Вы находитесь на странице: 1из 11

Профессор Г. А.

Иванов и его научная школа

ИНФОРМАЦИЯ

В. М. Грабов

ПРОФЕССОР Г. А. ИВАНОВ И ЕГО НАУЧНАЯ ШКОЛА

Статья посвящена памяти профессора Г. А. Иванова — известного ученого, спе-


циалиста в области физики твердого тела, педагога, заведующего кафедрой общей и
экспериментальной физики РГПУ им. А. И. Герцена, организатора научного направле-
ния и научной школы в области физики полуметаллов и узкозонных полупроводников.
Дана характеристика его научной и педагогической деятельности. Произведен обзор
основных научных результатов, полученных Г. А. Ивановым и его научной школой.

Георгий Александрович Иванов отно- тута, ныне Российского государственного


сится к поколению ученых, чьи школьные педагогического университета им. А. И.
годы пришлись на предвоенное время, а Герцена, где в течение 30 лет (с 1961 по
окончание школы практически совпало с 1991 год) заведует кафедрой общей и экс-
началом Второй мировой войны. Природа периментальной физики. Интуиция уче-
щедро одарила Георгия Александровича: ного подсказывала, что начатая им тема
наряду со способностями к наукам он научной работы очень перспективна и
имел хороший голос, занимался живо- может иметь большой практический выход.
писью. Он основывает на вверенной ему ка-
После войны, в 1945 году, Г. А. Ива- федре новое научное направление по фи-
нов поступает на физико-математический зике полуметаллов и узкозонных полу-
факультет Ленинградского государствен- проводников. С помощью аспирантов
ного педагогического института, где в это создает научную лабораторию и на базе
время работает известный специалист в этой лаборатории свою научную школу.
области физики твердого тела, соратник Интенсивные научные исследования
А. Ф. Иоффе, впоследствии директор ин- обеспечили широкую возможность под-
ститута полупроводников АН СССР, пре- готовки научно-педагогических кадров.
красный педагог Анатолий Робертович За время работы в РГПУ им.
Регель. Встреча с А. Р. Регелем предопре- А. И. Герцена Г. А. Иванов подготовил
делила всю дальнейшую судьбу более 60 кандидатов и 6 докторов физико-
Г. А. Иванова. До конца своей жизни Ге- математических наук. В настоящее время
оргий Александрович с благодарностью и его ученики работают в вузах и научных
глубоким уважением вспоминал своего учреждениях России и за рубежом. Мно-
учителя. гие из них стали докторами наук, профес-
В 1952 году по результатам исследо- сорами, заведующими кафедрами, про-
вания электрических и гальваномагнит- ректорами и ректорами вузов. Один из его
ных свойств висмута и его сплавов, вы- первых учеников Д. В. Гицу является ака-
полненных под руководством А. Р. демиком АН Молдовы.
Регеля, Георгий Александрович успешно Наиболее актуальным оказалось на-
защищает кандидатскую диссертацию и с правление, связанное с исследованием фи-
1952 по 1999 год является сотрудником зических свойств полуметаллов V группы:
Ленинградского педагогического инсти- висмута, сурьмы и их сплавов. Промежу-
171
ИНФОРМАЦИЯ

точное положение полуметаллов между ращивания монокристаллов на основе


полупроводниками и металлами, наличие результатов ряда исследований был вы-
у них одновременно свойств, присущих бран метод горизонтальной зонной пере-
как типичным полупроводникам, так и кристаллизации. Этим методом были вы-
типичным металлам, обеспечило возмож- ращены серии монокристаллов висмута и
ность проведения широкого фронта ис- сплавов висмут-сурьма, как нелегирован-
следований с установлением ряда фунда- ных, так и легированных донорными и
ментальных закономерностей физики акцепторными примесями. Полученные
твердого тела. в лаборатории Г. А. Иванова монокри-
Первые исследования влияния леги- сталлы высокого качества исследова-
рующих примесей на электрические лись не только на его кафедре, но в ла-
свойства поликристаллов висмута, вы- боратории кинетических явлений ФТИ
полненные Г. А. Ивановым, положили им. А. Ф. Иоффе, на кафедре физики низ-
начало изучению физических явлений в ких температур МГУ им. М. В. Ломоно-
полуметаллах и их зонной структуры ме- сова, в институте прикладной физики АН
тодом легирования донорными и акцеп- Молдовы и др.
торными примесями.
Одной из важнейших областей прак- 1.1. Общие проблемы выращивания кри-
тического применения узкозонных полу- сталлов типа висмута
проводников на основе кристаллов вис- Кристаллы типа висмута обладают
мут-сурьма является низкотемпературное значительной анизотропией скоростей
термоэлектричество. Работы Г. А. Ива- роста [8], что обычно приводит к появле-
нова в этом направлении относятся как к нию нескольких крупных двойников в
оптимизации термоэлектрических свойств слитке при выращивании без затравок.
материалов, так и разработке новых кон- В. М. Овсяновым и В. Л. Налетовым [50]
струкций термоэлектрических преобразо- были установлены преимущественные
вателей энергии, отмеченных более чем направления роста кристаллов, в которых
30 авторскими свидетельствами. при выращивании методом зонной пере-
Ниже представлены основные резуль- кристаллизации от затравки с большой
таты научных исследований полуметал- степенью вероятности можно получить
лов типа висмута, выполненных в рамках единый монокристаллический слиток.
научной школы Г. А. Иванова, в том
числе под его непосредственным руко- 1.2. Выращивание кристаллов сплавов
водством. висмут-сурьма
1. Закономерности роста и дефекты Система сплавов висмут-сурьма имеет
кристаллов типа висмута типичную для простейших твердых рас-
творов сигарообразную диаграмму со-
С самого начала исследований стояний [9, 48]. Большая разница в тем-
Г. А. Иванов уделяет большое внимание пературах плавления — 271,3оС для
качеству изучаемых образцов, так как на- висмута и 630,5оС для сурьмы — приводит
дежные и достоверные научные результа- к концентрационному переохлаждению на
ты могут быть получены только при ис- фронте кристаллизации и дендритной лик-
следовании монокристаллов высокой вации в слитке. Экспериментально уста-
чистоты и совершенной структуры. новлено, что для снятия концентрацион-
Для выращивания кристаллов в лабо- ного переохлаждения и выращивания
ратории применялись материалы высокой однородных монокристаллов системы
чистоты, выпускаемые в то время Мос- висмут-сурьма необходимо использовать
ковским НИИ «Гиредмет», — Bi-000 и малые градиенты температур на фронте
Sb-000. В качестве основного метода вы- кристаллизации и скорости роста менее
172
Профессор Г. А. Иванов и его научная школа

