а) б)
Рис. 1. Усилительный каскад на биполярном транзисторе N-P-N (а) и P-N-P (б)
структуры
Пример расчета
Получено задание:
Rn Rin Up Uin flow fhigh Структура
h21e
Ом В Гц МГц транзистора
500 500 24 0.01 100 20 100 N-P-N
Здесь:
Rn – сопротивление нагрузки;
Rin – сопротивление источника колебаний;
Up – напряжение питания;
Uin – напряжение источника колебаний;
flow и fhigh – нижняя и верхняя граничные частоты, соответственно;
h21e – коэффициент передачи тока базы транзистора.
а) б)
Рис. 2. Схемы для снятия входных и выходных статических характеристик
транзистора N-P-N (а) и P-N-P (б) структуры
1,0 1,1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,7 3,0
3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1