Вы находитесь на странице: 1из 13

Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе

Задание: рассчитать параметры усилительного каскада на биполярном


транзисторе и определить его характеристики с использованием среды
моделирования QUCS.

а) б)
Рис. 1. Усилительный каскад на биполярном транзисторе N-P-N (а) и P-N-P (б)
структуры

Пример расчета
Получено задание:
Rn Rin Up Uin flow fhigh Структура
h21e
Ом В Гц МГц транзистора
500 500 24 0.01 100 20 100 N-P-N
Здесь:
Rn – сопротивление нагрузки;
Rin – сопротивление источника колебаний;
Up – напряжение питания;
Uin – напряжение источника колебаний;
flow и fhigh – нижняя и верхняя граничные частоты, соответственно;
h21e – коэффициент передачи тока базы транзистора.

1. Расчет начинаем с, выбора транзистора. Транзистор нужной структуры


выбираем из Приложения так, чтобы:
а) Up было меньше Uce, max;
б) fhigh была меньше fгр;
в) h21e лежал в пределах от h21e, мин до h21e, мах (или если h21e, мах не приведен,
больше h21e, мин);
Выбираем транзистор 2N3393 со следующими параметрами

Табл. 1. Характеристики выбранного транзистора


Ic max Uce max Pmax fгр Стр-ра
h21e
мА В мВт МГц
100 25 200 >90 120 N-P-N

2. Выбираем Rс = (0,2..0,5)*Rn = 0,5*500 = 250 Ом.


3. Выбираем Re = (0,05..0,15)*Rc = 0,1*250 = 25 Ом.
4. Определяем пригодность транзистора. Для этого собираем в QUCS
схему для снятия статических входных и выходных характеристик выбранного
транзистора (рис. 2).

а) б)
Рис. 2. Схемы для снятия входных и выходных статических характеристик
транзистора N-P-N (а) и P-N-P (б) структуры

5. Добавляем виды моделирования: «Моделирование на постоянном токе»,


два моделирования «Развертка параметра».
6. Настраиваем первую Развертку параметра: моделирование –
Моделирование на постоянном токе, параметр для развертки – Uce, тип –
линейный, начало – 0.01, конец – Up + 2-3 В, число точек – 101.
7. Настроить вторую Развертку параметра: моделирование – Развертка
параметра 1, параметр для развертки – Ib, тип – линейный, начало – 0, конец – 0.5
мВ (это число можно увеличить или уменьшить для увеличения/уменьшения
густоты линий на графике), число точек – 21.
8. Для построения кривой максимальной мощности, рассеиваемой на
коллекторе Pc max (строится на основе выражения Pc max = UceIc = const), создадим
Уравнение и внесем в него выражения
Iс = Pmax/Uce
Pmax = 0.2 (взято из Табл. 1)
9. Строим нагрузочную характеристику. Статическая нагрузочная
характеристика определяет закон изменения выходного сигнала и строится на
выходной характеристике транзистора. Эта характеристика является прямой
линией, для построения которой достаточно двух точек, например, точек её
пересечения с осями. Выходная характеристика транзистора показывает
зависимость Iс от Uce, поэтому рассмотрим значения нагрузочной характеристике
при Ic = 0 (точка c) и Uce = 0 (точка d) (рис. 3). Для этого надо добавить в Уравнение
следующие выражения:
WPL = (Up–Uce)/Rc
Up = 24
Rc = 250

Рис. 3. Нагрузочная характеристика с ограничениями (штриховкой


выделена область с недопустимыми значениями выходного сигнала)

10. Запускаем моделирование (F2). Возвращаемся обратно (F4).


11. Добавляем Декартову диаграмму, добавляем на нее измеренный
амперметром ток коллектора, а также значения переменных Ic и WPL. При этом
границу по оси ординат выбираем так, чтобы она была ~10% больше, чем
максимальный ток нагрузочной характеристики:
Рис. 4. Расчетная нагрузочная характеристика с перегрузкой

12. На диаграмме нагрузочная характеристика пересекла линию


максимальной мощности. Это значит, что этот транзистор в данных условиях
перегреется и сгорит. Следовательно, выбираем другой транзистор с бóльшим
значением максимальной мощности. Например, 2N3019.