0,5 мм/ч [44]. Разработка методов вы- 1.4. Выращивание легированных кри-
ращивания монокристаллов, в том числе сталлов висмут-сурьма
с применением дополнительной очистки Кристаллы Bi и Bi-Sb, легированные
исходных материалов, была продолжена Sn, Pb, Se, Te, выращивались после мно-
в Курганском университете выпускни- гократного зонного выравнивания приме-
ками аспирантуры РГПУ им. А. И. Гер- си при тех же скоростях, что и нелегиро-
цена В. Л. Налетовым, В. А. Кулико- ванные. Для исследования сплавов с
вым, В. М. Овсяновым, А. С. Парахиным, заданным содержанием сурьмы, но раз-
В. И. Бочеговым. Ими также разработа- личным содержанием примеси одного
на методика легирования и выращива- сорта К. Г. Ивановым [42] был предложен
ния кристаллов термоэлектрических ма- метод роста монокристаллов в тонких
териалов на основе теллуридов висмута трубках от затравок, размещенных в од-
и сурьмы. ном контейнере. Выращенные указанным
методом кристаллы имеют минимальную
1.3. Металлографический и рентгено- плотность дислокаций.
структурный анализ кристаллов Следует отметить, что свойства леги-
Исследовалась блочная структура рованных кристаллов можно правильно
кристаллов висмута, сурьмы и системы описать, вводя коэффициенты отдачи
висмут-сурьма, выращенных зонной пе- η = dn/dN [49], характеризующие измене-
рекристаллизацией без использования ние концентрации электронов одним ато-
затравок, в частности, корреляция кри- мом примеси, которые оказываются
сталлографической ориентации гранича- меньше единицы. Уменьшение коэффи-
щих монокристаллических блоков [20]. циентов эффективности примесей при
Для определения закономерностей корре- повышении температуры [39] свидетельc-
ляции измерены углы между плоскостями твует о том, что механизм их влияния на
(111) блоков в слитках и проведена стати- концентрацию носителей заряда отлича-
стическая обработка результатов. Обна- ется от поведения примесей в типичных
ружена новая система двойникования в полупроводниках и металлах. Недавние
кристаллах типа висмута, в которой для рентгенофазовые и электронно-микро-
двух смежных ячеек общим элементом скопические исследования, выполненные
является грань псевдокуба, а не ребро, как Ю. Т. Левицким с сотрудниками в Благо-
в известной системе двойникования. вещенском педагогическом университете,
Сделан вывод, что блочная структура показали, что нецелочисленная отдача
кристаллов типа висмута, выращенных электронов примесями может быть обу-
методом зонной перекристаллизации, словлена образованием теллуридов и се-
обусловлена в основном двойникованием ленидов висмута в виде кластеров в мат-
в процессе роста. При этом преимуще- рице твердого раствора.
ственные направления выращивания
единого монокристаллического слитка 1.5. Измерения коэффициентов тепло-
вого расширения кристаллов вис-
соответствуют направлениям мини-
мута и сплавов висмут-сурьма
мальной вероятности зарождения двой-
ников. Исследования процессов двойни- Данные исследования проведены в со-
кования и влияния двойников на трудничестве с ФТИ им. А. Ф. Иоффе под
явления переноса были продолжены руководством Г. А. Иванова. Были обна-
В. Л. Налетовым, В. М. Овсяновым и ружены различия коэффициентов тепло-
А. С. Парахиным в Курганском универ- вого расширения кристаллов висмута,
ситете, Ю. Т. Левицким и С. В. Ланки- определенных по данным дилатометриче-
ным в Благовещенском педагогическом ских и рентгеноструктурных измерений.
университете. Дилатометрические измерения обнару-

