Вы находитесь на странице: 1из 15

Кристаллы – совокупность атомов, которые распределены определенным образом и обладают симметрией.

Термогенерация – При увеличении температуры амплитуда колебаний атомов становится всё больше и
больше. Связь электронов рвется и появляется вакансия.

Тепловой занос – появляется электрон в зоне проводимости и в валентной зоне дырка (вакансия)

Уровень Ферми – ½ вероятности того, что там найдём 2 электрона.

Подвижность – характеристика носителей заряда. Сharacterises how quickly an electron can move through
a metal or semiconductor, when pulled by an electric field.

П/п n-типа – в собственном полупроводнике n=p и уровень ферми по середине.

Приложение ЭП

В n – типе электроны больше, появляются электроны компонента, которые больше чем дырки.

Модель представления леж-мов электропроводности п/п

Генерация – процесс превращения связанного электрона в свободным. На месте ушедшего электрона


незавершённая связь с избыточным дыркой запрещённой зоны, т.е. вакансия

Дырка – вакантное место валентной связи.

Собственный п/п – п/п в котором образуется равное количество электронов и дырок, в результате разрыва
валентных связей.

Длина свободного пробега – расстояние, проходимое носителем заряда между 2мя столкновениями.

Дрейф – направленное движение совокупности свободных носителей заряда в ЭП.

Дрейфовая скорость – скорость движения когда происходит Дрейф.

В чистом п/п-е не содержащим примесей нет электронной и дырочной проводимости.

Электро-проводность примесных п/п-ов

Примесный п/п – п/п имеющиеся примеси.

Примесная электропроводность - проводимость создана примесью.

При помещении атомам донорной примеси в узел КР, валентные электроны слабо связаны с ядром и по
достижении активации (Т, энергия) отрывается от атома и становится освободным носителем заряда.

Основные носители заряда в этом случае - электроны и ННЗ - протоны

Электропроводность п/п-ов

Плотность тока - это заряд, подходящий в единицу времени в единичное сечение п/п

Для п/п плотность тока можно записать как

q∗τ
μ=
j=q∗n∗V =q∗n∗μ∗E=σ∗E m

μ - подвижность НЗ (числено равно скорости Дрейфа в ЭП.

τ – некоторая постоянная равна среднему времени свободного пробега


j=τ∗E σ =q∗n∗μ

σ – удельная проводимость
¿
Эффективная масса электрона m =k∗m 0

k – постоянная Больцмана

m ¿ −эффективная масса m x − реальная масса


Реальная масса электрона всегда будет меньше реальной массы дырки

m ¿ −определает скорость движения НЗ


Есть 2 группы п/п-ов: прямозонные и непрямозонные

Прямозонные – минимум на ЗП и максимум на ВЗ находятся в одной точке пространства. Используют в


оптоэлектроника (раздел электроники, занимающийся вопросам использования оптических и электрических
обработки, хранения и передачи информации).

Здесь происходит прямая рекомбинация

Непрямозонные – в разных точках, не совпадают.

Прямая рекомбинация почти не возможна

Рекомбинация - исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением


энергии.

Когда электрон становится более тяжелым, то его скорость V снижается (энергия отдается кристаллической
решетке)
Минимальное расстояние между дном ЗП и потолок ВЗ называется ЗЗ.

Примесные состояния

При замещении узла КР атома примеси, происходят изменения. В ЗЗ п/п-а появляется дополнительный
уровень энергии, лежащий ниже дня ЗП в случае донорные примеси, мб выже потолка ВЗ для акцепторные.

Ed/Ea – энергия ионизации донор/акцепт примеси.

Чтобы при комнатной температуре вся примесь была ионизирована (активирована) надо, чтобы глубина
положила эти уровни не в ЗЗ.

Примесные состояния можно разделить:

Мелкие и глубокие

В мелких все активные при комнатной температуре.

В глубоких надо больше температуры.

Концентрация электронов и дырок в п/п-е

Невырожденные примесные п/п-и

Донорные п/п-и

Уровень Ферми лежит в ЗЗ ниже для ЗП (на комн Темп)

Все электроны не могут расположиться на Ec, а должны.

n0 p0=ni2 (n0 p 0 равновесные конц−ции) при тепловом равновесии


В полностью вырожденном п/п-е Ef лежат внутри ЗП выже дня ВЗ. В этом случае конц-я ОНЗ не зависит от Т, а
¿
определяется только положением Ef и m НЗ
¿
Чем меньше m НЗ, тем меньше их конц-и

В вырожденном п/п как в Ме выше Ef ничего нет, ниже всё заполнено.