Табл. 1а. Характеристики выбранного транзистора


Ic max Uce max Pmax fгр Стр-ра
h21e
мА В мВт МГц
1000 80 800 >100 100 N-P-N

13. Заменяем транзистор на схеме, обновляем данные в уравнении и


настройках моделирования и повторяем моделирование.
Рис. 5. Расчетная нагрузочная характеристика

На диаграмме нагрузочная характеристика лежит ниже линии


максимальной мощности. Транзистор подходит.
14. Определяем параметры рабочей точки. Для этого помещаем маркер на
линию тока коллектора. Перемещая маркер при помощи клавиатурных стрелок,
установить его в середину нагрузочной характеристики (при Uce = Up/2). При этом
он должен находиться в точке пересечения с нагрузочной характеристикой
(скриншот привести в отчете). Выписать в Табл. 2 параметры рабочей точки Ic0 и
Ib0.

Табл. 2. Параметры рабочей точки


Ic0 Ib0 Ube0
мА В
48,3 0,22 0,692

15. Для нахождения Ube0 строим входную характеристику. Для этого


настраиваем первую Развертку параметра: моделирование – Моделирование на
постоянном токе, параметр для развертки – Ib, тип – линейный, начало – 0.01,
конец – 0,5 mA, число точек – 501. Настраиваем вторую Развертку параметра:
моделирование – Развертка параметра 1, параметр для развертки – Uce, тип –
константа, значение: 5 В. Повторяем моделирование.
16. Строим входную характеристику транзистора (скриншот привести в
отчете). Добавляем Декартову диаграмму, добавляем на нее потенциал метки Ube.
Ставим маркер на диаграмму, перемещаем его при помощи клавиатурных стрелок
в точку, где Ib равен Ib0. Выписываем в Табл. 2. Ube0. (примечание: для P-N-P
транзисторов Ube0 берем по модулю).

Рис. 6. Входная характеристика транзистора

17. Находим потенциал базы Ub и ток делителя Id на резисторах R1 и R2:


Ub = Ube0 + (Ib0 + Ic0)*Re = 0.692+(48.3+0.22)*10–3*25 = 1.9 В
Id = (2..10)* Ib0 = 4*0,22 = 0,88 мА
18. Находим величины R1 и R2:
R1 = (Up – Ub) / (Id + Ib0) = (24 – 1.9) / ((0.88+0.22)*10–3) = 20,1 кОм
R2 = Ub / Id = 1.9 / (0.88*10–3) = 2,16 кОм
19. Рассчитываем ёмкости конденсаторов. Так как разделительные
конденсаторы С1 и С2 не должны существенно ослаблять переменную
составляющую (полезный сигнал), значения их ёмкостей для всех типов
усилительных каскадов:
(10. .50) ∙ 106 10 ∙ 106
С1 = , мкФ = = 31,8 мкФ
2𝜋𝑓𝑙𝑜𝑤 𝑅𝑖𝑛 2𝜋 ∙ 100 ∙ 500
(10. .50) ∙ 106 10 ∙ 106
С2 = , мкФ = = 31,8 мкФ
2𝜋𝑓𝑙𝑜𝑤 𝑅𝑛 2𝜋 ∙ 100 ∙ 500
Ёмкостные сопротивления шунтирующего конденсатора Ce на низшей
частоте flow усиливаемого сигнала должны быть на порядок меньше
сопротивлений резисторов, которые они шунтируют
(10. .50) ∙ 106 10 ∙ 106
С𝑒 = , мкФ = = 637 мкФ
2𝜋𝑓𝑙𝑜𝑤 𝑅𝑒 2𝜋 ∙ 100 ∙ 25
20. Согласно Приложению приводим номиналы рассчитанных элементов к
ряду Е24 (именно такие номиналы есть в продаже).

Табл. 3. Результаты расчетов


Rc Re R1 R2 C1 C2 Ce
Ом мкФ
Расчет 250 25 20,1 2,16 31,8 31,8 637
Е24 240 24 20 2,2 33 33 680

21. Собираем схему на рис. 1 с номиналами из ряда Е24. Для источника


переменного тока выставляем частоту f = 10 кГц.
22. Добавляем моделирование переходного процесса и настраиваем его:
тип – линейный, начало – 0 мс, конец 1 мс, число точек – 501.
23. Запускаем моделирование (F2). Возвращаемся на схему (F4).
Добавляем декартову диаграмму, на нее добавляем потенциалы точек на входе и
выходе из усилителя, полученные при моделировании переходного процесса.
24. Добавляем на каждую линию по маркеру и находим максимальные
значения напряжения на входе и выходе из усилителя (Рис. 7, его скриншот тоже
приложить к отчету). Усилитель считается хорошо замоделированным, если сдвиг
фаз на входе и выходе равен 180º (сигналы в противофазе).

Рис. 7. Осциллограмма сигнала на входе и на выходе из усилителя

25. Рассчитываем коэффициенты усиления:


По напряжению
мах
𝑈вых 0,468
𝐾𝑢 = мах = = 170
𝑈вх 0,00275
По току
мах мах
𝐼вых 𝑈вых /𝑅𝑛 0,468/500
𝐾𝑖 = мах = мах = = 170
𝐼вх 𝑈вх /𝑅𝑖𝑛 0,00275/500
По мощности
𝐾𝑝 = 𝐾𝑖 ∗ 𝐾𝑢 = 170 ∗ 170 = 28900
Приложение
Варианты заданий
Rn Rin Up Uin flow fhigh Структура
№ h21e
Ом В Гц МГц транзистора
1 2k 400 15 0.01 50 150 25 P-N-P
2 10k 500 30 0.01 100 2 30 N-P-N
3 1k 400 24 0.01 120 170 60 P-N-P
4 2k 300 36 0.01 75 280 200 N-P-N
5 750 600 18 0.01 75 50 30 P-N-P
6 3k 500 32 0.01 125 270 40 N-P-N
7 1.5k 450 36 0.01 150 250 100 P-N-P
8 4k 750 75 0.01 100 120 200 N-P-N
9 2.5k 450 50 0.01 120 60 40 P-N-P
10 3k 550 36 0.01 75 180 550 N-P-N
11 400 450 32 0.01 50 120 750 P-N-P
12 500 600 32 0.01 175 110 800 N-P-N

Если номер вашего варианта больше 12, то нумерация продолжается начала.


Так, например, 17 вариант – это 5 вариант.
Приложение.
Ряд Е24 номинальных значений сопротивлений резисторов и ёмкостей
конденсаторов

1,0 1,1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,7 3,0
3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1

Номинальные значения сопротивлений (ёмкостей) соответствуют числам в


приведённой таблице или числам, полученным умножением или делением этих
чисел на 10n, где n – целое положительное или отрицательное число.
Например, если в результате расчётов получены следующие значения:

R = 315 Ом – принимаем R = 300 Ом (Е24), либо R = 330 Ом (Е24);


R = 9685 Ом – принимаем R = 9,1 кОм (Е24), либо R =10 кОм (Е24);
C = 0,487 мкФ – принимаем C = 0,47 мкФ (Е24), либо C = 0,51 мкФ (Е24).

