Вы находитесь на странице: 1из 7

Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû

SKiiP — èíòåëëåêòóàëüíûå ñèëîâûå ìîäóëè IGBT


ôèðìû SEMIKRON
Îäíà èç îñíîâíûõ òåíäåíöèé ñîâðåìåííîé ìèêðîýëåêòðîíèêè — óâåëè÷åíèå ñòåïåíè
èíòåãðàöèè, îáúåäèíåíèå íà îäíîì êðèñòàëëå èëè â îäíîì êîðïóñå ìàêñèìàëüíîãî
êîëè÷åñòâà êîìïîíåíòîâ äëÿ ïîëíîãî ðåøåíèÿ êàêîé−ëèáî çàäà÷è.  îáëàñòè ñèëîâîé
ýëåêòðîíèêè ýòà òåíäåíöèÿ ïðèâåëà â ñâîå âðåìÿ ê ðàçðàáîòêå ñèëîâûõ ìîäóëåé
ïîëóìîñòîâûõ è ìîñòîâûõ êîíôèãóðàöèé. Íàèâûñøèì äîñòèæåíèåì èíòåãðàëüíîé
ñèëîâîé òåõíèêè íà ñåãîäíÿøíèé äåíü ÿâëÿåòñÿ ñîçäàíèå èíòåëëåêòóàëüíûõ ñèëîâûõ
ìîäóëåé IPM (Intelligent Power Module) — ìîùíûõ èìïóëüñíûõ âûñîêîâîëüòíûõ
óñèëèòåëåé, óïðàâëÿåìûõ ëîãè÷åñêèìè ñèãíàëàìè.

Àíäðåé Êîëïàêîâ овременный IPM — это гибридный модуль, Ìîùíîñòíûå õàðàêòåðèñòèêè

kai@megachip.ru С содержащий транзисторы IGBT или MOSFET,


соединенные в определенной конфигурации,
схему управления, оптимизированную по характе-
âûïóñêàåìûõ èíòåëëåêòóàëüíûõ
ìîäóëåé IGBT

ристикам управления затвора, схему защиты от пе- В таблице 1 представлены некоторые типы IPM
регрузок и схему индикации состояния. Основные различных производителей для преобразователей
требования, предъявляемые сегодня к законченно- стандартного ряда мощности, данного в первом
му силовому модулю, — минимальные габариты столбце. Предельное напряжение большинства вы-
и низкая стоимость материалов и процесса произ- пускаемых интеллектуальных силовых модулей со-
водства в сочетании с высокими техническими ха- ставляет 1200 или 1700 В, что является оптимальным
рактеристиками и практически абсолютной безот- значением для безопасной работы от промышлен-
казностью. Конструкция современного модуля ной сети 380 В.
должна обеспечивать минимальные значения пере- В таблице приняты следующие обозначения:
ходных тепловых сопротивлений и распределенных HB, 2-pack — полумост;
индуктивностей силовых шин в сочетании с высо- Single — одиночный модуль;
ким напряжением изоляции. Все указанные требо- 6-pack — полный 3-фазный транзисторный мост.
вания реализованы в модулях, выпускаемых по тех- Как видно из таблицы 1, SEMIKRON не имеет кон-
нологии SKiiP (Semikron integrated intelligent Power), курентов в производстве интеллектуальных модулей
разработанной фирмой SEMIKRON. IGBT большой мощности. В области средних мощ-
Данная статья посвящена особенностям примене- ностей преимущества модулей SKiiP также очевид-
ния интеллектуальных силовых IGBT модулей ны, так как только они имеют конфигурацию 6-pack
SEMIKRON. (полный 3-фазный мост), необходимую в большин-
стве применений.
Таблица 1. Типы интеллектуальных силовых модулей IGBT на напряжение 1200/1700 В
(напряжение шины — 600 В, частота ШИМ — 5 кГц)
Êîíñòðóêòèâíûå îñîáåííîñòè
Мощность, кВт SEMIKRON* TOSHIBA Mitsubishi ìîäóëåé pressure−contact
MIG150Q101H (HB)
40 132GD120&318CTV (6&pack) PM150DSA120 (HB) *3
MIG150Q6C (6&pack) Интеллектуальные силовые модули объединяют
MIG200Q101H (HB) в одном устройстве силовой каскад (одиночный, по-
50 132GD120&318CTV (6&pack) PM200DSA120 (HB) *3
MIG200Q6C (6&pack)
лумостовой, 3-фазный мостовой), драйвер и устрой-
55 132GD120&318CTV (6&pack) PM300DSA120 (HB) *3
65 232GD120&313CTV (6&pack) PM300DSA120 (HB) *3
ство защиты. Минимальные длины линий связи
342GD120&314CTV (6&pack) позволяют получить низкие значения распределен-
90 PM400HSA120 (Single) *6
313GD122&3DUL (6&pack) ных индуктивностей, что уменьшает уровень пере-
100 513GD122&3DUL (6&pack) PM600HSA120 (Single) *6 ходных перенапряжений и уровень EMI. Хорошая
110 603GD122&3DUL (6&pack) PM600HSA120 (Single) *6 тепловая связь элементов модуля повышает надеж-
703GD121&3DU (6&pack) ность работы схемы защиты.
125 PM800HSA120 (Single) *6
632GB120&315CTV (2&pack) *3
1203GB122&2DW (2&pack) *3
При разработке конструкции модулей SKiiP специ-
150 алистами фирмы SEMIKRON был произведен анализ
1513GB122&3DL (2&pack) *3
175 1803GB122&3DW (2&pack) *3 отказов, свойственных стандартным силовым моду-
200 2103GB121&3DW (2&pack) *3 лям IGBT. Эти отказы связаны в основном с неопти-
300 2403GB122&4DW (2&pack) *3 мальным согласованием коэффициентов теплового
400 2403GB122&4DW (2&pack) *3 расширения CTE (Coefficient of Thermal Expansion)
450 2803GB121&4DW (2&pack) *3 конструктивных материалов и, в первую очередь,
* Примечание: выбор типа модуля произведен с помощью программы автоматического расчета алюминиевых соединительных выводов кристаллов
и выбора компонентов SEMISEL и медных шин связи. Разность коэффициентов CTE

84 www.finestreet.ru
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
для данных материалов ∆СТЕAL–Cu = 19,5.
На втором месте стоит разрушение паяного
слоя между медной базовой платой и керами-
ческой пластиной DBC, на которой установле-
ны силовые чипы — ∆СТЕDBC–Cu = 10,8. DBC
(Direct Copper Bonded) — это керамическая
подложка с медными шинами связи, нанесен-
ными диффузионным методом. Наиболее зна-
чительные перемещения (более 1 мкм) имеют
место в сварном слое между керамикой DBC
и медным основанием. После определенного
числа термоциклов начинается ухудшение теп-
лового контакта в этом соединении и увеличе-
ние теплового сопротивления. Следствием это- Рис. 1. Конструкция pressure&contact
го является повышение градиента температу-
ры, повышение потерь и разрушение сварного Таблица 2. Сравнительные характеристики конструкции модулей
шва. И еще одна серьезная проблема — уста- Стандартный модуль DBC – AlN Стандартный модуль DBC – AlN Модуль SkiiP DBC – AlN
лостные процессы, имеющие место в паяных Основание – Cu Основание – AlSiC Основание – нет
Материал
соединениях чипов. ∆L/L, ∆L/L, ∆L/L,
∆TS, K ∆L, мкм ∆TS,0K ∆L, мкм ∆TS,0K ∆L, мкм
Таблица 2 показывает соотношение характе- 1e–6/K 1e–6/K 1e–6/K
ристик теплового расширения в модулях раз- Кремний (кристалл) 53,4 4,1 0,66 61,8 4,1 0,76 50,8 4,1 0,62
Подложка 46,6 5,7 0,80 55,2 5,7 0,94 44,2 5,7 0,76
личной конструкции — с медным основанием,
Основание 38,1 17,5 2,00 42,7 7 0,90 – – –
с основанием из AlSiC и без несущей платы.
Во всех трех случаях подложка DBC изготовле- ∆TS — градиент температуры в точке измерения относительно теплоотвода;
на из нитрида алюминия. Основание из AlSiC ∆L/L — относительное изменение линейных размеров;
снижает рассогласование коэффициентов теп- ∆L — абсолютное изменение линейных размеров
лового расширения, однако этот материал име-
ет большее значение теплового сопротивления, Модули SKiiP 2 и 3 поколения полностью Увеличение площади платы DBC позволи-
что в конечном итоге приводит к повышенно- совместимы по конструктивным характерис- ло снизить тепловое сопротивление Rthja
му нагреву кристалла. Кроме того, стоимость тикам и интерфейсу. В модулях SKiiP3 на 40% на 24% при использовании керамики Al2O3.
основания из AlSiC намного выше медного. увеличена площадь керамической платы DBC, В некоторых модулях 3 поколения применя-
Практически все проблемы устраняются что позволило поднять выходную мощность ется керамическая плата из AlN, что позво-
при использовании конструкции модуля без модуля на 20%. Дальнейшее улучшение тех- ляет уменьшить тепловое сопротивление
медного основания с прямым прижимом ке- нических характеристик получено за счет то- еще на 30%. Столь значительное улучшение
рамики на охладитель (pressure-contact-tech- го, что в модулях третьего поколения приме- тепловых характеристик удалось получить
nology), используемой в модулях SKiiP. нены новейшие кристаллы NPT IGBT и плата за счет того, что нитрид алюминия имеет
При такой конструкции градиент температу- DBC изготовлена из нитрида алюминия AlN. не только лучшую теплопроводность,
ры на участке «кристалл — теплоотвод» сни- На рис. 2 показана структура слоев модуля но и большую механическую прочность
жается более чем на 5–10% по сравнению с мо- SKiiP3, а на рис. 3 — способ соединения сило- и однородность поверхности. Благодаря это-
дулем, имеющим медное основание, и обеспе- вых кристаллов, установленных на DBC-кера- му толщина теплопроводящей пасты сниже-
чивается отличное согласование СТЕ. мике, с печатной платой драйвера. В отличие на с 25 до 15 мкм. Тонкий слой пасты нано-
На рис. 1 показано устройство перспектив- от модулей второго поколения, где данное со- сится с помощью специального технологиче-
ного модуля SKiiP, рассчитанного на напряже- единение выполнено через промежуточную ского процесса с использованием шелкового
ние 3300 В и ток 1200 А. Модуль содержит теп- плату, в новейших модулях силовые кристал- трафарета. Кроме того, нитрид алюминия
лосток, керамическое основание с мощными лы подключены к плате драйвера непосредст- лучше согласован по коэффициенту тепло-
кристаллами, плату управления и элементы венно через пружинные контакты. Это снижает вого расширения с кремниевыми кристалла-
крепления. Керамическая пластина DBC с си- переходное сопротивление и повышает надеж- ми, чем Al2O3. Преимущества платы DBC
ловыми кристаллами установлена непосред- ность соединения. Пружинные контакты под- из AlN особенно очевидны при использова-
ственно на теплостоке. вергаются длительному тесту на многократные нии жидкостного охлаждения.
В модулях SKiiP теплосток является состав- тепловые удары с градиентом –40/+125 °С, ко- Результатом резкого улучшения тепловых
ной частью конструкции. Пайка использует- торые подтверждают их отличную временную характеристик явилось значительное повыше-
ся только для установки силовых кристаллов стабильность. ние уровней предельно допустимых токов.
на керамическую плату. В данном соединении
усталостные процессы незначительны, так как
современные материалы, используемые для
изготовления DBC-керамики, практически
полностью согласованы с кремнием по CTE.
Все остальные соединения выполняются за
счет механической запрессовки и механичес-
кого прижима. Это позволяет обеспечить не-
обходимые тепловые режимы и, соответствен-
но, повысить надежность устройства. Модуль
закрепляется на теплоотводе с помощью спе-
циальных прижимных контактов. Такая тех-
нология соединения снижает значение пере-
ходных тепловых сопротивлений на участке
«кристалл — теплосток», позволяет оптими-
зировать термодинамические характеристики
модуля и повышает эффективность работы Рис. 2. Конструкция полумостового элемента SKiiP Рис. 3. Соединение платы DBC с платой драйвера
схемы термозащиты.
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
Таблица 3. Виды и условия испытаний модулей SKiiP Таблица 4. Рекомендуемые рабочие токи для различных конфигураций модулей SKiiP
Испытания 3#фазный мост
Испытание Условия испытаний Стандарт с тормозным
до полного отказа 3#фазный мост Полумост Мост
Тип транзистором
Повышенная температура t = 125 °C (6 pack) (2 pack) (4 pack)
(6 pack + brake
при повышенном напряжении VCE = 570 B IEC 60747&9
chopper)
на коллекторе Tt = 1000 ч
Повышенная температура t = 125 °C Конфигурация GD GDL GB GH
при повышенном напряжении VGE = 20 B IEC 60747&9
на затворе Tt = 1000 ч Конструктив S3, S33 S5GDL S3, S33 S4, S43 S2
Повышенная температура t = 125 °C
IEC 68&2&2
хранения Tt = 1000 ч SKiiP2
Пониженная температура t = –40 °C Ic@600V 200–400 800–1600
IEC 68&2&1
хранения Tt = 1000 ч
t = 85 °C, H = 85% Ic@1200V 150–300 150–300 400–1200 150–600
Повышенная влажность VCE = 80 B IEC 68&2&3
Tt = 1000 ч Ic@1700V 150–250 500–1000 250–500
500 циклов
Перепады температуры 900 циклов IEC 68&2&14 SKiiP3
–40/+125 °С
Циклическая нагрузка 20000 циклов Ic@600V 400–800 – – –
30 000 циклов IEC 60747&9
мощностью ∆t = 125 K
Ic@1200V 300–600 – 1000–2400 –
5g/100 циклов/20–500 Гц IEC 68&2&6
Вибрация, удары Ic@1700V 500 – 1000–2400 –
30g /18 мс/6 ударов IEC 68&2&27

лице 4. (Приведенные значения тока Ic даны Ýëåêòðè÷åñêèå õàðàêòåðèñòèêè


для температуры кристалла Tj = 150 °C). ìîäóëåé SKiiP
В таблицах 5–7 дана расшифровка обозна-
чений модулей SKiiP и назначение выводов При разработке модулей SKiiP особое вни-
интерфейсов, используемых в модулях. Кон- мание уделялось обеспечению следующих па-
структивно модули 2 и 3 поколения не отли- раметров:
чаются, различия касаются в основном неко- • минимальная паразитная индуктивность
торых технических особенностей, описанных линий связи;
ниже: • оптимальная статическая и динамическая
• модули SKiiP3 имеют более широкий до- балансировка токов параллельно соединен-
пуск на напряжение питания схемы управ- ных транзисторов;
Рис. 4. Максимально допустимые токи ления — 13–30 В; • минимальный уровень электромагнитных
модулей 2 и 3 поколения • в модулях 3 поколения применены более помех;
совершенные кристаллы NPT IGBT, имею- • высокая устойчивость к ESD.
На рис. 4 показаны сравнительные характерис- щие меньшие потери на переключение; Минимальная индуктивность связей дости-
тики максимальных токов для модулей 2 и 3 • в модулях SKiiP3 защита от выхода транзи- гается за счет оптимального взаимного распо-
поколения с различными допустимыми напря- стора из насыщения (DESAT) и от падения ложения силовых транзисторов и антипарал-
жениями. Графики показывают почти двойное напряжения управления (UVLO) имеется лельных диодов. Статическая балансировка
увеличение значений предельных токов. на каждом силовом транзисторе. На выво- токов во многом определяется разбросом эле-
Все модули SKiiP подвергаются жестким ис- де 12 (в конфигурации GD) суммируются ктрических параметров элементов. Использо-
пытаниям на надежность. В таблице 3 приве- сигналы неисправности по всем 3 фазам; вание транзисторов NPT IGBT, имеющих по-
дены основные виды испытаний модулей, про- при срабатывании защиты от перегрева, пе- ложительный температурный коэффициент
водимых на фирме SEMIKRON. Одна из таких ренапряжения, перегрузки по току активи- напряжения насыщения во всем диапазоне то-
проверок — испытания выборки из некоторо- руются все сигналы неисправности; ков, позволяет получить автоматическую ба-
го количества модулей до полного отказа (end- • в модулях 3 поколения отсутствуют защи- лансировку тока в статическом состоянии.
of-life test) при подаче многократных импуль- та от пробоя на корпус, имеющаяся в моду- В диодах, применяемых в модулях SKiiP, токи
сов мощности. В ходе данного испытания со- лях SKiiP2 (GD). балансируются также автоматически.
бирается статистика отказов, анализ которых
учитывается при отработке процесса произ- Таблица 5. Обозначения модулей SKiiPPACK
водства модулей. На основе полученных дан- № SKiiPPACK#2 SKiiPPACK#3
ных вычисляется ожидаемое время отказа 1% 1 SKiiP SKiiP
изделий. 2 3 Ic/100 (300 A) 6 Ic/100 (600 A)
Почти все испытываемые модули выходят 3 4 Тип чипа 1 тип DBC: 0&AlN, 1&Al2O3
из строя после 30±2 килоциклов испытаний 4 2 Модификация SKiiP (2) 3 Модификация SKiiP (3)
импульсами мощности, что подтверждает хо- 5 G IGBT G G&IGBT, M&MOSFET
рошую повторяемость технологического про- B – полумост;
цесса и высокую надежность. При обычных D – 3&фазный мост;
B – полумост;
испытаниях на надежность, включающих 6 D DL – 3&фазный мост + торм. транзистор; D
D – 3&фазный мост
H – полумост;
20 килоциклов нагрузок максимальной мощ- AL/AR – чоппер
ностью и 500 циклов тепловых ударов 7 12 Vce/100 (1200 В) 12 Vce/100 (1200 В)
–40/+125 °C, не отказал ни один испытывае- 8 0 поколение чипа 0 поколение чипа
мый модуль. Отметим, что модули, изготав- 9 3 Количество полумостов в модуле 3 Количество полумостов в модуле
ливаемые по стандартным технологиям, как Опции:
правило, выходят из строя после 10–15 тыс. DU – измерение напряжения шины питания;
10 14 Версия схемы драйвера DU D, DF – без измерения напряжения шины;
термоциклов. DUF – измерение напряжения шины питания,
защита от перенапряжения
Опции драйвера:
Ïðèìåíåíèå ìîäóëåé SKiiP C – встроенный измеритель тока; Тип теплостока:
T – встроенный термодатчик; L – P16 для принудительного
Рекомендуемые диапазоны применения 11 CTV
V – встроенный источник 15/24 В; воздушного охлаждения;
различных конфигураций модулей SKiiP вто- U – встроенный измеритель напряжения шины; W – WK40 для жидкостного охлаждения
рого и третьего поколения приведены в таб- F – разъем для подключения ВОЛС

