Иванов И.М. часть 2. 4.10.

Эмиссия под углом

Для круглых источников частиц, эмиссия частиц может быть под
углом по отношению к поверхности источника, т. е. частицы могут
эмитироваться со скоростью, которая образует конечный угол тета с
поверхности нормальный источник. Тогда скорость эмиссии v имеет
две компоненты: компоненту vn, параллельной нормали к поверхности,
и компоненту vt, перпендикулярную нормали к поверхности и лежит в
плоскости источника. Направление vt определяется путем указания угла
phi между vt и вектор определенным в центре круглого источника O и
точки эмиссии P. когда угол тета равен нулю, vt равен нулю, поэтому
изменение параметра для угла phi не может повлиять на свойства
эмиссии частиц.

Когда конечный угол распространения δ указан в разделе

кинетические параметры, вектор эмиссии случайным образом
распределен внутри конической области (рис. 4.28). Ось этой
конической области определяется вектором V.
Характеристики эмиссии под углом доступны в модели Fixed
emission в программе Tracking и модели DC в программе PIC.

Рис. 4.28. Телесный угол направления частиц

1
 Итак, в этом разделе сделан обзор источников частиц, которые
устанавливаются в структурах и их характеристики.

В SCT Particle можно выполнить экспорт источника частиц,

полученных заранее из моделирований методом Gun и Tracking . Эти
данные можно подставить в задачу для запуска программ с методами
PIC или Tracking. Это выполняется командами:

Monitors Particle Monitor Particle Export Interface...

Sources and Loads Particle Sources Particle Import Interface...

Предполагая, что имеется проект Tracing или Gun, и он должен быть

связан с последующим PIC-проектом с помощью интерфейса Particle,
выполните следующие действия, чтобы выполнить подключение:
1. Открыть проект Tracking или Gun.
2. Запустить моделирование методом Tracking или Gun.
3. Задать один или больше интерфейсов экспорта.
4. Экспортировать данные о частицах в файл интерфейса.
5. Открыть проект PIC- или Tracking.
6. Задать один или больше интерфейсов импорта при
импортировании файлов частиц.
7. Запустить моделирование PIC- или Tracking.

Импорт частиц
2
 Интерфейс Particle Import (рис. 4.29) можно использовать для импорта
данных частиц из другого проекта.

Рис. 4.29. Диалог импорта и установок интерфейса частиц

После выбора файла интерфейса из папки результатов другого проекта,

можно определить геометрическую трансформацию для
импортируемого интерфейса и задать свойства эмиссии для
моделирования методом PIC. В этом диалоге в разделе Interface file
можно можно выбрать (Import...) и импортировать следующие типы
файлов:

Бинарный файл, сгенерированный интерфейсом экспорта. Модель

.pio DC emission model может быть использован для процесса
эмиссии. Такая модель подходит для программ PIC и Tracking.
Ascii файл, который содержит данные об эмиссии частиц. Модель
.pid
DC emission model может быть использована для процесса
эмиссии. Всегда используйте единицы Си. Такая модель подходит
для программ PIC и Tracking. (Example DC)

3
 Ascii файл, который содержит данные эмиссии частиц. Это
импорт для предназначен для случая процесса эмиссии, данные
.pit ascii не должны быть в хронологическом порядке. Этот импорт
предназначен только для программы PIC. (Пример TD)

Данные в импортируемых файлах состоят из цифр и символов и

могут быть разделены пробелами или в виде таблицы. В линии
комментария, первый символ "%".
После того, как интерфейс импорта был задан, будет создана
локальная копия файла. Эта опция определяет, или локальная копия
должна быть использована для моделирования PIC, или
предпочтительнее использовать данные исходного файла. Кроме
этого, в диалоге рис. 4.2, находятся:
Position - положение интерфейса импортируемого файла;
Normal - нормаль к плоскости импортируемого интерфейса;
Xcut / Ycut / Zcut - положение сечения интерфейса вдоль нормали к
плоскости;
Xmin / Xmax / Ymin / Ymax / Zmin / Zmax - параметры поперечного
расширения;
Transformation –геометрические преобразования на импортируемые
плоскости;
X-shift/ Y-shift / Z-shift - сдвиг центральной точки плоскости
интерфейса в направлении x-, y-, или z-;
PIC emission Model;
Edit... - вызов диалога Particle Interface DC Emission Model.
Field suppression – здесь устанавливается длина действия поля

W-length и задается расстояние, перпендикулярное к плоскости

интерфейса. В объеме, касающемся плоскости интерфейса,
статические электромагнитные поля воздействуют на частицы
только по длине W. Нажмите кнопку Preview, чтобы увидеть это
пространство.

4
 5. Моделирование клистрона

Клистро́н - это электровакуумный прибор, в котором

преобразование постоянного потока электронов в переменный
происходит путём модуляции скоростей электронов электрическим
полем СВЧ (при пролёте их сквозь зазор объёмного резонатора) и
последующей группировки электронов в сгустки (из-за разности их
скоростей) в пространстве дрейфа, свободном от СВЧ поля. Клистроны
предложены братьями Вариан в 1939 г.

Рис. 5.1. Схема работы электронной лампы – клистрона

В пролетном клистроне имеются два объемных резонатора с

ёмкостными сеточными зазорами. Первый резонатор называют
входным, или модулято-ром; второй — выходным. Пространство между
ними называют простран-ством дрейфа или группирования.
Применим для моделирования клистрона базовый в программе
Particle метод PIC (Particle in Cell). В этом методе программа выполняет
расчет положения каждой частицы во время передвижения её в
пространстве анализа.
Электроны, эмитируемые катодом, ускоряются постоянным
напряжением U второго электрода и попадают в узкий сеточный зазор
первого резонатора, в котором имеется продольное СВЧ поле. Это поле
периодически ускоряет и замедляет электроны, модулируя электронный
поток по скорости. Двигаясь далее в пространстве дрейфа, электроны
постепенно образуют сгустки за счёт того, что быстрые электроны
догоняют медленные. Этот модулированный по плотности электронный
поток попадает во второй резонатор и создает в нем наведённый ток той
же частоты, что и частота входного модулирующего поля. В результате
5
между сетками резонатора появляется высокочастотное электрическое
поле, которое начинает взаимодействовать с потоком электронов.
Необходимые параметры клистрона подбираются таким образом, чтобы
электрическое поле второго резонатора тормозило сгустки электронной
плотности и ускоряло её разрежения. В результате в среднем за период
одного колебания поля тормозится большее число электронов, чем
ускоряется. Кинетическая энергия электронов преобразуется в энергию
СВЧ колебаний электромагнитного поля второго резонатора, а
электроны, пройдя резонатор, оседают на коллекторе, рассеивая
оставшуюся часть кинетической энергии в виде тепла.

В примере рис. 5.1 поток частиц показывается в виде луча, который

меняет свое сечение и направление под действием электромагнитного
поля. Моделирование потока частиц выполняется методом
Particle-in-Cell (PIC) в диапазоне частот S (2 - 4 ГГц). Поток частиц,
проходя через резонатор, возбуждает и поддерживает на определенном
уровне СВЧ колебания. На выходе прямоугольных волноводах можно
получить мощность, которая соответствует энергии частиц, излучаемых
и движущихся в пространстве резонатора.

Рис. 5.2. Структурная схема работы двухрезонаторного клистрона

Базовая процедура программы PIC (Particle-in-Cell) показывается на

рис. 3.5 как процесс моделирования и расчета траекторий частиц.
Программа PIC не моделирует траектории движения частиц, а
моделирует частицы в собственном поле, используя схему временной
процесс расчета частиц в электромагнитном поле.
6
 Рис. 5.3. Алгоритм расчета положения частиц, используя метод PIC

Алгоритм PIC показан на рис. 5.3 для одного временного шага. В

противоположность методам расчета в программах Tracing и Wave,
изменение поля и зарядов здесь учитываются.
Пример демонстрирует моделирование перемещающихся заряженных
частиц в комбинации с произвольными зависящими от времени полями.
Программа учитывает взаимную связь движения зарядов и
электромагнитного поля. Так как программа PIC внедрена в переходное
решающее устройство CST MWS, то все возможности, связанные с
волноводными портами, дискретными портами, дисперсионными и
гиротропными материалами, доступны в таких расчетах.
Программа использует дискретную версию законов электрической и
магнитной силы.

Аналитическая Цифровой дискретный алгоритм

формула решения
Момент
движения

Положение
частицы

Выходной резонатор клистрона создан объединением цилиндров и

параллелепипедов и заполнен вакуумом. На верхней и нижней границе
стоят волноводные порты (красные). Перпендикулярно резонатору
расположен цилиндр (рис. 5.5), в котором движутся заряженные
частицы. Усиливаемый сигнал может вводиться в волноводные порты.

7
Рис. 5.4. Геометрия выходного Рис. 5.5. Положение источника
резонатора клистрона частиц и портов СВЧ

Определение источника частиц аналогично заданию источника частиц

в электронной пушке в CST PS. Нужно выбрать поверхность эмиссии и
свойства частиц: массу, заряд, начальную энергию и т.д. В этом примере
эмитируется последовательность Гауссовых потоков частиц.

5.1. Создание нового проекта

Рис. 5.6. Выбор шаблона для расчета резонатора, в котором движутся

частицы

Для создания шаблона выполним следующий выбор задачи:

Vacuum Electronic Devices -> Klystron -> Hot Test -> Particle in Cell.
Затем выберем единицы, которые наиболее подходят для
8
моделирования проекта: mm, GHz, ns, Kelvin и зададим материал
окружения как PEC.

5.2. Моделирование структуры

Начертим цилиндр командой Draw-> Cylinder (рис. 5.7):

Рис. 5.7. Диалог цилиндра резонатора выходного

клистрона

Внесем в диалог рис. 5.7 переменные Rcav – радиус резонатора и Lcav –

длину резонатора (рис. 5.8).

Рис. 5.8. Радиус резонатора

Рис. 5.9. Параметры и величины в таблице CST

9
 Активизируйте и сдвиньте систему рабочих координат на верхнюю
сторону цилиндра WCS->Align WCS командой Transform на 22 мм по
оси W.

Рис. 5.10. Черчение цилиндра клистрона

Затем в этой системе координат создадим второй вакуумный

цилиндр командой Modeling: Shapes -> Cylinder (рис. 5.11).

Рис. 5.11.Черчение цилиндра

После создания второго цилиндра, по которому движутся частицы

(рис.
5.12), объединим эти три части.

10
 Рис. 5.12. Объединенная конструкция резонатора

Далее выполним трансформацию рабочей системы координат (рис.

5.13):

Рис. 5.13. Трансформация локальной системы координат

Тогда рабочая система координат переместится в точку на

окружности (рис. 5.14).

11
 Рис. 5.14. Положение смещенной рабочей системы координат

В этой системе координат начертим параллелепипед:

Рис. 5.15. Параметры отрезка волновода.

Значение переменной WW=36.1. Отрезок волновода будет пересекаться с

уже созданной конструкции (рис. 5.16). Ее можно объединить (команда Add
both shapes) с имеющейся формой. Но пока оставим этот волновод
нетронутым, чтобы использовать его для создания его зеркального
отражения.

Рис. 5.16. Пересечение волновода и резонатора

12
 Перейдем к глобальной системе координат и в этой системе
прокрутим с копированием этот параллелепипед (рис. 5.17).

Рис. 5.17. Трансформация с вращением и дублированием для создания

второго отрезка волновода

Результат этой операции показывается на рис. 5.18.

Рис. 5.18. Копирование второго отрезка волновода и объединение

объектов

Зададим источник частиц, вводимых в цилиндрическую часть

клистрона. Выберите ребро с наименьшим значением Z двойным нажатием

13
(рис. 5.19). По команде Simulation: Source and Loads -> Particle Sources ->
Particle Circular Source. Появится диалог рис. 5.20.

Рис. 5.19. Выбор ребра для создания источника частиц

Рис. 5.20. Диалог выбора параметров источника частиц

14
 Выберите опцию «Invert picked normal», снимите опцию «Use pick»,
введите величину Outer Radius = R_tub * 0.3 и величину Znormal = 1.
Кликните кнопку Preview для проверки этих установок (рис. 5.21).

Рис. 5.21. Создание источника частиц с 81 точкой эмиссии, 5-ю линиями

точек в сечении Z=-55 мм

В диалоге рис. 5.20 нажмите Edit (редактирование пучков частиц).

Появится диалог рис. 5.22.

Рис. 5.22. Задание функции плотности зарядов на поверхности

Этот диалог позволяет выбрать функции масштабирования плотности

заряда по радиусу. Связь между радиальной функцией f(r) и
поверхностной плотностью заряда σ(r) выглядит следующим образом:

( 5. 3)

где S - общая площадь эммитируемого круга частиц, Qo - общий

эммитируемый заряд. Можно выбрать следующие типы функций f(r):

15
Constant Постоянная радиальная плотность излучения. В этом случае кнопка Edit
отключена, так как нет параметров, которые нужно задавать.

Gaussian Гауссова радиальная плотность эмиссии. Должны быть указаны

значение функции при R=0 и радиус отклонения.
Polynomial полиномиальная плотность эмиссии. Должны быть указаны значение
функции при R=0, а также степень полинома.
Замечание 1: Общий эмитируемый ток не зависит от радиальной
функции; модифицируются только распределение имитируемых зарядов
по радиусу и ток.
Замечание 2: После того, как программа запущена на расчет,
функции радиального распределения добавляются в 1D Results.

Рис. 5.23. Диалог задания параметров модели эмиссии

16
 Дистанция между сгустками частиц должна быть согласована с
частотой сигнала, который распространяется перпендикулярно потоку
частиц. В диалоге рис. 5.23 она устанавливается равной 87 мм. Это
соответствует времени 40 нсек (рис. 5.24).

Рис. 5.24. Временной процесс эмиттирования частиц

Временной сдвиг между сигналами возбуждения при синхронном

возбуждении портов можно охарактеризовать как сдвиг по времени или
сдвиг по фазе. На этапе установки требует определить phase reference
frequency: значения фазы, определенной в приведенном выше списке
возбуждения преобразуются в соответствующие временные сдвиги для
сигналов с помощью этой опорной частоты. Например,
широкополосный фазовый сдвиг на 180º может быть получен, выбирая:
Amplitude = -1 и Phase = 0. Сгустки, или пучки зарядов движутся друг
за другом с шагом интервала.

5.3. Задание волноводных портов

Поставим волноводные порты на отрезки волноводов (рис. 5.25). В

силу сложности поля, возникающего в процессе взаимодействия частиц
и ЭМ поля, поставим количество мод, равное 4-м.

17
Рис. 5.25. Выделение поверхности Рис. 5.26. Выбор характеристик
порта порта
(4 моды)

5.4. Установки на моделирование

Возбуждение пучком частиц задается круглым источником частиц.

На нижней и верхней y-границах определены два волноводных порта
СВЧ мощности. Дополнительно, задается постоянное магнитное поле
0.2 Tesla, для предотвращения поперечного расширения пучка.

Рис. 5.27. Выбор диапазона частот сигнала от 0 до 10 ГГц

Открытие диалога задания опция солвера PIC выполняется командой

Simulation: Solver -> Setup Solver (рис. 5.28).
18
 Рис. 5.28. Установка времени анализа и аналитического поля

Чтобы задать аналитическое магнитное поле, кликните кнопку

Setting в линии Analytic Field. Появляется диалог задания источника
магнитного поля.

Рис. 5.29. Установка величины аналитического поля B

В разделе Type (рис. 5.29) выберите тип источника магнитного

поля:
• Constant B Vector: Постоянное магнитное поле внутри всей
области расчета.

19
 • Constant H Vector: Постоянная плотность магнитного потока
внутри области расчета.
• 1D Description: Осесимметричное магнитное поле BZ
задается вдоль оси (w в рабочей системе координат или z в
глобальной системе координат). Результирующее магнитное
поле рассчитывается по формуле:

В разделе «Constant B Vector» (рис. 5.29) измените значение Z-

компоненты на -0.2 [Тесла] и кликните OK. Если WCS (рабочая
система координат) активна, величина поля B-Field описывает
плотность магнитного потока вдоль оси w рабочей системы координат
WCS.
6. Перед закрытием диалога «Particle in Cell Solver Parameters», мы
должны выбрать список «Exitation List» и увидеть список сигналов,
которые активизируются при расчете СВЧ (рис. 5.30).

Перед закрытием диалога Particle in Cell Solver Parameters нужно задать

возбуждения типов волн в портах как источники СВЧ излучения.
Если порты возбуждаются, нужно задать амплитуду, временной
сдвиг для ранее заданных сигналов возбуждения. Величина амплитуды
- это амплитуда сигнала порта (в единицах sqrt(W)), но не мощность.
Соответствующая усредненная мощность на порту возбуждения
показана в столбце Power avg.
Выбранные моды могут быть возбуждены одна за другой или
одновременно, задавая различные амплитуды, фазы, временные сдвиги и
возбуждения сигналов. Расчет S-параметров возможен при одновременном
возбуждении, а в этих случаях будут выводиться нормированные спектры
ДПФ.

20
 Рамка одновременного возбуждения (Simultaneous excitation frame)
показывается на рис. 5.30.

Рис. 5.30. Установка одновременного возбуждения портов в

CST

Опция Activate (рис. 5.30) активизирует одновременное

возбуждение мод в порту в соответствии с установками, сделанными
ранее в списке.
Опция Automatic labeling задает сигнал возбуждения для
моделирования. Автоматическое задание включает амплитуду, фазовый
сдвиг, величину временного сдвига и имя сигнала возбуждения.
Обратите внимание, что имя сигнала будет пропущено в случае
глобального опорного сигнала.
В списке List отображаются все ранее определенные метки,
принадлежащие к комбинированным возбуждением сигналов, включая
вклад, внесенный в результаты объединить диалог после шага
постобработки данных.
Отметим, что в случае одновременного возбуждения расчет обычных S-
параметров не возможен и в результате расчета даются так называемые F-
параметры и активные S-параметры.

21
 5.5. Задание СВЧ возбуждения

На рис. 5.30 перечислены все возбуждения (моды порта, а также

временные характеристики), которые могут быть выбраны для
возбуждения, активировав соответствующую кнопку. Эти кнопки
выделены голубым цветом, если соответствующая мода порта
уже успешно рассчитывается.
Если активирован режим одновременного возбуждения, то
конкретные параметры для каждого возбужденной моды порта могут
быть заданы в этом списке. Можно ввести различные значения
амплитуды в сочетании с различными временными сдвигами, или,
альтернативно, измерений фазового сдвига в отношении к определенной
опорной частоте. Все эти параметры применяются для произвольных
сигналов времени, которые могут быть выбраны из заранее
определенных сигналов возбуждения. Все эти значения относятся к
опорному сигналу с амплитудой 1 (1/sqrt(watt)) и нулевой фазовый
сдвиг для волноводного порта. Соответствующая мощность
возбуждения вычисляется как среднее значение amplitude^2 / 2 и
показана в списке.

Рис. 5.31. Установки перед запуском на решение

Сетку разбиения можно видеть, нажав на Mesh View и изменив,

нажав на иконку Global Properties. Тогда в диалоге рис. 5.32 можно
выбрать параметры сетки разбиения.

22
 Рис.5.32. Диалог установки параметров сетки разбиения

Для просмотра процесса распространения частиц, нужно задать

монитор частиц командой Monitors -> PIC Position Monitor в период
времени от 0 до 0.1 нсек (рис. 5.33) и монитор характеристик фазового
пространства

5.6. Результаты расчета

Монитор PIC Position записывает положения, кинетические

характерис-тики и заряды всех частиц каждые 0.1 ns. Сигналы порта
имеются в папке Navigation Tree: 1D Results Port signals.

Во время моделирования, текущие позиции частиц можно видеть в

папке 2D/3D Results Particles Particle preview. Это положение частиц
может быть подставлено, нажимая F5 или выбирая 2D/3D Plot: Plot
Properties Update Results.

23
 Рис. 5.33. Монитор положения частиц Рис. 5.34. Задание фазового монитора
для параметра постоянной
распространения gamma c временным
шагом 0.1 сек.

В результате расчета получаем временные зависимости мод сигнала, рис

5.35.

Рис. 5.35. Временная зависимость волн в СВЧ портах при запуске

потока частиц в клистроне.

Из рис. 5.35 видно, что наибольшую амплитуду имеет первая мода

сигнала на выходном (2-м) порту.

24
 В задачах с пучком частиц, продольный иммитанс - это величина
продольного фазового пространства, занимаемого частицами в пучке.
По оси абсцисс выбираются координаты потока частиц, по оси ординат
– скорость или другие характеристики части, и их компоненты X, Y и Z,
на каждом шаге положения частиц (в рамке Frame). Тогда можно
рассчитать продольный иммитанс. Продольный иммитанс наносится на
графике как функция времени и находится в папке 1D results/PIC Phase
Space Monitors/Longitudinal Emittance (рис. 5.36).

Рис. 5.36. Зависимость постоянной распространения от расстояния

(фазовая характеристика)

Продольный эмиттанс вдоль координаты Z вычисляется, используя в

качестве переменных положения по оси Z и Z', т. е. в продольном
фазовом пространстве, по следующим формулам:

𝜖𝑧 = √𝑉𝑎𝑟(𝑧)𝑉𝑎𝑟(𝑧′) − 𝐶𝑜𝑣(𝑧, 𝑧′),

𝐶𝑜𝑣(𝑢, 𝑣) =< (𝑢 − 𝜇𝑢)(𝑣 − 𝜇𝑣) >,

𝑉𝑎𝑟(𝑢) = 𝐶𝑜𝑣(𝑢, 𝑢).

Символы Cov и Var показывают операцию ковариации и

дисперсии.