Выбор того или иного номинального значения обусловлен местом


включения резистора или конденсатора в схему электронного устройства. Как
правило, если резисторы включены последовательно (например, в делителе
напряжения), то значения их сопротивлений принимают либо бо́льшими, либо
ме́ньшими одновременно. Значения ёмкостей конденсаторов в усилительных
каскадах чаще всего выбирают бо́льшими.
Марка h21э
Ik‧MAX, mA Ukэ‧MAX, В Pk‧MAX, мВт fгр, МГц ТИП
транзистора мин макс
2DA1774R 100 50 150 180 390 30 N-P-N
2DC4617R 100 50 150 180 390 1 P-N-P
2N2219A 10 75 800 100 300 100 N-P-N
2N2222 800 30 500 100 300 250 N-P-N
2N2222A 10 40 800 50 300 100 N-P-N
2N2369A 200 40 350 40 120 100 N-P-N
2N2484 50 60 360 100 - 60 N-P-N
2N2905A 600 60 600 50 - 200 P-N-P
2N2907 600 40 400 30 - 200 P-N-P
2N2907A 600 60 400 100 - 200 P-N-P
2N2955 100 25 150 20 60 200 P-N-P
2N3019 1000 80 800 100 - 100 N-P-N
2N3053 700 40 5000 50 250 100 N-P-N
2N3055 15 60 115 20 70 2,5 N-P-N
2N3390 100 25 200 400 800 70 N-P-N
2N3391A 100 25 200 250 - 160 N-P-N
2N3392 100 25 200 150 - 120 N-P-N
2N3393 100 25 200 90 - 120 N-P-N
2N3415 500 25 360 180 - 180 N-P-N
2N3416 500 50 360 75 - 75 N-P-N
2N3417 200 50 360 180 - 180 N-P-N
2N3501 300 150 1000 100 300 150 N-P-N
2N3700 1000 80 500 100 - 100 N-P-N
2N3702 500 25 620 60 - 100 P-N-P
2N3703 500 30 300 30 - 100 P-N-P
2N3859A 100 60 200 100 - 90 N-P-N
2N3903 200 40 350 50 150 250 N-P-N
2N3904 200 40 500 100 400 300 N-P-N
2N3905 200 40 350 50 150 200 P-N-P
2N3906 200 40 350 100 300 250 P-N-P
2N3947 200 40 360 40 - 300 N-P-N
2N4123 50 30 625 50 200 250 N-P-N
2N4124 300 25 500 120 480 300 N-P-N
2N4125 200 30 625 50 150 200 P-N-P
2N4126 200 40 500 120 360 250 P-N-P
2N4400 600 40 350 50 - 200 N-P-N
2N4401 600 40 350 100 - 250 N-P-N
2N4402 600 40 350 50 - 150 P-N-P
2N4403 600 40 350 100 - 200 P-N-P
2N4410 100 80 625 60 - 60 N-P-N
2SA1213 2000 50 1000 70 120 P-N-P
2SC2873 2000 50 1000 70 240 120 N-P-N
BC107A 200 45 600 110 150 N-P-N
BC108BP 100 20 300 450 150 N-P-N
BC109C 200 25 600 420 150 N-P-N
BC184BP 100 30 300 240 150 N-P-N
BC548C 100 30 625 420 150 N-P-N
BC549 100 30 625 110 800 250 N-P-N
BC639 1000 80 800 40 200 N-P-N
BC640 1000 80 800 40 160 150 P-N-P
Марка h21э
Ik‧MAX, mA Ukэ‧MAX, В Pk‧MAX, мВт fгр, МГц ТИП
транзистора мин макс
BC807-16 1200 45 350 100 250 P-N-P
BC807-25 500 45 350 160 400 P-N-P
BC807-40 500 45 350 250 600 P-N-P
BC817-16 500 45 330 100 250 200 N-P-N
BC817-25 500 45 330 160 400 200 N-P-N
BC817-40 500 45 330 250 600 200 N-P-N
BC856A 100 65 300 125 250 100 P-N-P
BC856AW 100 65 200 125 250 100 P-N-P
BC856B 100 65 300 220 475 100 P-N-P
BC856BW 100 65 200 220 475 100 P-N-P
BC857A 100 45 300 125 250 100 P-N-P
BC857AW 100 45 200 125 250 100 P-N-P
BC857B 100 45 300 220 475 100 P-N-P
BC857BW 100 45 200 220 475 100 P-N-P
BC857C 100 45 300 420 800 100 P-N-P
BC857CW 100 45 200 420 800 100 P-N-P
BC858A 100 30 300 125 250 100 P-N-P
BC858AW 100 30 200 125 250 100 P-N-P
BC858B 100 30 300 220 475 100 P-N-P
BC858BW 100 30 200 220 475 100 P-N-P
BC858C 100 30 300 420 800 100 P-N-P
BC858CW 100 30 200 420 800 100 P-N-P
BC859A 100 30 300 110 220 100 P-N-P
BC860A 100 45 300 110 220 100 P-N-P
BFS20 25 20 250 40 85 275 N-P-N
