывности
1), фундаментальных
уравнений
подход уравнений
моделированию
моделированию
уравнений – –
СПП.
СПП. уравнения
ЭтотПуассона
(формула
уравненияЭтот подход
подход Пуассона
2), описывающих
основан(формула
основан на
(формула 1), 1),
на численном
протекающие
уравнений уравнений
численномнепрерывности решении
решении непрерывности
процессы (формула
фундаментальных
и поведение
фундаментальных
(формула 2), описывающих
уравнений
носителей––
уравнений
2), описывающих
протекающие
уравнения
уравнения
заряда
протекающие Пуассона
Пуассона
в различных
процессы процессы
(формула
(формула и поведение
1), уравнений
1), уравнений
(локальных)
и поведение носителей носителей
областях непрерывности
непрерывности
заряда заряда
прибора. в различных
(формула
(формула
в различных (локальных)
2), описывающих
2), описывающих
(локальных) областях
областях
прибора.
протекающие
протекающие процессыииповедение
процессы поведение q носителейзаряда зарядаввразличных различных(локальных)
(локальных)областях областях
прибора. ∆ψ = − носителей ⋅ ( p − n + N) (1),
прибора.
прибора. ε q q
где ψ – электростатический ∆ψ =∆−ψqqпотенциал,
=⋅ − ( pε −⋅ (np+−Nn)В; + N) (1), (1),
∆∆ψψ
ψ – электростатический ==−− ε⋅ ⋅Кл; ((pp−−nn++NN)) В; (1),
(1),
где ψгде εε потенциал,
q – элементарный заряд,
– электростатический потенциал, В;
гдеψ pψ–– концентрация
q – элементарный
электростатический дырок,заряд, см
потенциал, Кл;-3
; В;
где q – электростатический
элементарный заряд, потенциал,
Кл; -3
В;-3
n – элементарный
концентрация
p – концентрация электронов,
дырок, -3 см ;см ;
qqp–––элементарный заряд,
заряд,
концентрация дырок, см-3 ; Кл;
Кл; -3
N –концентрация
заряд ионизированных
n – концентрация электронов, доноров
-3 см ; (charge associated with ionized do-
ppn–––концентрация
концентрация дырок,
дырок,
электронов, см-3;; см
см ;
nors),nКл. N – заряд ионизированных см-3доноров (charge associated
with with ionized donors),
Кл. Кл.
-3
nN–––концентрация
концентрация
заряд электронов,
электронов,
ионизированных см
доноров ;; (charge associated ionized donors),
NN––заряд зарядионизированных ∇ ⋅ J n∇=⋅ JqR
ионизированных = qR SRH(charge
nдоноров
доноров
SRH ;
;
(charge associatedwith
associated withionized
ionizeddonors),
donors),Кл.Кл.
(2),
∇∇⋅ ⋅J∇Jnn⋅ =J=qR
∇qR JSRHp ;;= −qR SRH
⋅SRH (2), (2),
p = − qR SRH
J n – плотность ∇∇тока J p =электронов,
⋅ ⋅Jэлектронов,
=−−qR qR SRH А/м 3 (2),
гдеJJnгде 3 А/м 3 ; (2),
где – плотность тока ;
n – плотность тока электронов, А/м3 ;
p SRH
где JJJpn–––плотностьJплотность
плотность
p – плотность
тока
тока электронов,
токадырок,дырок, А/м А/м . ;
3 3
где Jn p – плотность тока
тока электронов,
дырок, А/м33.А/м ;.
JJpПеременная
Переменнаяp––плотность
плотностьR
RRSRH
токадырок,
тока
учитывает
дырок,А/м
SRH учитывает
А/м3рекомбинацию
рекомбинацию .. Шокли-Рида-Холла,
Шокли-Рида-Холла, котораякоторая является
является
Переменная SRH учитывает рекомбинацию Шокли-Рида-Холла, которая
Переменная
главным
Переменная
является
главным главным
рекомбинационным RRSRH
рекомбинационным учитываетпроцессом,
SRH учитывает
рекомбинационным
процессом,
рекомбинацию
рекомбинацию который который Шокли-Рида-Холла,
использует
Шокли-Рида-Холла,
процессом, использует который
ловушки
котораяв является
ловушки
которая
использует является
запрещенной
в запрещенной ло-
главнымзоне
зоневушки
главным полупроводника.
рекомбинационным
в запрещенной зоне
рекомбинационным
полупроводника. процессом,
процессом,полупроводника. который использует
который использует ловушки ловушки вв запрещенной
запрещенной
2
зонеполупроводника.
зоне полупроводника. np − np
n 2 − ni
R
R SRH =SRH τ np = i (3),
(np
n +
−−nnn12i2) + τ n ( p + p1 ) (3),(3),
RRSRH
SRH ==
τ p (n + n1 ) + τ n ( p + p1 )
p i (3),
(3),
где n – собственная τ τ
концентрацияp( (
n n + + n n )
1 )+ +τ τ
носителей
n( (pp ++ p p )
1 )
заряда, -3 см -3
;
гдегдеnni i –– собственная
собственная
i концентрация
концентрация p носителей
1 n
носителей заряда,
1 см-3 ; см-3;
заряда,
где n – собственная
τ
где τnτi i –––собственная – время концентрация
жизни
концентрациядырок, с; носителей заряда, см-3 ;
pp время
время
p жизни
жизни дырок,
дырок, с; с; носителей заряда, см ;
ττττpnp –– –время
время
τвремя
n – время
жизни
жизни
жизни дырок,
жизни
дырок, с;с;
электронов,
электронов, с;с;
n – время жизни электронов, с;
ττnnn1n ,––,pвремя – концентрации
1время жизни
p1n-31–, концентрации
p1жизни электронов,
– концентрации
электронов, носителей
носителей с;с; заряда,
носителей заряда,
заряда, зависящие
зависящие
зависящие ототэнергетических
энергетических
от энергетических уровнейуровней
уровней 1 ловушек, см-3.
ловушек,
ловушек, nn11-3
см , ,.ppсм . концентрацииносителей
1 ––концентрации носителейзаряда, заряда,зависящие зависящиеот отэнергетических
энергетическихуровней уровней
-3 1
Плотность тока электронов (формула 4) и плотность тока дырок (формула 5) может
ловушек,
ловушек, см . .
см -3
Плотность тока электронов
электронов (формула 4)4) и плотность тока дырок (формула 5) может
Плотность
быть выражена тока следующим (формула
образом: и плотность тока дырок (формула 5)
быть Плотность
Плотность
выражена токаэлектронов
тока
следующим электронов
образом: (формула4)
(формула 4)ииплотность
плотностьтока токадырок
дырок(формула
(формула5) 5)может
может
может быть выражена следующим образом:
бытьвыражена
быть выраженаследующим следующимобразом: образом: J n = J−nqn=µ−nqn ∇ψµ n+∇qD ψ +∇qD
n n
n ∇n (4), (4),
µ n – подвижностьJJэлектронов, = −qnµ2 ∇ψ м+2 qD ∇n (4),
где µгде n – подвижность электронов, м2 /(В·с);
nn = − qnµ nn∇ψ + qD nn∇n
/(В·с); (4), (4),
где µµnn–––подвижность
подвижность электронов, м2/(В·с);
/(В·с);
Dn n –Dкоэффициент
n – коэффициент
где
где подвижность электронов,
диффузии диффузии
электронов, м мэлектронов.
электронов.
2
/(В·с);
DDnn –– коэффициент
–коэффициент
коэффициент диффузии
диффузии =µ−электронов.
электронов.
qnµ p ∇ψ − qD p ∇p
D n диффузии J p = J−электронов.
pqn
p ∇ψ − qD p ∇p (5), (5),
µ p – подвижностьJJдырок, = −qnмµ p/(В·с);
2 ∇ψ − qD ∇p (5),
где µгде pp = −2qnµ p ∇ψ − qD pp∇p (5), (5),
p – подвижность дырок, м2 /(В·с);
где µµ p––подвижность
где
где подвижностьдырок,
подвижность дырок,
дырок, мм2/(В·с);
/(В·с);
м2/(В·с);
p
D p – коэффициент диффузии дырок. [4]