173
ИНФОРМАЦИЯ

живают температурный гистерезис, что сопротивление, коэффициенты Холла,


связано с двойникованием кристаллов магнитосопротивления, термоэдс, а также
висмута и изменением количества двой- получены угловые диаграммы магнито-
ников при нагревании и охлаждении. сопротивления и магнитотермоэдс [34].
Установлено, что анизотропия удельного
1.6. Измерение скоростей ультразвука и сопротивления, коэффициента Холла и
определение упругих постоянных в термоэдс уменьшается при увеличении
кристаллах висмута и сплавов содержания двойников. Угловые диа-
висмут-сурьма граммы магнитосопротивления и магни-
тотермоэдс указывают на существенное
Измерение скоростей ультразвука
увеличение анизотропии этих эффектов в
производилось в зависимости от гидро-
магнитном поле. Таким образом, двойни-
статического давления до 10 ГПа с ис-
ки существенно влияют на величину и
пользованием методики создания гидро-
анизотропию коэффициентов переноса и
статического давления, разработанной в
других физических свойств, и для получе-
ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Измерялись ско-
ния достоверной информации о физических
рости ультразвука для пяти различных
свойствах кристаллов типа висмута необ-
кристаллографических ориентаций об-
ходимо использование бездвойниковых
разцов кристаллов висмута и сплавов
кристаллов, к которым относятся все при-
висмут-сурьма с содержанием сурьмы до
веденные ниже результаты.
20 ат. % [16]. Это обеспечивало опреде-
ление полного набора из шести независи-
2.2. Электрические и гальванотермо-
мых компонентов тензора модуля упруго-
магнитные явления в кристаллах
сти второго порядка для анизотропных
висмут-сурьма
кристаллов типа висмута. Эксперимен-
тально установлено, что с увеличением Измерения коэффициентов переноса
давления и содержания сурьмы в сплавах были выполнены стационарными мето-
все компоненты модуля упругости воз- дами с применением на современном эта-
растают по закону, близкому к линейно- пе — для управления экспериментом,
му. Однако анизотропия модуля упруго- сбора и обработки данных — ЭВМ. Сле-
сти изменяется различным образом. дует отметить большой вклад в исследо-
Например, отношение С11/С33 возрастает с вание явлений переноса в кристаллах ти-
увеличением содержания сурьмы в спла- па висмута в широком интервале
вах, но уменьшается с увеличением дав- температур и магнитных полей лаборато-
ления. Исследования закономерностей рии полуметаллов ИПФ АН Молдовы под
распространения ультразвука в кристал- руководством Д. В. Гицу. Основные ре-
лах типа висмута под давлением были зультаты отражены в монографии [14].
продолжены в Барнаульском государст- Поэтому здесь остановимся на явлениях и
венном университете Ю. Г. Воровым, закономерностях, исследованных или по-
А. М. Джумиго, Ю. П. Мироновым. лучивших объяснение сравнительно не-
давно. К ним можно отнести, например,
2. Явления переноса в кристаллах типа проблему температурной зависимости
висмута коэффициентов переноса.
Поверхность Ферми в кристаллах вис-
2.1. Влияние двойниковых прослоек на мута состоит из трех электронных квази-
явления переноса в кристаллах эллипсоидальных замкнутых участков с
висмута и сплавов висмут-сурьма центрами, локализованными в точках L
зоны Бриллюэна, и одного дырочного
Для исследований [35, 36] двойники квазиэллипсоида вращения, локализован-
вводились в кристалл методом механиче- ного в точках Т зоны Бриллюэна. В кри-
ской нагрузки. Были измерены удельное сталлах висмут-сурьма, во всем диапазоне
174
Профессор Г. А. Иванов и его научная школа

