Первый солнечный фотоэлемент был назван солнечная батарея. Технология
получения кремниевой батареи, физико-технические основы работы. Современные солнечные батареи значительно превосходят по характеристикам батареи созданные в 50-х годах и находят широкое применение в различных областях народного хозяйства. Солнечная батарея так назвали первый кремниевый фотоэлемент. Этот фотоэлемент создан в 1953 г. и представляет собой преобразователь лучистой энергии в электрическую с очень большим для этого класса приборов к. п. д., достигающим 6%. Кремний - элемент, обладающий полупроводниковыми свойствами, расположенный в IV группе периодической системы, второй по распространенности элемент в природе. Атомный вес его 28,06, а порядковый номер 14. Температура плавления кристаллического кремния 1415° С, а температура кипения 2360° С. Электропроводность кремния в зависимости от сорта и числа, введенных в него примесей колеблется в довольно широких пределах. Как и три других элемента IV группы, кремний обладает решеткой типа алмазной. For already relatively many years, silicon is the object of comprehensive physical research. In recent years, physicists have focused their main attention on the study of its electrical properties. As a result of many years of research, results have been obtained that are of great value, both for theories and for practice. Among these results, the method of obtaining silicon with a predetermined conduction mechanism-electron or hole, which allowed the development of silicon detectors, is of great importance. An equally important result is undoubtedly the development of a technology for the introduction of impurities of foreign atoms into a single crystal of silicon, which makes it possible to obtain in a single crystal a pn junction, on the basis of which a silicon photocell with a locking layer was created. On the basis of such photocells, a solar battery was created. Технология изготовления кремниевого фотоэлемента довольно сложна. Она сводится в основном к следующим операциям. Сначала из расплавленного кремния выращивают большие монокристаллы. Взращивание монокристаллов может осуществляться разными способами. Один из них заключается в том, что в расплавленный кремний погружается затравка и очень медленно подымается вверх. Затравка, т. е. небольшой монокристаллик данного вещества, представляет собой кристаллизационный центр, вокруг которого начинается кристаллизация. В процессе медленного подъема затравки начинается постепенное образование монокристалла кремния, который может быть получен достаточно больших размеров. Весь этот процесс проводится в условиях высокого вакуума. Нагрев кремния осуществляется индукционной высокочастотной печью.
Solar battery The first solar photocell was called a solar battery. The technology of obtaining a silicon battery, the physical and technical basis of work. Modern solar batteries significantly exceed the characteristics of batteries created in the 50's and are widely used in various areas of the economy. The solar battery so named the first silicon photocell. This photocell was created in 1953 and represents a converter of radiant energy into electrical energy with a very high efficiency of 6% for this class of instruments. Silicon is an element possessing semiconductor properties, located in the IV group of the periodic system, the second most abundant element in nature. Its atomic weight is 28.06, and the atomic number is 14. The melting point of crystalline silicon is 1415 ° C, and the boiling point is 2360 ° C. The electrical conductivity of silicon varies widely, depending on the grade and the number of impurities introduced into it. Like the other three elements of group IV, silicon has a diamond-type lattice.
В течение уже сравнительно многих лет кремний является объектом всесторонних
физических исследований. В последние годы физики главное свое внимание сконцентрировали на изучении его электрических свойств. В итоге многолетних исследовательских работ были получены результаты, представляющие большую ценность, как для теорий, так и для практики. Среди этих результатов большое значение имеет метод получения кремния с наперед заданным механизмом проводимости - электронным или дырочным, позволивший разработать кремниевые детекторы. Таким же важным результатом, несомненно, следует считать разработку технологии введения в монокристалл кремния примесей посторонних атомов, позволяющей получать в одном кристалле р -n -переход, на основе которого и был создан кремниевый фотоэлемент с запорным слоем. На основе таких фотоэлементов и была создана солнечная батарея
The technology of manufacturing a silicon photocell is quite complicated. It consists
mainly of the following operations. First, large monocrystals are grown from molten silicon. The growth of single crystals can be accomplished in various ways. One of them is that the seed is immersed in molten silicon and very slowly rises upward. During the slow rise of the seed, a gradual formation of a single crystal of silicon begins, which can be obtained rather large in size. This whole process is carried out under conditions of high vacuum. Silicon heating is carried out by an induction high-frequency furnace.