25
 Расчет продольного эмиттанса могут быть активированы для всех
мониторов PIC фазовом пространстве, которые выполняют расчет,
используя постпроцессорную обработку на языке VBA.

5.7. Результаты моделирования

Монитор PIC Position Monitor записывает положения, кинетическую

энергию (kinetic quantities) и заряды всех частиц каждые 0.1 ns.
Сигналы на портах можно видеть в папке 1D Results > Port signals.

Во время расчета, положения частиц можно видеть в папке 2D/3D

Results
> Particles . Положения части можно подставить, нажимая F5 или
нажимая в 2D/3D Plot: Plot Properties > Update Results.

На этапе постпроцессорной обработки нужно выполнить

преобразование Фурье отраженного сигнала на порту 1 (рис. 5.37).

Рис. 5.37. Преобразование Фурье отраженного сигнала на порту 1

Чтобы найти частоту, на которой резонирует клистрон (т.е.

координату по оси x), выберем следующую обработку этого спектра:
Результат вида 1D переведем в результаты 0D (рис. 5.38).

26
 Рис. 5.38. Выбор опции постпроцессорной обработки данных

В качестве 1D Results выберем преобразование Фурье от сигнала

o1(1).pic_FT. Далее нужно из полученного тока (рис. 5.39)

Рис. 5.39. Временной процесс тока клистрона

вывести значение максимального тока (т.е. - 470 А). Это можно

сделать на этапе постпроцессорного преобразования, выбирая
обработку 1D -> 0D:

27
 Рис. 5.40. Получение минимального тока на этапе постпроцессорной
обработки

Далее нужно из графика изменения количества частиц (рис. 5.41)

Рис. 5.41. Изменение количества частиц со временем

получить максимальное кол-во частиц, которой достигается в

пространстве клистрона. Для этого выделям 0D результат из
полученной зависимости кол-ва частиц от времени и берем
максимальное значение (рис. 5.42).

28
 Рис. 5.42. Выделение максимального значение в зависимости

Результаты расчета можно найти в дереве проекта после завершения

расчета. Поток частиц можно видеть на рис. 5.43.

Рис 5.43. Передвижение Рис. 5.44. Включение

сгустков электронов в анимации частиц в
пространстве резонатора пространстве прибора

Результат расчета фазового пространства можно видеть, открывая папку

1D Results -> PIC Phase Space Monitor -> PIC Phase Space Monitor 1 (рис.
5.44). Этот график показывает изменение gamma (пропорциональной
энергии) во времени относительно положению по длине. Если вы хотите
получить фазовое пространство в конкретный момент времени, вы можете
выбрать одну рамку в дереве проекта:

29
Рис.5.45. Содержание рамок Рис. 5.46. Временной сигнал на
фазового пространства выходном порту

В папке, которая открывается в NT: 1D Results -> Port Signals ->

o1(1).pic видим выходную временную зависимость. Если порты заданы,
выходные сигналы на этих портах добавляются автоматически к
результатам. В этом примере сигнал на порту 1 показывает, что сгустки
частиц в луче создают радиоволны высокой мощности. NT: 1D Results ->
Solber Statistics [PIC] -> Particle vs. Time (рис. 5.47).

Рис. 5.47. Изменение количества частиц во времени

Этот график показывает общее число частиц внутри области

расчета по времени. Кривая растет, когда новые частицы эмитируются
источником. Она спадает, когда частицы поглощаются твердыми телами
и/или граничными условиями. Этот тип графика особенно полезен, если
возникает эффект мультипакции.
В папке, которая открывается по команде 1D Results -> Emission
Information -> Current -> [Sources] -> particle1 можно видеть изменение
тока во времени (рис. 5.48) .

30
 Рис. 5.48. Изменение тока во Рис. 5.49. Ток, изменяемый во
времени времени
Аналогичный график показывает величину тока эмиссии для всех
источников частиц во времени (рис. 5.49). Этот график по виду близок к
результату «Charges vs. Time».
Этот ток, который протекает через твердые тела и/или
окружающее пространство из-за ударов с частицами - стандартная
характеристика PIC солвера. Ток достигает величины 450 А. Можно
также вывести на график зависимость мощности по времени.
При моделировании распространения частиц можно задать
статические магнитные поля. Эти поля могут быть однородными,
осесимметричными с произвольной продольной зависимостью, или как
ранее было рассчитано CST EM Studio для геометрии произвольной
спирали. В этом случае используется равномерное поле, чтобы
компенсировать дивергенцию потока частиц из-за влияний
пространственного заряда.

Рис. 5.50. Добавленное статическое магнитное поле, чтобы

компенсировать дивергенцию потока частиц из-за влияний
пространственного заряда

31
 Рис. 5.51 показывает траектории частицы имитируемого потока
частиц. Цвет указывает энергию распределения частиц внутри потока
частиц. Распределение амплитуды во времени прохождения потока
частиц имеет распределение Гаусса. Пространственное распределение
заряженных частиц задано как однородное по поперечному сечению
поверхностей. Электрическое поле, вызванное перемещающимися
заряженными частицами показывается на рис. 5.52 Мониторы поля,
зависящего от времени и мониторы частиц показывают влияние
пространственного заряда на поток.

Рис. 5.51. Траектория частиц, Рис. 5.52. Электрическое поле,

проходящих через выходной вызванное движением заряженных
резонатор частиц

Выходная мощность (амплитуда волны) непосредственно получается

в волноводном порту (рис. 5.53). Вначале не имеется никакой выходной
мощности вообще, так как поток частиц пока не проходит через
полость. С увеличением числа прохождений потока частиц, сигнал
достигает расчетного значения клистрона.

Рис. 5.53. Выходной сигнал Рис. 5.54. Спектр частот выходного

32
 в волноводном порту сигнала клистрона
Используя дискретное преобразование Фурье временных сигналов,
получаем соответствующий спектр частот (рис. 5.54). Спектр имеет
максимум на частоте 3 ГГц, что является расчетным значением для
этого клистрона.
В этом примере учитывается взаимная связь между движением
частицы и электромагнитными полями. Это означает, что учитывается
влияние пространственного заряда. Поскольку решающее устройство
PIC находится в интерфейсе CST MWS, будучи в этом интерфейсе
можно вывести информацию, типа выходной мощности, зависящей от
времени.
Частицы могут терять часть своего заряда и массы когда движутся
через материал в виде очень тонкого слоя (в одномерном
представлении), или плоской поверхности. Переводим проект в расчет
по ВЧ и получаем частотную характеристику (рис. 5.56), а также
временной процесс (рис. 5.57) и спектр временного сигнала (рис. 5.58).

Рис. 5.56. Частотная характеристика коэффициента передачи от 1 ко 2-му порту по

1-м модам.

33
Рис. 5.57. Временной процесс на 1 порту и на 2-м порту (амплитуда на 2-м порту
выше)

Рис. 5.58. Спектр на выходном порту клистрона

Рис. 5.59. Запуск на расчет при задании уровня СВЧ мощности на порту 1.

Импорт внешнего поля выполняется по команде Sources and Loads

Source Field Import External Field. Появляется диалог, в котором можно
задать различные внешние поля для моделирований Tracking- и PIC-.
После того, как моделирование запущено, можно видеть
масштабирован-ные значения этих полей, доступные в дереве проекта
под 2D/3D Results. Нужно отметить, что эти поля не включаются в
наблюдаемые поля в мониторах из программы PIC. Кроме того, эти
импортируемые поля не изменяются при индуцировании токов частиц.
Импорт внешнего файла из проекта выполняется командой Sources and
Loads

34
 Source Field Import External Field Add from Project... В
появившийся диалог добавляем поле из внешнего проекта CST к списку
импортируемых полей (рис. 5.59).

6.Метод трассирования частиц в CST

Метод трассирования частиц Tracing Particle используется в

задачах, в которых нужно отслеживать движение каждой из частиц (или
групп частиц) и показывать их воздействие на электромагнитное поле в
пространстве. Метод Tracing Particle используется в решении
следующих задач, находящихся в разделе Examples. Сведем часть из них
в следующуй таблицу:

Depressed Collector Этот пример показывает движение частиц в поглощающем

(поглощающий коллектор) коллекторе с учетом вторичной эмиссии. Модель
вторичной эмиссии, реализованная в CST Particle Studio
основана на вероятностных моделях.
Коллектор поглощает частицы с помощью статического
электрического поля, которое замедляет первичные
электроны. Возможно и ускорение вторичных электронов в
этом поле и тогда они нагревают устройство.
Каждое звено коллектора состоит из материала PEC.
Источник электронов размещен на дне вакуумного
цилиндра и электроны эмитируют с фиксированной
энергией 280 кэВ. В качестве модели вторичной эмиссии
используется модель Furman. Коэффициент вторичной
эмиссии устанавливается равный 2. При решении
задачи используются две программы. Во-первых,
программа для расчета статического электрического поля,
и во-вторых, программа расчета траекторий первичных и
вторичных электронов. Точность электростатического
решателя 10е-6. Для того, чтобы ускорить вычисления поля,
используются симметрия, чтобы уменьшить количество
ячеек разбиения. Симметрия может использоваться при
расчете трассировки частиц, если отключена опция

35
 Drift Tube Этот пример демонстрирует использование
интерфейса частиц. Пушка состоит из эммитируемой
части и трубки дрейфа. Результаты эмиссии были
использованы при выделении данных о частицах с
помощью интерфейса экспорта частиц и эти данные
импортируются в трубку дрейфа.
В этом примере используются полые цилиндры,
формирующие направляющие магниты, трубка дрейфа,
и направляющий катод. Геометрия катушки создаются
путем черчения двух кривых, которые задаются в
локальной системе координат.
Две программы используются для решения задачи: во-
первых, программа расчета постоянных магнитных
полей, которые удерживают пучок в фокусе. Магнитные
катушки питаются током 5 A и имеют 2000 витков.
После расчета представляются трассы движения частиц.
Весовой коэффициент магнитного поля управляет
фокусом траекторий внутри дрейфовой трубки.
Одновременно с траекториями и магнитными полями,
выводятся две характеристики:
-магнитная энергия; - информация о столкновении
частиц
Анализируемый излучатель – это часть так
называемой эмиттерной решетки. Такая решетка состоит
field emitter tip (эмиттер из множества излучателей поля, которые обычно
частиц) находятся на 2D плоскости. Например, они используются
в дисплеях, светодиодах, лазерах.
Излучатель эммитирует частицы, эмиссия которых
зависит от поля. Таким образом, мы используем поле
индуцированного излучения модели отслеживания
частиц. Программа решает задачу, используя уравнение
Фаулера-Нордгейма.
Верхний конус очень мал, и электрическое поле
очень большое в этой области – в этом примере
электрическое поле около 3*109 В/м.

36
electron_gun (пушка Этот пример демонстрирует, как в моделировании
электронов) отслеживаются частицы. Два типа поля используются
здесь - электростатическое поле для ускорения
электронов, иммитируемых из катода и магнитные
поля, которые создаются катушками для фокусировки
пучка электронов.
На цилиндрическом катоде устанавливается источник
частиц. Катушки чертятся, используя сечении и
траекторию вращения. Вторая катушка создается
копированием первой. Для электростатического
расчета к катоду прикладывается потенциал -1000 В,
а аноду потенциал 1000 в. Катушки Гельмгольца имеют
ток 0.4 А и каждая из них содержит 1000
витков. После расчета электростатического и
магнитостатического

поля, программа отслеживания частиц начинает расчет,

используя все имеющиеся результаты поля с весовым
коэффициентом 1. Можно уменьшить или увеличить
напряженность поля в конкретной области, путем
назначения другого весового коэффициента.

multibeam Этот пример показывает многолучевую пушку

частиц. В этом примере рассчитываются два типа полей:
электростатическое поле для ускорения электронов,
которые имитируются из нескольких источников частиц;
и магнитное поле, которое создается током,
управляемым катушкой, и фокусирует электроны так,
что пучки частиц следуют по силовым линиям
магнитного поля через катушку. Три модуля расчета
применяются в этом примере. Но сначала программы E-
static и M-static рассчитывают статические E- и H-поля,
под действием которых движутся частицы.

37
 wien_filter (фильтр Виена) Этот пример показывает, как движение частиц зависит
от электрического и магнитного поля. Протоны,
эмитирующеся анодом, движутся через электрическое
поле конденсатора и магнитное поле катушки. Благодаря
геометрии, магнитное поле перпендикулярно
электрическому полю. Электрическое поле притягивает
протоны к электроду конденсатора, а магнитное поле сил
направляет их в противоположную сторону. Только оба
поля вместе обеспечивают более или менее прямую
траекторию частиц через фильтр Виена.
Для электростатического расчета на катод подается
потенциал -1000 В, а на анод 1000 в. Через катушку
течет ток 1000 A и она содержит 1 виток. Анод и катод
конденсатора состоит из материала PEC, и выполняется
расчет статического поля E и H.
После того, как выполнены расчеты статического
поля E и H, запускается программа трассирования
частиц с 50000 шагами. Можно уменьшить или
увеличить напряженность поля в конкретной области.
Выбор одного поля равному нулю приводит к
искривлению пучка в один электрод конденсатора,
поэтому влияние обоих полей необходимо, чтобы
траектории частиц распространялись через структуру.

Для управления пучками частиц внутри ускорителя

частиц важное значение имеет точная информация о
положении пучка. Прибор для получения этой
информации называется монитором положения пучка
движения частиц. Прохождение частиц внутри
ускорителя генерирует электрическое поле, которое в
данном случае измеряется четырьмя электродами. Такой
метод измерений и дальнейших расчетов требует задания
размеров структуры с высокой точностью.
Монитор положения пучка частиц состоит из
цилиндра и четырех коаксиальных структур, которые
ответвляют электромагнитные волны. Каждая из двух
этих структур находится на противоположных сторонах
цилиндра с портом, на вершине его порты необходимы
для поглощения электрического и магнитного полей.
Пучок частиц с полным зарядом 1e-9 Кулон задается на
оси цилиндра.
Последовательность работы программы трассировки частиц следующая:

1. Запуск магнитостатического солвера и нахождение магнитного

поля.
1.1. Checking model: во время этого шага выполнится проверка на
ошибки, перекрытия материалов и т.д.

38
1.2. Calculation matrix and dual matrix: Решение системы уравнений

1.3. Запуск программы M-Static: Решаются линейные уравнения и

находится поле распределения внутри структуры.

Рис. 6.1. Последовательность работы программы

2. Запуск программы электростатического поля.

2.1. Во время шага «Calculating matrix and dual matrix» выполняется

составление системы уравнений

2.2. Во время шага «E-Static solver is running» выполняется расчет

системы линейных уравнений и статического поля внутри
структуры.

3. Запуск программы Particle Tracking

3.1. Инициализация программы. Анализ структуры для обнаружения

столкновения частиц с твердыми объектами конструкции.

3.2 Запуск Tracing Solver: частицы имитируются и трассируются

через пространство моделирования.

39
 4. Постпроцессорная обработка данных

Из расчета распределения поля, можно получить дополнительные

результаты типа матрицы индуцирования энергии в области расчета.
После нескольких повторения шагов 2 и 3, достигается желаемая
точность -20 дБ итераций частиц, т.е. относительная разность
распределения пространственного заряда между двумя запусками
солвера меньше, чем -20 дБ. Алгоритм работы итеративного солвера и
его сходимость поясняется рис.
6.1. Увидеть движение частиц в 3D виде можно в папке 2D/3D Results -
>
Traectory -> particle1.
Выполним моделирование пушки электронов. Электронная пушка –
это часть сложного прибора, например ускорителя частиц. Пушка
используется для создания пучок хорошего качества. Электроны
вылетают из катода, созданного как источник заряженных частиц. Эти
частицы ускоряются и фокусируются анодом. Дополнительная
фокусировка осуществляется набор магнитов. Пушка окружена
вакуумом и все частицы, эмитируемые ею, поглощаются на границе
внешней области расчета. На рис. 6.2 показана структура пушки. Анод
и катод состоит из PEC, в то время как магнитная структура над анодом
состоит из железа и постоянных магнитов.

Рис. 6.2. Структура пушки электронов

В CST необходимо задать свойства материала окружения. Все, что

вы не заполняете конкретным материалом, будет автоматически
заполнено окружа-ющим материалом. Для данной структуры это
используется для моделирова-ния анода, катода, двух железных дисков

40
и трех магнитов электронной пуш-ки. Окружающее пространство -
вакуум.
Выберем тип задачи Particle Tracing, а также единицы mm, Hz и s.

6.1. Моделирование структуры пушки

Откройте диалог Rotate Profile командой Shapes-> Dropdown

list -> Rotate для создания катода.

1. Нажмите ESC, чтобы вывести диалог рис. 6.3. Профиль чертится по

точкам, координаты которых вводятся последовательно, нажимая на
Tab.

Рис. 6.3. Черчение по точкам катода - пушки электронов. Каждая точка

вводится своими координатами, показанными в сл. табл.:

41
2. Введите имя «cathode» и выберите Z как ось вращения. Материал
переведите в PEC. Структура катода будет выглядеть как на рис. 6.4.

Рис. 6.4. Структура катода электронной пушки

3. Теперь создадим цилиндр, на который будет устанавливаться

источник частиц, командой Draw->Cylinder и заполняя диалог рис.
6.5.

42
 Рис. 6.5. Черчение пушки – источника частиц

4. Далее будем строить анод. Откройте диалог Rotate Profile (рис.

6.6) командой Shapes -> Rotate. Введите имя «anode» и выберите ось
Z вращения.

Рис. 6.6. Черчение анода по точкам

43
 5. Сечение катода чертится по точкам, которые нужно ввести в
диалоге рис. 6.6, используя кнопки Insert:

После нажатия на OK, созданный анод имеет следующую форму:

Рис. 6.7. Анод (сверху) и катод (снизу)

6. Теперь создадим вакуумные диски, которые будут служить постоянными

магнитами. Начертим первый диск и назовем его «magnet» (рис. 6.8).

44
 Рис. 6.8. Черчение дисков для создания магнитов

Поскольку нужно построить три одинаковых цилиндра, используем

операцию трансформации. Вначале выберем «magnet» в дереве
проекта.

Рис. 6.9. Дерево проекта с объектом магнита

7. Откройте диалог Transform Selected Object (рис. 6.10) командой

Modeling:
Tools -> Transform, чтобы скопировать цилиндр.

45
 Рис. 6.10. Выполнение операции копирования со сдвигом

Результирующие 3 диска показаны на рис. 6.11.

Рис. 6.11. Результаты копирования и дублирования колец магнитов

Чтобы задать материал дисков как железо Iron, создадим этот новый
материал командой New-Material (рис. 6.12).

46
 Рис. 6.12. Задание материала намагниченного железа.

Железные диски, которые находятся между магнитами и являются

магнитопроводом, создаются так же, как и магниты. Размеры цилиндра
показаны на рис. 6.13.

47
 Рис. 6.13. Размеры железного диска

Затем скопируйте эти диски со сдвигом по оси Z на 10 мм (рис. 6.14).

Рис. 6.14. Копирование и размножение элементов пушки

Созданные железные диски находятся между магнитными дисками

и имеют красный цвет (рис. 6.15).
48
Рис. 6.15. Окончательная структура пушки электронов и системы
магнитной фокусировки

6.2. Задание потенциалов на элементах пушки и магнитов

Установим потенциалы на все компоненты пушки электронов, для чего:

1. Выберите команду Simulation and Load -> Static Sources ->

Electric Potential и дважды нажмите на поверхность цилиндра
катода в рабочей плоскости. Нажмите клавишу Enter. Появится
диалог рис. 6.16.

Рис. 6.16. Задание напряжения -30000 В на катод

2. Установим на аноде потенциал 0 Вольт (рис. 6.17 - 6.18).

49
 Рис. 6.17. Задание напряжения 0 В на анод

Рис. 6.18. Установка потенциалов на аноде и катоде пушки

электронов

Отметим, что когда объекты находятся в контакте, оба объекта

имеют одинаковый потенциал. Это означает, что «cathode_inner» имеет
потенциал 30 kV.

3. Теперь нужно задать три постоянных магнита на вакуумные

диски.
Для задания первого магнита, выберите
Simulation -> Sources and Loads -> Static Sourcers -> Permanent Magnet.
4. Затем выделите первый магнит.

Появляется диалог (рис. 6.19), в который введите намагниченность

50
Рис. 6.19. Задание постоянного магнитного поля 0.02 тесла, для
намагниченности магнита вдоль оси Z

Другие магниты имеют следующие поля намагниченности:

10. В папке Permanent Magnets можно видеть все три магнита (рис.
6.20).

51
 Рис 6.20. Магниты с намагниченностью разными полями

В рамке направления магнитного поля (рис. 6.21) задается ориентация

магнитного поля. Возможные опции это постоянная, радиальная или
азимутальная магнетизация.

Постоянная магнетизация Радиальная магнетизация Азимутальная магнетизация

Рис. 6.21. Ориентация магнитного поля

Чтобы задать постоянный магнит, на первом шаге в режиме создания
магните, выделите сторону не-PEC твердого объекта. Чтобы выполнить
трансформацию постоянного магнита (подобно трансформации твердого
объекта (смещение, вращение, зеркальное отражение), нужно задать
локальную систему координат SCS на выбранном объекте.
В зависимости от выбранной ориентации задаются параметры
конечной намагниченности. В заключении можно ввести величины в
активной системе координат, которые всегда соответствуют
локальной системе координат (U/V/W).
Remanent flux frame (рамка
остаточного потока)
В этой рамке плотность ремиссионного потока Br может быть
указана только в том случае, если материал, связанный с твердым
магнитом, имеет постоянную магнитную характеристику, что она
52
 является "нормальным" материалом с постоянной относительной
проницаемостью . Если материал определен с нелинейной
магнитной характеристикой, остаточная величина показывается по
нелинейной JH -кривой, которая была введена в диалоге магнитного
материала.

