Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Институт энергетики

Лабораторная работа №2

Исследование силового полевого

транзистора
Выполнили студенты
Ильин А.О.

Принял преподаватель
Образцов Н.В.

Санкт-Петербург
2019
Цель работы - изучение физических принципов действия силовых полевых
транзисторов, приобретение навыков измерения параметров и снятия
характеристик полевых транзисторов, при их коммутации в цепи постоянного
тока.
Схема установки

Результаты исследований
Таб. 1. Определение порогового напряжения
Uзи, В Iс, А
4,5 0
4,6 0
4,7 0,01
4,8 0,02
4,9 0,05
5 0,08
Ток транзистора
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
Ic, А

0.04
0.03
0.02
0.01
0
4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5 5.1
Uзи, B

Uпор=4,7 B
 Таб. 2. Определение сопротивления канала и крутизны транзистора
Uзи, B Uси, B Iс, А Ri, Ом S
10 3 1,93 1,55 0,193
15 3 1,92 1,56 0,128

Uси Uзи
R i= , S=
Ic Ic

Вывод
Мы ознакомились с работой силового полевого транзистора, научились
рассчитывать и рассчитали его основные характеристики: коэффициент
усиления, внутреннее сопротивление канала, крутизну.