составов, структура зоны проводимости турой, и обусловлена ограничениями,


вблизи уровня химического потенциала накладываемыми законом сохранения
сохраняется, а в валентной зоне в зависи- квазиимпульса на межэкстремумные пе-
мости от состава становятся актуальными реходы носителей заряда с участием фо-
T, L и H-экстремумы. нонов. В соответствии с установленной
Здесь укажем, что Г. А. Ивановым был закономерностью в системе сплавов вис-
предложен метод экспериментального мут-сурьма в области фононного рассея-
исследования коэффициентов переноса в ния подвижность носителей заряда также
кристаллах типа висмута, легированных принимает максимальные значения при
донорными примесями до состояния, ко- минимальной концентрации носителей
гда в явлениях переноса принимают уча- заряда [26, 37]. О существенной роли ре-
стие только электроны зоны проводимо- комбинационных процессов в явлениях
сти и упрощается расчет концентрации и переноса в полуметаллах свидетельствует
подвижности электронов [40, 41]. Было также большая величина вклада биполяр-
установлено, что концентрация электро- ной диффузии носителей заряда в тепло-
нов возрастает прямо пропорционально проводность висмута [32] и сплавов вис-
содержанию донорных примесей и прак- мут-сурьма [17].
тически не зависит от температуры, а Принципиально новые результаты бы-
подвижности уменьшаются обратно ли получены при экспериментальном ис-
пропорционально как концентрации но- следовании термоэдс. Впервые был уста-
сителей заряда, так и температуре [28]. новлен переход термоэдс от
Полученные соотношения между под- анизотропной к изотропной при легиро-
вижностями слабо изменяются при изме- вании донорными примесями кристаллов
нении содержания легирующих примесей висмута [13, 27] и сплавов висмут-сурьма
и температуры, и их можно считать спра- [17]. По появлению анизотропии термо-
ведливыми и для нелегированных кри- эдс при возрастании уровня легирования
сталлов. Это позволяет определить кон- кристаллов висмут-сурьма обнаружен
центрации и подвижности носителей дополнительный экстремум носителей
заряда в нелегированных кристаллах вис- заряда с симметрией, подобной симмет-
мута и сплавов висмут-сурьма [15, 46]. рии Т-экстремума валентной зоны висму-
Наблюдаемые температурные и кон- та. Впервые была обнаружена двойная
центрационные зависимости подвижно- смена знака термоэдс с минимумом в об-
стей носителей заряда в кристаллах вис- ласти отрицательных значений в легиро-
мута и сплавов висмут-сурьма в области ванных акцепторными примесями олова
рассеяния носителей заряда на фононах кристаллах висмута [27] и сплавов вис-
указывают на проявление недавно уста- мут-сурьма [25] в зависимости от содер-
новленной общей закономерности в зави- жания примеси и температуры. Это обу-
симости удельного сопротивления полу- словлено сложной структурой валентной
металлов висмута, сурьмы и мышьяка от зоны и межзонным рассеянием носителей
приведенной температуры (Т/θ) [29], ана- заряда с участием фононов при электрон-
логичной известному закону Блоха— но-топологических переходах в кристал-
Грюнайзена для металлов, но отличаю- лах типа висмута. Особенности с двойной
щейся от него по виду. Установленная сменой знака термоэдс были обнаружены
закономерность проявляется наиболее также в легированных оловом и теллуром
четко при Т > θ, в области преобладания кристаллах сурьмы [6]. Аналогичное по-
межэкстремумного (междолинного, ре- ведение термоэдс наблюдалось при ис-
комбинационного, межзонного) рассея- следовании влияния гидростатического
ния носителей заряда с участием фононов давления на явления переноса в легиро-
в полуметаллах со сложной зонной струк- ванных оловом кристаллах висмут-сурьма

175
ИНФОРМАЦИЯ

[11] методами, разработанными во ФТИ слаболегированных кристаллах висмута и


им. А. Ф. Иоффе [2, 3]. сплавов висмут-сурьма [5, 7].
Экспериментальные исследования осо-
бенностей явлений переноса при элек- 3.1. Магнитная восприимчивость кри-
тронно-топологических переходах в леги- сталлов висмута и сплавов висмут-
рованных кристаллах висмута и сплавов сурьма
висмут-сурьма, обнаруженных в лабора- Для исследования закона дисперсии
тории Г. А. Иванова, были затем продол- носителей заряда при изменении энергии
жены в лаборатории кинетических явле- в широком интервале были применены
ний ФТИ им. А. Ф. Иоффе до гелиевых методы исследования магнитной воспри-
температур [31, 52]. Было установлено, имчивости и спектров плазменного отра-
что в области гелиевых температур эти жения. Кристаллы типа висмута являются
особенности обусловлены преимущест- диамагнетиками с аномально большой и
венным рассеянием носителей заряда на сильно анизотропной магнитной воспри-
различного типа дефектах. имчивостью [54]. Экспериментальные
Кинетическая природа особенностей исследования магнитной восприимчиво-
термоэдс при электронно-топологических сти кристаллов висмута и сплавов вис-
переходах в полуметаллах подтверждена
мут-сурьма, включая легированные до-
расчетным анализом [4], а также экспе-
норными и акцепторными примесями,
риментально наблюдаемым исчезновени-
были выполнены модернизированным
ем двойной смены знака термоэдс в маг-
методом Гуи с применением ЭВМ для
нитных полях, при которых эффективные
считывания и обработки данных [45]. По-
подвижности носителей заряда различных
лученные экспериментальные результаты
групп стремятся к выравниванию. Однако
количественное описание термоэдс тре- позволили уточнить положения экстре-
бует знания закона дисперсии и законо- мумов зон при Т > 77 К [18, 22, 38] и сде-
мерностей процессов рассеяния носите- лать выводы, что при энергиях порядка
лей заряда. При этом энергетический сотен мэВ закон дисперсии носителей
спектр носителей заряда целесообразно заряда L-экстремумов приближается к
исследовать методами, не связанными с квадратичному. Однако трудность выде-
процессами рассеяния. ления вклада носителей заряда и относи-
тельно слабое изменение магнитной вос-
3. Закон дисперсии носителей заряда L- приимчивости при высоких уровнях
экстремумов в кристаллах висмута легирования (до 0,3 ат. %) не обеспечи-
и сплавов висмут-сурьма вают достаточной возможности для коли-
чественного изучения закона дисперсии
Теоретические исследования закона носителей заряда в широкой области
дисперсии носителей заряда в кристаллах энергий. Поэтому в качестве основного
типа висмута (наличие малого энергети- метода исследования закона дисперсии
ческого зазора при существенной неквад- носителей заряда L-экстремумов было
ратичности) позволили получить его в
выбрано экспериментальное измерение
общем виде [10, 57]. При определенных
спектров плазменного отражения.
предположениях из общего выражения
для закона дисперсии носителей заряда L-
3.2. Спектры плазменного отражения
экстремумов следуют более простые мо-
кристаллов висмута и сплавов вис-
дели Шенберга [54], Лэкса [56], Абрико-
мут-сурьма
сова—Фальковского [1] или упрощенная
модель Коэна [55]. Теоретические резуль- Для исследования спектров плазмен-
таты нашли экспериментальное подтвер- ного отражения использовались спек-
ждение в исследованиях эффекта Шубни- тральные приборы ИКС-21, ИКС-22В,
кова—де Гааза в нелегированных и длинноволновый инфракрасный спектро-
176
Профессор Г. А. Иванов и его научная школа