Для типов постоянного намагничивания:

Для описания намагниченности компоненты вектора вводятся в

глобальных (X/y/Z) или локальных координатах (U/V/W), в
зависимости от активной системы координат. Если базовый объект
создан в локальной системе координат (U/V/W), то эта система всегда
будет считаться активной. В противном случае активная система
координат будет присоединена как локальная к твердому телу
магнита. Вектор представляет собой направленность постоянной
намагниченности. Таким образом, длина вектора не влияет на
абсолютное значение плотности потока остаточной намагниченности
Вr.

Дли типов магнитов radial и azimuthal:

Для радиальной ориентации должна быть определена локальная

цилиндрическая система координат. С этой целью местные
нормальные (W/Z-оси, ортогональной к области) и местного
происхождения (в центре поля) должны быть заданы в глобальных
(X/Y/Z) или локальных координатах (U/V/W) в зависимости от
активной системы координат. Если твердые тела созданы в локальной
системе координат (U/V/W) уже это одно всегда будет считаться
активным. В противном случае, активная система координат будет
задана в качестве локальной для магнита. По умолчанию поля в
радиальном направлении предполагается точка от указанного
источника, а поле азимутальной ориентирована против часовой
стрелки по отношению к определению оси.
Установите флажок в обратном направлении для того, чтобы
инвертировать направление поля. Остаточная плотность потока Br
должна быть указана отдельно для постоянных жестких магнитных
материалов.

Material info frame (рамка информации о материале)

В этой рамке магнитного материала показываются магнитные

характеристики жесткого магнита. Кроме имени материала, задается
53
 относительная магнитная проницаемость  и значение
коэрцитивности Hc. Проницаемости и значения коэрцитивной силы
связаны друг с другом и с остаточной индукцией Br. Это можно
видеть на характеристике рис. 6.22.

Рис. 6.22. Нелинейная зависимость B(H) магнитного материала

Магниты для двух кривых 2 и 3 намагничиваются разными полями:
-0.01 Тесла и 0.01 Тесла. Так задаются магнитные характеристики.

6.3. Создание сетки разбиения

Задайте команду Mesh-> Mesh View. Появляется сетка (рис. 6.23).

54
 Рис. 6.23. Сетка разбиение пушки электронов

Сеткой можно управлять, выбирая команду Mesh-> Global Properties

-> Specials -> Snapping и устанавливая, таким образом, разные
плотности сетки на разных объектах.

1. Выберем катод для разбиения

Установим на катод параметры сетки, показанные на рис. 6.24.

Рис. 6.24. Локальное Рис. 6.25. Вид сетки разбиения

разбиение катода на сетку пространства

55
 После нажатия на OK и принятия данной сетки ее вид можно видеть
на рис. 6.25. Общее число ячеек сетки равно 497,536. Информацию о
количестве ячеек можно видеть на нижней информационной линейке.

6.4. Задание источника частиц

Выберите операцию Simulation: Source and Loads -> Particle

Source > Particle Area Source и дважды кликните на внутреннюю
поверхность твердого тела «cathode_ inner» (рис. 6.26, 6.27).

Рис. 6.26. Выбор Рис. 6.27. Структура пушки

компоненты для с выделенным источником
задания на них частиц
источника частиц

Для того, что задать источник частиц на поверхность катода,

выберите команду Simulation: Sources and Loads -> Particle Sources -
> Particle Area
Source и дважды кликните на внешнюю поверхность катода
«cathode_inner». Появляется диалог рис. 6.28.

56
Рис. 6.28. Задание источника частиц. Заряд одной частицы (электрон)
1.6*10-19 Кулон.

Нажмите кнопку Edit справа от выбранной модели SCL - Space

Charge.
Появляется диалог рис. 6.29, в котором выбираются потенциалы,
задающие характеристики пространственного заряда.

Рис. 6.29. Установка потенциалов, от которых зависит эмиссия

57
 Emit. это потенциал поверхности эмиссии, называемый
Potential -
потенциал эмиссии вводится в разделе "Emit. potential".

опорный потенциал (для пушки электронов обычно это

Ref. Potential -
потенциал анода). Оно вводится в разделе "Ref. potential value".
Нажав на кнопку More, можно получить полной диалоговое окно
(рис.6.30), в котором можно установить дополнительную дистанцию
эмиссии частиц.

Рис. 6.30. Задание SCL эмиссии и дистанции эмиссии частиц

Выбрав опцию в диалоге рис. 6.30, можно ввести дополнительные

кинетические установки:
Kinetic type - кинетический тип для будущих свойств эмиссии таких
как
Kinetic Value , Beta, Gamma, Normed Momentum, Energy, Temperature

Distribution - кинетические установки случайного распределения:

Нормальное (Maxwellian) или равномерную (uniformly).

58
 Kinetic value - начальная величина кинетической характеристики
эммитируемых частиц.

Kinetic spread - Распределение энергии (от 0 до 200 %) offers the

possibility to specify a randomly calculated emission energy. Тип
кинетической эмиссии (т.е. энергии, момента) рассчитывается
однородно распределенным в диапазоне
:

Angle spread - максимальную девиацию между начальным углом

частиц и нормалью к плоскости. Угол эмиссии случайно выбирается в
диапазоне между 0 заданной границей начального угла.
Temperature – температура, для задания распределения Максвелла-
Больцмана.
Distribution – задание уровней различных температур распределения
bins Задает число различных уровней температуры для
распределения Максвелла-Больцмана.

Рис. 6.31. Источник частиц

Замечание. Опция «Consider PEC as Normal» устанавливается по

умолчанию только когда используется шаблон Particle Tracking или
PIC.

59
 Рис.6.32. Задание установки PEC как поверхности, с которой частицы
иммитируются по нормали

6.5. Задание граничных условий

Откройте диалог установки граничных условий командой Simulation
-> Setting Boundary и установки условия Open (рис. 6.33).

Рис. 6.33. Задание граничных условий

Более того, зададим некоторое дополнительное пространство между

структурой и границей open (рис. 6.34).

Рис. 6.34. Добавление дополнительного пространства 0.1 мм между

структурой и границей Open

60
 Запуск на расчет
Теперь можно запустить расчет распространения частиц в
электростатическом поле (рис. 6.35). Для этого выбирается опция Gun
Iteration одновременно с активизацией расчета электрического и
магнитного поля.

Рис. 6.35. Запуск на решение с учетом рассчитанного статического

электрического и магнитного поля

В результате расчета можно увидеть как графики, так и трехмерные

картины поля и распространения частиц в пространстве пушки.

6.6. Анализ полученных результатов

В папке 2D/3D Results -> Trajectory -> particle можно видеть
результаты расчета движения частиц. Цвет указывает энергию частиц.
По мере движения в ускоряющем поле энергия частиц увеличивается
(рис. 6.36-6.38).

Рис. 6.36. Цвет показывает энергию частиц

61
 Рис. 6.37. Выбор параметров просмотра потоков частиц

Рис. 6.38. Поток частиц в пространстве ускорителя. Представление

в логарифмическом масштабе

Вид графика можно изменить в диалоге 3D Vector Plot (рис. 6.39).

Его можно открыть командой 2D/3D Plot: Plot Properties -> Properties.
Плотность полей можно отрегулировать, сдвигая ползунок Scaling.
62
 Рис. 6.39. Регулировка представления движения частиц в виде
векторов в пространстве. Выбор плотности стрелок

В случае расчета эмиссии частиц в ограниченном пространстве,

эмиттируемый ток - это важный параметр. Зависимость эммитируемого
тока относительно итерации счета находится в папке 1D Results ->
Particle Source Current -> particle 1 (рис. 6.40).

Рис. 6.40. Зависимость тока пушки от итерации

расчета Эта характеристика позволяет видеть процесс

эмиссии.

В табл. на рис. 6.41 можно видеть точность моделирования. Также,

как на графике рис. 6.40, изменение тока заносится в текст рис. 6.41.
63
 Рис. 6.41. Таблица с токами и зарядами частиц

В папке 1D Results -> Convergence -> Tracing Solver можно

видеть график сходимости (точности) рис. 6.42.

Рис. 6.42. Изменение точности расчета от номера итерации

Информация Collision Information может быть очень интересна,

поскольку эта информация о мощности, которая поглощается твердым
телом.

64
 При задании установок на расчет траекторий частиц, в диалоге рис.
6.43 можно задать несколько источников частиц и выбрать случай
имитирования всеми источниками, или когда только один источник
активен.

Можно выбрать опцию Perform gun iteration (рис. 6.43), чтобы

выполнялся интерактивный процесс и установить относительную
точность -20 дБ.

Рис. 6.43. Диалог запуска на расчет программы трассирования частиц

Тогда программа будет повторять электростатический расчет и затем

рассчитывать траектории частиц, пока не достигнет заданная точность
девиации частиц между двумя успешными итерациями.

В разделе «Tracking field» диалога Particle Tracking перечисляются

электромагнитные поля, которые можно использовать для запуска
программы расчета траекторий частиц.
65
 Если нужно рассмотреть процесс трассирования частиц в поле, то
активизируется этот режим. Величина Factor устанавливает различную
силу величины поля для расчета силы, действующей на частицу. Таким
образом, этот коэффициент дает быстрый способ расчета зависимости
характеристик при изменении силы поля. Активизируем
электростатическое и магнитостатическое поля и установим
соответствующие коэффициенты на 1.

6.7.Параметризация модели пушки частиц

Мы выполнили черчение и анализ пушки частиц. Теперь стоит
задача улучшить ее характеристики и найти условия для получения
этих лучших характеристик. Это можно выполнить, используя
параметрическую оптимизацию структуры.
Предположим, что мы интересуемся током эмиссии при
определенном потенциале катода. Чтобы получить эту зависимость,
параметризуем все потенциалы. Дважды нажмите на
потенциал:Potencial -> catode_pot в дереве проекта (рис. 6.44).

Рис. 6.44. Ввод переменной величины потенциала

Откроется диалог Edit Potencial и потенциал можно изменить.

Вместо числа введем имя «phi» в поле,

Пусть мы хотим изменить потенциал от -32 до -28 кВ. Тогда в

диалоге установок на расчет кликните кнопку «Par. Sweep» (рис.
6.45).

66
 Рис. 6.45. Установка параметров Рис. 6.46. Специальные
на расчет положения частиц в установки решения структур с
пушке движущимися частицами

Рис. 6.47. Выбор параметра при параметрической оптимизации

В диалоге рис. 6.47 вы задаете последовательность, которая

содержит несколько комбинаций параметров. Чтобы создать эту
последовательность, кликните в нижней строке диалога кнопку New
Seq. Затем кликните New Par., чтобы добавить вариации параметров.

67
 Рис. 6.48. Задание пределов изменения параметра

После окончания расчета нам нужно задать результаты, которые

интересуют нас. Это можно сделать на этапе постобработки данных.

Кликните Results Templates. Появляется диалог рис. 6.49.