В п/п при Т=0К, уровень Ферми располагается по середине между Ec и Ed

Т насыщения – Т при которой наблюдается полная ионизация донорной примеси. Область Т при которой
полная ионизация называется областью насыщения. Это когда Ef=Ed.

Т собственной проводимости – Т при которой наступает собственная проводимость.

Область собственной проводимости – Область Т, при которой донорные п/п теряет свои донорные свойства и
становится собственным п/п
[1]Область слабой ионизации
[2]Область насыщения
[3]Область собственной проводимости
Ts – Т насыщения
Ti – Т собственной проводимости

Чтобы п/п оставался примесным надо увеличивать ширину ЗЗ.

Механизм рассеяния НЗ

Центр рассеяния - Cualquier irregularidad del cristal que distorsione la periodicidad del potencial de la red, es un
centro de dispersión. Любая неоднородность кристалла, искажающая поле (периодичность) КР.

это когда летит электрон по прямой, с определённой скоростью, никто ему не мешает. А потом он
встречает центр рассеяния. Который меняет его траекторию и/или скорость
Эффективное сечение рассеяния (захвата) – отнощение числа электронов уделённых из пучка в результате
рассеяния.

Парциальная длина свободного пробега – вероятность рассеяния на единичном интервале пути.


Полная длина своб пробега меньше чем парц. ДСП

Рассеяние на ионах примеси

В примесном п/п-е (semiconductor extrínseco) все ионы примеси создают вокруг себе ЭП под
взаимодействием которым НЗ относятся от своей начальной траектории.

Время релаксации τ – время за которым частица, которую придали энергию, вернется в начальное состояние.
(время своб. Пробега)

τ при рассеянии НЗ на нейтральной примеси не зависит от Т и энергии, а просто от концентрации.

Рассеяние на тепл. Колеб. решетки (фононах)

Фонон - квант колебаний атомов КР. Распространение системы звуковых волн.

С увеличением температуры, больше вероятности столкновения.

При увеличении энергии НЗ, время релаксации увеличивается.

При рассенянии на фононах время релак. Уменьшается

Когда есть медленные НЗ, механизм доминирует в low T

Когда есть быстрые НЗ, механизм доминирует в high T

Рассеяние на поляризационных волнах

Диффузия – кинетическое явление в п/п


Удельная проводимость – способность п/п проводить электрический ток.

При термодинамической равновесии нет других полей, только Т

В атомах п/п-ая подвижность НЗ уменьшается с увеличением Т из-за рассеяния их на тепловых колебаниях

Подвижность НЗ при рассеянии на нейтральности не зависит от Т

Подвижность НЗ уменьшается при уменьшении Т (так как становится more slow)

В атомных п/п с увеличением Т увеличивается подвижность. В примесных уменьшается подвижность с


увеличением конц-ий.

Эффект Холла - Это в основном для п/п, тк мало НЗ. Это отклонение НЗ под действием МП

Сила лоренца начинает отклонять НЗ. Электроны вверх и дырки вниз.

Эффект Кола

Один из Гальваномагн. эффектов. В слабомало полях.

Галваномагнитный эффект - кинетический эффект, возникающи в п/п при одновременном воздействие ЭП и


МП.

При приложении ЭП в п/п образуется электр. Ток.

При приложении внешнее МП перпендикулярен направлению элктр. Тока. На движущихся НЗ начинает сила
Лоренца.

Направление силы Лоренца не зависит от знака заряда и определяется направлением векторов Э и М


индукции.
Так как скорость НЗ определяется ЭП, под действием силы Лоренца электроны и дырки отклоняются в одну и ту же
сторону.
В п/п возникнет распространение конц-ии НЗ у одной возникнет их избыток, у другой недостаток.

Если п/п n-типа, одна грань отриц. (избыток электр-ов)


В несколько п/п возникает ЭП, вектор напряжения кот перпендикулярен и МП и внешн. ЭП. Называется Поле Кола.

Электропроводностные п/п в сильном ЭП


Когда время релаксации не зависит от ЭП. τ = q*n*μ*ε = σ*ε

Электроны на длине своб. Пробега набирают избыток энергии и электроны рассеивания, передовая энергию решетке и
приходит в тепловое равновесие.
В слабом ЭП υ дрейф << чем тепловая скорость υо.
Сильное ЭП может приводить к измен. конц-ий НЗ.
ε
Критичное напряжение ЭП, ( кр ) это U при кот. Начинается электро-жырочный газ.
При дальнейшем увеличении напряжения ЭП, начинает сказываться эффект на оптических колебаниях, в этом случае
энергия НЗ изменяется на величину = энергии фонона и общей потери энергии сильно увеличивается.

