Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
Термогенерация – При увеличении температуры амплитуда колебаний атомов становится всё больше и
больше. Связь электронов рвется и появляется вакансия.
Тепловой занос – появляется электрон в зоне проводимости и в валентной зоне дырка (вакансия)
Подвижность – характеристика носителей заряда. Сharacterises how quickly an electron can move through
a metal or semiconductor, when pulled by an electric field.
Приложение ЭП
В n – типе электроны больше, появляются электроны компонента, которые больше чем дырки.
Собственный п/п – п/п в котором образуется равное количество электронов и дырок, в результате разрыва
валентных связей.
Длина свободного пробега – расстояние, проходимое носителем заряда между 2мя столкновениями.
При помещении атомам донорной примеси в узел КР, валентные электроны слабо связаны с ядром и по
достижении активации (Т, энергия) отрывается от атома и становится освободным носителем заряда.
Электропроводность п/п-ов
Плотность тока - это заряд, подходящий в единицу времени в единичное сечение п/п
q∗τ
μ=
j=q∗n∗V =q∗n∗μ∗E=σ∗E m
σ – удельная проводимость
¿
Эффективная масса электрона m =k∗m 0
k – постоянная Больцмана
Когда электрон становится более тяжелым, то его скорость V снижается (энергия отдается кристаллической
решетке)
Минимальное расстояние между дном ЗП и потолок ВЗ называется ЗЗ.
Примесные состояния
При замещении узла КР атома примеси, происходят изменения. В ЗЗ п/п-а появляется дополнительный
уровень энергии, лежащий ниже дня ЗП в случае донорные примеси, мб выже потолка ВЗ для акцепторные.
Чтобы при комнатной температуре вся примесь была ионизирована (активирована) надо, чтобы глубина
положила эти уровни не в ЗЗ.
Мелкие и глубокие
Донорные п/п-и
Т насыщения – Т при которой наблюдается полная ионизация донорной примеси. Область Т при которой
полная ионизация называется областью насыщения. Это когда Ef=Ed.
Область собственной проводимости – Область Т, при которой донорные п/п теряет свои донорные свойства и
становится собственным п/п
[1]Область слабой ионизации
[2]Область насыщения
[3]Область собственной проводимости
Ts – Т насыщения
Ti – Т собственной проводимости
Механизм рассеяния НЗ
Центр рассеяния - Cualquier irregularidad del cristal que distorsione la periodicidad del potencial de la red, es un
centro de dispersión. Любая неоднородность кристалла, искажающая поле (периодичность) КР.
это когда летит электрон по прямой, с определённой скоростью, никто ему не мешает. А потом он
встречает центр рассеяния. Который меняет его траекторию и/или скорость
Эффективное сечение рассеяния (захвата) – отнощение числа электронов уделённых из пучка в результате
рассеяния.
В примесном п/п-е (semiconductor extrínseco) все ионы примеси создают вокруг себе ЭП под
взаимодействием которым НЗ относятся от своей начальной траектории.
Время релаксации τ – время за которым частица, которую придали энергию, вернется в начальное состояние.
(время своб. Пробега)
Эффект Холла - Это в основном для п/п, тк мало НЗ. Это отклонение НЗ под действием МП
Эффект Кола
При приложении внешнее МП перпендикулярен направлению элктр. Тока. На движущихся НЗ начинает сила
Лоренца.
Электроны на длине своб. Пробега набирают избыток энергии и электроны рассеивания, передовая энергию решетке и
приходит в тепловое равновесие.
В слабом ЭП υ дрейф << чем тепловая скорость υо.
Сильное ЭП может приводить к измен. конц-ий НЗ.
ε
Критичное напряжение ЭП, ( кр ) это U при кот. Начинается электро-жырочный газ.
При дальнейшем увеличении напряжения ЭП, начинает сказываться эффект на оптических колебаниях, в этом случае
энергия НЗ изменяется на величину = энергии фонона и общей потери энергии сильно увеличивается.
Явление убегания НЗ - когда при дальнейшем увеличении напряжения, энергия становится больше чем энергия оптич.
Колеб. Это значит, что резко увеличивается подвижность и скорость НЗ.
Эффект Ганна
Когда достигает
ε кр
, возникает тепловой эффект.
В сильном ЭП электроны приобретают энергию достаточно для ионизации атомов вещества, в результате
того, возникает электр-дыр. пары снова ускоряемые полем и генерируют дополнительные НЗ.
Ускорение электрона зависит от 2х факторов: ускорение во внешнем ЭП и рассеивание на фононах.
Если электрон набирает энергию, в результате сталкновения с многими фононами, то такое движение -
диффузия.
Если у НЗ длина своб. Пробега, достаточна велика, чтобы достичь порог. Ионизации без столкновения с
фононами - дрейф.
n=n0 + Δn
p= p0 +Δp
Биполярная генерация НЗ
Это генерация своб. НЗ, при кот-ой в рез-те возбуждении возникает электроно-дирочные пары
Δn=Δp
tiempo medio que transcurre desde que se genera un electrón hasta que se recombina. Он намного больше, чем
время релаксации, тк НЗ suffers много столкновений перед тем как происходит рекомбинацию.
Когда τ большое, своб электроны и дырки могут перейти из области генерации тк они могут пройти большое
расстояние.
Наблюдается в легир. П/п при доминировании одного из типов НЗ по концентрации. Это тоже образование
избыт. Концентрации основных НЗ.
Рекомбинация НЗ
Существует 3 типа: -межзонная (entre bandas) -через локальные центры (de centros de captura) -поверхностная
(superficial)
-безизлучательная или фононная, энергия порядочная решётке, т.е. идёт на образ фонона.
Время жизни неравновесных НЗ при МИР в собств. П/п уменьшается с увеличением Т и снижением ширины
Eg.
В примесном п/п ТАУ меньше, чем у собств. Уменьшается с увеличением Т и увеличением степени
легирования.
Демаркационный уровень -энергетический уровень ловушки, для которого вероятность рекомб. И тепл.
Освобуждении НЗ одинакова.
Между дем. Уров. И краем ближ. Разреш. Зоны, это центр прилипания
Диффузия и дрейф НЗ
Изменение числа НЗ в единичном объёме происходит под действием процессов генерации, рекомб,
диффузия и дрейф.
Совокупность физ. Процессов, протекающие в п/п под действием внешн. ЭП. В состоянии Т/д равновесии
объёмный заряд = 0.
При наличии внеш ЭП в п/п произойдёт перераспределение НЗ и появится объёмный заряд, характеризуемый
плотностью объёмного заряда и внутр ЭП направленное вниз или вверх внешн ЭП.
При подключении + к поверхности п/п n-типа, ОНЗ будет вверх, при - ОНЗ будет убывать вглубь п/п.
Когда электроны вверх обогащение (hay más huecos abajo), когда вниз обеднение (hay más electrones).
Работа выхода
Так как положение уровни Ферми зависит от Т, природы и конц-ии примеси, то значение Ф тоже от этого
зависит.
Контакт Ме-п/п
РВ Ме > РВ п/п
Ме загружается -, а п/п +
Тк плотность заряда в Ме >> чем в п/п (конц-я НЗ >>) то толщина слоя объ заряда в Ме << чем в п/п.
Когда Ф Ме > Ф п/п, обогащающий ННЗ - запирающий слой, и конц-я ОНЗ - дырки у конткак будет больше чем
в объ п/п - антизапирающий.
В случае Ф п/п > Ф Ме: п/п заряжается -, зоны энергии в приконт. идут вниз.
Диод при одной полярности где ток может протекать, а при другой нет - диод Шетки.
Q+ Q-
Теперь ОНЗ надо преодолеть qФк и еще , и поток ОНЗ ещё меньше.
Поток ННЗ не меняется.
ОНЗ ширина уменьшается
Уменьшаются
Поток ОНЗ увелич.
(ПРЯМОЕ СМЕЩЕНИЕ)
Чем больше внеш ЭП, тем меньше ОПЗ, тем больше
ОНЗ переходят
P-N переход
sólo dominante a temperaturas muy bajas. Esto quiere decir que a temperatura ambiente los
semiconductores muy dopados, la dispersión térmica (producida por vibraciones de los núcleos) de
la red sólo es dominante a temperaturas altas. Esto quiere decir que a temperatura ambiente los
portadores se dispersan en los iones formados por los átomos de las sustancias dopantes.
Tiempo de relajación que es igual al tiempo que tiene que transcurrir para que un portador de
carga tenga una velocidad totalmente incorrelada con la velocidad que inicialmente tenía. (el tiempo de relajación es
igual al tiempo medio entre colisiones)
El tiempo medio entre choques depende, en ambos mecanismos dispersivos, de la energía cinética del portador de
carga.
eléctrico. Bajo la acción de este campo el portador se desvía de su dirección inicial, tal como se
muestra en la Figura 19. El portador se desvía más cuanto menor es su velocidad y más cerca pase del ión de impur
eza.
1) Дрейф - движение носителей заряда под действием электрического поля.
2) Диффузия – движение свободных носителей заряда под действием их градиента
концентрации, то есть под действием сил, возникающих из-за их неравномерного
распределения по объему проводника.