Вы находитесь на странице: 1из 5

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего образования
«Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого»
Институт энергетики

Отчет по лабораторной работе №5


«Исследование экранирования в постоянном магнитном поле»

Студент: Фёдоров Д.А.


Группа: 3231302/80004
Преподаватель: Кочеткова Е.Ю.

Санкт-Петербург
2020
Цель работы: экспериментальное исследование и анализ зависимости экранирующего
действия составных экранов от их формы и размеров, свойств материала, из которого они
изготовлены, а также от наличия и расположения щелей (стыков) между отдельными
частями экранов.
Описание установки и методика проведения эксперимента:

Рис. 1 Схема установки


Магнитное поле, в которое помещаются исследуемые экраны, создается в
воздушном зазоре электромагнита. Воздушный зазор сохраняется постоянным при
выполнении всех опытов.
Установка содержит устройство, предназначенное для предварительного
размагничивания ферромагнитных экранов. В процессе размагничивания в зазоре
электромагнита создается переменное магнитное поле с плавно уменьшающейся до нуля
амплитудой магнитной индукции.
В процессе работы были экспериментально определены степень экранирования
всех сферических экранов при различной ориентации плоскости стыка по отношению к
направлению внешнего магнитного поля
1. Расчет степени экранирования

Таблица 1.
Экспериментальные данные степени экранирования в постоянном магнитном поле.
Ток в обмотке электромагнита I=1 A Магнитная индукция B0 = 13,2 мТл

Форма экрана,
толщина, материал
мТл мТл а а
сфера 1,5 мм сталь 0,82 0,34 16,10 38,82
сфера 3 мм сталь 0,55 0,13 24,00 101,54
сфера 5 мм сталь 0,46 0,09 28,70 146,67
сфера 5 мм медь 12,8 12,7 1,03 1,04
сфера 5 мм
12,8 12,8 1,03 1,03
алюминий
цилиндр 3мм сталь 0,32 41,25

цилиндр 5мм сталь 0,45 29,33

B0
Формула для расчета степени экранирования: α =
B
Пример расчета для случая стальной сфера толщиной стенки 5 мм:
B 0 13,2
Щель расположена горизонтально: α = = =¿28,70
B 0,46
B 0 13,2
Щель расположена вертикально: α = = =¿146,67
B 0,09

Рис. 2 зависимость степени экранирования от толщины стенки сферического экрана.


2. Теоретический расчет степени экранирования в постоянном магнитном поле.

1
H i=H 0
2 R3 μ0 μ - Формула точна для сферических экранов, магнитная
1+
9 ( )(
1− 13
R2 μ
+ −2
μ 0
)
проницаемость μ которых во всех точках одинакова. Ввиду того, что магнитная
проницаемость стальных экранов зависит от напряженности магнитного поля, которая
в различных точках стенки экрана неодинакова, степень экранирования, получаемая по
(*) будет соответствовать некоторому среднему значению μ в стенке экрана.

Рис. 3 Зависимость µ/µ0 от Hi по теоретическим данным таблицы 5.1 методического пособия.

Таблица 2
Начальные данные для теоретического расчета.
R1, м R2, м B0, Тл μ0, Гн/м H0,А/м aэксп
0,027 0,03 0,0132 0,000001256 10509,55 101,54
Проведем количество итераций, необходимое для определения значения  H i с
расхождением двух предыдущих результатов не более, чем на 1-2%.
Таблица 3.
Итерационный расчет степени экранирования
Hi, А/м μ/μ0та бличн Hi, А/м
103,5 779,17 219,8514
219,9 1341,954 128,6437
128,6 945,332 181,796
181,796 1160,76672 148,4745
148,4745 1076,90119 159,8825
159,8825 1109,9274 155,1869
155,1869 1099,033608 156,705

Пример расчета для последней строки:


1
H i=10509,55 =156 ,70 5 А / м
3
2 27
9 (
1+ 1−
30

3

) ( 1/1099,03+1099,03−2 )

Теоретический расчет степени экранирования:


H0
а= – формула для расчета степени экранирования
Hi
10509,55
а= =67,07 в случае стального сферического экрана с толщиной стенки 5мм
156 ,70 5

Вывод: