Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû

SKiiP — èíòåëëåêòóàëüíûå ñèëîâûå ìîäóëè IGBT

ôèðìû SEMIKRON
Îäíà èç îñíîâíûõ òåíäåíöèé ñîâðåìåííîé ìèêðîýëåêòðîíèêè — óâåëè÷åíèå ñòåïåíè
èíòåãðàöèè, îáúåäèíåíèå íà îäíîì êðèñòàëëå èëè â îäíîì êîðïóñå ìàêñèìàëüíîãî
êîëè÷åñòâà êîìïîíåíòîâ äëÿ ïîëíîãî ðåøåíèÿ êàêîé−ëèáî çàäà÷è.  îáëàñòè ñèëîâîé
ýëåêòðîíèêè ýòà òåíäåíöèÿ ïðèâåëà â ñâîå âðåìÿ ê ðàçðàáîòêå ñèëîâûõ ìîäóëåé
ïîëóìîñòîâûõ è ìîñòîâûõ êîíôèãóðàöèé. Íàèâûñøèì äîñòèæåíèåì èíòåãðàëüíîé
ñèëîâîé òåõíèêè íà ñåãîäíÿøíèé äåíü ÿâëÿåòñÿ ñîçäàíèå èíòåëëåêòóàëüíûõ ñèëîâûõ
ìîäóëåé IPM (Intelligent Power Module) — ìîùíûõ èìïóëüñíûõ âûñîêîâîëüòíûõ
óñèëèòåëåé, óïðàâëÿåìûõ ëîãè÷åñêèìè ñèãíàëàìè.

Àíäðåé Êîëïàêîâ овременный IPM — это гибридный модуль, Ìîùíîñòíûå õàðàêòåðèñòèêè

kai@megachip.ru С содержащий транзисторы IGBT или MOSFET,

соединенные в определенной конфигурации,
схему управления, оптимизированную по характе-
âûïóñêàåìûõ èíòåëëåêòóàëüíûõ
ìîäóëåé IGBT

ристикам управления затвора, схему защиты от пе- В таблице 1 представлены некоторые типы IPM
регрузок и схему индикации состояния. Основные различных производителей для преобразователей
требования, предъявляемые сегодня к законченно- стандартного ряда мощности, данного в первом
му силовому модулю, — минимальные габариты столбце. Предельное напряжение большинства вы-
и низкая стоимость материалов и процесса произ- пускаемых интеллектуальных силовых модулей со-
водства в сочетании с высокими техническими ха- ставляет 1200 или 1700 В, что является оптимальным
рактеристиками и практически абсолютной безот- значением для безопасной работы от промышлен-
казностью. Конструкция современного модуля ной сети 380 В.
должна обеспечивать минимальные значения пере- В таблице приняты следующие обозначения:
ходных тепловых сопротивлений и распределенных HB, 2-pack — полумост;
индуктивностей силовых шин в сочетании с высо- Single — одиночный модуль;
ким напряжением изоляции. Все указанные требо- 6-pack — полный 3-фазный транзисторный мост.
вания реализованы в модулях, выпускаемых по тех- Как видно из таблицы 1, SEMIKRON не имеет кон-
нологии SKiiP (Semikron integrated intelligent Power), курентов в производстве интеллектуальных модулей
разработанной фирмой SEMIKRON. IGBT большой мощности. В области средних мощ-
Данная статья посвящена особенностям примене- ностей преимущества модулей SKiiP также очевид-
ния интеллектуальных силовых IGBT модулей ны, так как только они имеют конфигурацию 6-pack
SEMIKRON. (полный 3-фазный мост), необходимую в большин-
стве применений.
Таблица 1. Типы интеллектуальных силовых модулей IGBT на напряжение 1200/1700 В
(напряжение шины — 600 В, частота ШИМ — 5 кГц)
Êîíñòðóêòèâíûå îñîáåííîñòè
Мощность, кВт SEMIKRON* TOSHIBA Mitsubishi ìîäóëåé pressure−contact
MIG150Q101H (HB)
40 132GD120&318CTV (6&pack) PM150DSA120 (HB) *3
MIG150Q6C (6&pack) Интеллектуальные силовые модули объединяют
MIG200Q101H (HB) в одном устройстве силовой каскад (одиночный, по-
50 132GD120&318CTV (6&pack) PM200DSA120 (HB) *3
MIG200Q6C (6&pack)
лумостовой, 3-фазный мостовой), драйвер и устрой-
55 132GD120&318CTV (6&pack) PM300DSA120 (HB) *3
65 232GD120&313CTV (6&pack) PM300DSA120 (HB) *3
ство защиты. Минимальные длины линий связи
342GD120&314CTV (6&pack) позволяют получить низкие значения распределен-
90 PM400HSA120 (Single) *6
313GD122&3DUL (6&pack) ных индуктивностей, что уменьшает уровень пере-
100 513GD122&3DUL (6&pack) PM600HSA120 (Single) *6 ходных перенапряжений и уровень EMI. Хорошая
110 603GD122&3DUL (6&pack) PM600HSA120 (Single) *6 тепловая связь элементов модуля повышает надеж-
703GD121&3DU (6&pack) ность работы схемы защиты.
125 PM800HSA120 (Single) *6
632GB120&315CTV (2&pack) *3
1203GB122&2DW (2&pack) *3
При разработке конструкции модулей SKiiP специ-
150 алистами фирмы SEMIKRON был произведен анализ
1513GB122&3DL (2&pack) *3
175 1803GB122&3DW (2&pack) *3 отказов, свойственных стандартным силовым моду-
200 2103GB121&3DW (2&pack) *3 лям IGBT. Эти отказы связаны в основном с неопти-
300 2403GB122&4DW (2&pack) *3 мальным согласованием коэффициентов теплового
400 2403GB122&4DW (2&pack) *3 расширения CTE (Coefficient of Thermal Expansion)
450 2803GB121&4DW (2&pack) *3 конструктивных материалов и, в первую очередь,
* Примечание: выбор типа модуля произведен с помощью программы автоматического расчета алюминиевых соединительных выводов кристаллов
и выбора компонентов SEMISEL и медных шин связи. Разность коэффициентов CTE

