Chapitre 4 : La photolithographie et les techniques de gravure

4.1 Présentation
Deux techniques sont couramment utilisées:
- La gravure par voie humide,
- La gravure sèche.
Ces deux types de gravure interviennent de nombreuses fois au cours des procédés modernes.
Elles permettent de graver de façon sélective, des couches ou des films afin de créer des motifs
(zone actives de dispositifs, grille de transistors, pistes d'interconnexion, etc.). Nous verrons dans
les opérations de photolithogravure, qu'en utilisant une résine photosensible on peut protéger des
zones. La gravure ne doit donc concerner que les zones non protégées.
4.1.1 La gravure humide
La gravure par voie humide se fait par attaque chimique en solution aqueuse (bain contenant de
l'eau). Par exemple, l'oxyde de silicium est gravé par une solution partiellement diluée d'acide
fluorhydrique (HF) tamponnée par du fluorure d'ammonium (NH4F). Suivant les concentrations de
l'espèce réactants, on étalonne les vitesses de gravure pour un type de couche. En général, par voie
humide, la couche est attaquée de façon équivalente suivant toutes les directions de l'espace. On dit
que la gravure est isotropique.
Dans de très nombreuses filières technologiques, la gravure humide est utilisée majoritairement
car elle est relativement simple à mettre en œuvre et que dans des grands bacs, un lot complet
pouvant contenir jusqu'à 200 plaquettes peut être traité en une seule opération.

Figure 4.1 : Gravure de plaquettes par voie humide.

Cela constitue un gain de temps considérable. Par contre, il faut après traitement chimique rincer
abondamment et sécher les plaquettes. Durant le rinçage à l'eau désionisée, la résistivité de l'eau est
contrôlée afin de déterminer la quantité d'ions contaminants encore désorbés par les plaquettes.
Lorsque la résistivité devient supérieure à 16 Mcm, on s'approche de la résistivité de l'eau ultra
pure (18 Mcm) et on peut arrêter le rinçage. Le séchage s'effectue dans de très grandes
centrifugeuses ou par soufflette d'azote ou d'air sec.

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 La gravure humide présente aussi d'autres inconvénients, à savoir :
- la gravure est isotropique (toutes les directions de l'espace) ce qui crée des attaques latérales
notamment dans les zones protégées par la résine,
- la vitesse de gravure dépend de la concentration et du type d'impureté que contient le film à
graver. Cette vitesse de gravure dépend de la quantité des substrats traités, l'efficacité d'attaque
diminuant après plusieurs lots,
- le point de fin de gravure est difficilement contrôlé. Cela peut entraîner une surgravure latérale ou
verticale dans le cas d'une faible sélectivité.
Les solutions les plus couramment utilisées en fonction de la nature des couches à graver sont les
suivantes :
- silicium polycristallin: HNO3 + HF
- silicium monocristallin: Hydrazine N2H4 (65%) + H2O (35%)
- dioxyde de silicium : HF + NH4F + H2O
- nitrure de silicium : H3PO4
- aluminium : H4PO4 + HNO3 + acide acétique + H20
En fonction des concentrations relatives des différents éléments, les solutions auront une vitesse
d'attaque plus ou moins importante. Dans le cas de la gravure d'un oxyde recouvrant du silicium
monocristallin, la fin de gravure est détectée grâce au phénomène d'hydrophobie ; le liquide a
tendance à quitter la surface de la plaquette alors qu'en présence d'oxyde toute la surface est
mouillée. Ce critère permet aussi de vérifier l'homogénéité d'épaisseur des couches et/ou d'attaque.
4.1.2 La gravure sèche
La gravure sèche est en réalité une technique de gravure plasma dans laquelle interviennent à la
fois les effets de bombardement par des ions et la réaction chimique. On la dénomme R.I.E.
(Reactive Ion Etching).
Le réacteur ressemble au réacteur de dépôt à platine porte-substrats horizontale, mais les gaz
injectés sont dans ce cas destinés à graver la couche de surface (Figure 4.2). De la même façon, on
utilise un générateur radiofréquence qui va permettre de générer dans le réacteur les espèces
réactives.
Sans polarisation particulière des électrodes, l'attaque est en général isotropique, c'est-à-dire
identique suivant toute les directions. Cependant, lorsque les matériaux à graver ont des orientations
préférentielles, c'est le cas des cristaux semi-conducteurs, la gravure peut se faire préférentiellement
suivant des plans réticulaires ou axes cristallographiques.
Le réacteur est en général équipé d'un système de contrôle de gravure ou plus exactement de fin
de gravure. Il s'agit d'un interféromètre à laser dont la période du signal détecté change lors d'un
changement d'espèces gravées.

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 Figure 4.2 : Réacteur de gravure plasma à platine porte-substrats horizontale.
Le principe du procédé, représenté par la Figure 4.3, est résumé comme suit :
- génération dans le plasma des espèces pouvant attaquer chimiquement la couche,
- transfert des espèces réactives depuis le plasma vers la surface de la couche à graver,
- adsorption de l'espèce attaquante à la surface,
- réaction avec le matériau de surface. Le matériau produit par la réaction doit être volatile pour
pouvoir quitter la surface,
- désorption du produit de réaction, (La désorption est la transformation inverse de la sorption
(adsorption ou absorption), par laquelle les molécules absorbées se détachent du substrat),
- diffusion dans l'environnement gazeux.

