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* Logique TTL : (transistors logic) appelés aussi logique saturée, dont les niveaux logiques
sont parfaitement définis en utilisant des transistors commutant d’un état bloqué (OFF) à un
état saturé. Toutes les familles TTL présentent d’excellentes caractéristiques. Elles se
distinguent entre elles sur 2 caractéristiques: la dissipation de puissance (famille «L» Low
power) et la vitesse (famille « S » Schottky).
ENTRANCE-SORTANCE :
II- Relevé des caractéristiques des portes TTL (74LS00) et CMOS (4011) :
Les portes seront alimentées sous leur tension nominale de +5 V.
1) Caractéristique d’entrée:
Compléter les tableaux suivants et tracer les caractéristiques Ie = f(ve ) et Vs= f(Ve)
(courant Ie positif quand il rentre dans la porte) dans les 3 cas suivant :
-L’autre entrée est au +5v
-L’autre entrée est au 0v
- les deux entrées sont réunies.
a) A est niveau haut :
*TTL
Ie
Ve(V)
Vs(V)
*CMOS
Ie
Ve(V)
Vs(V)
Ve(V)
Vs(V)
*CMOS
Ie
Ve(V)
Vs(V)
c) A et B sont réunies
*TTL
Ie
Ve(V)
Vs(V)
*CMOS
Ie
Ve(V)
Vs(V)
2- C
aractéristique de transfert :
Soit le schéma de la fig. 2. Appliquer à l’entrée dune porte un signal triangulaire de basse
fréquence évoluant entre 0 et 5 Volts et utiliser oscilloscope en mode XY pour visualiser les
courbes de transfert.
Pour une entrée au niveau 1(Figure 3), compléter les tableaux suivants et tracer Vs =
f(R), R variant de zéro à l’infini.
Pour une entrée au niveau 1, compléter les tableaux suivants et tracer Vs = f(R), R
variant de zéro à l’infini.
*Pour TTL
R(KΩ)
Vs(V)
*Pour CMOS
R(KΩ)
Vs(V)
Conclusion en ce qui concerne la commande des portes.
3- Caractéristique de sortie :
a- courant de la sortie au niveau haut :Voh, Ioh.
Pour s=1 (A=B=0), compléter les tableaux suivants et tracer Vs = f(Is), Is variant de 0 à
20 mA.
Vs(V)
Is
*CMOS
Vs(V)
Is
*TTL
Vs(V)
Is
*CMOS
Vs(V)
Is
A- Etude théorique
I- Circuits passe bas
Remarque :
H(jω) et φ varient en fonction de la fréquence c’est ce que l’on appelle la
réponse en fréquence.
I-2 Simulation
a) Réaliser le montage de la figure 3 en utilisant la résistance R = 100Ω et la
capacité C= 0.1 μF