84 www.finestreet.ru
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
для данных материалов ∆СТЕAL–Cu = 19,5.
На втором месте стоит разрушение паяного
слоя между медной базовой платой и керами-
ческой пластиной DBC, на которой установле-
ны силовые чипы — ∆СТЕDBC–Cu = 10,8. DBC
(Direct Copper Bonded) — это керамическая
подложка с медными шинами связи, нанесен-
ными диффузионным методом. Наиболее зна-
чительные перемещения (более 1 мкм) имеют
место в сварном слое между керамикой DBC
и медным основанием. После определенного
числа термоциклов начинается ухудшение теп-
лового контакта в этом соединении и увеличе-
ние теплового сопротивления. Следствием это- Рис. 1. Конструкция pressure&contact
го является повышение градиента температу-
ры, повышение потерь и разрушение сварного Таблица 2. Сравнительные характеристики конструкции модулей
шва. И еще одна серьезная проблема — уста- Стандартный модуль DBC – AlN Стандартный модуль DBC – AlN Модуль SkiiP DBC – AlN
лостные процессы, имеющие место в паяных Основание – Cu Основание – AlSiC Основание – нет
Материал
соединениях чипов. ∆L/L, ∆L/L, ∆L/L,
∆TS, K ∆L, мкм ∆TS,0K ∆L, мкм ∆TS,0K ∆L, мкм
Таблица 2 показывает соотношение характе- 1e–6/K 1e–6/K 1e–6/K
ристик теплового расширения в модулях раз- Кремний (кристалл) 53,4 4,1 0,66 61,8 4,1 0,76 50,8 4,1 0,62
Подложка 46,6 5,7 0,80 55,2 5,7 0,94 44,2 5,7 0,76
личной конструкции — с медным основанием,
Основание 38,1 17,5 2,00 42,7 7 0,90 – – –
с основанием из AlSiC и без несущей платы.
Во всех трех случаях подложка DBC изготовле- ∆TS — градиент температуры в точке измерения относительно теплоотвода;
на из нитрида алюминия. Основание из AlSiC ∆L/L — относительное изменение линейных размеров;
снижает рассогласование коэффициентов теп- ∆L — абсолютное изменение линейных размеров
лового расширения, однако этот материал име-
ет большее значение теплового сопротивления, Модули SKiiP 2 и 3 поколения полностью Увеличение площади платы DBC позволи-
что в конечном итоге приводит к повышенно- совместимы по конструктивным характерис- ло снизить тепловое сопротивление Rthja
му нагреву кристалла. Кроме того, стоимость тикам и интерфейсу. В модулях SKiiP3 на 40% на 24% при использовании керамики Al2O3.
основания из AlSiC намного выше медного. увеличена площадь керамической платы DBC, В некоторых модулях 3 поколения применя-
Практически все проблемы устраняются что позволило поднять выходную мощность ется керамическая плата из AlN, что позво-
при использовании конструкции модуля без модуля на 20%. Дальнейшее улучшение тех- ляет уменьшить тепловое сопротивление
медного основания с прямым прижимом ке- нических характеристик получено за счет то- еще на 30%. Столь значительное улучшение
рамики на охладитель (pressure-contact-tech- го, что в модулях третьего поколения приме- тепловых характеристик удалось получить
nology), используемой в модулях SKiiP. нены новейшие кристаллы NPT IGBT и плата за счет того, что нитрид алюминия имеет
При такой конструкции градиент температу- DBC изготовлена из нитрида алюминия AlN. не только лучшую теплопроводность,
ры на участке «кристалл — теплоотвод» сни- На рис. 2 показана структура слоев модуля но и большую механическую прочность
жается более чем на 5–10% по сравнению с мо- SKiiP3, а на рис. 3 — способ соединения сило- и однородность поверхности. Благодаря это-
дулем, имеющим медное основание, и обеспе- вых кристаллов, установленных на DBC-кера- му толщина теплопроводящей пасты сниже-
чивается отличное согласование СТЕ. мике, с печатной платой драйвера. В отличие на с 25 до 15 мкм. Тонкий слой пасты нано-
На рис. 1 показано устройство перспектив- от модулей второго поколения, где данное со- сится с помощью специального технологиче-
ного модуля SKiiP, рассчитанного на напряже- единение выполнено через промежуточную ского процесса с использованием шелкового
ние 3300 В и ток 1200 А. Модуль содержит теп- плату, в новейших модулях силовые кристал- трафарета. Кроме того, нитрид алюминия
лосток, керамическое основание с мощными лы подключены к плате драйвера непосредст- лучше согласован по коэффициенту тепло-
кристаллами, плату управления и элементы венно через пружинные контакты. Это снижает вого расширения с кремниевыми кристалла-
крепления. Керамическая пластина DBC с си- переходное сопротивление и повышает надеж- ми, чем Al2O3. Преимущества платы DBC
ловыми кристаллами установлена непосред- ность соединения. Пружинные контакты под- из AlN особенно очевидны при использова-
ственно на теплостоке. вергаются длительному тесту на многократные нии жидкостного охлаждения.
В модулях SKiiP теплосток является состав- тепловые удары с градиентом –40/+125 °С, ко- Результатом резкого улучшения тепловых
ной частью конструкции. Пайка использует- торые подтверждают их отличную временную характеристик явилось значительное повыше-
ся только для установки силовых кристаллов стабильность. ние уровней предельно допустимых токов.
на керамическую плату. В данном соединении
усталостные процессы незначительны, так как
современные материалы, используемые для
изготовления DBC-керамики, практически
полностью согласованы с кремнием по CTE.
Все остальные соединения выполняются за
счет механической запрессовки и механичес-
кого прижима. Это позволяет обеспечить не-
обходимые тепловые режимы и, соответствен-
но, повысить надежность устройства. Модуль
закрепляется на теплоотводе с помощью спе-
циальных прижимных контактов. Такая тех-
нология соединения снижает значение пере-
ходных тепловых сопротивлений на участке
«кристалл — теплосток», позволяет оптими-
зировать термодинамические характеристики
модуля и повышает эффективность работы Рис. 2. Конструкция полумостового элемента SKiiP Рис. 3. Соединение платы DBC с платой драйвера
схемы термозащиты.
 Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
Таблица 3. Виды и условия испытаний модулей SKiiP Таблица 4. Рекомендуемые рабочие токи для различных конфигураций модулей SKiiP
Испытания 3#фазный мост
Испытание Условия испытаний Стандарт с тормозным
до полного отказа 3#фазный мост Полумост Мост
Тип транзистором
Повышенная температура t = 125 °C (6 pack) (2 pack) (4 pack)
(6 pack + brake
при повышенном напряжении VCE = 570 B IEC 60747&9
chopper)
на коллекторе Tt = 1000 ч
Повышенная температура t = 125 °C Конфигурация GD GDL GB GH
при повышенном напряжении VGE = 20 B IEC 60747&9
на затворе Tt = 1000 ч Конструктив S3, S33 S5GDL S3, S33 S4, S43 S2
Повышенная температура t = 125 °C
IEC 68&2&2
хранения Tt = 1000 ч SKiiP2
Пониженная температура t = –40 °C Ic@600V 200–400 800–1600
IEC 68&2&1
хранения Tt = 1000 ч
t = 85 °C, H = 85% Ic@1200V 150–300 150–300 400–1200 150–600
Повышенная влажность VCE = 80 B IEC 68&2&3
Tt = 1000 ч Ic@1700V 150–250 500–1000 250–500
500 циклов
Перепады температуры 900 циклов IEC 68&2&14 SKiiP3
–40/+125 °С
Циклическая нагрузка 20000 циклов Ic@600V 400–800 – – –
30 000 циклов IEC 60747&9
мощностью ∆t = 125 K
Ic@1200V 300–600 – 1000–2400 –
5g/100 циклов/20–500 Гц IEC 68&2&6
Вибрация, удары Ic@1700V 500 – 1000–2400 –
30g /18 мс/6 ударов IEC 68&2&27