86 www.finestreet.ru
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
Таблица 6. Интерфейс GD (3&фазный мост)

Х1 №
Сигнал Примечание
вывода
1 shield Вывод для подключения экранирующей оплетки кабеля
2 BOT HB 1 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
Короткое замыкание HB1
ERROR HB 1
3 LOW – No Error, открытый коллектор (Макс. – 30 В, 15 мА).
OUT1
Задержка – 1 мкс; мин. длительность импульса сброса – 8 мкс.
4 TOP HB 1 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
5 BOT HB 2 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
Короткое замыкание HB2
ERROR HB 2
6 LOW – No Error, открытый коллектор (Макс. – 30 В, 15 мА).
OUT1
Задержка – 1мкс; мин. длительность импульса сброса – 8мкс.
7 TOP HB 2 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
Рис. 5. Энергия потерь полумостового каскада (Ic = 1200 A)
8 BOT HB 3 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
Короткое замыкание HB3
ERROR HB 3 В модулях SEMIKRON используются специально разработанные
9 LOW – No Error, открытый коллектор (Макс. – 30 В, 15 мА).
OUT1
Задержка – 1 мкс; мин. длительность импульса сброса – 8мкс. антипараллельные диоды с «мягкой» характеристикой восстановления,
10 TOP HB 3 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм) обеспечивающей минимальное значение динамических потерь при пе-
Перегрев реключении. Антипараллельные диоды SEMIKRON носят наименова-
Overtemp. LOW – No Error (tDBC < 115 °C);
11 ние CAL-FWD (Controlled Axial Lifetime). Прямое падение напряжения
OUT1 открытый коллектор (макс. – 30 В, 15 мА);
LOW < 0,6 В, HIGH < 30 В этих диодов имеет положительный температурный коэффициент, что
12 Reserve упрощает их параллельное соединение. При разработке диодов CAL осо-
13 UDC analog OUT
UDC при использовании опции «U» бое внимание уделялось оптимизации соотношения таких параметров,
9 В при UDCmax, макс. ток – 5 мА
как прямое падение напряжения VFWD, заряд обратного восстановления
14 +24V VDC IN Питание 24 В (SKiiP2 – 20–30 В, SKiiP3 – 13–30 В) QRR и характеристика обратного восстановления dIrr/dt, поскольку они
15 +24V VDC IN При использовании шины +15VDC, 24 В не подавать
оказывают решающее влияние на потери, вносимые диодом.
16 +15V VDC IN Питание 15 В ± 4% Динамическая токовая балансировка достигается симметричностью
17 +15V VDC IN При использовании шины +24VDC, 15 В не подавать
силовых и сигнальных связей и использованием раздельных шин пи-
18 GND Общий силовой Общий сигнальный тания, как это сделано в полумостовых модулях SKiiP. Конструкция
19 GND и параметры этих модулей позволяют соединять их в параллель и по-
20 Temp. analog OUT Макс. ток – 5 мА лучать при этом хорошее распределение токов.
21, 23, 25 GND2 Одним из основных требований, предъявляемых к высоковольтным
SKiiPPACK 2, 3 с подложкой Al2O3 модулям, является требование выдерживать без повреждения большие
Значение тока (8 В при 100% Ic) значения di/dt, возникающие при переключении. Соответственно, мо-
Перегрузка (10 В при 125% Ic@25 °C)
22 I analog OUT HB1 дуль не должен выходить из строя от перенапряжений, создаваемых
SKiiPPACK 3 с подложкой AlN
Значение тока (8 В при 86% Ic) на паразитных индуктивностях линий связи за счет di/dt. В модуле,
Перегрузка (10 В при 107% Ic)
рассчитанном на ток 1200 А и напряжение 3300 В, установлено парал-
24 I analog OUT HB2
лельно шесть 200-амперных кристаллов. При включении на каждый
26 I analog OUT HB3
из транзисторов воздействует di/dt = 800 A/мкс (4800 А/мкс на модуль).
1
Цепь открытого коллектора, необходим добавочный резистор. При этом ток обратного восстановления не превышает 125 А за счет
2
Для аналоговых выходов. «мягкой» характеристики восстановления диодов CAL. Кроме умень-
4
HIGH (min) — 11,2 В, LOW (max) — 5,4 В. шения значения перенапряжения, низкое значение тока обратного вос-
становления позволяет получить и более низкие потери включения.
Таблица 7. Интерфейс GD (полумост) «Мягкая» характеристика восстановления диодов и низкая индук-
тивность подводящих шин позволяют снизить пики напряжения и по-
Х1 №
вывода
Сигнал Примечание тери при выключении. На рис. 5 показаны потери полумостового кас-
када при включении, при выключении и потери, вносимые антипарал-
1 shield Вывод для подключения экранирующей оплетки кабеля
лельными диодами.
Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм).
2 BOT IN4 Благодаря низким значениям динамических потерь и отличным кон-
Не подключать при использовании ВОЛС
LOW – No Error, открытый коллектор (Макс. – 30 В, 15 мА) структивным характеристикам, позволившим получить минимальные
3 ERROR OUT1 Задержка – 1мкс, мин. длительность импульса сброса – 8 мкс. значения паразитных индуктивностей, модули SKiiP3, рассчитанные
Не подключать при использовании ВОЛС
на напряжение 1200/1700 В, можно использовать без снабберов.
Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)Не подключать
4 TOP IN4
при использовании ВОЛС
LOW – No Error – tDBC < 115 °C Óñòðîéñòâî óïðàâëåíèÿ
5 Overtemp. OUT1 открытый коллектор (макс. – 30 В, 15 мА)
LOW < 0,6 В, HIGH < 30 В Встроенный в модуль SKiiP драйвер выполняет все функции, необ-
6 +24V VDC IN Питание 24 В (SKiiP2 – 20–30 В, SKiiP3 – 13&30 В). ходимые для безопасной работы модуля, производя постоянный мо-
7 +24V VDC IN При использовании шины +15VDC, 24 В не подавать
ниторинг выходного тока, напряжения силовой шины питания и тем-
8 +15V VDC IN Питание 15 В ± 4%. пературы модуля.
9 +15V VDC IN При использовании шины +24VDC, 15 В не подавать
Токовые сенсоры выполнены в виде короткозамкнутой петли в ли-
10 GND Общий силовой ниях переменного тока. Они используются для формирования анало-
11 GND Общий сигнальный
гового сигнала, пропорционального выходному току и для работы схе-
Temp. analog OUT UDC при использовании опции «U».
12 Or UDC analog 9 В при UDCmax, макс. ток – 5мА.
мы защиты при перегрузке. Скорость выключения транзисторов
OUT2 Перенапряжение – 9 В при срабатывании защиты зависит от уровня тока перегрузки и регу-
13 GND3 Общий для аналоговых сигналов лируется драйвером так, чтобы ток в процессе срабатывания защиты
SKiiPPACK 2, 3 с подложкой Al2O3 не превышал значений, обусловленных требованиями RBSOA — об-
Значение тока (8 В при 100% Ic). ласти безопасной работы.
Перегрузка (10 В при 125% Ic@25 °C)
14 I analog OUT Драйверы модулей SKiiP имеют аналоговые выходы, сигналы на ко-
SKiiPPACK 3 с подложкой AlN
Значение тока (8 В при 86% Ic). торых пропорциональны току, температуре модуля или напряжению
Перегрузка (10 В при 107% Ic) силовой шины питания. Эти сигналы поступают на управляющий про-
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
Таблица 8. Параметры питания драйверов модулей SKiiP модуля. Поэтому желательно, чтобы схема
Параметр SKiiP2 SKiiP3 защиты ограничивала режимы не по пре-
Напряжение источника 24 В (нестабилизированное) 20–30 В 13–30 В дельному току, а по параметрам области бе-
Напряжение источника 15 В (стабилизированное) 15 В Не требуется при использовании источника 24 В зопасной работы. Для интеллектуальных мо-
Вых. ток источника 15 В дулей обычно задается 2 вида области безо-
< 50 мА < 50 мА
(может использоваться при подключении источника 24 В) пасной работы — ОБР для режима
Предельный (пиковый) ток внешнего источника 15 В 1,5 А – короткого замыкания (Short Circuit SOA —
Предельный (пиковый) ток внешнего источника 24 В 1,5 А 1,5 А SCSOA) и ОБР для импульсного режима
Время включения источника 15 В < 50 мс – (Switching SOA — SSOA).
Время включения источника 24 В < 50 мс – SSOA задает ограничения на ток и напряже-
Время задержки включения силового питания 130 мс 150 мс ние, одновременно действующие на модуль
Примечание: не допускается подача входных сигналов до включения источников питания при выключении. В модулях SKiiP исключены
многие недопустимые сочетания за счет алго-
Таблица 9. Различия между схемами управления модулей 2 и 3 поколения ритма работы драйвера и настройки схемы за-
Параметр SKiiP2 SKiiP3 щиты. Безопасным считается режим, когда на-
20–30 В нестабилизированное; пряжение питания не превышает определен-
Напряжение питания 13–30 В нестабилизированное
15 В, стабилизированное ного для модуля напряжения источника
Мониторинг напряжения насыщения Vcesat,
Нет Есть
питания (VCC), а перенапряжение при выклю-
защита от выхода из насыщения DESAT чении не превышает предельного значения
Защита от пробоя на корпус Есть в конфигурациях GD, GH Нет напряжения коллектор-эмиттер (VCES).
Мониторинг тока каждой фазы Нет Есть в конфигурации GD
Защита от перенапряжения на силовой
цессор и могут быть использованы для анали- Драйверы модулей SKiiP осуществляют сле- шине питания имеется в модулях SKiiP2 в ка-
за состояния системы. дующие защитные и сервисные функции: честве опции (U) в конфигурациях GB, GD,
Для гальванической развязки входных цепей • защиту от сквозного тока и формирование GH и в стандартном исполнении SKiiP3 GD.
со схемой управления затворами в драйверах времени задержки переключения транзис- Измерение силового напряжения производит-
SEMIKRON используются импульсные транс- торов полумоста tdt; ся дифференциальным усилителем с высоким
форматоры. Изоляция выполнена в соответст- • фильтрацию коротких импульсов; входным импедансом (не менее 5 МОм). Кру-
вии с требованиями стандарта EN50178. Напря- • нормирование фронтов входных сигналов; тизна преобразования выбирается таким об-
жение изоляции конкретного модуля зависит • ограничение уровня входных сигналов; разом, чтобы аналоговое напряжение на вы-
от предельного рабочего напряжения Vccmax. • защиту от падения напряжения источников ходе Analog DC-link voltage-sense равнялось
В таблице 8 изложены требования к низко- питания (UVLO); 9 В при напряжении на шине питания:
вольтным источникам питания драйверов мо- • защиту от импульсных перенапряжений • 400 В в модулях с рабочим напряжением
дулей SKiiP. и инверсии напряжения питания; 600 В;
Ток, потребляемый драйвером SKiiP, зави- • защиту от перегрева; • 900 В в модулях с рабочим напряжением
сит от уровней напряжения питания, часто- • защиту от перегрузки по току и короткого 1200 В;
ты переключения, типа силовых кристаллов, замыкания (КЗ); • 1200 В в модулях с рабочим напряжением
выходного тока. В документации на каждый • защиту от выхода из насыщения каждого 1700 В.
модуль приводится формула, позволяющая силового ключа (SKiiP3); Погрешность преобразования не превыша-
рассчитать ток потребления в зависимости • защиту от пробоя на корпус (SKiiP2); ет 2%, на выходе преобразователя установлен
от условий эксплуатации. В общем случае • защиту от перенапряжения по силовой ши- фильтр низких частот с постоянной времени
энергопотребление драйверов модулей треть- не питания (опция для SKiiP2; стандарт для 500 мкс. Схема измерения изготавливается
его поколения ниже, чем второго, т. к. в SKiiP3 GD-SKiiP3). и тестируется в соответствии со стандартом
используется импульсный усилитель токово- безопасности EN50178.
го сигнала в датчике тока. Индукционный датчик тока SKiiP (транс-
Çàùèòíûå ôóíêöèè SKiiP
На рис. 6 приведена структура полумостового форматор тока) устанавливается в линии пе-
драйвера SKiiP. Модуль, содержащий 3-фазный Область безопасной работы (ОБР или ременного тока каждого полумоста. Транс-
мост IGBT, имеет 3 аналогичных драйвера. SOA — safe operating area) определяет допус- форматоры тока изготавливаются по компен-
Различия между схемами управления модулей тимые сочетания токов и напряжений, при сационной схеме (см. рис. 7). Измерительная
2 и 3 поколения изложены в таблице 9. которых не нарушается безопасная работа обмотка выполнена в виде витка в зазоре сер-
дечника с высокой проницаемостью. Магнит-
ное поле внутри измерительной обмотки
компенсируется с помощью двух компенса-
ционных обмоток. Благодаря такой схеме
включения повышается помехозащищен-
ность датчика тока и достигается хорошая
термостабильность. Для выработки компен-
сационного тока в датчиках SKiiP 3 использу-
ется модулятор ШИМ, благодаря чему значи-
тельно снижается потребление по сравнению
с датчиками SKiiP2, где применена линейная
схема компенсации.
В таблице 10 приведены параметры датчи-
ков тока модулей SKiiP.
Если ток нагрузки достигает значения 125%
от допустимого значения, отключаются все
силовые транзисторы, сигналы управления
игнорируются. Драйвер формирует сигнал не-
исправности, выход ERROR OUT (открытый
Рис. 6. Структурная схема драйвера SKiiP коллектор) принимает уровень логической
единицы.