Возможности среды Sentaurus TCAD позволяют иметь дело с виртуальным

производством. На основе виртуального производства можно проводить ана-
лиз влияния разброса технологических параметров на приборные и схемо-

10

www.proton-electrotex.com
 Силовые полупроводниковые приборы

технические характеристики, выбирать наилучшие решения с точки зрения

выхода годных изделий и тем самым работать над повышением технологич-
ности выпускаемых приборов.
В условиях конкуренции между изготовителями СПП, сроки и стоимость
этапа разработки новых изделий, оптимизации выпускаемых изделий под
конкретные требования заказчика и технологий имеют определяющее зна-
чение, поэтому без внедрения приборно-технологического моделирования
современной компании не обойтись.

список Литературы
Ставцев А.В., Сурма А.М. Современное производство силовых полупрово-
дниковых приборов – гибкое производство. // Bodo’s Power Systems. – 2012. –
№ 2. – С. 26-28
Семенов П.А. Практический опыт внедрения ERP- системы в производстве
силовых полупроводниковых приборов. // Bodo’s Power Systems. – 2011. –
№ 7. – С. 38-39
Григоренко В.П., Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А., Мнацаканов Т.Т. Модели-
рование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых
приборов. М.: Энергоатомиздат, 1988.
Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Физматлит, 2008.

11

www.proton-electrotex.com