лице 4. (Приведенные значения тока Ic даны Ýëåêòðè÷åñêèå õàðàêòåðèñòèêè

Рис. 4. Максимально допустимые токи
модулей 2 и 3 поколения
На рис. 4 показаны сравнительные характерис-
тики максимальных токов для модулей 2 и 3
поколения с различными допустимыми напря-
жениями. Графики показывают почти двойное
увеличение значений предельных токов.
Все модули SKiiP подвергаются жестким ис-
пытаниям на надежность. В таблице 3 приве-
дены основные виды испытаний модулей, про-
водимых на фирме SEMIKRON. Одна из таких
проверок — испытания выборки из некоторо-
го количества модулей до полного отказа (end-
of-life test) при подаче многократных импуль-
сов мощности. В ходе данного испытания со-
бирается статистика отказов, анализ которых
учитывается при отработке процесса произ-
водства модулей. На основе полученных дан-
ных вычисляется ожидаемое время отказа 1%
изделий.
Почти все испытываемые модули выходят
из строя после 30±2 килоциклов испытаний
импульсами мощности, что подтверждает хо-
рошую повторяемость технологического про-
цесса и высокую надежность. При обычных
испытаниях на надежность, включающих
20 килоциклов нагрузок максимальной мощ-
ностью и 500 циклов тепловых ударов
–40/+125 °C, не отказал ни один испытывае-
мый модуль. Отметим, что модули, изготав-
ливаемые по стандартным технологиям, как
правило, выходят из строя после 10–15 тыс.
термоциклов.
Ïðèìåíåíèå ìîäóëåé SKiiP
Рекомендуемые диапазоны применения
различных конфигураций модулей SKiiP вто-
рого и третьего поколения приведены в таб-
для температуры кристалла Tj = 150 °C). ìîäóëåé SKiiP
В таблицах 5–7 дана расшифровка обозна-
чений модулей SKiiP и назначение выводов При разработке модулей SKiiP особое вни-
интерфейсов, используемых в модулях. Кон- мание уделялось обеспечению следующих па-
структивно модули 2 и 3 поколения не отли- раметров:
чаются, различия касаются в основном неко- • минимальная паразитная индуктивность
торых технических особенностей, описанных линий связи;
ниже: • оптимальная статическая и динамическая
• модули SKiiP3 имеют более широкий до- балансировка токов параллельно соединен-
пуск на напряжение питания схемы управ- ных транзисторов;
ления — 13–30 В; • минимальный уровень электромагнитных
• в модулях 3 поколения применены более помех;
совершенные кристаллы NPT IGBT, имею- • высокая устойчивость к ESD.
щие меньшие потери на переключение; Минимальная индуктивность связей дости-
• в модулях SKiiP3 защита от выхода транзи- гается за счет оптимального взаимного распо-
стора из насыщения (DESAT) и от падения ложения силовых транзисторов и антипарал-
напряжения управления (UVLO) имеется лельных диодов. Статическая балансировка
на каждом силовом транзисторе. На выво- токов во многом определяется разбросом эле-
де 12 (в конфигурации GD) суммируются ктрических параметров элементов. Использо-
сигналы неисправности по всем 3 фазам; вание транзисторов NPT IGBT, имеющих по-
при срабатывании защиты от перегрева, пе- ложительный температурный коэффициент
ренапряжения, перегрузки по току активи- напряжения насыщения во всем диапазоне то-
руются все сигналы неисправности; ков, позволяет получить автоматическую ба-
• в модулях 3 поколения отсутствуют защи- лансировку тока в статическом состоянии.
та от пробоя на корпус, имеющаяся в моду- В диодах, применяемых в модулях SKiiP, токи
лях SKiiP2 (GD). балансируются также автоматически.
Таблица 5. Обозначения модулей SKiiPPACK
№ SKiiPPACK#2 SKiiPPACK#3
1 SKiiP SKiiP
2 3 Ic/100 (300 A) 6 Ic/100 (600 A)
3 4 Тип чипа 1 тип DBC: 0&AlN, 1&Al2O3
4 2 Модификация SKiiP (2) 3 Модификация SKiiP (3)
5 G IGBT G G&IGBT, M&MOSFET
B – полумост;
D – 3&фазный мост;
B – полумост;
6 D DL – 3&фазный мост + торм. транзистор; D
D – 3&фазный мост
H – полумост;
AL/AR – чоппер
7 12 Vce/100 (1200 В) 12 Vce/100 (1200 В)
8 0 поколение чипа 0 поколение чипа
9 3 Количество полумостов в модуле 3 Количество полумостов в модуле
Опции:
DU – измерение напряжения шины питания;
10 14 Версия схемы драйвера DU D, DF – без измерения напряжения шины;
DUF – измерение напряжения шины питания,
защита от перенапряжения
Опции драйвера:
C – встроенный измеритель тока; Тип теплостока:
T – встроенный термодатчик; L – P16 для принудительного
11 CTV
V – встроенный источник 15/24 В; воздушного охлаждения;
U – встроенный измеритель напряжения шины; W – WK40 для жидкостного охлаждения
F – разъем для подключения ВОЛС

86 www.finestreet.ru
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
Таблица 6. Интерфейс GD (3&фазный мост)

Х1 №
Сигнал Примечание
вывода
1 shield Вывод для подключения экранирующей оплетки кабеля
2 BOT HB 1 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
Короткое замыкание HB1
ERROR HB 1
3 LOW – No Error, открытый коллектор (Макс. – 30 В, 15 мА).
OUT1
Задержка – 1 мкс; мин. длительность импульса сброса – 8 мкс.
4 TOP HB 1 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
5 BOT HB 2 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
Короткое замыкание HB2
ERROR HB 2
6 LOW – No Error, открытый коллектор (Макс. – 30 В, 15 мА).
OUT1
Задержка – 1мкс; мин. длительность импульса сброса – 8мкс.
7 TOP HB 2 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
Рис. 5. Энергия потерь полумостового каскада (Ic = 1200 A)
8 BOT HB 3 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)
Короткое замыкание HB3
ERROR HB 3 В модулях SEMIKRON используются специально разработанные
9 LOW – No Error, открытый коллектор (Макс. – 30 В, 15 мА).
OUT1
Задержка – 1 мкс; мин. длительность импульса сброса – 8мкс. антипараллельные диоды с «мягкой» характеристикой восстановления,
10 TOP HB 3 IN4 Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм) обеспечивающей минимальное значение динамических потерь при пе-
Перегрев реключении. Антипараллельные диоды SEMIKRON носят наименова-
Overtemp. LOW – No Error (tDBC < 115 °C);
11 ние CAL-FWD (Controlled Axial Lifetime). Прямое падение напряжения
OUT1 открытый коллектор (макс. – 30 В, 15 мА);
LOW < 0,6 В, HIGH < 30 В этих диодов имеет положительный температурный коэффициент, что
12 Reserve упрощает их параллельное соединение. При разработке диодов CAL осо-
13 UDC analog OUT
UDC при использовании опции «U» бое внимание уделялось оптимизации соотношения таких параметров,
9 В при UDCmax, макс. ток – 5 мА
как прямое падение напряжения VFWD, заряд обратного восстановления
14 +24V VDC IN Питание 24 В (SKiiP2 – 20–30 В, SKiiP3 – 13–30 В) QRR и характеристика обратного восстановления dIrr/dt, поскольку они
15 +24V VDC IN При использовании шины +15VDC, 24 В не подавать
оказывают решающее влияние на потери, вносимые диодом.
16 +15V VDC IN Питание 15 В ± 4% Динамическая токовая балансировка достигается симметричностью
17 +15V VDC IN При использовании шины +24VDC, 15 В не подавать
силовых и сигнальных связей и использованием раздельных шин пи-
18 GND Общий силовой Общий сигнальный тания, как это сделано в полумостовых модулях SKiiP. Конструкция
19 GND и параметры этих модулей позволяют соединять их в параллель и по-
20 Temp. analog OUT Макс. ток – 5 мА лучать при этом хорошее распределение токов.
21, 23, 25 GND2 Одним из основных требований, предъявляемых к высоковольтным
SKiiPPACK 2, 3 с подложкой Al2O3 модулям, является требование выдерживать без повреждения большие
Значение тока (8 В при 100% Ic) значения di/dt, возникающие при переключении. Соответственно, мо-
Перегрузка (10 В при 125% Ic@25 °C)
22 I analog OUT HB1 дуль не должен выходить из строя от перенапряжений, создаваемых
SKiiPPACK 3 с подложкой AlN
Значение тока (8 В при 86% Ic) на паразитных индуктивностях линий связи за счет di/dt. В модуле,
Перегрузка (10 В при 107% Ic)
рассчитанном на ток 1200 А и напряжение 3300 В, установлено парал-
24 I analog OUT HB2
лельно шесть 200-амперных кристаллов. При включении на каждый
26 I analog OUT HB3
из транзисторов воздействует di/dt = 800 A/мкс (4800 А/мкс на модуль).
1
Цепь открытого коллектора, необходим добавочный резистор. При этом ток обратного восстановления не превышает 125 А за счет
2
Для аналоговых выходов. «мягкой» характеристики восстановления диодов CAL. Кроме умень-
4
HIGH (min) — 11,2 В, LOW (max) — 5,4 В. шения значения перенапряжения, низкое значение тока обратного вос-
становления позволяет получить и более низкие потери включения.
Таблица 7. Интерфейс GD (полумост) «Мягкая» характеристика восстановления диодов и низкая индук-
тивность подводящих шин позволяют снизить пики напряжения и по-
Х1 №
вывода
Сигнал Примечание тери при выключении. На рис. 5 показаны потери полумостового кас-
када при включении, при выключении и потери, вносимые антипарал-
1 shield Вывод для подключения экранирующей оплетки кабеля
лельными диодами.
Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм).
2 BOT IN4 Благодаря низким значениям динамических потерь и отличным кон-
Не подключать при использовании ВОЛС
LOW – No Error, открытый коллектор (Макс. – 30 В, 15 мА) структивным характеристикам, позволившим получить минимальные
3 ERROR OUT1 Задержка – 1мкс, мин. длительность импульса сброса – 8 мкс. значения паразитных индуктивностей, модули SKiiP3, рассчитанные
Не подключать при использовании ВОЛС
на напряжение 1200/1700 В, можно использовать без снабберов.
Вход (15 В КМОП&логика, вх. сопротивление 10 кОм)Не подключать
4 TOP IN4
при использовании ВОЛС
LOW – No Error – tDBC < 115 °C Óñòðîéñòâî óïðàâëåíèÿ
5 Overtemp. OUT1 открытый коллектор (макс. – 30 В, 15 мА)
LOW < 0,6 В, HIGH < 30 В Встроенный в модуль SKiiP драйвер выполняет все функции, необ-
6 +24V VDC IN Питание 24 В (SKiiP2 – 20–30 В, SKiiP3 – 13&30 В). ходимые для безопасной работы модуля, производя постоянный мо-
7 +24V VDC IN При использовании шины +15VDC, 24 В не подавать
ниторинг выходного тока, напряжения силовой шины питания и тем-
8 +15V VDC IN Питание 15 В ± 4%. пературы модуля.
9 +15V VDC IN При использовании шины +24VDC, 15 В не подавать
Токовые сенсоры выполнены в виде короткозамкнутой петли в ли-
10 GND Общий силовой ниях переменного тока. Они используются для формирования анало-
11 GND Общий сигнальный
гового сигнала, пропорционального выходному току и для работы схе-
Temp. analog OUT UDC при использовании опции «U».
12 Or UDC analog 9 В при UDCmax, макс. ток – 5мА.
мы защиты при перегрузке. Скорость выключения транзисторов
OUT2 Перенапряжение – 9 В при срабатывании защиты зависит от уровня тока перегрузки и регу-
13 GND3 Общий для аналоговых сигналов лируется драйвером так, чтобы ток в процессе срабатывания защиты
SKiiPPACK 2, 3 с подложкой Al2O3 не превышал значений, обусловленных требованиями RBSOA — об-
Значение тока (8 В при 100% Ic). ласти безопасной работы.
Перегрузка (10 В при 125% Ic@25 °C)