88 www.finestreet.ru
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
Таблица 11. Минимальные уровни рабочих
напряжений

Минимальный Минимальный
Напряжение питания
уровень SKiiP2 уровень SKiiP3

Напряжение питания
18,5 В –
входное 24 В
Напряжение питания
13,5 В –
входное 15 В
Напряжение питания
выходное конвертора 13,5 В 13,5 В
DC&DC ± 15 В
Напряжение питания
выходных каскадов – 10 В
драйвера
Рис. 7. Компенсационный датчик тока модуля SKiiP
Схема контроля UVLO следит за всеми на-
Таблица 10. Параметры датчиков тока модулей SKiiP пряжениями, которые подаются на модуль
Параметр SKiiP2 SKiiP3 или вырабатываются встроенным конверто-
Коэффициент трансформации 1:2000 1:3000
ром DC-DC. При уменьшении любого из них
Максимальный ток @ Ta = 45°, Arms 200 400
ниже заданного порога отключаются силовые
Максимальный ток кратковременный (2 с) @ Ta = 45°, Arms 250 500
транзисторы, выход ERROR OUT (открытый
коллектор) принимает уровень логической
Максимальный ток пиковый (10 мкс), А 3000 3000
единицы. Минимальные уровни рабочих на-
Линейность, не более, % 0,1 @ I < 420 A 0,1 @ I < 700 A
пряжений приведены в таблице 11.
Ошибка измерения @ Ta = 25°, I = Ic, % 2 2
Для сброса сигнала неисправности необхо-
Температурный дрейф измерения, ppm/°C 100 50
димо, чтобы исчезла причина, вызвавшая не-
Диапазон частот, кГц 200 150
исправность, и все логические входы модуля
Время реакции, не более, мкс 1 1
находились в состоянии логического нуля
Выходное напряжение схемы измерения тока, В (Ic = Icnom) 8* 8*
в течение времени tRESET, указанного в тех-
Выходное напряжение схемы измерения тока, В (Ic = 1,25 % Icnom) 10* 10*
нических характеристиках.
* Примечание: крутизна схемы измерения тока модулей SKiiP3 с платой DBC из нитрида алюминия отличается от
приведенной в таблице и указывается в технических характеристиках
Êàíàë óïðàâëåíèÿ ÷îïïåðîì
(SKiiP2 GDL)
Драйвер SKiiP различает два пороговых температурой датчика значения 115±5 °С схе-
значения тока — ток перегрузки (100% Ic), ма управления отключает силовые транзисто- Модули SKiiP2 в конфигурации GDL кроме
начиная с которого производится анализ не- ры, выходы Overtemp. OUT и ERROR OUT 3-фазного моста содержат чоппер, необходи-
исправности и формируется контрольный принимают уровень логической единицы. мый, например, для работы в режиме динами-
сигнал, и ток КЗ, по которому происходит Наличие тепловой защиты не может гаран- ческого торможения. Структурная схема до-
отключение. После возникновения состояния тировать, что мощный кристалл не выйдет полнительного канала драйвера приведена
перегрузки напряжение на затворе снижает- из строя ни при каких условиях. Кристалл при на рис. 8. В режиме динамического торможе-
ся, что приводит к ограничению тока коллек- резком увеличении мощности потерь может ния двухпозиционный контроллер с гистере-
тора. Затем, если состояние перегрузки перегреться до того, как разогреется основа- зисной характеристикой регулирования выра-
не прекращается, напряжение на затворе сни- ние модуля и термодатчик. Это может про- батывает сигналы включения и выключения
жается до нуля. При этом снижение напря- изойти, например, из-за сбоя контроллера тормозного транзистора в зависимости от на-
жения на затворе производится по опреде- и повышения частоты коммутации или из-за пряжения на шине питания. Минимальное
ленному закону. Такое «мягкое» отключение появления дребезга в цепи управления. В мо- время нахождения тормозного транзистора
необходимо для уменьшения значения di/dt дулях SKiiP перегрев из-за дребезга исключен во включенном режиме — 30 мкс. Значения
и снижения переходного перенапряжения благодаря наличию импульсного фильтра, напряжений, при которых происходит комму-
при выключении. не пропускающего импульсы с длительнос- тация тормозного транзистора, приведены
Встроенная схема формирования времени тью меньше 500 нс. на рис. 8.
задержки переключения (формирователь tdt)
исключает одновременное открывание транзи-
сторов полумоста и блокирует переключение
полумоста на время tdt, необходимое для окон-
чания переходных процессов и исключения
сквозного тока. Это время зависит от конкрет-
ного типа примененных силовых кристаллов
и может регулироваться внешним резистором.
Датчик температуры модулей SKiiP пред-
ставляет собой полупроводниковый термис-
тор с пропорциональной характеристикой
(PTC). Выходное аналоговое напряжение схе-
мы измерения температуры Uta на выводе
Temp. Analog OUT описывается примерной
зависимостью:

Uta = –2 + 0,1 × tDBC

Датчик устанавливается на плату DBC ря-


дом с силовыми кристаллами IGBT, он изоли- Рис. 8. Структурная схема драйвера чоппера (SKiiP2 GDL)
рован от токоведущих шин. При достижении
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
Модуль имеет внешний вход управления ны, и сигнал с термодатчика. Модули SKiiP3, Çàêëþ÷åíèå
чоппером, который может использоваться, содержащие 3-фазный мост (6-pack), имеют
например, для разряда накопительных кон- опцию U в стандартном исполнении. Использование интеллектуальных силовых
денсаторов. Приоритет имеет встроенная схе- F — возможность подключения ВОЛС (во- модулей особенно целесообразно в области
ма управления, максимальная частота комму- локонно-оптической линии связи) средних и больших мощностей, где конструк-
тации — 5 кГц. Драйвер управления чоппером При наличии опции F сигналы управления ционные и технологические проблемы стоят
осуществляет описанные выше защитные и сигналы неисправности могут передаваться наиболее остро, а эксперименты и макетирова-
функции, следя за напряжением насыщения по оптическому кабелю. Адаптер ВОЛС уста- ние практически исключаются. Наибольшую
и температурой тормозного транзистора, навливается на корпусе модуля и подключа- ценность имеют интеллектуальные модули,
а также за перенапряжением в цепи напряже- ется к драйверу коротким плоским кабелем. представляющие собой законченное схемно-
ния питания 15 В. Для подключения используется разъем HFBR- конструкторское решение. Модули SKiiP, содер-
Включение чоппера возможно в случае, ес- 0501 (Hewlett Packard). Приемник HFBR2521 жащие трехфазный или четырехфазный мост
ли не сработала защелка схемы защиты. предназначен для сигналов TOP IN, BOT IN. и каскад динамического торможения не имеют
При срабатывании защиты выход ERROR Передатчик HFBR1521 предназначен для пе- на сегодняшний день мировых аналогов.
(открытый коллектор оптопары) имеет высо- редачи сигнала ошибки ERROR. Топология силовых шин, соединяющих
кий логический уровень. Для сброса схемы дискретные модули, соединение драйверов
защелки необходимо отсутствие любой неис- с силовыми модулями — труднейшая задача,
Ðåêîìåíäàöèè ïî ïðèìåíåíèþ
правности и наличие сигнала сброса RESET и сложность ее возрастает с увеличением
в течение не менее 300 мс. Защелка сбрасыва- Снабберные конденсаторы мощности. Даже при корректной топологии
ется также при отключении питания. SEMIKRON рекомендует устанавливать практически невозможно получить достаточ-
Для питания драйвера служит встроенный снабберные конденсаторы на выводы силовой но низкие значения распределенных индук-
конвертор DC-DC, питающийся от нестаби- шины питания модулей SKiiP2 для снижения тивностей шин, что приводит к высоким пе-
лизированного напряжения 24 В (20–30 В) уровня переходных перенапряжений. Номи- ренапряжениям и снижению надежности из-
или стабилизированного 15 В. При наличии налы конденсаторов для различных примене- делия. Применение снабберных цепей в таких
на входе RESET логической единицы конвер- ний приведены в таблице 12. конструкциях необходимо, а это усложняет
тор отключается. Таблица 12. Рекомендуемые конденсаторы и удорожает схему, увеличивает потери.
снабберов Использование интеллектуальных силовых
модулей в законченной конфигурации, в ко-
Îñîáåííîñòè ñòàíäàðòíûõ Номинал
Применение ID#код
конденсатора торой все силовые цепи соединены, и драйвер
òåïëîîòâîäîâ SEMIKRON
является составной частью конструкции, поз-
0,47 нФ – 1000 В SKiiP2 600 В, 1200 В 41046230
SEMIKRON производит широкую гамму ра- воляет избежать всех перечисленных проблем.
0,22 нФ – 1250 В SKiiP2 1700 В 41046220
диаторов, предназначенных для работы с лю- Технология pressure-contact, используемая
быми модулями, производимыми фирмой. Соединение шин АС при изготовлении модулей SKiiP, строгий кон-
Они согласованы как по конструктивным па- Выходы шин переменного тока могут со- троль электрических и конструктивных пара-