Рис. 6.49. Выбор характеристики получения тока эмиссии в диалоге

постпроцессорной обработки данных

Выберите характеристику Get Emitted Current (TRK) в группе

Particle group. Этот шаблон рассчитывает и записывает
иммитируемый ток источника частиц. Когда вы выбрали этот
макрос, открывается диалог, в котором находится имя источника
частиц (рис. 6.50). И его нужно ввести.

68
 Рис. 6.50. Выбор источника частиц

После нажатия ОК, в таблице постпроцессорного расчета

открывается следующий ряд:

После окончания расчета вы выбирает в разделе Table следующие

данные: Table -> 0D Results -> Get Emitted Current (TRK).

График рис. 6.51 показывает соотношение между потенциалом

на катоде и эммитируемым током электронной пушки:

Рис. 6.51.Зависимость тока эмиссии от потенциала на катоде

6.8. Автоматическая оптимизация структуры

Например, мы хотим получит ток эмиссии, равный - 0.22 А
(который может быть достигнут в диапазоне напряжения на катоде
от -32кВ … -30 кВ).

69
 CST имеет мощные возможности оптимизации. Если после
запуска на расчет, нажать кнопку Optimize, появится диалог рис.
6.52.

Рис. 6.52. Выбор изменяемых параметров

Выберем изменяемый параметр phi и установим начальное его

значение -31.5e3 и изменение в диапазоне от -32e3 и -30e3.

Рис. 6.53.Задание целевой функции

70
 Рис. 6.54. Выбор целевой функции и веса.

После выбора целевой функции можно запустить процесс

оптимиза-ции и получить потенциал на катоде, при котором
достигается заданный ток.

71
 7. Метод траекторий в CST

Метод расчета траекторий частиц Wakefield (качающееся поле)

реализован в CST так, что в результате его применения можно видеть
картину электромагнитного поля, возбужденного в пространстве во
время движения пучков частиц (кильватерный след).

Метод Wakefield - это метод расчета траекторий не в виде линий, как

в методе Tracing, а в виде сгустков, цветового поля. Количественная
оценка – потенциал поля – рассчитывается как интеграл от
напряженности электрического поля вдоль выбранной линии.

Диэлектрические ускорители с кильватерным методом

ускорения

Предложения об использовании ускоряющих структур, в которых

фазовую скорость волны замедляет диэлектрик, можно отнести к началу
50-х годов 20-го века.
Создание во второй половине 20-го века материалов с большой
диэлектрической постоянной (ε~20÷40) и малыми потерями (tgδ<0.0001)
позволило приступить к разработке таких структур. Интерес к
применению диэлектрических структур обусловлен рядом их
преимуществ, которые особенно важны и, вероятно, могут быть
реализованы, например, при создании электрон-позитронных
коллайдеров на большие энергии. Эти надежды связаны с применением
кильватерного метода ускорения. При возбуждении короткими
импульсами диэлектрические ускорители становятся наиболее
мощными источниками импульсной ВЧ мощности в диапазонах очень
коротких частот.
Помимо исследований по достижению максимального градиента
ускоряющего поля, проводились работы по измерению ВЧ мощности,
генерируемой кильватерным полем. Предполагается, что с
использованием нового инжектора СВЧ будет можно получать
импульсную мощность до 1 ГВт и напряженности кильватерного поля
до ~0,5 ГВ/м при длительностях возбуждающего импульса в 10 нс.
Помимо цилиндрических и плоских диэлектрических структур
были предложены структуры с диэлектрическими пластинами,
расположенными в прямоугольном волноводе.

72
 Эти структуры имеют следующие преимущества
перед цилиндрическими:
1. Структуры позволяют использовать плоские электронные пучки.
2. Их рабочая частота легко подстраивается посредством
перемещения внутрь или наружу стенок волновода, прилежащих к
диэлектрическим пластинам (при наличии зазора между ними).
3. Запасенная в таких структурах энергия на некоторых частотах
больше, чем в цилиндрических структурах, что уменьшает
нагрузку током пучка.
4. СВЧ поле неоднородно в поперечном направлении, в результате
чего на релятивистский пучок действуют фокусирующие силы.
5. Структуры позволяют реализовать многомодные режимы
возбуждения, что приводит к значительному увеличению
напряженности кильватерного поля.

7.1. Лазерные электронный и фотонный плазменные коллайдеры

Лазер-плазменные ускорители имеют высокий ускоряющий градиент 100
ГВ/м. В последнее время в национальной лаборатории им. Лоуренса в
университете Беркли было показано, что лазерно-плазменная технология
может сильно уменьшить длину, а, следовательно, и стоимость будущего
лазерного коллайдера. C учетом этого была разработана концепция создания
линейных коллайдеров на основе лазерно-плазменной технологии.

Физика ускорения электронов в лазерно-плазменном ускорителе

следующая. При определенных условиях лазерный импульс может
эффективно возбуждать плазменные волны – они обычно называются
кильватерными (wake waves): сила, действующая в электрическом и
магнитном поле толкает электроны вперед, образуется локальное
смещение электронов и ионов, а потенциальная сила стремится вернуть
электрон назад. Таким образом возникают осцилляции на плазменной
частоте. Если пучок электронов правильно инжектировать в
кильватерную волну, то его можно эффективно ускорить.
Покажем работу метода Wakefield на конкретной примере –
моделирование потока частиц, идущих через резонатор. Этот поток
частиц, проходя через резонатор, эквивалентен току и возбуждает
магнитное поле. При запуске CST Particle в этом случае выбирается
шаблон Accelerator Components (рис. 7.1).

73
 Рис. 7.1. Выбор шаблона для задачи, решаемой методом Wakefield.

Геометрия резонансной полости, через которую пропускается

пучок частиц, состоит из двух цилиндров со срезанными гранями (рис.
7.13). Решается задача анализа кильватерного следа, который оставляет
за собой поток частиц в резонаторе ускорителя.
Поток электронов, движущихся по близким траекториям в одном
направлении, имеет размеры, значительно большие в направлении
движения, чем в поперечной плоскости. Поскольку поток электронов
является совокупностью одноимённых заряженных частиц, внутри него
имеется пространственный заряд, создающий собственное
электрическое поле. С другой стороны, движущиеся по близким
траекториям электроны можно рассматривать как линейные токи,
создающие собственное магнитное поле. Электрическое поле
пространственного заряда создаёт силу, стремящуюся расширить пучок
(«кулоновское расталкивание»), магнитное поле линейных токов создаёт
силу Лоренца, стремящуюся сжать пучок. Расчёт показывает, что
действие пространственного заряда начинает заметно сказываться при
энергиях электронов в несколько кэВ и при токах в несколько десятых
74
мА. «Стягивающее» действие собственного магнитного поля заметно
проявляется только при скоростях электронов, близких к скорости света
и энергии электронов порядка МэВ. Поэтому при рассмотрении потоков
электронов в различных электронных приборах, в первую очередь
необходимо принимать во внимание действие собственного
пространственного заряда, а действие собственного магнитного поля
учитывать только для релятивистских пучков.
В плазменном ускорителе луч с кильватерным полем лазера
фокусируется на сверхзвуковой струе газообразного гелия. Световой
импульс создает в струе газа плазму, и кильватерное поле ускоряет
некоторые из ее электронов. Получившийся электронный импульс
сжимается и проходит через магнитное поле, отклоняющее частицы
соответственно их энергиям (рис. 7.2).

Рис. 7.2. Структура плазменного ускорителя

Снимки электронных пучков, сделанные в лаборатории

прикладной оптики Французского политехнического института,
показывают, некоторые электроны ускорялись до 100 МэВ, а нижняя
граница диапазона энергий доходила до 0 МэВ. Кроме того, пучок
расходился на целый градус. В последних экспериментах удалось
получить хорошо сфокусированный моноэнергетический пучок с
энергией около 180 МэВ.
В ускорителе с кильватерным полем используется ускоряющая
сила, создаваемая возмущенным распределением зарядов, которое
называют кильватерным полем. Ведущий лазерный или электронный
75
импульс выталкивает электроны плазмы (белые) на периферию,
оставляя за собой область положительного заряда (зеленая область). Она
втягивает отрицательно заряженные электроны назад, и позади
ведущего импульса формируется электронный пузырь (рис. 7.3).

Рис. 7.3. Кильватерный след поля зарядов

Вдоль оси распространения пучка электрическое поле напоминает

крутую океанскую волну. Кильватерное поле придает мощное
ускорение ведомому электронному импульсу, захваченному задней
частью пузыря.

7.2. Моделируемая структура

В CST PS имеются следующие примеры, использующий метод

Wakefield. Покажем в следующей таблице некоторые из них:

76
 В этом резонаторе с высокими потерями на
поверхности выполняется анализ следа поля,
который возникает при пролете сквозь него
пучка электронов.
Пучок частиц задается в сечении структуры с
распределением Гаусса и дисперсией 10 см.
Суммарный заряд имеет значение -1е-12 С. Для
данного моделирования частицы движутся со
скоростью света.
В диалоговом окне программы Wakefield
обеспечивает доступ к параметрам
моделирования. Длина линии моделирования
wakelength равна 12000. Поскольку
проводимость поверхности корпуса полости
относительно невелика (1000 См/М), то
необходимо уменьшить временной шаг и фактор
стабильности от 1.0 до 0.5, во избежание
неустойчивости алгоритма моделирования. Для
более высокой проводимости (например, меди с
5.6e7 См/м), нет необходимости уменьшать этот
коэффициент.

77
 Для управления пучками частиц внутри
ускорителя первостепенное значение имеет
точная информация о положении пучка. Прибор
для получения этой информации называется
монитором положения пучка движения частиц.

Движение частиц внутри ускорителя

генерирует электрическое поле, которое в данном
случае измеряется четырьмя электродами. Такой
метод измерений позволяет определить
направление движения луча.
Каждая из четырех структур состоит из
цилиндра и заканчивается портом, которые
необходимы для поглощения электрического и
магнитного полей.
Частицы пучка с полным зарядом 1e-9 Кулон и
со скоростью света задаются по линии оси
цилиндра.
В диалоговом окне программы расчета
сгенерированного поля, "имитации Wakelength"
должно быть установлено значение 500. Затем
можно запустить программу на счет.
Для вычисления абсолютного значения и
аргумента передаточной функции, определено
несколько шаблонов результата. Результаты
шаблоны находятся в папке "Tables" дерева
проекта. В папке "Results 1D", порт сигналы и
сигналы напряжения мониторы доступны.
Результаты поля wakefield можно увидеть в "1D
Results\Particle Beams".

Создание модели будет состоять из следующих шагов:

1. Черчение цилиндрических частей резонатора, заполненных
вакуумом, и трубки пучка.
2. Округление граней резонатора.
3. Задание параметров пучков носителей (оси, заряд, скорость).
4. Запуск пучка носителей.