14 I analog OUT Драйверы модулей SKiiP имеют аналоговые выходы, сигналы на ко-
SKiiPPACK 3 с подложкой AlN
Значение тока (8 В при 86% Ic). торых пропорциональны току, температуре модуля или напряжению
Перегрузка (10 В при 107% Ic) силовой шины питания. Эти сигналы поступают на управляющий про-
 Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003
Таблица 8. Параметры питания драйверов модулей SKiiP
Параметр
Напряжение источника 24 В (нестабилизированное)
Напряжение источника 15 В (стабилизированное)
Вых. ток источника 15 В
(может использоваться при подключении источника 24 В)
Предельный (пиковый) ток внешнего источника 15 В
Предельный (пиковый) ток внешнего источника 24 В
Время включения источника 15 В
Время включения источника 24 В
Время задержки включения силового питания
Примечание: не допускается подача входных сигналов до включения источников питания
Таблица 9. Различия между схемами управления модулей 2 и 3 поколения
Параметр
Напряжение питания
Мониторинг напряжения насыщения Vcesat,
защита от выхода из насыщения DESAT
Защита от пробоя на корпус
Мониторинг тока каждой фазы
цессор и могут быть использованы для анали-
за состояния системы.
Для гальванической развязки входных цепей
со схемой управления затворами в драйверах
SEMIKRON используются импульсные транс-
форматоры. Изоляция выполнена в соответст-
вии с требованиями стандарта EN50178. Напря-
жение изоляции конкретного модуля зависит
от предельного рабочего напряжения Vccmax.
В таблице 8 изложены требования к низко-
вольтным источникам питания драйверов мо-
дулей SKiiP.
Ток, потребляемый драйвером SKiiP, зави-
сит от уровней напряжения питания, часто-
ты переключения, типа силовых кристаллов,
выходного тока. В документации на каждый
модуль приводится формула, позволяющая
рассчитать ток потребления в зависимости
от условий эксплуатации. В общем случае
энергопотребление драйверов модулей треть-
его поколения ниже, чем второго, т. к. в SKiiP3
используется импульсный усилитель токово-
го сигнала в датчике тока.
На рис. 6 приведена структура полумостового
драйвера SKiiP. Модуль, содержащий 3-фазный
мост IGBT, имеет 3 аналогичных драйвера.
Различия между схемами управления модулей
2 и 3 поколения изложены в таблице 9.
Рис. 6. Структурная схема драйвера SKiiP
88
Êîìïîíåíòû
модуля. Поэтому желательно, чтобы схема
SKiiP2 SKiiP3 защиты ограничивала режимы не по пре-
20–30 В 13–30 В дельному току, а по параметрам области бе-
15 В Не требуется при использовании источника 24 В зопасной работы. Для интеллектуальных мо-
дулей обычно задается 2 вида области безо-
< 50 мА < 50 мА
пасной работы — ОБР для режима
1,5 А – короткого замыкания (Short Circuit SOA —
1,5 А 1,5 А SCSOA) и ОБР для импульсного режима
< 50 мс – (Switching SOA — SSOA).
< 50 мс – SSOA задает ограничения на ток и напряже-
130 мс 150 мс ние, одновременно действующие на модуль
при выключении. В модулях SKiiP исключены
многие недопустимые сочетания за счет алго-
ритма работы драйвера и настройки схемы за-
SKiiP2 SKiiP3 щиты. Безопасным считается режим, когда на-
20–30 В нестабилизированное; пряжение питания не превышает определен-
13–30 В нестабилизированное
15 В, стабилизированное ного для модуля напряжения источника
Нет Есть
питания (VCC), а перенапряжение при выклю-
чении не превышает предельного значения
Есть в конфигурациях GD, GH Нет напряжения коллектор-эмиттер (VCES).
Нет Есть в конфигурации GD
Защита от перенапряжения на силовой
Драйверы модулей SKiiP осуществляют сле- шине питания имеется в модулях SKiiP2 в ка-
дующие защитные и сервисные функции: честве опции (U) в конфигурациях GB, GD,
• защиту от сквозного тока и формирование GH и в стандартном исполнении SKiiP3 GD.
времени задержки переключения транзис- Измерение силового напряжения производит-
торов полумоста tdt; ся дифференциальным усилителем с высоким
• фильтрацию коротких импульсов; входным импедансом (не менее 5 МОм). Кру-
• нормирование фронтов входных сигналов; тизна преобразования выбирается таким об-
• ограничение уровня входных сигналов; разом, чтобы аналоговое напряжение на вы-
• защиту от падения напряжения источников ходе Analog DC-link voltage-sense равнялось
питания (UVLO); 9 В при напряжении на шине питания:
• защиту от импульсных перенапряжений • 400 В в модулях с рабочим напряжением
и инверсии напряжения питания; 600 В;
• защиту от перегрева; • 900 В в модулях с рабочим напряжением
• защиту от перегрузки по току и короткого 1200 В;
замыкания (КЗ); • 1200 В в модулях с рабочим напряжением
• защиту от выхода из насыщения каждого 1700 В.
силового ключа (SKiiP3); Погрешность преобразования не превыша-
• защиту от пробоя на корпус (SKiiP2); ет 2%, на выходе преобразователя установлен
• защиту от перенапряжения по силовой ши- фильтр низких частот с постоянной времени
не питания (опция для SKiiP2; стандарт для 500 мкс. Схема измерения изготавливается
GD-SKiiP3). и тестируется в соответствии со стандартом
безопасности EN50178.
Индукционный датчик тока SKiiP (транс-
Çàùèòíûå ôóíêöèè SKiiP
форматор тока) устанавливается в линии пе-
Область безопасной работы (ОБР или ременного тока каждого полумоста. Транс-
SOA — safe operating area) определяет допус- форматоры тока изготавливаются по компен-
тимые сочетания токов и напряжений, при сационной схеме (см. рис. 7). Измерительная
которых не нарушается безопасная работа обмотка выполнена в виде витка в зазоре сер-
дечника с высокой проницаемостью. Магнит-
ное поле внутри измерительной обмотки
компенсируется с помощью двух компенса-
ционных обмоток. Благодаря такой схеме
включения повышается помехозащищен-
ность датчика тока и достигается хорошая
термостабильность. Для выработки компен-
сационного тока в датчиках SKiiP 3 использу-
ется модулятор ШИМ, благодаря чему значи-
тельно снижается потребление по сравнению
с датчиками SKiiP2, где применена линейная
схема компенсации.
В таблице 10 приведены параметры датчи-
ков тока модулей SKiiP.
Если ток нагрузки достигает значения 125%
от допустимого значения, отключаются все
силовые транзисторы, сигналы управления
игнорируются. Драйвер формирует сигнал не-
исправности, выход ERROR OUT (открытый
коллектор) принимает уровень логической
единицы.
www.finestreet.ru
Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003 Êîìïîíåíòû
Таблица 11. Минимальные уровни рабочих
напряжений

Минимальный Минимальный
Напряжение питания
уровень SKiiP2 уровень SKiiP3

Напряжение питания
18,5 В –
входное 24 В
Напряжение питания
13,5 В –
входное 15 В
Напряжение питания
выходное конвертора 13,5 В 13,5 В
DC&DC ± 15 В
Напряжение питания
выходных каскадов – 10 В
драйвера
Рис. 7. Компенсационный датчик тока модуля SKiiP
Схема контроля UVLO следит за всеми на-
Таблица 10. Параметры датчиков тока модулей SKiiP пряжениями, которые подаются на модуль
Параметр SKiiP2 SKiiP3 или вырабатываются встроенным конверто-
Коэффициент трансформации 1:2000 1:3000
ром DC-DC. При уменьшении любого из них
Максимальный ток @ Ta = 45°, Arms 200 400
ниже заданного порога отключаются силовые
Максимальный ток кратковременный (2 с) @ Ta = 45°, Arms 250 500
транзисторы, выход ERROR OUT (открытый
коллектор) принимает уровень логической
Максимальный ток пиковый (10 мкс), А 3000 3000
единицы. Минимальные уровни рабочих на-
Линейность, не более, % 0,1 @ I < 420 A 0,1 @ I < 700 A
пряжений приведены в таблице 11.
Ошибка измерения @ Ta = 25°, I = Ic, % 2 2
Для сброса сигнала неисправности необхо-
Температурный дрейф измерения, ppm/°C 100 50
димо, чтобы исчезла причина, вызвавшая не-
Диапазон частот, кГц 200 150
исправность, и все логические входы модуля
Время реакции, не более, мкс 1 1
находились в состоянии логического нуля
Выходное напряжение схемы измерения тока, В (Ic = Icnom) 8* 8*
в течение времени tRESET, указанного в тех-
Выходное напряжение схемы измерения тока, В (Ic = 1,25 % Icnom) 10* 10*
нических характеристиках.
* Примечание: крутизна схемы измерения тока модулей SKiiP3 с платой DBC из нитрида алюминия отличается от
приведенной в таблице и указывается в технических характеристиках
Êàíàë óïðàâëåíèÿ ÷îïïåðîì
(SKiiP2 GDL)
Драйвер SKiiP различает два пороговых температурой датчика значения 115±5 °С схе-
значения тока — ток перегрузки (100% Ic), ма управления отключает силовые транзисто- Модули SKiiP2 в конфигурации GDL кроме
начиная с которого производится анализ не- ры, выходы Overtemp. OUT и ERROR OUT 3-фазного моста содержат чоппер, необходи-
исправности и формируется контрольный принимают уровень логической единицы. мый, например, для работы в режиме динами-
сигнал, и ток КЗ, по которому происходит Наличие тепловой защиты не может гаран- ческого торможения. Структурная схема до-
отключение. После возникновения состояния тировать, что мощный кристалл не выйдет полнительного канала драйвера приведена
перегрузки напряжение на затворе снижает- из строя ни при каких условиях. Кристалл при на рис. 8. В режиме динамического торможе-
ся, что приводит к ограничению тока коллек- резком увеличении мощности потерь может ния двухпозиционный контроллер с гистере-
тора. Затем, если состояние перегрузки перегреться до того, как разогреется основа- зисной характеристикой регулирования выра-
не прекращается, напряжение на затворе сни- ние модуля и термодатчик. Это может про- батывает сигналы включения и выключения
жается до нуля. При этом снижение напря- изойти, например, из-за сбоя контроллера тормозного транзистора в зависимости от на-
жения на затворе производится по опреде- и повышения частоты коммутации или из-за пряжения на шине питания. Минимальное
ленному закону. Такое «мягкое» отключение появления дребезга в цепи управления. В мо- время нахождения тормозного транзистора
необходимо для уменьшения значения di/dt дулях SKiiP перегрев из-за дребезга исключен во включенном режиме — 30 мкс. Значения
и снижения переходного перенапряжения благодаря наличию импульсного фильтра, напряжений, при которых происходит комму-
при выключении. не пропускающего импульсы с длительнос- тация тормозного транзистора, приведены
Встроенная схема формирования времени тью меньше 500 нс. на рис. 8.
задержки переключения (формирователь tdt)
исключает одновременное открывание транзи-
сторов полумоста и блокирует переключение
полумоста на время tdt, необходимое для окон-
чания переходных процессов и исключения
сквозного тока. Это время зависит от конкрет-
ного типа примененных силовых кристаллов
и может регулироваться внешним резистором.
Датчик температуры модулей SKiiP пред-
ставляет собой полупроводниковый термис-
тор с пропорциональной характеристикой
(PTC). Выходное аналоговое напряжение схе-
мы измерения температуры Uta на выводе
Temp. Analog OUT описывается примерной
зависимостью:

Uta = –2 + 0,1 × tDBC

Датчик устанавливается на плату DBC ря-

дом с силовыми кристаллами IGBT, он изоли- Рис. 8. Структурная схема драйвера чоппера (SKiiP2 GDL)
рован от токоведущих шин. При достижении
 Êîìïîíåíòû è òåõíîëîãèè, ¹ 1’2003
Модуль имеет внешний вход управления
чоппером, который может использоваться,
например, для разряда накопительных кон-
денсаторов. Приоритет имеет встроенная схе-
ма управления, максимальная частота комму-
тации — 5 кГц. Драйвер управления чоппером
осуществляет описанные выше защитные
функции, следя за напряжением насыщения
и температурой тормозного транзистора,
а также за перенапряжением в цепи напряже-
ния питания 15 В.
Включение чоппера возможно в случае, ес-
ли не сработала защелка схемы защиты.
При срабатывании защиты выход ERROR
(открытый коллектор оптопары) имеет высо-
кий логический уровень. Для сброса схемы
защелки необходимо отсутствие любой неис-
правности и наличие сигнала сброса RESET
в течение не менее 300 мс. Защелка сбрасыва-
ется также при отключении питания.
Для питания драйвера служит встроенный
конвертор DC-DC, питающийся от нестаби-
лизированного напряжения 24 В (20–30 В)
или стабилизированного 15 В. При наличии
на входе RESET логической единицы конвер-
тор отключается.
Îñîáåííîñòè ñòàíäàðòíûõ
òåïëîîòâîäîâ SEMIKRON
SEMIKRON производит широкую гамму ра-
диаторов, предназначенных для работы с лю-
быми модулями, производимыми фирмой.
Они согласованы как по конструктивным па-
раметрам, так и по электрическим характерис-
тикам. Тепловые характеристики радиаторов
для различных режимов охлаждения, приво-
димые в технических данных, предназначены
для расчета с учетом параметров датчиков тем-
пературы, встроенных в модули.
Для модулей SKiiP, конструктивно объеди-
ненных с теплоотводом, в технических харак-
теристиках приводятся данные по тепловому
сопротивлению «кристалл — теплосток» Rthjs.
При этом температура радиатора измеряется
в наиболее нагретой точке.
Согласованность характеристик конструк-
тивных элементов позволяет упростить про-
цесс теплового расчета и повысить его точ-
ность. Специалистами SEMIKRON разработа-
на программа автоматизированного теплового
расчета SEMISEL [7], позволяющая оптималь-
но подобрать силовой модуль для решения
конкретной задачи, а также рассчитать его теп-
ловые характеристики в различных режимах
работы. Программа SEMISEL доступна на сай-
те w
ww.
semikron
.com. полного подключения модуля.
Îïöèè
U — мониторинг напряжения силовой ши-
ны питания
Опция доступна в модулях SKiiP конфигу-
рации GB. При наличии этой опции напряже-
ние, пропорциональное напряжению шины
питания, присутствует на выводе 12 сигналь-
ного разъема драйвера вместо сигнала схемы
измерения температуры. В конфигурации GH,
содержащей 2 мостовых драйвера, выдается
сигнал, пропорциональный напряжению ши-
90
ны, и сигнал с термодатчика. Модули SKiiP3,
содержащие 3-фазный мост (6-pack), имеют
опцию U в стандартном исполнении.
F — возможность подключения ВОЛС (во-
локонно-оптической линии связи)
При наличии опции F сигналы управления
и сигналы неисправности могут передаваться
по оптическому кабелю. Адаптер ВОЛС уста-
навливается на корпусе модуля и подключа-
ется к драйверу коротким плоским кабелем.
Для подключения используется разъем HFBR-
0501 (Hewlett Packard). Приемник HFBR2521
предназначен для сигналов TOP IN, BOT IN.
Передатчик HFBR1521 предназначен для пе-
редачи сигнала ошибки ERROR.
Ðåêîìåíäàöèè ïî ïðèìåíåíèþ
Снабберные конденсаторы
SEMIKRON рекомендует устанавливать
снабберные конденсаторы на выводы силовой
шины питания модулей SKiiP2 для снижения
уровня переходных перенапряжений. Номи-
налы конденсаторов для различных примене-
ний приведены в таблице 12.
Таблица 12. Рекомендуемые конденсаторы
снабберов
Номинал
Применение
конденсатора
0,47 нФ – 1000 В SKiiP2 600 В, 1200 В 41046230
0,22 нФ – 1250 В SKiiP2 1700 В 41046220
Соединение шин АС