Явление убегания НЗ - когда при дальнейшем увеличении напряжения, энергия становится больше чем энергия оптич.
Колеб. Это значит, что резко увеличивается подвижность и скорость НЗ.

Эффект Ганна

Когда достигает
ε кр
, возникает тепловой эффект.
В сильном ЭП электроны приобретают энергию достаточно для ионизации атомов вещества, в результате
того, возникает электр-дыр. пары снова ускоряемые полем и генерируют дополнительные НЗ.
Ускорение электрона зависит от 2х факторов: ускорение во внешнем ЭП и рассеивание на фононах.
Если электрон набирает энергию, в результате сталкновения с многими фононами, то такое движение -
диффузия.
Если у НЗ длина своб. Пробега, достаточна велика, чтобы достичь порог. Ионизации без столкновения с
фононами - дрейф.

Эффект Зинера (тунельный)


Напряжение ЭП при кот заметное увеличение НЗ.

Генерация и рекомбинация НЗ.


Равновесная КР - где свободные НЗ возникающие из-за термич. Генерации и находящиеся в тепл. Равновесии

Go - Генерация - процесс образования своб. НЗ.


Ro - рекомбинация - процесс возбращения своб. Электроны в связанное состояние, в рез-те чего исчезание
своб. Электронов и своб. Дырок.

Go = Ro - Условия равновесия термического.

Неравновесные НЗ - подвижность НЗ, не находящиеся в термодин. Равновесии по конц-ий, либо по Энергетич.


Распростр-ю. А их конц-я неравновесная.

n=n0 + Δn
p= p0 +Δp
Биполярная генерация НЗ

Это генерация своб. НЗ, при кот-ой в рез-те возбуждении возникает электроно-дирочные пары

Δn=Δp

Время жизни (τ) - Среднее время существования избыт. Неравнов. Концентрации. Es el

tiempo medio que transcurre desde que se genera un electrón hasta que se recombina. Он намного больше, чем
время релаксации, тк НЗ suffers много столкновений перед тем как происходит рекомбинацию.

Когда τ большое, своб электроны и дырки могут перейти из области генерации тк они могут пройти большое
расстояние.

При биполярная генерация, области генерации и рекомбинации пространственно несовпадающие.


Монополярная генерация

Наблюдается в легир. П/п при доминировании одного из типов НЗ по концентрации. Это тоже образование
избыт. Концентрации основных НЗ.

В этом случае область генер. И рекомб. Совпадают.

Рекомбинация НЗ

Существует 3 типа: -межзонная (entre bandas) -через локальные центры (de centros de captura) -поверхностная
(superficial)

Межзонная - при переходе своб электроны проводимости из ЗП в ВЗ и сопровождается исчезание электроны


и дырки.

Происходит избытка энергии, и в зависимости от направления избыт. Энергии, есть 3 типа:

-излучательная или фотонная, освобождение энергии в виде квантов света.

-безизлучательная или фононная, энергия порядочная решётке, т.е. идёт на образ фонона.

-ударная, энергия расходится на возбужение 3-ого НЗ.

Межзонная излученная рекомбинация (МИР)

Время жизни неравновесных НЗ при МИР в собств. П/п уменьшается с увеличением Т и снижением ширины
Eg.

В примесном п/п ТАУ меньше, чем у собств. Уменьшается с увеличением Т и увеличением степени
легирования.

Деффект решетки, который помогает двигать электроны из ЗП и дырки из ВЗ называется или


рекомбинационная ловушка или центром рекомбинации.

Демаркационный уровень -энергетический уровень ловушки, для которого вероятность рекомб. И тепл.
Освобуждении НЗ одинакова.

Между дем. Уров. И краем ближ. Разреш. Зоны, это центр прилипания

Ежду уровнями дем. - центр рекомб.

Диффузия и дрейф НЗ

Изменение числа НЗ в единичном объёме происходит под действием процессов генерации, рекомб,
диффузия и дрейф.

-генерация, совокупность всех процессов, приводящих у переводу электронов из ВЗ, в ЗП.


Контактные явления в п/п

Совокупность физ. Процессов, протекающие в п/п под действием внешн. ЭП. В состоянии Т/д равновесии
объёмный заряд = 0.

Любое внешнее возбуждение выводит из равновесия.

Загибаем Ev and Ec.


У дырок образуется потенциальна яма и дырки кот
там генерируются не уладят.
И п/п начинает квантоваться.

При наличии внеш ЭП в п/п произойдёт перераспределение НЗ и появится объёмный заряд, характеризуемый
плотностью объёмного заряда и внутр ЭП направленное вниз или вверх внешн ЭП.

Изменение конц-ии НЗ происходит только в приповерхностной поверхности.