метр ДИВС. Основная часть исследова- и m33 при увеличении концентрации но-
ний выполнена в сотрудничестве с объе- сителей заряда и их энергии стремятся к
динением «Электрон» на фурье-спектро- насыщению. При этом закон дисперсии L-
метре IFS-113 V фирмы «Брукер» (ФРГ), электронов в зоне проводимости висмута
представляющем собой единую механи- и сплавов висмут-сурьма в пределе боль-
ко-оптико-электронно-вычислительную ших концентраций и энергий переходит к
систему. квадратичному. Было показано, что в ши-
Впервые были измерены спектры роком интервале энергий этот закон хо-
плазменного отражения плоско поляризо- рошо описывается моделью Макклюра и
ванного излучения для образцов кристал- Чоя, и определены ранее неизвестные
лов висмута и сплавов висмут-сурьма от значения коэффициентов закона диспер-
плоскостей, содержащих ось С3, при про- сии. Исследования плазменного отраже-
извольной ориентации плоскости поляри- ния были продолжены А. П. Чувохиным и
зации относительно оси С3. Эти спектры А. С. Мальцевым в Коми педагогическом
имели два четко выраженных минимума университете, а также Н. П. Степановым
на различных частотах и переходили в в Читинском педагогическом университе-
один из простых спектров с одним мини- те. В настоящее время широко исследует-
мумом при векторе напряженности элек- ся эффект магнетоотражения К. Г. Ива-
трического поля волны Е ⊥ С3 и Е || С3. новым в СПбГУТД, О. В. Кондаковым,
При угле между указанными направле- С. В. Бровко и А. В. Зайцевым в Елецком
ниями в 450 экспериментальный спектр государственном университете.
представлял собой полусумму спектров
для ориентаций Е ⊥ С3 и Е || С3 [47]. 4. Термоэлектрические свойства мате-
Исследования показали, что в спектрах риалов на основе сплавов висмут-
отражения нелегированных кристаллов сурьма
висмут-сурьма обнаруживаются отклоне- Отметим, прежде всего, что детальные
ния от теории Друде, которые обусловле- исследования термоэлектрической и маг-
ны влиянием межзонных переходов, ко- нитотермоэлектрической эффективности
гда энергия фотона приближается к кристаллов висмут-сурьма, а также ани-
энергии межзонного перехода [53]. зотропной термоэлектрической эффек-
При легировании кристаллов висмута тивности легированных оловом кристал-
и сплавов висмут-сурьма донорными лов висмута были выполнены под
примесями теллура достигается состоя- руководством и при непосредственном
ние, при котором в плазменные эффекты участии Г. А. Иванова [33, 51]. Исследо-
вносят вклад только электроны L- вание закона дисперсии и процессов ре-
экстремумов зоны проводимости. Возрас- лаксации носителей заряда в висмуте и
тание концентрации носителей заряда сплавах висмут-сурьма позволили дать
вследствие легирования приводит к тому, объяснение наблюдаемым закономерно-
что энергия межзонного перехода суще- стям поведения термоэлектрической эф-
ственно превосходит энергию фотона, так фективности [21]. Кристаллы висмут-
что спектры имеют четко выраженные сурьма в интервале температур 100–140 К
минимумы и хорошо описываются теори- обеспечивают достижение рекордных
ей свободных электронов Друде [30]. По значений термоэлектрической эффектив-
данным плазменных частот и холловской ности Z = 6 · 10-3 К-1 и в магнитном поле
концентрации носителей заряда [23, 24] — Z = 9 · 10-3 К-1, что позволяет их ис-
были вычислены эффективные массы L- пользовать в качестве n-ветви термопары
электронов m11 и m33 в кристаллах висму- в сочетании с p-ветвью на основе соеди-
та и сплавов висмут-сурьма. Результаты нения Bi2Te3 в верхних каскадах термоба-
показывают, что эффективные массы m11 тарей [19].
177
ИНФОРМАЦИЯ