Выходы шин переменного тока могут со-
единяться в параллель для увеличения выход-
ного тока. Например, в конфигурации GH
(4 полумоста) допускается объединять выво-
ды соответствующих фаз (U — U, V — V).
Для соединения рекомендуется использовать
готовые шины:
конфигурация GB (мост) — шина 41034390;
конфигурация GB (3-фазный мост) —
шина 41034400;
конфигурация GB (2 моста) —
шина 41034410;
конфигурация GН (2 моста) —
2 шины 41034390.
При параллельном соединении различных
модулей GB они должны обязательно подби-
раться с идентичной группой напряжения на-
сыщения Vf, которая указывается на этикетке
модуля.
Защита от статического электричества
Каждый модуль SKiiP имеет специальную
крышку, предохраняющую от повреждения
ЭСР. Крышка должна удаляться только после
Featuring Pressure Contact Technology, Proc.
Подключение силовых цепей
Для подключения силовых выводов пита-
ния, силовых выходов модуля и накопитель-
ных конденсаторов должна использоваться
многослойная силовая шина.
Подключение сигнальных цепей
Подключение сигнальных цепей осуществ-
ляется с помощью стандартного разъема
DIN41651. Длина соединительного кабеля
не должна превышать 3 метра. Кабель должен
быть максимально удален от силовых шин.
SEMIKRON рекомендует использовать экра-
нированный кабель.
Êîìïîíåíòû
Çàêëþ÷åíèå
Использование интеллектуальных силовых
модулей особенно целесообразно в области
средних и больших мощностей, где конструк-
ционные и технологические проблемы стоят
наиболее остро, а эксперименты и макетирова-
ние практически исключаются. Наибольшую
ценность имеют интеллектуальные модули,
представляющие собой законченное схемно-
конструкторское решение. Модули SKiiP, содер-
жащие трехфазный или четырехфазный мост
и каскад динамического торможения не имеют
на сегодняшний день мировых аналогов.
Топология силовых шин, соединяющих
дискретные модули, соединение драйверов
с силовыми модулями — труднейшая задача,
и сложность ее возрастает с увеличением
мощности. Даже при корректной топологии
практически невозможно получить достаточ-
но низкие значения распределенных индук-
тивностей шин, что приводит к высоким пе-
ренапряжениям и снижению надежности из-
делия. Применение снабберных цепей в таких
конструкциях необходимо, а это усложняет
и удорожает схему, увеличивает потери.
Использование интеллектуальных силовых
модулей в законченной конфигурации, в ко-
ID#код
торой все силовые цепи соединены, и драйвер
является составной частью конструкции, поз-
воляет избежать всех перечисленных проблем.
Технология pressure-contact, используемая
при изготовлении модулей SKiiP, строгий кон-
троль электрических и конструктивных пара-
метров позволяют получить беспрецедентные
показатели надежности и практически исклю-
чить отказы при любых режимах эксплуатации.
Отличные электрические и тепловые харак-
теристики модулей SKiiP обеспечиваются при-
менением в них новейших кристаллов тран-
зисторов IGBT, изготовленных по технологии
NPT, позволяющей резко снизить потери пе-
реключения.
Стоимость интеллектуального модуля мо-
жет оказаться даже ниже суммарной цены на-
бора дискретных модулей и драйвера, особен-
но с учетом трудозатрат.
Ëèòåðàòóðà
1. J. Lutz, J. Nascimento, E. Schimanek. A 3300 V
1200 A Integrated Intelligent Power Module
with Improved Freewheeling Diode. Semikron
Elektronik GmbH.
2. K.Backhaus. Performance of New Compact
Power Semiconductor Module Families
3. PCIM 1999, Part Power Conversion.
4. U. Scheuermann. A Novel Power Module
Design and Technology for Improved Power
Cycling Capability // Microelectronic Reliability.
2001. 9–10.
5. Usage of SKiiP Systems. SEMIKRON. 28.06.02.
6. С. Флоренцев. Силовые IGBT-модули — ос-
нова современного преобразовательного
оборудования // Электронные компоненты.
2002. № 6.
7. А. Колпаков. Программа теплового расчета
SEMISEL фирмы SEMIKRON // Компонен-
ты и технологии. 2002. № 9.
www.finestreet.ru