Вы находитесь на странице: 1из 2

Известия ТРТУ Специальный выпуск

низмов, приводящих к эффекту геттерирования переходных металлов [1,2], спо-


собствуют новые способы контроля этого процесса.
В работе [3] с помощью радиоактивного индикатора исследованы профили
распределений изотопов 64Cu и 55Co в пластинах кремния, выращенных по ме-
тоду Чохральского, и в p/p+ эпитаксиальных пластинах, легированных B, после
отжига в течение 30 минут при температурах в диапазоне (900 – 1000) °С в атмо-
сфере Ar. При этом установлено, что распределение Cu коррелируют с распределе-
нием В в p/p+ эпитаксиальных пластинах. Предполагается, что вследствие смеще-
ния уровня Ферми в области кремния с высоким содержанием В происходит сни-
жение энергии активации диффузии Cu, что указывает на действие механизма гет-
терирования посредством электрического взаимодействия между ионами В. Рас-
пределение Co в пластинах, выращенных по методу Чохральского, и в p/p+ эпитак-
сиальных пластинах одинаково, то есть не зависит от наличия в кремнии областей
с высоким значением концентрации В. Вместе с тем, распределения Cu и хорошо
коррелируют с распределениями плотности объемных микродефектов (преципита-
тов SiO2), что, в свою очередь, свидетельствует о действии механизма сегрегаци-
онного геттерирования Cu и Co, при котором ускоренная диффузия атомов приме-
си к центрам геттерирования обусловлена полями упругих напряжений дефектов.
Результаты экспериментов [3] представляют значительный интерес, с точки
зрения оценки адекватности известных моделей процессов геттерирования [4] и
постановки новых задач моделирования в этой сфере исследований.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Kazuhito Matsukawa, Hideki Naruoka, Nobuyoshi Hattori, Yoji Mashiko. Study of Cu and Co
gettering mechanism using radioactive isotope tracers //Applied Surface Science 216, 2003,
p.371–375.
2. Koji Sumino. Basic aspects of impurity gettering //Microelectronic Engineering 66, 2003,
p.268–280.
3. Myers S. M., Seibt M., Schroter W. Mechanisms of transition-metal gettering in silicon
//Journal of applied physics, volume 88, number 7.2000, p.3795-3891
4. Захаров А.Г., Котов В.Н., Кракотец Н.А. Моделирование процесса геттерирование
примесей в кремнии. Микросистемная техника, 2001, №1. – С. 25.

УДК 621.315.592
Ю.Б. Какурин
МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ ФОНОВОЙ ПРИМЕСИ
ВБЛИЗИ КРАЕВОЙ ДИСЛОКАЦИИ В КРЕМНИИ
Актуальной в настоящее время является проблема исследования распределе-
ния атомов фоновых примесей при их диффузии в полях напряжений различных
дефектов кристаллической решетки, ввиду использования их геттерирующих
свойств.
В работе проводилось моделирование перераспределения атомов фоновых
примесей в дислокационном кремнии, со значениями концентраций, обоснован-
ными в работе [1]: для кремния, выращенного по методу Чохральского – кислород
(NО = 1⋅1017 ÷ 2⋅1018 см-3); углерод (NC = 4⋅1016 ÷ 5⋅1017 см-3); переходные металлы
(N < 5⋅1013 см-3); выращенного по методу бестигельной зонной плавки – кислород

62
Секция физики

(NО = 1⋅1014 ÷ 1⋅1016 см-3); углерод (NC = 2⋅1015 ÷ 1⋅1017 см-3); медь (NCu = 5⋅1011 см3);
золото (NAu = 5⋅108 см-3); переходные металлы (N< 5⋅1013 см-3).
Задачу моделирования можно решить с использованием основного уравнения
диффузии атомов примесей в полях внешних сил, обусловленных краевой дисло-
кацией в кремнии [2]. Решение проводилось для температуры, равной T = 1000°C,
при следующих значениях коэффициентов диффузии для перечисленных выше
атомов примесей: DО = 6⋅10-12 см2/с; DС = 8⋅10-13 см2/с; DСu = 2⋅10-4 см2/с;
DАu = 5⋅109 см2/с. Таким образом, получены распределения атомов примесей вбли-
зи краевой дислокации в кремнии для различных значений времени.
Результаты численного решения уравнения диффузии позволяют оценить
наиболее вероятный состав примесной атмосферы вблизи краевой дислокации в
кремнии и могут использоваться при исследовании процессов геттерирования не-
желательных атомов примесей в кремниевых полупроводниковых структурах, а
также при обосновании структуры кластера кремния с дислокацией для расчета его
электронного энергетического строения.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Немцев Г.З., Пекарев А.И., Чистяков Ю.Д., Бурмистров А.Н. Геттерирование точечных
дефектов в производстве полупроводниковых приборов //Зарубежная электронная тех-
ника. ЦНИИ «Электроника»; 1981, №11. С. 3-63.
2. Гутникова Г.М., Любов Б.Я. Расчет времени, необходимого для формирования атмо-
сферы примесных атомов вокруг краевой дислокации //Техническая физика. – 1969. – Т
184, №5. – С. 1095 −1098.

УДК 551.5+551.594
А.С. Болдырев, А.Г. Клово, Г.В. Куповых
О ВЗАИМОДЕЙСТВИИ АЭРОЗОЛЬНЫХ ЧАСТИЦ С АЭРОИОНАМИ В
ПРИЗЕМНОМ СЛОЕ АТМОСФЕРЫ
Согласно современным данным, аэрозольные частицы в диапазоне размеров
(0,01-0,2)мкм при концентрациях порядка 109 м-3 и более оказывают значительное
влияние на параметры атмосферного электричества. При достаточно больших кон-
центрациях электрическое состояние приземного слоя может определяться только
тяжелыми ионами, образовавшимися за счет взаимодействия аэрозоля с аэроионами.
В известных моделях электрического состояния приземного слоя [1] предпо-
лагается присутствие в атмосфере аэрозоля в стационарном состоянии и с посто-
янной концентрацией, что выполняется при малом количестве примесей вдали от
источника. В ионизационно-рекомбинационные уравнения тяжелые ионы входят в
виде слагаемых: η1n1,2 N 2,1 и η 2 n1,2 N 0 (η1,2 – коэффициенты воссоединения)
при условиях η2 n1,2 N 0 − η1n2,1N 1,2 = 0 , N1 + N 2 + N 0 = const , где N1, N2 –
концентрации положительных и отрицательных тяжелых ионов, N0 – нейтральных
частиц. В нестационарном приземном слое при наличии турбулентной диффузии
как аэроионов, так и аэрозольных частиц, данные условия могут не выполняться.
Тогда необходимо более детально учитывать распределение аэрозольной примеси
в турбулентном приземном слое. Для этого может быть использована нестацио-
нарная модель диффузии примеси в атмосфере [2]:

63

Оценить