На анизотропных термоэлементах из внедрил в практику работы факультета


монокристаллического висмута Н. П. Ди- новую эффективную форму организации
виным и Г. А. Ивановым разработан уни- госэкзамена по физике. Под его руково-
кальный микрокалориметр. А также раз- дством на кафедре были модернизирова-
работана методика измерения теплоемко- ны и созданы новые учебные лаборатории
сти и надежно измерены малый скачок по физике твердого тела, физике ядра,
теплоемкости при переходе в сверхпро- квантовой оптике и атомной физике, была
водящее состояние высокотемпературных разработана и внедрена в учебный про-
сверхпроводников [43] и теплоемкость в цесс система учебно-исследовательских
области фазовых переходов в сегнето- заданий по всем разделам курса общей
электриках. физики. Он является автором практику-
Следует отметить большой вклад лич- мов по физике твердого тела и атомной
но Г. А. Иванова в разработку методов физике, учебного пособия по физике по-
расчета и создание новых конструкций лупроводников, изданного на русском, а
термоэлементов, в частности, с преиму- также на французском и казахском язы-
щественно боковым отводом тепла. ках, учебного пособия по атомной и мо-
Исследования в области физики полу- лекулярной физике. Большое внимание
металлов продолжаются школой Г. А. Иванов уделял пропаганде научных
Г. А. Иванова как в РГПУ им. знаний, повышению научного уровня
А. И. Герцена, так и во многих вузах и подготовки учителей физики. Научные
научных центрах России и других стран. работы, выполненные студентами на ка-
В статье не было возможности отметить федре общей и экспериментальной физи-
все исследования. ки, неоднократно отмечались на город-
О большом объеме и высоком научном ском конкурсе дипломами.
уровне исследований школы свидетельст- За период работы Г. А. Иванова фа-
вует тот факт, что на научной конферен- культет выпустил около 4000 учителей.
ции, посвященной памяти профессора Этот вклад Г. А. Иванова в подготовку
Г. А. Иванова, в РГПУ им. А. И. Герцена учителей школы многократно умножается
в феврале 2002 г. участниками научной работой его многочисленных учеников и
школы было представлено более 40 док- последователей во многих педагогиче-
ладов, относящихся к исследованиям в ских вузах страны. За вклад в развитие
области физики полуметаллов и узкозон- народного образования в 1971 году
ных полупроводников [12]. Г. А. Иванов был награжден орденом
«Знак почета».
5. Педагогическая деятельность Г. А. Иванов воспитал трех сыновей,
Г. А. Иванова один их которых стал военно-морским
Наряду с научной деятельностью офицером, двое других пошли по стопам
Г. А. Иванов большое внимание уделял отца.
учебно-педагогической и научно-методи- До последнего дня своей жизни
ческой работе, совершенствованию учеб- Г. А. Иванов много и увлеченно работал —
ного процесса, в частности, подготовке писал статьи, изобретал, занимался расче-
будущих учителей физики в области фи- том термоэлектрических преобразовате-
зического эксперимента, повышению на- лей энергии.
учно-методического уровня преподава- Неистощимое богатство идей, творче-
ния. Он внес существенный вклад в ский энтузиазм, доброжелательность и
создание профессиограммы учителя фи- бескорыстное отношение к людям оста-
зики, разработал принципиально новый вили светлую память в сердцах всех лю-
учебный план подготовки учителей на дей, которые знали Г. А. Иванова и с ним
основе единого учебного курса физики, работали.

178
Профессор Г. А. Иванов и его научная школа

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЕ ССЫЛКИ

1. Абрикосов А. А., Фальковский Л. А. Теория электронного энергетического спектра металлов с


решеткой висмута // ЖЭТФ. 1962. Т. 43. С. 1089–1101.
2. Аверкин А. А., Богомолов В. Н. Автономная камера высокого давления // ПТЭ. 1972. № 3.
С. 224–225.
3. Аверкин А. А., Воров Ю. Г., Иванов Г. А., Коришев В. И., Регель А. Р. О зоне тяжелых электро-
нов проводимости в висмуте // ФТТ. 1972. Т. 14. С. 1136–1139.
4. Бондаренко М. Г., Грабов В. М., Урюпин О. Н. Магнитосопротивление и магнитотермоэдс в
легированных оловом висмуте и сплавах висмут-сурьма при существенной роли межзонного рассея-
ния // Физика твердого тела: Материалы межвуз. науч. конф. — Барнаул, 1982. С. 57–58.
5. Брандт Н. Б., Герман Р., Голышева Т. И., Девяткова Л. И., Кусник Д., Краак В., Понома-
рев Я. Г. Электронная поверхность Ферми у полуметаллических сплавов Bi1-xSbx (0. 23 < x < 0. 56) //
ЖЭТФ. 1982. Т. 83. С. 2152–2169.
6. Бубнов Ю. А., Грабов В. М. Изменение анизотропии кинетических явлений в сурьме и сплавах
сурьма-висмут в зависимости от степени легирования донорными и акцепторными примесями // По-
лупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы V Всесоюзного симпоз. —
Львов, 1980. Ч. II. С. 247–249.
7. Буянова Е. П., Евсеев В. В., Иванов Г. А., Миронова Г. А., Пономарев Я. Г. Определение пара-
метров закона дисперсии носителей полупроводниковых сплавов Bi1-xSbx n-типа // ФТТ. 1975. Т. 20.
С. 1937–1946.
8. Вигдорович В. Н., Ухлинов Г. А., Долинская Н. Ю., Марычев В. В. Исследование условий полу-
чения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма // Изв. АН СССР. Металлы. 1973. Т. 6.
С. 57–63.
9. Вол А. Е. Строение и свойства двойных металлических систем. — М., 1963. Т. 2. С. 223.
10. Волков Б. А., Фальковский А. А. Электронная структура полуметаллов группы V // ЖЭТФ.
1983. Т. 85. С. 2135–2151.
11. Воров Ю. Г., Грабов В. М., Иванов Г. А., Петропавловский М. Д. Влияние давления на кине-
тические параметры висмута и сплавов висмут-сурьма, легированных акцепторными примесями //
Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы V Всесоюзного симпоз. —
Львов, 1980. Ч. 1. С. 245–246.
12. Физика полупроводников и полуметаллов (ФПП—2002): Всероссийская науч. конф. 4–6
февраля 2002 г. Программа. — СПб., 2002.
13. Гицу Д. В., Иванов Г. А., Попов А. М. О термоэлектродвижущей силе в висмуте и его сплавах
с теллуром // ФТТ. 1962. Т. 4. С. 22–28.
14. Гицу Д. В., Канцер В. Г., Голбан И. М., Мунтяну Ф. М. Явления переноса в висмуте и его
сплавах. — Кишинев, 1983.
15. Глухова Т. И., Грабов В. М., Иванов Г. А., Попов А. М. Электрические свойства квазибинар-
ных сплавов (Bi-Sb)-Te // Уч. зап. ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1965. Т. 265. С. 234–241.
16. Грабов В. М., Давыдов А. С., Миронов Ю. П., Джумиго А. М. Упругие свойства и силы связи
в полуметаллах V группы и их сплавах // ФТТ. 1985. Т. 27. С. 2017–2024.
17. Грабов В. М., Иванов Г. А, Понарядов В. С. Термоэдс и теплопроводность сплавов висмут-
сурьма, легированных теллуром // ФТТ. 1970. Т. 12. С. 267–272.
18. Грабов В. М., Иванов Г. А., Иванов К. Г., Суровцев А. Н. Магнитная восприимчивость сплавов
висмут-сурьма, легированных оловом и свинцом // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и
полуметаллы: Материалы IV Всесоюзного симпоз. — Львов, 1975. Ч. IV. С. 31–35.
19. Грабов В. М., Иванов Г. А., Мунтян С. П. Микроохладитель Нернста // Полуметаллы и узко-
зонные полупроводники под влиянием внешних воздействий. — Кишинев, 1983. С. 151–172.
20. Грабов В. М., Иванов Г. А., Налетов В. Л., Овсянов В. М., Парахин А. С. О двух типах двой-
ников в кристаллах висмута и сплавов висмут-сурьма // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.
1982. Т. 18. С. 33–37.
21. Грабов В. М., Иванов Г. А., Налетов В. Л., Панарин А. Ф. Межэкстремумное рассеяние носи-
телей заряда и термоэлектрическая эффективность сплавов висмут-сурьма // Полупроводниковые
материалы для термоэлектрических преобразователей. — Л., 1985. С. 30–31.
22. Грабов В. М., Иванов К. Г. Магнитная восприимчивость сплавов висмут-сурьма, легирован-
ных оловом // ФТТ. 1974. Т. 16. С. 3153–3154.
23. Грабов В. М., Кудачин В. В., Мальцев А. С. Анизотропия плазменного отражения и закон
дисперсии электронов в сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями // Полупро-