Figure 4.3 : Schéma de principe de la réaction de gravure plasma. Pour que la gravure soit efficace,
il faut éliminer les produits de réaction.
Si toutes ces conditions sont remplies, on peut alors espérer avoir une bonne gravure plasma.
Notons que pour la mise au point de cette étape technologique, la difficulté est de générer des
espèces volatiles après réaction en surface.

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4.2 Photolithogravure
Toutes les techniques de procédés technologiques exposées précédemment présentent peu
d'intérêt si elles ne se réalisent que pleine plaque. Il faut pouvoir oxyder, doper, métalliser
localement suivant des motifs très bien définis et sur des surfaces de plus en plus faibles afin de
créer et d'interconnecter des dispositifs élémentaires entre eux.
Le procédé de transfert d'un masque (physique ou logiciel) vers la plaquette s'appelle
photolithogravure. Ce mot est construit à partir de lithos (pierre en grec) et, de photographie. Il
s'agit d'un procédé photographique qui permet la gravure d'une (ou plusieurs) couche(s) solide(s)
telle que nitrure, oxyde, métal, etc..., suivant un motif bien défini. Nous verrons que la lumière
utilisée est en général hors du domaine visible, à savoir en ultraviolet voire en rayon X.
4.2.1 Principe de la photolithographie
Les Figures 4.4 et 4.5 rappellent le principe du procédé de photolithographie; l'objectif est de
transférer un motif (par exemple un rectangle qui correspondra à une zone de source) réalisé sur
masque vers une couche de la plaquette.

Figure 4.4 : Masque de photolithographie. L'utilisation du quartz est liée à la nature des photons
qui sont en général dans le domaine ultraviolet. Le dioxyde de chrome est opaque à ce rayonnement
et permet une bonne définition des motifs élémentaires.

Figure 4.5 : Principe de la photolithographie : par insolation, on transfert vers la plaquette le motif
défini sur le masque.
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4.2.2 Réalisation d'un motif sur plaquette
Dans l'exemple qui suit, nous allons voir comment procéder pour réaliser une zone dopée de type
p par implantation ionique dans un substrat de type n. Les différentes étapes élémentaires sont
détaillées.
De façon analogue à la technique photographique, on peut utiliser deux types de résine
photosensible :
- résine positive,
- résine négative.
Dans le cas d'une résine positive, on retrouve après l'opération, exactement le même motif sur la
couche gravée de la plaquette, que sur le masque de départ. Par exemple, à un motif de métal sur le
masque (correspondant à un motif opaque), correspond le même motif d'oxyde restant sur la
plaquette après gravure. Dans le cas d'une résine négative, on obtient sur la plaquette le motif
complémentaire. La résine est étalée par une technique de centrifugation. On utilise pour cela une
tournette (Figure 4.6) qui aspire la plaquette afin qu'elle ne soit pas éjectée et qui permet, grâce à un
réglage de la vitesse de rotation et de l'accélération, d'étaler uniformément la résine.

Figure 4.6 : Tournette pour étalement de résine photosensible. La vitesse de rotation est calculée
pour obtenir une couche fine sur toute la surface et d'épaisseur constante.
La Figure 4.7 montre les épaisseurs obtenues pour deux types de résine différents en fonction de
la vitesse de rotation (exprimée en tours par minute). Plus la vitesse de rotation est importante, plus
l'épaisseur du film est faible. Il faut cependant tenir compte de l'accélération pour avoir une bonne
homogénéité, les solvants de la résine s'évaporant au fur et à mesure de l'étalement, le coefficient de
viscosité variant donc simultanément. Cela sous-entend un étalonnage précis qui est en fait une
opération longue et délicate. On utilise en général les indications fournies par le fournisseur de
résine mais l'environnement, pression partielle des gaz volatiles par exemple, joue un rôle
important.

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 Figure 4.7 : épaisseur obtenue de résine photosensible en fonction de la vitesse de rotation pour
deux résines différentes.
La Figure 4.8 détaille les différentes opérations de photolithogravure. Dans le cas présenté, l'oxyde
est le négatif du motif de dioxyde de chrome du masque. La résine est dite dans ce cas négative.

Figure 4.8 : Principe de la photolithogravure. Le motif du masque a été transféré vers la plaquette.
La résine est négative dans ce cas.
Après une oxydation et différents nettoyages, on étale la résine photosensible sur la plaquette à
l'aide de la tournette. La résine est ensuite séchée (on élimine les produits les plus volatiles) puis
insolée à travers le masque. Les motifs sont alors révélés par un révélateur. Après rinçage, une
cuisson Revenons au sérieuxdurcit la résine qui peut alors résister aux attaquants chimiques tels que
l'acide fluorhydrique. La gravure humide par le HF attaque la couche d'oxyde non protégée par la
résine. La résine est ensuite retirée de la surface par un solvant chimique puissant tel que l'acétone.
Dans certains cas, il faudra utiliser des techniques encore plus efficaces telles que la gravure par
plasma d'oxygène; cette méthode est régulièrement utilisée dans les technologies submicroniques
pour lesquelles la résine est aussi utilisée comme couche de masquage d'implantation ionique.