раметрам, так и по электрическим характерис- единяться в параллель для увеличения выход- метров позволяют получить беспрецедентные
тикам. Тепловые характеристики радиаторов ного тока. Например, в конфигурации GH показатели надежности и практически исклю-
для различных режимов охлаждения, приво- (4 полумоста) допускается объединять выво- чить отказы при любых режимах эксплуатации.
димые в технических данных, предназначены ды соответствующих фаз (U — U, V — V). Отличные электрические и тепловые харак-
для расчета с учетом параметров датчиков тем- Для соединения рекомендуется использовать теристики модулей SKiiP обеспечиваются при-
пературы, встроенных в модули. готовые шины: менением в них новейших кристаллов тран-
Для модулей SKiiP, конструктивно объеди- конфигурация GB (мост) — шина 41034390; зисторов IGBT, изготовленных по технологии
ненных с теплоотводом, в технических харак- конфигурация GB (3-фазный мост) — NPT, позволяющей резко снизить потери пе-
теристиках приводятся данные по тепловому шина 41034400; реключения.
сопротивлению «кристалл — теплосток» Rthjs. конфигурация GB (2 моста) — Стоимость интеллектуального модуля мо-
При этом температура радиатора измеряется шина 41034410; жет оказаться даже ниже суммарной цены на-
в наиболее нагретой точке. конфигурация GН (2 моста) — бора дискретных модулей и драйвера, особен-
Согласованность характеристик конструк- 2 шины 41034390. но с учетом трудозатрат.
тивных элементов позволяет упростить про- При параллельном соединении различных
цесс теплового расчета и повысить его точ- модулей GB они должны обязательно подби-
Ëèòåðàòóðà
ность. Специалистами SEMIKRON разработа- раться с идентичной группой напряжения на-
на программа автоматизированного теплового сыщения Vf, которая указывается на этикетке 1. J. Lutz, J. Nascimento, E. Schimanek. A 3300 V
расчета SEMISEL [7], позволяющая оптималь- модуля. 1200 A Integrated Intelligent Power Module
но подобрать силовой модуль для решения Защита от статического электричества with Improved Freewheeling Diode. Semikron
конкретной задачи, а также рассчитать его теп- Каждый модуль SKiiP имеет специальную Elektronik GmbH.
ловые характеристики в различных режимах крышку, предохраняющую от повреждения 2. K.Backhaus. Performance of New Compact
работы. Программа SEMISEL доступна на сай- ЭСР. Крышка должна удаляться только после Power Semiconductor Module Families
те w
ww.
semikron
.com. полного подключения модуля. Featuring Pressure Contact Technology, Proc.
Подключение силовых цепей 3. PCIM 1999, Part Power Conversion.
Для подключения силовых выводов пита- 4. U. Scheuermann. A Novel Power Module
Îïöèè
ния, силовых выходов модуля и накопитель- Design and Technology for Improved Power
U — мониторинг напряжения силовой ши- ных конденсаторов должна использоваться Cycling Capability // Microelectronic Reliability.
ны питания многослойная силовая шина. 2001. 9–10.
Опция доступна в модулях SKiiP конфигу- Подключение сигнальных цепей 5. Usage of SKiiP Systems. SEMIKRON. 28.06.02.
рации GB. При наличии этой опции напряже- Подключение сигнальных цепей осуществ- 6. С. Флоренцев. Силовые IGBT-модули — ос-
ние, пропорциональное напряжению шины ляется с помощью стандартного разъема нова современного преобразовательного
питания, присутствует на выводе 12 сигналь- DIN41651. Длина соединительного кабеля оборудования // Электронные компоненты.
ного разъема драйвера вместо сигнала схемы не должна превышать 3 метра. Кабель должен 2002. № 6.
измерения температуры. В конфигурации GH, быть максимально удален от силовых шин. 7. А. Колпаков. Программа теплового расчета
содержащей 2 мостовых драйвера, выдается SEMIKRON рекомендует использовать экра- SEMISEL фирмы SEMIKRON // Компонен-
сигнал, пропорциональный напряжению ши- нированный кабель. ты и технологии. 2002. № 9.

90 www.finestreet.ru

Оценить