179
ИНФОРМАЦИЯ

водники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы VII Всесоюзного симпоз. — Львов,
1986. Ч. 2. С. 167–169.
24. Грабов В. М., Мальцев А. С. Анизотропия плазменного отражения и закон дисперсии элек-
тронов в висмуте, легированном донорными примесями // Полупроводники с узкой запрещенной
зоной и полуметаллы: Материалы VI Всесоюзного симпоз. — Львов, 1983. С. 231–232.
25. Грабов В. М., Панарин А. Ф., Худякова И. И. Влияние межзонного рассеяния на явления пе-
реноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных акцепторными примесями // Полупровод-
ники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы V Всесоюзного симпоз. — Львов, 1980.
Ч. 1. С. 217–220.
26. Грабов В. М., Яковлева Т. А. Рекомбинационное рассеяние и зависимость подвижностей но-
сителей заряда в сплавах висмут-сурьма от их состава // Физика твердого тела: Материалы межвуз.
конф. — Барнаул, 1982. С. 36–37.
27. Грабов В. М., Иванов Г. А. О поведении дифференциальной термоэдс в сплавах висмута //
ФТТ. 1966. Т. 8. С. 2460–2461.
28. Грабов В. М. Закономерности межэкстремумного рассеяния носителей заряда в полуметал-
лах // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы VII Всесоюзного
симпоз. — Львов, 1986. Ч. 2. С. 194–196.
29. Грабов В. М. Общие закономерности в температурной зависимости удельного сопротивления
полуметаллов // Материалы для термоэлектрических преобразователей: Тез. докл. III Межгосудар-
ственного семинара. — СПб., 1993. С. 42–43.
30. Гроссе П. Свободные электроны в твердых телах. — М., 1982.
31. Грязнов О. С., Иванов Г. А., Мойжес Б. Я., Наумов Б. Н., Немчинский В. А., Родионов Н. А.,
Редько Н. А. Влияние межзонного механизма рассеяния на кинетические явления в р-Bi1-xSbx // ФТТ.
1982. Т. 24. С. 2335–2343.
32. Иванов Г. А., Грабов В. М. О теплопроводности и законе Видемана-Франца в висмуте и его
сплавах // Уч. зап. ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1965. Т. 265. С. 254–263.
33. Иванов Г. А., Куликов В. А., Налетов В. Л., Панарин А. Ф., Регель А. Р. Термоэлектрическая
добротность чистых и легированных сплавов висмут-сурьма в магнитном поле // ФТП. 1972. Т. 6.
С. 1295–1300.
34. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В., Налетов В. Л. Диаграммы вращения магнитосо-
противления и магнитотермоэдс двойниковых кристаллов висмута // ФММ. 1981. Т. 52. С. 200–203.
35. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Ланкин С. В., Налетов В. Л. Влияние двойников на электриче-
ские и гальваномагнитные свойства висмута // ФТТ. 1973. Т. 15. С. 2547–2549.
36. Иванов Г. А., Левицкий Ю. Т., Налетов В. Л., Ланкин С. В. Влияние двойников на явления пе-
реноса в висмуте // ФММ. 1976. Т. 41. С. 763–765.
37. Иванов Г. А., Попов А. М. Электрические свойства сплавов висмут-сурьма // ФТТ. 1963. Т. 5.
С. 2409–2419.
38. Иванов Г. А., Суровцев А. Н. Сравнение действия олова и свинца на зонную структуру висму-
та // ФТТ. 1973. Т. 15. С. 3412–3414.
39. Иванов Г. А., Чистяков Б. И. Электрические свойства тройных сплавов висмута в интервале
температур 77–450 К // ФММ. 1963. Т. 16. С. 848–857.
40. Иванов Г. А. К расчету концентрации и подвижности носителей тока в висмуте // ФТТ. 1964.
Т. 6. С. 938–940.
41. Иванов Г. А. Электрические свойства монокристаллов твердых растворов теллура в висмуте
в интервале температур 77–300 К // ФТТ. 1963. Т. 5. С. 3173–3178.
42. Иванов К. Г., Крылов А. С., Калугина И. К. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма //
ПТЭ. 1975. № 2. С. 225–226.
43. Иванов Ю. В., Петров Д. В., Грабов В. М., Лужковский А. В., Гасумянц В. Э. Влияние неод-
нородности образца и флуктуаций параметра порядка на теплоемкость YBa2Cu3Ox вблизи сверхпро-
водящего перехода // СФХТ. 1994. Т. 7. С. 48–61.
44. Колпачников Г. Н., Налетов В. Л. Выращивание монокристаллов Bi-Sb методом зонной пе-
рекристаллизации // Уч. зап. ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1968. Т. 384. Вып. 4. С. 3–6.
45. Коришев В. И., Лужковский В. Г. Установка для измерения магнитной восприимчивости //
XXIV Герценовские чтения. Физика. — Л., 1971. С. 80–82.
46. Левицкий Ю. Т., Иванов Г. А. Высокотемпературные исследования электрических и гальва-
номагнитных свойств сплавов Bi-Sb // ФММ. 1969. Т. 28. С. 804–812.
47. Мальцев А. С., Грабов В. М., Кухарский А. А. Особенности спектров плазменного отражения
анизотропных кристаллов // Оптика и спектроскопия. 1985. Т. 58. С. 927–929.