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4.2.3 L'insolation et ses limites
L'insolation de la plaquette peut se réaliser de différentes manières,
- par contact,
- par proximité,
- par projection,

Figure 4.9 : différentes techniques d'insolation : par contact, par proximité et projection. Par
projection, il est possible de jouer sur le grandissement optique pour réaliser des motifs sur le
masque de dimension 5 fois supérieure à celle des motifs projetés sur la plaquette.

Figure 4.10 : Intensité de la lumière au niveau de la résine photosensible après insolation par
contact, par proximité ou par projection.
Chacune d'entre elles présente ses avantages et ses inconvénients. Par exemple, la technique par
contact donne théoriquement la meilleure définition des motifs, mais détériore le masque après
chaque opération de masquage en raison des frottements importants à l'échelle microscopique. La
projection donne la moins bonne définition optique, comme le montre la Figure 4.10, en raison des
effets de diffraction de la lumière, mais permet par contre d'effectuer une réduction ; dans ce dernier
cas, la fabrication du masque est plus simple puisqu'elle n'exige pas une définition au moins égale à
celle du motif reporté sur la plaquette.
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 Apparemment, la projection constitue le cas le plus défavorable. Mais en exploitant le fait que la
réponse de la résine à la lumière n'est pas linéaire (Figure 4.11), on peut améliorer la définition des
motifs en jouant sur la quantité de photons reçus (intensité lumineuse, temps d'insolation). En
ajustant la dose d'insolation pour être au niveau 0,5 Io, on récupère la même dimension de motif.

Figure 4.11 : Effet de la non linéarité de polymérisation. En choisissant le seuil astucieusement, on

peut améliorer la définition des motifs.
La Figure 4.12 donne un exemple de machine à insoler par contact. Le principe pour les
insolateurs par proximité est le même.

Figure 4.12 : Machine à insoler par contact. Une fois le masque et la plaquette alignés, on déplace
la source lumineuse sur l'ensemble. L'insolation dure en général quelques dixièmes de secondes à
quelques secondes.
Dans le cas des insolateurs par projection avec photorépétition, la projection se fait par secteur,
c'est-à-dire, puce par puce ou bloc par bloc de plusieurs puces. Dans ce cas, il faut pouvoir
parfaitement positionner la plaquette. Un système d'analyse d'image et de positionnement du porte
substrat, par interférométrie laser, permet d'effectuer le bon alignement des motifs. Une plaquette de
200 mm de diamètre nécessite plusieurs minutes d'insolation (donc par niveau d'insolation) par la
technique de photorépétition.
Les procédés photolithographiques classiques utilisant des rayons lumineux dans les limites du
domaine visible (proche Ultra Violet) ne permettent pas d'atteindre une définition suffisante pour
les nouvelles technologies en développement, ceci étant essentiellement dû au phénomène physique
de diffraction. Aussi l'évolution des dimensions entraîne la mise au point de nouveaux procédés tels
que la lithographie par rayons X, la lithographie par faisceaux d'électrons.

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 La lithographie par faisceau d'électrons est un procédé très intéressant mais dont il faut connaître
les limites. La longueur d'onde associée aux électrons peut être suffisamment faible puisqu'elle est
simplement liée à l'énergie d'accélération. La tâche de diffraction associée peut donc être de
quelques dizaines d'Angström. Cependant, il faut tenir compte du fait que toute la surface doit être
balayée en pilotant le faisceau. Un faisceau de taille minimale de 0,05 μm balayant une plaquette de
100 cm2 à une fréquence de commande d'extinction du faisceau de 100 MHz, aura parcouru
l'ensemble de la plaquette au bout du temps suivant :
tb = 10- 8 x 100 x (2 x 105) x (2 x 105) = 4 x 104s = 11 heures
Ce temps est beaucoup trop long, puisqu'il correspond à l'opération d'écriture d'une seule plaque.
Un faisceau de 0,1 μm donne un temps de 3 heures qui devient "raisonnable. En effet, ce temps est
acceptable si on bénéficie du fait que le masque est informatique. On peut ainsi réaliser, sur la
même plaquette, des circuits intégrés de nature différente (clients différents) alors que de façon
classique c'est le même circuit qui est réalisé sur un masque physique après photorépétition des
motifs correspondant à une puce. Les industriels disent dans ces conditions qu'ils réalisent des
circuits multiprojets (CMP). Cette technique est donc bien adaptée à des petites séries. Il faut
cependant être conscient qu'un tel système, représenté Figure 4.13, est extrêmement coûteux
puisqu'il faut éviter toute vibration d'amplitude supérieure à un dixième de microns. Il faut donc un
dispositif antisismique régulé en température et très protégé de toute poussière.

Figure 4.13 : représentation schématique d'une machine à écriture directe sur tranche utilisant un
faisceau d'électrons. Dans ce cas, le masque est informatique.