78
 Направление пучка частиц в моделируемой структуре (рис. 7.2)
задается по направлению центральной оси трубки. Распределение заряда
в луче всегда имеет форму распределения Гаусса. В данном случае
отклонение выбрано равным 10 см, и полный заряд установлен равным -
1e-12К. В данном расчете считается, что частицы перемещаются со
скоростью света.
Установки на моделирование выполняются в диалоге решающего
устройства поля кильватерного следа. Установка точности изменяется
на «No Check», чтобы моделировать максимальное число импульсов,
которое установлено на 120 в диалоге Solver Special Parameter. Так как
поверхностная проводимость оболочки резонатора относительно низкая
(1000 Сим/м), необходимо уменьшить коэффициент устойчивости с 1.0
до 0.5, чтобы избежать неустойчивости алгоритма моделирования. Если
нужно использовать более высокие проводимости (например, медь:
5.6*107 Сим/м), то этот коэффициент уменьшать не нужно.
В диалоге установок на решение методом кильвательного следа
имеются следующие опции, которые нужно установить как на рис. 7.4.

Рис. 7.4. Диалог установки параметров решения

В диалоге Solver Fmin/Fmax: минимальные и максимальные выбранные

частоты, которые задаются в главном меню командой Solve-> Frequency....
В разделе Samples можно задать число отсчетов, на которых рассчитываются
S-параметры. Это число обычно не влияет на полное время моделирования.

Математическое описание интенсивных потоков электронов

затруднительно, поскольку реальный поток состоит из множества
79
движущихся электронов, учесть взаимодействие между которыми
практически невозможно. При введении некоторых упрощающих
предположений, в частности, заменяя сумму сил, действующих на
выбранный электрон со стороны соседних электронов, и силой действия
на этот электрон некоторой электрически заряженной средой с
непрерывно распределённой плотностью пространственного заряда,
разбивая весь пучок на совокупность «трубок тока», удаётся численно
рассчитать с достаточной для практических целей точностью основные
параметры интенсивного пучка: форму пучка (огибающую),
распределение плотности тока и потенциала по сечению пучка.
В результате расчета результаты моделирования поля
кильватерного следа находятся в папке «1D Results \ParticleBeams\
ParticleBeam». Главный интерес составляют расчеты «Wake potential»,
«Wake Loss Factor» и «Wake impedance». Кроме того, можно
установить двумерный монитор E-поля перед запуском расчета.
Сначала зададим материал окружения. Все объекты, которые вы
не заполняете конкретным материалом, будут автоматически
рассматриваться как фоновый материал. Для этой структуры достаточно
моделировать только объем разреженного пространства. Окружающее
пространство установлено как PEC. Откройте диалоговое окно
Background Properties (SolveBackground), чтобы задать параметры
окружения (рис.7.5). Структура будет описана в PEC пространстве. Это
уже задано в шаблоне проекта.

80
 Рис. 7.5. Задание единиц проекта и материала окружения
ускорителя
7.3. Черчение структуры

Вначале создадим цилиндр вдоль оси z, используя команду

Objects Basic Shapes Cylinder с центром (0,0), внешним радиусом 5
см и высотой 80 см. Введем «beamtube» в поле Name (рис. 7.6).

Рис. 7.6. Диалог создания внутреннего цилиндра ускорителя

Зададим материал заполнения цилиндра «Вакуум». Нажмите

клавишу «пробел», чтобы согласовать величину изображения цилиндра
и размер окна.
Чтобы создать полость резонатора ускорителя, создадим теперь
другой вакуумный цилиндр в рабочей системе координат (WCS),
которую создадим сдвигом локальной системы операцией WCS Move
Local Coordinate System на 25 см в направлении DW (рис. 7.7).

81
 Рис. 7.7. Сдвиг локальной системы Рис. 7.8. Диалог создания
координат на 25 см по оси W цилиндра

Теперь в этой системе координат создадим цилиндр командой

Objects Basic Shapes Cylinder с центральной точкой (0,0), внешним
радиусом 23, высотой 30 и именем cavity (рис. 7.8).
Нажмите OK. Появится сообщение о пересечении и будет запрос
объединении форм (рис. 7.9), в котором мы выбираем «Add both
shapes».

82
 Рис. 7.9. Сообщение Рис. 7.10. Резонатор ускорителя
о пересечении объектов
Сгладить внешние круглые грани полости и грани между полостью
и трубкой (рис. 7.10) можно за один шаг, выбирая их командой
Objects Pick Keep Pick Mode ( ).

83
 Рис. 7.11. Выделение четырех Рис. 7.12. Операция
ребер для срезания сглаживания ребер

Чтобы сгладить ребра, выберем команду Objects Blend Edges… (

). В диалоге Blend Edge (рис. 7.12) введите значение 2 и нажмите OK.
Модель должна выглядеть как на рис. 7.13 (чтобы снять видимость
рабочей плоскости, нажмите клавиши Alt+W).

7.4. Описание источника пучка частиц

Движение частиц в пространстве управляется источником пучка частиц.
Описание пучка состоит из выбора оси распространения и описания
заряженного сгустка частиц с Гауссовой формой. Выберите Objects Pick
Pick Circle Center ( ) из главного меню.

1. Сделайте двойной щелчок на краю нижнего круга трубки пучка. Будет

высвечен выбранный край (рис. 7.13).

Рис. 7.13. Выбор поверхности Рис. 7.14. Задание параметров

резонатора пучка частиц

Откройте диалоговое окно пучка частиц, выбирая Solve Particle

Beam из главного меню. Выводится диалог рис. 7.14, в котором можно
установить свойства луча. Введите значение Sigma=10 (cm) для
продольного отклонения луча Гаусса, и Charge=-1e-12 Кулон для заряда
полного пучка. Скорость по отношению к скорости света Velocity (beta)
установите равным 1. Параметры настройки оси пусть останутся по
умолчанию. После нажатия OK источник пучка создан.

84
 Нажмите на кнопку Wakefields… для вызова диалога рис.
7.15.

Рис. 7.15. Диалог запуска на расчет потенциала следа

В разделе Wake integration method (метод интегрирования

потенциала следа пучка) выберите метод интегрирования для
вычисления потенциала следа: либо прямой, или косвенный. Имеются
три различных метода:

Direct - прямой метод Direct (рис. 7.16) используется, если пучок частиц
не ультрарелятивистский (не близкий к скорости света), или если не
подходит косвенный метод расчета.

Рис. 7.16. Потенциал следа вычисляется интегрированием по оси,

параллельной оси луча

85
Indirect testbeams. Это – наиболее точный метод интегрирования. Он
может использоваться, если луч имеет ультрарелятивистскую скорость
(близкую к скорости света), и поперечное сечение трубки луча на
входной границе равняется поперечному сечению на выходной границе
(рис. 7.17).

Рис. 7.17. Потенциал следа вычисляется, интегрируя продольные

компоненты поля на оболочке трубки луча по прерывистой синей
линии

Indirect interfaces - если поперечное сечение трубки луча разное на

входной и выходной границах, то можно выбирать этот метод для
ультрарелятивистских лучей (рис. 7.18).

Рис. 7.18. Интегрирование следа в обведенной пунктиром области

выполнено непосредственно на оси, параллельной лучу
(пунктирная синяя линия)

Для областей трубки потенциал следа находится вычислением на

поверхностях областей (сплошные синие линии).
Если программа находит, что косвенная схема интегрирования не
может быть применена, используется прямой метод, и будет выведено
предупреждение.

Integration path shift X/Y/Z (сдвиг пути интегрирования)

Если поля кильватерного следа должны быть вычислены на оси,

которая перпендикулярна к оси движения пучка частиц (рис. 7.19),

86
нужно установить эту линию. Продольный сдвиг по оси Z не
используется, поэтому активны только два окна.

Рис. 7.19. Сдвинутые оси пучка и кильватерного следа в резонаторе

Ось пучка частиц на рис. 7.19 показана синей линией, а оранжевые

линии показывают, где будут вычислены поля кильватерного следа. В
этом случае пучок частиц сдвигается вдоль Z-оси, и путь
интегрирования сдвигается в направлении X.

Спектр импедансного пучка (Wake Impedance Spectrum)

Рассчитав временную зависимость пучка, можно оценить его
спектр. Для вычисления спектра кильватерного следа можно применить
фильтрацию cos², чтобы получить плавный спектр для
высокорезонансных структур. Эта фильтрующая функция умножается
на функцию следа прежде, чем выполняется анализ Фурье. Для этого
выберите опцию Apply cos² filtering.

Roll off factor (коэффициент отсечки)

Коэффициент среза (отсечки) может быть выбран между 0 и 1.
Высокое значение означает, что фильтр имеет плавный спад ЧХ, малое
значение определяет крутой спад ЧХ фильтра (рис. 7.20).
Соответственно, кильватерный слой будет сглаживаться.

87
 Рис. 7.20. График отсечки кильватерного следа
Так как структура скрывает визуализацию иммитации частиц, нужно
выбрать команду Navigation Tree Particle Beams, чтобы увидеть источник
пучка (рис. 7.21).

Рис. 7.21. Линия луча (голубые стрелки) и интегральная линия wake

(оранжевые стрелки) в структуре резонатора.

В окне указывается дисперсия луча Sigma = 10 cm, максимальная

частота колебания пучка 1.77*109 Гц, постоянная распространения
Beta=1 и заряд частиц (-1*e-12 Кулон).

7.5. Задание границ и условий симметрии

88
 Моделирование резонатора будет выполняться только в пределах
прямоугольника, ограничивающего структуру. Граничные условия
задаются в диалоговом окне, которое открывается после выбора Solve
Boundary Conditions (рис. 7.22).

Рис. 7.22. Установка граничных условий ускорителя

В этом случае структура внедрена в идеально проводящий

материал, так что границы x и y могут быть определены как «electrical»
(что устанавливается по умолчанию). Z-границы определены как
«open», поскольку поля рассеяния, которые перемещают через трубку
пучок, должны поглощаться на нижней и верхней z-границах.
В дополнение к этим граничным плоскостям можно также задать
плоскости симметрии. Благодаря плоскости симметрии время расчета
уменьшается вдвое.
В нашем примере структура симметрична к оси Z, поэтому yz- и
xzплоскости могут быть установлены как плоскости симметрии.
Возбуждение полей будет выполняться источником пучка частиц, для
которого магнитное поле показывается на рис. 7.23.

Рис. 7.23. Магнитное поле Рис. 7.24. Сетка разбиения

89
 внутри ускорителя ускорителя на
параллелепипеды

Магнитное поле не имеет касательной составляющей к плоскостям

симметрии структуры (полное поле ориентируется перпендикулярно к
этой плоскости). Если установить эти плоскости симметрии как
«magnetic», то можно уменьшить модель до одной четверти
фактической структуры.

7.6. Сетка разбиения на элементы пространства

Метод расчета Wakefield использует разбиение на параллелепипеды.
Генерирование паралеллепипедной сетки будет выполняться автоматически.