FZT458 400 400 2000 100 300 20 N-P-N
FZT489 1000 30 2000 100 300 150 N-P-N
FZT491 1000 60 2000 100 300 150 N-P-N
FZT491A 1000 40 2000 300 900 150 N-P-N
FZT493 1000 100 2000 100 300 150 N-P-N
FZT549 1000 30 2000 100 300 100 P-N-P
FZT558 150 400 2000 100 300 50 P-N-P
FZT560 150 500 2000 100 300 50 P-N-P
FZT589 1000 30 2000 100 300 100 P-N-P
FZT591 1000 60 2000 100 300 150 P-N-P
FZT591A 1000 40 2000 300 800 150 P-N-P
FZT649 3000 25 2000 100 300 150 N-P-N
FZT651 3000 60 2000 100 300 140 N-P-N
FZT653 2000 100 2000 100 300 140 N-P-N
FZT655 1000 150 2000 50 - 30 N-P-N
FZT657 500 300 2000 40 - 50 N-P-N
FZT658 500 400 2000 40 - 50 N-P-N
FZT688B 4000 15 2000 100 - 150 N-P-N
FZT689B 3000 20 2000 150 - 150 N-P-N
FZT690B 2000 45 2000 50 - 150 N-P-N
FZT692B 1000 70 2000 150 - 150 N-P-N
FZT694B 1000 120 2000 150 - 130 N-P-N
FZT696B 500 250 2000 150 - 70 N-P-N
FZT717 3000 12 2000 160 - 100 P-N-P
FZT749 3000 25 2000 100 300 100 P-N-P
FZT751 3000 60 2000 100 300 100 P-N-P
Марка h21э
Ik‧MAX, mA Ukэ‧MAX, В Pk‧MAX, мВт fгр, МГц ТИП
транзистора мин макс
FZT753 2000 100 2000 100 300 100 P-N-P
FZT755 1000 140 2000 20 - 30 P-N-P
FZT757 500 300 2000 40 - 30 P-N-P
FZT758 500 400 2000 40 - 50 P-N-P
FZT788A 8000 15 2000 500 1500 50 P-N-P
FZT788B 3000 15 2000 500 1500 100 P-N-P
FZT789A 3000 25 2000 300 800 100 P-N-P
FZT790A 2000 40 2000 300 800 100 P-N-P
FZT795A 500 140 2000 300 800 100 P-N-P
FZT796A 500 200 2000 300 800 100 P-N-P
FZT849 7000 30 3000 100 300 100 N-P-N
FZT851 6000 60 3000 100 300 130 N-P-N
FZT853 6000 100 3000 100 300 130 N-P-N
FZT855 5000 150 3000 100 300 90 N-P-N
MMBT3906 200 40 225 100 250 P-N-P
MMBTA05 500 60 225 50 100 N-P-N
MMBTA06 500 80 225 50 100 N-P-N
MMBTA42 500 300 225 40 50 N-P-N
MMBTA55 500 60 225 100 50 P-N-P
MMBTA56 500 50 225 50 50 P-N-P
MMBTA92 500 50 225 25 50 P-N-P
MMST2907A 800 45 200 30 180 200 P-N-P
MMST3906 200 20 200 100 300 150 P-N-P
MMST4126 200 25 200 120 360 250 P-N-P
MMST4401 600 30 200 100 300 250 N-P-N
MMST4403 800 30 200 30 180 200 P-N-P
MPS3702 600 30 625 60 300 100 P-N-P
MPS3703 600 80 625 30 150 100 P-N-P
MPS6513 100 80 625 90 100 N-P-N
MPS6514 100 45 625 150 100 N-P-N
MPS6515 100 45 625 250 100 N-P-N
MPS6518 100 45 625 150 300 200 P-N-P
MPS6521 100 45 625 300 100 N-P-N
MPS6531 600 45 625 90 270 250 N-P-N
MPS6534 600 45 625 90 270 260 P-N-P
MPS6562 500 65 625 50 200 60 P-N-P
MPS8098 500 65 625 100 150 N-P-N
MPSA05 500 65 625 50 100 N-P-N
MPSA06 500 65 625 50 100 N-P-N
MPSA10 200 45 300 40 125 N-P-N
MPSA18 200 45 625 500 100 N-P-N
MPSA20 100 45 625 40 125 N-P-N
MPSA42 500 45 625 40 50 N-P-N
MPSA43 500 45 625 40 50 N-P-N
MPSA55 500 45 625 50 50 P-N-P
MPSA56 500 80 625 50 100 P-N-P
MPSA92 500 300 625 40 50 P-N-P
MPSA93 500 40 625 25 40 P-N-P
MPSL01 150 40 625 50 60 N-P-N
MPSL51 600 25 625 40 250 60 P-N-P
TIP35C 25000 40 125 15 75 3 N-P-N
TIP36C 25000 100 12500 15 75 3 P-N-P
TIP41C 6000 25 2000 15 75 3 N-P-N
TIP42C 6000 100 2000 15 75 3 P-N-P
Марка h21э
Ik‧MAX, mA Ukэ‧MAX, В Pk‧MAX, мВт fгр, МГц ТИП
транзистора мин макс
TN6714A 2000 30 1000 50 N-P-N
TN6715A 1500 25 1000 50 N-P-N
TN6726A 1500 25 1000 50 250 P-N-P
TN6728A 1200 40 1000 50 250 P-N-P
TN6729A 1000 25 1000 50 250 P-N-P

Оценить