180
Профессор Г. А. Иванов и его научная школа

48. Михайличенко Т. В., Налетов В. Л., Рощин В. В. Исследование диаграммы состояний сплавов
висмут-сурьма, богатых висмутом //Уч. зап. ЛГПИ им. А. И. Герцена. 1968. Т. 384. Вып. 4. С. 12–16.
49. Мокиевский Л. И., Иванов Г. А. Электрические свойства сплавов висмута. III. Тройные спла-
вы, «возвращенные» к свойствам висмута // ЖТФ. 1957. Т. 28. № 11. С. 1695–1706.
50. Овсянов В. М., Налетов В. Л. Вероятность блочной структуры монокристаллов висмута, вы-
ращенных от различно ориентированных затравок // Физика твердого тела: Материалы межвуз.
конф. — Барнаул, 1984. С. 6–8.
51. Регель А. Р., Иванов Г. А., Грабов В. М., Анатычук Л. И., Лусте О. Я. Материал для анизо-
тропных термоэлементов. А. С. № 245859 СССР от 3 апреля 1969 г.
52. Родионов Н. А., Иванов Г. А., Редько Н. А. Аномальное поведение температурной зависимо-
сти термоэдс дырок в полупроводниковых сплавах Bi1-xSbx // ФТТ. 1979. Т. 23. С. 2110–2115.
53. Степанов Н. П., Грабов В. М., Вольф Б. Г. Влияние межзонного перехода на затухание плаз-
менных колебаний в сплавах висмут-сурьма // ФТП. 1989. Т. 23. С. 1312–1314.
54. Шенберг Д. Магнитные осцилляции в металлах. — М., 1986.
55. Cohen M. H. Energy band in the Bismuth Structure. I. A Nonellipsoidal Model for Electron in Bi //
Phys. Rev. Vol. 121. P. 387–395.
56. Lax B., Movroides J. G., Zeiger H. J. A simple nonparabolic model for electrons in bismuth // Rev.
Modern Phys. 1956. Vol. 30. P. 122–129.
57. Macclure J. W., Choi K. H. Energy Band Model and Properties of Electrons in Bismuth // Solid
State Commun. 1977. Vol. 21. P. 1015–1018.

V. Grabov

PROFESSOR G. A. IVANOV AND HIS SCHOOL

The paper is devoted to the memory of professor G.A. Ivanov — a renown scientist, a
specialist in the field of solid state physics, a teacher, the chairperson of General and Ex-
perimental Physics Department at Herzen State Pedagogical University of Russia, an organ-
izer of a field of research and of a scientific school in the field of physics of semimetals and
narrow gap semiconductors. The characteristics of his scientific and pedagogical activities
is given. The review of the main scientific achievements of Prof. G. A. Ivanov and his scien-
tific school is presented.

181

Вам также может понравиться