Однако, поскольку расчет Wakefield обычно занимает много

времени и ресурсов, рекомендуется рассмотреть сетку разбиения,
задавая команду Mesh Mesh View. Для этой структуры сетка
разбиения на ячейки будет отображена как на рис. 7.24. Одно
двумерное сечение сетки всегда сохраняется в представлении. Изза
установки симметрии плоскость сети растягивается только поперек
одной половины структуры. Ориентацию плоскости сети можно
изменить выбором Mesh X/Y/Z Plane Normal. Плоскость в
направлении нормали перемещается, используя Mesh
Increment/Decrement Index (/) или используя клавиши Up/Down.
Красные точки в модели (fixpoints), которые находит экспертная
система, необходимы для выравнивания сетки в этих точках.
Для расчета Wakefield важно произвести выборку скопления
частиц соответственно в пространстве. Поэтому откройте диалоговое
окно свойств сети, выбирая Mesh Global Mesh Properties (рис. 7.25). В
этом примере имеет место весьма длительное время движения частиц
(по сравнению с размерами структуры), поэтому рекомендуется
увеличить плотность сетки, выбирая Lines per wavelength=20.

90
 Рис. 7.25.Задание опций разбиения на сетку

В случае, если длина потока частиц очень мала, это может сильно
увеличить время расчета. Закройте диалог, нажимая OK, и рассмотрите
уплотненную сетку разбиения (рис. 7.26).

Рис. 7.26. Уплотненная сетка разбиения

Теперь снимем сетку, выбирая снова Mesh Mesh View.

Чтобы понять работу электромагнитного прибора, полезно

исследовать электромагнитное поле в нём. На этом примере интересно

91
видеть, как при движении частиц создаются продольные электрические
поля.
Мониторы поля могут быть определены в диалоговом окне,
которое открывается после того, как выбирается команда Solve Field
Monitors из главного меню.
После выбора типа монитора, нужно задать установки времени в
разделе Specification (рис. 7.27). Время задается в единицах времени,
ранее установленных на «ns».

Рис. 7.27. Установка монитора поля во временной области

Все заданные мониторы перечисляются в папке Monitors дерева

проекта. В этой папке вы можете выбрать конкретный монитор, чтобы
увидеть или отредактировать его параметры.
После того, как моделирование будет выполнено, можно видеть
рассчитанное поле, выбирая соответствующий элемент в дереве
проекта. Результаты монитора можно найти в папке 2D/3D Results.
Результаты упорядочиваются согласно их физической величине (E-
Field/H-Field/Currents/Power flow).

7.7. Запуск моделирования

После задания всех необходимых параметров, можно запустить

моделирование методом wakefield: Solve Wakefield Solver .
В диалоговом окне рис. 7.28 вы можете определить максимальную
длину кильватерного следа wakelength позади местного скопления
92
частиц, которая должна быть рассчитана. Введите значение 200 (cm) в
этом поле.

Рис. 7.28. Параметры решающего устройства

Теперь запустите процедуру моделирования, нажимая Start. В

строке состояния будет появляться информация по ходу решения
задачи.

Наиболее важные шаги расчета следующие:

1. Calculating matrices … (Расчет матриц, подготовка и проверка
модели):
Во время этого шага проверяются ошибки модели, такие
например, как перекрытие областей.
2. Calculating matrices, normal matrix and dual matrix: Во время этих
шагов составляется система уравнений, которая будет пошагово
решаться.
3. Transient analysis, calculating the port modes: На этом шаге солвер
рассчитывает распределение типов волн порта. Эта информация
будет затем использована для анализа структуры во временной
области.
4. Transient analysis, processing excitation: Во время этого шага
пучок частиц вводится в область вычисления. Программа
вычисляет распределение напряженности электрического поля
внутри структуры, а также след пучка частиц (wakefields).
5. Transient analysis, transient field analysis: После того как импульс
пучка был введен, программа продолжает вычислять

93
 распределение напряженности электрического поля и потенциалы
следа, пока вся длина движения пучка не будет вычислена.
Для этой простой структуры весь анализ занимает несколько
секунд.

7.8. Анализ полученных результатов

После того как решающее устройство завершило вычисление следа,
можно просмотреть результаты расчета, выбирая 1D Results Particle
Beams ParticleBeam1 Wake potential. В этой папке (рис. 7.29) можно
найти все сигналы.

Рис. 7.29. Результаты расчета кильватерного следа

Сигналы выводятся в виде графика, показанного на рис. 7.30.

94
 Рис. 7.30. Потенциал вдоль линии кильватерного следа

Как видно из рис. 7.30, продольный потенциал по z-оси

существенно отличается от нуля.
Если вы выбираете электрическое поле, то в соответствии с ранее
выбранным монитором 2D/3D Results E-Field e-field (…), можно
получить график, на котором нет никаких стрелок поля вообще (рис.
7.31).

Рис. 7.31. Траектория кильватерного следа

Это происходит вследствие того, что первая выборка была сделана

в тот момент, когда пучок не был ещё введен в область вычисления.
Выберите другой временной интервал, используя клавиши
«влево»/«вправо». Чтобы улучшить размер и распределение стрелок,
откройте диалоговое окно Results Plot Properties и измените размер и
число стрелок (рис. 7.32). После установки параметров просмотра
трехмерного представления (рис. 7.33), можно анализировать поведение
полей в различных сечениях (рис. 7.34).

95
Рис. 7.32. Просмотр поля Рис. 7.33. Установка в сечении
резонатора параметров просмотра векторного поля

а) б)
Рис. 7.34. Представление полей в сечении ускорителя
а) в логарифмическом масштабе; б) в линейном масштабе

Компьютерное моделирование движения электронного пучка в

самосогласованной нелинейной кильватерной волне стало доступным с
появлением в 1990-х гг. компьютерных программ, способных решить
такую задачу, причем они применяются для исследования либо
отдельных аспектов пучково-плазменного взаимодействия, либо
конкретных численных экспериментов. Динамика ультрарелятивистских
сгустков в плазме представляется весьма сложной для аналитического
исследования. Поэтому поиск оптимальных вариантов кильватерного
ускорения с неизбежностью требует численного моделирования.

96
 8. Расчет мультипакции

СВЧ устройства в разреженном пространстве работают в более

жестких, чем на земле, условиях. Это происходит потому, что в этом
случае появляются условия для увеличения вторичной эмиссии,
генерации холодной плазмы и других явлений, которые вызываются
мультипакцией. Инициирование процессов мультипакации происходит
в процессе развития свч разряда. [14].
Мультипакция представляет собой резонансное электронное
явление, которое происходит из-за ускорения электронов в СВЧ поле,
что становится причиной их столкновением с поверхностью и, в
зависимости от собственной энергии, освобождается один или более
электронов, вылетающих обратно в вакуум. Эти электроны могут затем
ускоряться под воздействием СВЧ полей и соударяться о ту же самую
или другую поверхность. Когда энергия соударения, количество
освобожденных электронов и время соударений становится большим,
происходит длительное мультиплицирование (умножение) количества
электронов, а если явление будет нарастать экспоненциально, что может
привести к пробою.
В космических системах мультипакция вызывает потери и
искажение СВЧ сигнала (увеличение коэффициента шума или
вероятность сбоя) и может привести к прожигу СВЧ приборов из-за
избыточной мощности (рис. 8.1). Как показывает практика, этот прожиг
зависит от материала
(рис. 8.2).

97
 Рис. 8.1.Следы от пробоя Рис. 8.2.Частотная зависимость в
волноводном фильтре
напряжения
пробоя в различных средах от
ширины щели
Вероятность пробоя увеличивается в более разреженной среде (т.е.
в открытом космосе вероятность пробоя выше). Пробой возникает также
при действии газов и плазменных образований (пламени).
Возникновение мультипакции зависит от конструкции, рабочих
частот, качества материалов, поверхности, вида сигнала воздействия
(гармонический или импульсный), уровня мощности, среды окружения,
температуры, давления, радиактивного воздействия.
Мультипактный анализ предполагает нахождение самых жестких
условий с целью предотвращения разрядных явлений.
Явление разряда зависит от материала и описывается вторичной
эмиссией, т.е. степенью выбивания частиц при падении на поверхность
потока первичных частиц.
Если сигналы, которые передаются по линиям и каналам,
импульсные, то для анализа этих систем нужно использовать
многочастотный режим. В некоторых случаях тестирование на
нескольких частотах является предельным случаем импульсного
тестирования, при котором наблюдается превышение порога мощности,
98
и это превышение имеет место в течение коротких промежутков
времени, когда несущие частоты суммируются синфазно. Это делается
для того, чтобы выполнить испытание проборов в различных средах и
на разных частотах (рис. 8.3) с использованием соответствующей
инжекции электронов.

Рис. 8.3.Тестирование прибора на мультипактный пробой

Выполним моделирование мультипактного режима в волноводном

ступенчатом фильтре (рис. 8.4) с учетом вторичной эмиссии электронов,
падающих на поверхности его стенок. Вторичная эмиссия учитывает
выбивание одного или более вторичных электронов, когда электрон
ударяется на поверхность под определенным углом.
Если сила ускоряющего электромагнитного поля и длина пути
движения электрона согласованы, каждое взаимодействие электрона с
поверхностью создаст новые вторичные электроны. Это, наконец,
приводит к лавинному возрастанию носителей и последующему
пробою, что происходит при экспоненциальном росте количества
электронов.

99
 Рис. 8.4. Трансформирующий фильтр с просачиванием сигнала
(частиц) через промежуток в X-диапазоне частот

Описание вторичной эмиссии электронов, реализованная в CST

PARTICLE STUDIO, основана на вероятностной модели [5], которая
устанавливается в диалоге задания материалов.
Одна из граней фильтра задается как поверхность, которая
излучает частицы (электроны). Эти частицы находятся в
электромагнитном поле, и по мере излучения с поверхности начинают
совершать сложные движения, соударяясь со всеми поверхностями.
Поверхность первичного излучения частиц можно выбрать по
признакам наибольшего первичного воздействия, например,
космических частиц.

8.1. Черчение волноводного ступенчатого фильтра

Запустим программу CST PARTICLE STUDIO. Выберем шаблон

и единицы проекта (рис. 8.5).

100
 Рис. 8.5. Шаблон и единицы проекта

Трансформаторный пятиступенчатый щелевой фильтр состоит

только из материала с идеальной проводимостью PEC и заполнен
вакуумом. Центральная частота фильтра 9.5 ГГц, полоса анализа – от 8
до 11 ГГц.
Выберем начало координат в центре фильтра и установим в этой
точке рабочую систему координат WCS.
Начертим центральный элемент фильтра по команде Draw->Brick
в виде параллелепипеда с размерами, которые уточняем в диалоге рис.
8.6.

Рис. 8.6. Черчение центрального элемента фильтра

Затем последовательно начертим сегменты фильтра (рис. 8.7) и (рис. 8.8).

101
 Рис. 8.7. Черчение второго параллелепипеда конструкции фильтра

Черчение третьего параллелепипеда фильтра (рис. 8.8) также

выполняется по команде Draw-> Brick:

Рис. 8.8. Черчение третьего параллелепипеда фильтра

Теперь установим центр локальной системы координат сверху в

середине сегмента фильтра solid1 (рис. 8.9). Выделим объекты solid2 и
solid3 и прокрутим их на 180º вокруг оси Y с копированием.

102