При подключении + к поверхности п/п n-типа, ОНЗ будет вверх, при - ОНЗ будет убывать вглубь п/п.

Когда электроны вверх обогащение (hay más huecos abajo), когда вниз обеднение (hay más electrones).

Работа выхода

Термо эмиссия - явление выхода электронов из вещества за счет тепловой энергии.

На границе твёрдого тела есть потенциальный барьер и мешает выходу НЗ из кристала.


X=Eo-Ec - истинная работа выхода (ИРВ)
ИРВ - энергия, необходимая для перевода
покоящегося электрона в ЗЗ без сообщения ему
кинетическая энергия.
Фp>Фb siempre

Так как положение уровни Ферми зависит от Т, природы и конц-ии примеси, то значение Ф тоже от этого
зависит.

Контакт Ме-п/п

Если уровень Ферми металла лежит ниже Ef п/п

РВ Ме > РВ п/п

Ме загружается -, а п/п +

Тк плотность заряда в Ме >> чем в п/п (конц-я НЗ >>) то толщина слоя объ заряда в Ме << чем в п/п.

Вблизи контакта число электронов в ЗП уменьшается и число дырок в ВЗ увеличивается.

Когда Ф Ме > Ф п/п, обогащающий ННЗ - запирающий слой, и конц-я ОНЗ - дырки у конткак будет больше чем
в объ п/п - антизапирающий.

В случае Ф п/п > Ф Ме: п/п заряжается -, зоны энергии в приконт. идут вниз.

Вблизи контакта число электронов в ЗП увеличивается и уменьшается число дырок в ВЗ.

PN-переход возникает при сильном обогащении приконт-ой области ОНЗ.

Диод при одной полярности где ток может протекать, а при другой нет - диод Шетки.
Q+ Q-

Q+ -мешает переходу дырок из p в n-барьер для дырок

Q- - мешает электроны из в n в p-барьер


ОПЗ по ширине увеличивается
Q+, Q-, увелич.
Рост потен. Барьера
(ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ СМЕЩЕНИЕ)

Теперь ОНЗ надо преодолеть qФк и еще , и поток ОНЗ ещё меньше.
Поток ННЗ не меняется.
ОНЗ ширина уменьшается
Уменьшаются
Поток ОНЗ увелич.
(ПРЯМОЕ СМЕЩЕНИЕ)
Чем больше внеш ЭП, тем меньше ОПЗ, тем больше
ОНЗ переходят

P-N переход

Переход между материалами с электропроводностью противоположного типа.

В зависимости от типа легирования (отношения конц-ий) есть симметричные и несимметричные.

Симметричные - конц-ии одинаковые, несимм - конц-ии различаются.

В зависимости от скорости изменения типа электропроводности, есть резкие и плавные. Используются


больше всего резкие, процесс гораздо проще.
Los factores que más alteran esta periodicidad son las vibraciones de los núcleos de la red alrededor de sus
posiciones de equilibrio y la presencia de átomos de impureza. A medida que aumenta la temperatura, estas
partículas empiezan a ocupar estados energéticos superiores. Los núcleos de la red cristalina dejan de estar parados
y comienzan a vibrar alrededor de sus posiciones de equilibrio y los electrones de valencia empiezan a ocupar
estados energéticos en la banda de conducción.

En cristales relativamente puros y poco dopados la dispersión en iones de impureza es

sólo dominante a temperaturas muy bajas. Esto quiere decir que a temperatura ambiente los

portadores se dispersan como consecuencia de las vibraciones de los núcleos de la red. En

semiconductores muy dopados, la dispersión térmica (producida por vibraciones de los núcleos) de

la red sólo es dominante a temperaturas altas. Esto quiere decir que a temperatura ambiente los

portadores se dispersan en los iones formados por los átomos de las sustancias dopantes.

Tiempo de relajación que es igual al tiempo que tiene que transcurrir para que un portador de

carga tenga una velocidad totalmente incorrelada con la velocidad que inicialmente tenía. (el tiempo de relajación es
igual al tiempo medio entre colisiones)
El tiempo medio entre choques depende, en ambos mecanismos dispersivos, de la energía cinética del portador de
carga.

En un semiconductor extrínseco cada ión de impureza origina a su alrededor un campo

eléctrico. Bajo la acción de este campo el portador se desvía de su dirección inicial, tal como se

muestra en la Figura 19. El portador se desvía más cuanto menor es su velocidad y más cerca pase del ión de impur
eza.
1) Дрейф - движение носителей заряда под действием электрического поля.
2) Диффузия – движение свободных носителей заряда под действием их градиента
концентрации, то есть под действием сил, возникающих из-за их неравномерного
распределения по объему проводника.